JPH08139097A - フリップチップ用接続ボール及び半導体チップの接合方法 - Google Patents
フリップチップ用接続ボール及び半導体チップの接合方法Info
- Publication number
- JPH08139097A JPH08139097A JP6302904A JP30290494A JPH08139097A JP H08139097 A JPH08139097 A JP H08139097A JP 6302904 A JP6302904 A JP 6302904A JP 30290494 A JP30290494 A JP 30290494A JP H08139097 A JPH08139097 A JP H08139097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- flip
- semiconductor chip
- plating
- connection ball
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13186—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2224/13187—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13186—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2224/13188—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/1356—Disposition
- H01L2224/13561—On the entire surface of the core, i.e. integral coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/1357—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13575—Plural coating layers
- H01L2224/1358—Plural coating layers being stacked
- H01L2224/13582—Two-layer coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13611—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13616—Lead [Pb] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13647—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13655—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/811—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector the bump connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 フリップチップ用接続ボールの粒径のばらつ
きを低減させ、半導体チップと基板の接合信頼性を向上
させる。 【構成】 フリップチップ用接続ボール1を、微細粒体
2とその上に無電解メッキ法により形成したSn又はP
b−Sn系メッキ被膜3とから構成する。
きを低減させ、半導体チップと基板の接合信頼性を向上
させる。 【構成】 フリップチップ用接続ボール1を、微細粒体
2とその上に無電解メッキ法により形成したSn又はP
b−Sn系メッキ被膜3とから構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの基板へ
の実装に使用するフリップチップ用接続ボールに関す
る。
の実装に使用するフリップチップ用接続ボールに関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体チップを基板に実装す
る方法としては、ワイヤーボンディング法や、金バンプ
法、半田バンプ法といったフリップチップ方式のワイヤ
ーレスボンディング法が採用されているが、特に、近年
では、高密度実装化に伴い、MCM(Multi−Ch
ip Module)の製造に際して半導体チップの実
装面積を低減させることができ、実装コストの点でも有
利な半田バンプ法の使用が増大している。
る方法としては、ワイヤーボンディング法や、金バンプ
法、半田バンプ法といったフリップチップ方式のワイヤ
ーレスボンディング法が採用されているが、特に、近年
では、高密度実装化に伴い、MCM(Multi−Ch
ip Module)の製造に際して半導体チップの実
装面積を低減させることができ、実装コストの点でも有
利な半田バンプ法の使用が増大している。
【0003】この半田バンプ法は、通常、50〜70μ
mという高さの高い半田バンプを半導体チップの入出力
端子に形成し、そのバンプを基板の電極パッドと熱圧着
することにより半導体チップを基板に接合する方法であ
る。この場合、半田バンプは、通常、真空法又は電気メ
ッキ法により形成されている。
mという高さの高い半田バンプを半導体チップの入出力
端子に形成し、そのバンプを基板の電極パッドと熱圧着
することにより半導体チップを基板に接合する方法であ
る。この場合、半田バンプは、通常、真空法又は電気メ
ッキ法により形成されている。
【0004】また、半導体チップに厚さ数μmの薄い半
