JPH0812287B2 - グレーティング作製方法 - Google Patents
グレーティング作製方法Info
- Publication number
- JPH0812287B2 JPH0812287B2 JP4196503A JP19650392A JPH0812287B2 JP H0812287 B2 JPH0812287 B2 JP H0812287B2 JP 4196503 A JP4196503 A JP 4196503A JP 19650392 A JP19650392 A JP 19650392A JP H0812287 B2 JPH0812287 B2 JP H0812287B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- resist pattern
- grating
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回折格子（グレーティ
ング）の作製方法に関する。
ング）の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストを用いてエッチングを行
なう場合の一例として、ブレーズド型回折格子の製造方
法を図２により説明する。 （ａ）光学研磨したガラスや石英等の基板２０の表面に
フォトレジスト２１を塗布する。 （ｂ）ホログラフィック露光法によりフォトレジスト２
１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像により、正弦半
波状で基板の一部が露出した平行線状のレジストパター
ン２３を形成する。 （ｃ）レジストパターン２３の配列方向に垂直で基板２
０の斜め上方から、イオンビーム２４によりエッチング
を行なう。これにより、基板２０の露出した部分からエ
ッチングされてゆく。 （ｄ）レジストパターン２３が消滅した時点でイオンビ
ーム・エッチングを停止すると、基板２０には鋸歯状の
グレーティング２５が形成されている。 （ｅ）洗浄後、グレーティング２５の表面に反射膜２６
をコーティングする。
なう場合の一例として、ブレーズド型回折格子の製造方
法を図２により説明する。 （ａ）光学研磨したガラスや石英等の基板２０の表面に
フォトレジスト２１を塗布する。 （ｂ）ホログラフィック露光法によりフォトレジスト２
１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像により、正弦半
波状で基板の一部が露出した平行線状のレジストパター
ン２３を形成する。 （ｃ）レジストパターン２３の配列方向に垂直で基板２
０の斜め上方から、イオンビーム２４によりエッチング
を行なう。これにより、基板２０の露出した部分からエ
ッチングされてゆく。 （ｄ）レジストパターン２３が消滅した時点でイオンビ
ーム・エッチングを停止すると、基板２０には鋸歯状の
グレーティング２５が形成されている。 （ｅ）洗浄後、グレーティング２５の表面に反射膜２６
をコーティングする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】グレーティング溝の密
度が高くなる（すなわち、単位長さ当たりの溝の本数が
多くなる）と、それに対応してホログラフィック露光の
際に露光干渉縞のピッチを小さくする必要がある。しか
し、この干渉縞の間隔が余りに小さくなると、外部から
伝わってくることによる基板の振動や空気のゆらぎ等に
より干渉縞のコントラストが悪化し、図４（ａ）、
（ｂ）に示すように、フォトレジスト４３と基板４０の
露出すべき部分との境界が正しく直線とはならず、本来
基板４０が露出すべき部分にフォトレジスト４３の一部
がヒゲ状に突出し４４、或いは島状に残留する４５よう
になる。このような不要部分４４、４５が残留した状態
でエッチングを行なうと、グレーティング溝の形状が乱
れ、高精度の回折格子を得ることができなくなる。
度が高くなる（すなわち、単位長さ当たりの溝の本数が
多くなる）と、それに対応してホログラフィック露光の
際に露光干渉縞のピッチを小さくする必要がある。しか
し、この干渉縞の間隔が余りに小さくなると、外部から
伝わってくることによる基板の振動や空気のゆらぎ等に
より干渉縞のコントラストが悪化し、図４（ａ）、
（ｂ）に示すように、フォトレジスト４３と基板４０の
露出すべき部分との境界が正しく直線とはならず、本来
基板４０が露出すべき部分にフォトレジスト４３の一部
がヒゲ状に突出し４４、或いは島状に残留する４５よう
になる。このような不要部分４４、４５が残留した状態
でエッチングを行なうと、グレーティング溝の形状が乱
れ、高精度の回折格子を得ることができなくなる。
【０００４】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、正確な
輪郭を有するレジストパターンを作成することにより、
高精度のグレーティング（回折格子）を作製することの
できる方法を提供することにある。
成されたものであり、その目的とするところは、正確な
輪郭を有するレジストパターンを作成することにより、
高精度のグレーティング（回折格子）を作製することの
