JPH08150694A - ラミネート装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ベースフィルムが５０μｍ以上と厚い場合にお
いても、レジスト層への気泡の巻き込みやケバ立ちを発
生させずに、ドライレジストフィルムを基板に貼り付け
ることのできるラミネート装置を提供する。 【構成】レジスト層カット部Ｅでは、ラミネート前に、
ベースフィルム３１を残してレジスト層３３及び中間層
３２を基板サイズ以下の大きさ毎にカットする。基板間
フィルム切断部Ｇでは、ドライレジストフィルム１のラ
ミネートされた基板と基板の間において、ドライレジス
トフィルム１を切断する。フィルム除去部Ｉでは、基板
２に貼り付けられたドライレジストフィルム１のベース
フィルム３１と共に、レジスト層３３のカットされた部
分の外方のレジスト層３３ａ及び中間層３２ａを剥離す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ドライレジストフィル
ムを基板にラミネートするラミネート装置であって、特
に連続的なラミネートを行うラミネート装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、ドライレジストフィルム（例
えば、感光性積層フィルム）は、基板に直接貼り付けら
れるレジスト層（例えば、感光性樹脂層）と、このレジ
スト層を形成する際の土台となるベースフィルムの少な
くとも２層より構成されている。図２はドライレジスト
フィルムの一例を示す構成図である。ベースフィルム３
１上に一層あるいは複数層の中間層３２が形成されてお
り（中間層３２のないものもある）、更にその上に紫外
線により硬化するレジスト層３３が形成されている。レ
ジスト層３３上にはそれを保護するカバーフィルム３４
が設けられている。カバーフィルム３４は、ドライレジ
ストフィルムと基板との貼り付け（ラミネート）を行う
前に、レジスト層３３の面を露出させるために巻き取ら
れる。また、ベースフィルム３１は、露光・現像が行わ
れる前にレジスト層３３から剥離される。

【０００３】従来、上記したドライレジストフィルムと
基板とのラミネートは、一対のヒートローラの間に基板
とドライレジストフィルムを挟み込み、前記ヒートロー
ラにてドライレジストフィルムを基板に熱圧着すること
により行われている。この際、ドライレジストフィルム
が基板の長さに合わせて切断されているのが一般的であ
る。しかし、この方法では、切断されたドライレジスト
フィルムがラミネート時にフリー状態となっているた
め、ドライレジストフィルムにしわ等が発生し易く、基
板とドライレジストフィルムとの間に気泡を巻き込むこ
とがあった。この問題を解決するラミネート装置とし
て、ドライレジストフィルムを吸着保持しながらヒー
トローラにて圧着する装置（特開昭６１−２０５１４０
号公報）やドライレジストフィルムを基板の長さ毎に
切断せず、連続的に貼り付ける装置（特開平４−３２３
０３１号公報）が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
の装置を使用した場合には、ベースフィルムの厚さが
厚くなるとドライレジストフィルムと基板との間に気泡
の巻き込みが発生する。以下に図８を用いてその説明を
する。

【０００５】図８はのラミネート装置のラミネート部
を示す図である。ドライレジストフィルム１は図２に示
した構成となっているものとする。図中の矢印Ａの方向
に送られた基板２は、図中の矢印Ｂの方向に回動された
ヒートローラ２６により、ドライレジストフィルム１と
貼り合わされる（下側のヒートローラは図示していな
い）。２５はフィルム吸引部材であり、ドライレジスト
フィルム１との接触面２５ａに複数の吸引口（図示して
いない）を有しており、基板サイズに切断されたドライ
レジストフィルム１の終端部付近を吸着固定する。図８
（Ａ），図８（Ｂ）に示すように、この装置によれば、
ドライレジストフィルム１はフィルム吸引部材２５に吸
引され張力を与えられた状態で、基板２にラミネートさ
れるため、ベースフィルム３１の厚さが薄いときには、
ドライレジストフィルム１にしわ等が発生せず、良好な
ラミネートが行われる。しかし、ベースフィルム３１が
厚いとき（厚さが５０μｍを越えるとき）には、特にド
ライレジストフィルム１の終端部付近において、フィル
ム吸引部材２５の吸着力がベースフィルム３１の固さに
負けてしまい、ヒートローラ２６による圧着が完了する
前に、ドライレジストフィルム１が接触面２５ａから離
れ、基板２と接触することがある（図８（Ｃ））。この
とき、基板２とドライレジストフィルム１との間に気泡
を巻き込む可能性がある。

