JPH08118633A

JPH08118633A - インクジェットヘッド

Info

Publication number: JPH08118633A
Application number: JP25995794A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Mori; 豊森; Yukihisa Koizumi; 幸久小泉; Masaki Kataoka; 雅樹片岡; Naoshi Kotake; 直志小竹; Masa Suzuki; 雅鈴木
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1994-10-25
Filing date: 1994-10-25
Publication date: 1996-05-14
Anticipated expiration: 2016-11-26
Also published as: JP3232915B2

Abstract

(57)【要約】【目的】２枚の基板間の密着性を改善し、接合品質、
製作歩留まりを向上し、良好なインクジェットヘッドを
提供する。【構成】第１の基板１上にガラス層１５を形成し、そ
の上に発熱素子１４、アドレス電極１２、共通電極１３
と、保護層１６、発熱素子保護層１７等を積層し、パタ
ーニングし、さらに、厚膜樹脂層３を成膜して、ピット
９ａ，９ｂを形成する。ダミーピット９ｂの幅をピット
９ａの幅の半分とし、また、共通電極１３は、ダミーピ
ット９ｂのパターン端位置から離れた位置に配設する。
厚膜樹脂層３の凸部２０をチャネル溝１９ｂの下に逃が
し、共通電極１３の上部の２３とを距離Ｗ離すことによ
り、高低差が減少して平坦性が向上する。これにより、
第１の基板１と第２の基板２との密着接合状態が良くな
り、作成歩留まりが向上し、インク噴射特性がより安定
化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、インクを噴射して記録
を行なうインクジェット記録装置に用いるインクジェッ
トに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より知られているインクジェットヘ
ッドの構造としては、例えば、特開昭６２−３３６４８
号公報や、特開平１−１４８５６０号公報に記載された
ものがある。図９は、一般的なインクジェットヘッドの
外観の説明図である。図中、１は第１の基板、２は第２
の基板、３は厚膜樹脂層、４はノズル、５はインク流入
口、６はワイヤボンディング、７はインク滴である。第
１の基板１には、ノズル４に対応して発熱素子が配置さ
れ、それぞれの発熱素子に電力を供給する電極が配設さ
れている。電極により電力の供給された発熱素子はイン
クを加熱し、インク中に気泡を発生させる。電極への電
力の供給は、ワイヤボンディング６を介して行われる。
発熱素子、電極の配設された第１の基板１の上層には、
絶縁膜、保護層などが形成され、さらに上層に厚さ１０
〜１００μｍ程度の厚膜樹脂層３が形成されている。発
熱素子の上部の厚膜樹脂層３には、発熱素子の発熱によ
って発生する気泡の成長方向を規定する、ピットと呼ば
れる凹部が形成されている。また、例えば、特開平１−
１４８５６０号公報に記載されているように、インク流
入口５とインク流路を結ぶ、バイパスピットと呼ばれる
凹部を形成する場合もある。厚膜樹脂層３として感光性
樹脂が用いられ、例えば、フォトマスクなどを用いてピ
ットがパターニングされる。第２の基板２には、複数の
ノズル４となるインク流路が形成されている。また、イ
ンクの取入口となるインク流入口５が設けられている。
記録のためのインクは、インク流入口５から入り、内部
のインク流路を通って、ノズル４からインク滴７として
吐出される。

【０００３】図１０は、一般的なインクジェットヘッド
の作成方法の説明図である。図中、８は切断ラインであ
る。図９に示したように、インクジェットヘッドは、第
１の基板１と第２の基板２から構成される。第１の基板
１、第２の基板２とも、図５に示すように、ヘッド要素
を多数配置した第１基板１のウェハと第２基板２のウェ
ハを接着剤で接合し、接合後、切断ライン８に沿って切
断分離して、個々のインクジェットヘッドを作成してい
る。

【０００４】接着剤によって２枚の基板を接合する場
合、ノズル内が接着剤で埋まらないように薄く、例え
ば、１μｍ前後の厚さで接着剤を塗布し、かつ設計どお
りの流路形状を形成し、インク漏れなどが起こらないよ
うに、２枚の基板間を隙間なく密着させる必要がある。
しかし、実際には、２枚の基板間を接合すると、密着不
良が発生し、インクジェットヘッドの歩留りの低下及び
寿命の低下を引き起こしている。