できる方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係るグレーティング作製方法では、 ａ）基板上にフォトレジストを塗布し、 ｂ）ホログラフィック露光及び現像を行なうことによ
り、基板が露出した線状部分とフォトレジストにより覆
われた線状部分とが交互に現われるレジストパターンを
形成し、 ｃ）上記レジストパターンの形状に従って基板のエッチ
ングを行なうことによりグレーティングを作製する方法
において、 ｄ）レジストパターンを形成した後エッチングを行なう
前に、基板にＯ２プラズマのラジカル成分のみを照射す
ることにより、フォトレジストの不要部分を除去するこ
とを特徴としている。
に成された本発明に係るグレーティング作製方法では、 ａ）基板上にフォトレジストを塗布し、 ｂ）ホログラフィック露光及び現像を行なうことによ
り、基板が露出した線状部分とフォトレジストにより覆
われた線状部分とが交互に現われるレジストパターンを
形成し、 ｃ）上記レジストパターンの形状に従って基板のエッチ
ングを行なうことによりグレーティングを作製する方法
において、 ｄ）レジストパターンを形成した後エッチングを行なう
前に、基板にＯ２プラズマのラジカル成分のみを照射す
ることにより、フォトレジストの不要部分を除去するこ
とを特徴としている。
【０００６】
【作用】フォトレジストは基本的にＣ、Ｈ、Ｏの化合物
であるため、Ｏ２ラジカルと反応することによりＣＯ、
ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２等となり、散逸する。ホログラフ
ィック露光及び現像により、基板が露出した線状部分と
フォトレジストにより覆われた線状部分とが交互に現わ
れるグレーティング用のレジストパターンを形成した後
に、そのレジストパターンの輪郭部分や基板の露出部分
に残留する不要なフォトレジストは、通常、本来のレジ
ストパターンの部分よりも非常に薄いため、Ｏ２ラジカ
ルとの反応時間を適度に調節することにより、本来のレ
ジストパターンを残し、不要部分のみを気化・除去し
て、正しいレジストパターンを得ることができる。そし
て、このレジストパターンを用いてエッチングを行なう
ことにより、高精度のグレーティングを得ることができ
る。
であるため、Ｏ２ラジカルと反応することによりＣＯ、
ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２等となり、散逸する。ホログラフ
ィック露光及び現像により、基板が露出した線状部分と
フォトレジストにより覆われた線状部分とが交互に現わ
れるグレーティング用のレジストパターンを形成した後
に、そのレジストパターンの輪郭部分や基板の露出部分
に残留する不要なフォトレジストは、通常、本来のレジ
ストパターンの部分よりも非常に薄いため、Ｏ２ラジカ
ルとの反応時間を適度に調節することにより、本来のレ
ジストパターンを残し、不要部分のみを気化・除去し
て、正しいレジストパターンを得ることができる。そし
て、このレジストパターンを用いてエッチングを行なう
ことにより、高精度のグレーティングを得ることができ
る。
【０００７】
【実施例】本発明に係るグレーティング作製方法を、ブ
レーズド型回折格子の製造に使用した例を図１、図２及
び図４により説明する。本実施例では、ブレーズド型回
折格子を次のような工程で製造する。
レーズド型回折格子の製造に使用した例を図１、図２及
び図４により説明する。本実施例では、ブレーズド型回
折格子を次のような工程で製造する。
【０００８】（ａ）光学研磨した石英基板２０の表面に
フォトレジスト２１を塗布する。本実施例では、フォト
レジスト２１としてマイクロポジットＳ−１４００（以
下、フォトレジスト及び現像剤の名称はいずれも商品
名）を使用し、スピンコートにより３００ｎｍの厚さに
コーティングを行なった。コーティング後はフレッシュ
エアー環境下で９０℃×３０分のベーキングを行ない、
フォトレジスト２１を基板２０上に固定した。
フォトレジスト２１を塗布する。本実施例では、フォト
レジスト２１としてマイクロポジットＳ−１４００（以
下、フォトレジスト及び現像剤の名称はいずれも商品
名）を使用し、スピンコートにより３００ｎｍの厚さに
コーティングを行なった。コーティング後はフレッシュ
エアー環境下で９０℃×３０分のベーキングを行ない、
フォトレジスト２１を基板２０上に固定した。
【０００９】（ｂ）ホログラフィック露光法によりフォ
トレジスト２１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン２３を形成する。本実施例で用いた光は
波長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光であり、
その平面波２２を２方向から基板上に入射角約３２°で
入射し、干渉させることにより、２４００本／ｍｍの等
間隔の縞模様の潜像を形成した。現像は３０３Ａ現像液
を使用した。ここで、露光時間及び現像時間を調整する
ことにより、フォトレジストで覆われた部分と基板が露
出した部分との比（Ｌ＆Ｓ比）が４：１となるようにし
た。
トレジスト２１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン２３を形成する。本実施例で用いた光は
波長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光であり、
その平面波２２を２方向から基板上に入射角約３２°で
入射し、干渉させることにより、２４００本／ｍｍの等
間隔の縞模様の潜像を形成した。現像は３０３Ａ現像液
を使用した。ここで、露光時間及び現像時間を調整する
ことにより、フォトレジストで覆われた部分と基板が露
出した部分との比（Ｌ＆Ｓ比）が４：１となるようにし
た。
【００１０】（ｃ）基板にＯ2ラジカルを照射すること
により、フォトレジストの不要部分を除去する。上記工
程（ｂ）では、基板の振動、空気のゆらぎ等により、レ
ジストパターンの輪郭は必ずしも正確に直線とはなって
おらず、基板が露出すべき部分に図４（ａ）、（ｂ）に
示すようなフォトレジストの不要部分４４、４５が残留
している。そこで、図１に示すように、基板１３（レジ
ストパターン２３で覆われた基板２０）を、バレルタイ
プ・プラズマエッチング装置１０の内部に配置したエッ
チングトンネル１２の内側に装入し、Ｏ2プラズマ処理
を行なった。装置１０内の雰囲気はＯ2ガス１ｔｏｒｒ
とし、プラズマ処理は４５０Ｗの出力で１分間行なっ
た。発生したＯ2プラズマのうち、Ｏ2 +イオンはエッチ
ングトンネル１２により阻止され、中性のＯ2ラジカル
のみがエッチングトンネル１２を通過して基板１３に照
射される。このＯ2ラジカルは不要フォトレジスト４
４、４５（及び本来のレジストパターン２３の表層部
分）と反応して、それを気化し、除去する。これによ
り、図４（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な
残留部分４４、４５が除去され、本来の正確なレジスト
パターン２３のみが基板２０上に残るようになる。
により、フォトレジストの不要部分を除去する。上記工
程（ｂ）では、基板の振動、空気のゆらぎ等により、レ
ジストパターンの輪郭は必ずしも正確に直線とはなって
おらず、基板が露出すべき部分に図４（ａ）、（ｂ）に
示すようなフォトレジストの不要部分４４、４５が残留
している。そこで、図１に示すように、基板１３（レジ
ストパターン２３で覆われた基板２０）を、バレルタイ
プ・プラズマエッチング装置１０の内部に配置したエッ
チングトンネル１２の内側に装入し、Ｏ2プラズマ処理
を行なった。装置１０内の雰囲気はＯ2ガス１ｔｏｒｒ
とし、プラズマ処理は４５０Ｗの出力で１分間行なっ
た。発生したＯ2プラズマのうち、Ｏ2 +イオンはエッチ
ングトンネル１２により阻止され、中性のＯ2ラジカル
のみがエッチングトンネル１２を通過して基板１３に照
射される。このＯ2ラジカルは不要フォトレジスト４
４、４５（及び本来のレジストパターン２３の表層部
分）と反応して、それを気化し、除去する。これによ
り、図４（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な
残留部分４４、４５が除去され、本来の正確なレジスト
パターン２３のみが基板２０上に残るようになる。
【００１１】（ｄ）レジストパターン２３の配列方向に
垂直で基板２０の斜め上方から、イオンビーム２４によ
りエッチングを行なう。本実施例では、ＣＦ4：Ａｒ＝
１：１の混合ガスを用いてイオンビームエッチングを行
なった。なお、ＣＦ4の代わりにＣＨＦ3を使用してもよ
い。いずれにせよ、石英基板２０に対して反応性を有す
るガスだけではなく、このように不活性ガスを混入する
ことにより、基板２０のエッチング選択比（フォトレジ
ストのエッチング速度に対する基板２０のエッチング速
度の比）が向上し、短時間で、しかも正確なブレーズド
型回折格子のグレーティング断面形状が得られる。
垂直で基板２０の斜め上方から、イオンビーム２４によ
りエッチングを行なう。本実施例では、ＣＦ4：Ａｒ＝
１：１の混合ガスを用いてイオンビームエッチングを行
なった。なお、ＣＦ4の代わりにＣＨＦ3を使用してもよ
い。いずれにせよ、石英基板２０に対して反応性を有す
るガスだけではなく、このように不活性ガスを混入する
ことにより、基板２０のエッチング選択比（フォトレジ
ストのエッチング速度に対する基板２０のエッチング速
度の比）が向上し、短時間で、しかも正確なブレーズド
型回折格子のグレーティング断面形状が得られる。
【００１２】（ｅ）レジストパターン２３が消滅した時
点でイオンビーム２４の照射を停止すると、基板２０に
は断面が正確に鋸歯状となったグレーティング２５が形
成されている。
点でイオンビーム２４の照射を停止すると、基板２０に
は断面が正確に鋸歯状となったグレーティング２５が形
成されている。
【００１３】（ｆ）基板２０を洗浄した後、グレーティ
ング２５の表面に１５０ｎｍ厚のＡｌ反射膜２６をコー
ティングする。
ング２５の表面に１５０ｎｍ厚のＡｌ反射膜２６をコー
ティングする。
【００１４】次に、ラミナー型回折格子の製造に使用し
た例を図１、図３及び図４により説明する。
た例を図１、図３及び図４により説明する。
【００１５】（ａ）光学研磨した石英基板３０の表面に
フォトレジスト３１を塗布する。本実施例では、上記実
施例とは異なり、ＯＦＰＲ５０００を使用した。スピン
