JPH08102570A - Ceramic circuit board - Google Patents
Ceramic circuit boardInfo
- Publication number
- JPH08102570A JPH08102570A JP23760794A JP23760794A JPH08102570A JP H08102570 A JPH08102570 A JP H08102570A JP 23760794 A JP23760794 A JP 23760794A JP 23760794 A JP23760794 A JP 23760794A JP H08102570 A JPH08102570 A JP H08102570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- circuit board
- ceramics
- ceramic circuit
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基板の両
面に金属板が接合されたセラミックス回路基板に係り、
特に熱サイクル特性の向上を図ったセラミックス回路基
板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramics circuit board in which metal plates are bonded to both sides of a ceramics board.
In particular, the present invention relates to a ceramic circuit board with improved heat cycle characteristics.
【０００２】[0002]
【従来の技術】セラミックス基板を半導体素子の搭載基
板等として利用する場合には、素子搭載部や回路パター
ンの形成等を目的として、セラミックス基板に銅板等の
金属板を接合することが行われている。このようなセラ
ミックス基板と金属板との接合方法としては、従来か
ら、MoやW 等の高融点金属を用いる方法や、4A族元素や
5A族元素のような活性金属を用いる方法等が知られてお
り、中でも、高強度、高封着性、高信頼性等が得られる
ことから、活性金属法が多用されている。2. Description of the Related Art When a ceramic substrate is used as a mounting substrate for semiconductor elements, a metal plate such as a copper plate is joined to the ceramic substrate for the purpose of forming an element mounting portion or a circuit pattern. There is. As a method of joining such a ceramic substrate and a metal plate, conventionally, a method of using a refractory metal such as Mo or W, a group 4A element or
A method using an active metal such as a 5A group element is known, and among them, the active metal method is widely used because it can obtain high strength, high sealing property, high reliability and the like.
【０００３】上記活性金属法は、Ti、Zr、Nb等の活性金
属を添加したろう材を用いたろう付け法や、セラミック
ス基板と金属部材との間に活性金属の箔や粉体を介在さ
せ、加熱接合する方法（固相拡散接合）等として利用さ
れている。一般的には、取扱い性や処理のしやすさ等か
ら、CuとAgとの共晶ろう材（Ag:72wt%）にTi等の活性金
属を添加し、これをセラミックス基板と金属板との間に
介在させ、適当な温度で熱処理して接合する方法が採用
されている。The above-mentioned active metal method is a brazing method using a brazing material to which an active metal such as Ti, Zr or Nb is added, or an active metal foil or powder is interposed between a ceramic substrate and a metal member. It is used as a method of heat bonding (solid phase diffusion bonding) and the like. Generally, for ease of handling and processing, an active metal such as Ti is added to a eutectic brazing filler metal (Ag: 72 wt%) of Cu and Ag, and this is used as a material for the ceramic substrate and metal plate. A method of interposing them and performing heat treatment at an appropriate temperature for joining is adopted.
【０００４】上述したような活性金属法を利用して、セ
ラミックス基板に素子搭載部や回路パターンを形成する
場合、金属板接合時や素子搭載用のハンダリフロー時の
加熱によるセラミックス基板の反り等を抑制する上で、
セラミックス基板の裏面側にも金属板を接合することが
行われている。この裏面側の金属板は、放熱用部材とし
ても機能するものである。When an element mounting portion or a circuit pattern is formed on a ceramic substrate by using the active metal method as described above, warpage of the ceramic substrate due to heating at the time of joining metal plates or at the time of solder reflow for mounting the element, etc. In suppressing
A metal plate is also joined to the back surface side of the ceramic substrate. The metal plate on the back side also functions as a heat dissipation member.
【０００５】セラミックス基板の表裏両面に金属板を接
合したセラミックス回路基板は、通常、表面側の金属板
（素子搭載側金属部材）に回路等を形成して、半導体素
子等を搭載すると共に、裏面側の金属板（放熱側金属
板）を利用して、銅部材等からなるベース板と接合して
モジュール化することが一般的である。A ceramic circuit board in which metal plates are joined to both front and back surfaces of a ceramic substrate is usually formed with a circuit or the like on a metal plate on the front surface side (element mounting side metal member) to mount semiconductor elements and the like, and at the same time, back surface. It is common to use a side metal plate (heat dissipation side metal plate) to join with a base plate made of a copper member or the like to form a module.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなセラミックス回路基板には、セラミックス基板と金
属板との強固な接合が求められる一方で、セラミックス
基板と金属板との熱膨張係数の差等に起因する欠点、す
なわち接合後の冷却過程や熱サイクルの付加により、熱
膨張差に起因して生じる応力による信頼性の低下やクラ
ックの発生等を防止することが求められている。By the way, while the ceramic circuit board as described above is required to have strong bonding between the ceramic board and the metal plate, the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic board and the metal plate, etc. It is required to prevent a decrease in reliability, a crack, and the like due to a stress caused by a difference in thermal expansion due to a defect caused by the above, that is, a cooling process after joining and the addition of a heat cycle.
【０００７】しかしながら、従来のセラミックス回路基
板では、高接合強度は得られても、熱サイクル特性に関
しては十分な信頼性が得られないという問題があった。
特に、近年の半導体素子の高集積化、高周波化、大電力
化等によって、半導体素子からの放熱量は飛躍的に増大
しており、搭載基板側への熱伝達量が増加していること
から、熱サイクルに対する信頼性の向上を図ることが強
く望まれている。However, the conventional ceramics circuit board has a problem in that, although high bonding strength is obtained, sufficient reliability cannot be obtained in terms of heat cycle characteristics.
In particular, the amount of heat radiated from semiconductor elements has increased dramatically due to the recent higher integration, higher frequency, higher power consumption, etc. of semiconductor elements, and the amount of heat transfer to the mounting board side has increased. Therefore, it is strongly desired to improve the reliability of the heat cycle.
