JPH08114649A - 半導体集積回路装置のテスト装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 専用のテスト治具を用いることなく、ＣＡＥ
からの一貫したテスト方法を考慮して、開発期間の短
縮、コスト低減、ＣＡＥデータの有効活用、半導体集積
回路装置の不良箇所特定率の向上、テスト回路変更の容
易性を解決し、ＣＡＥを用いた機能テストのテスタビリ
ティが向上できる半導体集積回路装置のテスト技術を提
供する。 【構成】 テスト対象となる半導体集積回路装置のテス
ト回路を作成する論理シミュレーション用ＣＡＥ１と、
この論理シミュレーション用ＣＡＥ１に接続された半導
体集積回路装置の実チップシミュレータ２とから構成さ
れる半導体集積回路装置のテスト装置とされ、実チップ
シミュレータ２による動作結果と、論理シミュレーショ
ン用ＣＡＥ１による動作結果とが比較されて半導体集積
回路装置の機能測定が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
テスト技術に関し、特に論理シミュレーション用ＣＡＥ
（Computer Aided Engineering）を用いたテスト装置に
おいて、実チップシミュレータとのインタフェースによ
って機能テストのテスタビリティの向上が可能とされる
半導体集積回路装置のテスト装置および方法に適用して
有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置のテスト技術
において、この半導体集積回路装置の一例としてのＭＣ
Ｍ（Multi Chip Module ）の機能テストは、たとえば図
５に示すようなテストプログラム、テスト用マイコン、
テストパターン発生回路および測定部などから構成され
るテスト対象となるＭＣＭに対応する専用のテスト治具
を用いて行われている。

【０００３】すなわち、この専用テスト治具によるテス
ト方法は、テスト対象となるＭＣＭの周辺にテスト回路
を設け、このテスト回路の中にはテストプログラムを内
蔵したＲＯＭと、テストプログラムを実行するテスト用
マイコンのマイクロプロセッサとが備えられている。

【０００４】そして、まずＭＣＭにテスト回路のテスト
パターン発生回路を通じてテスト信号が入力され、ＭＣ
Ｍはこのテスト信号に対する出力信号をテスト回路の測
定部に返し、測定部ではこの信号のタイミングや電圧レ
ベルなどを判定することによって、あらかじめ設定され
た期待値と比較することによってＭＣＭのテストが行わ
れる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な専用テスト治具によるテスト技術においては、種類の
異なる半導体集積回路装置のそれぞれに対応するテスト
治具が必要となるために、ハードウェアおよびソフトウ
ェアの開発に時間がかかり、多大なマンパワーを必要と
し、さらにテスト治具のコストも高くなるという問題が
生じる。

【０００６】また、近年のように各設計工程において人
手作業を計算機で援用するＣＡＥなどで半導体集積回路
装置が設計されている場合には、このＣＡＥ上に存在す
る設計データをテストのために活用することができない
という問題も生じる。

【０００７】そこで、本発明の目的は、従来のような専
用のテスト治具を用いないこと、ＣＡＥからの一貫した
テスト方法を考慮して、開発期間の短縮、コストの低
減、ＣＡＥデータの有効活用、半導体集積回路装置の不
良箇所特定率の向上、さらにテスト回路変更の容易性に
ついて解決し、ＣＡＥを用いた機能テストのテスタビリ
ティを向上させることでができる半導体集積回路装置の
テスト装置および方法を提供することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１０】すなわち、本発明の半導体集積回路装置の
テスト装置は、ＣＡＥを用いることを特徴とするもので
あり、テスト対象となる半導体集積回路装置のテスト回
路を作成する論理シミュレーション用ＣＡＥと、この論
理シミュレーション用ＣＡＥに接続された半導体集積回
路装置の実チップシミュレータとを有し、実チップシミ
ュレータにテスト対象となる半導体集積回路装置を実装
し、その動作結果と論理シミュレーション用ＣＡＥのテ
スト回路による動作結果とを比較して、半導体集積回路
装置の機能測定を行うものである。

