JPH0794424A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0794424A JPH0794424A JP23701593A JP23701593A JPH0794424A JP H0794424 A JPH0794424 A JP H0794424A JP 23701593 A JP23701593 A JP 23701593A JP 23701593 A JP23701593 A JP 23701593A JP H0794424 A JPH0794424 A JP H0794424A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハが配置された炉芯管内に流す
処理ガスの半導体ウェーハ面での濃度を均一化した減圧
CVD装置などの半導体製造装置。 【構成】 ベース1上に内管2と外管3から成る炉芯管
4を配置し、内管2内にボート8で保持された半導体ウ
ェーハ7を配置し、ボート8と半導体ウェーハ7を回転
させて、ベース1に開口した出入口6から処理ガスを半
導体ウェーハ7に向けて供給する装置において、処理ガ
スの流路に直交させてガス拡散板20をボート8と共に
回転可能に配置する。ガス拡散板20の内面にガス攪拌
羽23を突設し、ガス拡散板20の回転によるガス攪拌
羽23の回転で処理ガスを攪拌して、より均一な状態に
してガス拡散板20を通過させることにより、処理ガス
が半導体ウェーハ7の面を均一に流れるようにする。
処理ガスの半導体ウェーハ面での濃度を均一化した減圧
CVD装置などの半導体製造装置。 【構成】 ベース1上に内管2と外管3から成る炉芯管
4を配置し、内管2内にボート8で保持された半導体ウ
ェーハ7を配置し、ボート8と半導体ウェーハ7を回転
させて、ベース1に開口した出入口6から処理ガスを半
導体ウェーハ7に向けて供給する装置において、処理ガ
スの流路に直交させてガス拡散板20をボート8と共に
回転可能に配置する。ガス拡散板20の内面にガス攪拌
羽23を突設し、ガス拡散板20の回転によるガス攪拌
羽23の回転で処理ガスを攪拌して、より均一な状態に
してガス拡散板20を通過させることにより、処理ガス
が半導体ウェーハ7の面を均一に流れるようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、石英製の炉芯管内で半
導体ウェーハ表面にシリコン多結晶膜などの生成膜を成
長させる減圧CVD装置や、炉芯管内で半導体ウェーハ
に不純物を拡散する常圧拡散炉装置などの半導体製造装
置に関する。
導体ウェーハ表面にシリコン多結晶膜などの生成膜を成
長させる減圧CVD装置や、炉芯管内で半導体ウェーハ
に不純物を拡散する常圧拡散炉装置などの半導体製造装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハにCVD法(気相成長
法)でシリコン多結晶膜などを成長させる縦型の減圧C
VD装置は、例えば図7に示すように、石英製の内管2
と外管3から成る炉芯管4を備える。炉芯管4は、水平
なステンレス製のベース1上に離脱可能に設置され、外
管3の外周にヒータ5が配置される。ベース1は円環状
の固定された水平な台で、その上面に上下開口円筒状の
内管2と上端閉塞下端開口の円筒状外管3が同心に設置
される。ベース1の中央に開口した円形の出入口6か
ら、内管2内の反応室mに複数の半導体ウェーハ7が挿
入され、定位置に保持されて後述のガス処理がなされ
る。
法)でシリコン多結晶膜などを成長させる縦型の減圧C
VD装置は、例えば図7に示すように、石英製の内管2
と外管3から成る炉芯管4を備える。炉芯管4は、水平
なステンレス製のベース1上に離脱可能に設置され、外
管3の外周にヒータ5が配置される。ベース1は円環状
の固定された水平な台で、その上面に上下開口円筒状の
内管2と上端閉塞下端開口の円筒状外管3が同心に設置
される。ベース1の中央に開口した円形の出入口6か
ら、内管2内の反応室mに複数の半導体ウェーハ7が挿
入され、定位置に保持されて後述のガス処理がなされ
る。
【0003】複数の半導体ウェーハ7は、石英製のボー
ト8に上下に等間隔で水平に保持される。ボート8の下
端は石英製の支持台9に支持され、支持台9の下端部に
は蓋体11が回転可能に連結される。支持台9とボート
8と半導体ウェーハ7がユニット化され、このボートユ
