JP2004288744A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ボート上流部での処理の均一性を向上させ、後工程での不良の発生を防止し、基板処理全体での歩留りの向上、処理品質の向上を図る。
【解決手段】基板21を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する基板保持具11と、反応炉内にガスを供給するガス導入管9と、前記基板保持具の上流側に設けられた複数枚のプレート25,26とを有し、該プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成る。
【選択図】 図1
【解決手段】基板21を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する基板保持具11と、反応炉内にガスを供給するガス導入管9と、前記基板保持具の上流側に設けられた複数枚のプレート25,26とを有し、該プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成る。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板表面に於ける薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置を製造する工程として、シリコンウェーハ等の基板表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理がある。又、該基板処理には所要枚数の基板を一括で処理するバッチ式の基板処理装置と、一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置がある。バッチ式の基板処理装置では、例えば、縦型反応炉を具備した基板処理装置がある。
【0003】
縦型反応炉を具備した基板処理装置では、処理される基板(以下ウェーハ)は基板保持具(以下ボート)に水平姿勢で多段に支持される。ボートに保持されたウェーハはボートエレベータにより反応炉内に装入され、炉内で加熱されると共に処理ガスが導入され、薄膜の生成等所要の処理が為される。
【0004】
基板処理が完了すると、ボートエレベータによりボートが炉内より引出され、基板移載機により払出される様になっている。
【0005】
図4により従来の基板処理装置の縦型反応炉について説明する。
【0006】
図4中、1は上端が閉塞された筒状のヒータであり、2は該ヒータ1の内部に該ヒータ1と同心に設けられた有天筒状の外部反応管、3は該外部反応管2の内部に該外部反応管2と同心に設けられた内部反応管であり、該内部反応管3の上端が開放されている。前記外部反応管2と内部反応管3との間には下端が閉塞された円筒状の空間4が形成され、前記内部反応管3の内部には反応室5が画成される。
【0007】
前記外部反応管2の下端に炉口フランジ6が前記外部反応管2と同心に設けられ、前記炉口フランジ6の内周面に突設された内フランジ部7に前記内部反応管3の下端が支持されている。
【0008】
前記炉口フランジ6には排気管8及びガス導入管9が設けられている。前記排気管8は前記空間4の下端に連通し、図示しない排気装置に接続され、排気圧は圧力制御部(図示せず)等により制御される。前記ガス導入管9は前記反応室5の下端部に連通し、図示しない処理ガス導入源に連通され、図示しない流量制御器等により処理ガスの供給流量が制御されている。
【0009】
前記縦型反応炉の下方には、ボートエレベータ(図示せず)が設けられ、該ボートエレベータ(図示せず)により、ボート11が前記内部反応管3の内部に装入される様になっている。
【0010】
前記ボートエレベータ(図示せず)は昇降可能な昇降フランジ12を有し、該昇降フランジ12には炉口蓋13が設けられ、前記昇降フランジ12に立設された軸14が前記炉口蓋13を気密に貫通し、前記軸14の上端にボート受台15が設けられている。前記ボート11は前記ボート受台15に載置され、前記ボート11が前記内部反応管3に装入された状態では、前記炉口蓋13により前記炉口フランジ6下端が気密に閉塞される様になっている。
【0011】
前記ボート11について、図4〜図6を参照して説明する。
【0012】
前記ボート11は、ボート下フランジ16、ボート上フランジ17及び前記ボート下フランジ16と前記ボート上フランジ17間に掛渡された複数本(図示では4本)の支柱18を有している。該支柱18は略半円周上に、前記ウェーハの出入りが可能な様に配置されている。
【0013】
前記支柱18には所要ピッチでウェーハ保持溝19が刻設され、該ウェーハ保持溝19にウェーハ21が挿入されて保持される。
【0014】
前記ボート11の下部、即ち前記炉口フランジ6から前記ヒータ1の下部に亘って前記ウェーハ21と略同形状の断熱板22が装填される。該断熱板22が装填された部分はボート断熱部23として機能し、該ボート断熱部23により炉口部からの放熱が抑制される。又、前記ボート11の前記ボート断熱部23の上方には前記ウェーハ21が装填される。ウェーハとしては、ダミーウェーハ、製品用ウェーハ、モニタウェーハがあり、ダミーウェーハ、製品用ウェーハ、モニタウェーハは処理の内容に対応して適宜配列される。