コートにより３００ｎｍの厚さにコーティングした後、
フレッシュエアー環境下で９０℃×３０分のベーキング
を行ない、フォトレジスト３１を基板３０上に固定し
た。
フォトレジスト３１を塗布する。本実施例では、上記実
施例とは異なり、ＯＦＰＲ５０００を使用した。スピン
コートにより３００ｎｍの厚さにコーティングした後、
フレッシュエアー環境下で９０℃×３０分のベーキング
を行ない、フォトレジスト３１を基板３０上に固定し
た。
【００１６】（ｂ）ホログラフィック露光法によりフォ
トレジスト３１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン３３を形成する。上記実施例と同様、波
長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光平面波３２
を２方向から基板上に入射角約３２°で入射し、干渉さ
せることにより、２４００本／ｍｍの等間隔の縞模様の
潜像を形成した。ただし、フォトレジスト３１の変更に
応じて、本実施例では現像液にはＮＭＤ−３を使用し
た。また、Ｌ＆Ｓ比が１：１となるように露光時間及び
現像時間を調整した。
トレジスト３１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン３３を形成する。上記実施例と同様、波
長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光平面波３２
を２方向から基板上に入射角約３２°で入射し、干渉さ
せることにより、２４００本／ｍｍの等間隔の縞模様の
潜像を形成した。ただし、フォトレジスト３１の変更に
応じて、本実施例では現像液にはＮＭＤ−３を使用し
た。また、Ｌ＆Ｓ比が１：１となるように露光時間及び
現像時間を調整した。
【００１７】（ｃ）基板にＯ2ラジカルを照射すること
により、フォトレジストの不要部分を除去する。この工
程の条件は上記実施例と同じである。これにより、図４
（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な残留部分
４４、４５が除去され、本来の正確なレジストパターン
３３のみが基板３０上に残った。
により、フォトレジストの不要部分を除去する。この工
程の条件は上記実施例と同じである。これにより、図４
（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な残留部分
４４、４５が除去され、本来の正確なレジストパターン
３３のみが基板３０上に残った。
【００１８】（ｄ）基板３０の表面に垂直な方向から、
イオンビーム３４によりエッチングを行なう。本実施例
では、ＣＨＦ3：Ａｒ＝２：１の混合ガスを用いてイオ
ンビームエッチングを行なった。ここで、溝深さが２０
ｎｍとなるようにエッチング時間を調節した。
イオンビーム３４によりエッチングを行なう。本実施例
では、ＣＨＦ3：Ａｒ＝２：１の混合ガスを用いてイオ
ンビームエッチングを行なった。ここで、溝深さが２０
ｎｍとなるようにエッチング時間を調節した。
【００１９】（ｅ）基板３０上に残留するレジストパタ
ーン３３をＯ2プラズマにより灰化除去する。
ーン３３をＯ2プラズマにより灰化除去する。
【００２０】（ｆ）基板３０の表面を洗浄した後、反射
膜３６としてＮｉ−Ｃｒを２ｎｍ、Ａｕを２０ｎｍ、真
空蒸着によりコーティングする。Ｎｉ−Ｃｒ層はＡｕと
基板３０との付着力を高めるためのアンダーコートであ
る。
膜３６としてＮｉ−Ｃｒを２ｎｍ、Ａｕを２０ｎｍ、真
空蒸着によりコーティングする。Ｎｉ−Ｃｒ層はＡｕと
基板３０との付着力を高めるためのアンダーコートであ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係るグレーティング作製方法で
は、ホログラフィック露光及び現像により、基板が露出
した線状部分とフォトレジストにより覆われた線状部分
とが交互に現われるレジストパターンを形成した後、Ｏ
２プラズマのラジカル成分のみを照射することによりフ
ォトレジストの不要部分を除去してしまう。このため、
レジストパターンが本来の正しい形状に近づき、正確な
グレーティングパターンのエッチングを行なうことがで
きるようになる。
は、ホログラフィック露光及び現像により、基板が露出
した線状部分とフォトレジストにより覆われた線状部分
とが交互に現われるレジストパターンを形成した後、Ｏ
２プラズマのラジカル成分のみを照射することによりフ
ォトレジストの不要部分を除去してしまう。このため、
レジストパターンが本来の正しい形状に近づき、正確な
グレーティングパターンのエッチングを行なうことがで
きるようになる。
【図１】 基板にＯ2プラズマのラジカル成分のみを照
射するためのプラズマエッチング装置の断面図。
射するためのプラズマエッチング装置の断面図。
【図２】 ブレーズド型回折格子を製造する本発明の実
施例の工程の説明図。
施例の工程の説明図。
【図３】 ラミナー型回折格子を製造する本発明の実施
例の工程の説明図。
例の工程の説明図。
【図４】 レジストパターンの不要部分の発生状況を示
す平面図（ａ）、断面図（ｂ）及び不要部分除去後の断
面図（ｃ）。
す平面図（ａ）、断面図（ｂ）及び不要部分除去後の断
面図（ｃ）。
１０…バレルタイプ・プラズマエッチング装置 １２…エッチングトンネル １３…レジスト
パターン付基板 ２０、３０…石英基板 ２１、３１…フ
ォトレジスト ２２、３２…レーザ光平面波 ２３、３３…レ
ジストパターン ２４、３４…イオンビーム ２５…グレーテ
ィング ３５…ラミナー溝 ２６、３６…反
射膜 ４０…基板 ４３…フォトレ
ジスト ４４、４５…不要フォトレジスト
パターン付基板 ２０、３０…石英基板 ２１、３１…フ
ォトレジスト ２２、３２…レーザ光平面波 ２３、３３…レ
ジストパターン ２４、３４…イオンビーム ２５…グレーテ
ィング ３５…ラミナー溝 ２６、３６…反
射膜 ４０…基板 ４３…フォトレ
ジスト ４４、４５…不要フォトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 ａ）基板上にフォトレジストを塗布し、 ｂ）ホログラフィック露光及び現像を行なうことによ
り、基板が露出した線状部分とフォトレジストにより覆
われた線状部分とが交互に現われるレジストパターンを
形成し、 ｃ）上記レジストパターンの形状に従って基板のエッチ
ングを行なうことによりグレーティングを作製する方法
において、 ｄ）レジストパターンを形成した後エッチングを行なう
前に、基板にＯ２プラズマのラジカル成分のみを照射す
ることにより、フォトレジストの不要部分を除去するこ
とを特徴とするグレーティング作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196503A JPH0812287B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | グレーティング作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196503A JPH0812287B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | グレーティング作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620940A JPH0620940A (ja) | 1994-01-28 |
| JPH0812287B2 true JPH0812287B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=16358841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4196503A Expired - Lifetime JPH0812287B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | グレーティング作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812287B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR112013001536A2 (pt) | 2010-07-22 | 2019-09-24 | Univ Pittsburgh Commonwealth Sys Higher Education | estruturas de arranjo de dipolo vertical, métodos de produção de estruturas de arranjo de dipolo vertical e de formação de arranjos de nano-aberturas verticais sobre grande área, dispositivos fotovoltaicos e estruturas de arranjo de nano-aberturas de 2d e de dipolo vertical |
| JP5841797B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2016-01-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回折格子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189123A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 高分子樹脂被膜の除去方法 |
| JPH04107914A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ灰化装置 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4196503A patent/JPH0812287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620940A (ja) | 1994-01-28 |
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