JPH08129358A - エレクトロルミネセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネセンス表示装置Info
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- JPH08129358A JPH08129358A JP6267242A JP26724294A JPH08129358A JP H08129358 A JPH08129358 A JP H08129358A JP 6267242 A JP6267242 A JP 6267242A JP 26724294 A JP26724294 A JP 26724294A JP H08129358 A JPH08129358 A JP H08129358A
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 101001109993 Artemia salina 60S acidic ribosomal protein P2 Proteins 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 101100047923 Mus musculus Txnl1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 予備の薄膜トランジスタ(TFT)駆動回路
を設け、不良のTFT駆動回路を予備のものと切換え、
歩留まりを改善することを目的とする。 【構成】 複数のエレクトロルミネセンス素子EL1
1、EL12と、該エレクトロルミネセンス素子EL1
1、EL12を駆動する駆動回路M11r、M12r、
Ty11r、Ty12r、Tx1rとを設け、該駆動回
路M11r、M12r、Ty11r、Ty12r、Tx
1rに予備となる冗長回路M11l、M12l、Ty1
1l、Ty12l、Tx1lを設ける。
を設け、不良のTFT駆動回路を予備のものと切換え、
歩留まりを改善することを目的とする。 【構成】 複数のエレクトロルミネセンス素子EL1
1、EL12と、該エレクトロルミネセンス素子EL1
1、EL12を駆動する駆動回路M11r、M12r、
Ty11r、Ty12r、Tx1rとを設け、該駆動回
路M11r、M12r、Ty11r、Ty12r、Tx
1rに予備となる冗長回路M11l、M12l、Ty1
1l、Ty12l、Tx1lを設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ(以
下、TFTという)を用いてエレクトロルミネセンス
(以下、ELという)素子を駆動するEL表示装置に関
する。
下、TFTという)を用いてエレクトロルミネセンス
(以下、ELという)素子を駆動するEL表示装置に関
する。
【0002】EL表示装置の表示画面は、例えば800
×480(ドット)と、画素数が非常に多くなるためE
L素子を駆動するTFT駆動回路の不良が発生し、EL
表示装置の歩留まりが悪くなる。このため、EL表示装
置の歩留まりの向上が望まれてる。
×480(ドット)と、画素数が非常に多くなるためE
L素子を駆動するTFT駆動回路の不良が発生し、EL
表示装置の歩留まりが悪くなる。このため、EL表示装
置の歩留まりの向上が望まれてる。
【0003】
【従来の技術】図4〜図6は従来例を示した図である。
以下、図面に基づいて従来例を説明する。
以下、図面に基づいて従来例を説明する。
【0004】図4(a)は、パネルブロック図であり、
ディスプレイ(表示)パネル10には、ディスプレイ画
面11、X軸のシフトレジスタ12、Y軸のシフトレジ
スタ13が設けてある。
ディスプレイ(表示)パネル10には、ディスプレイ画
面11、X軸のシフトレジスタ12、Y軸のシフトレジ
スタ13が設けてある。
【0005】ディスプレイ画面11には、EL電源が供
給されており、またX軸のシフトレジスタ12には、シ
フトレジスタ電源の供給とX軸同期信号の入力が行われ
る。さらにY軸のシフトレジスタ13には、シフトレジ
スタ電源の供給とY軸同期信号の入力が行われる。ま
た、X軸のシフトレジスタ12の出力部に画像データ信
号の出力が設けてある。
給されており、またX軸のシフトレジスタ12には、シ
フトレジスタ電源の供給とX軸同期信号の入力が行われ
る。さらにY軸のシフトレジスタ13には、シフトレジ
スタ電源の供給とY軸同期信号の入力が行われる。ま
た、X軸のシフトレジスタ12の出力部に画像データ信
号の出力が設けてある。
【0006】図4(b)は、図4(a)のA部の拡大説
明図であり、ディスプレイ画面11の1画素(点線の四
角で示す)は、トランジスタが2個、コンデンサが1
個、EL素子が1個より構成されている。
明図であり、ディスプレイ画面11の1画素(点線の四
