JPH079998B2 - 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子 - Google Patents
立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子Info
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- JPH079998B2 JPH079998B2 JP160588A JP160588A JPH079998B2 JP H079998 B2 JPH079998 B2 JP H079998B2 JP 160588 A JP160588 A JP 160588A JP 160588 A JP160588 A JP 160588A JP H079998 B2 JPH079998 B2 JP H079998B2
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- Japan
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- junction
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- boron nitride
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- cubic boron
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は発光素子に関する。更に詳しくは立方晶窒化ほ
う素を母結晶とした赤外から紫外域の広領域の範囲で発
光し得られる発光素子に関する。
う素を母結晶とした赤外から紫外域の広領域の範囲で発
光し得られる発光素子に関する。
従来技術 従来、ｐ−ｎ接合型発光素子を形成する素子の素材とし
ては、ひ化ガリウム，燐化ガリウムが知られ実用化され
ている。しかしこれらの発光素子の発光領域は赤外から
緑色の範囲のものである。青色に発光する素子の素材と
してシリコンカーバイド，セレン化亜鉛が開発された
が、シリコンカーバイドでは良質な結晶が得難く、また
セレン化亜鉛ではｐ型結晶が得難いので、ｐ−ｎ接合型
が得難い。そのため未だ実用化されていない。また紫外
域にエネルギーギャップを有する窒化ガリウム，硫化亜
鉛はｐ型を得ることができず、紫外域発光のｐ−ｎ接合
型発光素子は存在していない。
ては、ひ化ガリウム，燐化ガリウムが知られ実用化され
ている。しかしこれらの発光素子の発光領域は赤外から
緑色の範囲のものである。青色に発光する素子の素材と
してシリコンカーバイド，セレン化亜鉛が開発された
が、シリコンカーバイドでは良質な結晶が得難く、また
セレン化亜鉛ではｐ型結晶が得難いので、ｐ−ｎ接合型
が得難い。そのため未だ実用化されていない。また紫外
域にエネルギーギャップを有する窒化ガリウム，硫化亜
鉛はｐ型を得ることができず、紫外域発光のｐ−ｎ接合
型発光素子は存在していない。
発明の目的 本発明は従来のｐ−ｎ接合型発光素子では困難あるいは
不可能であった赤外から紫外域の発光が可能な発光素子
を提供せんとするものである。
不可能であった赤外から紫外域の発光が可能な発光素子
を提供せんとするものである。
発明の構成 本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、立
方晶窒化ほう素を母結晶としたｐ−ｎ接合型素子のｐ−
ｎ接合部に電流を通すと、赤外から紫外域で発光し、発
光素子として優れたものであることを確認し得た。ま
た、ｐ−ｎ接合部またはｎ側表面に蛍光体を附設すると
任意の発光色に変化させ得られることを知見し得た。こ
れらの知見に基づいて本発明を完成した。
方晶窒化ほう素を母結晶としたｐ−ｎ接合型素子のｐ−
ｎ接合部に電流を通すと、赤外から紫外域で発光し、発
光素子として優れたものであることを確認し得た。ま
た、ｐ−ｎ接合部またはｎ側表面に蛍光体を附設すると
任意の発光色に変化させ得られることを知見し得た。こ
れらの知見に基づいて本発明を完成した。
本発明の要旨は、 １）立方晶窒化ほう素を母結晶とし、1mA以上の電流の
通電に耐える少なくとも0.3mm2以上の接合面を有するｐ
−ｎ接合を持った素子からなることを特徴とする1mA以
上の電流の通電により赤外から紫外域で発光し得る発光
素子。
通電に耐える少なくとも0.3mm2以上の接合面を有するｐ
−ｎ接合を持った素子からなることを特徴とする1mA以
上の電流の通電により赤外から紫外域で発光し得る発光
素子。
２）立方晶窒化ほう素を母結晶とし、1mA以上の電流の
通電に耐える少なくとも0.3mm2以上の接合面を有するｐ
−ｎ接合を持った素子において、ｐ−ｎ接合部またはｎ
側表面に蛍光体を附設したことを特徴とする1mA以上の
電流の通電により赤外から紫外域で発光し得る発光素
子。
通電に耐える少なくとも0.3mm2以上の接合面を有するｐ
−ｎ接合を持った素子において、ｐ−ｎ接合部またはｎ
側表面に蛍光体を附設したことを特徴とする1mA以上の
電流の通電により赤外から紫外域で発光し得る発光素
子。
にある。
立方晶窒化ほう素を母結晶にしたｐ−ｎ接合を持つ素子