【０００８】さらに、上述したようなセラミックス回路
基板を銅ベース板等と接合して構成した半導体モジュー
ルにおいては、セラミックス基板と銅ベース板との熱膨
張係数の差も問題となる。すなわち、セラミックス基板
と銅ベース板とは、放熱側金属板（裏面側金属板）を介
して接合されているため、熱サイクルの付加等によっ
て、セラミックス基板と銅ベース板との熱膨張差に起因
する応力がセラミックス基板に加わり、セラミックス基
板と銅ベース板との接合の信頼性が低下したり、さらに
はセラミックス基板にクラックが生じる等の問題を招い
ていた。Further, in the semiconductor module constructed by joining the above-mentioned ceramic circuit board to a copper base plate or the like, the difference in the coefficient of thermal expansion between the ceramic substrate and the copper base plate is also a problem. That is, since the ceramics substrate and the copper base plate are joined via the heat radiation side metal plate (rear side metal plate), due to the addition of a heat cycle or the like, the difference in thermal expansion between the ceramics substrate and the copper base plate is caused. The resulting stress is applied to the ceramics substrate, and the reliability of the bonding between the ceramics substrate and the copper base plate is reduced, and further, the ceramics substrate is cracked.
【０００９】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、熱サイクル特性の向上を図ったセラ
ミックス回路基板、また特にモジュール化した場合の熱
サイクルに対する信頼性の向上を図ったセラミックス回
路基板を提供することを目的としている。The present invention has been made in order to solve the above problems, and aims to improve the reliability of a ceramic circuit board with improved thermal cycle characteristics, and especially with respect to a thermal cycle when modularized. It is intended to provide a ceramics circuit board.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段と作用】本発明のセラミッ
クス回路基板において、請求項１記載のセラミックス回
路基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板
の一方の主面に接合された素子搭載側金属板と、前記セ
ラミックス基板の他方の主面に接合された放熱側金属板
とを有するセラミックス回路基板において、前記素子搭
載側金属板は、少なくとも銅を含む金属材料からなると
共に、前記放熱側金属板は、線膨張係数が前記素子搭載
側金属板より小さく、かつ前記セラミックス基板より大
きい金属材料からなることを特徴としている。In the ceramics circuit board of the present invention, the ceramics circuit board according to claim 1 is a ceramics board and an element mounting side metal plate joined to one main surface of the ceramics board. And a heat dissipation side metal plate joined to the other main surface of the ceramics substrate, the element mounting side metal plate is made of a metal material containing at least copper, and the heat dissipation side metal plate is The linear expansion coefficient is smaller than that of the element mounting side metal plate and is larger than that of the ceramic substrate.
【００１１】また、請求項２記載のセラミックス回路基
板は、請求項１記載のセラミックス回路基板において、
前記放熱側金属板は、前記素子搭載側金属板の 1/2以下
の厚さを有することを特徴としている。A ceramic circuit board according to a second aspect is the ceramic circuit board according to the first aspect,
The heat dissipation side metal plate has a thickness of 1/2 or less of the element mounting side metal plate.
【００１２】請求項３記載のセラミックス回路基板は、
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の主面に接
合された金属板とを有するセラミックス回路基板におい
て、前記金属板は、接合後のビッカーズ硬度が60以上で
あることを特徴としている。本発明に用いられるセラミ
ックス基板は、特にその材質に限定されるものではな
く、窒化アルミニウム焼結体、窒化ケイ素焼結体、酸化
アルミニウム焼結体等の各種セラミックス焼結体からな
る基板を適用することができる。特に、窒化アルミニウ
ム基板、窒化ケイ素基板等は、熱伝導率が大きいことか
ら好ましいセラミックス基板と言える。The ceramic circuit board according to claim 3 is
In a ceramic circuit board having a ceramic substrate and a metal plate bonded to the main surface of the ceramic substrate, the metal plate has a Vickers hardness of 60 or more after bonding. The ceramic substrate used in the present invention is not particularly limited to its material, and a substrate made of various ceramic sintered bodies such as an aluminum nitride sintered body, a silicon nitride sintered body, and an aluminum oxide sintered body is applied. be able to. In particular, an aluminum nitride substrate, a silicon nitride substrate and the like are preferable ceramics substrates because they have high thermal conductivity.
【００１３】請求項１および請求項２記載のセラミック
ス回路基板において、素子搭載側金属板は、電気伝導
性、熱伝導性、はんだ濡れ性等の点から、少なくとも銅
を含む金属材料により構成するものとする。この少なく
とも銅を含む金属材料としては、純銅、銅合金、銅を含
むクラッド材等が例示される。このような素子搭載側金
属板の厚さは、特に限定されるものではないが、 0.2〜
0.5mmの範囲とすることが好ましい。素子搭載側金属板
の厚さが 0.2mm未満であると、回路に流れる電流が限定
されることになり、また 0.5mmを超えるとセラミックス
基板に生じる応力が増大してクラックが生じやすくな
る。In the ceramic circuit board according to any one of claims 1 and 2, the element-mounting side metal plate is made of a metal material containing at least copper in terms of electrical conductivity, thermal conductivity, solder wettability, and the like. And Examples of the metal material containing at least copper include pure copper, a copper alloy, and a clad material containing copper. The thickness of such an element mounting side metal plate is not particularly limited, but is 0.2 to
A range of 0.5 mm is preferable. If the thickness of the element mounting side metal plate is less than 0.2 mm, the current flowing in the circuit is limited, and if it exceeds 0.5 mm, the stress generated in the ceramic substrate increases and cracks are likely to occur.
【００１４】セラミックス基板の他方の主面（裏面）に
接合される放熱側金属板は、線膨張係数が上述した素子
搭載側金属板より小さく、かつセラミックス基板より大
きい金属材料からなるものである。ここで、本発明で言
う線膨張係数とは、 293〜1123Kの温度範囲の線膨張係
数を指すものとする。具体的な放熱側金属板の線膨張係
数は、 6.0×〜14.0×10-6/Kの範囲であることが好まし
い。放熱側金属板の線膨張係数が 6.0×10-6/K未満であ
ると、モジュール形成時に銅等からなるベース板と放熱
側金属板とを半田付けする際に、ベース板との熱膨張差
が大きくなって応力的に好ましくなく、また14.0×10-6
/Kを超えると、やはりセラミックス基板に生じる応力の
緩和効果を十分に得ることができないおそれがある。The heat dissipation side metal plate joined to the other main surface (rear surface) of the ceramics substrate is made of a metal material having a linear expansion coefficient smaller than that of the element mounting side metal plate and larger than that of the ceramics substrate. Here, the linear expansion coefficient referred to in the present invention refers to the linear expansion coefficient in the temperature range of 293 to 1123K. A specific linear expansion coefficient of the metal plate on the heat dissipation side is preferably in the range of 6.0 × to 14.0 × 10 −6 / K. If the thermal expansion side metal plate has a coefficient of linear expansion of less than 6.0 × 10 -6 / K, the thermal expansion difference between the base plate made of copper and the heat dissipation side metal plate is soldered when forming the module. Becomes large and is not preferable in terms of stress, and 14.0 × 10 -6
If / K is exceeded, the effect of relaxing the stress generated in the ceramic substrate may not be sufficiently obtained.