角で示す)は、トランジスタが2個、コンデンサが1
個、EL素子が1個より構成されている。
【0007】この1画素の発光動作は、例えば、Y軸の
シフトレジスタ13で選択信号y1の出力があり、また
X軸のシフトレジスタ12で選択信号x1の出力があっ
た場合、トランジスタTy11とトランジスタTx1が
オンとなる。
シフトレジスタ13で選択信号y1の出力があり、また
X軸のシフトレジスタ12で選択信号x1の出力があっ
た場合、トランジスタTy11とトランジスタTx1が
オンとなる。
【0008】このため、画像データ信号−VLは、ドラ
イブトランジスタM11のゲートに入力される。これに
より、このゲート電圧に応じた電流がEL電源からドラ
イブトランジスタM11のドレイン、ソース間に流れ、
EL素子EL11が発光する。
イブトランジスタM11のゲートに入力される。これに
より、このゲート電圧に応じた電流がEL電源からドラ
イブトランジスタM11のドレイン、ソース間に流れ、
EL素子EL11が発光する。
【0009】次のタイミングでは、X軸のシフトレジス
タ12は、選択信号x1の出力をオフとし、選択信号x
2を出力することになるが、ドライブトランジスタM1
1のゲート電圧は、コンデンサC11で保持されるた
め、次にこの画素が選択されるまでEL素子EL11の
前記発光は、持続することになる。
タ12は、選択信号x1の出力をオフとし、選択信号x
2を出力することになるが、ドライブトランジスタM1
1のゲート電圧は、コンデンサC11で保持されるた
め、次にこの画素が選択されるまでEL素子EL11の
前記発光は、持続することになる。
【0010】図5は、従来例のX軸シフトレジスタの説
明図である。図5において、ナンド回路21と22は波
形整形回路であり、逆位相のクロック−CLと低レベル
(「L」)のスタートパルス(X軸同期信号)−SPが
入力される。また、クロックドインバータ26〜32と
インバータ33〜37はシフトレジスタである。さら
に、インバータ38〜43とナンド回路23〜25は、
選択信号x1〜x3を出力する論理回路である。
明図である。図5において、ナンド回路21と22は波
形整形回路であり、逆位相のクロック−CLと低レベル
(「L」)のスタートパルス(X軸同期信号)−SPが
入力される。また、クロックドインバータ26〜32と
インバータ33〜37はシフトレジスタである。さら
に、インバータ38〜43とナンド回路23〜25は、
選択信号x1〜x3を出力する論理回路である。
【0011】クロックCLと逆位相クロック−CLは、
一方が高レベル(「H」)の時他方が低レベル
(「L」)になる。クロックドインバータは、クロック
CL入力が「L」で逆位相クロック−CL入力が「H」
のときアクティブ状態となり、インバータとして動作
し、また逆に、クロックCL入力が「H」で逆位相クロ
ック−CL入力が「L」のときハイインピーダンス状態
となるものである。
一方が高レベル(「H」)の時他方が低レベル
(「L」)になる。クロックドインバータは、クロック
CL入力が「L」で逆位相クロック−CL入力が「H」
のときアクティブ状態となり、インバータとして動作
し、また逆に、クロックCL入力が「H」で逆位相クロ
ック−CL入力が「L」のときハイインピーダンス状態
となるものである。
【0012】例えば、クロックドインバータ26とクロ
ックドインバータ29とは、クロックCL入力と逆位相
クロック入力−CLとが逆に接続されている。このた
め、クロックドインバータ26がアクティブ状態の時、
クロックドインバータ29はハイインピーダンス状態と
なる。
ックドインバータ29とは、クロックCL入力と逆位相
クロック入力−CLとが逆に接続されている。このた
め、クロックドインバータ26がアクティブ状態の時、
クロックドインバータ29はハイインピーダンス状態と
なる。
【0013】図6は、従来例の波形説明図であり、以
下、図5のX軸のシフトレジスタの動作を図6の波形に
基づいて説明する。 (1)波形整形回路の出力であるA点の電位は、スター
トパルス−SP(「L」)がない時「H」である。この
時、「L」のスタートパルス−SPが入力されると、A
点は「L」となる(図6、A参照)。
下、図5のX軸のシフトレジスタの動作を図6の波形に
基づいて説明する。 (1)波形整形回路の出力であるA点の電位は、スター
トパルス−SP(「L」)がない時「H」である。この
時、「L」のスタートパルス−SPが入力されると、A
点は「L」となる(図6、A参照)。
【0014】(2)B点は、A点が「L」になる時、ク
ロックドインバータ26はアクティブ状態となるので、
「H」となり、次にクロックドインバータ26がハイイ
ンピーダンス状態となる時、クロックドインバータ29
がアクティブ状態となるので、前記B点の「H」がクロ
ックドインバータ29のアクティブ期間だけ保持される