【００１１】この場合に、論理シミュレーション用ＣＡ
Ｅのテスト回路を、テストパターン発生手段と測定手段
とから構成し、特に半導体集積回路装置の選別を行う場
合には、テストパターン発生手段の情報による半導体集
積回路装置と同等の機能を持つ半導体モデルを用いたシ
ミュレーション結果を期待値としたり、またはこれに相
当する情報を外部から入力して、テストパターン発生手
段の情報による実チップシミュレータにおける半導体集
積回路装置を動作させた結果値を測定手段に戻し、この
測定手段において、シミュレーション結果による期待値
と、半導体集積回路装置を動作させた結果値とを比較す
るようにしたものである。

【００１２】さらに、特に半導体集積回路装置の作成段
階の評価を行う場合には、実チップシミュレータにおけ
る半導体集積回路装置を動作させた結果値に基づいて、
テストパターン発生手段および半導体モデルのパラメー
タ値を変更したり、またアナログ的な機能における選別
を行う場合には、実チップシミュレータにおける半導体
集積回路装置を動作させた結果値を半導体テスタなどに
より測定するようにしたものである。

【００１３】また、本発明の半導体集積回路装置のテス
ト方法は、論理シミュレーション用ＣＡＥ上でテスト対
象の半導体集積回路装置のテストパターン発生手段を作
成し、論理シミュレーション用ＣＡＥとインタフェース
のとれる実チップシミュレータにより半導体集積回路装
置を動作させ、その出力結果を論理シミュレーション用
ＣＡＥ上で作成した測定手段に戻し、この測定手段にお
いて、論理シミュレーション用ＣＡＥ上で半導体集積回
路装置と同等の機能を持つ半導体モデルを用いたシミュ
レーション結果と、実チップシミュレータにおける半導
体集積回路装置の動作結果とを比較して半導体集積回路
装置の機能測定を行うものである。

【００１４】

【作用】前記した半導体集積回路装置のテスト装置およ
び方法によれば、テスト対象となる半導体集積回路装置
の実チップシミュレータの他に、この半導体集積回路装
置のテスト回路を作成する論理シミュレーション用ＣＡ
Ｅを有することにより、テスト対象となる半導体集積回
路装置のテスト回路を論理シミュレーション用ＣＡＥ上
で作成することができる。

【００１５】すなわち、論理シミュレーション用ＣＡＥ
ではテスト回路を作成し、このテスト回路はテストパタ
ーン発生手段と測定手段とからなる。このテストパター
ン発生手段では、テストに必要な信号を作成し、また測
定手段では実チップシミュレータより出力される信号の
測定を行い、さらにこの測定手段にはテストの期待値が
記憶されており、実チップシミュレータの出力との比較
を行う。

【００１６】また、論理シミュレーション用ＣＡＥ上で
は、半導体集積回路装置の半導体モデルをシミュレーシ
ョンし、その結果を期待値として使用したり、またはこ
れに相当する情報を外部から入力して期待値として使用
する。

【００１７】一方、実チップシミュレータは、論理シミ
ュレーション用ＣＡＥからテストに必要な信号を受け取
り、それに合わせた信号を発生させ、半導体集積回路装
置を動作させる。この動作結果である信号を論理シミュ
レーション用ＣＡＥまたは半導体テスタに出力する。な
お、半導体テスタへは信号をそのまま出力する。

【００１８】また、半導体テスタでは、実チップシミュ
レータまたは実チップより受け取った信号の測定を行
い、この場合に論理シミュレーション用ＣＡＥより受け
取ったシミュレーション結果を期待値として用いる。

【００１９】以上により、論理シミュレーション用ＣＡ
Ｅの測定手段において、実チップシミュレータにおける
半導体集積回路装置による動作結果と、論理シミュレー
ション用ＣＡＥによる期待値とを比較することにより、
半導体集積回路装置の良否選別を行うことができる。

