JPH0620940A - レジストパターン作製方法 - Google Patents
レジストパターン作製方法Info
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- JPH0620940A JPH0620940A JP19650392A JP19650392A JPH0620940A JP H0620940 A JPH0620940 A JP H0620940A JP 19650392 A JP19650392 A JP 19650392A JP 19650392 A JP19650392 A JP 19650392A JP H0620940 A JPH0620940 A JP H0620940A
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- Japan
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- photoresist
- resist pattern
- etching
- pattern
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 正確な輪郭を有するレジストパターンを作成
する。 【構成】 レジストパターンを形成した後エッチングを
行なう前に、基板にＯ2プラズマのラジカル成分のみを
照射することにより、フォトレジストの不要部分を気化
除去する。
する。 【構成】 レジストパターンを形成した後エッチングを
行なう前に、基板にＯ2プラズマのラジカル成分のみを
照射することにより、フォトレジストの不要部分を気化
除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回折格子やＩＣ等の製
造工程で用いられるレジストパターンの作製方法に関す
る。
造工程で用いられるレジストパターンの作製方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストを用いてエッチングを行
なう場合の一例として、ブレーズド型回折格子の製造方
法を図２により説明する。 （ａ）光学研磨したガラスや石英等の基板２０の表面に
フォトレジスト２１を塗布する。 （ｂ）ホログラフィック露光法によりフォトレジスト２
１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像により、正弦半
波状で基板の一部が露出した平行線状のレジストパター
ン２３を形成する。 （ｃ）レジストパターン２３の配列方向に垂直で基板２
０の斜め上方から、イオンビーム２４によりエッチング
を行なう。これにより、基板２０の露出した部分からエ
ッチングされてゆく。 （ｄ）レジストパターン２３が消滅した時点でイオンビ
ーム・エッチングを停止すると、基板２０には鋸歯状の
グレーティング２５が形成されている。 （ｅ）洗浄後、グレーティング２５の表面に反射膜２６
をコーティングする。
なう場合の一例として、ブレーズド型回折格子の製造方
法を図２により説明する。 （ａ）光学研磨したガラスや石英等の基板２０の表面に
フォトレジスト２１を塗布する。 （ｂ）ホログラフィック露光法によりフォトレジスト２
１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像により、正弦半
波状で基板の一部が露出した平行線状のレジストパター
ン２３を形成する。 （ｃ）レジストパターン２３の配列方向に垂直で基板２
０の斜め上方から、イオンビーム２４によりエッチング
を行なう。これにより、基板２０の露出した部分からエ
ッチングされてゆく。 （ｄ）レジストパターン２３が消滅した時点でイオンビ
ーム・エッチングを停止すると、基板２０には鋸歯状の
グレーティング２５が形成されている。 （ｅ）洗浄後、グレーティング２５の表面に反射膜２６
をコーティングする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】グレーティング溝の密
度が高くなる（すなわち、単位長さ当たりの溝の本数が
多くなる）と、それに対応してホログラフィック露光の
際に露光干渉縞のピッチを小さくする必要がある。しか
し、この干渉縞の間隔が余りに小さくなると、外部から
伝わってくることによる基板の振動や空気のゆらぎ等に
より干渉縞のコントラストが悪化し、図４（ａ）、
（ｂ）に示すように、フォトレジスト４３と基板４０の
露出すべき部分との境界が正しく直線とはならず、本来
基板４０が露出すべき部分にフォトレジスト４３の一部
がヒゲ状に突出し４４、或いは島状に残留する４５よう
になる。このような不要部分４４、４５が残留した状態
でエッチングを行なうと、グレーティング溝の形状が乱
れ、高精度の回折格子を得ることができなくなる。
度が高くなる（すなわち、単位長さ当たりの溝の本数が
多くなる）と、それに対応してホログラフィック露光の
際に露光干渉縞のピッチを小さくする必要がある。しか
し、この干渉縞の間隔が余りに小さくなると、外部から
伝わってくることによる基板の振動や空気のゆらぎ等に
より干渉縞のコントラストが悪化し、図４（ａ）、
（ｂ）に示すように、フォトレジスト４３と基板４０の
露出すべき部分との境界が正しく直線とはならず、本来