ニット10がベース1の出入口6に下方から定位置まで
挿入されて、蓋板11がベース1の下面にリング状のパ
ッキング12を介して固定される。ボートユニット10
は、炉芯管4内に蓋板11で支持された状態で、外部の
マグネットなどからなる回転手段13でもって図7矢印
方向に回転する。
ト8に上下に等間隔で水平に保持される。ボート8の下
端は石英製の支持台9に支持され、支持台9の下端部に
は蓋体11が回転可能に連結される。支持台9とボート
8と半導体ウェーハ7がユニット化され、このボートユ
ニット10がベース1の出入口6に下方から定位置まで
挿入されて、蓋板11がベース1の下面にリング状のパ
ッキング12を介して固定される。ボートユニット10
は、炉芯管4内に蓋板11で支持された状態で、外部の
マグネットなどからなる回転手段13でもって図7矢印
方向に回転する。
【0004】ベース1の出入口6の内壁面一部にガス導
入孔14が形成され、ガス導入孔14と連通するガス供
給管15がベース1から外部に導出される。ガス供給管
15に流量コントローラ16が連結される。ベース1の
上面の内管2と外管3の間に円形の溝17が形成され、
溝17の内面一部からベース1の外面一部に連通させて
ガス排出孔18が形成される。ガス排出孔18は、外部
の真空吸引系19に連結される。
入孔14が形成され、ガス導入孔14と連通するガス供
給管15がベース1から外部に導出される。ガス供給管
15に流量コントローラ16が連結される。ベース1の
上面の内管2と外管3の間に円形の溝17が形成され、
溝17の内面一部からベース1の外面一部に連通させて
ガス排出孔18が形成される。ガス排出孔18は、外部
の真空吸引系19に連結される。
【0005】ベース1上に内管2と外管3を設置し、内
管2内の反応室mにボート8に支持された半導体ウェー
ハ7を配置し、蓋板11をベース1に固定しておいて、
真空吸引系19で炉芯管4内を所定の真空度の減圧状態
に維持させる。この状態で支持台9とボート8と半導体
ウェーハ7のボートユニット10を回転させて、所望の
処理ガス(以下、反応ガスと称する)をガス供給管15
からベース1の出入口6内へと供給する。反応ガスは流
量コントローラ16で流量調整されて出入口6内に供給
されると、上昇して反応室mに充満してから、内管2と
外管3の間を流下してガス排出孔18から排気される。
反応室mを上昇する反応ガスは、ヒータ5で所定温度ま
で加熱されて半導体ウェーハ7の表面に沿って流れ、こ
の時に半導体ウェーハ7の表面に所望の生成膜を成長さ
せる。
管2内の反応室mにボート8に支持された半導体ウェー
ハ7を配置し、蓋板11をベース1に固定しておいて、
真空吸引系19で炉芯管4内を所定の真空度の減圧状態
に維持させる。この状態で支持台9とボート8と半導体
ウェーハ7のボートユニット10を回転させて、所望の
処理ガス(以下、反応ガスと称する)をガス供給管15
からベース1の出入口6内へと供給する。反応ガスは流
量コントローラ16で流量調整されて出入口6内に供給
されると、上昇して反応室mに充満してから、内管2と
外管3の間を流下してガス排出孔18から排気される。
反応室mを上昇する反応ガスは、ヒータ5で所定温度ま
で加熱されて半導体ウェーハ7の表面に沿って流れ、こ
の時に半導体ウェーハ7の表面に所望の生成膜を成長さ
せる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ベース1のガス導入孔
14から出入口6に導入された反応ガスは、反応室mを
上昇する間に回転するボートユニット10で攪拌され
て、半導体ウェーハ7に均一な濃度で接触するようにし
てある。ところが、出入口6内や反応室mの下部での反
応ガスの濃度は、ガス導入孔14の近くが高いといった
偏りがあって、反応室mに反応ガスを均一な濃度分布で
上昇させることが難しく、上下多段に配置された各半導
体ウェーハ7に反応ガスを均一な濃度で接触させること
が困難であった。その結果、各半導体ウェーハ7の表面
での生成膜の成長状態が、半導体ウェーハ7の面内で不
均一となり易く、製品の歩留まりを低下させていた。
14から出入口6に導入された反応ガスは、反応室mを
上昇する間に回転するボートユニット10で攪拌され
て、半導体ウェーハ7に均一な濃度で接触するようにし
てある。ところが、出入口6内や反応室mの下部での反
応ガスの濃度は、ガス導入孔14の近くが高いといった