(図6、B参照)。
ロックドインバータ26はアクティブ状態となるので、
「H」となり、次にクロックドインバータ26がハイイ
ンピーダンス状態となる時、クロックドインバータ29
がアクティブ状態となるので、前記B点の「H」がクロ
ックドインバータ29のアクティブ期間だけ保持される
(図6、B参照)。
【0015】(3)C点は、インバータ33によりB点
と逆位相の波形となる(図6、C参照)。 (4)D点は、クロックドインバータ29と同時にアク
ティブ状態となるクロックドインバータ27と、インバ
ータ34とクロックドインバータ30による保持回路に
よりB点より半クロックサイクル遅れた波形となる。
と逆位相の波形となる(図6、C参照)。 (4)D点は、クロックドインバータ29と同時にアク
ティブ状態となるクロックドインバータ27と、インバ
ータ34とクロックドインバータ30による保持回路に
よりB点より半クロックサイクル遅れた波形となる。
【0016】(5)E点は、インバータ34によりD点
と逆位相の波形となり、C点の波形より半クロックサイ
クル遅れた波形となる(図6、E参照)。 (6)F点は、クロックドインバータ30と同時にアク
ティブ状態となるクロックドインバータ28と、インバ
ータ35とクロックドインバータ31による保持回路に
よりD点より半クロックサイクル遅れた波形となる。
と逆位相の波形となり、C点の波形より半クロックサイ
クル遅れた波形となる(図6、E参照)。 (6)F点は、クロックドインバータ30と同時にアク
ティブ状態となるクロックドインバータ28と、インバ
ータ35とクロックドインバータ31による保持回路に
よりD点より半クロックサイクル遅れた波形となる。
【0017】(7)G点は、インバータ35によりF点
と逆位相の波形となり、E点の波形より半クロックサイ
クル遅れた波形となる(図6、G参照)。 (8)H点は、インバータ38によりC点の反転信号と
なる(図6、H参照)。I点は、インバータ39により
E点の反転信号となる(図6、I参照)。また、J点
は、インバータ40によりG点の反転信号となる(図
6、J参照)。
と逆位相の波形となり、E点の波形より半クロックサイ
クル遅れた波形となる(図6、G参照)。 (8)H点は、インバータ38によりC点の反転信号と
なる(図6、H参照)。I点は、インバータ39により
E点の反転信号となる(図6、I参照)。また、J点
は、インバータ40によりG点の反転信号となる(図
6、J参照)。
【0018】(9)K点は、ナンド回路23の出力であ
り、ナンド回路23の2つの入力にはH点とE点の信号
が入力される。L点は、ナンド回路24の出力であり、
ナンド回路24の2つの入力にはI点とG点の信号が入
力される。また、M点は、ナンド回路25の出力であ
り、ナンド回路25の2つの入力にはJ点とインバータ
(図示せず)からの信号が入力される。
り、ナンド回路23の2つの入力にはH点とE点の信号
が入力される。L点は、ナンド回路24の出力であり、
ナンド回路24の2つの入力にはI点とG点の信号が入
力される。また、M点は、ナンド回路25の出力であ
り、ナンド回路25の2つの入力にはJ点とインバータ
(図示せず)からの信号が入力される。
【0019】(10)選択信号x1は、インバータ41
によりK点の反転信号となり(図6、x1参照)、この
選択信号x1は、Nチャネルの電界効果トランジスタT
x1のゲートに入力される。このため、選択信号x1が
「H」となるとトランジスタTx1がオンとなり、その
ドレイン、ソース間が導通する。
によりK点の反転信号となり(図6、x1参照)、この
選択信号x1は、Nチャネルの電界効果トランジスタT
x1のゲートに入力される。このため、選択信号x1が
「H」となるとトランジスタTx1がオンとなり、その
ドレイン、ソース間が導通する。
【0020】(11)選択信号x2は、インバータ42
によりL点の反転信号となり(図6、x2参照)、この
選択信号x2は、Nチャネルの電界効果トランジスタT
x2のゲートに入力される。このため、選択信号x2が
「H」となるとトランジスタTx2がオンとなる。
によりL点の反転信号となり(図6、x2参照)、この
選択信号x2は、Nチャネルの電界効果トランジスタT
x2のゲートに入力される。このため、選択信号x2が
「H」となるとトランジスタTx2がオンとなる。
【0021】(12)選択信号x3は、インバータ43
によりM点の反転信号となり(図6、x3参照)、この
選択信号x3は、Nチャネルの電界効果トランジスタT
x3のゲートに入力される。このため、選択信号x3が
「H」となるとトランジスタTx3がオンとなる。
によりM点の反転信号となり(図6、x3参照)、この
選択信号x3は、Nチャネルの電界効果トランジスタT
x3のゲートに入力される。このため、選択信号x3が
「H」となるとトランジスタTx3がオンとなる。