基板４０が露出すべき部分にフォトレジスト４３の一部
がヒゲ状に突出し４４、或いは島状に残留する４５よう
になる。このような不要部分４４、４５が残留した状態
でエッチングを行なうと、グレーティング溝の形状が乱
れ、高精度の回折格子を得ることができなくなる。
【０００４】このような問題はホログラフィック露光に
より平行縞パターンを形成する場合に特に生じやすいも
のであるが、それ以外のパターンを形成する場合にも、
パターンの幅が非常に小さくなった場合には同様に、振
動、空気のゆらぎ、回折等によりパターンの輪郭が不正
確になるという現象が生ずる。本発明はこのような課題
を解決するために成されたものであり、その目的とする
ところは、正確な輪郭を有するレジストパターンを作成
することのできる方法を提供することにある。
より平行縞パターンを形成する場合に特に生じやすいも
のであるが、それ以外のパターンを形成する場合にも、
パターンの幅が非常に小さくなった場合には同様に、振
動、空気のゆらぎ、回折等によりパターンの輪郭が不正
確になるという現象が生ずる。本発明はこのような課題
を解決するために成されたものであり、その目的とする
ところは、正確な輪郭を有するレジストパターンを作成
することのできる方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係るレジストパターン作製方法で
は、ａ）基板上にフォトレジストを塗布し、ｂ）露光及
び現像を行なうことにより、基板が露出した部分とフォ
トレジストにより覆われた部分とから成るレジストパタ
ーンを形成し、ｃ）レジストパターンの形状に従って基
板のエッチングを行なう際のレジストパターン作製方法
において、ｄ）レジストパターンを形成した後エッチン
グを行なう前に、基板にＯ2プラズマのラジカル成分の
みを照射することにより、フォトレジストの不要部分を
除去することを特徴としている。
に成された本発明に係るレジストパターン作製方法で
は、ａ）基板上にフォトレジストを塗布し、ｂ）露光及
び現像を行なうことにより、基板が露出した部分とフォ
トレジストにより覆われた部分とから成るレジストパタ
ーンを形成し、ｃ）レジストパターンの形状に従って基
板のエッチングを行なう際のレジストパターン作製方法
において、ｄ）レジストパターンを形成した後エッチン
グを行なう前に、基板にＯ2プラズマのラジカル成分の
みを照射することにより、フォトレジストの不要部分を
除去することを特徴としている。
【０００６】
【作用】フォトレジストは基本的にＣ、Ｈ、Ｏの化合物
であるため、Ｏ2ラジカルと反応することによりＣＯ、
ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｏ2等となり、散逸する。露光・現像に
よりレジストパターンを形成した後にレジストパターン
の輪郭部分や基板の露出部分に残留する不要なフォトレ
ジストは、通常、本来のレジストパターンの部分よりも
非常に薄いため、Ｏ2ラジカルとの反応時間を適度に調
節することにより、本来のレジストパターンを残し、不
要部分のみを気化・除去して、正しいレジストパターン
を得ることができる。
であるため、Ｏ2ラジカルと反応することによりＣＯ、
ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｏ2等となり、散逸する。露光・現像に
よりレジストパターンを形成した後にレジストパターン
の輪郭部分や基板の露出部分に残留する不要なフォトレ
ジストは、通常、本来のレジストパターンの部分よりも
非常に薄いため、Ｏ2ラジカルとの反応時間を適度に調
節することにより、本来のレジストパターンを残し、不
要部分のみを気化・除去して、正しいレジストパターン
を得ることができる。
【０００７】
【実施例】本発明に係るレジストパターン作製方法を、
ブレーズド型回折格子の製造に使用した例を図１、図２
及び図４により説明する。本実施例では、ブレーズド型
回折格子を次のような工程で製造する。
ブレーズド型回折格子の製造に使用した例を図１、図２
及び図４により説明する。本実施例では、ブレーズド型
回折格子を次のような工程で製造する。
【０００８】（ａ）光学研磨した石英基板２０の表面に
フォトレジスト２１を塗布する。本実施例では、フォト
レジスト２１としてマイクロポジットＳ−１４００（以
下、フォトレジスト及び現像剤の名称はいずれも商品
名）を使用し、スピンコートにより３００ｎｍの厚さに
コーティングを行なった。コーティング後はフレッシュ
エアー環境下で９０℃×３０分のベーキングを行ない、
フォトレジスト２１を基板２０上に固定した。
フォトレジスト２１を塗布する。本実施例では、フォト
レジスト２１としてマイクロポジットＳ−１４００（以
下、フォトレジスト及び現像剤の名称はいずれも商品
名）を使用し、スピンコートにより３００ｎｍの厚さに
コーティングを行なった。コーティング後はフレッシュ
エアー環境下で９０℃×３０分のベーキングを行ない、
フォトレジスト２１を基板２０上に固定した。
【０００９】（ｂ）ホログラフィック露光法によりフォ
トレジスト２１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン２３を形成する。本実施例で用いた光は