【００１５】上記したような線膨張係数を満足する金属
材料としては、 Fe-Ni系合金例えばインバー、モネル、
インコネル、42アロイ、Fe-Ni-Co系合金例えばコバール
等が例示される。なお、例えばセラミックス基板の代表
例である AlNの線膨張係数は4.4〜 4.9×10-6/K、Si3 N
4 の線膨張係数は 2.8〜 3.2×10-6/K、Al2 O 3 の線
膨張係数は 6.7〜 7.1×10-6/Kであり、またCuの線膨張
係数は16.7×10-6/Kである。Examples of the metal material satisfying the above-mentioned linear expansion coefficient include Fe--Ni alloys such as Invar, Monel,
Examples include Inconel, 42 alloy, and Fe-Ni-Co alloys such as Kovar. For example, the linear expansion coefficient of AlN, which is a typical example of a ceramic substrate, is 4.4 to 4.9 × 10 -6 / K, Si 3 N
The linear expansion coefficient of 4 is 2.8 to 3.2 × 10 -6 / K, the linear expansion coefficient of Al 2 O 3 is 6.7 to 7.1 × 10 -6 / K, and the linear expansion coefficient of Cu is 16.7 × 10 -6 / K. K.
【００１６】放熱側金属板として、線膨張係数がセラミ
ックス基板に比較的近い金属材料を用いることによっ
て、接合後にセラミックス基板に生じる応力が低減され
ると共に、例えばセラミックス基板に比べて線膨張係数
が大きい銅製のベース板に、放熱側金属板を介してセラ
ミックス回路基板を接合したとしても、線膨張係数がセ
ラミックス基板に比較的近い放熱側金属板が緩衝材とし
て作用するため、セラミックス基板に生じる応力を低減
することができる。これにより、セラミックス回路基板
を用いたモジュール、例えば半導体モジュールの熱サイ
クル特性に対する信頼性を向上させることができる。言
い換えると、セラミックス回路基板を半導体モジュール
等とする場合には、放熱側金属板の線膨張係数はベース
板より小さく、かつセラミックス基板より大きいことが
好ましい。By using a metal material having a linear expansion coefficient relatively close to that of the ceramics substrate as the heat dissipation side metal plate, the stress generated in the ceramics substrate after bonding is reduced, and the linear expansion coefficient is larger than that of the ceramics substrate, for example. Even if the ceramics circuit board is joined to the copper base plate via the heat dissipation side metal plate, the stress on the ceramics substrate is reduced because the heat dissipation side metal plate whose linear expansion coefficient is relatively close to that of the ceramics substrate acts as a buffer material. It can be reduced. As a result, the reliability of the module using the ceramic circuit board, for example, the semiconductor module, with respect to the thermal cycle characteristics can be improved. In other words, when the ceramic circuit board is used as a semiconductor module or the like, it is preferable that the metal plate on the heat radiation side has a coefficient of linear expansion smaller than that of the base plate and larger than that of the ceramic substrate.
【００１７】上述したような放熱側金属板の厚さは、素
子搭載側金属板の厚さと同等としてもよいが、特に素子
搭載側金属板の厚さの 1/2以下とすることが好ましい。
上述したインバー、42アロイ、コバール等の合金は、降
伏応力が大きいため、セラミックス基板の接合面に対し
て凹状に反りやすく、セラミックス回路基板の反りを増
大させる可能性があるが、放熱側金属板の厚さを素子搭
載側金属板の厚さの1/2以下とすることにより、上記反
りの発生を抑制することができる。さらに、放熱側金属
板の板厚を薄くすることによって、銅製のベース板等へ
の熱伝達が向上するため、セラミックス回路基板の放熱
性の点からも好ましい。ただし、あまり薄くても、逆に
反りの原因となったり、セラミックス基板に生じる応力
の緩和効果が低減するため、 0.1mm以上とすることが好
ましい。The thickness of the metal plate on the heat radiation side as described above may be equal to the thickness of the metal plate on the element mounting side, but it is particularly preferably 1/2 or less of the thickness of the metal plate on the element mounting side.
The alloys such as Invar, 42 alloy, and Kovar described above have a large yield stress, so they tend to warp concavely to the bonding surface of the ceramics substrate, which may increase the warpage of the ceramics circuit board. It is possible to suppress the occurrence of the warp by setting the thickness of the element to 1/2 or less of the thickness of the element mounting side metal plate. Further, by reducing the thickness of the heat radiation side metal plate, heat transfer to the copper base plate and the like is improved, which is also preferable from the viewpoint of heat radiation of the ceramic circuit board. However, if it is too thin, on the contrary, it causes warpage and reduces the effect of relaxing the stress generated in the ceramic substrate, so that it is preferably 0.1 mm or more.
【００１８】素子搭載側金属板および放熱側金属板とセ
ラミックス基板との接合は、一般的な4A族元素や5A族元
素等の活性金属を含むろう材（以下、活性金属ろう材と
称する）を用いた活性金属ろう付け法や、活性金属の箔
や粉体を用いた活性金属固相接合法等により行う。例え
ば、活性金属ろう材としては、例えば Ag-Cuの共晶組成
（72wt%Ag-28wt%Cu)もしくはその近傍の組成のろう材を
主成分とし、これにTi、Zr、HfおよびNbから選ばれた少
なくとも 1種の活性金属を添加したものや、Cuに同様な
活性金属を添加したもの等が例示される。また、このよ
うな活性金属ろう材にInやSn等を添加して、融点を低下
させた低融点活性金属ろう材を使用することも可能であ
る。For joining the element mounting side metal plate and the heat radiation side metal plate to the ceramic substrate, a brazing material containing an active metal such as a general 4A group element or a 5A group element (hereinafter referred to as an active metal brazing material) is used. The active metal brazing method used, the active metal solid phase bonding method using an active metal foil or powder, and the like are used. For example, as the active metal brazing material, for example, a brazing material having a eutectic composition of Ag-Cu (72wt% Ag-28wt% Cu) or a composition in the vicinity thereof is used as a main component, and Ti, Zr, Hf and Nb are selected. Examples thereof include those to which at least one active metal is added, those to which similar active metals are added to Cu, and the like. It is also possible to add In, Sn, or the like to such an active metal brazing material to use a low melting point active metal brazing material having a lowered melting point.
