JPH08119750A - セラミックハニカム構造体の焼成方法 - Google Patents
セラミックハニカム構造体の焼成方法Info
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- JPH08119750A JPH08119750A JP6284211A JP28421194A JPH08119750A JP H08119750 A JPH08119750 A JP H08119750A JP 6284211 A JP6284211 A JP 6284211A JP 28421194 A JP28421194 A JP 28421194A JP H08119750 A JPH08119750 A JP H08119750A
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- ceramic
- ceramic honeycomb
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 収縮率の大きいハニカム構造体を焼成する場
合の、ハニカム構造体の上下端面の収縮率の差をなく
し、変形を防止して、寸法精度の高いハニカム構造体を
得る。 【構成】 焼成時の収縮率Ｙが式Ｙ＞１．１Ｘ（Ｘはセ
ラミックハニカム構造体の収縮率）を満たす未焼成のセ
ラミック板よりなる焼成台２を１枚または２枚以上使用
し、該焼成台２上に未焼成のセラミックハニカム構造体
１を載置する。焼成台２の収縮率がハニカム構造体１よ
り大きいので、両者の間に摩擦力が作用せず、焼成台２
下端面の収縮が阻害されない。
合の、ハニカム構造体の上下端面の収縮率の差をなく
し、変形を防止して、寸法精度の高いハニカム構造体を
得る。 【構成】 焼成時の収縮率Ｙが式Ｙ＞１．１Ｘ（Ｘはセ
ラミックハニカム構造体の収縮率）を満たす未焼成のセ
ラミック板よりなる焼成台２を１枚または２枚以上使用
し、該焼成台２上に未焼成のセラミックハニカム構造体
１を載置する。焼成台２の収縮率がハニカム構造体１よ
り大きいので、両者の間に摩擦力が作用せず、焼成台２
下端面の収縮が阻害されない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばディーゼルエン
ジン等、内燃機関の排ガス浄化装置や、ガスタービンの
熱交換器のフィルタとして使用可能なセラミックハニカ
ム構造体の焼成方法に関し、特に、収縮率の比較的大き
なセラミックハニカム構造体を焼成する方法に関する。
ジン等、内燃機関の排ガス浄化装置や、ガスタービンの
熱交換器のフィルタとして使用可能なセラミックハニカ
ム構造体の焼成方法に関し、特に、収縮率の比較的大き
なセラミックハニカム構造体を焼成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミックハニカム構造体
（以下、ハニカム構造体と称する）を押出し成形した
後、これをトチと呼ばれるセラミック製の焼成台上に載
置して焼成を行なうことが知られている。さらにハニカ
ム構造体の外縁部の切れを防止するために、トチの上端
縁に面取りを施したり（特公平１−５４６３６号公
報）、トチと接するハニカム構造体端面の変色を防止す
るためにトチにコーティング層を設けたもの（特開平５
−８５８３４号公報）等が提案されている。
（以下、ハニカム構造体と称する）を押出し成形した
後、これをトチと呼ばれるセラミック製の焼成台上に載
置して焼成を行なうことが知られている。さらにハニカ
ム構造体の外縁部の切れを防止するために、トチの上端
縁に面取りを施したり（特公平１−５４６３６号公
報）、トチと接するハニカム構造体端面の変色を防止す
るためにトチにコーティング層を設けたもの（特開平５
−８５８３４号公報）等が提案されている。
【０００３】ところで、トチを未焼成のセラミック板で
構成し、その上にハニカム構造体を配して焼成する場
合、ハニカム構造体の重量によりトチの収縮率は本来の
収縮率より小さな値となる。この時、図７に示すよう
に、トチ２とそれに接するハニカム構造体１の下端面１
１との間には、トチ２の収縮力Ｂとハニカム構造体１の