は次の方法によって製造し得られる。
は次の方法によって製造し得られる。
高圧高温下で密封された例えばモリブデン製容器中に高
温部と低温部を作り、高温部に立方晶BN原料粒とｐ型ま
たはｎ型ドープ材をこれらの溶媒例えば窒化リチウム・
カルシウム（LiCaBN2）溶媒に溶かしたものを入れ、低
温部に前記ドープ材と異なる型の立方晶窒化ほう素結晶
基板を置き温度による溶解差を利用して低温部に置いた
結晶基板上にこれとは異なる伝導型の立方晶窒化ほう素
を析出成長させることによりｐ−ｎ接合のものが得られ
る。容器の圧力、温度は４〜7GPa,1300〜2400℃範囲で
行うことができる。好ましくは5.5GPa,約1700℃であ
る。
温部と低温部を作り、高温部に立方晶BN原料粒とｐ型ま
たはｎ型ドープ材をこれらの溶媒例えば窒化リチウム・
カルシウム（LiCaBN2）溶媒に溶かしたものを入れ、低
温部に前記ドープ材と異なる型の立方晶窒化ほう素結晶
基板を置き温度による溶解差を利用して低温部に置いた
結晶基板上にこれとは異なる伝導型の立方晶窒化ほう素
を析出成長させることによりｐ−ｎ接合のものが得られ
る。容器の圧力、温度は４〜7GPa,1300〜2400℃範囲で
行うことができる。好ましくは5.5GPa,約1700℃であ
る。
ｎ型ドープ材としては例えばシリコン、ｐ型ドープ材と
してはベリリウムが挙げられる。ｐ−ｎ接合面があまり
小さいと発光強度も弱くなるので、0.3平方ミリメータ
はあることが望ましい。母結晶の大きさや形状は制限さ
れず、その形状は塊状結晶でも薄膜結晶のものでもよ
い。このｐ−ｎ接合に電流を流すとｐ−ｎ接合の近傍の
電子と正孔の再結晶によって発光する。電流量がゼロで
あると発光しないが、電流量を増していけば発光強度は
増加し、充分な発光強度を得るには、1mm程度の大きさ
でｐ−ｎ接合を持つ素子においては1mA以上の電流を流
す必要がある。ｐ−ｎ接合に電流を流すにはｐ型部側と
ｎ型部側に電極をつけ、そこから電流を流せばよい。電
流の向きはｐ型からｎ型に流すのが通常であるが、その
逆方向でも発光する。
してはベリリウムが挙げられる。ｐ−ｎ接合面があまり
小さいと発光強度も弱くなるので、0.3平方ミリメータ
はあることが望ましい。母結晶の大きさや形状は制限さ
れず、その形状は塊状結晶でも薄膜結晶のものでもよ
い。このｐ−ｎ接合に電流を流すとｐ−ｎ接合の近傍の
電子と正孔の再結晶によって発光する。電流量がゼロで
あると発光しないが、電流量を増していけば発光強度は
増加し、充分な発光強度を得るには、1mm程度の大きさ
でｐ−ｎ接合を持つ素子においては1mA以上の電流を流
す必要がある。ｐ−ｎ接合に電流を流すにはｐ型部側と
ｎ型部側に電極をつけ、そこから電流を流せばよい。電
流の向きはｐ型からｎ型に流すのが通常であるが、その
逆方向でも発光する。
その発光は赤色より長い波長のものだけでなく、赤色か
ら紫外域をも含む領域に亘って発光し得られる。
ら紫外域をも含む領域に亘って発光し得られる。
このｐ−ｎ接合部またはｎ側表面に蛍光体を附設する
と、発光色を変化させることができる。
と、発光色を変化させることができる。
実施例1. ｐ型立方晶窒化ほう素結晶基板の作成 325〜400メッシュの立方晶窒化ほう素の粒子とLiCaBN溶
媒の粉末を、モリブデン製育成容器に（内径4mm、内高3
mm、厚さ1mm）内に詰める。このとき溶媒の中に１重量
％の金属ベリリウム粉末を入れておく。前記モリブデン
製育成容器は高温部と低温部の温度差をつけるように構
成され、高温部を加熱加圧して5.5GPa,1700℃とし20時
間保持する。これにより低温部にｐ型立方晶窒化ほう素
結晶基板が得られた。
媒の粉末を、モリブデン製育成容器に（内径4mm、内高3
mm、厚さ1mm）内に詰める。このとき溶媒の中に１重量
％の金属ベリリウム粉末を入れておく。前記モリブデン
製育成容器は高温部と低温部の温度差をつけるように構
成され、高温部を加熱加圧して5.5GPa,1700℃とし20時
間保持する。これにより低温部にｐ型立方晶窒化ほう素
結晶基板が得られた。
ｐ−ｎ接合 前記のｐ型立方晶窒化ほう素結晶板を種結晶として育成
容器低温部に置き、前記と同じ立方晶窒化ほう素粒子と
５重量％のシリコン粒を入れたLiCaBN2溶媒粉末とを詰
め、前記と同じ条件下で育成することにより、ｐ型結晶
の上にｎ型単結晶が育成される。このｐ−ｎ接合結晶は
全体が約1mm大の単結晶で、中心部に濃青色のｐ型、周
囲が透明山吹色のｎ型結晶からなるものであった。ｐ−
ｎ接合面の大きさは0.4mm2とした。
容器低温部に置き、前記と同じ立方晶窒化ほう素粒子と
５重量％のシリコン粒を入れたLiCaBN2溶媒粉末とを詰
め、前記と同じ条件下で育成することにより、ｐ型結晶
の上にｎ型単結晶が育成される。このｐ−ｎ接合結晶は
全体が約1mm大の単結晶で、中心部に濃青色のｐ型、周
囲が透明山吹色のｎ型結晶からなるものであった。ｐ−
ｎ接合面の大きさは0.4mm2とした。
第１図に示すように、ｐ−ｎ接合を挟むｐ型部とｎ型部
に銀ペーストの電極４をつけ、ｐ型側を正ｎ型側を負に
して70ボルトの順バイアス電圧をかけると、ｐ型からｎ
型に２ミリアンペアの電流が流れた。銀ペースト電極と
立方晶窒化ほう素半導体との間の電圧降下を除いたｐ−
ｎ接合を挟むｐ型部とｎ型部との間の電圧は間隔約0.2m
mにおいて約５ボルトであった。２ミリアンペアの電流
を通電中に実体顕微鏡でｐ−ｎ接合素子を観察したとこ
ろ、ｐ−ｎ接合部に沿ってその近くのｎ型側に青白い発
光が観察された。
に銀ペーストの電極４をつけ、ｐ型側を正ｎ型側を負に
して70ボルトの順バイアス電圧をかけると、ｐ型からｎ
型に２ミリアンペアの電流が流れた。銀ペースト電極と
立方晶窒化ほう素半導体との間の電圧降下を除いたｐ−
ｎ接合を挟むｐ型部とｎ型部との間の電圧は間隔約0.2m
mにおいて約５ボルトであった。２ミリアンペアの電流
を通電中に実体顕微鏡でｐ−ｎ接合素子を観察したとこ
ろ、ｐ−ｎ接合部に沿ってその近くのｎ型側に青白い発
光が観察された。
実施例2. 実施例１における電圧を70ボルトの逆バイアス電圧とし
たところ、ｐ−ｎ接合を挟むｐ型部とｎ型部間の電圧は
−40ボルトで、ｎ型からｐ型に0.5ミリアンペアの電流
が流れ、ｎ型部が橙色に輝いた。
たところ、ｐ−ｎ接合を挟むｐ型部とｎ型部間の電圧は
−40ボルトで、ｎ型からｐ型に0.5ミリアンペアの電流
が流れ、ｎ型部が橙色に輝いた。
実施例3. 実施例１において流す電流を変化させて発光強度を光度
計で測定したところ、電流量の増加と共に発光強度も増
加した。数ミリアンペア流せば肉眼でも発光を検知し得
られる。
計で測定したところ、電流量の増加と共に発光強度も増
加した。数ミリアンペア流せば肉眼でも発光を検知し得
られる。
実施例4. 実施例１および２の条件下で、発光スペクトルを分光光
度計で測定した。その結果は第２図に示す通りであっ
た。この図は測定系の感度補正を行っていない生のデー
タである。この結果が示すように、2000オングストロー
ムの紫外域から青色にかけても発光することが確認され
た。また電流量の増加と共に短波長へ発光域が拡大され
た。
度計で測定した。その結果は第２図に示す通りであっ
た。この図は測定系の感度補正を行っていない生のデー
タである。この結果が示すように、2000オングストロー
ムの紫外域から青色にかけても発光することが確認され
た。また電流量の増加と共に短波長へ発光域が拡大され
た。
なお、ｐ−ｎ接合を持たないｐ型もしくはｎ型だけの素
子では電流を通じても発光は検知できなかった。
子では電流を通じても発光は検知できなかった。
実施例5. 実施例１のｐ−ｎ接合部、またはｎ側表面に、銀ドープ
硫化亜鉛，銅ドープ硫化亜鉛，ユーロピウムドープイッ
トリウムオキシサルファイドの蛍光体をそれぞれ塗布
し、ｐ−ｎ接合に順方向の電流を流したところ、それぞ
れ、青色，緑色，赤色の発光が得られた。
硫化亜鉛，銅ドープ硫化亜鉛，ユーロピウムドープイッ
トリウムオキシサルファイドの蛍光体をそれぞれ塗布
し、ｐ−ｎ接合に順方向の電流を流したところ、それぞ
れ、青色，緑色，赤色の発光が得られた。
発明の効果 本発明は従来の素材を用いたｐ−ｎ接合型発光素子では
得られなかった青色から紫外域の発光を生ずるｐ−ｎ接
合型発光素子を提供し得たものである。更に母結晶が立
方晶窒化ほう素であるため、その熱伝導率，硬度，化学
的安定性においても従来のものに比し優れており、その
ため高温等、あるいは苛酷な条件下でも使用可能である
効果も有する。
得られなかった青色から紫外域の発光を生ずるｐ−ｎ接
合型発光素子を提供し得たものである。更に母結晶が立
方晶窒化ほう素であるため、その熱伝導率，硬度，化学
的安定性においても従来のものに比し優れており、その
ため高温等、あるいは苛酷な条件下でも使用可能である
効果も有する。
第１図は本発明の発光素子の実施態様図で、第２図は実
施例４で得られた分光スペクトルを示す。 1:n型、2:p型、3:p−ｎ接合面、4:電極。
施例４で得られた分光スペクトルを示す。 1:n型、2:p型、3:p−ｎ接合面、4:電極。
Claims (2)
- 【請求項１】立方晶窒化ほう素を母結晶とし、1mA以上
の電流の通電に耐える少なくとも0.3mm2以上の接合面を
有するｐ−ｎ接合を持った素子からなることを特徴とす
る1mA以上の電流の通電により赤外から紫外域で発光し
得る発光素子。 - 【請求項２】立方晶窒化ほう素を母結晶とし、1mA以上
の電流の通電に耐える少なくとも0.3mm2以上の接合面を
有するｐ−ｎ接合を持った素子において、ｐ−ｎ接合部
またはｎ側表面に蛍光体を附設したことを特徴とする1m
A以上の電流の通電により赤外から紫外域で発光し得る
発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP160588A JPH079998B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子 |
| US07/388,809 US4980730A (en) | 1987-05-01 | 1989-08-03 | Light emitting element of cubic boron nitride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP160588A JPH079998B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179471A JPH01179471A (ja) | 1989-07-17 |
| JPH079998B2 true JPH079998B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=11506133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP160588A Expired - Lifetime JPH079998B2 (ja) | 1987-05-01 | 1988-01-07 | 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079998B2 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240877A (en) * | 1989-11-28 | 1993-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for manufacturing an ohmic electrode for n-type cubic boron nitride |
| JP3104979B2 (ja) * | 1990-07-27 | 2000-10-30 | 株式会社東芝 | 紫外域半導体レーザ，半導体素子およびこれらの製造方法 |
| US6600175B1 (en) | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| CN1534803B (zh) | 1996-06-26 | 2010-05-26 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 具有发光变换元件的发光半导体器件 |
| TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| US6608332B2 (en) | 1996-07-29 | 2003-08-19 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device and display |
| JP4109297B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2008-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| US8947619B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials |
| US20080029720A1 (en) | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
| US20080192458A1 (en) | 2007-02-12 | 2008-08-14 | Intematix Corporation | Light emitting diode lighting system |
| US7972030B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-07-05 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
| US8203260B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-06-19 | Intematix Corporation | Color temperature tunable white light source |
| US8783887B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-07-22 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
| US7915627B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-03-29 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
| US8740400B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-06-03 | Intematix Corporation | White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation |
| US8567973B2 (en) | 2008-03-07 | 2013-10-29 | Intematix Corporation | Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs) |
| US8651692B2 (en) | 2009-06-18 | 2014-02-18 | Intematix Corporation | LED based lamp and light emitting signage |