【０００６】特に、レジスト層の厚みを均一に保つため
にベースフィルムに７５μｍの厚さのものを使用してい
る液晶表示装置のカラーフィルター製造用のドライレジ
ストフィルムを使用する場合において、上記の気泡の巻
込みが問題となっている。

【０００７】また上記ののラミネート装置では、ベー
スフィルムを剥離する際に、レジスト層や中間層にケバ
立ちや残りが生じ、その後の露光に悪影響を及ぼしてい
た。以下に図９、１０を用いてこの説明をする。

【０００８】図９、図１０はのラミネート装置のベー
スフィルム剥離部を示す図である。ドライレジストフィ
ルム１は図２に示した構成となっているものとする。こ
の装置では、ドライレジストフィルム１を切断せずに適
当な張力を与えた状態で、連続的に基板に貼り付けるた
め、しわ等の発生は抑制される。ラミネートは、基板２
上の一部分を加熱圧着バーで加圧することにより行われ
る。ラミネート後、基板２はローラ等（図示していな
い）によりドライレジストフィルム１とともに矢印Ｃの
方向に送られ、図９に示すベースフィルム３１剥離部に
到達する。

【０００９】図９（Ａ）は、ベースフィルム３１の剥離
開始直前の様子を示す図である。図において、２７はラ
ミネート部で加圧された加圧領域である。ベースフィル
ム３１剥離部では、ドライレジストフィルム１が送りロ
ーラー２８により矢印Ｄの方向に送られると共に、基板
２が矢印Ｃの方向に動かされ、これにより、基板２から
ベースフィルム３１が剥離されていく（図９（Ｂ））。
そして、レジスト層３３及び中間層３２が、加圧領域２
７と剥離された部分との境界で引き延ばされ（図９
（Ｃ））、レジスト層３３及び中間層３２の弾性限界を
超えたところで、レジスト層３３及び中間層３２が破断
される（図９（Ｄ））。このとき図９（Ｄ）に示すよう
なケバ立ち２９が発生する。

【００１０】図１０（Ａ）は、ベースフィルム３１の剥
離終了直前の様子を示す図である。基板２が矢印Ｃの方
向に送られていき、加圧領域２７が送りローラー２８の
真下を過ぎると、基板２上から余分なドライレジストフ
ィルムが剥離されていく（図１０（Ｂ））。そして、レ
ジスト層３３及び中間層３２が、加圧領域２７と剥離さ
れた部分との境界で引き延ばされ（図１０（Ｃ））、レ
ジスト層３３及び中間層３２の弾性限界を超えたところ
で、レジスト層３３及び中間層３２が破断される（図１
０（Ｄ））。このとき、図１０（Ｄ）に示すようなドラ
イレジストフィルム１の残り３０が発生する。

【００１１】上記のケバ立ち２９や残り３０が生じる
と、それらが露光装置のマスクに付着したり、基板端か
ら遊離してパターンの形成されるべき部分に付着したり
する。このことは、結果として、露光状態に不具合を生
じ、パターン形成に重大な欠陥をもたらすことになる。