収縮力Ａの差に応じた摩擦力Ｃが生じ、ハニカム構造体
１の下端面１１の収縮を阻害する。一方、ハニカム構造
体１の上端面１２は収縮を阻害するものがないため、収
縮率に相当する収縮をし、その結果、ハニカム構造体１
の端面１１、１２の収縮率に差が生じることになる。
構成し、その上にハニカム構造体を配して焼成する場
合、ハニカム構造体の重量によりトチの収縮率は本来の
収縮率より小さな値となる。この時、図７に示すよう
に、トチ２とそれに接するハニカム構造体１の下端面１
１との間には、トチ２の収縮力Ｂとハニカム構造体１の
収縮力Ａの差に応じた摩擦力Ｃが生じ、ハニカム構造体
１の下端面１１の収縮を阻害する。一方、ハニカム構造
体１の上端面１２は収縮を阻害するものがないため、収
縮率に相当する収縮をし、その結果、ハニカム構造体１
の端面１１、１２の収縮率に差が生じることになる。
【０００４】従来、製造されているハニカム構造体のほ
とんどは、収縮率が１〜４％と小さなものであり、上記
摩擦力Ｃは無視できる程度に小さい。ところが、特に収
縮率が５％を越えるハニカム構造体では、摩擦力Ｃが大
きいために上下端面１１、１２の収縮率の差が大きくな
り、図８に示すような大きな変形が生じて製品の品質を
損なうおそれがあった。
とんどは、収縮率が１〜４％と小さなものであり、上記
摩擦力Ｃは無視できる程度に小さい。ところが、特に収
縮率が５％を越えるハニカム構造体では、摩擦力Ｃが大
きいために上下端面１１、１２の収縮率の差が大きくな
り、図８に示すような大きな変形が生じて製品の品質を
損なうおそれがあった。
【０００５】しかして、本発明の目的は、収縮率の大き
いハニカム構造体を焼成する場合の、ハニカム構造体の
上下端面の収縮率の差を小さくし、変形を抑制して、寸
法安定性の高いハニカム構造体を得ることにある。
いハニカム構造体を焼成する場合の、ハニカム構造体の
上下端面の収縮率の差を小さくし、変形を抑制して、寸
法安定性の高いハニカム構造体を得ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では（図１）、焼成時の収縮率Ｙが式Ｙ＞
１．１Ｘ（Ｘはセラミックハニカム構造体の収縮率）を
満たす未焼成のセラミック板よりなる焼成台２を１枚あ
るいは複数枚を積層して使用し、該焼成台２上に未焼成
のセラミックハニカム構造体１を載置して焼成するもの
である（請求項１、３）。この時、上記ハニカム構造体
１のセル開口端面１１を上記焼成台２上に載置する（請
求項２）。
に、本発明では（図１）、焼成時の収縮率Ｙが式Ｙ＞
１．１Ｘ（Ｘはセラミックハニカム構造体の収縮率）を
満たす未焼成のセラミック板よりなる焼成台２を１枚あ
るいは複数枚を積層して使用し、該焼成台２上に未焼成
のセラミックハニカム構造体１を載置して焼成するもの
である（請求項１、３）。この時、上記ハニカム構造体
１のセル開口端面１１を上記焼成台２上に載置する（請
求項２）。
【０００７】あるいは、未焼成のセラミックハニカム構
造体１を上下方向にセルが並列するように炉内に配し
（図５（Ａ））、上記ハニカム構造体１を構成するセラ
ミックの焼結温度以上の比較的低い温度にて第１段階の
焼成を行なった後、上記ハニカム構造体１の上下を反転
し（図５（Ｂ））、第１段階の焼成温度より高い温度に
て第２段階の焼成を行なう方法を採用することもできる
（請求項４）。
造体１を上下方向にセルが並列するように炉内に配し
（図５（Ａ））、上記ハニカム構造体１を構成するセラ
ミックの焼結温度以上の比較的低い温度にて第１段階の
焼成を行なった後、上記ハニカム構造体１の上下を反転
し（図５（Ｂ））、第１段階の焼成温度より高い温度に
て第２段階の焼成を行なう方法を採用することもできる
（請求項４）。
【０００８】
【作用】ハニカム構造体１を焼成台２上で焼成すると、
上述したように、ハニカム構造体１の重量により焼成台
２の収縮率は本来の収縮率より小さくなる。請求項１の
方法では、ハニカム構造体１より収縮率が大きい焼成台
２を用いたので、ハニカム構造体１を載置すると、焼成
台２の収縮率はハニカム構造体１の収縮率とほぼ同程度
まで小さくなる。従って、焼成台２とハニカム構造体１