【0015】
前記断熱板22、前記ウェーハ21が装填された状態で、前記ボート11は前記反応室5に装入される。
【0016】
基板処理について略述する。
【0017】
前記ヒータ1より前記内部反応管3内の前記ウェーハ21が加熱され、前記ガス導入管9から処理ガスが導入される。該処理ガスは前記ボート受台15の周辺から前記反応室5内に流入し、更に該反応室5を上昇して前記ウェーハ21と反応し、該ウェーハ21に成膜等所要の処理が為される。反応後のガスは上昇し、前記内部反応管3の上端で折返して前記空間4を降下して前記排気管8から排出される。
【0018】
基板処理が完了すると、前記処理ガスの導入が停止され、前記反応室5が不活性ガスでガスパージされ、前記反応室5外の圧力と同圧化され、図示しないボートエレベータにより前記ボート11が降下される。降下状態の該ボート11から処理済の前記ウェーハ21が払出される。
【0019】
尚、上記した従来例としては、例えば特許文献1に示されたものがある。
【0020】
【特許文献1】
特開平7−37973号公報
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の基板処理装置では、前記ウェーハ21と前記断熱板22と前記内部反応管3の内面間に形成される隙間が、前記処理ガスが上昇する際の流路24となる。前記ボート11に装填されている、前記ウェーハ21、前記断熱板22共に略同径であるので、前記内部反応管3内面と前記ウェーハ21、前記断熱板22間で形成される前記流路24は前記ボート11の上流端から下流端迄一様となっていた。
【0022】
基板処理によっては、導入する前記処理ガスの流量が多く、流速が早くなる場合がある。この様な条件では、前記処理ガスの上流部分、即ち前記ボート11の下部部分に位置する前記ウェーハ21のエッジ部の成膜が薄くなるという現象が生じ、ウェーハ面内における膜厚分布の均一性が低下するという問題が生じている。膜厚の均一性の低下は、成膜後の処理工程、例えばエッチング処理等で処理不良を生じる虞れがあるという問題を有していた。
【0023】
本発明は斯かる実情に鑑み、ボート上流部での処理の均一性を向上させ、後工程での不良の発生を防止し、基板処理全体での歩留りの向上、処理品質の向上を図るものである。
【0024】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する基板保持具と、反応炉内にガスを供給するガス導入管と、前記基板保持具の上流側に設けられた複数枚のプレートとを有し、該プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成る基板処理装置に係るものである。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【0026】
図1〜図3は本発明に係る基板処理装置の要部を示しており、図中、図4〜図6中で示したものと同等のものには同符号を付し、その詳細を省略する。
【0027】
外部反応管2の下端に炉口フランジ6が設けられ、該炉口フランジ6の内フランジ部7に内部反応管3が前記外部反応管2と同心に立設されている。
【0028】
前記炉口フランジ6には排気管8及びガス導入管9が設けられ、前記排気管8は空間4の下端に連通し、前記ガス導入管9は反応室5の下端に連通している。前記排気管8は図示しない排気装置に接続され、排気圧は圧力制御部(図示せず)等により制御され、前記ガス導入管9は図示しない処理ガス導入源に連通され、図示しない流量制御器等により処理ガスの供給流量が制御される。
【0029】
ボート11はボート受台15に載置され、ボートエレベータ(図示せず)により、前記内部反応管3の内部に装入される様になっている。尚、軸14が回転可能に設けられ、基板処理中図示しない回転装置によって回転する様にしてもよい。
【0030】
前記ボート11の下部には、炉口部からの放熱を抑制する為の小断熱板25、該小断熱板25より面積の大きい大断熱板26が装填され、ボート断熱部23が構成される。
【0031】
前記小断熱板25は処理用のウェーハ21と略同形状である。前記大断熱板26の外径は前記小断熱板25より大きくなっており、例えば前記ボート受台15と同径となっている。従って前記大断熱板26の外周は支柱18が立設されている円周の径より大きく、外側に張出しており、前記大断熱板26は前記支柱18と干渉しない様に、欠切部27が形成され、該欠切部27に前記支柱18が嵌合する様になっている。
【0032】
前記大断熱板26は、前記小断熱板25の所要枚数毎に装填されている。例えば、図示では前記大断熱板26,26の間に2枚の前記小断熱板25が装填されている。而して、前記小断熱板25と前記内部反応管3間には幅広の流路24aが形成され、前記大断熱板26と前記内部反応管3間には狭小な流路24bが形成される。
【0033】
基板処理について略述する。
【0034】
前記大断熱板26、前記小断熱板25、前記ウェーハ21が装填された状態で、図示しないボートエレベータにより、前記ボート11は前記反応室5に装入される。
【0035】
前記ヒータ1より前記内部反応管3内の前記ウェーハ21が加熱され、前記ガス導入管9から前記処理ガスが導入される。
【0036】
該処理ガスは前記ボート受台15の周辺から前記反応室5内に流入し、更にボート断熱部23の周囲の前記流路24a、前記流路24bを通って前記反応室5の前記ウェーハ21が装填された部分に達する。
【0037】
前記流路24aは流路断面積が大きく、前記流路24bは流路断面積が小さくなっているので、前記処理ガスの導入量を一定に制御すると、該処理ガスの流速は前記流路24aで遅くなり、前記流路24bで早くなる。
【0038】
流路断面積の大きい前記流路24aと流路断面積の小さい前記流路24bが交互に繰返して形成されているので、前記処理ガスは前記ボート断熱部23を通過する過程で、前記処理ガスが十分にミキシングされ、前記ボート11の下部を流れる前記処理ガスの上昇方向の速度成分が抑制され、前記ボート11の下部に装填されている前記ウェーハ21のエッジ部の膜厚の減少が抑制され、ウェーハ面内における膜厚分布の均一性が向上することとなる。
【0039】
又、前記ボート11の下部の前記ウェーハ21と、前記ボート11の他の部分(中間部、上端部)の前記ウェーハ21との膜厚分布傾向が同一、又は略同一となる。
【0040】
この為、後工程での処理不良が防止され、歩留りの向上、製品品質の向上が図れる。
【0041】
尚、上記実施の形態で、前記小断熱板25と前記大断熱板26との配列を、前記小断熱板25を2枚に前記大断熱板26を一枚としたが、前記小断熱板25を3枚以上に前記大断熱板26としてもよく、或は一枚の前記小断熱板25と前記大断熱板26とを交互に配列してもよい。更に、断熱板の大きさを3種以上としてもよい。要は、前記ボート断熱部23に於ける前記処理ガスが上昇する前記流路24に於いて、流路断面積が変化する構成となっていればよい。
【0042】
又、前記大断熱板26と前記支柱18との関係で、上記実施の形態では前記欠切部27に前記支柱18を嵌合する様にしたが、前記大断熱板26に孔を穿設し、該孔に前記支柱18を貫通させてもよい。
【0043】
(付記)
尚、本発明は下記の実施の態様を含む。
【0044】
(付記1)基板を処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚の前記基板を支持する基板保持具と、前記反応炉内にガスを供給するガス導入管と、前記基板保持具のガス流上流側に設けられた複数枚のプレートを有し、前記プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成ることを特徴とする基板処理装置。
【0045】
(付記2)基板保持具は複数枚の基板を、略水平状態で間隔をもって複数段支持し、前記基板のガス流上流側に面積が異なる少なくとも2種類のプレートを複数枚設置し、この状態で、プレート上流側から処理用ガスを導入して前記基板処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【0046】
(付記3)前記プレートは断熱板である付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0047】
(付記4)前記プレートは略円形であり、少なくとも2種類の前記断熱板はそれぞれ径が異なる付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0048】
(付記5)前記複数枚のプレートは、面積(径)の小さいものが複数枚連続で設置され、その間に面積(径)の大きいものが設置され、これが繰り返された配置である付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0049】
(付記6)前記複数枚のプレートは、面積(径)の小さいものが複数枚連続で設置され、その隣に面積(径)の大きいものが設置され、これが繰り返された配置である付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0050】
(付記7)面積(径)の大きい方のプレートに支柱との干渉を避ける切欠を形成した付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0051】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、基板を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する基板保持具と、反応炉内にガスを供給するガス導入管と、前記基板保持具の上流側に設けられた複数枚のプレートとを有し、該プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成るので、前記プレートの周囲に形成されるガス流路の断面がガス流れ方向で変化し、ガスのミキシング効果が生じ、下流側で処理される基板処理の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の要部を示す断面図である。
【図2】図1のA矢視図である。
【図3】図1のB矢視図である。
【図4】従来例の断面図である。
【図5】従来例で使用されるボートの立面図である。
【図6】図5のC−C矢視図である。
【符号の説明】
1 ヒータ
2 外部反応管
3 内部反応管
5 反応室
21 ウェーハ
23 ボート断熱部
24a 流路
24b 流路
25 小断熱板
26 大断熱板
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板表面に於ける薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置を製造する工程として、シリコンウェーハ等の基板表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理がある。又、該基板処理には所要枚数の基板を一括で処理するバッチ式の基板処理装置と、一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置がある。バッチ式の基板処理装置では、例えば、縦型反応炉を具備した基板処理装置がある。
【0003】
縦型反応炉を具備した基板処理装置では、処理される基板(以下ウェーハ)は基板保持具(以下ボート)に水平姿勢で多段に支持される。ボートに保持されたウェーハはボートエレベータにより反応炉内に装入され、炉内で加熱されると共に処理ガスが導入され、薄膜の生成等所要の処理が為される。
【0004】
基板処理が完了すると、ボートエレベータによりボートが炉内より引出され、基板移載機により払出される様になっている。
【0005】
図4により従来の基板処理装置の縦型反応炉について説明する。
【0006】
図4中、1は上端が閉塞された筒状のヒータであり、2は該ヒータ1の内部に該ヒータ1と同心に設けられた有天筒状の外部反応管、3は該外部反応管2の内部に該外部反応管2と同心に設けられた内部反応管であり、該内部反応管3の上端が開放されている。前記外部反応管2と内部反応管3との間には下端が閉塞された円筒状の空間4が形成され、前記内部反応管3の内部には反応室5が画成される。
【0007】
前記外部反応管2の下端に炉口フランジ6が前記外部反応管2と同心に設けられ、前記炉口フランジ6の内周面に突設された内フランジ部7に前記内部反応管3の下端が支持されている。
【0008】
前記炉口フランジ6には排気管8及びガス導入管9が設けられている。前記排気管8は前記空間4の下端に連通し、図示しない排気装置に接続され、排気圧は圧力制御部(図示せず)等により制御される。前記ガス導入管9は前記反応室5の下端部に連通し、図示しない処理ガス導入源に連通され、図示しない流量制御器等により処理ガスの供給流量が制御されている。
【0009】
前記縦型反応炉の下方には、ボートエレベータ(図示せず)が設けられ、該ボートエレベータ(図示せず)により、ボート11が前記内部反応管3の内部に装入される様になっている。
【0010】
前記ボートエレベータ(図示せず)は昇降可能な昇降フランジ12を有し、該昇降フランジ12には炉口蓋13が設けられ、前記昇降フランジ12に立設された軸14が前記炉口蓋13を気密に貫通し、前記軸14の上端にボート受台15が設けられている。前記ボート11は前記ボート受台15に載置され、前記ボート11が前記内部反応管3に装入された状態では、前記炉口蓋13により前記炉口フランジ6下端が気密に閉塞される様になっている。
【0011】
前記ボート11について、図4〜図6を参照して説明する。
【0012】
前記ボート11は、ボート下フランジ16、ボート上フランジ17及び前記ボート下フランジ16と前記ボート上フランジ17間に掛渡された複数本(図示では4本)の支柱18を有している。該支柱18は略半円周上に、前記ウェーハの出入りが可能な様に配置されている。
【0013】
前記支柱18には所要ピッチでウェーハ保持溝19が刻設され、該ウェーハ保持溝19にウェーハ21が挿入されて保持される。
【0014】
前記ボート11の下部、即ち前記炉口フランジ6から前記ヒータ1の下部に亘って前記ウェーハ21と略同形状の断熱板22が装填される。該断熱板22が装填された部分はボート断熱部23として機能し、該ボート断熱部23により炉口部からの放熱が抑制される。又、前記ボート11の前記ボート断熱部23の上方には前記ウェーハ21が装填される。ウェーハとしては、ダミーウェーハ、製品用ウェーハ、モニタウェーハがあり、ダミーウェーハ、製品用ウェーハ、モニタウェーハは処理の内容に対応して適宜配列される。
【0015】
前記断熱板22、前記ウェーハ21が装填された状態で、前記ボート11は前記反応室5に装入される。
【0016】
基板処理について略述する。
【0017】
前記ヒータ1より前記内部反応管3内の前記ウェーハ21が加熱され、前記ガス導入管9から処理ガスが導入される。該処理ガスは前記ボート受台15の周辺から前記反応室5内に流入し、更に該反応室5を上昇して前記ウェーハ21と反応し、該ウェーハ21に成膜等所要の処理が為される。反応後のガスは上昇し、前記内部反応管3の上端で折返して前記空間4を降下して前記排気管8から排出される。
【0018】
基板処理が完了すると、前記処理ガスの導入が停止され、前記反応室5が不活性ガスでガスパージされ、前記反応室5外の圧力と同圧化され、図示しないボートエレベータにより前記ボート11が降下される。降下状態の該ボート11から処理済の前記ウェーハ21が払出される。
【0019】
尚、上記した従来例としては、例えば特許文献1に示されたものがある。
【0020】
【特許文献1】
特開平7−37973号公報
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の基板処理装置では、前記ウェーハ21と前記断熱板22と前記内部反応管3の内面間に形成される隙間が、前記処理ガスが上昇する際の流路24となる。前記ボート11に装填されている、前記ウェーハ21、前記断熱板22共に略同径であるので、前記内部反応管3内面と前記ウェーハ21、前記断熱板22間で形成される前記流路24は前記ボート11の上流端から下流端迄一様となっていた。
【0022】
基板処理によっては、導入する前記処理ガスの流量が多く、流速が早くなる場合がある。この様な条件では、前記処理ガスの上流部分、即ち前記ボート11の下部部分に位置する前記ウェーハ21のエッジ部の成膜が薄くなるという現象が生じ、ウェーハ面内における膜厚分布の均一性が低下するという問題が生じている。膜厚の均一性の低下は、成膜後の処理工程、例えばエッチング処理等で処理不良を生じる虞れがあるという問題を有していた。
【0023】
本発明は斯かる実情に鑑み、ボート上流部での処理の均一性を向上させ、後工程での不良の発生を防止し、基板処理全体での歩留りの向上、処理品質の向上を図るものである。
【0024】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する基板保持具と、反応炉内にガスを供給するガス導入管と、前記基板保持具の上流側に設けられた複数枚のプレートとを有し、該プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成る基板処理装置に係るものである。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【0026】
図1〜図3は本発明に係る基板処理装置の要部を示しており、図中、図4〜図6中で示したものと同等のものには同符号を付し、その詳細を省略する。
【0027】
外部反応管2の下端に炉口フランジ6が設けられ、該炉口フランジ6の内フランジ部7に内部反応管3が前記外部反応管2と同心に立設されている。
【0028】
前記炉口フランジ6には排気管8及びガス導入管9が設けられ、前記排気管8は空間4の下端に連通し、前記ガス導入管9は反応室5の下端に連通している。前記排気管8は図示しない排気装置に接続され、排気圧は圧力制御部(図示せず)等により制御され、前記ガス導入管9は図示しない処理ガス導入源に連通され、図示しない流量制御器等により処理ガスの供給流量が制御される。
【0029】
ボート11はボート受台15に載置され、ボートエレベータ(図示せず)により、前記内部反応管3の内部に装入される様になっている。尚、軸14が回転可能に設けられ、基板処理中図示しない回転装置によって回転する様にしてもよい。
【0030】
前記ボート11の下部には、炉口部からの放熱を抑制する為の小断熱板25、該小断熱板25より面積の大きい大断熱板26が装填され、ボート断熱部23が構成される。
【0031】
前記小断熱板25は処理用のウェーハ21と略同形状である。前記大断熱板26の外径は前記小断熱板25より大きくなっており、例えば前記ボート受台15と同径となっている。従って前記大断熱板26の外周は支柱18が立設されている円周の径より大きく、外側に張出しており、前記大断熱板26は前記支柱18と干渉しない様に、欠切部27が形成され、該欠切部27に前記支柱18が嵌合する様になっている。
【0032】
前記大断熱板26は、前記小断熱板25の所要枚数毎に装填されている。例えば、図示では前記大断熱板26,26の間に2枚の前記小断熱板25が装填されている。而して、前記小断熱板25と前記内部反応管3間には幅広の流路24aが形成され、前記大断熱板26と前記内部反応管3間には狭小な流路24bが形成される。
【0033】
基板処理について略述する。
【0034】
前記大断熱板26、前記小断熱板25、前記ウェーハ21が装填された状態で、図示しないボートエレベータにより、前記ボート11は前記反応室5に装入される。
【0035】
前記ヒータ1より前記内部反応管3内の前記ウェーハ21が加熱され、前記ガス導入管9から前記処理ガスが導入される。
【0036】
該処理ガスは前記ボート受台15の周辺から前記反応室5内に流入し、更にボート断熱部23の周囲の前記流路24a、前記流路24bを通って前記反応室5の前記ウェーハ21が装填された部分に達する。
【0037】
前記流路24aは流路断面積が大きく、前記流路24bは流路断面積が小さくなっているので、前記処理ガスの導入量を一定に制御すると、該処理ガスの流速は前記流路24aで遅くなり、前記流路24bで早くなる。
【0038】
流路断面積の大きい前記流路24aと流路断面積の小さい前記流路24bが交互に繰返して形成されているので、前記処理ガスは前記ボート断熱部23を通過する過程で、前記処理ガスが十分にミキシングされ、前記ボート11の下部を流れる前記処理ガスの上昇方向の速度成分が抑制され、前記ボート11の下部に装填されている前記ウェーハ21のエッジ部の膜厚の減少が抑制され、ウェーハ面内における膜厚分布の均一性が向上することとなる。
【0039】
又、前記ボート11の下部の前記ウェーハ21と、前記ボート11の他の部分(中間部、上端部)の前記ウェーハ21との膜厚分布傾向が同一、又は略同一となる。
【0040】
この為、後工程での処理不良が防止され、歩留りの向上、製品品質の向上が図れる。
【0041】
尚、上記実施の形態で、前記小断熱板25と前記大断熱板26との配列を、前記小断熱板25を2枚に前記大断熱板26を一枚としたが、前記小断熱板25を3枚以上に前記大断熱板26としてもよく、或は一枚の前記小断熱板25と前記大断熱板26とを交互に配列してもよい。更に、断熱板の大きさを3種以上としてもよい。要は、前記ボート断熱部23に於ける前記処理ガスが上昇する前記流路24に於いて、流路断面積が変化する構成となっていればよい。
【0042】
又、前記大断熱板26と前記支柱18との関係で、上記実施の形態では前記欠切部27に前記支柱18を嵌合する様にしたが、前記大断熱板26に孔を穿設し、該孔に前記支柱18を貫通させてもよい。
【0043】
(付記)
尚、本発明は下記の実施の態様を含む。
【0044】
(付記1)基板を処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚の前記基板を支持する基板保持具と、前記反応炉内にガスを供給するガス導入管と、前記基板保持具のガス流上流側に設けられた複数枚のプレートを有し、前記プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成ることを特徴とする基板処理装置。
【0045】
(付記2)基板保持具は複数枚の基板を、略水平状態で間隔をもって複数段支持し、前記基板のガス流上流側に面積が異なる少なくとも2種類のプレートを複数枚設置し、この状態で、プレート上流側から処理用ガスを導入して前記基板処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【0046】
(付記3)前記プレートは断熱板である付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0047】
(付記4)前記プレートは略円形であり、少なくとも2種類の前記断熱板はそれぞれ径が異なる付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0048】
(付記5)前記複数枚のプレートは、面積(径)の小さいものが複数枚連続で設置され、その間に面積(径)の大きいものが設置され、これが繰り返された配置である付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0049】
(付記6)前記複数枚のプレートは、面積(径)の小さいものが複数枚連続で設置され、その隣に面積(径)の大きいものが設置され、これが繰り返された配置である付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0050】
(付記7)面積(径)の大きい方のプレートに支柱との干渉を避ける切欠を形成した付記1又は付記2の基板処理装置又は半導体装置の製造方法。
【0051】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、基板を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する基板保持具と、反応炉内にガスを供給するガス導入管と、前記基板保持具の上流側に設けられた複数枚のプレートとを有し、該プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成るので、前記プレートの周囲に形成されるガス流路の断面がガス流れ方向で変化し、ガスのミキシング効果が生じ、下流側で処理される基板処理の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の要部を示す断面図である。
【図2】図1のA矢視図である。
【図3】図1のB矢視図である。
【図4】従来例の断面図である。
【図5】従来例で使用されるボートの立面図である。
【図6】図5のC−C矢視図である。
【符号の説明】
1 ヒータ
2 外部反応管
3 内部反応管
5 反応室
21 ウェーハ
23 ボート断熱部
24a 流路
24b 流路
25 小断熱板
26 大断熱板
Claims (1)
- 基板を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する基板保持具と、反応炉内にガスを供給するガス導入管と、前記基板保持具の上流側に設けられた複数枚のプレートとを有し、該プレートは面積が異なる少なくとも2種類のプレートから成ることを特徴とする基板処理装置。
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- 2003-03-19 JP JP2003076428A patent/JP2004288744A/ja not_active Withdrawn
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