【００１２】本発明は、上記問題点を鑑みて創案された
ものであって、ドライレジストフィルムをしわ寄りさせ
ずに基板に貼り付けるとともに、レジスト層のケバ立ち
や残りを発生させずにベースフィルムを剥離することの
できるラミネート装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明のラミネート装置
は、ドライレジストフィルムのベースフィルムを残して
レジスト層を基板サイズ以下の大きさ毎にカットする手
段と、そのカットの後、レジスト層を複数の基板上に連
続的に貼り付ける手段と、この貼り付け後に複数の基板
の基板間において、ドライレジストフィルムを切断する
手段と、切断の後、基板に貼り付けられたドライレジス
トフィルムのベースフィルムを前記カット部分外方のレ
ジスト層と共に剥離するフィルム除去手段と、を備えて
なるものである。

【００１４】

【作用】ドライレジストフィルムを複数の基板上に連続
的に貼り付けるため、ベースフィルムの厚さが５０μｍ
以上の場合においても、レジスト層にしわや気泡が生じ
ることを防ぐことができる。また、ラミネート前に、ベ
ースフィルムを残してレジスト層を基板サイズ以下の大
きさ毎にカットするため、その後のベースフィルムの剥
離時に、レジスト層を引き延ばして破断させる必要がな
く、レジスト層のケバ立ちや残りを抑制することができ
る。更に、ベースフィルムの剥離前にドライレジストフ
ィルムを切断し、基板一枚づつ単独に処理できるように
するため、ベースフィルムの剥離工程をラミネート速度
に同期させずに行うことができ、ラミネート装置の構成
が簡単になる。

【００１５】また、ベースフィルムの剥離時に、レジス
ト層がカットされた部分（以下、カット部分と記す）外
方のレジスト層の温度を６０℃〜９０℃とすれば、その
レジスト層を剥離することが容易になる。

【００１６】

【実施例】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図２はドライレジストフィルム１を示す構成図であ
る。図３、図４、図５はそれぞれ図１のレジスト層カッ
ト部Ｅ、基板間フィルム切断部Ｈ、フィルム除去部Ｉの
拡大図である。以下に図１乃至図５に基づいて本例を説
明する。

【００１７】ドライレジストフィルム１は図２に示すよ
うに、土台となるベースフィルム３１上に一層あるいは
複数層の中間層３２が形成され（中間層３２はなくても
よい）、その上に紫外線によって硬化するレジスト層３
３が形成されている。そして、レジスト層３３の上には
レジスト層３３を保護するカバーフィルム３４が設けら
れている。このカバーフィルム３４は、ラミネートを行
う前に図１に示すカバーフィルム巻き取りロール１１に
より巻き取られる。

【００１８】ラミネートされるべき基板２は、基板予熱
部Ｆにて、予熱ヒーター３で所定の温度（基板２の材
質、レジスト層３３の材質、基板２の搬送速度によって
異なるが、通常５０〜８０℃が望ましい）に暖められ、
搬送ローラ４によってラミネート部Ｇへ運ばれる。

【００１９】一方、ドライレジストフィルム１は、レジ
スト層カット部Ｅの吸着プレート７上において、ベース
フィルム３１を残してレジスト層３３及び中間層３２が
カットされた後、ラミネート部Ｇへと送られる。上記カ
ットは、ラミネート部Ｇにおいて基板２上に所望の大き
さのレジスト層３３が重なるように、センサー（図示し
ていない）で基板２の位置を検出しながら行われる。図
３（Ａ）はそのカット中の様子を示す拡大図であり、図
３（Ｂ）はカット後の様子を示す拡大図である。カット
は、カッター移動ユニット８を前進させて、カッタース
ライドユニット１０にてカッター９をスライドさせるこ
とにより行う。

【００２０】ラミネート部Ｇでは、ラミネートローラー
５，６によりドライレジストフィルム１が基板２に熱圧
着される（このときのラミネートローラー５，６の温度
は基板２の材質、レジスト層３３の材質、基板２の搬送
速度によって異なるが、通常１００〜１３０℃が望まし
い）。