| US8779685B2 (en) | 2009-11-19 | 2014-07-15 | Intematix Corporation | High CRI white light emitting devices and drive circuitry |
| US8807799B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-08-19 | Intematix Corporation | LED-based lamps |
| US8888318B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-11-18 | Intematix Corporation | LED spotlight |
| US8946998B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | LED-based light emitting systems and devices with color compensation |
| US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
| US8610341B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
| US8614539B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
| US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
| US8604678B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
| JP6069205B2 (ja) | 2010-10-05 | 2017-02-01 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | フォトルミネッセンス波長変換を備える発光装置及び波長変換コンポーネント |
| US9004705B2 (en) | 2011-04-13 | 2015-04-14 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
| US20130088848A1 (en) | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
| US8992051B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
| US9365766B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-06-14 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion |
| US9115868B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion |
| US9252338B2 (en) | 2012-04-26 | 2016-02-02 | Intematix Corporation | Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion |
| US8994056B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | LED-based large area display |
| US20140185269A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Intermatix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
| US9217543B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-12-22 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns |
| CN105121951A (zh) | 2013-03-15 | 2015-12-02 | 英特曼帝克司公司 | 光致发光波长转换组件 |
| US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
| CN107250906A (zh) | 2015-03-23 | 2017-10-13 | 英特曼帝克司公司 | 光致发光彩色显示器 |
-
1988
- 1988-01-07 JP JP160588A patent/JPH079998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＳＣＩＥＮＣＥ，ＶＯＬ．２３８，（４８２４）（１９８７−１０−９）Ｐ．１８１−１８３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01179471A (ja) | 1989-07-17 |
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