【0022】このようにして、選択信号x1、x2、x
3、・・・と順に、半クロックサイクルシフトとした信
号が得られる。
3、・・・と順に、半クロックサイクルシフトとした信
号が得られる。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のものにおい
ては、EL表示画面の画素数が多くなると、それに応じ
て不良のTFTが発生する確率が増加し、歩留まりが悪
くなる課題があった。
ては、EL表示画面の画素数が多くなると、それに応じ
て不良のTFTが発生する確率が増加し、歩留まりが悪
くなる課題があった。
【0024】本発明は、このような従来の課題を解決す
るため、予備のTFT駆動回路を設け、不良のTFT駆
動回路を予備のものと切換えることにより歩留まりを改
善することを目的とする。
るため、予備のTFT駆動回路を設け、不良のTFT駆
動回路を予備のものと切換えることにより歩留まりを改
善することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため次のように構成した。図1は本発明の1実
施例の説明図であり、図1(a)はパネルブロック図、
図1(b)は、図1(a)のA部の拡大図を示す。
解決するため次のように構成した。図1は本発明の1実
施例の説明図であり、図1(a)はパネルブロック図、
図1(b)は、図1(a)のA部の拡大図を示す。
【0026】図1(a)において、EL表示パネル10
には、ディスプレイ画面11、X軸のシフトレジスタ1
2、Y軸のシフトレジスタ13が設けてある。ディスプ
レイ画面11にはEL電源が供給されており、X軸のシ
フトレジスタ12にはシフトレジスタ電源の供給とX軸
同期信号の入力が行われる。また、Y軸のシフトレジス
タ13にはシフトレジスタ電源の供給とY軸同期信号の
入力が行われる。さらに、X軸のシフトレジスタ12の
出力部には変調画像データ信号の出力が設けられる。
には、ディスプレイ画面11、X軸のシフトレジスタ1
2、Y軸のシフトレジスタ13が設けてある。ディスプ
レイ画面11にはEL電源が供給されており、X軸のシ
フトレジスタ12にはシフトレジスタ電源の供給とX軸
同期信号の入力が行われる。また、Y軸のシフトレジス
タ13にはシフトレジスタ電源の供給とY軸同期信号の
入力が行われる。さらに、X軸のシフトレジスタ12の
出力部には変調画像データ信号の出力が設けられる。
【0027】図1(b)において、ディスプレイ画面1
1の1画素(点線の四角で示す)には、EL素子EL1
1、EL12を駆動するそれぞれ2個のドライブTFT
M11rとM11l及びドライブTFTM12rとM1
2lが設けてある。
1の1画素(点線の四角で示す)には、EL素子EL1
1、EL12を駆動するそれぞれ2個のドライブTFT
M11rとM11l及びドライブTFTM12rとM1
2lが設けてある。
【0028】ドライブTFTM11rは、選択信号y1
と選択信号x1rにより選択スイッチであるトランジス
タTy11rとトランジスタTx1rがオンとなった時
の変調画像データ信号−VL1により駆動される。ドラ
イブTFTM11lは、選択信号y1と選択信号X1l
により選択スイッチであるトランジスタTy11lとト
ランジスタTx1lがオンとなった時の変調画像データ
信号−VL1により駆動される。
と選択信号x1rにより選択スイッチであるトランジス
タTy11rとトランジスタTx1rがオンとなった時
の変調画像データ信号−VL1により駆動される。ドラ
イブTFTM11lは、選択信号y1と選択信号X1l
により選択スイッチであるトランジスタTy11lとト
ランジスタTx1lがオンとなった時の変調画像データ
信号−VL1により駆動される。
【0029】また、ドライブTFTM12rは、選択信
号y2と選択信号x1rにより選択スイッチであるトラ
ンジスタTy12rとトランジスタTx1rがオンとな
った時の変調画像データ信号−VL1により駆動され
る。ドライブTFTM12lは、選択信号y2と選択信
号X1lにより選択スイッチであるトランジスタTy1
2lとトランジスタTx1lがオンとなった時の変調画
像データ信号−VL1により駆動される。
号y2と選択信号x1rにより選択スイッチであるトラ
ンジスタTy12rとトランジスタTx1rがオンとな
った時の変調画像データ信号−VL1により駆動され
る。ドライブTFTM12lは、選択信号y2と選択信
号X1lにより選択スイッチであるトランジスタTy1
2lとトランジスタTx1lがオンとなった時の変調画
像データ信号−VL1により駆動される。
【0030】コンデンサC11r 、C11l、C12r
、C12lは、各ドライブTFTの駆動電圧を保持す
るものである。
、C12lは、各ドライブTFTの駆動電圧を保持す
るものである。
【0031】
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を説明する。1
つのEL素子を駆動する2組の駆動回路を設け、通常
は、どちらか一方を使用し、一方が不良の場合、他方の
駆動回路を使用する。
つのEL素子を駆動する2組の駆動回路を設け、通常
は、どちらか一方を使用し、一方が不良の場合、他方の
駆動回路を使用する。
【0032】図1(b)において、例えばEL素子EL
11を駆動するドライブTFT11rが不良の場合の説
明をする。選択信号y1と選択信号x1rでトランジス
タTy11rとトランジスタTx1rがオンとなった
時、ドライブTFTM11rのゲートには画像データ信
号がオフレベル(この場合は「H」)の変調画像データ
信号−VL1を与える。
11を駆動するドライブTFT11rが不良の場合の説
明をする。選択信号y1と選択信号x1rでトランジス
タTy11rとトランジスタTx1rがオンとなった
時、ドライブTFTM11rのゲートには画像データ信
号がオフレベル(この場合は「H」)の変調画像データ
信号−VL1を与える。
【0033】次に、選択信号y1とx1lでトランジス
タTy11lとトランジスタTx1lがオンとなった時
に、ドライブTFTM11lのゲートに画像データ信号
である変調画像データ信号−VL1を与える。そして、
この変調画像データ信号−VL1は、コンデンサC11
lにより保持する。
タTy11lとトランジスタTx1lがオンとなった時
に、ドライブTFTM11lのゲートに画像データ信号
である変調画像データ信号−VL1を与える。そして、
この変調画像データ信号−VL1は、コンデンサC11
lにより保持する。
【0034】このように、従来例のX軸選択信号を前半
と後半に分けた2倍のX軸選択信号x1r、x1lを用
い、通常は、1画素あたり前半の選択信号でEL素子を
駆動する変調画像データ信号−VL1を発生するものと
する。もし、不良のドライブTFTM11rが選択され
た時には、画像データ信号を与えないでドライブTFT
M11lが選択された時に与えるようにする。これによ
り、EL素子EL11は、正常であるドライブTFTM
11lにより駆動されることになる。
と後半に分けた2倍のX軸選択信号x1r、x1lを用
い、通常は、1画素あたり前半の選択信号でEL素子を
駆動する変調画像データ信号−VL1を発生するものと
する。もし、不良のドライブTFTM11rが選択され
た時には、画像データ信号を与えないでドライブTFT
M11lが選択された時に与えるようにする。これによ
り、EL素子EL11は、正常であるドライブTFTM
11lにより駆動されることになる。
【0035】以上のように、1画素に対し、TFT駆動
回路の予備となる冗長回路を設け、TFT駆動回路に不
良が発生した場合、予備に切換えることができるため、
歩留まりの向上を図ることができる。
回路の予備となる冗長回路を設け、TFT駆動回路に不
良が発生した場合、予備に切換えることができるため、
歩留まりの向上を図ることができる。
【0036】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1〜図3は、本発明の実施例を示した図であ
り、図4〜図6と同じものは、同じ符号で示してある。
する。図1〜図3は、本発明の実施例を示した図であ
り、図4〜図6と同じものは、同じ符号で示してある。
【0037】図1は本発明の1実施例の説明図であり、
図1(a)はパネルブロック図、図1(b)は図1
(a)のA部の拡大図を示す。図1(a)において、E
L表示パネル10には、ディスプレイ画面11、X軸の
シフトレジスタ12、Y軸のシフトレジスタ13が設け
てある。ディスプレイ画面11にはEL電源が供給され
ており、X軸のシフトレジスタ12にはシフトレジスタ
電源の供給とX軸同期信号の入力が行われる。また、Y
軸のシフトレジスタ13にはシフトレジスタ電源の供給
とY軸同期信号の入力が行われる。さらに、X軸のシフ
トレジスタ12の出力部には画像データ信号の出力が設
けられる。
図1(a)はパネルブロック図、図1(b)は図1
(a)のA部の拡大図を示す。図1(a)において、E
L表示パネル10には、ディスプレイ画面11、X軸の
シフトレジスタ12、Y軸のシフトレジスタ13が設け
てある。ディスプレイ画面11にはEL電源が供給され
ており、X軸のシフトレジスタ12にはシフトレジスタ
電源の供給とX軸同期信号の入力が行われる。また、Y
軸のシフトレジスタ13にはシフトレジスタ電源の供給
とY軸同期信号の入力が行われる。さらに、X軸のシフ
トレジスタ12の出力部には画像データ信号の出力が設
けられる。
【0038】図1(b)において、ディスプレイ画面1
1の1画素(点線の四角で示す)には、有機EL膜で形
成されたEL素子EL11、EL12を駆動するそれぞ