の端面１１との間の摩擦力が大幅に低減し、ハニカム構
造体１の上下端面１１、１２の収縮率の差がなくなって
変形を抑制する。
上述したように、ハニカム構造体１の重量により焼成台
２の収縮率は本来の収縮率より小さくなる。請求項１の
方法では、ハニカム構造体１より収縮率が大きい焼成台
２を用いたので、ハニカム構造体１を載置すると、焼成
台２の収縮率はハニカム構造体１の収縮率とほぼ同程度
まで小さくなる。従って、焼成台２とハニカム構造体１
の端面１１との間の摩擦力が大幅に低減し、ハニカム構
造体１の上下端面１１、１２の収縮率の差がなくなって
変形を抑制する。
【０００９】請求項４の方法では、第１段階の焼成時、
焼成台２と接するハニカム構造体１の端面１１が十分収
縮できず、他の端面１２との間に収縮率の差が生じて変
形が起こる。その後、ハニカム構造体１を上下反転して
他の端面１２を焼成台２と接触させ、第２段階の焼成を
行なうと、上記端面１２の収縮が抑制される一方、上記
端面１１は収縮率に応じて収縮するので、反転前に生じ
た変形が解消される。この時、第１段階の焼成を比較的
低い温度で行なうことで、反転前の変形が大きくなりす
ぎるのが抑制される。このように２段階の焼成を行なう
ことにより、ハニカム構造体１の変形率を調整し、両端
面１１、１２を均等に収縮させることが可能となる。従
って、焼成台２の収縮率にかかわらず、あるいは焼成台
２を使用しない場合でも、ハニカム構造体１に変形を生
ずることなく焼成することができる。
焼成台２と接するハニカム構造体１の端面１１が十分収
縮できず、他の端面１２との間に収縮率の差が生じて変
形が起こる。その後、ハニカム構造体１を上下反転して
他の端面１２を焼成台２と接触させ、第２段階の焼成を
行なうと、上記端面１２の収縮が抑制される一方、上記
端面１１は収縮率に応じて収縮するので、反転前に生じ
た変形が解消される。この時、第１段階の焼成を比較的
低い温度で行なうことで、反転前の変形が大きくなりす
ぎるのが抑制される。このように２段階の焼成を行なう
ことにより、ハニカム構造体１の変形率を調整し、両端
面１１、１２を均等に収縮させることが可能となる。従
って、焼成台２の収縮率にかかわらず、あるいは焼成台
２を使用しない場合でも、ハニカム構造体１に変形を生
ずることなく焼成することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。図１において、押出し成形により形成された未焼成
のセラミックハニカム構造体１は、上下方向にセルが並
列するように焼成台２上に配してあり、セルが開口する
一方の端面１１が上記焼成台２の上面と接している。上
記ハニカム構造体１は、例えばアルミナ、ムライト、チ
タン酸アルミニウム、炭化珪素、ジルコニア、コージェ
ライト等のセラミックよりなる。
る。図１において、押出し成形により形成された未焼成
のセラミックハニカム構造体１は、上下方向にセルが並
列するように焼成台２上に配してあり、セルが開口する
一方の端面１１が上記焼成台２の上面と接している。上
記ハニカム構造体１は、例えばアルミナ、ムライト、チ
タン酸アルミニウム、炭化珪素、ジルコニア、コージェ
ライト等のセラミックよりなる。
【００１１】上記焼成台２は未焼成のセラミック板より
なり、その材質は、ハニカム構造体１と反応しないもの
が望ましく、通常、ハニカム構造体１を構成するセラミ
ックと同材質のものを用いることが好ましい。焼成台２
の形状は、図１のように平板状としても、あるいはハニ
カム形状としてもよい。
なり、その材質は、ハニカム構造体１と反応しないもの
が望ましく、通常、ハニカム構造体１を構成するセラミ
ックと同材質のものを用いることが好ましい。焼成台２
の形状は、図１のように平板状としても、あるいはハニ
カム形状としてもよい。
【００１２】本発明では、上記焼成台２として、焼成時
の収縮率が上記ハニカム構造体１の収縮率より大きいセ
ラミック板を使用するものであり、これによりハニカム
構造体１の端面１１と焼成台２の間に働く摩擦力をごく
小さくすることができる。焼成台２の収縮率がハニカム
構造体１の収縮率より大きくないと、ハニカム構造体１
の変形を抑制する効果が得られない。セラミック板１枚
では収縮率が十分大きくない場合でも、その収縮率があ
る程度以上あればセラミック板を複数枚、積層して焼成
台を構成することにより所望の効果が得られる。これ
は、図２のように、セラミック板２ａ、２ｂ、２ｃを積
層することにより、各セラミック板２ａ、２ｂ、２ｃ間
で摩擦力が緩和されるためで、ハニカム構造体１の下端
面１１に作用する摩擦力をセラミック板１枚の場合より
小さくでき、ハニカム構造体１の変形を抑制できる。具
体的には上記ハニカム構造体１の収縮率Ｘに対し、収縮
率Ｙが、式Ｙ＞１．１Ｘを満たすセラミック板を用いれ
ば本発明の効果が得られる。
の収縮率が上記ハニカム構造体１の収縮率より大きいセ
ラミック板を使用するものであり、これによりハニカム
構造体１の端面１１と焼成台２の間に働く摩擦力をごく
小さくすることができる。焼成台２の収縮率がハニカム
構造体１の収縮率より大きくないと、ハニカム構造体１
の変形を抑制する効果が得られない。セラミック板１枚
では収縮率が十分大きくない場合でも、その収縮率があ
る程度以上あればセラミック板を複数枚、積層して焼成
台を構成することにより所望の効果が得られる。これ
は、図２のように、セラミック板２ａ、２ｂ、２ｃを積
層することにより、各セラミック板２ａ、２ｂ、２ｃ間
で摩擦力が緩和されるためで、ハニカム構造体１の下端
面１１に作用する摩擦力をセラミック板１枚の場合より
小さくでき、ハニカム構造体１の変形を抑制できる。具
体的には上記ハニカム構造体１の収縮率Ｘに対し、収縮
率Ｙが、式Ｙ＞１．１Ｘを満たすセラミック板を用いれ
ば本発明の効果が得られる。
【００１３】ハニカム構造体１の収縮率に対する焼成台
２の収縮率の最適値は、ハニカム構造体１の材質やサイ
ズ（重量）により変化し、例えばハニカム構造体１の重
量が増すと摩擦力が大きくなる傾向にある。このような
場合にはセラミック板を複数枚使用するか、より大きな
収縮率のセラミック板を使用することが好ましい。この
ようにセラミック板の収縮率、枚数を調整することで、
ハニカム構造体１の上下端面の収縮率の差をなくすこと
ができる。
２の収縮率の最適値は、ハニカム構造体１の材質やサイ
ズ（重量）により変化し、例えばハニカム構造体１の重
量が増すと摩擦力が大きくなる傾向にある。このような
場合にはセラミック板を複数枚使用するか、より大きな
収縮率のセラミック板を使用することが好ましい。この
ようにセラミック板の収縮率、枚数を調整することで、
ハニカム構造体１の上下端面の収縮率の差をなくすこと
ができる。
【００１４】焼成は、ハニカム構造体１の材質に応じた
焼成温度で行ない、図１のように上記焼成台２上にハニ
カム構造体１を載置し、焼成することで、寸法精度の高
いハニカム構造体を得ることができる。焼成温度は、例
えばアルミナ製のハニカム構造体で約１５００℃〜１７
００℃とするのがよい。
焼成温度で行ない、図１のように上記焼成台２上にハニ
カム構造体１を載置し、焼成することで、寸法精度の高
いハニカム構造体を得ることができる。焼成温度は、例
えばアルミナ製のハニカム構造体で約１５００℃〜１７
００℃とするのがよい。
【００１５】図３に焼成台２を構成するセラミック板の
収縮率とハニカム構造体１の変形率の関係を示す。ハニ
カム構造体１として、収縮率１６％、乾燥重量１５００
ｇのアルミナよりなるハニカム構造体１を押出し成形し
たものを、焼成台２として上記ハニカム構造体１と同材
質の未焼成のセラミック板を用い、その収縮率を図３の
ように変化させた。この時の収縮率は原料材料径、添加
する可燃物量を変化させることにより調整した。各焼成
台２上に、上記図１のようにハニカム構造体１の一方の
端面１１が接するように配し、１５００℃で焼成してハ
ニカム構造体１の変形率を測定した。ここで、変形率
（％）は次式で定義される。
収縮率とハニカム構造体１の変形率の関係を示す。ハニ
カム構造体１として、収縮率１６％、乾燥重量１５００
ｇのアルミナよりなるハニカム構造体１を押出し成形し
たものを、焼成台２として上記ハニカム構造体１と同材
質の未焼成のセラミック板を用い、その収縮率を図３の
ように変化させた。この時の収縮率は原料材料径、添加
する可燃物量を変化させることにより調整した。各焼成
台２上に、上記図１のようにハニカム構造体１の一方の
端面１１が接するように配し、１５００℃で焼成してハ
ニカム構造体１の変形率を測定した。ここで、変形率
（％）は次式で定義される。
【００１６】図３より、セラミック板の収縮率がハニカ
ム構造体１の収縮率とほぼ同程度（１６．８％）である
場合、ハニカム構造体１の変形率は−２．３％である。
製品として好ましい変形率は、通常、±０．８３％であ
るので、収縮率がハニカム構造体１とほぼ同程度では、
ハニカム構造体１の上端面１２径より下端面１１径が大
きく、変形を抑える効果が小さいことがわかる。セラミ
ック板の収縮率を大きくするに従い、変形率は直線的に
大きくなっており、変形率が規格内となるために好まし
いセラミック板の収縮率は、ここでは２２．５〜２９．
５％の範囲の時であることがわかる。
ム構造体１の収縮率とほぼ同程度（１６．８％）である
場合、ハニカム構造体１の変形率は−２．３％である。
製品として好ましい変形率は、通常、±０．８３％であ
るので、収縮率がハニカム構造体１とほぼ同程度では、
ハニカム構造体１の上端面１２径より下端面１１径が大
きく、変形を抑える効果が小さいことがわかる。セラミ
ック板の収縮率を大きくするに従い、変形率は直線的に
大きくなっており、変形率が規格内となるために好まし
いセラミック板の収縮率は、ここでは２２．５〜２９．
５％の範囲の時であることがわかる。
【００１７】図４は、種々の収縮率のセラミック板を１
〜４枚使用して焼成台２とした時の変形率である。セラ
ミック板の枚数を増やすことにより変形率は大きくなる
が、３枚から４枚に増した時の変化は小さく、４枚以上
ではほとんど変化はない。また、１枚では規格外である
場合でも（収縮率１９．５％のもの）、３枚積層するこ
とにより規格内となる。積層することによって規格内と
するには、セラミック板の収縮率が約１８％（ハニカム
構造体１の収縮率に対するセラミック板の収縮率の比は
約１．１）を越えることが必要と推定され、この関係は
材質にかかわらずほぼ成立すると考えられる。以上よ
り、少なくともセラミック板の収縮率Ｙが、式Ｙ＞１．
１Ｘ（Ｘはハニカム構造体１の収縮率）を満たせば本発
明の効果が得られるといえる。
〜４枚使用して焼成台２とした時の変形率である。セラ
ミック板の枚数を増やすことにより変形率は大きくなる
が、３枚から４枚に増した時の変化は小さく、４枚以上
ではほとんど変化はない。また、１枚では規格外である
場合でも（収縮率１９．５％のもの）、３枚積層するこ
とにより規格内となる。積層することによって規格内と
するには、セラミック板の収縮率が約１８％（ハニカム
構造体１の収縮率に対するセラミック板の収縮率の比は
約１．１）を越えることが必要と推定され、この関係は
材質にかかわらずほぼ成立すると考えられる。以上よ
り、少なくともセラミック板の収縮率Ｙが、式Ｙ＞１．
１Ｘ（Ｘはハニカム構造体１の収縮率）を満たせば本発
明の効果が得られるといえる。
【００１８】本発明では、上記のように特定の収縮率を
有するセラミック板よりなる焼成台２を用いる方法の
他、焼成温度を変えて２段階の焼成を行ない、さらにそ
の前後でハニカム構造体１を反転させる方法によっても
同様の効果を得ることができる。すなわち、上記図５
（Ａ）のようにハニカム構造体１の端面１１を焼成台２
上に配して一定時間、第１段階の焼成を行なった後、焼
結が完了する前に、図５（Ｂ）に示すようにハニカム構
造体１を上下反転し、端面１２が焼成台２に接するよう
にして第２段階の焼成を行なう。この場合、第１段階の
焼成は、焼結温度以上の比較的低い温度で行ない、第２
段階の焼成は、第１段階の焼成温度以上の、通常の焼成
温度で行なう。例えば、アルミナの焼成温度は、通常、
約１５００℃〜１７００℃であり、第１段階の焼成温度
はこれより低い温度とする。一般に、第１段階の焼成温
度が上昇するに従い、反転前の変形が大きくなり、反転
後の変形が小さくなるので、焼成後の変形率が所望の範
囲となるように焼成温度を適宜調整する。
有するセラミック板よりなる焼成台２を用いる方法の
他、焼成温度を変えて２段階の焼成を行ない、さらにそ