【０００５】この２枚の基板間の密着不良の原因の一つ
として、厚膜樹脂層である感光性樹脂層の平坦性の悪さ
がある。感光性樹脂層を平坦に塗布しても、パターニン
グし、硬化させると、パターニング除去した端部が盛り
上がるという現象がある。この盛り上がり部分が第２の
基板に当接し、他の部分と第２の基板との間に隙間が生
じてしまう。

【０００６】この盛り上がりを避けるため、例えば、特
開平４−３５７０４１号公報では、第２の基板の、厚膜
樹脂層の盛り上りが発生する部分に対応する部分に凹部
を設け、盛り上り部分が第２の基板に当接しないように
して、密着性を高めている。また、例えば、特開平５−
２４２０３号公報には、第２の基板の接合領域の広い部
分に多数の凹部を設け、接着剤の多数の盛り上り部を形
成して接合面積を広くすることが記載されている。

【０００７】このような技術により、２枚の基板間の密
着性は改善されたものの、まだ完全ではなく、ときに
は、図１１，図１２に示すようなノズル面の密着不良が
発生した。図１１，図１２は、２枚の基板間の密着不良
の状態の説明図である。図１１は平面図、図１２はＡ−
Ａ’断面図である。図中、図９と同様の部分には同じ符
号を付して説明を省略する。９ａはピット、９ｂはダミ
ーピット（ダミーノズルに設けられたピットを「ダミー
ピット」と呼ぶことにする。）、１０は接合領域、１１
は接着剤である。図１１において、ピット９ａ，９ｂの
列の端部の接合領域１０以外は、ほとんどが接合不良の
状態となっている。このとき、ノズル部分は、図１２に
示すように、厚膜樹脂層３と第２の基板２とが接合され
ず、それぞれのインク流路が形成されていない。この状
態では、インクジェットヘッドとして使用することはで
きない。

【０００８】図１３は、従来のインクジェットヘッドの
構造の説明図であり、図１３（Ａ）は平面図、図１３
（Ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。図中、図９，図１１，
図１２と同様の部分には同じ符号を付して説明を省略す
る。１２はアドレス電極、１３は共通電極、１４は発熱
素子、１５はガラス層、１６は保護層、１７は発熱素子
保護層、１８はピット間壁、１９ａ，１９ｂはチャネル
溝、２０は凸部、２１は低部、２２はダイシング切断領
域である。ただし、図１３（Ａ）ではチャネル溝は省略
して図示していない。

【０００９】図１３（Ｂ）に示すように、第１の基板１
上には、絶縁性を有するガラス層１５が設けられてい
る。図１０でも述べたように、複数のインクジェットヘ
ッドをウェハ上に作成し、ダイシングにより切断する
が、ノズル切断品質を向上させるため、図１３（Ａ）に
示すように、ダイシング切断領域２２にはガラス層を露
出させない構造にしてある。

【００１０】ガラス層１５の上に、インクを吐出するノ
ズルに対応して発熱素子１４が配置され、発熱素子１４
にアドレス電極１２及び共通電極１３が接続されてい
る。図１３（Ａ）では、下側がインク吐出方向である。
発熱素子１４のインク吐出側に共通電極１３が、インク
供給口側にアドレス電極１２が、それぞれ接続されてい
る。発熱素子１４の駆動を行なう駆動回路等への配線
は、インクジェットヘッドの後方あるいは側方から行な
うので、共通電極１３はこの例では後方側、すなわち、
図中上方へ向けて配線されている。

【００１１】発熱素子１４の上層には、発熱素子保護層
１７が、また、アドレス電極１２、共通電極１３など、
他の部分には保護層１６が形成される。さらに、その上
層には、厚膜樹脂層３が形成される。そして、発熱素子
８の上部の厚膜樹脂層３には、発熱素子の発熱によって
発生する気泡の成長方向を規定する、ピット９ａが設け
られる。このとき、端部のノズルは吐出不良が発生しや
すいため、吐出を目的としないダミーノズルが形成され
る。この例では、ダミーノズルに発熱素子が設けられて
いないが、発熱素子を設けたものもある。ダミーノズル
には、それに対応してダミーピット９ｂが設けられてい
るが、従来のインクジェットヘッドでは、共通電極１３
が、図１３（Ｂ）に示すように、このダミーピット９ｂ
の端部付近を通過している。

【００１２】一方、第２の基板２には、チャネル溝１９
ａ，１９ｂが形成される。このチャネル溝も、吐出を目
的としないダミーピット９ｂに対応したチャネル溝１９
ｂが形成されている。この第２の基板２に接着剤１１を
塗布し、第１の基板と接合している。