【００２１】ラミネート後、基板２は搬送ローラ４によ
り基板間フィルム切断部Ｈへと運ばれる。

【００２２】図４は基板間フィルム切断部Ｈの構成を示
す側面図である。この図では、基板２は紙面裏面から紙
面表面へと搬送ローラ４により運ばれている。フィルム
切断部Ｈでは、ドライレジストフィルム１を隣り合う基
板間において切断する。この切断は以下の手順で行う。
まず、基板押さえ昇降ユニット１４により基板押さえ１
５を下降させて、基板２の上のドライレジストフィルム
１が剥離しないように押さえながら、カッター昇降ユニ
ット１６にてディスクカッター１７を上昇させたる。そ
の後、カッタースライドユニット１８にてディスクカッ
ター１７をスライドさせ、ドライレジストフィルム１を
切断する。ここでは、ディスクカッター１７によりドラ
イレジストフィルム１を切断したが、シャー刃やロータ
リーカッターや電熱線等で切断してもよい。

【００２３】次に、基板２はフィルム除去部Ｉまで搬送
され、上昇してきた基板吸着ステージ２０により固定さ
れる。そして、ベースフィルム３１と、カット部分外方
のレジスト層３３ａ及び中間層３２ａが剥離される。

【００２４】図５はフィルム除去部Ｉの拡大図である。
ここにはフィルムチャック２１が備えられており、これ
によりレジスト層３３ａ及び中間層３２ａとベースフィ
ルム３１を基板の両側から挟み、上部へ引っ張り、レジ
スト層３３ａ及び中間層３２ａとベースフィルム３１を
剥離する。本例では、ラミネート前に、レジスト層３３
及び中間層３２が基板サイズ以下の大きさにカットされ
ているため、レジスト層３３のケバ立ちや残りを抑制す
ることができる。上記の剥離は、この他、基板２の両側
に設けた粘着ローラーで巻き取ることにより行ってもよ
い。

【００２５】また、レジスト層３３ａ及び中間層３２ａ
とベースフィルム３１を剥離する工程は、ラミネート部
で加熱されたレジスト層３３ａの温度が下がらないうち
に、具体的にはレジスト層３３ａの温度が６０℃以上の
条件で、実行することが好ましい。その理由は、ドライ
レジストフィルム１のレジスト層３３には、高温状態で
は軟らかく基板２との密着力が弱いが、低温状態では硬
く基板２との密着力が強いという性質があり、剥離部分
にレジスト層３３や中間層３２の残りを発生させないた
めには、レジスト層３３ａを高温に保ち、剥がし易くす
る必要があるからである。レジスト層３３ａの温度を上
記の条件とするため、本例では、基板間フィルム切断部
での処理終了後、基板２をフィルム除去部まで高速で搬
送している。

【００２６】フィルム除去部Ｉにおいて、レジスト層３
３ａの温度を高めに設定するために、加熱手段を設けて
もよい。図６は加熱手段を設けたラミネート装置の一例
を示す図である。図１と同一部分については同一記号で
表している。この装置は、フィルム除去部Ｉに加熱プレ
ート２２を備えたものであり、その他の部分は図１と同
様であるため説明を省略する。図７はそのフィルム除去
部Ｉの拡大図である。ここには、ドライレジストフィル
ム１のラミネートされた基板２が、一枚毎に単独で送ら
れてくる。その後、基板２は加熱プレート２２上に固定
され、ヒーター２３により加熱される。このとき、レジ
スト層３３ａの温度が６０℃〜９０℃となるように加熱
するのが好ましい。なぜなら、レジスト層３３ａの温度
が低い（６０℃以下）ときには、基板２との密着力が強
く、剥離することが難しく、レジスト層３３ａの温度が
高い（９０℃以上）ときには、レジスト層３３や中間層
３２やベースフィルム３１が熱重合を発生し現像されに
くくなるからである。このようにフィルム除去部Ｉに加
熱手段を設けた場合、ベースフィルム３１とレジスト層
３３ａ及び中間層３２ａの剥離を、基板間フィルム切断
部Ｈでの処理終了後直ちに行う必要はなく、後の露光・
現像工程に合わせて行うことができる。