の前後でハニカム構造体１を反転させる方法によっても
同様の効果を得ることができる。すなわち、上記図５
（Ａ）のようにハニカム構造体１の端面１１を焼成台２
上に配して一定時間、第１段階の焼成を行なった後、焼
結が完了する前に、図５（Ｂ）に示すようにハニカム構
造体１を上下反転し、端面１２が焼成台２に接するよう
にして第２段階の焼成を行なう。この場合、第１段階の
焼成は、焼結温度以上の比較的低い温度で行ない、第２
段階の焼成は、第１段階の焼成温度以上の、通常の焼成
温度で行なう。例えば、アルミナの焼成温度は、通常、
約１５００℃〜１７００℃であり、第１段階の焼成温度
はこれより低い温度とする。一般に、第１段階の焼成温
度が上昇するに従い、反転前の変形が大きくなり、反転
後の変形が小さくなるので、焼成後の変形率が所望の範
囲となるように焼成温度を適宜調整する。
【００１９】図６は、第１段階の焼成温度を変化させて
焼成を行なった場合のハニカム構造体１の変形率を示し
たものである。ハニカム構造体１は上記した試験例と同
じものを用い、焼成台２はハニカム構造体１とほぼ同じ
収縮率を有するアルミナ製のセラミック板を使用した。
第２段階の焼成温度は１５００℃とし、第１段階の焼成
温度を図６のように変化させた。ここで、第１段階の焼
成温度が１５００℃である例は途中で反転をしなかった
場合である。
焼成を行なった場合のハニカム構造体１の変形率を示し
たものである。ハニカム構造体１は上記した試験例と同
じものを用い、焼成台２はハニカム構造体１とほぼ同じ
収縮率を有するアルミナ製のセラミック板を使用した。
第２段階の焼成温度は１５００℃とし、第１段階の焼成
温度を図６のように変化させた。ここで、第１段階の焼
成温度が１５００℃である例は途中で反転をしなかった
場合である。
【００２０】図６に明らかなように、第１段階の焼成温
度を１４００℃とすると、変形率は０．８％で規格内と
なる。ここで変形率が正であるのは、ハニカム構造体１
の上径が下径よりやや大きいことを示し、反転前の変形
より反転後の変形が大きいことを示している。第１段階
の焼成温度が上昇するに伴い、変形率が小さくなってお
り、１４５０℃で変形率がゼロとなって反転前後の変形
がほぼ釣り合ったことがわかる。さらに第１段階の焼成
温度が上昇すると反転前の変形が大きくなるため、変形
率は負の値となる。１４７０℃を越えると負の変形率が
大きくなりすぎる。従って、変形率が規格内となるの
は、ここでは、第１段階の焼成温度が１４００〜１４７
０℃の範囲であることがわかる。
度を１４００℃とすると、変形率は０．８％で規格内と
なる。ここで変形率が正であるのは、ハニカム構造体１
の上径が下径よりやや大きいことを示し、反転前の変形
より反転後の変形が大きいことを示している。第１段階
の焼成温度が上昇するに伴い、変形率が小さくなってお
り、１４５０℃で変形率がゼロとなって反転前後の変形
がほぼ釣り合ったことがわかる。さらに第１段階の焼成
温度が上昇すると反転前の変形が大きくなるため、変形
率は負の値となる。１４７０℃を越えると負の変形率が
大きくなりすぎる。従って、変形率が規格内となるの
は、ここでは、第１段階の焼成温度が１４００〜１４７
０℃の範囲であることがわかる。
【００２１】上記２段階焼成を行なう方法では、焼成台
２は使用してもしなくてもよい。焼成台２を使用する場
合の収縮率はハニカム構造体１より大きいものとする必
要はなく、同程度のものを使用すればよい。焼成台２を
使用しない場合には、ハニカム構造体１は炉の床や棚板
またはこう鉢の上に置かれることになるが、焼成で収縮
しないものでも第１段階の焼成温度を適宜調整すること
により変形率が規格内になるようにすることができる。
２は使用してもしなくてもよい。焼成台２を使用する場
合の収縮率はハニカム構造体１より大きいものとする必
要はなく、同程度のものを使用すればよい。焼成台２を
使用しない場合には、ハニカム構造体１は炉の床や棚板
またはこう鉢の上に置かれることになるが、焼成で収縮
しないものでも第１段階の焼成温度を適宜調整すること
により変形率が規格内になるようにすることができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明方法によれば、収縮率の大きいハ
ニカム構造体を焼成する場合でも、その上下端面の収縮
率の差を小さくすることができ、焼成時の変形を抑制す
ることができる。従って寸法安定性に優れ、信頼性の高
いハニカム構造体を製造することができる。また、焼成
台上面に面取りを施す等の必要がなく、加工の手間が省
ける。
ニカム構造体を焼成する場合でも、その上下端面の収縮
率の差を小さくすることができ、焼成時の変形を抑制す
ることができる。従って寸法安定性に優れ、信頼性の高
いハニカム構造体を製造することができる。また、焼成
台上面に面取りを施す等の必要がなく、加工の手間が省
ける。
【図１】本発明方法によるハニカム構造体の焼成方法を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】焼成台を複数のセラミック板で構成した場合の
ハニカム構造体の焼成方法を説明するための図である。
ハニカム構造体の焼成方法を説明するための図である。
【図３】本発明実施例におけるセラミック板の収縮率と
ハニカム構造体の変形率の関係を示す図である。
ハニカム構造体の変形率の関係を示す図である。
【図４】本発明実施例におけるセラミック板の枚数とハ
ニカム構造体の変形率の関係を示す図である。
ニカム構造体の変形率の関係を示す図である。
【図５】２段階焼成を行なう場合のハニカム構造体の焼
成方法を説明するための図で，図５（Ａ）は反転前、図
５（Ｂ）は反転後の状態を示す図である。
成方法を説明するための図で，図５（Ａ）は反転前、図
５（Ｂ）は反転後の状態を示す図である。
【図６】本発明実施例における第１段階の焼成温度とハ
ニカム構造体の変形率の関係を示す図である。
ニカム構造体の変形率の関係を示す図である。
【図７】ハニカム構造体の焼成時に作用する力を説明す
るための図である。
るための図である。
【図８】従来の方法によるハニカム構造体の変形を示す
図である。
図である。
１ ハニカム構造体 １１ 開口端面 １２ 開口端面 ２ 焼成台 ２ａ、２ｂ、２ｃ セラミック板
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックハニカム構造体をセラミック
よりなる焼成台上に載置して焼成する方法において、焼
成時の収縮率Ｙが式Ｙ＞１．１Ｘ（Ｘはセラミックハニ
カム構造体の収縮率）を満たす未焼成のセラミック板よ
りなる焼成台を使用し、該焼成台上に未焼成のセラミッ
クハニカム構造体を載置して焼成することを特徴とする
セラミックハニカム構造体の焼成方法。 - 【請求項２】 上記ハニカム構造体のセル開口端面を上
記焼成台上に載置する請求項１記載のセラミックハニカ
ム構造体の焼成方法。 - 【請求項３】 上記焼成台を複数のセラミック板を積層
して構成する請求項１または２記載のセラミックハニカ
ム構造体の焼成方法。 - 【請求項４】 セラミックハニカム構造体を焼成する方
法において、未焼成のセラミックハニカム構造体を上下
方向にセルが並列するように炉内に配し、上記ハニカム
構造体を構成するセラミックの焼結温度以上の比較的低
い温度にて第１段階の焼成を行なった後、上記ハニカム
構造体を上下反転して、第１段階の焼成温度より高い温
度にて第２段階の焼成を行なうことを特徴とするセラミ
ックハニカム構造体の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28421194A JP3620662B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | セラミックハニカム構造体の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28421194A JP3620662B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | セラミックハニカム構造体の焼成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08119750A true JPH08119750A (ja) | 1996-05-14 |
| JP3620662B2 JP3620662B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=17675609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28421194A Expired - Fee Related JP3620662B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | セラミックハニカム構造体の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3620662B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095835A1 (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Ngk Insulators, Ltd. | ハニカム構造体、及びその製造方法 |
| JP2010083738A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Hitachi Metals Ltd | チタン酸アルミニウム質セラミックハニカム構造体の製造方法 |
| WO2011027783A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | 住友化学株式会社 | セラミックス焼成体の製造方法 |
| JP2013039812A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP28421194A patent/JP3620662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2006095835A1 (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Ngk Insulators, Ltd. | ハニカム構造体、及びその製造方法 |
| JPWO2006095835A1 (ja) * | 2005-03-10 | 2008-08-21 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体、及びその製造方法 |
| US7897237B2 (en) | 2005-03-10 | 2011-03-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure and method of manufacturing the same |
| JP5185616B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2013-04-17 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体 |
| JP2010083738A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Hitachi Metals Ltd | チタン酸アルミニウム質セラミックハニカム構造体の製造方法 |
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| JP2013039812A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
| WO2013027570A1 (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | 住友化学株式会社 | ハニカム構造体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3620662B2 (ja) | 2005-02-16 |
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