JPH08150694A - ラミネート装置 - Google Patents
ラミネート装置Info
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- JPH08150694A JPH08150694A JP6297063A JP29706394A JPH08150694A JP H08150694 A JPH08150694 A JP H08150694A JP 6297063 A JP6297063 A JP 6297063A JP 29706394 A JP29706394 A JP 29706394A JP H08150694 A JPH08150694 A JP H08150694A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ベースフィルムが50μm以上と厚い場合にお
いても、レジスト層への気泡の巻き込みやケバ立ちを発
生させずに、ドライレジストフィルムを基板に貼り付け
ることのできるラミネート装置を提供する。 【構成】レジスト層カット部Eでは、ラミネート前に、
ベースフィルム31を残してレジスト層33及び中間層
32を基板サイズ以下の大きさ毎にカットする。基板間
フィルム切断部Gでは、ドライレジストフィルム1のラ
ミネートされた基板と基板の間において、ドライレジス
トフィルム1を切断する。フィルム除去部Iでは、基板
2に貼り付けられたドライレジストフィルム1のベース
フィルム31と共に、レジスト層33のカットされた部
分の外方のレジスト層33a及び中間層32aを剥離す
る。
いても、レジスト層への気泡の巻き込みやケバ立ちを発
生させずに、ドライレジストフィルムを基板に貼り付け
ることのできるラミネート装置を提供する。 【構成】レジスト層カット部Eでは、ラミネート前に、
ベースフィルム31を残してレジスト層33及び中間層
32を基板サイズ以下の大きさ毎にカットする。基板間
フィルム切断部Gでは、ドライレジストフィルム1のラ
ミネートされた基板と基板の間において、ドライレジス
トフィルム1を切断する。フィルム除去部Iでは、基板
2に貼り付けられたドライレジストフィルム1のベース
フィルム31と共に、レジスト層33のカットされた部
分の外方のレジスト層33a及び中間層32aを剥離す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライレジストフィル
ムを基板にラミネートするラミネート装置であって、特
に連続的なラミネートを行うラミネート装置に関する。
ムを基板にラミネートするラミネート装置であって、特
に連続的なラミネートを行うラミネート装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、ドライレジストフィルム(例
えば、感光性積層フィルム)は、基板に直接貼り付けら
れるレジスト層(例えば、感光性樹脂層)と、このレジ
スト層を形成する際の土台となるベースフィルムの少な
くとも2層より構成されている。図2はドライレジスト
フィルムの一例を示す構成図である。ベースフィルム3
1上に一層あるいは複数層の中間層32が形成されてお
り(中間層32のないものもある)、更にその上に紫外
線により硬化するレジスト層33が形成されている。レ
ジスト層33上にはそれを保護するカバーフィルム34
が設けられている。カバーフィルム34は、ドライレジ
ストフィルムと基板との貼り付け(ラミネート)を行う
前に、レジスト層33の面を露出させるために巻き取ら
れる。また、ベースフィルム31は、露光・現像が行わ
れる前にレジスト層33から剥離される。
えば、感光性積層フィルム)は、基板に直接貼り付けら
れるレジスト層(例えば、感光性樹脂層)と、このレジ
スト層を形成する際の土台となるベースフィルムの少な
くとも2層より構成されている。図2はドライレジスト
フィルムの一例を示す構成図である。ベースフィルム3
1上に一層あるいは複数層の中間層32が形成されてお
り(中間層32のないものもある)、更にその上に紫外
線により硬化するレジスト層33が形成されている。レ
ジスト層33上にはそれを保護するカバーフィルム34
が設けられている。カバーフィルム34は、ドライレジ
ストフィルムと基板との貼り付け(ラミネート)を行う
前に、レジスト層33の面を露出させるために巻き取ら
れる。また、ベースフィルム31は、露光・現像が行わ
れる前にレジスト層33から剥離される。
【0003】従来、上記したドライレジストフィルムと
基板とのラミネートは、一対のヒートローラの間に基板
とドライレジストフィルムを挟み込み、前記ヒートロー
ラにてドライレジストフィルムを基板に熱圧着すること
により行われている。この際、ドライレジストフィルム
が基板の長さに合わせて切断されているのが一般的であ
る。しかし、この方法では、切断されたドライレジスト
フィルムがラミネート時にフリー状態となっているた
め、ドライレジストフィルムにしわ等が発生し易く、基
板とドライレジストフィルムとの間に気泡を巻き込むこ
とがあった。この問題を解決するラミネート装置とし
て、ドライレジストフィルムを吸着保持しながらヒー
トローラにて圧着する装置(特開昭61−205140
号公報)やドライレジストフィルムを基板の長さ毎に
切断せず、連続的に貼り付ける装置(特開平4−323
031号公報)が知られている。
基板とのラミネートは、一対のヒートローラの間に基板
とドライレジストフィルムを挟み込み、前記ヒートロー
ラにてドライレジストフィルムを基板に熱圧着すること
により行われている。この際、ドライレジストフィルム
が基板の長さに合わせて切断されているのが一般的であ
る。しかし、この方法では、切断されたドライレジスト
フィルムがラミネート時にフリー状態となっているた
め、ドライレジストフィルムにしわ等が発生し易く、基
板とドライレジストフィルムとの間に気泡を巻き込むこ
とがあった。この問題を解決するラミネート装置とし
て、ドライレジストフィルムを吸着保持しながらヒー
トローラにて圧着する装置(特開昭61−205140
号公報)やドライレジストフィルムを基板の長さ毎に
切断せず、連続的に貼り付ける装置(特開平4−323
031号公報)が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
の装置を使用した場合には、ベースフィルムの厚さが
厚くなるとドライレジストフィルムと基板との間に気泡
の巻き込みが発生する。以下に図8を用いてその説明を
する。
の装置を使用した場合には、ベースフィルムの厚さが
厚くなるとドライレジストフィルムと基板との間に気泡
の巻き込みが発生する。以下に図8を用いてその説明を
する。
【0005】図8はのラミネート装置のラミネート部
を示す図である。ドライレジストフィルム1は図2に示
した構成となっているものとする。図中の矢印Aの方向
に送られた基板2は、図中の矢印Bの方向に回動された
ヒートローラ26により、ドライレジストフィルム1と
貼り合わされる(下側のヒートローラは図示していな
い)。25はフィルム吸引部材であり、ドライレジスト
フィルム1との接触面25aに複数の吸引口(図示して
いない)を有しており、基板サイズに切断されたドライ
レジストフィルム1の終端部付近を吸着固定する。図8
(A),図8(B)に示すように、この装置によれば、
ドライレジストフィルム1はフィルム吸引部材25に吸
引され張力を与えられた状態で、基板2にラミネートさ
れるため、ベースフィルム31の厚さが薄いときには、
ドライレジストフィルム1にしわ等が発生せず、良好な
ラミネートが行われる。しかし、ベースフィルム31が
厚いとき(厚さが50μmを越えるとき)には、特にド
ライレジストフィルム1の終端部付近において、フィル
ム吸引部材25の吸着力がベースフィルム31の固さに
負けてしまい、ヒートローラ26による圧着が完了する
前に、ドライレジストフィルム1が接触面25aから離
れ、基板2と接触することがある(図8(C))。この
とき、基板2とドライレジストフィルム1との間に気泡
を巻き込む可能性がある。
を示す図である。ドライレジストフィルム1は図2に示
した構成となっているものとする。図中の矢印Aの方向
に送られた基板2は、図中の矢印Bの方向に回動された
ヒートローラ26により、ドライレジストフィルム1と
貼り合わされる(下側のヒートローラは図示していな
い)。25はフィルム吸引部材であり、ドライレジスト
フィルム1との接触面25aに複数の吸引口(図示して
いない)を有しており、基板サイズに切断されたドライ
レジストフィルム1の終端部付近を吸着固定する。図8
(A),図8(B)に示すように、この装置によれば、
ドライレジストフィルム1はフィルム吸引部材25に吸
引され張力を与えられた状態で、基板2にラミネートさ
れるため、ベースフィルム31の厚さが薄いときには、
ドライレジストフィルム1にしわ等が発生せず、良好な
ラミネートが行われる。しかし、ベースフィルム31が
厚いとき(厚さが50μmを越えるとき)には、特にド
ライレジストフィルム1の終端部付近において、フィル
ム吸引部材25の吸着力がベースフィルム31の固さに
負けてしまい、ヒートローラ26による圧着が完了する
前に、ドライレジストフィルム1が接触面25aから離
れ、基板2と接触することがある(図8(C))。この
とき、基板2とドライレジストフィルム1との間に気泡
を巻き込む可能性がある。
【0006】特に、レジスト層の厚みを均一に保つため
にベースフィルムに75μmの厚さのものを使用してい
る液晶表示装置のカラーフィルター製造用のドライレジ
ストフィルムを使用する場合において、上記の気泡の巻
込みが問題となっている。
にベースフィルムに75μmの厚さのものを使用してい
る液晶表示装置のカラーフィルター製造用のドライレジ
ストフィルムを使用する場合において、上記の気泡の巻
込みが問題となっている。
【0007】また上記ののラミネート装置では、ベー
スフィルムを剥離する際に、レジスト層や中間層にケバ
立ちや残りが生じ、その後の露光に悪影響を及ぼしてい
た。以下に図9、10を用いてこの説明をする。
スフィルムを剥離する際に、レジスト層や中間層にケバ
立ちや残りが生じ、その後の露光に悪影響を及ぼしてい
た。以下に図9、10を用いてこの説明をする。
【0008】図9、図10はのラミネート装置のベー
スフィルム剥離部を示す図である。ドライレジストフィ
ルム1は図2に示した構成となっているものとする。こ
の装置では、ドライレジストフィルム1を切断せずに適
当な張力を与えた状態で、連続的に基板に貼り付けるた
め、しわ等の発生は抑制される。ラミネートは、基板2
上の一部分を加熱圧着バーで加圧することにより行われ
る。ラミネート後、基板2はローラ等(図示していな
い)によりドライレジストフィルム1とともに矢印Cの
方向に送られ、図9に示すベースフィルム31剥離部に
到達する。
スフィルム剥離部を示す図である。ドライレジストフィ
ルム1は図2に示した構成となっているものとする。こ
の装置では、ドライレジストフィルム1を切断せずに適
当な張力を与えた状態で、連続的に基板に貼り付けるた
め、しわ等の発生は抑制される。ラミネートは、基板2
上の一部分を加熱圧着バーで加圧することにより行われ
る。ラミネート後、基板2はローラ等(図示していな
い)によりドライレジストフィルム1とともに矢印Cの
方向に送られ、図9に示すベースフィルム31剥離部に
到達する。
【0009】図9(A)は、ベースフィルム31の剥離
開始直前の様子を示す図である。図において、27はラ
ミネート部で加圧された加圧領域である。ベースフィル
ム31剥離部では、ドライレジストフィルム1が送りロ
ーラー28により矢印Dの方向に送られると共に、基板
2が矢印Cの方向に動かされ、これにより、基板2から
ベースフィルム31が剥離されていく(図9(B))。
そして、レジスト層33及び中間層32が、加圧領域2
7と剥離された部分との境界で引き延ばされ(図9
(C))、レジスト層33及び中間層32の弾性限界を
超えたところで、レジスト層33及び中間層32が破断
される(図9(D))。このとき図9(D)に示すよう
なケバ立ち29が発生する。
開始直前の様子を示す図である。図において、27はラ
ミネート部で加圧された加圧領域である。ベースフィル
ム31剥離部では、ドライレジストフィルム1が送りロ
ーラー28により矢印Dの方向に送られると共に、基板
2が矢印Cの方向に動かされ、これにより、基板2から
ベースフィルム31が剥離されていく(図9(B))。
そして、レジスト層33及び中間層32が、加圧領域2
7と剥離された部分との境界で引き延ばされ(図9
(C))、レジスト層33及び中間層32の弾性限界を
超えたところで、レジスト層33及び中間層32が破断
される(図9(D))。このとき図9(D)に示すよう
なケバ立ち29が発生する。
【0010】図10(A)は、ベースフィルム31の剥
離終了直前の様子を示す図である。基板2が矢印Cの方
向に送られていき、加圧領域27が送りローラー28の
真下を過ぎると、基板2上から余分なドライレジストフ
ィルムが剥離されていく(図10(B))。そして、レ
ジスト層33及び中間層32が、加圧領域27と剥離さ
れた部分との境界で引き延ばされ(図10(C))、レ
ジスト層33及び中間層32の弾性限界を超えたところ
で、レジスト層33及び中間層32が破断される(図1
0(D))。このとき、図10(D)に示すようなドラ
イレジストフィルム1の残り30が発生する。
離終了直前の様子を示す図である。基板2が矢印Cの方
向に送られていき、加圧領域27が送りローラー28の
真下を過ぎると、基板2上から余分なドライレジストフ
ィルムが剥離されていく(図10(B))。そして、レ
ジスト層33及び中間層32が、加圧領域27と剥離さ
れた部分との境界で引き延ばされ(図10(C))、レ
ジスト層33及び中間層32の弾性限界を超えたところ
で、レジスト層33及び中間層32が破断される(図1
0(D))。このとき、図10(D)に示すようなドラ
イレジストフィルム1の残り30が発生する。
【0011】上記のケバ立ち29や残り30が生じる
と、それらが露光装置のマスクに付着したり、基板端か
ら遊離してパターンの形成されるべき部分に付着したり
する。このことは、結果として、露光状態に不具合を生
じ、パターン形成に重大な欠陥をもたらすことになる。
と、それらが露光装置のマスクに付着したり、基板端か
ら遊離してパターンの形成されるべき部分に付着したり
する。このことは、結果として、露光状態に不具合を生
じ、パターン形成に重大な欠陥をもたらすことになる。
【0012】本発明は、上記問題点を鑑みて創案された
ものであって、ドライレジストフィルムをしわ寄りさせ
ずに基板に貼り付けるとともに、レジスト層のケバ立ち
や残りを発生させずにベースフィルムを剥離することの
できるラミネート装置を提供することを目的とする。
ものであって、ドライレジストフィルムをしわ寄りさせ
ずに基板に貼り付けるとともに、レジスト層のケバ立ち
や残りを発生させずにベースフィルムを剥離することの
できるラミネート装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明のラミネート装置
は、ドライレジストフィルムのベースフィルムを残して
レジスト層を基板サイズ以下の大きさ毎にカットする手
段と、そのカットの後、レジスト層を複数の基板上に連
続的に貼り付ける手段と、この貼り付け後に複数の基板
の基板間において、ドライレジストフィルムを切断する
手段と、切断の後、基板に貼り付けられたドライレジス
トフィルムのベースフィルムを前記カット部分外方のレ
ジスト層と共に剥離するフィルム除去手段と、を備えて
なるものである。
は、ドライレジストフィルムのベースフィルムを残して
レジスト層を基板サイズ以下の大きさ毎にカットする手
段と、そのカットの後、レジスト層を複数の基板上に連
続的に貼り付ける手段と、この貼り付け後に複数の基板
の基板間において、ドライレジストフィルムを切断する
手段と、切断の後、基板に貼り付けられたドライレジス
トフィルムのベースフィルムを前記カット部分外方のレ
ジスト層と共に剥離するフィルム除去手段と、を備えて
なるものである。
【0014】
【作用】ドライレジストフィルムを複数の基板上に連続
的に貼り付けるため、ベースフィルムの厚さが50μm
以上の場合においても、レジスト層にしわや気泡が生じ
ることを防ぐことができる。また、ラミネート前に、ベ
ースフィルムを残してレジスト層を基板サイズ以下の大
きさ毎にカットするため、その後のベースフィルムの剥
離時に、レジスト層を引き延ばして破断させる必要がな
く、レジスト層のケバ立ちや残りを抑制することができ
る。更に、ベースフィルムの剥離前にドライレジストフ
ィルムを切断し、基板一枚づつ単独に処理できるように
するため、ベースフィルムの剥離工程をラミネート速度
に同期させずに行うことができ、ラミネート装置の構成
が簡単になる。
的に貼り付けるため、ベースフィルムの厚さが50μm
以上の場合においても、レジスト層にしわや気泡が生じ
ることを防ぐことができる。また、ラミネート前に、ベ
ースフィルムを残してレジスト層を基板サイズ以下の大
きさ毎にカットするため、その後のベースフィルムの剥
離時に、レジスト層を引き延ばして破断させる必要がな
く、レジスト層のケバ立ちや残りを抑制することができ
る。更に、ベースフィルムの剥離前にドライレジストフ
ィルムを切断し、基板一枚づつ単独に処理できるように
するため、ベースフィルムの剥離工程をラミネート速度
に同期させずに行うことができ、ラミネート装置の構成
が簡単になる。
【0015】また、ベースフィルムの剥離時に、レジス
ト層がカットされた部分(以下、カット部分と記す)外
方のレジスト層の温度を60℃〜90℃とすれば、その
レジスト層を剥離することが容易になる。
ト層がカットされた部分(以下、カット部分と記す)外
方のレジスト層の温度を60℃〜90℃とすれば、その
レジスト層を剥離することが容易になる。
【0016】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図2はドライレジストフィルム1を示す構成図であ
る。図3、図4、図5はそれぞれ図1のレジスト層カッ
ト部E、基板間フィルム切断部H、フィルム除去部Iの
拡大図である。以下に図1乃至図5に基づいて本例を説
明する。
る。図2はドライレジストフィルム1を示す構成図であ
る。図3、図4、図5はそれぞれ図1のレジスト層カッ
ト部E、基板間フィルム切断部H、フィルム除去部Iの
拡大図である。以下に図1乃至図5に基づいて本例を説
明する。
【0017】ドライレジストフィルム1は図2に示すよ
うに、土台となるベースフィルム31上に一層あるいは
複数層の中間層32が形成され(中間層32はなくても
よい)、その上に紫外線によって硬化するレジスト層3
3が形成されている。そして、レジスト層33の上には
レジスト層33を保護するカバーフィルム34が設けら
れている。このカバーフィルム34は、ラミネートを行
う前に図1に示すカバーフィルム巻き取りロール11に
より巻き取られる。
うに、土台となるベースフィルム31上に一層あるいは
複数層の中間層32が形成され(中間層32はなくても
よい)、その上に紫外線によって硬化するレジスト層3
3が形成されている。そして、レジスト層33の上には
レジスト層33を保護するカバーフィルム34が設けら
れている。このカバーフィルム34は、ラミネートを行
う前に図1に示すカバーフィルム巻き取りロール11に
より巻き取られる。
【0018】ラミネートされるべき基板2は、基板予熱
部Fにて、予熱ヒーター3で所定の温度(基板2の材
質、レジスト層33の材質、基板2の搬送速度によって
異なるが、通常50〜80℃が望ましい)に暖められ、
搬送ローラ4によってラミネート部Gへ運ばれる。
部Fにて、予熱ヒーター3で所定の温度(基板2の材
質、レジスト層33の材質、基板2の搬送速度によって
異なるが、通常50〜80℃が望ましい)に暖められ、
搬送ローラ4によってラミネート部Gへ運ばれる。
【0019】一方、ドライレジストフィルム1は、レジ
スト層カット部Eの吸着プレート7上において、ベース
フィルム31を残してレジスト層33及び中間層32が
カットされた後、ラミネート部Gへと送られる。上記カ
ットは、ラミネート部Gにおいて基板2上に所望の大き
さのレジスト層33が重なるように、センサー(図示し
ていない)で基板2の位置を検出しながら行われる。図
3(A)はそのカット中の様子を示す拡大図であり、図
3(B)はカット後の様子を示す拡大図である。カット
は、カッター移動ユニット8を前進させて、カッタース
ライドユニット10にてカッター9をスライドさせるこ
とにより行う。
スト層カット部Eの吸着プレート7上において、ベース
フィルム31を残してレジスト層33及び中間層32が
カットされた後、ラミネート部Gへと送られる。上記カ
ットは、ラミネート部Gにおいて基板2上に所望の大き
さのレジスト層33が重なるように、センサー(図示し
ていない)で基板2の位置を検出しながら行われる。図
3(A)はそのカット中の様子を示す拡大図であり、図
3(B)はカット後の様子を示す拡大図である。カット
は、カッター移動ユニット8を前進させて、カッタース
ライドユニット10にてカッター9をスライドさせるこ
とにより行う。
【0020】ラミネート部Gでは、ラミネートローラー
5,6によりドライレジストフィルム1が基板2に熱圧
着される(このときのラミネートローラー5,6の温度
は基板2の材質、レジスト層33の材質、基板2の搬送
速度によって異なるが、通常100〜130℃が望まし
い)。
5,6によりドライレジストフィルム1が基板2に熱圧
着される(このときのラミネートローラー5,6の温度
は基板2の材質、レジスト層33の材質、基板2の搬送
速度によって異なるが、通常100〜130℃が望まし
い)。
【0021】ラミネート後、基板2は搬送ローラ4によ
り基板間フィルム切断部Hへと運ばれる。
り基板間フィルム切断部Hへと運ばれる。
【0022】図4は基板間フィルム切断部Hの構成を示
す側面図である。この図では、基板2は紙面裏面から紙
面表面へと搬送ローラ4により運ばれている。フィルム
切断部Hでは、ドライレジストフィルム1を隣り合う基
板間において切断する。この切断は以下の手順で行う。
まず、基板押さえ昇降ユニット14により基板押さえ1
5を下降させて、基板2の上のドライレジストフィルム
1が剥離しないように押さえながら、カッター昇降ユニ
ット16にてディスクカッター17を上昇させたる。そ
の後、カッタースライドユニット18にてディスクカッ
ター17をスライドさせ、ドライレジストフィルム1を
切断する。ここでは、ディスクカッター17によりドラ
イレジストフィルム1を切断したが、シャー刃やロータ
リーカッターや電熱線等で切断してもよい。
す側面図である。この図では、基板2は紙面裏面から紙
面表面へと搬送ローラ4により運ばれている。フィルム
切断部Hでは、ドライレジストフィルム1を隣り合う基
板間において切断する。この切断は以下の手順で行う。
まず、基板押さえ昇降ユニット14により基板押さえ1
5を下降させて、基板2の上のドライレジストフィルム
1が剥離しないように押さえながら、カッター昇降ユニ
ット16にてディスクカッター17を上昇させたる。そ
の後、カッタースライドユニット18にてディスクカッ
ター17をスライドさせ、ドライレジストフィルム1を
切断する。ここでは、ディスクカッター17によりドラ
イレジストフィルム1を切断したが、シャー刃やロータ
リーカッターや電熱線等で切断してもよい。
【0023】次に、基板2はフィルム除去部Iまで搬送
され、上昇してきた基板吸着ステージ20により固定さ
れる。そして、ベースフィルム31と、カット部分外方
のレジスト層33a及び中間層32aが剥離される。
され、上昇してきた基板吸着ステージ20により固定さ
れる。そして、ベースフィルム31と、カット部分外方
のレジスト層33a及び中間層32aが剥離される。
【0024】図5はフィルム除去部Iの拡大図である。
ここにはフィルムチャック21が備えられており、これ
によりレジスト層33a及び中間層32aとベースフィ
ルム31を基板の両側から挟み、上部へ引っ張り、レジ
スト層33a及び中間層32aとベースフィルム31を
剥離する。本例では、ラミネート前に、レジスト層33
及び中間層32が基板サイズ以下の大きさにカットされ
ているため、レジスト層33のケバ立ちや残りを抑制す
ることができる。上記の剥離は、この他、基板2の両側
に設けた粘着ローラーで巻き取ることにより行ってもよ
い。
ここにはフィルムチャック21が備えられており、これ
によりレジスト層33a及び中間層32aとベースフィ
ルム31を基板の両側から挟み、上部へ引っ張り、レジ
スト層33a及び中間層32aとベースフィルム31を
剥離する。本例では、ラミネート前に、レジスト層33
及び中間層32が基板サイズ以下の大きさにカットされ
ているため、レジスト層33のケバ立ちや残りを抑制す
ることができる。上記の剥離は、この他、基板2の両側
に設けた粘着ローラーで巻き取ることにより行ってもよ
い。
【0025】また、レジスト層33a及び中間層32a
とベースフィルム31を剥離する工程は、ラミネート部
で加熱されたレジスト層33aの温度が下がらないうち
に、具体的にはレジスト層33aの温度が60℃以上の
条件で、実行することが好ましい。その理由は、ドライ
レジストフィルム1のレジスト層33には、高温状態で
は軟らかく基板2との密着力が弱いが、低温状態では硬
く基板2との密着力が強いという性質があり、剥離部分
にレジスト層33や中間層32の残りを発生させないた
めには、レジスト層33aを高温に保ち、剥がし易くす
る必要があるからである。レジスト層33aの温度を上
記の条件とするため、本例では、基板間フィルム切断部
での処理終了後、基板2をフィルム除去部まで高速で搬
送している。
とベースフィルム31を剥離する工程は、ラミネート部
で加熱されたレジスト層33aの温度が下がらないうち
に、具体的にはレジスト層33aの温度が60℃以上の
条件で、実行することが好ましい。その理由は、ドライ
レジストフィルム1のレジスト層33には、高温状態で
は軟らかく基板2との密着力が弱いが、低温状態では硬
く基板2との密着力が強いという性質があり、剥離部分
にレジスト層33や中間層32の残りを発生させないた
めには、レジスト層33aを高温に保ち、剥がし易くす
る必要があるからである。レジスト層33aの温度を上
記の条件とするため、本例では、基板間フィルム切断部
での処理終了後、基板2をフィルム除去部まで高速で搬
送している。
【0026】フィルム除去部Iにおいて、レジスト層3
3aの温度を高めに設定するために、加熱手段を設けて
もよい。図6は加熱手段を設けたラミネート装置の一例
を示す図である。図1と同一部分については同一記号で
表している。この装置は、フィルム除去部Iに加熱プレ
ート22を備えたものであり、その他の部分は図1と同
様であるため説明を省略する。図7はそのフィルム除去
部Iの拡大図である。ここには、ドライレジストフィル
ム1のラミネートされた基板2が、一枚毎に単独で送ら
れてくる。その後、基板2は加熱プレート22上に固定
され、ヒーター23により加熱される。このとき、レジ
スト層33aの温度が60℃〜90℃となるように加熱
するのが好ましい。なぜなら、レジスト層33aの温度
が低い(60℃以下)ときには、基板2との密着力が強
く、剥離することが難しく、レジスト層33aの温度が
高い(90℃以上)ときには、レジスト層33や中間層
32やベースフィルム31が熱重合を発生し現像されに
くくなるからである。このようにフィルム除去部Iに加
熱手段を設けた場合、ベースフィルム31とレジスト層
33a及び中間層32aの剥離を、基板間フィルム切断
部Hでの処理終了後直ちに行う必要はなく、後の露光・
現像工程に合わせて行うことができる。
3aの温度を高めに設定するために、加熱手段を設けて
もよい。図6は加熱手段を設けたラミネート装置の一例
を示す図である。図1と同一部分については同一記号で
表している。この装置は、フィルム除去部Iに加熱プレ
ート22を備えたものであり、その他の部分は図1と同
様であるため説明を省略する。図7はそのフィルム除去
部Iの拡大図である。ここには、ドライレジストフィル
ム1のラミネートされた基板2が、一枚毎に単独で送ら
れてくる。その後、基板2は加熱プレート22上に固定
され、ヒーター23により加熱される。このとき、レジ
スト層33aの温度が60℃〜90℃となるように加熱
するのが好ましい。なぜなら、レジスト層33aの温度
が低い(60℃以下)ときには、基板2との密着力が強
く、剥離することが難しく、レジスト層33aの温度が
高い(90℃以上)ときには、レジスト層33や中間層
32やベースフィルム31が熱重合を発生し現像されに
くくなるからである。このようにフィルム除去部Iに加
熱手段を設けた場合、ベースフィルム31とレジスト層
33a及び中間層32aの剥離を、基板間フィルム切断
部Hでの処理終了後直ちに行う必要はなく、後の露光・
現像工程に合わせて行うことができる。
【0027】本例では、ベースフィルム31を残してレ
ジスト層33を基板サイズ以下の大きさ毎にカットした
後、連続的にラミネートするため、ベースフィルム31
の厚さが50μm以上の場合においても、ラミネート時
のしわ寄りを発生させない。また、ベースフィルム31
剥離時に、ケバ立ちやレジスト層33や中間層32の残
りを抑制することができる。更に、ベースフィルム31
の剥離前にベースフィルム31を基板毎に切断するた
め、ベースフィルム31の剥離工程をラミネート速度に
同期させずに基板一枚毎に単独で行うことができ、ラミ
ネート装置の構成が簡単になる。
ジスト層33を基板サイズ以下の大きさ毎にカットした
後、連続的にラミネートするため、ベースフィルム31
の厚さが50μm以上の場合においても、ラミネート時
のしわ寄りを発生させない。また、ベースフィルム31
剥離時に、ケバ立ちやレジスト層33や中間層32の残
りを抑制することができる。更に、ベースフィルム31
の剥離前にベースフィルム31を基板毎に切断するた
め、ベースフィルム31の剥離工程をラミネート速度に
同期させずに基板一枚毎に単独で行うことができ、ラミ
ネート装置の構成が簡単になる。
【0028】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ドライ
レジストフィルムの連続的な貼り付けにより、ベースフ
ィルムの厚さが50μm以上の場合においても、レジス
ト層への気泡等の巻込みを抑制することができる。ま
た、ラミネート前にベースフィルムを残してレジスト層
をカットするため、レジスト層のケバ立ちや基板上のレ
ジスト層の残りを抑え、ラミネートの歩留まりを向上さ
せることができる。更に、ベースフィルム剥離時にカッ
ト部分外方のレジスト層の温度を60℃〜90℃とする
ことによって、基板上のレジスト層の残りをより一層抑
えることができる。
レジストフィルムの連続的な貼り付けにより、ベースフ
ィルムの厚さが50μm以上の場合においても、レジス
ト層への気泡等の巻込みを抑制することができる。ま
た、ラミネート前にベースフィルムを残してレジスト層
をカットするため、レジスト層のケバ立ちや基板上のレ
ジスト層の残りを抑え、ラミネートの歩留まりを向上さ
せることができる。更に、ベースフィルム剥離時にカッ
ト部分外方のレジスト層の温度を60℃〜90℃とする
ことによって、基板上のレジスト層の残りをより一層抑
えることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す図である。
【図2】ドライレジストフィルムの構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図3】レジスト層カット部の拡大図である。
【図4】基板間フィルム切断部の側面図である。
【図5】フィルム除去部の拡大図である。
【図6】本発明の他の例を示す図である。
【図7】図6のフィルム除去部の拡大図である。
【図8】従来のラミネート装置のラミネート部を示す図
である。
である。
【図9】従来のラミネート装置のベースフィルム剥離開
始時の様子を示す図である。
始時の様子を示す図である。
【図10】従来のラミネート装置のベースフィルム剥離
終了前の様子を示す図である。
終了前の様子を示す図である。
1 ドライレジストフィルム 2 基板 22 加熱プレート 23 ヒーター 31 ベースフィルム 32 中間層 33 レジスト層 34 カバーフィルム 32a レジスト層がカットされた部分の外方の中間層 33a レジスト層がカットされた部分の外方のレジス
ト層 E レジスト層カット部 F 基板予熱部 G ラミネート部 H 基板間フィルム切断部 I フィルム除去部
ト層 E レジスト層カット部 F 基板予熱部 G ラミネート部 H 基板間フィルム切断部 I フィルム除去部
Claims (3)
- 【請求項1】所定時間を隔てた複数の基板と、レジスト
層とベースフィルムの少なくとも2層からなるドライレ
ジストフィルムとを連続的に送りながら、前記複数の基
板に前記ドライレジストフィルムをラミネートするラミ
ネート装置において、 前記ベースフィルムを残して、前記レジスト層を基板サ
イズ以下の大きさ毎にカットする手段と該カットの後、
前記レジスト層を介し前記ドライレジストフィルムを前
記複数の基板上に連続的に貼り付ける手段と、 該貼り付け後に、前記複数の基板の基板間において、前
記ドライレジストフィルムを切断する手段と該切断の
後、前記基板に貼り付けられた前記ドライレジストフィ
ルムのベースフィルムと共に、前記カット部分外方のレ
ジスト層を、前記基板から剥離するフィルム除去手段
と、を備えてなることを特徴とするラミネート装置。 - 【請求項2】前記フィルム除去手段により、前記ベース
フィルムを剥離する時に、前記カット部分外方のレジス
ト層の温度を60℃乃至90℃とする手段を備えてなる
ことを特徴とする請求項1に記載のラミネート装置。 - 【請求項3】前記ベースフィルムが50μm以上の厚さ
を有してなることを特徴とする請求項1に記載のラミネ
ート装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6297063A JPH08150694A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | ラミネート装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6297063A JPH08150694A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | ラミネート装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08150694A true JPH08150694A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17841743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6297063A Pending JPH08150694A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | ラミネート装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08150694A (ja) |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP6297063A patent/JPH08150694A/ja active Pending
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