【００２７】本例では、ベースフィルム３１を残してレ
ジスト層３３を基板サイズ以下の大きさ毎にカットした
後、連続的にラミネートするため、ベースフィルム３１
の厚さが５０μｍ以上の場合においても、ラミネート時
のしわ寄りを発生させない。また、ベースフィルム３１
剥離時に、ケバ立ちやレジスト層３３や中間層３２の残
りを抑制することができる。更に、ベースフィルム３１
の剥離前にベースフィルム３１を基板毎に切断するた
め、ベースフィルム３１の剥離工程をラミネート速度に
同期させずに基板一枚毎に単独で行うことができ、ラミ
ネート装置の構成が簡単になる。

【００２８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ドライ
レジストフィルムの連続的な貼り付けにより、ベースフ
ィルムの厚さが５０μｍ以上の場合においても、レジス
ト層への気泡等の巻込みを抑制することができる。ま
た、ラミネート前にベースフィルムを残してレジスト層
をカットするため、レジスト層のケバ立ちや基板上のレ
ジスト層の残りを抑え、ラミネートの歩留まりを向上さ
せることができる。更に、ベースフィルム剥離時にカッ
ト部分外方のレジスト層の温度を６０℃〜９０℃とする
ことによって、基板上のレジスト層の残りをより一層抑
えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す図である。

【図２】ドライレジストフィルムの構成を示す断面図で
ある。

【図３】レジスト層カット部の拡大図である。

【図４】基板間フィルム切断部の側面図である。

【図５】フィルム除去部の拡大図である。

【図６】本発明の他の例を示す図である。

【図７】図６のフィルム除去部の拡大図である。

【図８】従来のラミネート装置のラミネート部を示す図
である。

【図９】従来のラミネート装置のベースフィルム剥離開
始時の様子を示す図である。

【図１０】従来のラミネート装置のベースフィルム剥離
終了前の様子を示す図である。

【符号の説明】

１ ドライレジストフィルム ２ 基板 ２２ 加熱プレート ２３ ヒーター ３１ ベースフィルム ３２ 中間層 ３３ レジスト層 ３４ カバーフィルム ３２ａ レジスト層がカットされた部分の外方の中間層 ３３ａ レジスト層がカットされた部分の外方のレジス
ト層 Ｅ レジスト層カット部 Ｆ 基板予熱部 Ｇ ラミネート部 Ｈ 基板間フィルム切断部 Ｉ フィルム除去部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定時間を隔てた複数の基板と、レジスト
   層とベースフィルムの少なくとも２層からなるドライレ
   ジストフィルムとを連続的に送りながら、前記複数の基
   板に前記ドライレジストフィルムをラミネートするラミ
   ネート装置において、 前記ベースフィルムを残して、前記レジスト層を基板サ
   イズ以下の大きさ毎にカットする手段と該カットの後、
   前記レジスト層を介し前記ドライレジストフィルムを前
   記複数の基板上に連続的に貼り付ける手段と、 該貼り付け後に、前記複数の基板の基板間において、前
   記ドライレジストフィルムを切断する手段と該切断の
   後、前記基板に貼り付けられた前記ドライレジストフィ
   ルムのベースフィルムと共に、前記カット部分外方のレ
   ジスト層を、前記基板から剥離するフィルム除去手段
   と、を備えてなることを特徴とするラミネート装置。
2. 【請求項２】前記フィルム除去手段により、前記ベース
   フィルムを剥離する時に、前記カット部分外方のレジス
   ト層の温度を６０℃乃至９０℃とする手段を備えてなる
   ことを特徴とする請求項１に記載のラミネート装置。
3. 【請求項３】前記ベースフィルムが５０μｍ以上の厚さ
   を有してなることを特徴とする請求項１に記載のラミネ
   ート装置。