JPH08102062A - 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JPH08102062A JPH08102062A JP23783594A JP23783594A JPH08102062A JP H08102062 A JPH08102062 A JP H08102062A JP 23783594 A JP23783594 A JP 23783594A JP 23783594 A JP23783594 A JP 23783594A JP H08102062 A JPH08102062 A JP H08102062A
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- Japan
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- gas
- plasma
- high frequency
- recording medium
- magnetic layer
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着型テープの磁性層上にダイヤモンドライ
クカーボン薄膜からなる保護層を迅速に形成し、生産性
を向上させる。 【構成】 支持体の一方の面に形成された磁性層上に、
プラズマCVD 法により炭素薄膜を形成する際し、予め原
料ガスの一部を高周波により解離させた後、マイクロ波
と共に赤外線レーザー光を照射する。
クカーボン薄膜からなる保護層を迅速に形成し、生産性
を向上させる。 【構成】 支持体の一方の面に形成された磁性層上に、
プラズマCVD 法により炭素薄膜を形成する際し、予め原
料ガスの一部を高周波により解離させた後、マイクロ波
と共に赤外線レーザー光を照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜型の磁気記録
媒体の製造方法及び製造装置に関し、更に詳しくは、磁
性層上にダイヤモンドライクカーボン薄膜からなる保護
層が形成された磁気記録媒体を製造する方法及びその装
置に関する。
媒体の製造方法及び製造装置に関し、更に詳しくは、磁
性層上にダイヤモンドライクカーボン薄膜からなる保護
層が形成された磁気記録媒体を製造する方法及びその装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】支持体上に真空中で金属を蒸着等により
付着させてなる、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダーを全く含まないことから磁性材
料の密度を高められるため、高密度記録に有望であると
されている。
付着させてなる、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダーを全く含まないことから磁性材
料の密度を高められるため、高密度記録に有望であると
されている。
【０００３】しかしながら、金属薄膜型の磁気記録媒体
の磁性層は、支持体上に金属が付着しているだけなの
で、そのままでは耐食性、耐久性が悪く、これを向上さ
せる目的でカルボン酸系、リン酸系、フッソ系の潤滑剤
を塗布したり、磁性層上に非磁性金属の保護層を設けた
りすることが行われてきた。
の磁性層は、支持体上に金属が付着しているだけなの
で、そのままでは耐食性、耐久性が悪く、これを向上さ
せる目的でカルボン酸系、リン酸系、フッソ系の潤滑剤
を塗布したり、磁性層上に非磁性金属の保護層を設けた
りすることが行われてきた。
【０００４】更に今日では、磁性層上の保護層として、
ダイヤモンドライクカーボンからなる薄膜を形成する手
法が注目されている。ダイヤモンドライクカーボン薄膜
は非晶質炭素膜であり、グラファイト結合とダイヤモン
ド結合が混在する構造と考えられている。
ダイヤモンドライクカーボンからなる薄膜を形成する手
法が注目されている。ダイヤモンドライクカーボン薄膜
は非晶質炭素膜であり、グラファイト結合とダイヤモン
ド結合が混在する構造と考えられている。
【０００５】ダイヤモンドライクカーボン薄膜を磁性層
上に形成する方法としては、ECR(Electron Cycrotoron
Resonance:電子サイクロトロン共鳴) プラズマCVD(Chem
icalVapor Deposition:化学気相成長法) 或いはRFプラ
ズマCVD 等による方法が挙げられる。この ECRプラズマ
CVD 法は、高真空中で原料ガスにマイクロ波を印加して
ガスをプラズマ化し、目的物（磁性層上）に薄膜を形成
するものである。
上に形成する方法としては、ECR(Electron Cycrotoron
Resonance:電子サイクロトロン共鳴) プラズマCVD(Chem
icalVapor Deposition:化学気相成長法) 或いはRFプラ
ズマCVD 等による方法が挙げられる。この ECRプラズマ
CVD 法は、高真空中で原料ガスにマイクロ波を印加して
ガスをプラズマ化し、目的物（磁性層上）に薄膜を形成
するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ECRプラズマCVD 法では成膜速度の向上という面から、
原料ガスの活性種への変換効率の面では充分であるとは
いい難く、更なる変換効率の向上が望まれていた。
ECRプラズマCVD 法では成膜速度の向上という面から、
原料ガスの活性種への変換効率の面では充分であるとは
いい難く、更なる変換効率の向上が望まれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段と作用】本発明者らは上記
課題を解決すべく鋭意研究した結果、 ECRプラズマCVD
法において、予め原料ガスの一部を高周波により解離さ
せ、その後マイクロ波と共に赤外線レーザー光を原料ガ
スに照射することにより、効率よく原料ガスが活性種に
変換されることを見出し、本発明を完成するに至った。
課題を解決すべく鋭意研究した結果、 ECRプラズマCVD
法において、予め原料ガスの一部を高周波により解離さ
せ、その後マイクロ波と共に赤外線レーザー光を原料ガ
スに照射することにより、効率よく原料ガスが活性種に
変換されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち本発明は、支持体上に形成された
少なくとも一層の金属薄膜からなる性層上に、 ECRプラ
ズマCVD 法によりダイヤモンドライクカーボン層を形成
する方法において、原料ガスを予め高周波により少なく
とも部分的に解離させ、その後原料ガスにマイクロ波と
共に赤外線レーザー光を照射することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法、及びこれに用いられる装置を提供
するものである。
少なくとも一層の金属薄膜からなる性層上に、 ECRプラ
ズマCVD 法によりダイヤモンドライクカーボン層を形成
する方法において、原料ガスを予め高周波により少なく
とも部分的に解離させ、その後原料ガスにマイクロ波と
共に赤外線レーザー光を照射することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法、及びこれに用いられる装置を提供
するものである。
【０００９】本発明の製造方法は、支持体上に蒸着等の
方法により形成された少なくとも一層の金属薄膜からな
る磁性層上に、 ECRプラズマCVD 法により、ダイヤモン
ドライクカーボン薄膜からなる保護層を形成するもので
あるが、その際、原料ガスの少なくとも一部を予め高周
波により解離させる。原料ガスに印加する高周波の周波
数は10〜30MHz 程度である。その後、原料ガスに、波長
0.5〜5.0 GHz のマイクロ波を、出力は100W〜５kW程度
で照射し、且つマイクロ波と共に赤外線レーザー光を照
射する。赤外線レーザー光は、C-H 結合で吸収の起こる
1400cm-1〜1500cm-1或いは2800cm-1〜3000cm-1の波長の
ものを照射する。
方法により形成された少なくとも一層の金属薄膜からな
る磁性層上に、 ECRプラズマCVD 法により、ダイヤモン
ドライクカーボン薄膜からなる保護層を形成するもので
あるが、その際、原料ガスの少なくとも一部を予め高周
波により解離させる。原料ガスに印加する高周波の周波
数は10〜30MHz 程度である。その後、原料ガスに、波長
0.5〜5.0 GHz のマイクロ波を、出力は100W〜５kW程度
で照射し、且つマイクロ波と共に赤外線レーザー光を照
射する。赤外線レーザー光は、C-H 結合で吸収の起こる
1400cm-1〜1500cm-1或いは2800cm-1〜3000cm-1の波長の
ものを照射する。
【００１０】また、本発明においては、真空度が10-1〜
10-4Torrとなるように炭素源となるガスの流量を決めれ
ばよい。
10-4Torrとなるように炭素源となるガスの流量を決めれ
ばよい。
【００１１】本発明によって形成されるダイヤモンドラ
イクカーボン層の厚さは50〜500 Å程度である。
イクカーボン層の厚さは50〜500 Å程度である。
【００１２】本発明の製造方法には磁性層が形成された
支持体が使用される。特に通常の金属薄膜型の磁気記録
媒体の製造に用いられる強磁性金属材料、例えばCo, N
i, Fe等の強磁性金属、また、Fe−Co、Fe−Ni、Co−N
i、Fe−Co−Ni、Fe−Fh、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co
−Y 、Co−La、Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−
Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−C
r、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁性合金からなる磁
性層が形成されていることが好ましい。このような磁性
層の厚さは50〜2000Å程度が好ましく、また二層以上の
多層構造であってもよい。
支持体が使用される。特に通常の金属薄膜型の磁気記録
媒体の製造に用いられる強磁性金属材料、例えばCo, N
i, Fe等の強磁性金属、また、Fe−Co、Fe−Ni、Co−N
i、Fe−Co−Ni、Fe−Fh、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co
−Y 、Co−La、Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−
Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−C
r、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁性合金からなる磁
性層が形成されていることが好ましい。このような磁性
層の厚さは50〜2000Å程度が好ましく、また二層以上の
多層構造であってもよい。
【００１３】また、本発明に用いられる支持体として
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体；ポ
リカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が挙げられる。これらの
支持体の厚さは３〜50μm程度である。
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体；ポ
リカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が挙げられる。これらの
支持体の厚さは３〜50μm程度である。
【００１４】本発明の製造方法には、更にバックコート
層を形成する工程、トップコート層を形成する工程を組
み込ませることができる。
層を形成する工程、トップコート層を形成する工程を組
み込ませることができる。
【００１５】〔本発明の製造装置〕また、本発明は、真
空チャンバと、該真空チャンバ内に配設され磁性層が形
成された支持体を搬送する冷却キャンと、前記真空チャ
ンバ内に配設され磁性層上にダイヤモンドライクカーボ
ン層を形成する ECRプラズマCVD 装置とを有する磁気記
録媒体の製造装置であって、前記 ECRプラズマCVD 装置
が更に原料ガスに高周波を印加する手段と赤外線レーザ
ー光を照射する手段とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造装置を提供するものである。本発明の製
造装置の概略を図１に示す。
空チャンバと、該真空チャンバ内に配設され磁性層が形
成された支持体を搬送する冷却キャンと、前記真空チャ
ンバ内に配設され磁性層上にダイヤモンドライクカーボ
ン層を形成する ECRプラズマCVD 装置とを有する磁気記
録媒体の製造装置であって、前記 ECRプラズマCVD 装置
が更に原料ガスに高周波を印加する手段と赤外線レーザ
ー光を照射する手段とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造装置を提供するものである。本発明の製
造装置の概略を図１に示す。
【００１６】かかる装置はチャンバ１と、 ECRプラズマ
CVD 装置２と、磁性層が形成された支持体６が走行する
冷却キャン３と、巻き出しロール４と、巻き取りロール
５を有する。更に ECRプラズマCVD 装置２は、プラズマ
励起室20、コイル21、高周波励起コイル22、矩形導波管
23を有し、矩形導波管23は赤外線レーザー光を導入させ
るためのメッシュ24を備えている。ここで、メッシュ24
は、赤外線レーザー光を導入でき、且つマイクロ波の漏
洩を防止できる大きさの開口を有することが必要であ
る。メッシュは通常金属製であり、直径２〜20mm程度の
開口を有し、開口率は20〜50％程度である。また図１
中、Ａは赤外線レーザー光、Ｂはマイクロ波、Ｃは原料
ガスを意味する。
CVD 装置２と、磁性層が形成された支持体６が走行する
冷却キャン３と、巻き出しロール４と、巻き取りロール
５を有する。更に ECRプラズマCVD 装置２は、プラズマ
励起室20、コイル21、高周波励起コイル22、矩形導波管
23を有し、矩形導波管23は赤外線レーザー光を導入させ
るためのメッシュ24を備えている。ここで、メッシュ24
は、赤外線レーザー光を導入でき、且つマイクロ波の漏
洩を防止できる大きさの開口を有することが必要であ
る。メッシュは通常金属製であり、直径２〜20mm程度の
開口を有し、開口率は20〜50％程度である。また図１
中、Ａは赤外線レーザー光、Ｂはマイクロ波、Ｃは原料
ガスを意味する。
【００１７】赤外線レーザー光はレーザーエキスパンダ
ー30によりビーム径を広げられ、プラズマ励起室20内の
なるべく広い範囲を励起できるようにしてある。
ー30によりビーム径を広げられ、プラズマ励起室20内の
なるべく広い範囲を励起できるようにしてある。
【００１８】原料ガスはＣはプラズマ励起室20に導入さ
れる前に高周波励起コイル22により一部が解離される。
原料ガスとしてはメタン、エタン、プロパン等の炭化水
素ガスと、水素やアルゴンの混合ガスが使用される。
れる前に高周波励起コイル22により一部が解離される。
原料ガスとしてはメタン、エタン、プロパン等の炭化水
素ガスと、水素やアルゴンの混合ガスが使用される。
【００１９】プラズマ励起室20に導入された原料ガスに
は、赤外線レーザー光Ａとマイクロ波Ｂが照射され、活
性種となり、チャンバ１内部に発散され、冷却キャン３
を走行する支持体６の磁性層上に付着し、ダイヤモンド
ライクカーボン層が形成される。
は、赤外線レーザー光Ａとマイクロ波Ｂが照射され、活
性種となり、チャンバ１内部に発散され、冷却キャン３
を走行する支持体６の磁性層上に付着し、ダイヤモンド
ライクカーボン層が形成される。
【００２０】かくして保護層が形成された支持体６は巻
取りロール５により巻き取られる。本発明の製造装置に
おいて、チャンバ１を真空に保つ手段としては、真空ポ
ンプ等通常用いられているものが使用できる。
取りロール５により巻き取られる。本発明の製造装置に
おいて、チャンバ１を真空に保つ手段としては、真空ポ
ンプ等通常用いられているものが使用できる。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。しかしな
がら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
がら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００２２】実施例１ 厚さ6.5 μm のPET フィルム上に真空蒸着法によりコバ
ルトを付着させ、厚さ1800Åの磁性層を形成した。
ルトを付着させ、厚さ1800Åの磁性層を形成した。
【００２３】次に、磁性層を形成したPET フィルムを図
１に示す装置にセットし、磁性層上に、 ECRプラズマCV
D 法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の形成を行
い、バックコート層を形成した。なお、ECR プラズマCV
D 法による成膜条件は以下の通りである。 高周波周波数：13.56MHz 高周波パワー：100W マイクロ波周波数：2.45GHz マイクロ波パワー：１kW 使用ガス：CH4, H2 ガス流量：CH4 20SCCM, H2 25SCCM レーザーパワー：１W レーザー波長：2960cm-1（3.378 μm ） 真空度：５×10-3Torr フィルム走行速度：５ｍ／分 比較例１ 実施例１と同じ磁性膜を用い、その上にダイヤモンドラ