【００１９】上記した活性金属ろう材の組成は、ろう材
の全量に対して活性金属量を 2〜 6質量% の範囲とする
ことが好ましく、また低融点活性金属ろう材中のInやSn
の量は12〜20質量% の範囲とすることが好ましい。活性
金属量が 2質量% 未満であると、セラミックス基板への
十分な接合がなされず、 6質量% を超えると逆に熱サイ
クル特性の低下を招くおそれがある。また、InやSn量が
12質量% 未満であると、融点の低下効果を十分に得るこ
とができず、また20質量% を超えると、脆弱な金属間化
合物が生成しやすくなる。The composition of the above-mentioned active metal brazing material is preferably such that the amount of the active metal is in the range of 2 to 6 mass% with respect to the total amount of the brazing material, and In or Sn in the low melting point active metal brazing material is used.
The amount is preferably in the range of 12 to 20% by mass. If the amount of the active metal is less than 2% by mass, sufficient bonding to the ceramic substrate cannot be achieved, and if it exceeds 6% by mass, the thermal cycle characteristics may be deteriorated. In addition, the amount of In and Sn is
If it is less than 12% by mass, the effect of lowering the melting point cannot be sufficiently obtained, and if it exceeds 20% by mass, a brittle intermetallic compound is likely to be formed.
【００２０】活性金属ろう材を用いた場合の接合温度は
1073〜 1173K程度であり、また低融点活性金属ろう材を
用いた場合には、InやSnの添加によりろう材の融点が低
下するため、 973〜 1073K程度の温度で接合することが
できる。このように、低融点活性金属ろう材を用いるこ
とによって、接合温度を低下させることができるため、
接合温度を低下させた分だけ残留応力が小さくなり、よ
ってセラミックス回路基板の熱サイクル特性を向上させ
ることができる。The joining temperature when the active metal brazing material is used is
When the low melting point active metal brazing filler metal is used, the melting point of the brazing filler metal is lowered by the addition of In or Sn, so that the joining can be performed at a temperature of about 973 to 1073K. As described above, by using the low melting point active metal brazing material, the bonding temperature can be lowered,
The residual stress is reduced by the amount corresponding to the lowering of the bonding temperature, so that the thermal cycle characteristics of the ceramic circuit board can be improved.
【００２１】次に、請求項３記載のセラミックス回路基
板について述べる。請求項３記載のセラミックス回路基
板においては、金属板の接合後のビッカーズ硬度を60以
上としている。例えば、金属板として銅板を用いる場
合、銅板の接合前のビッカーズ硬度は、通常65以上ある
が、接合後は接合時の加熱による銅の再結晶や塑性変形
等により例えば60未満まで低下する。このように、金属
板が軟化したセラミックス回路基板に熱サイクルを印加
すると、金属板の硬度は次第に大きくなり、繰り返し硬
化の挙動を示す。そして、熱サイクルによる硬度の増加
割合が大きいほど、セラミックス基板に発生する応力は
大きくなり、クラック等が発生しやすくなる。また、上
記したような銅の再結晶は、表面粗さ（例えばＲmax ）
の増加をももたらす。Next, the ceramic circuit board according to claim 3 will be described. In the ceramic circuit board according to the third aspect, the Vickers hardness after joining the metal plates is 60 or more. For example, when a copper plate is used as the metal plate, the Vickers hardness before joining the copper plates is usually 65 or more, but after joining, the Vickers hardness decreases to less than 60, for example, due to recrystallization of copper or plastic deformation due to heating during joining. As described above, when a thermal cycle is applied to the ceramic circuit board in which the metal plate is softened, the hardness of the metal plate gradually increases, and the behavior of repeated hardening is exhibited. The greater the rate of increase in hardness due to the heat cycle, the greater the stress generated in the ceramic substrate, and the more likely cracks and the like occur. Further, the recrystallization of copper as described above has a surface roughness (for example, R max ).
Also brings an increase in
【００２２】これに対して、接合後の金属板のビッカー
ズ硬度が60以上であると、熱サイクルの印加による硬度
の増加割合を小さくすることができる。すなわち、接合
後の時点で金属板のビッカーズ硬度が依然60以上であれ
ば、熱サイクルの印加によるセラミックス基板への応力
を緩和することができ、クラック等の発生を防止するこ
とが可能となる。これにより、セラミックス回路基板の
熱サイクルに対する信頼性を向上させることができる。On the other hand, when the Vickers hardness of the metal plate after joining is 60 or more, the rate of increase in hardness due to the application of the heat cycle can be reduced. That is, if the Vickers hardness of the metal plate is still 60 or more after the joining, the stress on the ceramic substrate due to the application of the heat cycle can be relieved, and the occurrence of cracks can be prevented. Thereby, the reliability of the ceramic circuit board with respect to the thermal cycle can be improved.
【００２３】上述したような接合後のビッカーズ硬度が
60以上である金属板は、例えば銅や銅合金からなる金属
板を用いる場合、加熱接合温度を低下させて、銅の再結
晶度合いを低下させることにより得られる。このような
再結晶の度合いが少ない銅板や銅合金からなる金属板を
得る際には、セラミックス基板と金属板との接合材とし
て、前述したInやSnを添加した低融点活性金属ろう材が
好適である。さらに、ビッカーズ硬度が60以上あるよう
な再結晶状態であれば、例えばＲmax を 3.5μm 以下と
することができ、エッチングによるパターニング性等も
向上する。The Vickers hardness after joining as described above is
The metal plate having a number of 60 or more can be obtained by lowering the heating and joining temperature to reduce the recrystallization degree of copper when using a metal plate made of copper or a copper alloy, for example. When obtaining a metal plate made of a copper plate or a copper alloy having such a low degree of recrystallization, a low melting point active metal brazing material containing In or Sn as described above is suitable as a bonding material between the ceramics substrate and the metal plate. Is. Furthermore, in the recrystallized state where the Vickers hardness is 60 or more, for example, R max can be set to 3.5 μm or less, and the patterning property by etching is improved.