田薄型バンプを形成し、これとは別にCu、Ag等の金
属球体や樹脂球体上に半田メッキを施したフリップチッ
プ用接続ボールを形成し、半導体チップに形成した半田
薄型バンプと基板の電極パッドとをフリップチップ用接
続ボールを介して接合する方法も知られている。この場
合、Cu、Ag等の金属球体や樹脂球体上への半田メッ
キは、電気メッキ法により行われている。
田薄型バンプを形成し、これとは別にCu、Ag等の金
属球体や樹脂球体上に半田メッキを施したフリップチッ
プ用接続ボールを形成し、半導体チップに形成した半田
薄型バンプと基板の電極パッドとをフリップチップ用接
続ボールを介して接合する方法も知られている。この場
合、Cu、Ag等の金属球体や樹脂球体上への半田メッ
キは、電気メッキ法により行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半田バンプ法に使用する半田バンプを半導体チップの入
出力端子に真空法や電気メッキ法で形成するためには、
本来的に大掛かりな製造設備が必要となり、また生産性
も低くなるので、結果的に実装コストが高くなるという
問題がある。
半田バンプ法に使用する半田バンプを半導体チップの入
出力端子に真空法や電気メッキ法で形成するためには、
本来的に大掛かりな製造設備が必要となり、また生産性
も低くなるので、結果的に実装コストが高くなるという
問題がある。
【0006】また、真空法を利用して半田バンプを形成
する方法では、複数のバンプを形成した場合にバンプの
高さが不均一になりやすい。例えば、高さ50〜70μ
mの半田バンプを形成する場合には、±20μm程度の
ばらつきが生じる。そのため半導体チップの実装に際し
て、複数のバンプを同時に接続するときの接合信頼性を
確保することが困難であるという問題もあった。
する方法では、複数のバンプを形成した場合にバンプの
高さが不均一になりやすい。例えば、高さ50〜70μ
mの半田バンプを形成する場合には、±20μm程度の
ばらつきが生じる。そのため半導体チップの実装に際し
て、複数のバンプを同時に接続するときの接合信頼性を
確保することが困難であるという問題もあった。
【0007】また、通常の高さ50〜70μmの半田バ
ンプに代えて高さ数μmの半田薄型バンプを形成し、こ
れとフリップチップ用接続ボールとを用いて実装する方
法においても、そのフリップチップ用接続ボールを、C
u、Ag等の金属球体や樹脂球体上に電気メッキで半田
メッキすることにより形成しているので、均一な径のも
のが得られず、接合信頼性を確保することが困難である
という問題があった。即ち、Cu、Ag等の金属球体や
樹脂球体上に電気メッキにより半田メッキ被膜を形成す
る場合に、金属球体や樹脂球体の直径が1000μm以
上であれば半田メッキやスズメッキは可能ではあるが個
々の球体のメッキ厚は不均一となる。特に、金属球体や
樹脂球体の直径が100μm以下となると、メッキ厚の
ばらつきはさらに大きくなる。例えば、平均60μmの
厚さの半田メッキ被膜に対して±30μm程度のばらつ
きが生じる。さらには、接続ボール同士が半田メッキ中
に半田メッキで接合されてしまう場合もある。このた
め、均一な径のフリップチップ用接続ボールを得ること
ができず、フリップチップ用接続ボールを使用してバン
プ接合を行う場合にも、接合信頼性を確保することが困
難となっていた。
ンプに代えて高さ数μmの半田薄型バンプを形成し、こ
れとフリップチップ用接続ボールとを用いて実装する方
法においても、そのフリップチップ用接続ボールを、C
u、Ag等の金属球体や樹脂球体上に電気メッキで半田
メッキすることにより形成しているので、均一な径のも
のが得られず、接合信頼性を確保することが困難である
という問題があった。即ち、Cu、Ag等の金属球体や
樹脂球体上に電気メッキにより半田メッキ被膜を形成す
る場合に、金属球体や樹脂球体の直径が1000μm以
上であれば半田メッキやスズメッキは可能ではあるが個
々の球体のメッキ厚は不均一となる。特に、金属球体や
樹脂球体の直径が100μm以下となると、メッキ厚の
ばらつきはさらに大きくなる。例えば、平均60μmの
厚さの半田メッキ被膜に対して±30μm程度のばらつ
きが生じる。さらには、接続ボール同士が半田メッキ中
に半田メッキで接合されてしまう場合もある。このた
め、均一な径のフリップチップ用接続ボールを得ること
ができず、フリップチップ用接続ボールを使用してバン
プ接合を行う場合にも、接合信頼性を確保することが困
難となっていた。
【0008】また、金バンプ法では、通常、半導体チッ
プに高さ15〜20μmの金バンプを形成し、これを基
板のSnメッキ端子等と接合するが、この方法では金バ
ンプの形成コストが高くつくという問題があり、また半
導体チップの実装時のリペア工程において、一旦基板に
接合した半導体チップを基板から取り外し、再度接合す
る場合のボンディング性が低いという問題もあった。
プに高さ15〜20μmの金バンプを形成し、これを基
板のSnメッキ端子等と接合するが、この方法では金バ
ンプの形成コストが高くつくという問題があり、また半
導体チップの実装時のリペア工程において、一旦基板に
接合した半導体チップを基板から取り外し、再度接合す
る場合のボンディング性が低いという問題もあった。
【0009】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、均一な径のフリップチップ
用接続ボールを安価に生産性よく得られるようにし、そ
れにより、低コストで接合信頼性の高いフリップチップ
ボンディングを可能とすることを目的とする。
決しようとするものであり、均一な径のフリップチップ
用接続ボールを安価に生産性よく得られるようにし、そ
れにより、低コストで接合信頼性の高いフリップチップ