れ2個のドライブTFTM11rとM11l及びドライ
ブTFTM12rとM12lが設けてある。
1の1画素(点線の四角で示す)には、有機EL膜で形
成されたEL素子EL11、EL12を駆動するそれぞ
れ2個のドライブTFTM11rとM11l及びドライ
ブTFTM12rとM12lが設けてある。
【0039】ドライブTFTM11rは、選択信号y1
と選択信号x1rにより選択スイッチであるトランジス
タTy11rとトランジスタTx1rがオンとなった時
の変調画像データ信号−VL1により駆動される。ドラ
イブTFTM11lは、選択信号y1と選択信号x1l
により選択スイッチであるトランジスタTy11lとト
ランジスタTx1lがオンとなった時の変調画像データ
信号−VL1により駆動される。
と選択信号x1rにより選択スイッチであるトランジス
タTy11rとトランジスタTx1rがオンとなった時
の変調画像データ信号−VL1により駆動される。ドラ
イブTFTM11lは、選択信号y1と選択信号x1l
により選択スイッチであるトランジスタTy11lとト
ランジスタTx1lがオンとなった時の変調画像データ
信号−VL1により駆動される。
【0040】また、ドライブTFTM12rは、選択信
号y2と選択信号x1rにより選択スイッチであるトラ
ンジスタTy12rとトランジスタTx1rがオンとな
った時の変調画像データ信号−VL1により駆動され
る。ドライブTFTM12lは、選択信号y2と選択信
号x1lにより選択スイッチであるトランジスタTy1
2lとトランジスタTx1lがオンとなった時の変調画
像データ信号−VL1により駆動される。
号y2と選択信号x1rにより選択スイッチであるトラ
ンジスタTy12rとトランジスタTx1rがオンとな
った時の変調画像データ信号−VL1により駆動され
る。ドライブTFTM12lは、選択信号y2と選択信
号x1lにより選択スイッチであるトランジスタTy1
2lとトランジスタTx1lがオンとなった時の変調画
像データ信号−VL1により駆動される。
【0041】コンデンサC11r 、C11l、C12r
、C12lは、各ドライブTFTの駆動電圧を保持す
るものである。Y軸のシフトレジスタ13から出力され
る選択信号y1、y2は、図4(b)の従来例のものと
同じであるが、X軸のシフトレジスタ13から出力され
る選択信号x1r、x1lは、前記従来例の2倍のパル
スとなる。そして、画像データ信号は選択信号x1r、
又はx1lに同期した変調画像データ信号−VL1を与
えることになる。
、C12lは、各ドライブTFTの駆動電圧を保持す
るものである。Y軸のシフトレジスタ13から出力され
る選択信号y1、y2は、図4(b)の従来例のものと
同じであるが、X軸のシフトレジスタ13から出力され
る選択信号x1r、x1lは、前記従来例の2倍のパル
スとなる。そして、画像データ信号は選択信号x1r、
又はx1lに同期した変調画像データ信号−VL1を与
えることになる。
【0042】図2は、1画素の駆動回路と変調画像デー
タ信号の説明図である。図2(a)は、図1(b)の1
画素のEL素子駆動回路の説明である。図2(a)にお
いて、EL電源1に接続された2個のPチャネルのドラ
イブTFTMnmr、Mnmlと、このドライブTFT
Mnmr又はMnmlにより駆動されるEL素子ELn
mが設けてある。
タ信号の説明図である。図2(a)は、図1(b)の1
画素のEL素子駆動回路の説明である。図2(a)にお
いて、EL電源1に接続された2個のPチャネルのドラ
イブTFTMnmr、Mnmlと、このドライブTFT
Mnmr又はMnmlにより駆動されるEL素子ELn
mが設けてある。
【0043】また、このドライブTFTMnmrのゲー
トには、選択スイッチであるNチャネルの電界効果トラ
ンジスタTynmrとNチャネルの電界効果トランジス
タTxnrの直列回路が接続され、ドライブTFTMn
mlのゲートには、選択スイッチであるNチャネルの電
界効果トランジスタTynmlとNチャネルの電界効果
トランジスタTxnlの直列回路が接続されている。
トには、選択スイッチであるNチャネルの電界効果トラ
ンジスタTynmrとNチャネルの電界効果トランジス
タTxnrの直列回路が接続され、ドライブTFTMn
mlのゲートには、選択スイッチであるNチャネルの電
界効果トランジスタTynmlとNチャネルの電界効果
トランジスタTxnlの直列回路が接続されている。
【0044】図2(a)のEL素子駆動回路の動作は、
今、Y軸のシフトレジスタ13の選択信号ymが「H」
の時、まずX軸のシフトレジスタ12の選択信号xnr
が「H」になると、選択スイッチであるトランジスタT
ynmrとトランジスタTxnrがオンとなる。このた
め、この時の変調画像データ信号−VL1がドライブT
FTMnmrのゲートに与えられ、このゲート電圧に応