【００２４】また、接合後のビッカーズ硬度が60以上で
ある金属板としては、NiやNi合金、Ti合金等からなる金
属板を用いることによっても達成することができる。た
だし、導電性等の点から、上記再結晶の度合いを低下さ
せた銅板もしくは銅合金板を用いることが好ましい。The metal plate having a Vickers hardness of 60 or more after joining can also be achieved by using a metal plate made of Ni, Ni alloy, Ti alloy or the like. However, from the viewpoint of conductivity and the like, it is preferable to use a copper plate or a copper alloy plate having a reduced degree of recrystallization.
【００２５】[0025]
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described.
【００２６】実施例１ まず、セラミックス基板として熱伝導率が170W/m Kの窒
化アルミニウム基板（63×29×0.635mm)を、素子搭載側
金属板２として厚さ 0.3mmの銅板を、また放熱側金属板
３として厚さ0.15mmの42アロイ板を用意した。なお、窒
化アルミニウム基板の線膨張係数は 1.6×10-6/K、銅板
の線膨張係数は16.7×10-6/K、42アロイ板の線膨張係数
は 6.0×10-6/Kである。Example 1 First, an aluminum nitride substrate (63 × 29 × 0.635 mm) having a thermal conductivity of 170 W / m K was used as a ceramic substrate, a 0.3 mm thick copper plate was used as the element mounting side metal plate 2, and heat dissipation was performed. As the side metal plate 3, a 42 alloy plate having a thickness of 0.15 mm was prepared. The coefficient of linear expansion of the aluminum nitride substrate is 1.6 × 10 -6 / K, the coefficient of linear expansion of the copper plate is 16.7 × 10 -6 / K, and the coefficient of linear expansion of the 42 alloy plate is 6.0 × 10 -6 / K.
【００２７】次に、図１に示すように、窒化アルミニウ
ム基板１の表面１ａおよび裏面１ｂに、それぞれ質量比
でIn:Ag:Cu:Ti=14.0:59.0:23.0:4.0の組成を有する低融
点活性金属ろう材をペースト化したものを印刷し、これ
ら印刷層上に厚さ 0.3mmの銅板からなる素子搭載側金属
板２および厚さ0.15mmの42アロイ板からなる放熱側金属
板３をそれぞれ配置した。Next, as shown in FIG. 1, a low melting point having a composition of In: Ag: Cu: Ti = 14.0: 59.0: 23.0: 4.0 on a front surface 1a and a back surface 1b of the aluminum nitride substrate 1 in a mass ratio, respectively. An active metal brazing material made into a paste is printed, and the element mounting side metal plate 2 made of a copper plate having a thickness of 0.3 mm and the heat radiation side metal plate 3 made of a 42 alloy plate having a thickness of 0.15 mm are respectively printed on these printed layers. I placed it.
【００２８】この後、上記積層体を1.33×10-2Pa以下の
真空中にて 1053K×10分の条件で熱処理して、窒化アル
ミニウム基板１と素子搭載側金属板２および放熱側金属
板３とを、それぞれ活性金属ろう材層４を介して接合し
た。そして、銅板からなる素子搭載側金属板２をテスト
パターンにエッチング加工して、セラミックス回路基板
５とした。After that, the laminated body is heat-treated in a vacuum of 1.33 × 10 -2 Pa or less under the condition of 1053K × 10 minutes, and the aluminum nitride substrate 1, the element mounting side metal plate 2 and the heat radiation side metal plate 3 are heat-treated. And were joined via the active metal brazing material layer 4, respectively. The element mounting side metal plate 2 made of a copper plate was etched into a test pattern to obtain a ceramic circuit board 5.
【００２９】このようにして得たセラミックス回路基板
５を用いて、図２に示すように、半導体モジュールを作
製した。すなわち、セラミックス回路基板５の表面側の
素子搭載側金属板２にSiチップ６をハンダ実装した後、
裏面側の放熱側金属板３を厚さ約10mmの銅製ベース板７
に低温ハンダ８で接合して、半導体モジュール９を作製
した。この半導体モジュール９を後述する特性評価に供
した。Using the ceramic circuit board 5 thus obtained, a semiconductor module was manufactured as shown in FIG. That is, after soldering the Si chip 6 on the element mounting side metal plate 2 on the front surface side of the ceramic circuit board 5,
The heat radiation side metal plate 3 on the back side is a copper base plate 7 with a thickness of about 10 mm.
Then, the semiconductor module 9 was manufactured by bonding it to the low temperature solder 8. This semiconductor module 9 was subjected to the characteristic evaluation described later.
【００３０】実施例２ 実施例１におけるセラミックス回路基板において、放熱
側金属板を厚さ0.15mmのコバール板とする以外は、実施
例１と同一条件でセラミックス回路基板を作製した。ま
た、このセラミックス回路基板を用いて、実施例１と同
一構造の半導体モジュールを作製して、後述する特性評
価に供した。なお、コバール板の線膨張係数は 4.7×10
-6/Kである。Example 2 A ceramic circuit board was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the metal plate on the heat radiation side was a Kovar plate having a thickness of 0.15 mm in the ceramic circuit board in Example 1. Further, using this ceramic circuit board, a semiconductor module having the same structure as in Example 1 was produced and subjected to the characteristic evaluation described later. The linear expansion coefficient of Kovar plate is 4.7 × 10
-6 / K.
【００３１】実施例３ 実施例１におけるセラミックス回路基板において、質量
比でAg:Cu:Ti=69.1:26.9:4.0の組成を有する活性金属ろ
う材を用い、かつ接合条件を1.33×10-2Pa以下の真空
中、 1123K×10分とする以外は、実施例１と同一条件で
セラミックス回路基板を作製した。また、このセラミッ
クス回路基板を用いて、実施例１と同一構造の半導体モ
ジュールを作製して、後述する特性評価に供した。Example 3 In the ceramic circuit board of Example 1, an active metal brazing material having a composition of Ag: Cu: Ti = 69.1: 26.9: 4.0 in mass ratio was used, and the joining condition was 1.33 × 10 -2 Pa. A ceramics circuit board was produced under the same conditions as in Example 1 except that the vacuum was 1123K × 10 minutes. Further, using this ceramic circuit board, a semiconductor module having the same structure as in Example 1 was produced and subjected to the characteristic evaluation described later.