ボンディングを可能とすることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、フリップチ
ップ用接続ボールの製造に際して、微細粒体上に、電気
メッキ法ではなく無電解メッキ法を用いてSn又はPb
−Sn系メッキ被膜を形成することにより均一な径のフ
リップチップ用接続ボールを得られることを見出し、本
発明を完成させるに至った。
ップ用接続ボールの製造に際して、微細粒体上に、電気
メッキ法ではなく無電解メッキ法を用いてSn又はPb
−Sn系メッキ被膜を形成することにより均一な径のフ
リップチップ用接続ボールを得られることを見出し、本
発明を完成させるに至った。
【0011】即ち、本発明は、微細粒体上に無電解メッ
キ法によるSn又はPb−Sn系メッキ被膜が形成され
ていることを特徴とするフリップチップ用接続ボールを
提供する。
キ法によるSn又はPb−Sn系メッキ被膜が形成され
ていることを特徴とするフリップチップ用接続ボールを
提供する。
【0012】また、本発明は、このような接続ボールを
用いた半導体チップの接合方法として、半導体チップの
入出力端子に半田薄型バンプを形成し、その半田薄型バ
ンプと該半導体チップを実装すべき基板の電極パッドと
を上記フリップチップ用接続ボールを介して重ね合わ
せ、その重なった部分を加熱することにより両者を接合
する方法を提供する。
用いた半導体チップの接合方法として、半導体チップの
入出力端子に半田薄型バンプを形成し、その半田薄型バ
ンプと該半導体チップを実装すべき基板の電極パッドと
を上記フリップチップ用接続ボールを介して重ね合わ
せ、その重なった部分を加熱することにより両者を接合
する方法を提供する。
【0013】以下、本発明を詳細に説明する。
【0014】図1は本発明のフリップチップ用接続ボー
ル1の断面図であり、微細粒体2上に無電解メッキ法に
よるSn又はPb−Sn系メッキ被膜3が形成された構
造となっている。
ル1の断面図であり、微細粒体2上に無電解メッキ法に
よるSn又はPb−Sn系メッキ被膜3が形成された構
造となっている。
【0015】ここで、微細粒体2としては、種々の金
属、樹脂、セラミックス又はガラスからなる粒体を使用
することができる。また、直径10〜1000μm程
度、好ましくは10〜500μmの球状粒体を好ましく
使用でき、特に真球が好ましい。
属、樹脂、セラミックス又はガラスからなる粒体を使用
することができる。また、直径10〜1000μm程
度、好ましくは10〜500μmの球状粒体を好ましく
使用でき、特に真球が好ましい。
【0016】このような微細粒体2をなす金属製粒体と
しては、Cu又はCu合金(Zn、Ag又はSn含有)
からなる粒体を好ましく使用することができ、市販のも
のを使用することができる。また、樹脂製の微細粒体2
としては、ABS、PP、PPS、アクリル、ポリカー
ボネート、アルキッド、ナイロン、PET等の粒体を使
用することができる。特に、ABS又はABSブレンド
樹脂からなるものが好ましい。セラミックス製の微細粒
体2としては、Al2O3、SiO2、サファイヤ、A
lN、SiN、BN等の粒体を使用することができる。
なかでも、Al2O3やSiO2が安価に得られ、メッ
キ性も良好なので好ましい。ガラス製微細粒体2として
は、アルカリガラス、鉛ガラス、パイレックス等からな
るものを使用することができ、可能な限りNaを含まな
いものが好ましい。
しては、Cu又はCu合金(Zn、Ag又はSn含有)
からなる粒体を好ましく使用することができ、市販のも
のを使用することができる。また、樹脂製の微細粒体2
としては、ABS、PP、PPS、アクリル、ポリカー
ボネート、アルキッド、ナイロン、PET等の粒体を使
用することができる。特に、ABS又はABSブレンド
樹脂からなるものが好ましい。セラミックス製の微細粒
体2としては、Al2O3、SiO2、サファイヤ、A
lN、SiN、BN等の粒体を使用することができる。
なかでも、Al2O3やSiO2が安価に得られ、メッ
キ性も良好なので好ましい。ガラス製微細粒体2として
は、アルカリガラス、鉛ガラス、パイレックス等からな
るものを使用することができ、可能な限りNaを含まな
いものが好ましい。
【0017】また、微細粒体2が非電導性の粒体である
場合には、予め、その表面にCu、Ni−Cu等の下地
皮膜を常法により形成しておくことが好ましい。
場合には、予め、その表面にCu、Ni−Cu等の下地
皮膜を常法により形成しておくことが好ましい。
【0018】Sn又はPb−Sn系メッキ被膜3は、S
n単独又はPb−Sn系の合金の被膜からなる。この被
膜厚さは、一般には厚さ0.01〜100μm程度とす
ることが好ましく、特に0.1〜50μm程度とするこ
とが好ましい。
n単独又はPb−Sn系の合金の被膜からなる。この被
膜厚さは、一般には厚さ0.01〜100μm程度とす
ることが好ましく、特に0.1〜50μm程度とするこ
とが好ましい。
【0019】また、このSn又はPb−Sn系メッキ被
膜3は無電解メッキ法により形成したものとする。無電
解メッキによる被膜とすることにより、所定の膜厚の被
膜を、膜厚のばらつき小さく形成することが可能とな
る。
膜3は無電解メッキ法により形成したものとする。無電
解メッキによる被膜とすることにより、所定の膜厚の被
膜を、膜厚のばらつき小さく形成することが可能とな
る。
【0020】このメッキ被膜3を形成するPb−Sn系
合金としては、Pd−Sn、Pd−Sn−In、Pb−
Sn−Cu等を使用することができる。これらPb−S
n系合金又はSnが、さらにP、B、Ag、In、B
i、Cd、Co、Cu、Ni等を含有していてもよい。
合金としては、Pd−Sn、Pd−Sn−In、Pb−
Sn−Cu等を使用することができる。これらPb−S
n系合金又はSnが、さらにP、B、Ag、In、B
i、Cd、Co、Cu、Ni等を含有していてもよい。
【0021】また、メッキ被膜3には、密着性の点か
ら、微細粒体2との界面に熱処理等によって拡散層、融
解層を形成することが好ましい。
ら、微細粒体2との界面に熱処理等によって拡散層、融
解層を形成することが好ましい。
【0022】Sn又はPb−Sn系メッキ被膜3の無電
解メッキ条件は、微細粒体2の種類や、当該Sn又はP
b−Sn系メッキ被膜の種類等に応じて適宜選択するこ
とができる。例えば、Cuからなる微細粒体2上にPb
−Sn系メッキ被膜3を形成する場合、無電解メッキ液
として、Pb塩とSn塩を含有する液を使用し、pH
0.1〜12、好ましくはpH0.1〜1.0、温度2
0〜90℃、好ましくは40〜70℃という条件でメッ
キを行うことができる。
解メッキ条件は、微細粒体2の種類や、当該Sn又はP
b−Sn系メッキ被膜の種類等に応じて適宜選択するこ
とができる。例えば、Cuからなる微細粒体2上にPb
−Sn系メッキ被膜3を形成する場合、無電解メッキ液
として、Pb塩とSn塩を含有する液を使用し、pH
0.1〜12、好ましくはpH0.1〜1.0、温度2
0〜90℃、好ましくは40〜70℃という条件でメッ
キを行うことができる。
【0023】また、Sn又はPb−Sn系メッキ被膜3
の形成に際しては、必要に応じて、その無電解メッキに
先立ち、微細粒体2の表面をエッチング液で洗浄し、パ
ラジウム水溶液で下地処理しておくことが特に好まし
い。
の形成に際しては、必要に応じて、その無電解メッキに
先立ち、微細粒体2の表面をエッチング液で洗浄し、パ
ラジウム水溶液で下地処理しておくことが特に好まし
い。
【0024】この場合、エッチング液としては、密着性
の点から1〜5%H2SO4溶液を使用することが好ま
しい。
の点から1〜5%H2SO4溶液を使用することが好ま
しい。
【0025】また、下地処理用のパラジウム水溶液とし
ては、例えば、塩化パラジウム0.01〜10g/l、
好ましくは0.1〜3g/l、35%塩酸0.01〜5
0ml/l、好ましくは0.1〜10ml/l及びクエ
ン酸カリウム1〜100g/l、好ましくは3〜50g
/lからなる塩化パラジム水溶液を例示することができ
る。また、このような塩化パラジウム水溶液は、pH1
〜11、好ましくはpH3〜9で温度0〜70℃、好ま
しくは5〜50℃で使用することが好ましい。この他、
有機酸パラジウム(クエン酸パラジウム、リンゴ酸パラ
ジウム、コハク酸パラジウム等)の水溶液も使用するこ
とができる。
ては、例えば、塩化パラジウム0.01〜10g/l、
好ましくは0.1〜3g/l、35%塩酸0.01〜5
0ml/l、好ましくは0.1〜10ml/l及びクエ
ン酸カリウム1〜100g/l、好ましくは3〜50g
/lからなる塩化パラジム水溶液を例示することができ
る。また、このような塩化パラジウム水溶液は、pH1
〜11、好ましくはpH3〜9で温度0〜70℃、好ま
しくは5〜50℃で使用することが好ましい。この他、
有機酸パラジウム(クエン酸パラジウム、リンゴ酸パラ
ジウム、コハク酸パラジウム等)の水溶液も使用するこ
とができる。
【0026】本発明のフリップチップ用接続ボール1
は、従来のフリップチップ用接続ボールと同様に、半導
体チップの薄型バンプ(半田薄型バンプ、無電解Ni系
メッキ層と無電解貴金属メッキ層からなる薄型バンプ
等)と基板との接合に使用することができる。
は、従来のフリップチップ用接続ボールと同様に、半導
体チップの薄型バンプ(半田薄型バンプ、無電解Ni系
メッキ層と無電解貴金属メッキ層からなる薄型バンプ
等)と基板との接合に使用することができる。
【0027】例えば、図2に示したように、半導体チッ
プ5のAlからなる入出力端子6の上に真空法により厚
さ5〜30μmの半田薄型バンプ7を形成する。一方、
基板8のCu製の電極パッド9には、半田づけ性を向上
させる点から、好ましくは厚さ1〜10μmのNi薄層
10及び厚さ0.001〜5μmのAu薄層11を順次
形成する。そして、半導体チップ5の半田薄型バンプ7
とフリップチップ用接続ボール1と基板8の電極パッド
9とを位置合わせし、約190〜300℃の温度で熱圧
着することにより半導体チップ5を基板8に実装するこ
とができる。
プ5のAlからなる入出力端子6の上に真空法により厚
さ5〜30μmの半田薄型バンプ7を形成する。一方、
基板8のCu製の電極パッド9には、半田づけ性を向上
させる点から、好ましくは厚さ1〜10μmのNi薄層
10及び厚さ0.001〜5μmのAu薄層11を順次
形成する。そして、半導体チップ5の半田薄型バンプ7
とフリップチップ用接続ボール1と基板8の電極パッド
9とを位置合わせし、約190〜300℃の温度で熱圧
着することにより半導体チップ5を基板8に実装するこ
とができる。
【0028】この場合、フリップチップ用接続ボール1
は、予め、半導体チップ5の半田薄型バンプ7又は基板
8の電極パッド9のいずれか一方と固定し、その後その
フリップチップ用接続ボール1を介して半導体チップ5
と基板8とを接合してもよい。
は、予め、半導体チップ5の半田薄型バンプ7又は基板
8の電極パッド9のいずれか一方と固定し、その後その
フリップチップ用接続ボール1を介して半導体チップ5
と基板8とを接合してもよい。
【0029】また、半田薄型バンプに代えて、入出力端
子6上に厚さ0.3〜20μmの無電解Ni系メッキ層
および厚さ0.005〜50μmの無電解貴金属メッキ
層を順次積層した薄型バンプを形成してもよい。これに
より、より接合信頼性を高めることができるので好まし
い。
子6上に厚さ0.3〜20μmの無電解Ni系メッキ層
および厚さ0.005〜50μmの無電解貴金属メッキ
層を順次積層した薄型バンプを形成してもよい。これに
より、より接合信頼性を高めることができるので好まし
い。
【0030】
【作用】本発明のフリップチップ用接続ボールは、微細
粒体上にSn又はPb−Sn系メッキ被膜が無電解メッ
キにより形成されているので、微細粒体上のメッキ厚さ
のばらつきが抑制され、均一な径のものとなる。よっ
て、複数の端子を同時に接合する場合でも、全ての端子
について高い接合信頼性を確保することが可能となる。
粒体上にSn又はPb−Sn系メッキ被膜が無電解メッ
キにより形成されているので、微細粒体上のメッキ厚さ
のばらつきが抑制され、均一な径のものとなる。よっ
て、複数の端子を同時に接合する場合でも、全ての端子
について高い接合信頼性を確保することが可能となる。
【0031】また、本発明のフリップチップ用接続ボー
ルは真空法を利用することなく製造できるので、安価に
生産性高く得られるものとなる。
ルは真空法を利用することなく製造できるので、安価に
生産性高く得られるものとなる。
【0032】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【0033】実施例1 直径50μmの銅微細粒体の表面酸化物を0.1%H2
SO4溶液で除去し、水洗した。その後、PdCl
20.1g/l、35%HCl1ml/lからなるPd
水溶液に30秒間浸漬し、次で水洗した。
SO4溶液で除去し、水洗した。その後、PdCl
20.1g/l、35%HCl1ml/lからなるPd
水溶液に30秒間浸漬し、次で水洗した。
【0034】次に、メタンスルホン酸スズ10g/l、
メタンスルホン酸鉛20g/l、メタンスルホン酸10
g/l、チオ尿素10g/l、酒石酸30g/lからな
る無電解半田メッキ液を調製し、これを用いて上述の銅
微細粒体に温度60℃で30分間無電解メッキを行っ
た。その結果、銅微細粒体の表面が溶解し、Sn及びP
bが析出してSn−Pb系メッキ被膜(組成:Sn60
%、Pb40%)が形成された。このメッキ被膜の厚さ
は20±2μmであり、メッキ中に粒子同士が接合した
ものはなかった。また、外観は均一であった。
メタンスルホン酸鉛20g/l、メタンスルホン酸10
g/l、チオ尿素10g/l、酒石酸30g/lからな
る無電解半田メッキ液を調製し、これを用いて上述の銅
微細粒体に温度60℃で30分間無電解メッキを行っ
た。その結果、銅微細粒体の表面が溶解し、Sn及びP
bが析出してSn−Pb系メッキ被膜(組成:Sn60
%、Pb40%)が形成された。このメッキ被膜の厚さ
は20±2μmであり、メッキ中に粒子同士が接合した
ものはなかった。また、外観は均一であった。
【0035】得られたSn−Pb系メッキ被膜を水洗し
乾燥することによりフリップチップ用接続ボールを得
た。
乾燥することによりフリップチップ用接続ボールを得
た。
【0036】一方、C−MOSチップの入出力端子であ
る3μm厚のアルミニウム端子に厚さ5μmの半田バン
プを真空法により形成し、その上に上記フリップチップ
用接続ボールを転写法で固定し、200℃で20秒間加
熱し、C−MOSチップの入出力端子上にバンプを形成
した。これにより均一な高さのバンプが形成された。
る3μm厚のアルミニウム端子に厚さ5μmの半田バン
プを真空法により形成し、その上に上記フリップチップ
用接続ボールを転写法で固定し、200℃で20秒間加
熱し、C−MOSチップの入出力端子上にバンプを形成
した。これにより均一な高さのバンプが形成された。
【0037】次に、このチップをセラミック基板のパッ
ドに位置合わせし、200℃で20秒間加熱した。これ
により、C−MOSチップとセラミック基板とを良好に
接合することができた。この場合、C−MOSチップと
セラミック基板との位置合わせは、セラミック基板上で
C−MOSチップの水平をとるための格別な操作をする
ことなく容易に行うことができた。
ドに位置合わせし、200℃で20秒間加熱した。これ
により、C−MOSチップとセラミック基板とを良好に
接合することができた。この場合、C−MOSチップと
セラミック基板との位置合わせは、セラミック基板上で
C−MOSチップの水平をとるための格別な操作をする
ことなく容易に行うことができた。
【0038】また、C−MOSチップを基板に実装する
場合のリペア工程として、一旦セラミック基板と接合し
たC−MOSチップをセラミック基板から取り外し、再
度、セラミック基板に接合したところ、この場合も良好
に接合することができた。
場合のリペア工程として、一旦セラミック基板と接合し
たC−MOSチップをセラミック基板から取り外し、再
度、セラミック基板に接合したところ、この場合も良好
に接合することができた。
【0039】実施例2 実施例1と同様にして、直径50μmの銅球の表面酸化
物を除去し、さらにPd水溶液で処理した。
物を除去し、さらにPd水溶液で処理した。
【0040】次に、硫酸20g/l、硫酸第一スズ10
g/l、チオ尿素10g/l、ロッセル塩20g/lか
らなる無電解スズメッキ液を調製し、これを用いて上述
の銅微細粒体に温度60℃で30分間無電解メッキを行
った。その結果、銅微細粒体の表面が溶解し、Snが析
出してSnメッキ被膜が形成された。このメッキ被膜の
厚さは5±1μmであり、メッキ中に粒子同士が接合し
たものはなかった。また、外観は均一であった。
g/l、チオ尿素10g/l、ロッセル塩20g/lか
らなる無電解スズメッキ液を調製し、これを用いて上述
の銅微細粒体に温度60℃で30分間無電解メッキを行
った。その結果、銅微細粒体の表面が溶解し、Snが析
出してSnメッキ被膜が形成された。このメッキ被膜の
厚さは5±1μmであり、メッキ中に粒子同士が接合し
たものはなかった。また、外観は均一であった。
【0041】得られたSnメッキ被膜を水洗し乾燥する
ことによりフリップチップ用接続ボールを得た。
ことによりフリップチップ用接続ボールを得た。
【0042】一方、図3に示したように、液晶ドライバ
ー用LSIチップ5の入出力端子である3μm厚のアル
ミニウム端子6上に、予め無電解メッキ法で厚さ3μm
のNiメッキ被膜12及び厚さ0.1μmのAuメッキ
被膜13を形成した。なお、アルミニウム端子6の周囲
にはPIQからなるパッシベーション膜14をフォトリ
ソ法により形成した。そしてAuメッキ被膜13上に上
記フリップチップ用接続ボール1を置き、転写法で固定
した。次いで、表面がAuメッキされたリード15を有
する銅板16の当該リード15をフリップチップ用接続
ボール1上に位置合わせして置き、380〜400℃で
加熱圧着した。これにより、LSIチップ5の入出力端
子上のAuメッキ被膜13と、フリップチップ用接続ボ
ール1の表面のSnメッキ被膜と、Auメッキリード1
5との各界面にAu−Sn合金層が形成され、LSIチ
ップ5と銅板16のリード15とを完全に接合すること
ができた。
ー用LSIチップ5の入出力端子である3μm厚のアル
ミニウム端子6上に、予め無電解メッキ法で厚さ3μm
のNiメッキ被膜12及び厚さ0.1μmのAuメッキ
被膜13を形成した。なお、アルミニウム端子6の周囲
にはPIQからなるパッシベーション膜14をフォトリ
ソ法により形成した。そしてAuメッキ被膜13上に上
記フリップチップ用接続ボール1を置き、転写法で固定
した。次いで、表面がAuメッキされたリード15を有
する銅板16の当該リード15をフリップチップ用接続
ボール1上に位置合わせして置き、380〜400℃で
加熱圧着した。これにより、LSIチップ5の入出力端
子上のAuメッキ被膜13と、フリップチップ用接続ボ
ール1の表面のSnメッキ被膜と、Auメッキリード1
5との各界面にAu−Sn合金層が形成され、LSIチ
ップ5と銅板16のリード15とを完全に接合すること
ができた。
【0043】比較例1 直径50μmの銅球に、電気メッキにより厚さ50μm
の半田メッキ層を形成し、フリップチップ用接続ボール
とした。この場合、半田メッキ層の厚さのばらつきは±
20μmであり、電気メッキ中に粒子同士接合したもの
が約60%あった。
の半田メッキ層を形成し、フリップチップ用接続ボール
とした。この場合、半田メッキ層の厚さのばらつきは±
20μmであり、電気メッキ中に粒子同士接合したもの
が約60%あった。
【0044】このフリップチップ用接続ボールを用いて
実施例1と同様に、C−MOSチップとセラミック基板
とを接合したところ、C−MOSチップとセラミック基
板との距離が高さ方向に不均一となり、両者を良好に接
合することができなかった。
実施例1と同様に、C−MOSチップとセラミック基板
とを接合したところ、C−MOSチップとセラミック基
板との距離が高さ方向に不均一となり、両者を良好に接
合することができなかった。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば、均一な径のフリップチ
ップ用接続ボールが安価にかつ高い生産性で得られる。
よって、低コストで接合信頼性の高いフリップチップボ
ンディングを行うことが可能となる。
ップ用接続ボールが安価にかつ高い生産性で得られる。
よって、低コストで接合信頼性の高いフリップチップボ
ンディングを行うことが可能となる。
【図1】本発明のフリップチップ用接続ボールの断面図
である。
である。
【図2】本発明のフリップチップ用接続ボールを用いた
半導体チップと基板との接合方法の説明図である。
半導体チップと基板との接合方法の説明図である。
【図3】本発明のフリップチップ用接続ボールを用いた
半導体チップと基板との接合方法の説明図である。
半導体チップと基板との接合方法の説明図である。
1 フリップチップ用接続ボール 2 微細粒体 3 Sn又はPb−Sn系メッキ被膜 5 半導体チップ 6 入出力端子 7 半田薄型バンプ 8 基板 9 電極パッド 10 Ni薄層 11 Au薄層 12 Niメッキ被膜 13 Auメッキ被膜 14 パッシベーション膜 15 Auメッキリード 16 銅板
Claims (4)
- 【請求項1】 微細粒体上に無電解メッキ法によるSn
又はPb−Sn系メッキ被膜が形成されていることを特
徴とするフリップチップ用接続ボール。 - 【請求項2】 微細粒体が、金属、樹脂、セラミックス
又はガラスからなる請求項1記載のフリップチップ用接
続ボール。 - 【請求項3】 半導体チップの入出力端子に薄型バンプ
を形成し、その薄型バンプと該半導体チップを実装すべ
き基板の電極パッドとを、請求項1又は2に記載のフリ
ップチップ用接続ボールを介して重ね合わせ、その重な
った部分を加熱することにより両者を接合することを特
徴とする半導体チップの接合方法。 - 【請求項4】 半導体チップの入出力端子を構成する基
材金属層上に無電解メッキ法によりNi系メッキ層を形
成し、該Ni系メッキ層上に無電解メッキ法により貴金
属メッキ層を形成することにより半導体チップの入出力
端子の薄型バンプを形成する請求項3記載の半導体チッ
プの接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6302904A JPH08139097A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | フリップチップ用接続ボール及び半導体チップの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6302904A JPH08139097A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | フリップチップ用接続ボール及び半導体チップの接合方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08139097A true JPH08139097A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17914513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6302904A Pending JPH08139097A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | フリップチップ用接続ボール及び半導体チップの接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08139097A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997018584A1 (fr) * | 1995-11-15 | 1997-05-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de formation de bosse de contact sur un dispositif a semi-conducteurs |
WO1998056217A1 (fr) * | 1997-06-04 | 1998-12-10 | Ibiden Co., Ltd. | Element de brasage tendre pour cartes a circuit imprime |
JP2001501366A (ja) * | 1996-08-27 | 2001-01-30 | 新日本製鐵株式会社 | 低融点金属のバンプを備えた半導体装置及びその製造方法 |
KR100460075B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2005-01-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지의 확산 방지층 형성방법 |
JP2006041401A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006344624A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2010016013A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Sharp Corp | 半導体デバイスの実装方法、半導体素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP2015050380A (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | 千住金属工業株式会社 | バンプ電極、バンプ電極基板及びその製造方法 |
US10950586B2 (en) | 2016-02-01 | 2021-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having upper and lower solder portions and methods of fabricating the same |
JP2021197387A (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-27 | 千住金属工業株式会社 | バンプ電極基板の形成方法 |
-
1994
- 1994-11-10 JP JP6302904A patent/JPH08139097A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6066551A (en) * | 1995-11-15 | 2000-05-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method for forming bump of semiconductor device |
WO1997018584A1 (fr) * | 1995-11-15 | 1997-05-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de formation de bosse de contact sur un dispositif a semi-conducteurs |
US7045389B1 (en) | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Method for fabricating a semiconductor devices provided with low melting point metal bumps |
JP2001501366A (ja) * | 1996-08-27 | 2001-01-30 | 新日本製鐵株式会社 | 低融点金属のバンプを備えた半導体装置及びその製造方法 |
US7045388B2 (en) | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps |
WO1998056217A1 (fr) * | 1997-06-04 | 1998-12-10 | Ibiden Co., Ltd. | Element de brasage tendre pour cartes a circuit imprime |
US6358630B1 (en) | 1997-06-04 | 2002-03-19 | Ibiden Co., Ltd. | Soldering member for printed wiring boards |
KR100460075B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2005-01-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지의 확산 방지층 형성방법 |
JP2006041401A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006344624A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2010016013A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Sharp Corp | 半導体デバイスの実装方法、半導体素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP2015050380A (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | 千住金属工業株式会社 | バンプ電極、バンプ電極基板及びその製造方法 |
US10950586B2 (en) | 2016-02-01 | 2021-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having upper and lower solder portions and methods of fabricating the same |
JP2021197387A (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-27 | 千住金属工業株式会社 | バンプ電極基板の形成方法 |
US11478869B2 (en) | 2020-06-10 | 2022-10-25 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Method for forming bump electrode substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4970571A (en) | Bump and method of manufacturing the same | |
US7642135B2 (en) | Thermal mechanical flip chip die bonding | |
KR100371567B1 (ko) | Ag 선도금을 이용한 반도체 패키지용 리드프레임 | |
GB2365622A (en) | A conductive pad for electrical connection of an integrated circuit chip | |
JPH08139097A (ja) | フリップチップ用接続ボール及び半導体チップの接合方法 | |
JPH10287994A (ja) | ボンディング部のメッキ構造 | |
JP3475558B2 (ja) | 半導体チップ接合用ボール及び半導体チップの接合方法 | |
US6522016B1 (en) | Interconnection structure with film to increase adhesion of the bump | |
JP3297177B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US4855251A (en) | Method of manufacturing electronic parts including transfer of bumps of larger particle sizes | |
JPH08130227A (ja) | 半導体チップ、半導体チップの端子の形成方法及び半導体チップの接合方法 | |
US5935719A (en) | Lead-free, nickel-free and cyanide-free plating finish for semiconductor leadframes | |
JP2000012605A (ja) | 半導体チップの電極部の形成方法 | |
JPS62266842A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS63305532A (ja) | バンプの形成方法 | |
GB2364172A (en) | Flip Chip Bonding Arrangement | |
JP2813409B2 (ja) | 半導体チップの接続方法 | |
JP2633580B2 (ja) | バンプ、バンプの形成方法および半導体素子 | |
JPH02276249A (ja) | 半導体回路バンプの製造方法 | |
JP3846948B2 (ja) | ベアチップ実装部品 | |
JPH02296336A (ja) | 半導体回路バンプの製造方法 | |
JPH0732170B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH07183327A (ja) | 半導体チップ、半導体チップの端子の形成方法及び半導体チップの接合方法 | |
JPH028459B2 (ja) | ||
KR20020070584A (ko) | 언더 범프 메탈의 제조방법 및 그 구조 |