じた電流が、EL電源1からEL素子ELnmに供給さ
れる。そしてこのゲート電圧は、選択スイッチがオフと
なる時、コンデンサCnmrに保持される。これによ
り、EL素子は、電流に応じた発光をするものである。
今、Y軸のシフトレジスタ13の選択信号ymが「H」
の時、まずX軸のシフトレジスタ12の選択信号xnr
が「H」になると、選択スイッチであるトランジスタT
ynmrとトランジスタTxnrがオンとなる。このた
め、この時の変調画像データ信号−VL1がドライブT
FTMnmrのゲートに与えられ、このゲート電圧に応
じた電流が、EL電源1からEL素子ELnmに供給さ
れる。そしてこのゲート電圧は、選択スイッチがオフと
なる時、コンデンサCnmrに保持される。これによ
り、EL素子は、電流に応じた発光をするものである。
【0045】次に、選択信号ymが「H」の時、選択信
号xnlが「H」となると、選択スイッチであるトラン
ジスタTynmlとトランジスタTxnlがオンとな
る。このため、この時の変調画像データ信号−VL1が
ドライブTFTMnmlのゲートに与えられるが、前記
選択信号xnrで画像データ信号をコンデンサCnmr
が保持中であるので、この時は画像データ信号はオフレ
ベル(この場合は「H」)の変調画像データ信号−VL
を与えることになる。
号xnlが「H」となると、選択スイッチであるトラン
ジスタTynmlとトランジスタTxnlがオンとな
る。このため、この時の変調画像データ信号−VL1が
ドライブTFTMnmlのゲートに与えられるが、前記
選択信号xnrで画像データ信号をコンデンサCnmr
が保持中であるので、この時は画像データ信号はオフレ
ベル(この場合は「H」)の変調画像データ信号−VL
を与えることになる。
【0046】図2(b)は変調画像データ信号の発生回
路ブロック図である。図2(b)において、フェイズセ
レクタ回路2は、従来のシフトパルスx1〜x3に同期
した画像データ信号−VLの出力タイミング(1画素を
選択するタイミング)を前半と後半に分け、ROM3か
らの不良TFTの情報がない場合、例えば前半のみに画
像データを出力し(後半をマスクする)、ROM3から
不良TFTの情報がある場合、後半のみに画像データを
出力する(前半をマスクする)ようにした変調画像デー
タ信号−VLを出力するものである。
路ブロック図である。図2(b)において、フェイズセ
レクタ回路2は、従来のシフトパルスx1〜x3に同期
した画像データ信号−VLの出力タイミング(1画素を
選択するタイミング)を前半と後半に分け、ROM3か
らの不良TFTの情報がない場合、例えば前半のみに画
像データを出力し(後半をマスクする)、ROM3から
不良TFTの情報がある場合、後半のみに画像データを
出力する(前半をマスクする)ようにした変調画像デー
タ信号−VLを出力するものである。
【0047】ROM3は、製品検査で、どのTFTが不
良であるかを記憶するリードオンリメモリであり、不良
TFTの画素が選択されるタイミングで不良出力を行う
ものである。
良であるかを記憶するリードオンリメモリであり、不良
TFTの画素が選択されるタイミングで不良出力を行う
ものである。
【0048】図3は、実施例におけるタイミングチャー
トである。図3(a)は比較のため従来例のタイミング
チャートを示し、図3(b)は本発明の実施例における
タイミングチャートを示す。
トである。図3(a)は比較のため従来例のタイミング
チャートを示し、図3(b)は本発明の実施例における
タイミングチャートを示す。
【0049】図3(a)において、X軸の選択信号x
n、xn+1、xn+2、xn+3、xn+4、xn+
5、・・・のシフトパルスに応じて画像データ信号−V
Lが変化する。
n、xn+1、xn+2、xn+3、xn+4、xn+
5、・・・のシフトパルスに応じて画像データ信号−V
Lが変化する。
【0050】図3(b)において、X軸の選択信号は、
1画素当たり前半と後半の2個の選択信号xnrとxn
l、xn+1rとxn+1l、xn+2rとxn+2
l、・・・のシフトパルスが出力される。
1画素当たり前半と後半の2個の選択信号xnrとxn
l、xn+1rとxn+1l、xn+2rとxn+2
l、・・・のシフトパルスが出力される。
【0051】図3(b)のように、例えば選択信号xn
+2rの選択時間に不良TFTがある時の説明をする。
不良TFTがない画素の場合、前半の選択信号xnrと
xn+1rが出力された時に、画像データ信号を出力
し、不良TFTがある画素の場合、後半の選択信号xn
+2lが出力された時に画像データ信号が出力するよう
に、変調画像データ信号−VL1をフェイズセレクタ回
路3で出力する。
+2rの選択時間に不良TFTがある時の説明をする。
不良TFTがない画素の場合、前半の選択信号xnrと
xn+1rが出力された時に、画像データ信号を出力