【００３２】比較例１ 実施例１におけるセラミックス回路基板において、放熱
側金属板を厚さ0.15mmの銅板とする以外は、実施例１と
同一条件でセラミックス回路基板を作製した。また、こ
のセラミックス回路基板を用いて、実施例１と同一構造
の半導体モジュールを作製して、後述する特性評価に供
した。Comparative Example 1 In the ceramic circuit board of Example 1, a ceramic circuit board was produced under the same conditions as in Example 1 except that the heat radiation side metal plate was a copper plate having a thickness of 0.15 mm. Further, using this ceramic circuit board, a semiconductor module having the same structure as in Example 1 was produced and subjected to the characteristic evaluation described later.
【００３３】上記各実施例および比較例により作製した
半導体モジュールをそれぞれ10個ずつ用い、これらに対
して熱サイクル試験（ＴＣＴ：233K×30分＋ R.T×10分
＋398K×30分＋ R.T×10分を 1サイクルとする）をそれ
ぞれ実施し、サイクル数とセラミックス基板の外観クラ
ック発生状況との関係を調べた。その結果を表１に示
す。Ten semiconductor modules each prepared in each of the above-mentioned Examples and Comparative Examples were used, and a thermal cycle test (TCT: 233K × 30 minutes + RT × 10 minutes + 398K × 30 minutes + RT × 10 minutes) was performed on each of them. For one cycle) and investigated the relationship between the number of cycles and the appearance crack occurrence on the ceramic substrate. Table 1 shows the results.
【００３４】[0034]
【表１】 表１から分かるように、各実施例によるセラミックス回
路基板は、いずれもＴＣＴ 500サイクルまでクラックが
見られず、また1000サイクル後のクラック発生数も極僅
かであるのに対して、比較例１によるセラミックス回路
基板では、ＴＣＴ 100サイクルでクラックの発生が認め
られ、 500サイクル後においては多くのセラミックス基
板にクラックが発生していた。このように、本発明のセ
ラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュー
ルは、従来のそれに比べて熱サイクルに対する信頼性が
大幅に向上していることが分かる。[Table 1] As can be seen from Table 1, in each of the ceramic circuit boards according to the examples, no cracks were observed up to TCT 500 cycles, and the number of cracks generated after 1000 cycles was extremely small, while according to Comparative Example 1. The ceramic circuit board was found to have cracks after 100 cycles of TCT, and many cracks had been generated after 500 cycles. As described above, it can be seen that the ceramic circuit board of the present invention and the semiconductor module using the same have significantly improved reliability with respect to thermal cycles as compared with the conventional one.
【００３５】実施例４〜８ 実施例１におけるセラミックス回路基板において、銅製
素子搭載側金属板および42アロイ製放熱側金属板の厚さ
をそれぞれ表２に示す厚さに変更する以外は、実施例１
と同一条件でそれぞれセラミックス回路基板を作製し
た。また、これらセラミックス回路基板を用いて、実施
例１と同一構造の半導体モジュールをそれぞれ作製し
た。Examples 4 to 8 In the ceramic circuit board of Example 1, the thicknesses of the metal plate on which the copper element was mounted and the metal plate on the heat dissipation side of 42 alloy were changed to those shown in Table 2, respectively. 1
Ceramic circuit boards were produced under the same conditions as above. Further, using these ceramic circuit boards, semiconductor modules having the same structure as in Example 1 were manufactured.
【００３６】このようにして得た各半導体モジュールの
ＴＣＴ特性（実施例１と同一条件のＴＣＴを実施し、ク
ラック発生時のサイクル数で評価）を測定すると共に、
以下のようにして放熱性を測定、評価した。すなわち、
各回路基板にSiチップや銅製ベース板をハンダ付けして
モジュール化した後、飽和熱抵抗を測定した。これらの
評価結果を合せて表２に示す。The TCT characteristics of each semiconductor module thus obtained (TCT under the same conditions as in Example 1 were carried out and evaluated by the number of cycles when cracks occurred) were measured,
The heat dissipation was measured and evaluated as follows. That is,
After soldering a Si chip or a copper base plate to each circuit board to form a module, the saturation thermal resistance was measured. The evaluation results are shown together in Table 2.
【００３７】[0037]
【表２】 表２から明らかなように、熱サイクル特性に関しては放
熱側金属板の厚さによらず、いずれも従来のセラミック
ス回路基板と比較して良好な結果が得られており、さら
に放熱側金属板の厚さを素子搭載側金属板の厚さの 1/2
以下とすることによって、セラミックス回路基板ひいて
は半導体モジュールの放熱性が向上することが分かる。[Table 2] As is clear from Table 2, regarding the thermal cycle characteristics, regardless of the thickness of the metal plate on the heat radiation side, good results were obtained in comparison with the conventional ceramics circuit board. 1/2 the thickness of the metal plate on the device mounting side
It can be seen that the heat dissipation of the ceramic circuit board and eventually the semiconductor module is improved by the following.
【００３８】実施例９ まず、セラミックス基板として熱伝導率が170W/m Kの窒
化アルミニウム基板（63×29×0.635mm)を、金属板とし
て厚さ 0.3mmのピール強度測定用のリン脱酸銅板（ビッ
カーズ硬度=80Hv)を用意した。次いで、窒化アルミニウ
ム基板の表裏両面に、それぞれ質量比でIn:Ag:Cu:Ti=1
4.0:59.0:23.0:4.0の組成を有する低融点活性金属ろう
材をペースト化したものを印刷し、これら印刷層上に上
記銅板をそれぞれ素子搭載側金属板および放熱側金属板
として配置した。Example 9 First, an aluminum nitride substrate (63 × 29 × 0.635 mm) having a thermal conductivity of 170 W / m K was used as a ceramic substrate, and a 0.3 mm thick phosphorus deoxidized copper plate for measuring peel strength was used as a metal plate. (Vickers hardness = 80Hv) was prepared. Then, on the front and back surfaces of the aluminum nitride substrate, In: Ag: Cu: Ti = 1 by mass ratio.
A paste of a low melting point active metal brazing material having a composition of 4.0: 59.0: 23.0: 4.0 was printed, and the above copper plates were arranged on these printed layers as a metal plate on the element mounting side and a metal plate on the heat radiation side, respectively.
【００３９】この後、上記積層体を1.33×10-2Pa以下の
真空中にて973K×10分の条件で熱処理して、窒化アルミ
ニウム基板と銅板とをそれぞれ接合した。このようにし
て得たセラミックス回路基板の接合後の銅板のビッカー
ズ硬度と表面粗さＲmax を測定すると共に、実施例１と
同一条件で 500サイクルのＴＣＴを実施して、クラック
の発生の有無を確認した。それらの結果を表３に示す。Thereafter, the above-mentioned laminated body was heat-treated in a vacuum of 1.33 × 10 -2 Pa or less under the condition of 973K × 10 minutes to bond the aluminum nitride substrate and the copper plate, respectively. The Vickers hardness and the surface roughness R max of the copper plate after joining the ceramic circuit boards thus obtained are measured, and 500 cycles of TCT are performed under the same conditions as in Example 1 to check for the occurrence of cracks. confirmed. The results are shown in Table 3.
【００４０】実施例１０ 実施例９におけるセラミックス回路基板において、金属
板を厚さ0.15mmのニッケル板（ビッカーズ硬度=100Hv）
とする以外は、実施例９と同一条件でセラミックス回路
基板を作製した。このようにして得たセラミックス回路
基板の接合後の銅板のビッカーズ硬度と表面粗さＲmax
を測定すると共に、実施例１と同一条件で 500サイクル
のＴＣＴを実施して、クラックの発生の有無を確認し
た。それらの結果を表３に示す。Example 10 In the ceramic circuit board of Example 9, a metal plate was a nickel plate having a thickness of 0.15 mm (Vickers hardness = 100 Hv).
A ceramic circuit board was manufactured under the same conditions as in Example 9 except that The Vickers hardness and surface roughness R max of the copper plate after joining the ceramic circuit boards thus obtained
And the occurrence of cracks was confirmed by performing TCT for 500 cycles under the same conditions as in Example 1. The results are shown in Table 3.
【００４１】比較例２ 実施例９におけるセラミックス回路基板において、窒化
アルミニウム基板と銅板との接合を、質量比でAg:Cu:Ti
=69.1:26.9:4.0の組成を有する活性金属ろう材を用い
て、1.33×10-2Pa以下の真空中にて 1123K×10分で行う
以外は、実施例９と同一条件でセラミックス回路基板を
作製した。このようにして得たセラミックス回路基板の
接合後の銅板のビッカーズ硬度と表面粗さＲmax を測定
すると共に、実施例１と同一条件で 500サイクルのＴＣ
Ｔを実施して、クラックの発生サイクル数を確認した。
それらの結果を表３に示す。Comparative Example 2 In the ceramic circuit board of Example 9, the aluminum nitride substrate and the copper plate were bonded together in a mass ratio of Ag: Cu: Ti.
= 69.1: 26.9: 4.0 using an active metal brazing filler metal, a ceramic circuit board was prepared under the same conditions as in Example 9 except that the operation was carried out in a vacuum of 1.33 × 10 -2 Pa or less at 1123K × 10 minutes. It was made. The Vickers hardness and the surface roughness R max of the copper plate after joining the ceramic circuit boards thus obtained are measured, and TC of 500 cycles is performed under the same conditions as in Example 1.
By carrying out T, the number of crack generation cycles was confirmed.
The results are shown in Table 3.
【００４２】[0042]
【表３】 表３から明らかなように、 1123Kで接合した比較例２の
セラミックス回路基板においては、銅板の接合後のビッ
カーズ硬度が44.5まで低下しているのに対し、低融点活
性金属ろう材を用いて973Kで接合した実施例９のセラミ
ックス回路基板では、接合後においても銅板のビッカー
ズ硬度が62.3Hvを維持していた。また、接合後の銅板の
表面粗さ（Ｒmax ）も、実施例９のセラミックス回路基
板では2.62μm と良好な値を示した。[Table 3] As is clear from Table 3, in the ceramic circuit board of Comparative Example 2 bonded at 1123K, the Vickers hardness after bonding of the copper plate was reduced to 44.5, while the low melting point active metal brazing material was used for 973K. In the ceramic circuit board of Example 9 joined by the method, the Vickers hardness of the copper plate was maintained at 62.3 Hv even after the joining. Also, the surface roughness (R max ) of the copper plate after joining was a good value of 2.62 μm in the ceramic circuit board of Example 9.
【００４３】そして、上述したような実施例９によるセ
ラミックス回路基板と、ニッケル板を用いた実施例１０
によるセラミックス回路基板、すなわち接合後の金属板
のビッカーズ硬度が60Hv以上のセラミックス回路基板
は、いずれも熱サイクルに対する信頼性に優れることが
分かる。Then, the ceramic circuit board according to the ninth embodiment as described above and the tenth embodiment using the nickel plate.
It can be seen that the ceramic circuit boards according to, that is, the ceramic circuit boards in which the Vickers hardness of the metal plate after bonding is 60 Hv or more are all excellent in the thermal cycle reliability.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載のセ
ラミックス回路基板によれば、熱サイクル特性の向上を
図ることも可能となるため、より信頼性に優れたセラミ
ックス回路基板を提供することができ、特にセラミック
ス回路基板を用いた半導体モジュール等の信頼性を向上
させることが可能となる。また、請求項２記載のセラミ
ックス回路基板によれば、より一層信頼性の向上が図れ
ると共に、放熱性を高めることができる。As described above, according to the ceramic circuit board of the first aspect, it is possible to improve the heat cycle characteristics, so that a more reliable ceramic circuit board is provided. In particular, it becomes possible to improve the reliability of a semiconductor module or the like using a ceramics circuit board. Moreover, according to the ceramic circuit board of the second aspect, the reliability can be further improved and the heat dissipation can be improved.
【００４５】請求項３記載のセラミックス回路基板によ
れば、熱サイクル特性の向上を図ることも可能となるた
め、より信頼性に優れたセラミックス回路基板を提供す
ることができる。According to the ceramic circuit board of the third aspect, it is possible to improve the heat cycle characteristics, so that it is possible to provide a ceramic circuit board with higher reliability.
【図１】 本発明の一実施例によるセラミックス回路基
板の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a ceramics circuit board according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示すセラミックス回路基板を用いた作
製した半導体モジュールの構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a semiconductor module manufactured using the ceramics circuit board shown in FIG.