波長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光であり、
その平面波２２を２方向から基板上に入射角約３２°で
入射し、干渉させることにより、２４００本／ｍｍの等
間隔の縞模様の潜像を形成した。現像は３０３Ａ現像液
を使用した。ここで、露光時間及び現像時間を調整する
ことにより、フォトレジストで覆われた部分と基板が露
出した部分との比（Ｌ＆Ｓ比）が４：１となるようにし
た。
トレジスト２１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン２３を形成する。本実施例で用いた光は
波長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光であり、
その平面波２２を２方向から基板上に入射角約３２°で
入射し、干渉させることにより、２４００本／ｍｍの等
間隔の縞模様の潜像を形成した。現像は３０３Ａ現像液
を使用した。ここで、露光時間及び現像時間を調整する
ことにより、フォトレジストで覆われた部分と基板が露
出した部分との比（Ｌ＆Ｓ比）が４：１となるようにし
た。
【００１０】（ｃ）基板にＯ2ラジカルを照射すること
により、フォトレジストの不要部分を除去する。上記工
程（ｂ）では、基板の振動、空気のゆらぎ等により、レ
ジストパターンの輪郭は必ずしも正確に直線とはなって
おらず、基板が露出すべき部分に図４（ａ）、（ｂ）に
示すようなフォトレジストの不要部分４４、４５が残留
している。そこで、図１に示すように、基板１３（レジ
ストパターン２３で覆われた基板２０）を、バレルタイ
プ・プラズマエッチング装置１０の内部に配置したエッ
チングトンネル１２の内側に装入し、Ｏ2プラズマ処理
を行なった。装置１０内の雰囲気はＯ2ガス１ｔｏｒｒ
とし、プラズマ処理は４５０Ｗの出力で１分間行なっ
た。発生したＯ2プラズマのうち、Ｏ2 +イオンはエッチ
ングトンネル１２により阻止され、中性のＯ2ラジカル
のみがエッチングトンネル１２を通過して基板１３に照
射される。このＯ2ラジカルは不要フォトレジスト４
４、４５（及び本来のレジストパターン２３の表層部
分）と反応して、それを気化し、除去する。これによ
り、図４（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な
残留部分４４、４５が除去され、本来の正確なレジスト
パターン２３のみが基板２０上に残るようになる。
により、フォトレジストの不要部分を除去する。上記工
程（ｂ）では、基板の振動、空気のゆらぎ等により、レ
ジストパターンの輪郭は必ずしも正確に直線とはなって
おらず、基板が露出すべき部分に図４（ａ）、（ｂ）に
示すようなフォトレジストの不要部分４４、４５が残留
している。そこで、図１に示すように、基板１３（レジ
ストパターン２３で覆われた基板２０）を、バレルタイ
プ・プラズマエッチング装置１０の内部に配置したエッ
チングトンネル１２の内側に装入し、Ｏ2プラズマ処理
を行なった。装置１０内の雰囲気はＯ2ガス１ｔｏｒｒ
とし、プラズマ処理は４５０Ｗの出力で１分間行なっ
た。発生したＯ2プラズマのうち、Ｏ2 +イオンはエッチ
ングトンネル１２により阻止され、中性のＯ2ラジカル
のみがエッチングトンネル１２を通過して基板１３に照
射される。このＯ2ラジカルは不要フォトレジスト４
４、４５（及び本来のレジストパターン２３の表層部
分）と反応して、それを気化し、除去する。これによ
り、図４（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な
残留部分４４、４５が除去され、本来の正確なレジスト
パターン２３のみが基板２０上に残るようになる。
【００１１】（ｄ）レジストパターン２３の配列方向に
垂直で基板２０の斜め上方から、イオンビーム２４によ
りエッチングを行なう。本実施例では、ＣＦ4：Ａｒ＝
１：１の混合ガスを用いてイオンビームエッチングを行
なった。なお、ＣＦ4の代わりにＣＨＦ3を使用してもよ
い。いずれにせよ、石英基板２０に対して反応性を有す
るガスだけではなく、このように不活性ガスを混入する
ことにより、基板２０のエッチング選択比（フォトレジ
ストのエッチング速度に対する基板２０のエッチング速
度の比）が向上し、短時間で、しかも正確なブレーズド
型回折格子のグレーティング断面形状が得られる。
垂直で基板２０の斜め上方から、イオンビーム２４によ
りエッチングを行なう。本実施例では、ＣＦ4：Ａｒ＝
１：１の混合ガスを用いてイオンビームエッチングを行
なった。なお、ＣＦ4の代わりにＣＨＦ3を使用してもよ
い。いずれにせよ、石英基板２０に対して反応性を有す
るガスだけではなく、このように不活性ガスを混入する
ことにより、基板２０のエッチング選択比（フォトレジ
ストのエッチング速度に対する基板２０のエッチング速
度の比）が向上し、短時間で、しかも正確なブレーズド
型回折格子のグレーティング断面形状が得られる。
【００１２】（ｅ）レジストパターン２３が消滅した時
点でイオンビーム２４の照射を停止すると、基板２０に
は断面が正確に鋸歯状となったグレーティング２５が形
成されている。
点でイオンビーム２４の照射を停止すると、基板２０に
は断面が正確に鋸歯状となったグレーティング２５が形
成されている。
【００１３】（ｆ）基板２０を洗浄した後、グレーティ