【００２０】また、実チップシミュレータにおける半導
体集積回路装置の動作結果に基づいて、テストパターン
発生手段および半導体モデルのパラメータ値を変更する
ことにより、半導体集積回路装置の作成段階における評
価を行うことができ、さらに半導体集積回路装置の動作
結果を半導体テスタによって測定することにより、半導
体集積回路装置のアナログ的な機能における良否選別を
可能とすることができる。

【００２１】これにより、論理シミュレーション用ＣＡ
Ｅの設計データを有効に活用し、テスト対象となる半導
体集積回路装置のテスト回路の作成期間を短縮すること
ができ、またテスト回路も容易に変更することができ、
さらに従来の専用のテスト治具の作成に比べて個々の製
品にかかるコストを安くすることができる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２３】（実施例１）図１は本発明の実施例１であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。

【００２４】まず、図１により本実施例の半導体集積回
路装置のテスト装置の構成を説明する。

【００２５】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、たとえばＣＡＥを用いた半導体集積回路装置のテ
スト装置であって、テスト対象となる半導体集積回路装
置のテスト回路を作成する論理シミュレーション用ＣＡ
Ｅ１と、この論理シミュレーション用ＣＡＥ１に接続さ
れた半導体集積回路装置の実チップシミュレータ２とか
ら構成され、実チップシミュレータ２による動作結果
と、論理シミュレーション用ＣＡＥ１による動作結果と
が比較されて半導体集積回路装置の機能測定が行われる
ようになっている。

【００２６】論理シミュレーション用ＣＡＥ１は、半導
体集積回路装置と同等の機能を持つ半導体モデル３と、
テスト回路としてのテストパターン発生回路（テストパ
ターン発生手段）４および測定部（測定手段）５とから
構成されている。テストパターン発生回路４では、テス
トに必要な入力パターンおよびタイミング情報が作成さ
れ、このテスト情報が実チップシミュレータ２に出力さ
れるとともに、このテスト情報によって半導体モデル３
がシミュレーションされる。

【００２７】また、測定部５では、半導体モデル３のシ
ミュレーション結果がテストの期待値として取り扱われ
ており、さらにこの測定部５において、実チップシミュ
レータ２より出力される出力パターンおよびタイミング
情報との比較が行われ、実チップシミュレータ２の半導
体集積回路装置の測定が行われるようになっている。

【００２８】なお、この論理シミュレーション用ＣＡＥ
１において、この中でのテストパターン、期待値などは
すべてＣＡＥのデータであり、個々の回路が持っている
ものではない。

【００２９】実チップシミュレータ２は、テスト対象と
なるＭＣＭ（半導体集積回路装置）６と、このＭＣＭ６
のシミュレーションのためのパターンコントローラ７、
タイミング発生器８および信号発生器９とから構成され
ている。この実チップシミュレータ２において、論理シ
ミュレーション用ＣＡＥ１から入力される入力パターン
およびタイミング情報が受け取られ、パターンコントロ
ーラ７、タイミング発生器８および信号発生器９を通じ
てそれに合わせた電気的信号が発生される。

【００３０】ＭＣＭ６は、タイミング発生器８および信
号発生器９からの電気的信号によって動作され、この動
作結果である出力パターンやタイミング情報は論理シミ
ュレーション用ＣＡＥ１に出力されるようになってい
る。なお、このＭＣＭ６は、数個から数十個のＩＣ（In
tegrated Circuit）チップを同一パッケージ内で相互に
結線して１つのモジュールとしたものである。

【００３１】次に、本実施例の作用について、実際にＭ
ＣＭ６の機能測定を行う場合を説明する。

【００３２】まず、論理シミュレーション用ＣＡＥ１に
おいて、テストパターン発生回路４でテストに必要な入
力パターンおよびタイミング情報を作り出す。そして、
この入力パターンおよびタイミング情報によって半導体
モデル３をシミュレーションし、その結果を実チップシ
ミュレータ２のテスト対象となるＭＣＭ６の期待値とし
て測定部５に記憶する。

【００３３】一方、論理シミュレーション用ＣＡＥ１の
テストパターン発生回路４で作成された入力パターンお
よびタイミング情報を実チップシミュレータ２に送る。
そして、実チップシミュレータ２において、入力パター
ンおよびタイミング情報を受け取り、パターンコントロ
ーラ７とタイミング発生器８によって処理した後に信号
発生器９によって電気的信号に変換する。

【００３４】さらに、この電気的信号によって実際にテ
スト対象となるＭＣＭ６を動作させ、この動作結果とし
ての出力パターンおよびタイミング情報を実チップシミ
ュレータ２から論理シミュレーション用ＣＡＥ１の測定
部５に送る。そして、測定部５において、半導体モデル
３のシミュレーション結果による期待値と、実際のＭＣ
Ｍ６の動作結果としての出力パターンおよびタイミング
情報とを比較する。

【００３５】これにより、ＭＣＭ６の機能測定におい
て、測定部５による比較測定に基づいた良否判定によっ
て、機能テストによるＭＣＭ６の良品または不良品の選
別を行うことができる。

【００３６】従って、本実施例の半導体集積回路装置の
テスト装置によれば、実チップシミュレータ２に接続さ
れる論理シミュレーション用ＣＡＥ１上で、テスト対象
となるＭＣＭ６のテスト回路としてのテストパターン発
生回路４および測定部５を作成することにより、論理シ
ミュレーション用ＣＡＥ１の測定部５において、実チッ
プシミュレータ２におけるＭＣＭ６の動作結果と、論理
シミュレーション用ＣＡＥ１における半導体モデル３の
動作結果の期待値とを比較することによって、ＭＣＭ６
の良否選別の機能測定を行うことができる。

【００３７】この場合に、テストパターン発生回路４お
よび測定部５によるテスト回路を論理シミュレーション
用ＣＡＥ１上で作成することができるので、論理シミュ
レーション用ＣＡＥ１による設計データを有効に活用
し、さらにテスト回路を容易に作成することができる上
に、このテスト回路の作成期間が短縮できる。また、従
来の専用のテスト治具を作成する場合に比べて、それぞ
れのＭＣＭ６にかかるコストを安くすることもできる。

【００３８】（実施例２）図２は本発明の実施例２であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。

【００３９】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、実施例１と同様にＣＡＥを用いた半導体集積回路
装置のテスト装置であって、テスト対象となるＭＣＭ
（半導体集積回路装置）６のテスト回路を作成する論理
シミュレーション用ＣＡＥ１ａと、この論理シミュレー
ション用ＣＡＥ１ａに接続されたＭＣＭ６の実チップシ
ミュレータ２とから構成され、実施例１との相違点は、
実施例１における半導体モデルのシミュレーション結果
に相当する情報を外部から入力する点である。

【００４０】すなわち、本実施例の論理シミュレーショ
ン用ＣＡＥ１ａは、図２に示すように、テスト回路とし
てのテストパターン発生回路（テストパターン発生手
段）４ａおよび測定部（測定手段）５ａとから構成さ
れ、論理シミュレーションＣＡＥ１ａ上での期待値を半
導体モデルのシミュレーション結果ではなく、論理シミ
ュレーション用ＣＡＥ１ａの外部から半導体モデルのシ
ミュレーション結果と同等の情報を設定することができ
るようになっている。

【００４１】従って、本実施例においても、論理シミュ
レーション用ＣＡＥ１ａの測定部５ａにおいて、実チッ
プシミュレータ２におけるＭＣＭ６の動作結果と、外部
から論理シミュレーション用ＣＡＥ１ａに入力される期
待値とを比較することによってＭＣＭ６の良否選別の機
能測定を行うことができ、この場合にも実施例１と同様
に、論理シミュレーション用ＣＡＥ１ａ上でテスト回路
を作成することができるので、論理シミュレーション用
ＣＡＥ１ａによる設計データの有効活用、テスト回路作
成の容易化および作成期間の短縮化、コストの低減を可
能とすることができる。