イクカーボン薄膜を成膜する際に、高周波と赤外線レー
ザー光の照射を行わなかった。この方法では実施例１と
同じ膜厚とするためには３ｍ／分のフィルム走行速度と
する必要があった。また、実施例１と比較例１のダイヤ
モンドライクカーボン薄膜をEELS（電子エネルギー損失
分光法）により分析した。即ち、500eV の電子を各ダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜に照射し、その減衰分をエ
ネルギースペクトルを０〜50eVまで比較したところ、両
者のスペクトルには差はなく、実施例１と比較例１で得
られたダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜質は同じで
あることが認められた。
１に示す装置にセットし、磁性層上に、 ECRプラズマCV
D 法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の形成を行
い、バックコート層を形成した。なお、ECR プラズマCV
D 法による成膜条件は以下の通りである。 高周波周波数：13.56MHz 高周波パワー：100W マイクロ波周波数：2.45GHz マイクロ波パワー：１kW 使用ガス：CH4, H2 ガス流量：CH4 20SCCM, H2 25SCCM レーザーパワー：１W レーザー波長：2960cm-1（3.378 μm ） 真空度：５×10-3Torr フィルム走行速度：５ｍ／分 比較例１ 実施例１と同じ磁性膜を用い、その上にダイヤモンドラ
イクカーボン薄膜を成膜する際に、高周波と赤外線レー
ザー光の照射を行わなかった。この方法では実施例１と
同じ膜厚とするためには３ｍ／分のフィルム走行速度と
する必要があった。また、実施例１と比較例１のダイヤ
モンドライクカーボン薄膜をEELS（電子エネルギー損失
分光法）により分析した。即ち、500eV の電子を各ダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜に照射し、その減衰分をエ
ネルギースペクトルを０〜50eVまで比較したところ、両
者のスペクトルには差はなく、実施例１と比較例１で得
られたダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜質は同じで
あることが認められた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ダ
イヤモンドライクカーボン薄膜を従来の同等の膜質で、
従来よりも迅速に形成することができる。
イヤモンドライクカーボン薄膜を従来の同等の膜質で、
従来よりも迅速に形成することができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造装置の一例を示す
略図
略図
１ 真空チャンバ ２ ECR プラズマCVD 装置 ３ 冷却キャン 30 レーザーエキスパンダー Ａ 赤外線レーザー光 Ｂ マイクロ波 Ｃ 原料ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606番地 花 王株式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606番地 花 王株式会社情報科学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】支持体上に形成された少なくとも一層の金
属薄膜からなる磁性層上に、 ECRプラズマCVD 法により
ダイヤモンドライクカーボン層を形成する方法におい
て、原料ガスを予め高周波により少なくとも部分的に解
離させ、その後原料ガスにマイクロ波と共に赤外線レー
ザー光を照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２】真空チャンバと、該真空チャンバ内に配設
され磁性層が形成された支持体を搬送する冷却キャン
と、前記真空チャンバ内に配設され磁性層上にダイヤモ
ンドライクカーボン層を形成する ECRプラズマCVD 装置
とを有する磁気記録媒体の製造装置であって、前記 ECR
プラズマCVD 装置が更に原料ガスに高周波を印加する手
段と赤外線レーザー光を照射する手段とを具備すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23783594A JPH08102062A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23783594A JPH08102062A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102062A true JPH08102062A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17021122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23783594A Pending JPH08102062A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102062A (ja) |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23783594A patent/JPH08102062A/ja active Pending
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