ング２５の表面に１５０ｎｍ厚のＡｌ反射膜２６をコー
ティングする。
ング２５の表面に１５０ｎｍ厚のＡｌ反射膜２６をコー
ティングする。
【００１４】次に、ラミナー型回折格子の製造に使用し
た例を図１、図３及び図４により説明する。
た例を図１、図３及び図４により説明する。
【００１５】（ａ）光学研磨した石英基板３０の表面に
フォトレジスト３１を塗布する。本実施例では、上記実
施例とは異なり、ＯＦＰＲ５０００を使用した。スピン
コートにより３００ｎｍの厚さにコーティングした後、
フレッシュエアー環境下で９０℃×３０分のベーキング
を行ない、フォトレジスト３１を基板３０上に固定し
た。
フォトレジスト３１を塗布する。本実施例では、上記実
施例とは異なり、ＯＦＰＲ５０００を使用した。スピン
コートにより３００ｎｍの厚さにコーティングした後、
フレッシュエアー環境下で９０℃×３０分のベーキング
を行ない、フォトレジスト３１を基板３０上に固定し
た。
【００１６】（ｂ）ホログラフィック露光法によりフォ
トレジスト３１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン３３を形成する。上記実施例と同様、波
長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光平面波３２
を２方向から基板上に入射角約３２°で入射し、干渉さ
せることにより、２４００本／ｍｍの等間隔の縞模様の
潜像を形成した。ただし、フォトレジスト３１の変更に
応じて、本実施例では現像液にはＮＭＤ−３を使用し
た。また、Ｌ＆Ｓ比が１：１となるように露光時間及び
現像時間を調整した。
トレジスト３１に２光束干渉縞の潜像を形成し、現像に
より、正弦半波状で基板の一部が露出した平行線状のレ
ジストパターン３３を形成する。上記実施例と同様、波
長λ＝４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光平面波３２
を２方向から基板上に入射角約３２°で入射し、干渉さ
せることにより、２４００本／ｍｍの等間隔の縞模様の
潜像を形成した。ただし、フォトレジスト３１の変更に
応じて、本実施例では現像液にはＮＭＤ−３を使用し
た。また、Ｌ＆Ｓ比が１：１となるように露光時間及び
現像時間を調整した。
【００１７】（ｃ）基板にＯ2ラジカルを照射すること
により、フォトレジストの不要部分を除去する。この工
程の条件は上記実施例と同じである。これにより、図４
（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な残留部分
４４、４５が除去され、本来の正確なレジストパターン
３３のみが基板３０上に残った。
により、フォトレジストの不要部分を除去する。この工
程の条件は上記実施例と同じである。これにより、図４
（ｃ）に示すように、フォトレジストの不要な残留部分
４４、４５が除去され、本来の正確なレジストパターン
３３のみが基板３０上に残った。
【００１８】（ｄ）基板３０の表面に垂直な方向から、
イオンビーム３４によりエッチングを行なう。本実施例
では、ＣＨＦ3：Ａｒ＝２：１の混合ガスを用いてイオ
ンビームエッチングを行なった。ここで、溝深さが２０
ｎｍとなるようにエッチング時間を調節した。
イオンビーム３４によりエッチングを行なう。本実施例
では、ＣＨＦ3：Ａｒ＝２：１の混合ガスを用いてイオ
ンビームエッチングを行なった。ここで、溝深さが２０
ｎｍとなるようにエッチング時間を調節した。
【００１９】（ｅ）基板３０上に残留するレジストパタ
ーン３３をＯ2プラズマにより灰化除去する。
ーン３３をＯ2プラズマにより灰化除去する。
【００２０】（ｆ）基板３０の表面を洗浄した後、反射
膜３６としてＮｉ−Ｃｒを２ｎｍ、Ａｕを２０ｎｍ、真
空蒸着によりコーティングする。Ｎｉ−Ｃｒ層はＡｕと
基板３０との付着力を高めるためのアンダーコートであ
る。
膜３６としてＮｉ−Ｃｒを２ｎｍ、Ａｕを２０ｎｍ、真
空蒸着によりコーティングする。Ｎｉ−Ｃｒ層はＡｕと
基板３０との付着力を高めるためのアンダーコートであ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係るレジストパターン作製方法
では、露光・現像によりレジストパターンを形成した
後、Ｏ2プラズマのラジカル成分のみを照射することに
よりフォトレジストの不要部分を除去してしまう。この
ため、レジストパターンが本来の正しい形状に近づき、
正確なパターンエッチングを行なうことができるように
なる。
では、露光・現像によりレジストパターンを形成した
後、Ｏ2プラズマのラジカル成分のみを照射することに
よりフォトレジストの不要部分を除去してしまう。この
ため、レジストパターンが本来の正しい形状に近づき、
正確なパターンエッチングを行なうことができるように
なる。
【図１】 基板にＯ2プラズマのラジカル成分のみを照
射するためのプラズマエッチング装置の断面図。
射するためのプラズマエッチング装置の断面図。
【図２】 ブレーズド型回折格子を製造する本発明の実
施例の工程の説明図。
施例の工程の説明図。
【図３】 ラミナー型回折格子を製造する本発明の実施
例の工程の説明図。
例の工程の説明図。
【図４】 レジストパターンの不要部分の発生状況を示
す平面図（ａ）、断面図（ｂ）及び不要部分除去後の断