偏りがあって、反応室mに反応ガスを均一な濃度分布で
上昇させることが難しく、上下多段に配置された各半導
体ウェーハ7に反応ガスを均一な濃度で接触させること
が困難であった。その結果、各半導体ウェーハ7の表面
での生成膜の成長状態が、半導体ウェーハ7の面内で不
均一となり易く、製品の歩留まりを低下させていた。
【0007】かかるガス濃度の不均一性を改善する工夫
として、上記同様な炉芯管における反応室に反応ガスを
供給するガス導入孔の数を多くすることや、ガス導入孔
から反応室に向う反応ガスの流路に多孔板状のガス拡散
板を設置することが知られている。しかし、ガス導入孔
の数を多くしても、ガス導入孔近くでガス濃度が高くな
って、反応室でのガス濃度の均一化は依然として困難で
ある。また、ガス流路に多孔状のガス拡散板を固定配置
して、反応ガスがガス拡散板を通過する間に拡散させる
ようにすると、反応ガスは反応室に比較的均一な濃度で
流れるが、現実においては、反応ガスがガス拡散板の部
分的な面を集中的に通過したり、反応ガスがガス拡散板
の外周から洩れたりして、反応室に均一な濃度で流すこ
とが難しい問題があった。
として、上記同様な炉芯管における反応室に反応ガスを
供給するガス導入孔の数を多くすることや、ガス導入孔
から反応室に向う反応ガスの流路に多孔板状のガス拡散
板を設置することが知られている。しかし、ガス導入孔
の数を多くしても、ガス導入孔近くでガス濃度が高くな
って、反応室でのガス濃度の均一化は依然として困難で
ある。また、ガス流路に多孔状のガス拡散板を固定配置
して、反応ガスがガス拡散板を通過する間に拡散させる
ようにすると、反応ガスは反応室に比較的均一な濃度で
流れるが、現実においては、反応ガスがガス拡散板の部
分的な面を集中的に通過したり、反応ガスがガス拡散板
の外周から洩れたりして、反応室に均一な濃度で流すこ
とが難しい問題があった。
【0008】本発明の目的は、半導体ウェーハが配置さ
れた炉芯管内に反応ガスを確実に均一な濃度分布で流し
て、半導体ウェーハを均一にガス処理する減圧CVD装
置などの半導体製造装置を提供することにある。
れた炉芯管内に反応ガスを確実に均一な濃度分布で流し
て、半導体ウェーハを均一にガス処理する減圧CVD装
置などの半導体製造装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、ボートに保持
された複数の半導体ウェーハを炉芯管内に配置し、炉芯
管内でボートと共に半導体ウェーハを回転させて、炉芯
管の一部から半導体ウェーハに向けて処理ガスを供給
し、炉芯管の他部から炉芯管内の処理済みガスを排気す
るようにした半導体製造装置において、前記炉芯管内の
半導体ウェーハに向けて供給される処理ガスの流路に、
この流路に略直交する方向で、供給される処理ガスに向
う内面側にガス攪拌羽を一体に突設し、内外面にかけて
処理ガスが流通する複数の孔を有するガス拡散板を、前
記ボートと共に回転可能に配置したことにより、上記目
的を達成する。
された複数の半導体ウェーハを炉芯管内に配置し、炉芯
管内でボートと共に半導体ウェーハを回転させて、炉芯
管の一部から半導体ウェーハに向けて処理ガスを供給
し、炉芯管の他部から炉芯管内の処理済みガスを排気す
るようにした半導体製造装置において、前記炉芯管内の
半導体ウェーハに向けて供給される処理ガスの流路に、
この流路に略直交する方向で、供給される処理ガスに向
う内面側にガス攪拌羽を一体に突設し、内外面にかけて
処理ガスが流通する複数の孔を有するガス拡散板を、前
記ボートと共に回転可能に配置したことにより、上記目
的を達成する。
【0010】また、本発明においては、前記ガス拡散板
が、処理ガスが流通する孔を有する円板部と、この円板
部を一開口端に一体に有する円筒部を備え、この円筒部
の内部空間に供給された処理ガスが円板部の孔から外に
抜けるものであることが、処理ガスをより均一に炉芯管
内に流す上で望ましい。
が、処理ガスが流通する孔を有する円板部と、この円板
部を一開口端に一体に有する円筒部を備え、この円筒部
の内部空間に供給された処理ガスが円板部の孔から外に
抜けるものであることが、処理ガスをより均一に炉芯管
内に流す上で望ましい。
【0011】更に、本発明は、前記炉芯管の一部から炉
芯管内の前記ガス拡散板の円筒部内部空間にガス導入用
ノズルを設置して、このノズルの先端開口から処理ガス
をガス拡散板の円板部内面に向けて供給する構造が実用
上に望ましい。
芯管内の前記ガス拡散板の円筒部内部空間にガス導入用
ノズルを設置して、このノズルの先端開口から処理ガス
をガス拡散板の円板部内面に向けて供給する構造が実用
上に望ましい。
【0012】
【作用】炉芯管内の半導体ウェーハに向けて供給される
処理ガスの流路に配置されたガス拡散板は、半導体ウェ
ーハを保持するボートと共に回転するときに内面に突設
したガス攪拌羽が処理ガスを攪拌して、処理ガスを十分
均一に拡散させた上でガス拡散板の孔を通過させるた
め、ガス拡散板を通過した段階で処理ガスの流れが均一
となり、半導体ウェーハの面に処理ガスを均一に流すこ
とが確実にできるようになる。
処理ガスの流路に配置されたガス拡散板は、半導体ウェ
ーハを保持するボートと共に回転するときに内面に突設
したガス攪拌羽が処理ガスを攪拌して、処理ガスを十分
均一に拡散させた上でガス拡散板の孔を通過させるた
め、ガス拡散板を通過した段階で処理ガスの流れが均一
となり、半導体ウェーハの面に処理ガスを均一に流すこ
とが確実にできるようになる。
【0013】
【実施例】以下、図7の縦型の減圧CVD装置に適用し
た第1の実施例を図1乃至図5に、第2の実施例を図6
に示して説明する。なお、図1乃至図6の図7と同一、
又は、相当部分には同一符号を付して説明は省略する。
た第1の実施例を図1乃至図5に、第2の実施例を図6
に示して説明する。なお、図1乃至図6の図7と同一、
又は、相当部分には同一符号を付して説明は省略する。
【0014】図1実施例の従来と相違するところは、ベ
ース1の出入口6から反応室mに向けて上昇する反応ガ
スの流路に直交させてガス拡散板20をボートユニット
10と共に回転可能に配置したこと、及び、ガス拡散板
20にその回転力を利用して反応ガスを攪拌するガス攪
拌羽23を取付けたことである。また、図1の実施例
は、ベース1の出入口6内にノズル30を固定して、ベ
ース1のガス供給管15から送られてくる反応ガスをノ
ズル30に通し、ノズル30の先端からガス拡散板20
に向けて吐出させる。
ース1の出入口6から反応室mに向けて上昇する反応ガ
スの流路に直交させてガス拡散板20をボートユニット
10と共に回転可能に配置したこと、及び、ガス拡散板
20にその回転力を利用して反応ガスを攪拌するガス攪
拌羽23を取付けたことである。また、図1の実施例
は、ベース1の出入口6内にノズル30を固定して、ベ
ース1のガス供給管15から送られてくる反応ガスをノ
ズル30に通し、ノズル30の先端からガス拡散板20
に向けて吐出させる。
【0015】ガス拡散板20の具体例を図2及び図3に
示すと、これは円板部21と、円板部21の外周に一開
口端が一体の円筒部22を有する石英製品で、円板部2
1がボートユニット10の例えば支持台9上に離脱可能
に位置決め載置されて、円筒部22と支持台9の間に円
環状の空間nが形成される。円板部21は支持台9より
大径で、これの支持台9から食み出す周辺部に板厚方向
に貫通させて多数のガス放出用孔24が形成される。円
板部21の周辺部内面の孔24を避けた部分に複数のガ
ス攪拌羽23が下向きに一体に突設される。
示すと、これは円板部21と、円板部21の外周に一開
口端が一体の円筒部22を有する石英製品で、円板部2
1がボートユニット10の例えば支持台9上に離脱可能
に位置決め載置されて、円筒部22と支持台9の間に円
環状の空間nが形成される。円板部21は支持台9より
大径で、これの支持台9から食み出す周辺部に板厚方向
に貫通させて多数のガス放出用孔24が形成される。円
板部21の周辺部内面の孔24を避けた部分に複数のガ
ス攪拌羽23が下向きに一体に突設される。
【0016】ガス攪拌羽23の数、サイズ、配列は、図
2の例に限らず、後述するようにガス拡散板20の回転
力でガス攪拌羽23が反応ガスを効果的に攪拌するよう
に設定される。また、ガス拡散板20の孔24の数、サ
イズ、配列も、図2の例に限らず、ガス攪拌羽23で攪
拌された反応ガスがガス拡散板20上に均一的に抜け出
るように設定される。
2の例に限らず、後述するようにガス拡散板20の回転
力でガス攪拌羽23が反応ガスを効果的に攪拌するよう
に設定される。また、ガス拡散板20の孔24の数、サ
イズ、配列も、図2の例に限らず、ガス攪拌羽23で攪
拌された反応ガスがガス拡散板20上に均一的に抜け出
るように設定される。
【0017】ベース1の出入口6内に固定されたノズル