【００１３】このような従来のインクジェットヘッドに
おいては、図１３（Ｂ）に示したように、厚膜樹脂層３
の表面に、ダミーピット９ｂの端部近傍に凸部２０が形
成され、この部分が最も凸であることが判明した。すな
わち、ピット列の端部となるダミーピット９ｂの端部
は、パターンエッジであるため凸状となるとともに、共
通電極１３が重なっているため、さらに盛り上がってし
まう。ピット間壁１８は幅が狭いため、多少凸になる程
度である。そして、ヘッド端近くでは、低部２１が形成
された。厚膜樹脂層３がこのような形状となるため、ダ
ミーピット９ｂの端部に形成された共通電極１３上の凸
部２０は、第２の基板２と密着し接合していても、ピッ
ト間壁１８やヘッド端近くの低部２１が密着接合不良に
なることがあり、インク流路が形成されず、インクジェ
ットヘッドとして使用することはできなかった。

【００１４】本発明の先行技術である特願平５−３０３
４１８号に記載したインクジェットヘッドでは、厚膜樹
脂層のピットのパターン端以外の部分に凸部を配置し
て、厚膜樹脂層の平坦性を向上させ、第１の基板と第２
の基板の密着接合状態の改良を図ることが記載されてい
る。

【００１５】図１４は、上記先行技術によるインクジェ
ットヘッドの構造の説明図であり、図１４（Ａ）は平面
図、図１４（Ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。図中、図１
３と同様の部分には同じ符号を付して説明を省略する。
２３は凸部である。この先行技術では、ヘッド端部の接
合面積の大きい部分に配置される共通電極１３を、ダミ
ーピット９ｂのパターン端位置から距離Ｗ離して配置し
た。距離Ｗは、一例では１００μｍ以上である。

【００１６】このようにして、両基板を接合すると、図
１４（Ｂ）に示した状態となる。共通電極１３に対応し
た厚膜樹脂層３の凸部２３が、ピット列端部の凸部２０
と分離して発生するので、凸部２０が特別高くなること
はなく、また、凸部２３により密着性が良好になった。
また、ピット間壁１８の部分も、接着剤１１により良好
に接合することができる。

【００１７】しかしながら、この先行技術においても、
凸部２０の問題を残している。凸部２０は、ヘッド端部
の接合面積の大きい部分の端部に生じるから、ピット間
壁１８の上部より高くなることは避けられない。したが
って、ヘッド端部近傍のインク流路部分に接着の十分で
ない部分が発生することがあるという問題がある。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点に鑑みてなされたもので、２枚の基板間の密着性
を、より改善し、接合品質と作製歩留まりを向上させ
て、良好なインクジェットヘッドを提供することを目的
とするものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の発熱素
子と該発熱素子に電力を供給する電極が配設され、その
上部に厚膜樹脂層を形成し、少なくとも前記発熱素子上
部の前記厚膜樹脂層にピットがパターン形成された第１
の基板と、インクの流路となる複数の溝を形成した第２
の基板を接合して作製したインクジェットヘッドにおい
て、最端部のダミーノズルに対応して設けられた前記厚
膜樹脂層のピットの幅を、他のピットの幅よりも狭く形
成するとともに、共通電極を、前記最端部のダミーノズ
ルに対応して設けられた前記厚膜樹脂層のピットの端部
から所定距離以上離して配置することを特徴とするもの
である。

【００２０】

【作用】本発明によれば、最端部のダミーピットの幅を
噴射に使用するピットの幅よりも狭く形成することによ
り、最端部のダミーピットにおける厚膜樹脂層の端部に
生じる凸部をチャネル溝の部分に逃がすことができ、基
板間の密着不良を防止できる。また、最端部のダミーピ
ット端部から共通電極までの距離を所定距離以上離すこ
とにより、共通電極により生じる凸部を、ダミーピット
端部の凸部と離すことができ、厚膜樹脂層の表面平坦性
を改善して、基板間の密着不良を、より防止できる。

【００２１】

【実施例】図１は、本発明のインクジェットヘッドの第
１の実施例の説明図であり、図１（Ａ）は平面図、図１
（Ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。図中、図１３，図１４
と同様の部分には同じ符号を付して説明を省略する。ま
ず、第１の基板１は、ＬＳＩ等の製造装置、製造方法を
用いて作成される。第１の基板１の材質は、シリコンで
ある。第１の基板１上に、蓄熱層または絶縁層となるガ
ラス層１５を形成する。ガラス層１５は、例えば、シリ
コンの基板１を熱酸化させて熱酸化膜を形成する方法
や、ＮＳＧ，ＢＰＳＧ，ＰＳＧ，などを、大気ＣＶＤ
（化学気相成長）法、熱ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、プラ
ズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成する方
法などで構成される。ガラス層１５の上に、発熱素子１
４、アドレス電極１２、共通電極１３と、保護層１６、
発熱素子保護層１７等を、例えば、各種ＣＶＤ法やスパ
ッタリング法などにより積層し、パターニングする。発
熱素子１４は、例えば、ポリシリコン、ほう化ハフニウ
ム、窒化タンタル等の抵抗体で構成される。アドレス電
極１２、共通電極１３は、例えば、アルミニウム等で構
成される。共通電極１３は、発熱素子１４の同時駆動を
行なうため、電流を１アンペア程度流すように設計され
ており、厚さは１〜２μｍ程度である。共通電極１３
は、図１（Ａ）に示すように、ダミーピット９ｂのパタ
ーンとヘッド端部の接合面積の大きい部分で、ダミーピ
ット９ｂのパターン端端との距離Ｗを７０μｍ以上離し
て構成している。発熱素子保護層１７は、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、タンタル等を、単層、または複数の
層を積層して構成される。保護層１６は、ガラス層１５
と同様の材料により構成することができる。これらの層
が積層、パターニングされた後、厚膜樹脂層３として、
感光性ポリイミドをスピンコートし、フォトリソ加工し
て、硬化後の膜厚が２０〜５０μｍ、一例では、３０μ
ｍになるようにする。ピットの配列方向の配置ピッチ
は、８５μｍとした。ピットの寸法は、インク噴射方向
にみた長さは１２０μｍ、ピット配列方向にみた幅は、
噴射に用いるピットにおいては６０μｍ、端部のダミー
ピットにおいては３０μｍとした。

【００２２】次に、第２の基板２は、シリコンから構成
される。第２の基板２上に、酸化シリコン、窒化膜等で
マスクを形成する。そして、ＫＯＨ溶液の中で結晶方位
に依存した選択的エッチング、すなわち、異方性エッチ
ング（ＯＤＥ）を施し、チャネル溝１９ａ，１９ｂや他
のインク流路を形成する。チャネル溝が形成された第２
基板に、例えば、特開昭６３−３４１５２号公報に記載
されている方法で、接着剤１１を転写塗布する。接着剤
１１としては、エポキシ系とシランカップリング剤等が
用いられる。接着剤の転写塗布厚は、１μｍ前後であ
る。その後、第１の基板１と第２の基板２は、例えば、
特開昭６１−２３０９５４号公報に記載されているよう
な、赤外線アライメント法等を用いて整合し、加圧加熱
し、密着させ、接着剤を硬化する。

【００２３】このようにして、両基板を接合すると、図
１（Ｂ）に示した状態となる。最端部のダミーピット９
ｂの幅を、噴射に使用するピット幅よりも狭く形成する
ことにより、凸部２０の位置をチャネル溝１９ｂの下に
置くことができる。このように、盛り上がりの大きい凸
部２０をチャネル溝１９ｂの空間に逃すことができ、接
着不良の改善ができる。また、最端部のダミーピット９
ｂの端部から共通電極１３までの距離Ｗを、７０μｍと
した。共通電極１３の位置を、最端部のダミーピット９
ｂの端部から離すことによって、共通電極１３の上方に
形成される凸部２３の位置を、凸部２０から離すことに
よって、厚膜樹脂層３の表面の平坦性が改善され、基板
間の密着不良を防止できる。

【００２４】図２は、最端部のダミーピット９ｂの端部
から共通電極１３までの距離Ｗを変えた場合の、厚膜樹
脂層３の表面平坦性を説明するものである。距離Ｗを、
３０μｍ，５０μｍ，７０μｍ、とした場合の、厚膜樹
脂層３の表面の平坦性を、概念的に示したものであり、
この図では理解しやすいように、基板の厚み方向を拡大
して図示している。通常のピットの幅を６０μｍ、最端
部のダミーピット９ｂの幅を３０μｍとした。

【００２５】図２（Ａ）は、Ｗ＝３０μｍの場合であ
り、ダミーピット端部の凸部と共通電極による凸部が重
なるために、凸部２４がピット間壁１８に比べて高くな
り、両者の高さの差ｄは２．０μｍと大きく、１μｍ前
後の接着剤厚みに対して、密着接合不良となっていた。

【００２６】図２（Ｂ）は、Ｗ＝５０μｍの場合であ
り、この場合でも、ダミーピット端部の凸部と共通電極
による凸部の重なりが避けられず、ｄは１．０μｍであ
り、１μｍ前後の接着剤厚みに対して、密着接合不良と
なる場合が多かった。

【００２７】図２（Ｃ）は、Ｗ＝７０μｍの場合であ
る。この場合は、ダミーピット端部の凸部２０と共通電
極による凸部２３が離れたために、これら凸部とピット
間壁１８の差ｄは、わずか０．２μｍとなり、１μｍ前
後の接着剤厚みに対し、十分密着接合できた。これらの
結果を表わした図３からも分かるように、Ｗが７０μｍ
以上の場合に、厚膜樹脂層の表面平坦性が改善された。

【００２８】なお、ダミーピットは、図１で説明したよ
うに、通常のピットの幅の半分程度の流路幅が確保され
ていれば十分であり、ダミーノズルとしての機能を確保
できるので、端部ノズルへのインク供給を安定して行な
うことができ、ヘッド端部の画質不良を改善することが
できる。

【００２９】図４は、本発明のインクジェットヘッドの
第２の実施例の説明図であり、図４（Ａ）は平面図、図
４（Ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。図中、図１，図１
３，図１４と同様の部分には同じ符号を付して説明を省
略する。９ｂ１，９ｂ２はダミーピット、１９ｂ１，１
９ｂ２はチャネル溝である。この実施例では、ダミーピ
ットが、９ｂ１，９ｂ２に示すように２個ある点が第１
の実施例と異なっている。ダミーピット４ｂ１の幅は、
インクを吐出するノズルに対応したピット９ａの幅と同
じである。最端部のダミーピット９ｂ２の幅は、ダミー
ピット９ｂ１の幅のほぼ半分である。図４（Ｂ）に示す
ように、両基板の接合，密着状態は、図１（Ｂ）と同様
であり、効果は、図１で説明した第１の実施例と同様で
あった。

【００３０】図５は、本発明のインクジェットヘッドの
第３の実施例の説明図であり、図５（Ａ）は平面図、図
５（Ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。図中、図１，図４，
図１３，図１４と同様の部分には同じ符号を付して説明
を省略する。この実施例では、図５（Ａ）に示すよう
に、発生する気泡の成長方向を規定する厚膜樹脂層３の
ピット９ａとダミーピット９ｂ１，９ｂ２の形状が、第
２の実施例と異なっている。しかし、図５（Ｂ）に示す
ように、両基板の接合，密着状態は、図１（Ｂ）と同様
であり、効果は、図１で説明した第１の実施例と同様で
あった。

【００３１】図６は、本発明のインクジェットヘッドの
第４の実施例の説明図であり、図６（Ａ）は平面図、図
６（Ｂ）はＢ−Ｂ線断面図である。図中、図１，図４，
図１３，図１４と同様の部分には同じ符号を付して説明
を省略する。２５ａ，２５ｂ１，２５ｂはパイパスピッ
トである。この実施例では、リザーバ部からノズルにイ
ンクを供給するために、各ノズルに個別のパイパスピッ
ト２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２を設けている。この場合
には、最端部のダミーピット９ｂ２に加えて、さらに最
端部の個別のバイパスピット２５ｂ２の幅も、噴射に使
用するバイパスピット１７ａの幅よりも狭く形成した。
ピット部におけるＡ−Ａ線断面図は、図４（Ｂ）と同様
であり、図示を省略するが、基板間の密着状態は良好で
あった。また、図６（Ｂ）に示すように、バイパスピッ
ト部のＢ−Ｂ線断面も、第１の実施例のピット部のＡ−
Ａ線断面図と同様に、基板間の密着状態は良好であっ
た。

【００３２】図７は、本発明のインクジェットヘッドの
第５の実施例の説明図であり、図７（Ａ）は平面図、図
７（Ｂ）はＢ−Ｂ線断面図である。図中、図１，図４，
図１３，図１４と同様の部分には同じ符号を付して説明
を省略する。２５はバイパスピットである。この実施例
では、図６で説明したバイパスピット部を複数のノズル
に対して共通のバイパスピット２５として形成した。共
通のバイパスピット２５にインク流路が連結されたノズ
ルには、リザーバ部からバイパスピット２５を介してイ
ンクが供給される。この実施例の場合には、バイパスピ
ット２５の端部は、図６で説明した最端部のダミーピッ
ト９ｂ２の端部と同じ位置とした。ピット部のＡ−Ａ線
断面図は、図４（Ｂ）と同様であり、図示は省略する
が、基板間の密着状態は良好であった。また、図７
（Ｂ）に示すように、共通のバイパスピット部のＢ−Ｂ
線断面も、第１の実施例のピット部のＡ−Ａ線断面図と
同様に、基板間の密着状態は良好であった。