面図（ｃ）。
す平面図（ａ）、断面図（ｂ）及び不要部分除去後の断
面図（ｃ）。
１０…バレルタイプ・プラズマエッチング装置 １２…エッチングトンネル １３…レジスト
パターン付基板 ２０、３０…石英基板 ２１、３１…フ
ォトレジスト ２２、３２…レーザ光平面波 ２３、３３…レ
ジストパターン ２４、３４…イオンビーム ２５…グレーテ
ィング ３５…ラミナー溝 ２６、３６…反
射膜 ４０…基板 ４３…フォトレ
ジスト ４４、４５…不要フォトレジスト
パターン付基板 ２０、３０…石英基板 ２１、３１…フ
ォトレジスト ２２、３２…レーザ光平面波 ２３、３３…レ
ジストパターン ２４、３４…イオンビーム ２５…グレーテ
ィング ３５…ラミナー溝 ２６、３６…反
射膜 ４０…基板 ４３…フォトレ
ジスト ４４、４５…不要フォトレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｈ 8518−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 ａ）基板上にフォトレジストを塗布し、 ｂ）露光及び現像を行なうことにより、基板が露出した
部分とフォトレジストにより覆われた部分とから成るレ
ジストパターンを形成し、 ｃ）レジストパターンの形状に従って基板のエッチング
を行なう際のレジストパターン作製方法において、 ｄ）レジストパターンを形成した後エッチングを行なう
前に、基板にＯ2プラズマのラジカル成分のみを照射す
ることにより、フォトレジストの不要部分を除去するこ
とを特徴とするレジストパターン作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196503A JPH0812287B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | グレーティング作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196503A JPH0812287B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | グレーティング作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620940A true JPH0620940A (ja) | 1994-01-28 |
| JPH0812287B2 JPH0812287B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=16358841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4196503A Expired - Lifetime JPH0812287B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | グレーティング作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812287B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051384A1 (ja) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | 株式会社日立製作所 | 位相シフトマスク、非対称パターンの形成方法、回折格子の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2013539063A (ja) * | 2010-07-22 | 2013-10-17 | ユニバーシティー オブ ピッツバーグ − オブ ザ コモンウェルス システム オブ ハイヤー エデュケーション | ナノ光学屈折光学部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189123A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 高分子樹脂被膜の除去方法 |
| JPH04107914A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ灰化装置 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4196503A patent/JPH0812287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013539063A (ja) * | 2010-07-22 | 2013-10-17 | ユニバーシティー オブ ピッツバーグ − オブ ザ コモンウェルス システム オブ ハイヤー エデュケーション | ナノ光学屈折光学部品 |
| JP2017107217A (ja) * | 2010-07-22 | 2017-06-15 | ユニバーシティー オブ ピッツバーグ − オブ ザ コモンウェルス システム オブ ハイヤー エデュケーション | ナノ光学屈折光学部品 |
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