し、不良TFTがある画素の場合、後半の選択信号xn
+2lが出力された時に画像データ信号が出力するよう
に、変調画像データ信号−VL1をフェイズセレクタ回
路3で出力する。
【0052】なお、上記実施例では、1画素中にドライ
ブTFTの駆動回路を2個設けるようにしたが3個以上
設けることもできる。さらに、ドライブTFT又は選択
スイッチであるトランジスタは、異なるチャネルのもの
を使用することができる。
ブTFTの駆動回路を2個設けるようにしたが3個以上
設けることもできる。さらに、ドライブTFT又は選択
スイッチであるトランジスタは、異なるチャネルのもの
を使用することができる。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば次の
ような効果がある。 (1)請求項1記載の発明によれば、予備となる冗長回
路を設けたため、歩留まりを改善することができる。
ような効果がある。 (1)請求項1記載の発明によれば、予備となる冗長回
路を設けたため、歩留まりを改善することができる。
【0054】(2)請求項2記載の発明によれば、1画
素中の複数のドライブTFTのいずれか1つに画像デー
タ信号を与えて、駆動回路を選択するため、予備の駆動
回路への切換えを容易に行うことができる。
素中の複数のドライブTFTのいずれか1つに画像デー
タ信号を与えて、駆動回路を選択するため、予備の駆動
回路への切換えを容易に行うことができる。
【図1】本発明の1実施例説明図である。
【図2】実施例における1画素の駆動回路と変調画像デ
ータ信号の説明図である。
ータ信号の説明図である。
【図3】実施例におけるタイミングチャートである。
【図4】従来例の説明図である。
【図5】従来例のX軸シフトレジスタの説明図である。
【図6】従来例の波形説明図である。
10 ディスプレイパネル 11 ディスプレイ画面 12 X軸のシフトレジスタ 13 Y軸のシフトレジスタ C11r、C11l、C12r、C12l コンデンサ EL11、EL12 EL素子 M11r、M11l、M12r、M12l ドライブT
FT Ty11r、Ty11l、Ty12r、Ty12l、T
x1r、Tx1l トランジスタ(選択スイッチ) x1r、x1l 選択信号(X軸) y1、y2 選択信号(Y軸) −VL1 変調画像データ信号
FT Ty11r、Ty11l、Ty12r、Ty12l、T
x1r、Tx1l トランジスタ(選択スイッチ) x1r、x1l 選択信号(X軸) y1、y2 選択信号(Y軸) −VL1 変調画像データ信号
Claims (2)
- 【請求項1】 複数のエレクトロルミネセンス素子と、 該エレクトロルミネセンス素子を駆動する駆動回路とを
設け、 該駆動回路に予備となる冗長回路を設けることを特徴と
したエレクトロルミネセンス表示装置。 - 【請求項2】 画素毎にエレクトロルミネセンス素子
と、 該エレクトロルミネセンス素子を駆動する複数の薄膜ト
ランジスタ駆動回路と、 該複数の薄膜トランジスタ駆動回路を選択する選択スイ
ッチとを設け、 複数の薄膜トランジスタ駆動回路のいずれか1つに、エ
レクトロルミネセンス素子を駆動する画像データ信号を
与えるため変調画像データ信号を入力することを特徴と
したエレクトロルミネセンス表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6267242A JPH08129358A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6267242A JPH08129358A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003353270A Division JP3988944B2 (ja) | 2003-10-14 | 2003-10-14 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08129358A true JPH08129358A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17442119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6267242A Pending JPH08129358A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08129358A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-10-31 JP JP6267242A patent/JPH08129358A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030819 |