【００４２】（実施例３）図３は本発明の実施例３であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。

【００４３】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、実施例１および２と同様にＣＡＥを用いた半導体
集積回路装置のテスト装置であって、テスト対象となる
ＭＣＭ（半導体集積回路装置）６のテスト回路を作成す
る論理シミュレーション用ＣＡＥ１ｂと、この論理シミ
ュレーション用ＣＡＥ１ｂに接続されたＭＣＭ６の実チ
ップシミュレータ２とから構成され、実施例１および２
との相違点は、実施例１および２のようなＭＣＭ６の良
否選別の機能測定ではなく、作成段階における評価のた
めの機能測定を行う点である。

【００４４】すなわち、本実施例の論理シミュレーショ
ン用ＣＡＥ１ｂは、図３に示すように、ＭＣＭ６の半導
体モデル３ｂ、テスト回路としてのテストパターン発生
回路（テストパターン発生手段）４ｂおよび測定部（測
定手段）５ｂに加えて、さらにパラメータ変更部１０が
追加されて構成され、測定部５ｂで比較された結果をテ
ストパターン発生回路４ｂおよび半導体モデル３ｂにフ
ィードバックし、これらのパラメータをパラメータ変更
部１０により変更して、テストパターン発生回路４ｂお
よび半導体モデル３ｂのパラメータを設定することがで
きるようになっている。

【００４５】従って、本実施例においては、論理シミュ
レーション用ＣＡＥ１ｂの測定部５ｂにおいて、実チッ
プシミュレータ２におけるＭＣＭ６の動作結果と、論理
シミュレーション用ＣＡＥ１ｂにおける半導体モデル３
ｂの動作結果とを比較することによって、ＭＣＭ６の作
成段階における評価の機能測定を行うことができ、この
場合にも実施例１および２と同様に、論理シミュレーシ
ョン用ＣＡＥ１ｂ上でテスト回路を作成することができ
るので、論理シミュレーション用ＣＡＥ１ｂによる設計
データの有効活用、テスト回路作成の容易化および作成
期間の短縮化、コストの低減に加えて、さらにＭＣＭの
不良箇所の特定が容易になるとともに、テスト回路の変
更を容易に行うことができる。

【００４６】（実施例４）図４は本発明の実施例４であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。

【００４７】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、実施例１〜３と同様にＣＡＥを用いた半導体集積
回路装置のテスト装置であって、テスト対象となるＭＣ
Ｍ（半導体集積回路装置）６のテスト回路を作成する論
理シミュレーション用ＣＡＥ１ｃと、この論理シミュレ
ーション用ＣＡＥ１ｃに接続されたＭＣＭ６の実チップ
シミュレータ２とから構成され、実施例１〜３との相違
点は、アナログ的な機能における選別のための機能測定
を行う点である。

【００４８】すなわち、本実施例のテスト装置は、図４
に示すように論理シミュレーション用ＣＡＥ１ｃ、実チ
ップシミュレータ２に加えて、さらに半導体テスタ１１
が追加されて構成され、論理シミュレーション用ＣＡＥ
１ｃには、ＭＣＭ６と同等の機能を持つ半導体モデル３
ｃと、テスト回路としてのテストパターン発生回路（テ
ストパターン発生手段）４ｃのみが設けられ、また半導
体テスタ１１には、実チップシミュレータ２のテスト対
象となるＭＣＭ６と同等のＭＣＭ１２と、実施例１にお
ける論理シミュレーション用ＣＡＥの測定部と同等のテ
スト回路としての測定部（測定手段）１３が設けられて
いる。

【００４９】これにより、論理シミュレーション用ＣＡ
Ｅ１ｃにおいて、テストパターン発生回路４ｃで作成さ
れた入力パターンおよびタイミング情報によって半導体
モデル３ｃをシミュレーションし、その結果を半導体テ
スタ１１の測定部１３に送り、また入力パターンおよび
タイミング情報を実チップシミュレータ２に送り、ＭＣ
Ｍ６の動作結果を半導体テスタ１１の測定部１３に送
り、この測定部１３において、半導体モデル３ｃのシミ
ュレーション結果による期待値と、実際のＭＣＭ６の動
作結果としての出力パターンおよびタイミング情報とを
比較してディジタル的な機能測定を行うことができる。

【００５０】同時に、論理シミュレーション用ＣＡＥ１
ｃのテストパターン発生回路４ｃから直接、入力パター
ンおよびタイミング情報を半導体テスタ１１のＭＣＭ１
２に送り、これによってシミュレーションにより測定不
可能な電流値などのアナログ的な機能測定を行うことも
できるようになっている。

【００５１】従って、本実施例においては、半導体テス
タ１１の測定部１３において、実チップシミュレータ２
におけるＭＣＭ６の動作結果と、論理シミュレーション
用ＣＡＥ１ｃにおける半導体モデル３ｃの動作結果とを
比較することによって、ＭＣＭ６のディジタル的な良否
選別の機能測定を行うことができると同時に、電流値な
どのアナログ的な機能測定も行うことができ、この場合
にも実施例１〜３と同様に、論理シミュレーション用Ｃ
ＡＥ１ｃ上でテスト回路を作成することができるので、
論理シミュレーション用ＣＡＥ１ｃによる設計データの
有効活用、テスト回路作成の容易化および作成期間の短
縮化、コストの低減、テスト回路変更の容易性に加え
て、さらに論理シミュレーション用ＣＡＥ１ｃ、半導体
テスタ１１との組み合わせによる新しいテスト方法を実
現することができる。

【００５２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１〜４に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５３】たとえば、前記実施例の半導体集積回路装
置のテスト装置については、一例としてのＭＣＭ６をテ
スト対象とする場合について説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、他の半導体集積回路
装置、特により多機能・複雑化された構造の半導体集積
回路装置についても広く適用可能である。

【００５４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５５】(1).テスト対象となる半導体集積回路装置
のテスト回路を作成する論理シミュレーション用ＣＡＥ
と、この論理シミュレーション用ＣＡＥに接続された半
導体集積回路装置の実チップシミュレータとを有するこ
とにより、実チップシミュレータによる動作結果と論理
シミュレーション用ＣＡＥのテスト回路による動作結果
とを比較して、半導体集積回路装置の機能測定を行うこ
とができるので、半導体集積回路装置のテスト回路を論
理シミュレーション用ＣＡＥ上で作成することが可能と
なる。

【００５６】(2).前記(1) において、論理シミュレーシ
ョン用ＣＡＥのテストパターン発生手段の情報による半
導体モデルを用いたシミュレーション結果を期待値とし
たり、またはこれに相当する情報を外部から入力して期
待値として、テストパターン発生手段の情報による実チ
ップシミュレータにおける半導体集積回路装置を動作さ
せた結果値とを比較することにより、半導体集積回路装
置の選別の機能測定において、論理シミュレーション用
ＣＡＥの設計データを有効に活用し、かつテスト回路を
容易に作成することができる上に、このテスト回路の作
成期間が短縮でき、さらに専用のテスト治具を作成する
場合に比べてコストの低減が可能となる。

【００５７】(3).前記(1) において、実チップシミュレ
ータにおける半導体集積回路装置を動作させた結果値に
基づいて、テストパターン発生手段および半導体モデル
のパラメータ値を変更することにより、特に半導体集積
回路装置の作成段階における評価の機能測定を行うこと
ができ、この場合にも前記(2) の効果に加えて、さらに
半導体集積回路装置の不良箇所の特定が容易になるとと
もに、テスト回路の変更が容易に可能となる。

【００５８】(4).前記(1) において、実チップシミュレ
ータにおける半導体集積回路装置を動作させた結果値を
半導体テスタにより測定することにより、特に半導体集
積回路装置のディジタル的な選別の機能測定を行うこと
ができると同時に、アナログ的な機能測定も行うことが
でき、この場合にも前記(3) の効果に加えて、さらに論
理シミュレーション用ＣＡＥと半導体テスタとの組み合
わせによる新しいテスト方法の実現が可能となる。

【００５９】(5).前記(1) 〜(4) により、従来のような
専用のテスト治具を不要とし、かつＣＡＥからの一貫し
た新しいテスト方法を考慮して、開発期間の短縮、開発
費用の低減、ＣＡＥデータの有効活用、半導体集積回路
装置の不良箇所特定率の向上、さらにテスト回路変更の
容易性について解決し、ＣＡＥを用いた機能テストのテ
スタビリティの向上が可能とされる半導体集積回路装置
のテスト技術を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。

【図２】本発明の実施例２である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。

【図３】本発明の実施例３である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。

【図４】本発明の実施例４である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。

【図５】従来技術の一例である半導体集積回路装置の専
用テスト治具を示す機能ブロック図である。

【符号の説明】

１，１ａ〜１ｃ 論理シミュレーション用ＣＡＥ ２ 実チップシミュレータ ３，３ｂ，３ｃ 半導体モデル ４，４ａ〜４ｃ テストパターン発生回路（テストパタ
ーン発生手段） ５，５ａ，５ｂ 測定部（測定手段） ６ ＭＣＭ（半導体集積回路装置） ７ パターンコントローラ ８ タイミング発生器 ９ 信号発生器 １０ パラメータ変更部 １１ 半導体テスタ １２ ＭＣＭ １３ 測定部（測定手段）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＣＡＥを用いた半導体集積回路装置のテ
   スト装置であって、テスト対象となる前記半導体集積回
   路装置のテスト回路を作成する論理シミュレーション用
   ＣＡＥと、該論理シミュレーション用ＣＡＥに接続され
   た前記半導体集積回路装置の実チップシミュレータとを
   有し、該実チップシミュレータによる動作結果と前記論
   理シミュレーション用ＣＡＥのテスト回路による動作結
   果とを比較して、前記半導体集積回路装置の機能測定を
   行うことを特徴とする半導体集積回路装置のテスト装
   置。
2. 【請求項２】 前記論理シミュレーション用ＣＡＥのテ
   スト回路を、テストパターン発生手段と測定手段とから
   構成し、前記テストパターン発生手段の情報による前記
   半導体集積回路装置と同等の機能を持つ半導体モデルを
   用いたシミュレーション結果を期待値として、前記テス
   トパターン発生手段の情報による前記実チップシミュレ
   ータにおける前記半導体集積回路装置を動作させた結果
   値を前記測定手段に戻し、該測定手段において、前記シ
   ミュレーション結果による期待値と、前記半導体集積回
   路装置を動作させた結果値とを比較することを特徴とす
   る請求項１記載の半導体集積回路装置のテスト装置。
3. 【請求項３】 前記半導体集積回路装置のシミュレーシ
   ョン結果による期待値に相当する情報を外部から入力す
   ることを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置
   のテスト装置。
4. 【請求項４】 前記実チップシミュレータにおける前記
   半導体集積回路装置を動作させた結果値に基づいて、前
   記テストパターン発生手段および前記半導体モデルのパ
   ラメータ値を変更することを特徴とする請求項２または
   ３記載の半導体集積回路装置のテスト装置。
5. 【請求項５】 前記実チップシミュレータにおける前記
   半導体集積回路装置を動作させた結果値を半導体テスタ
   により測定することを特徴とする請求項２、３または４
   記載の半導体集積回路装置のテスト装置。
6. 【請求項６】 ＣＡＥを用いた半導体集積回路装置のテ
   スト方法であって、論理シミュレーション用ＣＡＥ上で
   テスト対象の前記半導体集積回路装置のテストパターン
   発生手段を作成し、前記論理シミュレーション用ＣＡＥ
   とインタフェースのとれる実チップシミュレータにより
   前記半導体集積回路装置を動作させ、その出力結果を前
   記論理シミュレーション用ＣＡＥ上で作成した測定手段
   に戻し、この測定手段において、前記論理シミュレーシ
   ョン用ＣＡＥ上で前記半導体集積回路装置と同等の機能
   を持つ半導体モデルを用いたシミュレーション結果と、
   前記実チップシミュレータにおける前記半導体集積回路
   装置の動作結果とを比較して、前記半導体集積回路装置
   の機能測定を行うことを特徴とする半導体集積回路装置
   のテスト方法。