１……セラミックス基板 ２……素子搭載側金属板 ３……放熱側金属板 ４……活性金属ろう材層 ５……セラミックス回路基板 ６……半導体チップ ７……ベース板 ９……半導体モジュール 1 ... Ceramic substrate 2 ... Element mounting side metal plate 3 ... Heat radiation side metal plate 4 ... Active metal brazing material layer 5 ... Ceramic circuit board 6 ... Semiconductor chip 7 ... Base plate 9 ... Semiconductor module
Claims (3)
基板の一方の主面に接合された素子搭載側金属板と、前
記セラミックス基板の他方の主面に接合された放熱側金
属板とを有するセラミックス回路基板において、 前記素子搭載側金属板は、少なくとも銅を含む金属材料
からなると共に、前記放熱側金属板は、線膨張係数が前
記素子搭載側金属板より小さく、かつ前記セラミックス
基板より大きい金属材料からなることを特徴とするセラ
ミックス回路基板。1. A ceramic circuit board having a ceramics substrate, an element mounting side metal plate bonded to one main surface of the ceramics substrate, and a heat radiation side metal plate bonded to the other main surface of the ceramics substrate. In the above, the element mounting side metal plate is made of a metal material containing at least copper, and the heat radiation side metal plate is made of a metal material having a linear expansion coefficient smaller than that of the element mounting side metal plate and larger than the ceramic substrate. A ceramic circuit board characterized by the above.
おいて、 前記放熱側金属板は、前記素子搭載側金属板の 1/2以下
の厚さを有することを特徴とするセラミックス回路基
板。2. The ceramic circuit board according to claim 1, wherein the heat dissipation side metal plate has a thickness that is 1/2 or less of the element mounting side metal plate.
基板の主面に接合された金属板とを有するセラミックス
回路基板において、 前記金属板は、接合後のビッカーズ硬度が60以上である
ことを特徴とするセラミックス回路基板。3. A ceramics circuit board having a ceramics substrate and a metal plate bonded to a main surface of the ceramics substrate, wherein the metal plate has a Vickers hardness of 60 or more after bonding. Circuit board.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23760794A JPH08102570A (en) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ceramic circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23760794A JPH08102570A (en) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ceramic circuit board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102570A true JPH08102570A (en) | 1996-04-16 |
Family
ID=17017829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23760794A Withdrawn JPH08102570A (en) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ceramic circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102570A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (en) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ic card and manufacture thereof |
| JP2007066995A (en) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Hitachi Metals Ltd | Ceramic wiring board and its manufacturing method, and semiconductor module |
| JP2007299974A (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Metals Ltd | Circuit board and semiconductor module employing it |
| JP2007299973A (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Metals Ltd | Circuit board and semiconductor module employing it |
| JP2009004666A (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Hitachi Ltd | Power semiconductor module, and manufacturing method thereof |
| JP2011124585A (en) * | 2011-01-07 | 2011-06-23 | Hitachi Metals Ltd | Ceramic wiring board and manufacturing method and semiconductor module of the same |
| JP2012023403A (en) * | 2011-10-28 | 2012-02-02 | Hitachi Metals Ltd | Circuit substrate, and semiconductor module using the same |
| US9224665B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-12-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| CN110999544A (en) * | 2017-08-04 | 2020-04-10 | 电化株式会社 | Ceramic circuit board |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23760794A patent/JPH08102570A/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (en) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ic card and manufacture thereof |
| JP2007066995A (en) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Hitachi Metals Ltd | Ceramic wiring board and its manufacturing method, and semiconductor module |
| JP2007299974A (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Metals Ltd | Circuit board and semiconductor module employing it |
| JP2007299973A (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Metals Ltd | Circuit board and semiconductor module employing it |
| JP2009004666A (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Hitachi Ltd | Power semiconductor module, and manufacturing method thereof |
| JP2011124585A (en) * | 2011-01-07 | 2011-06-23 | Hitachi Metals Ltd | Ceramic wiring board and manufacturing method and semiconductor module of the same |
| US9224665B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-12-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| DE112012003228B4 (en) | 2011-08-04 | 2021-08-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2012023403A (en) * | 2011-10-28 | 2012-02-02 | Hitachi Metals Ltd | Circuit substrate, and semiconductor module using the same |
| CN110999544A (en) * | 2017-08-04 | 2020-04-10 | 电化株式会社 | Ceramic circuit board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5672848A (en) | Ceramic circuit board | |
| US5981085A (en) | Composite substrate for heat-generating semiconductor device and semiconductor apparatus using the same | |
| US5807626A (en) | Ceramic circuit board | |
| EP1667508B1 (en) | Ceramic circuit board, method for making the same, and power module | |
| JP2003017627A (en) | Ceramic circuit board and semiconductor module using the same | |
| WO2003046981A1 (en) | Module structure and module comprising it | |
| EP1705966A2 (en) | Circuit board and manufacturing method thereof | |
| EP0915512B1 (en) | Ceramic substrate having a metal circuit | |
| JP4104429B2 (en) | Module structure and module using it | |
| JPH08102570A (en) | Ceramic circuit board | |
| JPH0786703A (en) | Ceramic circuit board | |
| JP2911644B2 (en) | Circuit board | |
| JP2002373960A (en) | Element bonding substrate and its forming method | |
| JPH05347469A (en) | Ceramic circuit board | |
| JP2004253736A (en) | Heat spreader module | |
| JP2003168770A (en) | Silicon nitride circuit board | |
| JP4244723B2 (en) | Power module and manufacturing method thereof | |
| JP3192911B2 (en) | Ceramic circuit board | |
| JP2008147309A (en) | Ceramic substrate and semiconductor module using the same | |
| JP4557398B2 (en) | Electronic element | |
| JP2000138320A (en) | Semiconductor element mounting substrate or heat sink and its manufacture and jointed body of the substrate or the heat sink with semiconductor element | |
| JP2001267447A (en) | Ceramic circuit board and semiconductor device | |
| JPS61121489A (en) | Cu wiring sheet for manufacture of substrate | |
| JP2004327732A (en) | Ceramic circuit board and electrical circuit module | |
| JPH0786444A (en) | Manufacture of compound heat dissipating substrate for semiconductor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |