JPH08148947A - ベース接地トランジスタ増幅器 - Google Patents
ベース接地トランジスタ増幅器Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 定電流回路のトランジスタスタ７で発生され
る雑音電圧をほぼ完全にキャンセルし、極めて低い雑音
指数（ＮＦ）特性を持ったベース接地トランジスタ増幅
器を提供する。 【構成】 ベースが高周波接地され、コレクタが信号出
力端１６に結合された対のトランジスタ１、２と、信号
入力端１５に接続された１次巻線１０ｐ及び中点タップ
１０ｔを有する２次巻線１０ｓを有し、２次巻線１０ｓ
の両端がそれぞれ対のトランジスタ１、２のエミッタに
接続された高周波トランス１０と、２次巻線１０ｓの中
点タップ１０ｔに接続され、トランジスタ１、２にバイ
アス電流を通流させる定電流回路とを備える。この場
合、定電流回路のトランジスタ７で発生した雑音電圧
は、２次巻線１０ｓを介してトランジスタ１、２にエミ
ッタに同相で入力されるので、信号出力端１６には雑音
電圧が現われない。
る雑音電圧をほぼ完全にキャンセルし、極めて低い雑音
指数（ＮＦ）特性を持ったベース接地トランジスタ増幅
器を提供する。 【構成】 ベースが高周波接地され、コレクタが信号出
力端１６に結合された対のトランジスタ１、２と、信号
入力端１５に接続された１次巻線１０ｐ及び中点タップ
１０ｔを有する２次巻線１０ｓを有し、２次巻線１０ｓ
の両端がそれぞれ対のトランジスタ１、２のエミッタに
接続された高周波トランス１０と、２次巻線１０ｓの中
点タップ１０ｔに接続され、トランジスタ１、２にバイ
アス電流を通流させる定電流回路とを備える。この場
合、定電流回路のトランジスタ７で発生した雑音電圧
は、２次巻線１０ｓを介してトランジスタ１、２にエミ
ッタに同相で入力されるので、信号出力端１６には雑音
電圧が現われない。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ベース接地トランジス
タ増幅器に係り、特に、雑音指数（ＮＦ）を大幅に改善
したベース接地トランジスタ増幅器に関する。
タ増幅器に係り、特に、雑音指数（ＮＦ）を大幅に改善
したベース接地トランジスタ増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、トランジスタ増幅器において
は、増幅用トランジスタの接地形式に従って、エミッタ
接地増幅器、ベース接地増幅器、コレクタ接地（エミッ
タフォロワ）増幅器の３種に大別される。これらの増幅
器は、動作特性においてそれぞれ異なる特徴を有してお
り、使用目的に応じて適宜使い分けされている。
は、増幅用トランジスタの接地形式に従って、エミッタ
接地増幅器、ベース接地増幅器、コレクタ接地（エミッ
タフォロワ）増幅器の３種に大別される。これらの増幅
器は、動作特性においてそれぞれ異なる特徴を有してお
り、使用目的に応じて適宜使い分けされている。
【０００３】ここで、図５は、かかる既知の３種の増幅
器の中のエミッタ接地増幅器の構成の一例を示す回路構
成図であって、特に、エミッタ接地増幅器としてエミッ
タ接地差動トランジスタ増幅器の構成例を示すものであ
る。
器の中のエミッタ接地増幅器の構成の一例を示す回路構
成図であって、特に、エミッタ接地増幅器としてエミッ
タ接地差動トランジスタ増幅器の構成例を示すものであ
る。
【０００４】図５において、３１、３２は差動接続され
た対のトランジスタ、３３、３４はそれぞれ対のトラン
ジスタ３１、３２のコレクタ負荷抵抗、３５、３６はカ
レントミラー回路（定電流回路）を構成する対のトラン
ジスタ、３７は定電流源、３８は信号入力端、３９は信
号出力端、４０は動作電源である。
た対のトランジスタ、３３、３４はそれぞれ対のトラン
ジスタ３１、３２のコレクタ負荷抵抗、３５、３６はカ
レントミラー回路（定電流回路）を構成する対のトラン
ジスタ、３７は定電流源、３８は信号入力端、３９は信
号出力端、４０は動作電源である。
【０００５】そして、差動接続された対のトランジスタ
３１、３２は、ベースが信号入力端３８に、コレクタが
コレクタ負荷抵抗３３、３４の一端及び信号出力端３９
に、共通接続されたエミッタがカレントミラー回路を構
成するトランジスタ３５のコレクタにそれぞれ接続され
る。コレクタ負荷抵抗３３、３４は、他端が動作電源４
０に共通接続される。カレントミラー回路において、ト
ランジスタ３５、３６のベースは共通接続され、この共
通接続されたベースにトランジスタ３６のコレクタと定
電流源３７の一端が接続される。トランジスタ３５、３
６のエミッタは抵抗を介して接地接続され、定電流源３
７の他端は直接接地接続される。
３１、３２は、ベースが信号入力端３８に、コレクタが
コレクタ負荷抵抗３３、３４の一端及び信号出力端３９
に、共通接続されたエミッタがカレントミラー回路を構
成するトランジスタ３５のコレクタにそれぞれ接続され
る。コレクタ負荷抵抗３３、３４は、他端が動作電源４
０に共通接続される。カレントミラー回路において、ト
ランジスタ３５、３６のベースは共通接続され、この共
通接続されたベースにトランジスタ３６のコレクタと定
電流源３７の一端が接続される。トランジスタ３５、３
６のエミッタは抵抗を介して接地接続され、定電流源３
７の他端は直接接地接続される。
【０００６】前記構成において、定電流源３７からカレ
ントミラー回路に定電流を供給すると、その定電流値に
基づいてトランジスタ３６を流れる電流値が設定され、
また、カレントミラー機能によってトランジスタ３５を
流れるシンク電流値が設定される。この場合、対のトラ
ンジスタ３１、３２の共通接続されたエミッタにはトラ
ンジスタ３５のコレクタが接続されているので、トラン
ジスタ３５を流れるシンク電流は対のトランジスタ３
１、３２から分散して流入するようになり、それによっ
て対のトランジスタ３１、３２には動作バイアス電流が
与えられる。図示の回路において、信号入力端３８に平
衡高周波信号が入力された場合、その高周波信号は、対
のトランジスタ３１、３２のベース間に印加され、対の
トランジスタ３１、３２で差動増幅された後、信号出力
端３９に供給され、増幅平衡高周波信号として取り出さ
れる。なお、この増幅器への信号を不平衡で入力する場
合、または、この増幅器から信号を不平衡で取り出す場
合は、信号入力端３８または信号出力端３９にそれぞれ
既知の不平衡／平衡変換トランス、または、平衡／不平
衡変換トランス（いずれも図示なし）をそれぞれ接続す
ればよい。
ントミラー回路に定電流を供給すると、その定電流値に
基づいてトランジスタ３６を流れる電流値が設定され、
また、カレントミラー機能によってトランジスタ３５を
流れるシンク電流値が設定される。この場合、対のトラ
ンジスタ３１、３２の共通接続されたエミッタにはトラ
ンジスタ３５のコレクタが接続されているので、トラン
ジスタ３５を流れるシンク電流は対のトランジスタ３
１、３２から分散して流入するようになり、それによっ
て対のトランジスタ３１、３２には動作バイアス電流が
与えられる。図示の回路において、信号入力端３８に平
衡高周波信号が入力された場合、その高周波信号は、対
のトランジスタ３１、３２のベース間に印加され、対の
トランジスタ３１、３２で差動増幅された後、信号出力
端３９に供給され、増幅平衡高周波信号として取り出さ
れる。なお、この増幅器への信号を不平衡で入力する場
合、または、この増幅器から信号を不平衡で取り出す場
合は、信号入力端３８または信号出力端３９にそれぞれ
既知の不平衡／平衡変換トランス、または、平衡／不平
衡変換トランス（いずれも図示なし）をそれぞれ接続す
ればよい。
【０００７】また、図６は、図５に図示されたエミッタ
接地差動トランジスタ増幅器を基にし、トランジスタの
接地形式をエミッタ接地形式からベース接地に接続変更
したベース接地差動トランジスタ増幅器の構成の第１の
例を示す回路構成図である。
接地差動トランジスタ増幅器を基にし、トランジスタの
接地形式をエミッタ接地形式からベース接地に接続変更
したベース接地差動トランジスタ増幅器の構成の第１の
例を示す回路構成図である。
【０００８】かかるベース接地差動トランジスタ増幅器
は、ベース接地トランジスタ増幅器に特有の低入力イン
ピーダンス特性、高出力インピーダンス特性、大入力時
の良好な歪特性を利用するため、本発明の発明者等が本
発明に先立って考案したものである。
は、ベース接地トランジスタ増幅器に特有の低入力イン
ピーダンス特性、高出力インピーダンス特性、大入力時
の良好な歪特性を利用するため、本発明の発明者等が本
発明に先立って考案したものである。
【０００９】図６において、４１、４２は差動接続され
た対のトランジスタ、４３、４４はそれぞれ対のトラン
ジスタ４１、４２のエミッタ抵抗、４５はベースバイア
ス電源であり、その他は、図５に示された構成要素と同
じ構成要素については同じ符号を付けている。
た対のトランジスタ、４３、４４はそれぞれ対のトラン
ジスタ４１、４２のエミッタ抵抗、４５はベースバイア
ス電源であり、その他は、図５に示された構成要素と同
じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００１０】そして、対のトランジスタ４１、４２は、
エミッタが信号入力端３８に、ベースがベースバイアス
電源４５に、コレクタがコレクタ負荷抵抗３３、３４の
一端及び信号出力端３９にそれぞれ接続される。カレン
トミラー回路（定電流回路）を構成するトランジスタ３
５のコレクタは、エミッタ抵抗４３、４４を介して対の
トランジスタ４１、４２のエミッタに接続される。その
他の構成については、図５に図示された差動増幅器の構
成と同じである。なお、エミッタ抵抗４３、４４の抵抗
値については、トランジスタ３５を流れる電流を対のト
ランジスタ４１、４２に分流させ、かつ、対のトランジ
スタ４１、４２のエミッタに供給される平衡信号を減衰
させずに、エミッタに結合させるような値のものが選ば
れる。
エミッタが信号入力端３８に、ベースがベースバイアス
電源４５に、コレクタがコレクタ負荷抵抗３３、３４の
一端及び信号出力端３９にそれぞれ接続される。カレン
トミラー回路（定電流回路）を構成するトランジスタ３
５のコレクタは、エミッタ抵抗４３、４４を介して対の
トランジスタ４１、４２のエミッタに接続される。その
他の構成については、図５に図示された差動増幅器の構
成と同じである。なお、エミッタ抵抗４３、４４の抵抗
値については、トランジスタ３５を流れる電流を対のト
ランジスタ４１、４２に分流させ、かつ、対のトランジ
スタ４１、４２のエミッタに供給される平衡信号を減衰
させずに、エミッタに結合させるような値のものが選ば
れる。
【００１１】この第１の例によるベース接地差動トラン
ジスタ増幅器の動作は、図５に図示されたエミッタ接地
差動トランジスタ増幅器の動作と比べたとき、対のトラ
ンジスタ４１、４２における信号増幅形式がエミッタ接
地増幅からベース接地増幅に接続変更されただけで、既
に述べた図５に図示されたエミッタ接地差動トランジス
タ増幅器の動作と同じである。このため、この第１の例
におけるベース接地差動トランジスタ増幅器についての
動作説明は、省略する。
ジスタ増幅器の動作は、図５に図示されたエミッタ接地
差動トランジスタ増幅器の動作と比べたとき、対のトラ
ンジスタ４１、４２における信号増幅形式がエミッタ接
地増幅からベース接地増幅に接続変更されただけで、既
に述べた図５に図示されたエミッタ接地差動トランジス
タ増幅器の動作と同じである。このため、この第１の例
におけるベース接地差動トランジスタ増幅器についての
動作説明は、省略する。
【００１２】さらに、図７は、同じく図５に図示された
エミッタ接地差動トランジスタ増幅器を基にして、トラ
ンジスタの接地形式をエミッタ接地形式からベース接地
に接続変更したベース接地トランジスタ差動増幅器の構
成の第２の例を示す回路構成図である。
エミッタ接地差動トランジスタ増幅器を基にして、トラ
ンジスタの接地形式をエミッタ接地形式からベース接地
に接続変更したベース接地トランジスタ差動増幅器の構
成の第２の例を示す回路構成図である。
【００１３】そして、この第２の例も、ベース接地トラ
ンジスタ増幅器における前述の優れた特性を利用するよ
うに、本発明の発明者等が本発明に先立って考案したも
のである。
ンジスタ増幅器における前述の優れた特性を利用するよ
うに、本発明の発明者等が本発明に先立って考案したも
のである。
【００１４】図７において、４６、４７はカレントミラ
ー回路（定電流回路）を構成する第２、第３のトランジ
スタであり、その他は、図５及び図６に示された構成要
素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
ー回路（定電流回路）を構成する第２、第３のトランジ
スタであり、その他は、図５及び図６に示された構成要
素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００１５】そして、カレントミラー回路は、第１のト
ランジスタ３６の他に、第１のトランジスタ３６ととも
にベースが共通接続された第２、第３のトランジスタ４
６、４７によって構成され、第２のトランジスタ４６の
コレクタはエミッタ抵抗４３を介してトランジスタ４１
のエミッタに接続され、第３のトランジスタ４７のコレ
クタはエミッタ抵抗４４を介してトランジスタ４２のエ
ミッタに接続される。また、その他の構成については、
図６に図示された第１の例におけるベース接地差動増幅
器の構成と同じである。
ランジスタ３６の他に、第１のトランジスタ３６ととも
にベースが共通接続された第２、第３のトランジスタ４
６、４７によって構成され、第２のトランジスタ４６の
コレクタはエミッタ抵抗４３を介してトランジスタ４１
のエミッタに接続され、第３のトランジスタ４７のコレ
クタはエミッタ抵抗４４を介してトランジスタ４２のエ
ミッタに接続される。また、その他の構成については、
図６に図示された第１の例におけるベース接地差動増幅
器の構成と同じである。
【００１６】この第２の例によるベース接地差動トラン
ジスタ増幅器の動作は、図６に図示された第１の例によ
るベース接地差動トランジスタ増幅器の動作と比べたと
き、カレントミラー回路の構成が異なるだけで、図６に
図示されたベース接地差動トランジスタ増幅器の構成の
第１の例の動作と同じである。このため、この第２の例
におけるベース接地差動トランジスタ増幅器の動作の説
明も、省略する。
ジスタ増幅器の動作は、図６に図示された第１の例によ
るベース接地差動トランジスタ増幅器の動作と比べたと
き、カレントミラー回路の構成が異なるだけで、図６に
図示されたベース接地差動トランジスタ増幅器の構成の
第１の例の動作と同じである。このため、この第２の例
におけるベース接地差動トランジスタ増幅器の動作の説
明も、省略する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、トランジス
タ増幅器の雑音指数（ＮＦ）は、通常、増幅器に使用さ
れるトランジスタや抵抗から発生する雑音電圧に関係し
ている。即ち、これらトランジスタや抵抗に電流が流れ
ると、それによって電力が消費され、雑音電圧を発生す
る。これが増幅器の雑音指数（ＮＦ）を悪化させる原因
となる。
タ増幅器の雑音指数（ＮＦ）は、通常、増幅器に使用さ
れるトランジスタや抵抗から発生する雑音電圧に関係し
ている。即ち、これらトランジスタや抵抗に電流が流れ
ると、それによって電力が消費され、雑音電圧を発生す
る。これが増幅器の雑音指数（ＮＦ）を悪化させる原因
となる。
【００１８】図５に図示された既知のエミッタ接地差動
トランジスタ増幅器においては、定電流回路のトランジ
スタスタ３５から発生された雑音電圧は対のトランジス
タ３１、３２のエミッタに同相で入力され、それらのコ
レクタから同相で出力される。従って、それらのコレク
タ間には雑音電圧が現われないことになる。
トランジスタ増幅器においては、定電流回路のトランジ
スタスタ３５から発生された雑音電圧は対のトランジス
タ３１、３２のエミッタに同相で入力され、それらのコ
レクタから同相で出力される。従って、それらのコレク
タ間には雑音電圧が現われないことになる。
【００１９】ところが、図６に図示された第１の例によ
るベース接地差動トランジスタ増幅器においては、同じ
く、定電流回路のトランジスタ３５から発生された雑音
電圧は、対のトランジスタ４１、４２のエミッタに同相
で入力されるので、図５に図示された既知のエミッタ接
地差動トランジスタ増幅器と同様に、対のトランジスタ
４１、４２のコレクタ間にはトランジスタ３５からの雑
音電圧に応じた雑音電圧は現われないものの、対のトラ
ンジスタ４１、４２に接続されたエミッタ抵抗４３、４
４から発生された雑音電圧に基づく雑音電圧がそれらの
コレクタ間に現われるようになる。即ち、エミッタ抵抗
４３、４４においては、熱雑音によるような雑音電圧が
各別に発生し、また、それら雑音電圧間には一定の位相
関係が存在しない。従って、対のトランジスタ４１、４
２で増幅された雑音電圧も同相関係にないことになる。
従って、信号出力端３９に、例え、平衡／平衡変換型あ
るいは平衡／不平衡変換型の高周波トランスを接続して
も、雑音電圧をキャンセルし、雑音電圧が現われないよ
うにすることができない。
るベース接地差動トランジスタ増幅器においては、同じ
く、定電流回路のトランジスタ３５から発生された雑音
電圧は、対のトランジスタ４１、４２のエミッタに同相
で入力されるので、図５に図示された既知のエミッタ接
地差動トランジスタ増幅器と同様に、対のトランジスタ
４１、４２のコレクタ間にはトランジスタ３５からの雑
音電圧に応じた雑音電圧は現われないものの、対のトラ
ンジスタ４１、４２に接続されたエミッタ抵抗４３、４
４から発生された雑音電圧に基づく雑音電圧がそれらの
コレクタ間に現われるようになる。即ち、エミッタ抵抗
４３、４４においては、熱雑音によるような雑音電圧が
各別に発生し、また、それら雑音電圧間には一定の位相
関係が存在しない。従って、対のトランジスタ４１、４
２で増幅された雑音電圧も同相関係にないことになる。
従って、信号出力端３９に、例え、平衡／平衡変換型あ
るいは平衡／不平衡変換型の高周波トランスを接続して
も、雑音電圧をキャンセルし、雑音電圧が現われないよ
うにすることができない。
【００２０】同様に、図７に図示された第２の例による
ベース接地差動トランジスタ増幅器においても、定電流
回路のトランジスタ４６、４７から発生された雑音電圧
とエミッタ抵抗４３、４４で発生された雑音電圧は、対
のトランジスタ４１、４２のコレクタ間に現われないよ
うにすることができない。即ち、定電流回路のトランジ
スタ４６、４７で発生された雑音電圧とエミッタ抵抗４
３、４４で発生された雑音電圧は全て独立したものであ
るので、全ての雑音電圧間には一定の位相関係がない。
そのため、信号出力端３９に平衡／不平衡変換の高周波
トランスを接続しても、これらの雑音電圧をキャンセル
し、雑音電圧が現われないようにすることができない。
ベース接地差動トランジスタ増幅器においても、定電流
回路のトランジスタ４６、４７から発生された雑音電圧
とエミッタ抵抗４３、４４で発生された雑音電圧は、対
のトランジスタ４１、４２のコレクタ間に現われないよ
うにすることができない。即ち、定電流回路のトランジ
スタ４６、４７で発生された雑音電圧とエミッタ抵抗４
３、４４で発生された雑音電圧は全て独立したものであ
るので、全ての雑音電圧間には一定の位相関係がない。
そのため、信号出力端３９に平衡／不平衡変換の高周波
トランスを接続しても、これらの雑音電圧をキャンセル
し、雑音電圧が現われないようにすることができない。
【００２１】本発明は、これらの問題点を除去するもの
であって、その目的は、定電流回路のトランジスタで発
生される雑音電圧をほぼ完全にキャンセルし、極めて低
い雑音指数（ＮＦ）特性を実現させるベース接地トラン
ジスタ増幅器を提供することにある。
であって、その目的は、定電流回路のトランジスタで発
生される雑音電圧をほぼ完全にキャンセルし、極めて低
い雑音指数（ＮＦ）特性を実現させるベース接地トラン
ジスタ増幅器を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、ベースが高周波接地され、エミッタに信
号が入力され、コレクタから増幅信号が出力される対の
トランジスタと、前記対のトランジスタのエミッタ間に
直列接続された略等しいインダクタンス値を有する第１
及び第２のコイルと、前記第１及び第２のコイルの接続
点に接続されて前記対のトランジスタに動作バイアス電
流を通流させる定電流回路とを備える。
に、本発明は、ベースが高周波接地され、エミッタに信
号が入力され、コレクタから増幅信号が出力される対の
トランジスタと、前記対のトランジスタのエミッタ間に
直列接続された略等しいインダクタンス値を有する第１
及び第２のコイルと、前記第１及び第２のコイルの接続
点に接続されて前記対のトランジスタに動作バイアス電
流を通流させる定電流回路とを備える。
【００２３】
【作用】前記手段によれば、定電流回路を構成するトラ
ンジスタで発生された雑音電圧は、第１及び第２のコイ
ルの接続点から第１及び第２のコイルを通して対のトラ
ンジスタのエミッタに供給されるが、第１及び第２のコ
イルはそれらのインダクタンス値が略等しいことから、
対のトランジスタの各エミッタには同相の雑音電圧が供
給される。従って、対のトランジスタにおいて、これら
のエミッタに入力された雑音電圧がそれぞれ増幅され、
それらのコレクタに生じたとしても、それらの雑音電圧
は同相であるので、コレクタ間には雑音電圧が現われな
いことになる。
ンジスタで発生された雑音電圧は、第１及び第２のコイ
ルの接続点から第１及び第２のコイルを通して対のトラ
ンジスタのエミッタに供給されるが、第１及び第２のコ
イルはそれらのインダクタンス値が略等しいことから、
対のトランジスタの各エミッタには同相の雑音電圧が供
給される。従って、対のトランジスタにおいて、これら
のエミッタに入力された雑音電圧がそれぞれ増幅され、
それらのコレクタに生じたとしても、それらの雑音電圧
は同相であるので、コレクタ間には雑音電圧が現われな
いことになる。
【００２４】また、前記手段によれば、対のトランジス
タのエミッタには直流電流が通流するエミッタ抵抗が接
続されていないので、エミッタ抵抗から発生された雑音
電圧が対のトランジスタのエミッタに入力されることが
なく、対のトランジスタのコレクタ間には、これらの雑
音電圧が現われないことになり、極めて低い雑音指数
（ＮＦ）特性を実現させることが可能になる。
タのエミッタには直流電流が通流するエミッタ抵抗が接
続されていないので、エミッタ抵抗から発生された雑音
電圧が対のトランジスタのエミッタに入力されることが
なく、対のトランジスタのコレクタ間には、これらの雑
音電圧が現われないことになり、極めて低い雑音指数
（ＮＦ）特性を実現させることが可能になる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００２６】図１は、本発明によるベース接地トランジ
スタ増幅器の第１の実施例の構成を示す回路構成図であ
る。
スタ増幅器の第１の実施例の構成を示す回路構成図であ
る。
【００２７】図１において、１、２は対の増幅用トラン
ジスタ、３、４は対のバッファトランジスタ、５、６は
第１、第２のコレクタ負荷抵抗、７、８はカレントミラ
ー回路（定電流回路）を構成する第１、第２のトランジ
スタ、９は定電流源、１０は不平衡／平衡変換接続され
た入力高周波トランス、１０ｐは１次巻線、１０ｓは２
次巻線、１０ｔは中点タップ、１０ｈ1 、１０ｈ2 は半
部巻線、１１は平衡／不平衡変換接続された出力高周波
トランス、１１ｐは１次巻線、１１ｓは２次巻線、１
２、１３は第１、第２のベースバイアス電源、１４は動
作電源、１５は信号入力端、１６は信号出力端、１７、
１８は第１、第２の分路キャパシタ、１９、２０は第
１、第２の結合キャパシタである。
ジスタ、３、４は対のバッファトランジスタ、５、６は
第１、第２のコレクタ負荷抵抗、７、８はカレントミラ
ー回路（定電流回路）を構成する第１、第２のトランジ
スタ、９は定電流源、１０は不平衡／平衡変換接続され
た入力高周波トランス、１０ｐは１次巻線、１０ｓは２
次巻線、１０ｔは中点タップ、１０ｈ1 、１０ｈ2 は半
部巻線、１１は平衡／不平衡変換接続された出力高周波
トランス、１１ｐは１次巻線、１１ｓは２次巻線、１
２、１３は第１、第２のベースバイアス電源、１４は動
作電源、１５は信号入力端、１６は信号出力端、１７、
１８は第１、第２の分路キャパシタ、１９、２０は第
１、第２の結合キャパシタである。
【００２８】そして、対の増幅用トランジスタ１、２
は、エミッタが信号入力端１５に接続され、ベースが第
１のベースバイアス電源１２及び第１の分路キャパシタ
１７の各一端に共通接続され、コレクタがそれぞれ対の
バッファトランジスタ３、４のエミッタに接続される。
対のバッファトランジスタ３、４は、ベースが第２のベ
ースバイアス電源１３及び第２の分路キャパシタ１８の
各一端に共通接続され、トランジスタ３のコレクタが第
１のコレクタ負荷抵抗５及び第１の結合キャパシタ１９
の各一端に接続され、トランジスタ４のコレクタが第２
のコレクタ負荷抵抗６及び第２の結合キャパシタ２０の
各一端に接続される。前記対のトランジスタ１、２は、
比較的大きいエミッタサイズをもつトランジスタから構
成され、前記対のバッファトランジスタ３、４は、比較
的小さいエミッタサイズをもつトランジスタから構成さ
れる。カレントミラー回路は、第１、第２のトランジス
タ７、８のベースが共通接続され、この共通接続された
ベースに第２のトランジスタ８のコレクタと定電流源９
の一端が接続される。入力高周波トランス１０は、１次
巻線１０ｐの一端が不平衡信号入力端２１、他端が接地
点にそれぞれ接続され、２次巻線１０ｓは、その両端が
信号入力端１５に接続されるとともにその中点タップ１
０ｔがカレントミラー回路の第１のトランジスタ７のコ
レクタに接続される。出力高周波トランス１１は、１次
巻線１１ｐの両端が第１、第２の結合キャパシタ１９、
２０の各他端に接続され、２次巻線１１ｓの一端が不平
衡信号出力端２２、他端が接地点にそれぞれ接続され
る。第１、第２のコレクタ抵抗５、６の他端は、動作電
源１４の一端に接続され、定電流源９の他端、第１、第
２のベースバイアス電源１２、１３の他端、動作電源１
４の他端はそれぞれ接地接続される。
は、エミッタが信号入力端１５に接続され、ベースが第
１のベースバイアス電源１２及び第１の分路キャパシタ
１７の各一端に共通接続され、コレクタがそれぞれ対の
バッファトランジスタ３、４のエミッタに接続される。
対のバッファトランジスタ３、４は、ベースが第２のベ
ースバイアス電源１３及び第２の分路キャパシタ１８の
各一端に共通接続され、トランジスタ３のコレクタが第
１のコレクタ負荷抵抗５及び第１の結合キャパシタ１９
の各一端に接続され、トランジスタ４のコレクタが第２
のコレクタ負荷抵抗６及び第２の結合キャパシタ２０の
各一端に接続される。前記対のトランジスタ１、２は、
比較的大きいエミッタサイズをもつトランジスタから構
成され、前記対のバッファトランジスタ３、４は、比較
的小さいエミッタサイズをもつトランジスタから構成さ
れる。カレントミラー回路は、第１、第２のトランジス
タ７、８のベースが共通接続され、この共通接続された
ベースに第２のトランジスタ８のコレクタと定電流源９
の一端が接続される。入力高周波トランス１０は、１次
巻線１０ｐの一端が不平衡信号入力端２１、他端が接地
点にそれぞれ接続され、２次巻線１０ｓは、その両端が
信号入力端１５に接続されるとともにその中点タップ１
０ｔがカレントミラー回路の第１のトランジスタ７のコ
レクタに接続される。出力高周波トランス１１は、１次
巻線１１ｐの両端が第１、第２の結合キャパシタ１９、
２０の各他端に接続され、２次巻線１１ｓの一端が不平
衡信号出力端２２、他端が接地点にそれぞれ接続され
る。第１、第２のコレクタ抵抗５、６の他端は、動作電
源１４の一端に接続され、定電流源９の他端、第１、第
２のベースバイアス電源１２、１３の他端、動作電源１
４の他端はそれぞれ接地接続される。
【００２９】前記構成による第１の実施例のベース接地
トランジスタ増幅器の動作は、次のとおりである。
トランジスタ増幅器の動作は、次のとおりである。
【００３０】定電流源９からカレントミラー回路に定電
流が供給されると、カレントミラー回路においては、そ
の定電流値に基づいて第２のトランジスタ８に流れる電
流値が設定され、同時に、カレントミラー機能によって
第１のトランジスタ７に流れるシンク電流値が設定され
る。そして、第１のトランジスタ７に流れるシンク電流
により、第１のトランジスタ７のコレクタに接続されて
いる入力高周波トランス１０の２次巻線１０ｓの中点タ
ップ１０ｔには、動作電源１４から第１のコレクタ抵抗
５、一方のバッファトランジスタ３のコレクタ・エミッ
タ通路、一方の増幅用トランジスタ１のコレクタ・エミ
ッタ通路、２次巻線１０ｓの一方の半部巻線１０ｈ1 を
それぞれ流れる電流と、同じく、動作電源１４から第２
のコレクタ抵抗６、他方のバッファトランジスタ４のコ
レクタ・エミッタ通路、他方の増幅用トランジスタ２の
コレクタ・エミッタ通路、２次巻線１０ｓの他方の半部
巻線１０ｈ2 をそれぞれ流れる電流とが流れ、それによ
って対の増幅用トランジスタ１、２及び対のバッファト
ランジスタ３、４にそれぞれ動作バイアス電流が与えら
れる。
流が供給されると、カレントミラー回路においては、そ
の定電流値に基づいて第２のトランジスタ８に流れる電
流値が設定され、同時に、カレントミラー機能によって
第１のトランジスタ７に流れるシンク電流値が設定され
る。そして、第１のトランジスタ７に流れるシンク電流
により、第１のトランジスタ７のコレクタに接続されて
いる入力高周波トランス１０の２次巻線１０ｓの中点タ
ップ１０ｔには、動作電源１４から第１のコレクタ抵抗
５、一方のバッファトランジスタ３のコレクタ・エミッ
タ通路、一方の増幅用トランジスタ１のコレクタ・エミ
ッタ通路、２次巻線１０ｓの一方の半部巻線１０ｈ1 を
それぞれ流れる電流と、同じく、動作電源１４から第２
のコレクタ抵抗６、他方のバッファトランジスタ４のコ
レクタ・エミッタ通路、他方の増幅用トランジスタ２の
コレクタ・エミッタ通路、２次巻線１０ｓの他方の半部
巻線１０ｈ2 をそれぞれ流れる電流とが流れ、それによ
って対の増幅用トランジスタ１、２及び対のバッファト
ランジスタ３、４にそれぞれ動作バイアス電流が与えら
れる。
【００３１】このような動作バイアス電流を設定したと
き、不平衡信号入力端２１に不平衡高周波信号を供給す
ると、その不平衡高周波信号は、入力高周波トランス１
０によって平衡高周波信号に変換され、信号入力端１５
を通して対の増幅用トランジスタ１、２のエミッタに供
給される。次いで、平衡高周波信号は、対のトランジス
タ１、２でベース接地形式で増幅されてそれらのコレク
タに導出され、次続の対のバッファトランジスタ３、４
のエミッタに供給される。さらに、増幅された平衡高周
波信号は、対のバッファトランジスタ３、４において再
びベース接地形式で増幅されてそれらのコレクタに導出
され、第１、第２の結合キャパシタ１９、２０を介して
高周波トランス１１に供給される。そして、増幅された
平衡高周波信号は、高周波トランス１１において再び不
平衡高周波信号に変換され、不平衡信号出力端２２に供
給される。
き、不平衡信号入力端２１に不平衡高周波信号を供給す
ると、その不平衡高周波信号は、入力高周波トランス１
０によって平衡高周波信号に変換され、信号入力端１５
を通して対の増幅用トランジスタ１、２のエミッタに供
給される。次いで、平衡高周波信号は、対のトランジス
タ１、２でベース接地形式で増幅されてそれらのコレク
タに導出され、次続の対のバッファトランジスタ３、４
のエミッタに供給される。さらに、増幅された平衡高周
波信号は、対のバッファトランジスタ３、４において再
びベース接地形式で増幅されてそれらのコレクタに導出
され、第１、第２の結合キャパシタ１９、２０を介して
高周波トランス１１に供給される。そして、増幅された
平衡高周波信号は、高周波トランス１１において再び不
平衡高周波信号に変換され、不平衡信号出力端２２に供
給される。
【００３２】かかる高周波信号の増幅動作時において
は、カレントミラー回路の第１のトランジスタ７から発
生された雑音電圧は、第１のトランジスタ７のコレクタ
から入力高周波トランス１０の２次巻線１０ｓの中点タ
ップ１０ｔに供給され、トランジスタ７の雑音電圧に基
づいた雑音電流が２次巻線１０ｓの２つの半部巻線１０
ｈ1 、１０ｈ2 に流れるようになる。ところが、これら
２つの半部巻線１０ｈ1、１０ｈ2 に流れる雑音電流
は、２つの半部巻線１０ｈ1 、１０ｈ2 の巻回数が等し
く、それらのインダクタンス値が等しいことから、入力
高周波トランス１０の２次巻線１０ｓの両端には同相の
雑音電圧が現われる。従って、対のトランジスタ１、２
の各エミッタにはトランジスタ７からの雑音電圧が同相
で入力される。この雑音電圧は、対のトランジスタ１、
２と対のバッファトランジスタ３、４で増幅された後、
対のバッファトランジスタ３、４のコレクタにそれぞれ
現われるが、雑音電圧は同相関係にあるので、これらコ
レクタ間に現われない。従って、対のバッファトランジ
スタ３、４のコレクタから平衡信号を取り出す場合は、
雑音電圧はキャンセルされ、出力に現われなくなる。ま
た、信号を不平衡で取り出す場合は、図１に図示のよう
に、平衡／不平衡変換接続された出力高周波トランス１
０を介して取り出すようにすれば、不平衡信号出力端２
２には雑音電圧が現われない。
は、カレントミラー回路の第１のトランジスタ７から発
生された雑音電圧は、第１のトランジスタ７のコレクタ
から入力高周波トランス１０の２次巻線１０ｓの中点タ
ップ１０ｔに供給され、トランジスタ７の雑音電圧に基
づいた雑音電流が２次巻線１０ｓの２つの半部巻線１０
ｈ1 、１０ｈ2 に流れるようになる。ところが、これら
２つの半部巻線１０ｈ1、１０ｈ2 に流れる雑音電流
は、２つの半部巻線１０ｈ1 、１０ｈ2 の巻回数が等し
く、それらのインダクタンス値が等しいことから、入力
高周波トランス１０の２次巻線１０ｓの両端には同相の
雑音電圧が現われる。従って、対のトランジスタ１、２
の各エミッタにはトランジスタ７からの雑音電圧が同相
で入力される。この雑音電圧は、対のトランジスタ１、
２と対のバッファトランジスタ３、４で増幅された後、
対のバッファトランジスタ３、４のコレクタにそれぞれ
現われるが、雑音電圧は同相関係にあるので、これらコ
レクタ間に現われない。従って、対のバッファトランジ
スタ３、４のコレクタから平衡信号を取り出す場合は、
雑音電圧はキャンセルされ、出力に現われなくなる。ま
た、信号を不平衡で取り出す場合は、図１に図示のよう
に、平衡／不平衡変換接続された出力高周波トランス１
０を介して取り出すようにすれば、不平衡信号出力端２
２には雑音電圧が現われない。
【００３３】ここで、第１の実施例においては、対のト
ランジスタ１、２の各エミッタとトランジスタ７のコレ
クタとが入力高周波トランス１０の２次巻線１０ｓを介
して接続されている。この場合、２次巻線１０ｓでは電
力が消費されず、対のトランジスタ１、２の各エミッタ
に電力を消費するエミッタ抵抗が接続されていないの
で、これらの部分で雑音電圧が発生することはない。こ
のため、第１の実施例のベース接地差動トランジスタ増
幅においては、可及的に雑音指数（ＮＦ）を低減するこ
とができる。このような雑音低減効果は、図６または図
７に図示された第１の例または第２の例によるベース接
地差動トランジスタ増幅器においては期待できないもの
であり、第１の実施例のベース接地差動トランジスタ増
幅器に特有の効果である。
ランジスタ１、２の各エミッタとトランジスタ７のコレ
クタとが入力高周波トランス１０の２次巻線１０ｓを介
して接続されている。この場合、２次巻線１０ｓでは電
力が消費されず、対のトランジスタ１、２の各エミッタ
に電力を消費するエミッタ抵抗が接続されていないの
で、これらの部分で雑音電圧が発生することはない。こ
のため、第１の実施例のベース接地差動トランジスタ増
幅においては、可及的に雑音指数（ＮＦ）を低減するこ
とができる。このような雑音低減効果は、図６または図
７に図示された第１の例または第２の例によるベース接
地差動トランジスタ増幅器においては期待できないもの
であり、第１の実施例のベース接地差動トランジスタ増
幅器に特有の効果である。
【００３４】ここにおいて、図２の特性図は、第１の実
施例のベース接地トランジスタ増幅器における雑音指数
（ＮＦ）を特性曲線ａによって示し、また、比較のため
に、合わせて図７に図示の第２の例によるベース接地ト
ランジスタ差動増幅器における雑音指数（ＮＦ）を特性
曲線ｂによって示している。
施例のベース接地トランジスタ増幅器における雑音指数
（ＮＦ）を特性曲線ａによって示し、また、比較のため
に、合わせて図７に図示の第２の例によるベース接地ト
ランジスタ差動増幅器における雑音指数（ＮＦ）を特性
曲線ｂによって示している。
【００３５】図２において、縦軸は雑音指数（ＮＦ）、
横軸は信号源インピーダンス（Ｒｓ）であって、曲線ａ
は第１の実施例のベース接地トランジスタ増幅器の特
性、曲線ｂは第２の例によるベース接地トランジスタ差
動増幅器の特性である。
横軸は信号源インピーダンス（Ｒｓ）であって、曲線ａ
は第１の実施例のベース接地トランジスタ増幅器の特
性、曲線ｂは第２の例によるベース接地トランジスタ差
動増幅器の特性である。
【００３６】一般に、増幅器の雑音指数（ＮＦ）は、信
号源インピーダンス（Ｒｓ）、増幅器の入力インピーダ
ンス（Ｚｉｎ）、増幅器の等価雑音抵抗（Ｒｎ）等に依
存することが理論的に確かめられており、第１の実施例
のベース接地トランジスタ増幅器と、図５に図示の既知
のエミッタ接地トランジスタ差動増幅器や、図６に図示
の第１の例によるベース接地トランジスタ差動増幅器と
は、増幅器の入力インピーダンス（Ｚｉｎ）、増幅器の
等価雑音抵抗（Ｒｎ）等を異にしているので、単純に比
較することはできない。
号源インピーダンス（Ｒｓ）、増幅器の入力インピーダ
ンス（Ｚｉｎ）、増幅器の等価雑音抵抗（Ｒｎ）等に依
存することが理論的に確かめられており、第１の実施例
のベース接地トランジスタ増幅器と、図５に図示の既知
のエミッタ接地トランジスタ差動増幅器や、図６に図示
の第１の例によるベース接地トランジスタ差動増幅器と
は、増幅器の入力インピーダンス（Ｚｉｎ）、増幅器の
等価雑音抵抗（Ｒｎ）等を異にしているので、単純に比
較することはできない。
【００３７】しかるに、第１の実施例のベース接地トラ
ンジスタ増幅器と図７に図示の第２の例によるベース接
地トランジスタ差動増幅器とを比較すると、図２に示さ
れるように、信号源インピーダンス（Ｒｓ）が数１０オ
ーム（Ω）以下の範囲においては、第１の実施例のベー
ス接地トランジスタ増幅器と第２の例によるベース接地
トランジスタ差動増幅器との間に雑音指数（ＮＦ）の改
善はあまり見られないが、信号源インピーダンス（Ｒ
ｓ）が数１０オーム（Ω）を超えると、第１の実施例の
ベース接地トランジスタ増幅器の雑音指数（ＮＦ）が第
２の例によるベース接地トランジスタ差動増幅器との間
に雑音指数（ＮＦ）よりも大幅に改善されていることが
判る。
ンジスタ増幅器と図７に図示の第２の例によるベース接
地トランジスタ差動増幅器とを比較すると、図２に示さ
れるように、信号源インピーダンス（Ｒｓ）が数１０オ
ーム（Ω）以下の範囲においては、第１の実施例のベー
ス接地トランジスタ増幅器と第２の例によるベース接地
トランジスタ差動増幅器との間に雑音指数（ＮＦ）の改
善はあまり見られないが、信号源インピーダンス（Ｒ
ｓ）が数１０オーム（Ω）を超えると、第１の実施例の
ベース接地トランジスタ増幅器の雑音指数（ＮＦ）が第
２の例によるベース接地トランジスタ差動増幅器との間
に雑音指数（ＮＦ）よりも大幅に改善されていることが
判る。
【００３８】ところで、第１の実施例における対の増幅
用トランジスタ１、２は、前記のように比較的大きいサ
イズのものとされており、サイズの大きいトランジスタ
の方がサイズの小さいトランジスタに比べて雑音が小さ
いというトランジスタの一般的な特徴にしたがって、そ
れ自体の雑音発生が小さいものとなっており、したがっ
て雑音指数の小さい増幅動作が可能になる。
用トランジスタ１、２は、前記のように比較的大きいサ
イズのものとされており、サイズの大きいトランジスタ
の方がサイズの小さいトランジスタに比べて雑音が小さ
いというトランジスタの一般的な特徴にしたがって、そ
れ自体の雑音発生が小さいものとなっており、したがっ
て雑音指数の小さい増幅動作が可能になる。
【００３９】他方、増幅用トランジスタ１、２を比較的
大きいサイズのものとした場合には、それに応じてかか
る増幅用トランジスタ１、２のコレクタ接合容量等から
なるコレクタ寄生容量が比較的大きなものとなってしま
うことになる。そして、大きなコレクタ寄生容量をもつ
増幅用トランジスタのコレクタに直接にコレクタ負荷抵
抗５、６を接続した場合は、かかるコレクタ負荷抵抗
５、６と比較的大きいコレクタ寄生容量とによる時定数
が大きなものとなり、高周波特性の良効な増幅特性を得
ることが困難となってくる。
大きいサイズのものとした場合には、それに応じてかか
る増幅用トランジスタ１、２のコレクタ接合容量等から
なるコレクタ寄生容量が比較的大きなものとなってしま
うことになる。そして、大きなコレクタ寄生容量をもつ
増幅用トランジスタのコレクタに直接にコレクタ負荷抵
抗５、６を接続した場合は、かかるコレクタ負荷抵抗
５、６と比較的大きいコレクタ寄生容量とによる時定数
が大きなものとなり、高周波特性の良効な増幅特性を得
ることが困難となってくる。
【００４０】第１の実施例においては、増幅用トランジ
スタ１、２とともに比較的小さいサイズのバッファトラ
ンジスタ３、４が設けられ、かかるトランジスタ３、４
がその小さいサイズに応じて比較的小さいコレクタ容量
しか有していないので、コレクタ負荷抵抗５、６とコレ
クタ寄生容量とによって決まる時定数を小さくすること
ができる。この場合、増幅用トランジスタ１、２は、そ
のコレクタがバッファトランジスタ３、４のエミッタに
結合されるものであり、エミッタのインピーダンスが一
般的に比較的小さい値になるので、良好な周波数特性を
もって増幅動作を実行することが可能になる。
スタ１、２とともに比較的小さいサイズのバッファトラ
ンジスタ３、４が設けられ、かかるトランジスタ３、４
がその小さいサイズに応じて比較的小さいコレクタ容量
しか有していないので、コレクタ負荷抵抗５、６とコレ
クタ寄生容量とによって決まる時定数を小さくすること
ができる。この場合、増幅用トランジスタ１、２は、そ
のコレクタがバッファトランジスタ３、４のエミッタに
結合されるものであり、エミッタのインピーダンスが一
般的に比較的小さい値になるので、良好な周波数特性を
もって増幅動作を実行することが可能になる。
【００４１】このように、第１の実施例によれば、対の
増幅用トランジスタ１、２のエミッタには定電流回路を
構成するトランジスタ７から雑音信号が供給されるだけ
で、その雑音電圧も対の増幅用トランジスタ１、２のコ
レクタ間でキャンセルされ、出力には殆んど現われない
ので、雑音レベルを十分に小さくさせるとともに、高周
波特性の良好な増幅動作を実行することができる。
増幅用トランジスタ１、２のエミッタには定電流回路を
構成するトランジスタ７から雑音信号が供給されるだけ
で、その雑音電圧も対の増幅用トランジスタ１、２のコ
レクタ間でキャンセルされ、出力には殆んど現われない
ので、雑音レベルを十分に小さくさせるとともに、高周
波特性の良好な増幅動作を実行することができる。
【００４２】なお、第１の実施例においては、対の増幅
用トランジスタ１、２の出力側に対のバッファトランジ
スタ３、４を接続した構成を例に挙げて説明している
が、本発明はかかる構成のものに限られるものではな
く、対の増幅用トランジスタ１、２のサイズを比較的小
さいものとすることが可能であって、そのコレクタ寄生
容量を比較的小さいものとすることができる場合や、周
波数特性の劣化をある程度許容し得る場合等において
は、対のバッファトランジスタ３、４を適宜省略し、対
の増幅用トランジスタ１、２のコレクタをコレクタ負荷
抵抗５、６に接続するように構成変更してもよい。
用トランジスタ１、２の出力側に対のバッファトランジ
スタ３、４を接続した構成を例に挙げて説明している
が、本発明はかかる構成のものに限られるものではな
く、対の増幅用トランジスタ１、２のサイズを比較的小
さいものとすることが可能であって、そのコレクタ寄生
容量を比較的小さいものとすることができる場合や、周
波数特性の劣化をある程度許容し得る場合等において
は、対のバッファトランジスタ３、４を適宜省略し、対
の増幅用トランジスタ１、２のコレクタをコレクタ負荷
抵抗５、６に接続するように構成変更してもよい。
【００４３】また、第１の実施例においては、出力高周
波トランス１１を用いて平衡高周波信号を不平衡高周波
信号に変換した後、不平衡信号出力端２２から取り出す
ように構成しているが、本発明はかかる構成のものに限
られるものではなく、出力高周波トランス１１を省略し
て平衡高周波信号を信号出力端１６に供給し、信号出力
端１６から平衡高周波信号を取り出すように構成変更し
てもよい。
波トランス１１を用いて平衡高周波信号を不平衡高周波
信号に変換した後、不平衡信号出力端２２から取り出す
ように構成しているが、本発明はかかる構成のものに限
られるものではなく、出力高周波トランス１１を省略し
て平衡高周波信号を信号出力端１６に供給し、信号出力
端１６から平衡高周波信号を取り出すように構成変更し
てもよい。
【００４４】さらに、第１の実施例においては、入力高
周波トランス１０に不平衡／平衡変換トランスを用い、
出力高周波トランス１１に平衡／不平衡変換トランスを
用いているが、本発明はかかる構成のものに限られるも
のではなく、入力高周波トランス１０及び／または出力
高周波トランス１１に平衡／平衡変換トランスを用いる
ように構成変更してもよい。
周波トランス１０に不平衡／平衡変換トランスを用い、
出力高周波トランス１１に平衡／不平衡変換トランスを
用いているが、本発明はかかる構成のものに限られるも
のではなく、入力高周波トランス１０及び／または出力
高周波トランス１１に平衡／平衡変換トランスを用いる
ように構成変更してもよい。
【００４５】なお、トランジスタのベース・エミッタ電
圧電流特性のバラツキにかかわらずに対のベース接地ト
ランジスタの電流動作点を安定化するように、かかるベ
ース接地トランジスタのエミッタと入力高周波トランス
の２次巻線との間に、一種のバラスト抵抗として小さい
抵抗値の抵抗を挿入することができる。かかる抵抗は、
図６の抵抗４３、４４のように比較的大きな抵抗値をと
ることが必要とされる抵抗と異なり、小さい抵抗値です
む。しかし、この場合は、小さい抵抗値に応じて発生す
る雑音を小さくできるものの、雑音が若干増加すること
に注意しなければならない。
圧電流特性のバラツキにかかわらずに対のベース接地ト
ランジスタの電流動作点を安定化するように、かかるベ
ース接地トランジスタのエミッタと入力高周波トランス
の２次巻線との間に、一種のバラスト抵抗として小さい
抵抗値の抵抗を挿入することができる。かかる抵抗は、
図６の抵抗４３、４４のように比較的大きな抵抗値をと
ることが必要とされる抵抗と異なり、小さい抵抗値です
む。しかし、この場合は、小さい抵抗値に応じて発生す
る雑音を小さくできるものの、雑音が若干増加すること
に注意しなければならない。
【００４６】次に、図３は、本発明によるベース接地ト
ランジスタ増幅器の第２の実施例の構成を示す回路構成
図であって、入力高周波トランス１０を用いる代わり
に、第１及び第２のコイルを用いるようにした例を示す
ものである。
ランジスタ増幅器の第２の実施例の構成を示す回路構成
図であって、入力高周波トランス１０を用いる代わり
に、第１及び第２のコイルを用いるようにした例を示す
ものである。
【００４７】図３において、２３は第１のコイル、２４
は第１のコイル２３と同じインダクタンス値を有する第
２のコイル、２５は第１及び第２のコイル２３、２４の
接続点であって、その他、図１に図示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
は第１のコイル２３と同じインダクタンス値を有する第
２のコイル、２５は第１及び第２のコイル２３、２４の
接続点であって、その他、図１に図示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００４８】そして、この第２の実施例と前記第１の実
施例との構成の違いは、第１の実施例が中点タップ１０
ｔを有する２次巻線１０ｓを有する入力高周波トランス
１０を具備するのに対し、第２の実施例が第１及び第２
のコイル２３、２４を具備していう点だけであって、そ
の他、第２の実施例と第１の実施例との間に構成上の違
いはない。従って、第２の実施例の構成についてのこれ
以上の説明は、省略する。
施例との構成の違いは、第１の実施例が中点タップ１０
ｔを有する２次巻線１０ｓを有する入力高周波トランス
１０を具備するのに対し、第２の実施例が第１及び第２
のコイル２３、２４を具備していう点だけであって、そ
の他、第２の実施例と第１の実施例との間に構成上の違
いはない。従って、第２の実施例の構成についてのこれ
以上の説明は、省略する。
【００４９】この第２の実施例の動作は、前記第１の実
施例の動作と殆んど同じであり、また、第２の実施例で
得られる効果も、前記第１の実施例で得られる効果と殆
んど同じであるので、第２の実施例についての動作及び
効果については、詳しい説明を省略する。ただし、第２
の実施例においては、入力高周波トランス１０を用いな
いで済むため、第１の実施例に比べ、低価格のベース接
地差動トランジスタ増幅器を得ることが可能になるとい
う付加的効果もある。
施例の動作と殆んど同じであり、また、第２の実施例で
得られる効果も、前記第１の実施例で得られる効果と殆
んど同じであるので、第２の実施例についての動作及び
効果については、詳しい説明を省略する。ただし、第２
の実施例においては、入力高周波トランス１０を用いな
いで済むため、第１の実施例に比べ、低価格のベース接
地差動トランジスタ増幅器を得ることが可能になるとい
う付加的効果もある。
【００５０】なお、第１のコイル２３と、第２のコイル
２４と、接続点２５をセンタータップとする一つのコイ
ルから構成することができる。このようにセンタータッ
プ型のコイルを用いる場合は、第１のコイル２３と第２
のコイル２４との相互が強く相互結合するようになり、
その結果として、第１の実施例の場合と同様に、定電流
回路を構成するトランジスタ７からの雑音をよりバラン
ス良く対のベース接地トランジスタ１、２のエミッタに
与えることができ、信号出力端１６、１６間に現われる
雑音を良好に平衡させることができる。即ち、センター
タップ型のコイルを用いる場合は、コイルが若干複雑に
なるけれども、より良い雑音指数特性を得ることができ
る。
２４と、接続点２５をセンタータップとする一つのコイ
ルから構成することができる。このようにセンタータッ
プ型のコイルを用いる場合は、第１のコイル２３と第２
のコイル２４との相互が強く相互結合するようになり、
その結果として、第１の実施例の場合と同様に、定電流
回路を構成するトランジスタ７からの雑音をよりバラン
ス良く対のベース接地トランジスタ１、２のエミッタに
与えることができ、信号出力端１６、１６間に現われる
雑音を良好に平衡させることができる。即ち、センター
タップ型のコイルを用いる場合は、コイルが若干複雑に
なるけれども、より良い雑音指数特性を得ることができ
る。
【００５１】続く、図４は、本発明によるベース接地ト
ランジスタ増幅器の第３の実施例の構成を示す回路構成
図であって、第１及び第２のコイル２３、２４に並列に
コンデンサを接続するようにした例を示すものである。
ランジスタ増幅器の第３の実施例の構成を示す回路構成
図であって、第１及び第２のコイル２３、２４に並列に
コンデンサを接続するようにした例を示すものである。
【００５２】図４において、２６はコンデンサ、２７は
並列共振回路であり、その他、図３に図示された構成要
素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
並列共振回路であり、その他、図３に図示された構成要
素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００５３】そして、この第３の実施例と前記第２の実
施例との構成の違いは、第２の実施例が直列接続された
第１及び第２のコイル２３、２４を具備するだけである
のに対し、第３の実施例が直列接続された第１及び第２
のコイル２３、２４とそれらに並列接続されたコンデン
サ２６とによって構成された並列共振回路２７を具備し
てい点だけであって、その他、第３の実施例と第２の実
施例との間に構成上の違いはない。従って、第３の実施
例の構成についてのこれ以上の説明は、省略する。
施例との構成の違いは、第２の実施例が直列接続された
第１及び第２のコイル２３、２４を具備するだけである
のに対し、第３の実施例が直列接続された第１及び第２
のコイル２３、２４とそれらに並列接続されたコンデン
サ２６とによって構成された並列共振回路２７を具備し
てい点だけであって、その他、第３の実施例と第２の実
施例との間に構成上の違いはない。従って、第３の実施
例の構成についてのこれ以上の説明は、省略する。
【００５４】また、この第３の実施例の動作について
も、前記第２の実施例の動作と殆んど同じであり、第３
の実施例で得られる効果も第２の実施例で得られる効果
と殆んど同じであるので、第３の実施例についての動作
及び効果については、詳しい説明を省略する。ただし、
第３の実施例においては、第１及び第２のコイル２３、
２４とコンデンサ２６からなる並列共振回路２７の共振
周波数を対のトランジスタ１、２のエミッタに入力され
る信号周波数と等しくなるように設定すれば、第２の実
施例に比べ、信号成分だけが効率的に対のトランジスタ
１、２のエミッタに入力されるようになり、対のトラン
ジスタ１、２における増幅効率を向上させることが可能
になるという付加的効果がある。
も、前記第２の実施例の動作と殆んど同じであり、第３
の実施例で得られる効果も第２の実施例で得られる効果
と殆んど同じであるので、第３の実施例についての動作
及び効果については、詳しい説明を省略する。ただし、
第３の実施例においては、第１及び第２のコイル２３、
２４とコンデンサ２６からなる並列共振回路２７の共振
周波数を対のトランジスタ１、２のエミッタに入力され
る信号周波数と等しくなるように設定すれば、第２の実
施例に比べ、信号成分だけが効率的に対のトランジスタ
１、２のエミッタに入力されるようになり、対のトラン
ジスタ１、２における増幅効率を向上させることが可能
になるという付加的効果がある。
【００５５】この場合、並列共振回路２７の両端に平衡
信号を供給するようにしてもよく、並列共振回路２７の
一端に不平衡信号を供給し、他端を接地接続するように
してもよい。
信号を供給するようにしてもよく、並列共振回路２７の
一端に不平衡信号を供給し、他端を接地接続するように
してもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
定電流回路を構成するトランジスタ７から発生される雑
音電圧は、第１及び第２のコイル２３、２４を介して対
のトランジスタ１、２の各エミッタに入力された後、対
のトランジスタ１、２で増幅されてそれらのコレクタか
ら出力されるが、各エミッタに入力される雑音電圧は同
相関係にあり、各コレクタに出力される雑音電圧も同相
関係にあるので、対のトランジスタ１、２コレクタ間に
は雑音電圧が現われないことになり、雑音指数（ＮＦ）
を大幅に低減させたベース接地差動トランジスタ増幅器
が得られるという効果がある。
定電流回路を構成するトランジスタ７から発生される雑
音電圧は、第１及び第２のコイル２３、２４を介して対
のトランジスタ１、２の各エミッタに入力された後、対
のトランジスタ１、２で増幅されてそれらのコレクタか
ら出力されるが、各エミッタに入力される雑音電圧は同
相関係にあり、各コレクタに出力される雑音電圧も同相
関係にあるので、対のトランジスタ１、２コレクタ間に
は雑音電圧が現われないことになり、雑音指数（ＮＦ）
を大幅に低減させたベース接地差動トランジスタ増幅器
が得られるという効果がある。
【００５７】また、本発明によれば、対のトランジスタ
１、２の各エミッタに直流が通流するエミッタ抵抗が存
在しないので、かかるエミッタ抵抗から発生される雑音
電圧が対のトランジスタ１、２のエミッタに供給される
ことがなく、この点からも雑音指数（ＮＦ）を大幅に低
減させたベース接地差動トランジスタ増幅器が得られる
という効果がある。
１、２の各エミッタに直流が通流するエミッタ抵抗が存
在しないので、かかるエミッタ抵抗から発生される雑音
電圧が対のトランジスタ１、２のエミッタに供給される
ことがなく、この点からも雑音指数（ＮＦ）を大幅に低
減させたベース接地差動トランジスタ増幅器が得られる
という効果がある。
【００５８】この場合、対のトランジスタ１、２のエミ
ッタに、直列接続された第１及び第２のコイル２３、２
４を設けるようにすれば、高価な不平衡／平衡変換用高
周波トランス１０を用いなくても済み、低価格のベース
接地トランジスタ増幅器を得ることができるという付加
的な効果があり、また、第１及び第２のコイル２３、２
４とそれらに並列接続されたコンデンサ２６からなる並
列共振回路２７を設けるようにすれば、前述の付加的な
効果に加えて、不所望な信号を低減させて所望の信号だ
けを対のトランジスタ１、２の各エミッタに入力させ、
効率的に増幅することができるという別の付加的な効果
もある。
ッタに、直列接続された第１及び第２のコイル２３、２
４を設けるようにすれば、高価な不平衡／平衡変換用高
周波トランス１０を用いなくても済み、低価格のベース
接地トランジスタ増幅器を得ることができるという付加
的な効果があり、また、第１及び第２のコイル２３、２
４とそれらに並列接続されたコンデンサ２６からなる並
列共振回路２７を設けるようにすれば、前述の付加的な
効果に加えて、不所望な信号を低減させて所望の信号だ
けを対のトランジスタ１、２の各エミッタに入力させ、
効率的に増幅することができるという別の付加的な効果
もある。
【図１】本発明によるベース接地トランジスタ増幅器の
第１の実施例の構成を示す回路構成図である。
第１の実施例の構成を示す回路構成図である。
【図２】本実施例のベース接地トランジスタ増幅器にお
ける雑音指数（ＮＦ）を示す特性図である。
ける雑音指数（ＮＦ）を示す特性図である。
【図３】本発明によるベース接地トランジスタ増幅器の
第２の実施例の構成を示す回路構成図である。
第２の実施例の構成を示す回路構成図である。
【図４】本発明によるベース接地トランジスタ増幅器の
第３の実施例の構成を示す回路構成図である。
第３の実施例の構成を示す回路構成図である。
【図５】既知のエミッタ接地差動トランジスタ増幅器の
構成の一例を示す回路構成図である。
構成の一例を示す回路構成図である。
【図６】本発明によるベース接地トランジスタ増幅器に
先立って考案されたベース接地差動トランジスタ増幅器
の構成の第１の例を示す回路構成図である。
先立って考案されたベース接地差動トランジスタ増幅器
の構成の第１の例を示す回路構成図である。
【図７】本発明によるベース接地トランジスタ増幅器に
先立って考案されたベース接地差動トランジスタ増幅器
の構成の第２の例を示す回路構成図である。
先立って考案されたベース接地差動トランジスタ増幅器
の構成の第２の例を示す回路構成図である。
１、２ 対の増幅用トランジスタ ３、４ 対のバッファトランジスタ ５ 第１のコレクタ負荷抵抗 ６ 第２のコレクタ負荷抵抗 ７ カレントミラー回路（定電流回路）を構成する第１
のトランジスタ ８ カレントミラー回路（定電流回路）を構成する第２
のトランジスタ ９ 定電流源 １０ 入力高周波トランス １０ｐ １次巻線 １０ｓ ２次巻線 １０ｔ 中点タップ １０ｈ1 、１０ｈ2 半部巻線 １１ 出力高周波トランス １１ｐ １次巻線 １０ｓ ２次巻線 １２ 第１のベースバイアス電源 １３ 第２のベースバイアス電源 １４ 動作電源 １５ 信号入力端 １６ 信号出力端 １７ 第１の分路キャパシタ １８ 第２の分路キャパシタ １９ 第１の結合キャパシタ ２０ 第２の結合キャパシタ ２１ 平衡信号入力端 ２２ 不平衡信号入力端 ２３ 第１のコイル ２４ 第２のコイル ２５ 接続点 ２６ コンデンサ ２７ 並列共振回路
のトランジスタ ８ カレントミラー回路（定電流回路）を構成する第２
のトランジスタ ９ 定電流源 １０ 入力高周波トランス １０ｐ １次巻線 １０ｓ ２次巻線 １０ｔ 中点タップ １０ｈ1 、１０ｈ2 半部巻線 １１ 出力高周波トランス １１ｐ １次巻線 １０ｓ ２次巻線 １２ 第１のベースバイアス電源 １３ 第２のベースバイアス電源 １４ 動作電源 １５ 信号入力端 １６ 信号出力端 １７ 第１の分路キャパシタ １８ 第２の分路キャパシタ １９ 第１の結合キャパシタ ２０ 第２の結合キャパシタ ２１ 平衡信号入力端 ２２ 不平衡信号入力端 ２３ 第１のコイル ２４ 第２のコイル ２５ 接続点 ２６ コンデンサ ２７ 並列共振回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１０月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 武文 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (10)
- 【請求項１】 ベースが高周波接地され、エミッタに信
号が入力され、コレクタから増幅信号が出力される対の
トランジスタと、前記対のトランジスタのエミッタ間に
直列接続された略等しいインダクタンス値を有する第１
及び第２のコイルと、前記第１及び第２のコイルの接続
点に接続されて前記対のトランジスタに動作バイアス電
流を通流させる定電流回路とを備えていることを特徴と
するベース接地トランジスタ増幅器。 - 【請求項２】 前記直列接続された第１及び第２のコイ
ルは、高周波トランスの中点タップ付き２次巻線であ
り、前記中点タップに前記定電流回路が接続されるとと
もに、前記高周波トランスの１次巻線に供給される信号
が前記対のトランジスタのエミッタに入力されることを
特徴とする請求項１に記載のベース接地トランジスタ増
幅器。 - 【請求項３】 前記高周波トランスは、不平衡／平衡型
変換接続されたものであることを特徴とする請求項２に
記載のベース接地トランジスタ増幅器。 - 【請求項４】 前記直列接続された第１及び第２のコイ
ルは、並列にコンデンサが接続され、前記直列接続され
た第１及び第２のコイルと前記コンデンサとが並列共振
回路を構成していることを特徴とする請求項１に記載の
ベース接地トランジスタ増幅器。 - 【請求項５】 前記対のトランジスタは、その一方のト
ランジスタのエミッタだけに前記信号が入力されること
を特徴とする請求項４に記載のベース接地トランジスタ
増幅器。 - 【請求項６】 前記並列共振回路は、前記信号の周波数
に略一致した共振周波数を有するように構成されている
ことを特徴とする請求項４または５に記載のベース接地
トランジスタ増幅器。 - 【請求項７】 前記対のトランジスタは、コレクタ側に
ベースが高周波接地された対のバッファトランジスタの
エミッタがそれぞれ接続されるとともに、前記対のバッ
ファトランジスタのコレクタから信号が出力されること
を特徴とする請求項１に記載のベース接地トランジスタ
増幅器。 - 【請求項８】 前記対のバッファトランジスタは、コレ
クタから信号が平衡出力されるものであることを特徴と
する請求項７に記載のベース接地トランジスタ増幅器。 - 【請求項９】 前記対のバッファトランジスタは、コレ
クタから信号が不平衡出力されるものであることを特徴
とする請求項７に記載のベース接地トランジスタ増幅
器。 - 【請求項１０】 前記対のバッファトランジスタは、コ
レクタに接続された平衡／不平衡変換型高周波トランス
を介して信号が出力されることを特徴とする請求項９に
記載のベース接地トランジスタ増幅器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15623295A JP3306252B2 (ja) | 1994-09-19 | 1995-06-22 | ベース接地トランジスタ増幅器 |
| KR1019950030402A KR0157677B1 (ko) | 1994-09-19 | 1995-09-18 | 베이스 접지 트랜지스터 증폭기 |
| CN95116835A CN1062997C (zh) | 1994-09-19 | 1995-09-18 | 基极接地晶体管放大器 |
| CA002158628A CA2158628C (en) | 1994-09-19 | 1995-09-19 | Grounded-base transistor amplifier |
| US08/530,561 US5602508A (en) | 1994-09-19 | 1995-09-19 | Grounded-base transistor amplifier |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22342594 | 1994-09-19 | ||
| JP6-223425 | 1994-09-19 | ||
| JP15623295A JP3306252B2 (ja) | 1994-09-19 | 1995-06-22 | ベース接地トランジスタ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148947A true JPH08148947A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3306252B2 JP3306252B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=26484044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15623295A Expired - Fee Related JP3306252B2 (ja) | 1994-09-19 | 1995-06-22 | ベース接地トランジスタ増幅器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5602508A (ja) |
| JP (1) | JP3306252B2 (ja) |
| KR (1) | KR0157677B1 (ja) |
| CN (1) | CN1062997C (ja) |
| CA (1) | CA2158628C (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2011188228A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Fujitsu Ltd | 単相差動変換器 |
| CN103580614A (zh) * | 2012-07-20 | 2014-02-12 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 低噪声放大器 |
| JP2014512151A (ja) * | 2011-04-21 | 2014-05-19 | アフメド アレフ， | 高周波信号用線形増幅器配列 |
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| JP2016127496A (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-11 | 富士通株式会社 | 増幅回路 |
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|---|---|---|---|---|
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| FI100750B (fi) * | 1996-06-11 | 1998-02-13 | Nikolay Tchamov | Suurinopeuksinen rengasoskillaattori |
| EP0902533B1 (de) * | 1997-09-11 | 2004-06-09 | Infineon Technologies AG | Differenzverstärker |
| US6135958A (en) * | 1998-08-06 | 2000-10-24 | Acuson Corporation | Ultrasound imaging system with touch-pad pointing device |
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| EP1548932A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | STMicroelectronics Belgium N.V. | Differential low noise amplifier with low power consumption |
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