【００３３】図８は、本発明のインクジェットヘッドの
第６の実施例の説明図であり、図８（Ａ）は平面図、図
８（Ｂ）はＢ−Ｂ線断面図である。図中、図１，図５，
図６，図１３，図１４と同様の部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。この実施例では、第４の実施例のよ
うに、各ノズルに個別のパイパスピット２５ａ，２５ｂ
１，２５ｂ２を用いて、リザーバ部からノズルにインク
を供給している。さらに、この実施例では、第３の実施
例と同様に、発生する気泡の成長方向を規定する厚膜樹
脂層３のピット９ａ，９ｂ１，９ｂ２の形状が、第４の
実施例と異なっている。この実施例の場合にも、最端部
の個別のバイパスピット１７ｂ２の幅を、噴射に使用す
るバイパスピット１７ａの幅よりも狭く形成した。ピッ
ト部のＡ−Ａ線断面図は、図４（Ｂ）と同様であり、図
示は省略するが、基板間の密着状態は良好であった。ま
た、図８（Ｂ）に示すように、バイパスピット部のＢ−
Ｂ線断面も、第１の実施例のピット部のＡ−Ａ線断面図
と同様に、基板間の密着状態は良好であった。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、最端部のダミーピット部の幅を、噴射に使用
するピット幅よりも狭く形成し、また、最端部のダミー
ピット端部から共通電極までの距離を、所定距離以上離
すことにより、第１の基板と第２の基板との密着接合状
態が良くなり、作製歩留まりが向上し、インク噴射特性
がより安定化するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のインクジェットヘッドの第１の実施
例の説明図である。

【図２】最端部のダミーピットの端部から共通電極ま
での距離Ｗを変えた場合の、厚膜樹脂層の表面の平坦性
を説明する断面図である。

【図３】図２の結果の説明図である。

【図４】本発明のインクジェットヘッドの第２の実施
例の説明図である。

【図５】本発明のインクジェットヘッドの第３の実施
例の説明図である。

【図６】本発明のインクジェットヘッドの第４の実施
例の説明図である。

【図７】本発明のインクジェットヘッドの第５の実施
例の説明図である。

【図８】本発明のインクジェットヘッドの第６の実施
例の説明図である。

【図９】一般的なインクジェットヘッドの外観の説明
図である。

【図１０】一般的なインクジェットヘッドの作成方法
の説明図である。

【図１１】２枚の基板間の密着不良の状態の平面図で
ある。

【図１２】２枚の基板間の密着不良の状態の断面図で
ある。

【図１３】従来のインクジェットヘッドの構造の説明
図である。

【図１４】先行技術のインクジェットヘッドの構造の
説明図である。

【符号の説明】

１…第１の基板、２…第２の基板、３…厚膜樹脂層、４
…ノズル、５…インク流入口、６…ワイヤボンディン
グ、７…インク滴、８…切断ライン、９ａ…ピット、９
ｂ，９ｂ１，９ｂ２…ダミーピット、１０…接合領域、
１１…接着剤、１２…アドレス電極、１３…共通電極、
１４…発熱素子、１５…ガラス層、１６…保護層、１７
…発熱素子保護層、１８…ピット間壁、１９ａ，１９
ｂ，１９ｂ１，１９ｂ２…チャネル溝、２０…凸部、２
１…低部、２２…ダイシング切断領域、２３，２４…凸
部、２５，２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ…パイパスピッ
ト。

フロントページの続き (72)発明者小竹直志神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者鈴木雅神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロックス株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の発熱素子と該発熱素子に電力を供
給する電極が配設され、その上部に厚膜樹脂層を形成
し、少なくとも前記発熱素子上部の前記厚膜樹脂層にピ
ットがパターン形成された第１の基板と、インクの流路
となる複数の溝を形成した第２の基板を接合して作製し
たインクジェットヘッドにおいて、最端部のダミーノズ
ルに対応して設けられた前記厚膜樹脂層のピットの幅
を、他のピットの幅よりも狭く形成するとともに、共通
電極を、前記最端部のダミーノズルに対応して設けられ
た前記厚膜樹脂層のピットの端部から所定距離以上離し
て配置することを特徴とするインクジェットヘッド。