30の具体例を図4及び図5に示すと、これはガス拡散
板20の円筒部22より大径の半円状の円弧管部31
と、円弧管部31の両端から出入口6の中心方向に延び
る内方管部32と、各内方管部32の先端から上方に延
びる一対の起立管部33を備える。一対の起立管部33
は、ガス拡散板20の円筒部22と支持台9の間の空間
nの幅と高さの略中央まで延びて、先端開口から反応ガ
スを真上のガス攪拌羽23に向けて噴き出す。
30の具体例を図4及び図5に示すと、これはガス拡散
板20の円筒部22より大径の半円状の円弧管部31
と、円弧管部31の両端から出入口6の中心方向に延び
る内方管部32と、各内方管部32の先端から上方に延
びる一対の起立管部33を備える。一対の起立管部33
は、ガス拡散板20の円筒部22と支持台9の間の空間
nの幅と高さの略中央まで延びて、先端開口から反応ガ
スを真上のガス攪拌羽23に向けて噴き出す。
【0018】ノズル30に対応させて、ガス拡散板20
のノズル30の内方管部32と起立管部33と対向する
部分に、内方管部32と起立管部33が余裕をもって通
過できる切欠き25が形成される。つまり、ベース1の
出入口6でボートユニット10を挿脱する際に、ガス拡
散板20の切欠き25にノズル30の内方管部32と起
立管部33を通すようにして、ボートユニット10と共
にガス拡散板20が出入口6の内外に出し入れできるよ
うにしてある。
のノズル30の内方管部32と起立管部33と対向する
部分に、内方管部32と起立管部33が余裕をもって通
過できる切欠き25が形成される。つまり、ベース1の
出入口6でボートユニット10を挿脱する際に、ガス拡
散板20の切欠き25にノズル30の内方管部32と起
立管部33を通すようにして、ボートユニット10と共
にガス拡散板20が出入口6の内外に出し入れできるよ
うにしてある。
【0019】図1の装置においては、ベース1上に内管
2と外管3を設置し、ベース1の出入口6からガス拡散
板20を取付けたボートユニット10を挿入し、内管2
内の反応室mにボート8で支持された半導体ウェーハ7
を配置し、蓋板11をベース1に固定しておいて運転が
開始される。つまり、真空吸引系19で炉芯管4内を所
定の真空度の減圧状態に維持させ、この状態でボートユ
ニット10を回転させて、ヒータ5で反応室mを加熱し
てノズル30から反応ガスを空間nに供給する。ノズル
30の起立管部33からガス拡散板20の内面に向けて
噴き出された反応ガスは、空間nに充満し、回転するガ
ス拡散板20のガス攪拌羽23で積極的に攪拌されて、
孔24から反応室mに導入され、上昇しながら半導体ウ
ェーハ7の間を流れる。
2と外管3を設置し、ベース1の出入口6からガス拡散
板20を取付けたボートユニット10を挿入し、内管2
内の反応室mにボート8で支持された半導体ウェーハ7
を配置し、蓋板11をベース1に固定しておいて運転が
開始される。つまり、真空吸引系19で炉芯管4内を所
定の真空度の減圧状態に維持させ、この状態でボートユ
ニット10を回転させて、ヒータ5で反応室mを加熱し
てノズル30から反応ガスを空間nに供給する。ノズル
30の起立管部33からガス拡散板20の内面に向けて
噴き出された反応ガスは、空間nに充満し、回転するガ
ス拡散板20のガス攪拌羽23で積極的に攪拌されて、
孔24から反応室mに導入され、上昇しながら半導体ウ
ェーハ7の間を流れる。
【0020】反応ガスがガス拡散板20の円筒部22の
周辺部下面に向けて上昇すると、孔24に達する前に回
転移動するガス攪拌羽23で攪拌され、この攪拌で反応
ガスが各孔24に均一的に通過するようになる。この均
一的な通過でガス拡散板20の周辺部上でのガス分布が
均一となり、反応ガスは反応室mを均一な濃度分布で上
昇し、各半導体ウェーハ7の間を均一に流れるようにな
って、半導体ウェーハ7の表面に所望の生成膜が均一に
成長する。
周辺部下面に向けて上昇すると、孔24に達する前に回
転移動するガス攪拌羽23で攪拌され、この攪拌で反応
ガスが各孔24に均一的に通過するようになる。この均
一的な通過でガス拡散板20の周辺部上でのガス分布が
均一となり、反応ガスは反応室mを均一な濃度分布で上
昇し、各半導体ウェーハ7の間を均一に流れるようにな
って、半導体ウェーハ7の表面に所望の生成膜が均一に
成長する。
【0021】ガス拡散板20は、円板部21だけの構造
にしても、ガス攪拌機能でガスを均一に拡散するが、円
板部21に円筒部22を加えた構造が次の理由で望まし
い。すなわち、円筒部22が円板部21周縁からのガス
洩れを防止し、円筒部22と支持台9の間の空間nに反
応ガスを充満させるので、ガス攪拌効果が一層高まり、
十分に攪拌されて均一となった反応ガスが孔24から反
応室mに抜ける。また、ノズル30は、反応ガスを空間
nの望ましい位置に確実に供給する上で有効である。
にしても、ガス攪拌機能でガスを均一に拡散するが、円
板部21に円筒部22を加えた構造が次の理由で望まし
い。すなわち、円筒部22が円板部21周縁からのガス
洩れを防止し、円筒部22と支持台9の間の空間nに反
応ガスを充満させるので、ガス攪拌効果が一層高まり、
十分に攪拌されて均一となった反応ガスが孔24から反
応室mに抜ける。また、ノズル30は、反応ガスを空間
nの望ましい位置に確実に供給する上で有効である。
【0022】図6の第2の実施例は、図1の装置の一部
変形例が示される。図6の装置においては、ボート8を
支持する支持台9の上部側面に凹部34を形成してい
る。この凹部34の形成で支持台9の上面の面積が小さ
くなり、その分、ガス拡散板20の円板部21の支持台
9の上面から食み出す周辺部の面積が大きくなり、円板
部21の周辺部下の空間nの体積が大きくなる。その結
果、反応ガスがより大きな体積空間で攪拌され、円板部
21のより大きな面積の周辺部に形成された孔24を通
過して拡散するために、そのガス攪拌効果とガス拡散効
果がより顕著に、確実に得られる。
変形例が示される。図6の装置においては、ボート8を
支持する支持台9の上部側面に凹部34を形成してい
る。この凹部34の形成で支持台9の上面の面積が小さ
くなり、その分、ガス拡散板20の円板部21の支持台
9の上面から食み出す周辺部の面積が大きくなり、円板
部21の周辺部下の空間nの体積が大きくなる。その結
果、反応ガスがより大きな体積空間で攪拌され、円板部
21のより大きな面積の周辺部に形成された孔24を通
過して拡散するために、そのガス攪拌効果とガス拡散効
果がより顕著に、確実に得られる。
【0023】なお、本発明は縦型減圧CVD装置に限ら
ず、横型CVD装置や縦型及び横型の常圧拡散炉などに
も適用可能である。特に、縦型常圧拡散炉は、図1の装
置と同様な構造で拡散炉内を常圧にして使用するため、
回転するガス拡散板のガス攪拌羽によるガス攪拌効果に
優れることが分かっている。
ず、横型CVD装置や縦型及び横型の常圧拡散炉などに
も適用可能である。特に、縦型常圧拡散炉は、図1の装
置と同様な構造で拡散炉内を常圧にして使用するため、
回転するガス拡散板のガス攪拌羽によるガス攪拌効果に
優れることが分かっている。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、炉芯管内の半導体ウェ
ーハに向けて供給される処理ガスは、半導体ウェーハや
ボートと共に回転するガス拡散板のガス攪拌羽で攪拌さ
れて均一化されてから、ガス拡散板の孔を通過して半導
体ウェーハへと流れるので、半導体ウェーハの面に処理
ガスを均一な濃度分布で流すことができて、半導体ウェ
ーハの面に均一な生成膜成長等のガス処理が可能とな
り、半導体製品の歩留まり向上、品質改善が図れる。
ーハに向けて供給される処理ガスは、半導体ウェーハや
ボートと共に回転するガス拡散板のガス攪拌羽で攪拌さ
れて均一化されてから、ガス拡散板の孔を通過して半導
体ウェーハへと流れるので、半導体ウェーハの面に処理
ガスを均一な濃度分布で流すことができて、半導体ウェ
ーハの面に均一な生成膜成長等のガス処理が可能とな
り、半導体製品の歩留まり向上、品質改善が図れる。
【図1】本発明の一実施例を示す縦断面図
【図2】図1の装置におけるガス拡散板の拡大平面図
【図3】図2のA−A線に沿う断面図
【図4】図1の装置におけるガス供給用ノズルの拡大平
面図
面図
【図5】図4のノズルの正面図
【図6】本発明の他の実施例を示す要部の縦断面図
【図7】従来の半導体製造装置である縦型減圧CVD装
置の縦断面図
置の縦断面図
4 炉芯管 7 半導体ウェーハ 8 ボート 20 ガス拡散板 21 円板部 22 円筒部 23 ガス攪拌羽 24 孔 30 ノズル
Claims (3)
- 【請求項1】 ボートに保持された複数の半導体ウェー
ハを炉芯管内に配置し、炉芯管内でボートと共に半導体
ウェーハを回転させて、炉芯管の一部から半導体ウェー
ハに向けて処理ガスを供給し、炉芯管の他部から炉芯管
内の処理済みガスを排気するようにした半導体製造装置
において、 前記炉芯管内の半導体ウェーハに向けて供給される処理
ガスの流路に、この流路に略直交する方向で、供給され
る処理ガスに向う内面側にガス攪拌羽を一体に突設し、
内外面に処理ガスが流通する複数の孔を有するガス拡散
板を、前記ボートと共に回転可能に配置したことを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 前記ガス拡散板は、処理ガスが流通する
孔を有する円板部と、この円板部を一開口端に一体に有
する円筒部を備え、この円筒部の内部空間に供給された
処理ガスが円板部の孔から外に抜けることを特徴とする
請求項1記載の半導体製造装置。 - 【請求項3】 前記炉芯管の一部から炉芯管内のガス拡
散板の円筒部内部空間へとガス導入用ノズルを設置し
て、このノズルの先端開口から処理ガスをガス拡散板の
円板部内面に向けて供給するようにしたことを特徴とす
る請求項2記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23701593A JPH0794424A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23701593A JPH0794424A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0794424A true JPH0794424A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17009129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23701593A Withdrawn JPH0794424A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0794424A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100252213B1 (ko) * | 1997-04-22 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체소자제조장치및그제조방법 |
WO2005040454A1 (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-06 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 表面処理方法及び装置 |
KR100475011B1 (ko) * | 1997-09-22 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | 박막형성장치,그제조방법및이를이용한박막형성방법 |
JP2014534644A (ja) * | 2011-11-17 | 2014-12-18 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 補助ガス供給ポートを含む基板処理装置 |
CN116623294A (zh) * | 2023-07-21 | 2023-08-22 | 常州市乐萌压力容器有限公司 | 一种宝石炉下炉室及其加工工艺 |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP23701593A patent/JPH0794424A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7459187B2 (en) | 2003-10-29 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Surface-treatment method and equipment |
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CN116623294B (zh) * | 2023-07-21 | 2023-09-26 | 常州市乐萌压力容器有限公司 | 一种宝石炉下炉室及其加工工艺 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |