JPH0786807A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH0786807A JPH0786807A JP5337235A JP33723593A JPH0786807A JP H0786807 A JPH0786807 A JP H0786807A JP 5337235 A JP5337235 A JP 5337235A JP 33723593 A JP33723593 A JP 33723593A JP H0786807 A JPH0786807 A JP H0786807A
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- Japan
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- dielectric
- electrode
- dielectric filter
- input
- capacitance
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体フィルタを小型化できるようにするこ
とを目的とする。 【構成】 外部導体12が設けられた誘電体ブロック1
1内に複数の貫通孔13,13が設けられると共にこの
複数の貫通孔13,13内に夫々一端面で、この外部導
体12に電気的に接続された内部導体14が設けられて
成る複数の誘電体共振器R1 ,R2 より成る誘電体フィ
ルタにおいて、この誘電体ブロック11の複数の貫通孔
13の他端面側に凹部15を形成すると共に、この凹部
15内にこの内部導体14と連なる電極16を形成し、
付加容量Cpを構成するようにしたものである。
とを目的とする。 【構成】 外部導体12が設けられた誘電体ブロック1
1内に複数の貫通孔13,13が設けられると共にこの
複数の貫通孔13,13内に夫々一端面で、この外部導
体12に電気的に接続された内部導体14が設けられて
成る複数の誘電体共振器R1 ,R2 より成る誘電体フィ
ルタにおいて、この誘電体ブロック11の複数の貫通孔
13の他端面側に凹部15を形成すると共に、この凹部
15内にこの内部導体14と連なる電極16を形成し、
付加容量Cpを構成するようにしたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器を用いた
誘電体フィルタに関する。
誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】最近、自動車電話、パーソナル無線移動
通信、衛星を利用した放送等の普及によって500〜2
000MHz程度の範囲で使われる「デュプレクサ」す
なわち、「送受信機用アンテナ共用器」の、より小型、
軽量、安価への要求が高まっており、更に希土類金属の
省資源も要求されているところである。
通信、衛星を利用した放送等の普及によって500〜2
000MHz程度の範囲で使われる「デュプレクサ」す
なわち、「送受信機用アンテナ共用器」の、より小型、
軽量、安価への要求が高まっており、更に希土類金属の
省資源も要求されているところである。
【0003】この種のデュプレクサ等は、誘電体共振器
を利用した誘電体フィルタが多用されている。
を利用した誘電体フィルタが多用されている。
【0004】この種の誘電体フィルタとしては図23に
その2個の誘電体共振器Ra及びRbを用いた場合の構
成図を示すように、これら2個の誘電体共振器Ra及び
Rbと3個のコンデンサC1 ,C2 ,C3 を主構成素子
とする。この場合、その特性は、これら素子の定数で定
まる。
その2個の誘電体共振器Ra及びRbを用いた場合の構
成図を示すように、これら2個の誘電体共振器Ra及び
Rbと3個のコンデンサC1 ,C2 ,C3 を主構成素子
とする。この場合、その特性は、これら素子の定数で定
まる。
【0005】すなわち、狭帯域特性とする場合は誘電体
共振器Ra,Rbの2つの共振周波数fa,fbはほぼ
等しく選ぶが、広帯域特性を得る場合は、共振周波数f
a,fbを若干異ならしめる。
共振器Ra,Rbの2つの共振周波数fa,fbはほぼ
等しく選ぶが、広帯域特性を得る場合は、共振周波数f
a,fbを若干異ならしめる。
【0006】そして、コンデンサC1 ,C2 ,C3 の3
つの容量は、これらに適合するように適当な値に選ばれ
る。
つの容量は、これらに適合するように適当な値に選ばれ
る。
【0007】その結果、フィルタの通過周波数帯域fPB
は、一般に共振周波数fa,fbより僅かに低い周波数
に現れ、通過特性は、図24中各特性曲線A,B,Cで
示すいわゆる単峰特性、平坦特性、双峰特性等が得られ
る。
は、一般に共振周波数fa,fbより僅かに低い周波数
に現れ、通過特性は、図24中各特性曲線A,B,Cで
示すいわゆる単峰特性、平坦特性、双峰特性等が得られ
る。
【0008】誘電体共振器Rは、図25Aでその上面図
を示し、図25Bで図25AのB−B線上の断面図を示
すように、円筒状の誘電体1の外周面に外部導体2が誘
電体1の一端面に亘って被着され、中心孔3内に内部導
体4が被着され、その一端が誘電体1の上述の一端面に
設けられた外部導体2の延長端に接続され、他端が開放
端(駆動端)とされる。
を示し、図25Bで図25AのB−B線上の断面図を示
すように、円筒状の誘電体1の外周面に外部導体2が誘
電体1の一端面に亘って被着され、中心孔3内に内部導
体4が被着され、その一端が誘電体1の上述の一端面に
設けられた外部導体2の延長端に接続され、他端が開放
端(駆動端)とされる。
【0009】この基本的誘電体共振器Rの動作は、次の
通りである。ここで、充填誘電体の比誘電率=ε 充填誘電体の内径 =D1 (mm) 充填誘電体の外形 =D0 (mm) 充填誘電体の長さ =Le(mm) とすると、基本特性は、 波長短縮率 k=1/√ε 特性インピーダンス W=(138k)Log10(D0 /D1 ) (Ω) 周波数 f (MHz) 真空中光速 c=3×1011 (mm/s) 周波数f時の波長 λ=k・c/(f×106 ) (mm) 駆動端Tin3 インピーダンス Z3 =jW・tan(2πLe/λ) (Ω) となる(ここに、j=√−1)。
通りである。ここで、充填誘電体の比誘電率=ε 充填誘電体の内径 =D1 (mm) 充填誘電体の外形 =D0 (mm) 充填誘電体の長さ =Le(mm) とすると、基本特性は、 波長短縮率 k=1/√ε 特性インピーダンス W=(138k)Log10(D0 /D1 ) (Ω) 周波数 f (MHz) 真空中光速 c=3×1011 (mm/s) 周波数f時の波長 λ=k・c/(f×106 ) (mm) 駆動端Tin3 インピーダンス Z3 =jW・tan(2πLe/λ) (Ω) となる(ここに、j=√−1)。
【0010】従って、Le=λ/4のとき、Z3 =±j
∞の共振状態となり、その時の周波数が誘電体共振器の
共振周波数である。
∞の共振状態となり、その時の周波数が誘電体共振器の
共振周波数である。
【0011】以上の関係から、誘電体共振器を小さく作
るためには、比誘電率εの大きな(また、損失の小さ
な)材料が求められる。
るためには、比誘電率εの大きな(また、損失の小さ
な)材料が求められる。
【0012】例えば共振周波数fa,fbを1000M
Hzにとった場合、得られる材料の比誘電率εは現状5
0〜100程度なので、次の値を想定してみる。 ε =100 D1 =2(mm) D0 =10(mm)とすると、 W=9.65(Ω) k=0.1 λ=30(mm)となり、長さ Le=7.5(mm)
で共振し、faにおけるインピーダンスは極大となる。
Hzにとった場合、得られる材料の比誘電率εは現状5
0〜100程度なので、次の値を想定してみる。 ε =100 D1 =2(mm) D0 =10(mm)とすると、 W=9.65(Ω) k=0.1 λ=30(mm)となり、長さ Le=7.5(mm)
で共振し、faにおけるインピーダンスは極大となる。
【0013】次に同条件で長さLeを変え、図26で示
すように、誘電体共振器Rの駆動端(開放端)側に付加
コンデンサCpを挿入する場合について考察してみる。
この場合Le=5(mm)とすると Z3 =j9.65 tan(2π・5/30)=j16.7(Ω) 今Cp=9.52(pF)とすると、そのインピーダン
スZcは Zc=−j/(2πfaCp)=−j16.7(Ω) 従ってZ4 =1/((1/Z3 )+(1/Zc))から
駆動端Tin4インピーダンスZ4 =±j∞となり、や
はり共振周波数faでインピーダンスが極大となる。
すように、誘電体共振器Rの駆動端(開放端)側に付加
コンデンサCpを挿入する場合について考察してみる。
この場合Le=5(mm)とすると Z3 =j9.65 tan(2π・5/30)=j16.7(Ω) 今Cp=9.52(pF)とすると、そのインピーダン
スZcは Zc=−j/(2πfaCp)=−j16.7(Ω) 従ってZ4 =1/((1/Z3 )+(1/Zc))から
駆動端Tin4インピーダンスZ4 =±j∞となり、や
はり共振周波数faでインピーダンスが極大となる。
【0014】また、この両者は、共振周波数fa近傍で
のインピーダンス特性が類似の値をとる。従って、Le
=5(mm)に短縮化されて、ほぼ同等の特性が得られ
ることになる。
のインピーダンス特性が類似の値をとる。従って、Le
=5(mm)に短縮化されて、ほぼ同等の特性が得られ
ることになる。
【0015】図26では、誘電体共振器Rに、外部素子
の付加コンデンサCpを接続した場合であるが、図27
にその断面図を示すように、誘電体共振器Rの駆動側の
誘電体1の端面に、その中心孔3の外周に凹部5を設
け、この凹部5の内面に中心孔3内の内部導体4より延
長して付加電極6を被着することによって駆動端の対地
容量を大とすることができる。
の付加コンデンサCpを接続した場合であるが、図27
にその断面図を示すように、誘電体共振器Rの駆動側の
誘電体1の端面に、その中心孔3の外周に凹部5を設
け、この凹部5の内面に中心孔3内の内部導体4より延
長して付加電極6を被着することによって駆動端の対地
容量を大とすることができる。
【0016】この場合凹部5が浅ければ近似的に集中定
数のコンデンサ、即ち付加容量Cpが、共振器Rの内外
両導体4及び2間に挿入されたと等価になり、前述した
ように、誘電体1の長さLeの短縮化がはかられる。
数のコンデンサ、即ち付加容量Cpが、共振器Rの内外
両導体4及び2間に挿入されたと等価になり、前述した
ように、誘電体1の長さLeの短縮化がはかられる。
【0017】尚、上述したところは、誘電体1が中心孔
3すなわち貫通孔が中心軸上にある真円筒状とした場合
であるが、円筒状に限らず断面正四角形もしくは長方形
の筒状等の誘電体によって構成することもできるし、そ
の貫通孔3が誘電体1の中心軸上に設けられる場合に限
らず、偏心して設けられる場合においても誘電体共振器
を構成することができ、また図27で説明した外付けコ
ンデンサを省略し付加容量が作りつけられたいわゆるト
ップローディングコンデンサ型の誘電体共振器を構成す
ることができる。
3すなわち貫通孔が中心軸上にある真円筒状とした場合
であるが、円筒状に限らず断面正四角形もしくは長方形
の筒状等の誘電体によって構成することもできるし、そ
の貫通孔3が誘電体1の中心軸上に設けられる場合に限
らず、偏心して設けられる場合においても誘電体共振器
を構成することができ、また図27で説明した外付けコ
ンデンサを省略し付加容量が作りつけられたいわゆるト
ップローディングコンデンサ型の誘電体共振器を構成す
ることができる。
【0018】従って、図23で説明した複数の誘電体共
振器を用いた誘電体フィルタを構成する場合において、
図28Aにその上面図を示し図28Bに図28AのB−
B線上の断面図を示すように、共通すなわち1個の誘電
体ブロック11に複数本の貫通孔13を穿設し、それぞ
れの貫通孔13を中心孔としてこれら貫通孔13内に内
部導体14を被着形成し、誘電体ブロック11の外周面
と一側端面に共通の外部導体12を被着形成し、誘電体
ブロック11の外部導体12が被着された一側端面側に
位置する内部導体14の一端を、外部導体12に電気的
に接続することによって各貫通孔13においてそれぞれ
誘電体共振器Rこの図の例では2個の共振器R1 及びR
2 を一体に構成することができる。
振器を用いた誘電体フィルタを構成する場合において、
図28Aにその上面図を示し図28Bに図28AのB−
B線上の断面図を示すように、共通すなわち1個の誘電
体ブロック11に複数本の貫通孔13を穿設し、それぞ
れの貫通孔13を中心孔としてこれら貫通孔13内に内
部導体14を被着形成し、誘電体ブロック11の外周面
と一側端面に共通の外部導体12を被着形成し、誘電体
ブロック11の外部導体12が被着された一側端面側に
位置する内部導体14の一端を、外部導体12に電気的
に接続することによって各貫通孔13においてそれぞれ
誘電体共振器Rこの図の例では2個の共振器R1 及びR
2 を一体に構成することができる。
【0019】図29はこのように1つの誘電体ブロック
11に複数(この例では2個)の誘電体共振器R1 及び
R2 を用いて図23に対応するフィルタを構成した場合
である。図30は図29に示す誘電体フィルタの具体的
構成を示し、シールドケース21内に誘電体共振器
R1 ,R2 及び付加コンデンサ、入出力結合コンデンサ
等のチップ部品23が実装され、所定の配線が施された
配線基板22を配し、所定の接続端子24をこのシール
ドケース21より導出するようにしたものである。
11に複数(この例では2個)の誘電体共振器R1 及び
R2 を用いて図23に対応するフィルタを構成した場合
である。図30は図29に示す誘電体フィルタの具体的
構成を示し、シールドケース21内に誘電体共振器
R1 ,R2 及び付加コンデンサ、入出力結合コンデンサ
等のチップ部品23が実装され、所定の配線が施された
配線基板22を配し、所定の接続端子24をこのシール
ドケース21より導出するようにしたものである。
【0020】図31は、他の従来の誘電体フィルタの例
を示すものであり、図30と対応する部分には同一の符
号を付して説明すると、この例においては、シールドケ
ース21内に配された誘電体共振器R1 ,R2 と、配線
基板22上に実装されたチップ部品23とが接続され、
さらにこのチップ部品23に接続端子24が接続されて
いる。
を示すものであり、図30と対応する部分には同一の符
号を付して説明すると、この例においては、シールドケ
ース21内に配された誘電体共振器R1 ,R2 と、配線
基板22上に実装されたチップ部品23とが接続され、
さらにこのチップ部品23に接続端子24が接続されて
いる。
【0021】このように1つの誘電体ブロックをもって
複数の誘電体共振器を構成する一体型構成による誘電体
フィルタは、その構造が簡潔化され、小型、コンパクト
化されると共に組立構造が簡易化される。
複数の誘電体共振器を構成する一体型構成による誘電体
フィルタは、その構造が簡潔化され、小型、コンパクト
化されると共に組立構造が簡易化される。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな主一体型共振器による誘電体フィルタの場合、図3
0及び図31に示すように、付加コンデンサ、入力結合
コンデンサ等のチップ部品23を有する上にこれらを配
線、取り付ける配線基板22を有し、さらに接続端子2
4を有するため、部品点数が多くなるとともに大型化す
るという欠点があった。
うな主一体型共振器による誘電体フィルタの場合、図3
0及び図31に示すように、付加コンデンサ、入力結合
コンデンサ等のチップ部品23を有する上にこれらを配
線、取り付ける配線基板22を有し、さらに接続端子2
4を有するため、部品点数が多くなるとともに大型化す
るという欠点があった。
【0023】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、部品点数を減らす
とともに小型化しうる誘電体フィルタを提供することに
ある。
たもので、その目的とするところは、部品点数を減らす
とともに小型化しうる誘電体フィルタを提供することに
ある。
【0024】
【課題を解決するための手段】本発明誘電体フィルタは
例えば図1に示す如く、外部導体12が設けられた誘電
体ブロック11内に複数の貫通孔13,13が設けられ
ると共にこの複数の貫通孔13,13内に夫々一端面
で、この外部導体12に電気的に接続された内部導体1
4が設けられて成る複数の誘電体共振器R1 ,R2 より
成る誘電体フィルタにおいて、この誘電体ブロック11
の複数の貫通孔13の他端面側に凹部15を形成すると
共に、この凹部15内にこの内部導体14と連なる電極
16を形成し、付加容量Cpを構成するようにしたもの
である。
例えば図1に示す如く、外部導体12が設けられた誘電
体ブロック11内に複数の貫通孔13,13が設けられ
ると共にこの複数の貫通孔13,13内に夫々一端面
で、この外部導体12に電気的に接続された内部導体1
4が設けられて成る複数の誘電体共振器R1 ,R2 より
成る誘電体フィルタにおいて、この誘電体ブロック11
の複数の貫通孔13の他端面側に凹部15を形成すると
共に、この凹部15内にこの内部導体14と連なる電極
16を形成し、付加容量Cpを構成するようにしたもの
である。
【0025】また本発明誘電体フィルタは図4,図5に
示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体ブ
ロック11の誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量
Cpが構成された側の面に第2の凹部19を形成すると
共にこの第2の凹部19内に電極18を設け、入力又は
出力用の少なくとも一方の結合容量C1 又はC3 を構成
するようにしたものである。
示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体ブ
ロック11の誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量
Cpが構成された側の面に第2の凹部19を形成すると
共にこの第2の凹部19内に電極18を設け、入力又は
出力用の少なくとも一方の結合容量C1 又はC3 を構成
するようにしたものである。
【0026】また本発明誘電体フィルタは例えば図7に
示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体共
振器R1 ,R2 に対するこの付加容量Cpを構成する凹
部15の電極16の形状を誘電体を介して存在するこの
貫通孔13と平行な接地電極12と対向する部分の距離
が場所によって異なるようにしたものである。
示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体共
振器R1 ,R2 に対するこの付加容量Cpを構成する凹
部15の電極16の形状を誘電体を介して存在するこの
貫通孔13と平行な接地電極12と対向する部分の距離
が場所によって異なるようにしたものである。
【0027】また本発明誘電体フィルタは例えば図9に
示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体共
振器R1 ,R2 対するこの付加容量Cpを構成する凹部
15の電極16の形状を対接地電極12,対端子電極1
8,対隣接凹部電極16の各々に対してのみ大きな結合
容量を持つようにし、フィルタの伝送特性における通過
域中心周波数,通過帯域幅,選択度を夫々単独に調整で
きるようにしたものである。
示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体共
振器R1 ,R2 対するこの付加容量Cpを構成する凹部
15の電極16の形状を対接地電極12,対端子電極1
8,対隣接凹部電極16の各々に対してのみ大きな結合
容量を持つようにし、フィルタの伝送特性における通過
域中心周波数,通過帯域幅,選択度を夫々単独に調整で
きるようにしたものである。
【0028】また本発明誘電体フィルタは例えば図10
に示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体
共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpを構成する凹部
15の電極16が形成されている側に使用する誘電体材
料の誘電率εB を、誘電体本体の誘電率εA より低い材
料としたものである。
に示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、この誘電体
共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpを構成する凹部
15の電極16が形成されている側に使用する誘電体材
料の誘電率εB を、誘電体本体の誘電率εA より低い材
料としたものである。
【0029】また本発明誘電体フィルタは例えば図1
2,図13に示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、
この誘電体ブロック11のこの誘電体共振器R1 ,R2
に対する付加容量Cpが構成された側の面に一端面に達
する溝19aを形成すると共にこの溝19aの内側に電
極18aを設け、入力及び出力用の結合容量C1 ,C3
を構成するようにしたものである。
2,図13に示す如く上述の誘電体フィルタにおいて、
この誘電体ブロック11のこの誘電体共振器R1 ,R2
に対する付加容量Cpが構成された側の面に一端面に達
する溝19aを形成すると共にこの溝19aの内側に電
極18aを設け、入力及び出力用の結合容量C1 ,C3
を構成するようにしたものである。
【0030】また本発明誘電体フィルタは例えば図1
4,図15に示す如く、上述の誘電体フィルタにおい
て、この誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cp
を構成した面にサーフェイスマウントに対応した導電パ
ターン25a,25bを形成した基板26を電気的に接
続したものである。
4,図15に示す如く、上述の誘電体フィルタにおい
て、この誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cp
を構成した面にサーフェイスマウントに対応した導電パ
ターン25a,25bを形成した基板26を電気的に接
続したものである。
【0031】また本発明誘電体フィルタは例えば図17
〜図20に示す如く、少なくとも一面に入出力端子用の
電極42を形成した誘電体41を複数の凹部15に配し
て入出力用の結合容量C1 ,C3 を構成するようにした
ものである。
〜図20に示す如く、少なくとも一面に入出力端子用の
電極42を形成した誘電体41を複数の凹部15に配し
て入出力用の結合容量C1 ,C3 を構成するようにした
ものである。
【0032】また本発明誘電体フィルタは例えば図21
及び図22に示す如く、複数の凹部15に配された誘電
体43の入出力端子用の電極42(48)間にコイル5
4,55を接続したものである。
及び図22に示す如く、複数の凹部15に配された誘電
体43の入出力端子用の電極42(48)間にコイル5
4,55を接続したものである。
【0033】
【作用】本発明によれば、複数の誘電体共振器R1 ,R
2 が構成された誘電体ブロック11自体に、凹部15を
設け、この凹部15に中心導体と連なる電極16を設け
たので、内部導体14と外部導体12とが電気的に接続
されていない側(駆動端側)の対接地電極面積が増大
し、これにより付加容量Cpが設けられたと等価とな
り、この付加容量Cpを凹部15の深さ,形状,面積等
を選定してその容量値を適当に設定することによって、
共振器R1 ,R2 の長さが縮小化される。
2 が構成された誘電体ブロック11自体に、凹部15を
設け、この凹部15に中心導体と連なる電極16を設け
たので、内部導体14と外部導体12とが電気的に接続
されていない側(駆動端側)の対接地電極面積が増大
し、これにより付加容量Cpが設けられたと等価とな
り、この付加容量Cpを凹部15の深さ,形状,面積等
を選定してその容量値を適当に設定することによって、
共振器R1 ,R2 の長さが縮小化される。
【0034】また本発明によれば、この誘電体ブロック
11の付加容量Cpが構成された側の面に第2の凹部1
9を形成すると共にこの凹部19内に電極18を設け、
この電極18と電極16との間に結合容量C1 ,C3 を
構成するようにしたことから、外付けの結合コンデンサ
を接続する必要がなくなる。
11の付加容量Cpが構成された側の面に第2の凹部1
9を形成すると共にこの凹部19内に電極18を設け、
この電極18と電極16との間に結合容量C1 ,C3 を
構成するようにしたことから、外付けの結合コンデンサ
を接続する必要がなくなる。
【0035】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
する凹部15の電極16の形状を接地電極12と対向す
る部分の距離が場所によって異なるようにしたので、こ
の誘電体共振器R1 ,R2 の共振周波数を微妙に調整す
ることができる。
する凹部15の電極16の形状を接地電極12と対向す
る部分の距離が場所によって異なるようにしたので、こ
の誘電体共振器R1 ,R2 の共振周波数を微妙に調整す
ることができる。
【0036】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
する凹部15の電極の形状を対接地電極,対端子電極,
又は対隣接凹部電極の各々に対してのみ大きな結合容量
を持ち、それ以外の電極との結合容量を小さくなるよう
にしたことでフィルタの伝送特性における通過域中心周
波数、通過帯域幅、選択度を夫々単独で調整できるよう
にしたことから、製造時に夫々が影響し合うことなく正
確に調整される。
する凹部15の電極の形状を対接地電極,対端子電極,
又は対隣接凹部電極の各々に対してのみ大きな結合容量
を持ち、それ以外の電極との結合容量を小さくなるよう
にしたことでフィルタの伝送特性における通過域中心周
波数、通過帯域幅、選択度を夫々単独で調整できるよう
にしたことから、製造時に夫々が影響し合うことなく正
確に調整される。
【0037】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
する凹部15の電極16が形成されている側に使用する
誘電体材料の誘電率εB を誘電体本体の誘電率εA より
低い材料としたので、全体の大きさを変えることなく、
凹部15の電極16や端子電極18の大きさを目的に応
じて変更できる。
する凹部15の電極16が形成されている側に使用する
誘電体材料の誘電率εB を誘電体本体の誘電率εA より
低い材料としたので、全体の大きさを変えることなく、
凹部15の電極16や端子電極18の大きさを目的に応
じて変更できる。
【0038】また本発明によれば、誘電体ブロック11
のこの誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpが
構成された側の面に一側面に達する溝19aを形成する
と共にこの溝19aの内側に電極18aを設け、入力及
び出力用の結合容量C1 ,C 3 を構成するようにしたの
で、この電極18aを使用してサーフェイスマウントが
容易にできる。
のこの誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpが
構成された側の面に一側面に達する溝19aを形成する
と共にこの溝19aの内側に電極18aを設け、入力及
び出力用の結合容量C1 ,C 3 を構成するようにしたの
で、この電極18aを使用してサーフェイスマウントが
容易にできる。
【0039】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
した面にサーフェイスマウントに対応した導電パターン
25a,25bを形成した基板26を電気的に接続した
ので、この導電パターン25a,25bを使用してサー
フェイスマウントを容易に行なうことがきる。
した面にサーフェイスマウントに対応した導電パターン
25a,25bを形成した基板26を電気的に接続した
ので、この導電パターン25a,25bを使用してサー
フェイスマウントを容易に行なうことがきる。
【0040】また本発明によれば、少なくともキー面に
電極42を形成した誘電体41を誘電体ブロック11の
複数の凹部15に配して入出力用の結合容量C1 ,C3
を構成するようにしたことから、外付けの結合コンデン
サを接続する必要がなく、しかも大幅な寸法増加も起こ
らない。この場合、結合容量C1 ,C3 を構成する電極
42は入出力端子42aを兼ねているため、新たな電極
を設けることなくサーフェイスマウントが可能になる。
電極42を形成した誘電体41を誘電体ブロック11の
複数の凹部15に配して入出力用の結合容量C1 ,C3
を構成するようにしたことから、外付けの結合コンデン
サを接続する必要がなく、しかも大幅な寸法増加も起こ
らない。この場合、結合容量C1 ,C3 を構成する電極
42は入出力端子42aを兼ねているため、新たな電極
を設けることなくサーフェイスマウントが可能になる。
【0041】また本発明によれば、複数の凹部15に配
された誘電体43の入出力端子用の電極42(48)間
にコイル54,55を接続することにより、従来使用し
ていた中継基板を用いることなくバンドエリミネーショ
ンフィルタが構成される。
された誘電体43の入出力端子用の電極42(48)間
にコイル54,55を接続することにより、従来使用し
ていた中継基板を用いることなくバンドエリミネーショ
ンフィルタが構成される。
【0042】
【実施例】以下、本発明による誘電体フィルタの一実施
例について説明する。本例は2個の誘電体共振器R1 ,
R2 によって構成する場合の実施例について説明する。
例について説明する。本例は2個の誘電体共振器R1 ,
R2 によって構成する場合の実施例について説明する。
【0043】本例においては図1に示すように、例えば
直方体状の誘電体ブロック11を用意する。この誘電体
ブロック11は、高い誘電率を有する例えばBa系の複
合ペロブスカイト例えばBa(Zn1/3 Ta2/3 )
O3 ,Ba(Mg1/3 Ta2/3 )O3 等の化合物、或い
はBa−TiO2 系のBaTi14O9 ,Ba2 Ti9 O
20、またはBaO−Ln2 O3 −TiO2 系のBaの一
部をPb,Srで置換した(PbBa)O−Nd2 O3
−TiO2 ,(BaSr)O−Sm2 O3 −TiO
2 系、BaO−(NdSm)2 O3 −TiO2 系等によ
って構成し得る。
直方体状の誘電体ブロック11を用意する。この誘電体
ブロック11は、高い誘電率を有する例えばBa系の複
合ペロブスカイト例えばBa(Zn1/3 Ta2/3 )
O3 ,Ba(Mg1/3 Ta2/3 )O3 等の化合物、或い
はBa−TiO2 系のBaTi14O9 ,Ba2 Ti9 O
20、またはBaO−Ln2 O3 −TiO2 系のBaの一
部をPb,Srで置換した(PbBa)O−Nd2 O3
−TiO2 ,(BaSr)O−Sm2 O3 −TiO
2 系、BaO−(NdSm)2 O3 −TiO2 系等によ
って構成し得る。
【0044】この誘電体ブロック11の長手方向に沿っ
て中央上に所要の間隔を保持して平行に2本の貫通孔1
3を設ける。
て中央上に所要の間隔を保持して平行に2本の貫通孔1
3を設ける。
【0045】また、一方誘電体ブロック11の一方の主
面111に、各貫通孔13の開口部の周囲にそれぞれ凹
部15を設ける。
面111に、各貫通孔13の開口部の周囲にそれぞれ凹
部15を設ける。
【0046】この誘電体ブロック11の各貫通孔13及
び凹部15の内表面を含んで全表面に銀ペーストの焼付
け、無電解銅メッキ等、更に必要に応じてこれの上に電
気メッキを施すことによって導電層を被着形成する。そ
の後、誘電体ブロック11の凹部15を有する側の主面
111側を研磨し、この主面111上の導電層のみを除
去する。
び凹部15の内表面を含んで全表面に銀ペーストの焼付
け、無電解銅メッキ等、更に必要に応じてこれの上に電
気メッキを施すことによって導電層を被着形成する。そ
の後、誘電体ブロック11の凹部15を有する側の主面
111側を研磨し、この主面111上の導電層のみを除
去する。
【0047】このようにして図1A及びBに示す如き、
残された導電層によって誘電体ブロック11の外周面
と、主面111とは反対側の主面112に外部導体12
が形成され、貫通孔13内に内部導体14が形成され、
凹部15内に電極16が形成された誘電体共振器R1 ,
R2 が構成される。
残された導電層によって誘電体ブロック11の外周面
と、主面111とは反対側の主面112に外部導体12
が形成され、貫通孔13内に内部導体14が形成され、
凹部15内に電極16が形成された誘電体共振器R1 ,
R2 が構成される。
【0048】そして、その内部導体14は、その一端が
外部導体12に接続され、他端が凹部15内の電極16
に接続された構成となり、1つの導電体ブロック11
に、2つの貫通孔13においてそれぞれ共振器R1 及び
R2 が形成され、各共振器R1及びR2 において、凹部
15と電極16の存在によって前述したように対地容量
が増加することによって付加容量Cpが形成されて共振
器長の短縮化がはかられる。
外部導体12に接続され、他端が凹部15内の電極16
に接続された構成となり、1つの導電体ブロック11
に、2つの貫通孔13においてそれぞれ共振器R1 及び
R2 が形成され、各共振器R1及びR2 において、凹部
15と電極16の存在によって前述したように対地容量
が増加することによって付加容量Cpが形成されて共振
器長の短縮化がはかられる。
【0049】このようにして構成された2個の共振器R
1 及びR2 は、例えば図1Bに示すように、結合コンデ
ンサC1 〜C3 を外付けして誘電体フィルタを構成す
る。
1 及びR2 は、例えば図1Bに示すように、結合コンデ
ンサC1 〜C3 を外付けして誘電体フィルタを構成す
る。
【0050】そして、この場合、両共振器R1 及びR2
の間隔、これら凹部15の深さ、間隔等を選定すること
によって、両共振器R1 及びR2 間にいわば寄生の静電
容量が生じるようにして、これによって結合コンデンサ
C2 を構成して、図2に示すように外付けの結合コンデ
ンサC2 を省略するようにすることもできる。
の間隔、これら凹部15の深さ、間隔等を選定すること
によって、両共振器R1 及びR2 間にいわば寄生の静電
容量が生じるようにして、これによって結合コンデンサ
C2 を構成して、図2に示すように外付けの結合コンデ
ンサC2 を省略するようにすることもできる。
【0051】また、図1の例では、貫通孔13と凹部1
5とを同心的に配置した場合であるが、このような構成
に限られるものではなく、図3A及びBに図3Aにおい
てその上面図、図3Bに図3AのB−B線上の断面図を
示すように、偏心的配置構成とすることもできる。
5とを同心的に配置した場合であるが、このような構成
に限られるものではなく、図3A及びBに図3Aにおい
てその上面図、図3Bに図3AのB−B線上の断面図を
示すように、偏心的配置構成とすることもできる。
【0052】更に、凹部15の形状は、種々の形状、例
えば正方形、長方形、円形、更に、図4,図9に示すよ
うにH型、L字形状等にするなど、必要とする付加容量
Cp、結合コンデンサC2 の容量等に応じて選ばれる。
えば正方形、長方形、円形、更に、図4,図9に示すよ
うにH型、L字形状等にするなど、必要とする付加容量
Cp、結合コンデンサC2 の容量等に応じて選ばれる。
【0053】また、この付加容量Cpの増加が望まれる
場合、即ち更に誘電体ブロック11の厚さ(共振器の長
さ)Leの縮小化をはかるには、図6Aにその上面図、
図6Bに図6AのB−B線上の断面図を示すように、凹
部15の底面に更に例えば1本ないしは複数のリング上
の補助凹部151を設け、これの内面に亘って電極16
の被着を、例えば前述したと同様に他の導体12,14
等の形成と同時に行って電極16の面積の増大化をはか
ることもできる。
場合、即ち更に誘電体ブロック11の厚さ(共振器の長
さ)Leの縮小化をはかるには、図6Aにその上面図、
図6Bに図6AのB−B線上の断面図を示すように、凹
部15の底面に更に例えば1本ないしは複数のリング上
の補助凹部151を設け、これの内面に亘って電極16
の被着を、例えば前述したと同様に他の導体12,14
等の形成と同時に行って電極16の面積の増大化をはか
ることもできる。
【0054】また本例においては図4及び図5に示す如
く、この誘電体ブロック11の主面111の、例えば各
共振器R1 及びR2 の凹部15の電極16と外部導体1
2との間にこの電極16と所定間隔離して第2の凹部1
9をそれぞれ設け、この第2の凹部19内に電極18を
例えば前述したと同様に導体12,14等の形成と共に
形成して、この共振器R1 及びR2 の凹部15の電極1
6との間に所定の静電容量が生じるようにし、図5に示
す如く、これら電極18,18から入出力端子の導出を
行い、その静電容量によって入出力結合コンデンサC1
及びC3 を構成する。
く、この誘電体ブロック11の主面111の、例えば各
共振器R1 及びR2 の凹部15の電極16と外部導体1
2との間にこの電極16と所定間隔離して第2の凹部1
9をそれぞれ設け、この第2の凹部19内に電極18を
例えば前述したと同様に導体12,14等の形成と共に
形成して、この共振器R1 及びR2 の凹部15の電極1
6との間に所定の静電容量が生じるようにし、図5に示
す如く、これら電極18,18から入出力端子の導出を
行い、その静電容量によって入出力結合コンデンサC1
及びC3 を構成する。
【0055】このように構成することにより、外付けの
入出力結合コンデンサC1 及びC3を省略することがで
き、更に図2で説明した構成を兼備させることで、外付
けコンデンサC1 〜C3 の全てを省略する構成とするこ
とができる。
入出力結合コンデンサC1 及びC3を省略することがで
き、更に図2で説明した構成を兼備させることで、外付
けコンデンサC1 〜C3 の全てを省略する構成とするこ
とができる。
【0056】また、本例においては図7A及びBに示す
如く誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpを構
成する凹部15及び電極16の形状を外部導体12の貫
通孔13に平行な部分に対し、場所によって距離が変わ
るようにし、この誘電体共振器R1 ,R2 の共振周波数
の調整が容易に行えるようにする。
如く誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpを構
成する凹部15及び電極16の形状を外部導体12の貫
通孔13に平行な部分に対し、場所によって距離が変わ
るようにし、この誘電体共振器R1 ,R2 の共振周波数
の調整が容易に行えるようにする。
【0057】即ち、一般に誘電体共振器の共振周波数f
0 を集中定数で表現すると付加容量Cp,貫通孔13の
径と誘電体ブロックの外径と貫通孔方向の高さで決定さ
れる等価容量Cと等価インダクタンスLにより#とな
り、付加容量Cpが大きくなれば共振周波数f0 は低く
(付加容量Cpを小さくすれば共振周波数f0 は高く)
なることになる。
0 を集中定数で表現すると付加容量Cp,貫通孔13の
径と誘電体ブロックの外径と貫通孔方向の高さで決定さ
れる等価容量Cと等価インダクタンスLにより#とな
り、付加容量Cpが大きくなれば共振周波数f0 は低く
(付加容量Cpを小さくすれば共振周波数f0 は高く)
なることになる。
【0058】また、静電容量Cの値は、電極間の誘電率
をε,電極の対向面積をS,電極間隔をdとすると#の
関係があり、間隔が狭い場合と広い場合とでは、電極面
積を同一量だけ減少させたとき間隔が狭い場合の方が静
電容量の変化が大きい。
をε,電極の対向面積をS,電極間隔をdとすると#の
関係があり、間隔が狭い場合と広い場合とでは、電極面
積を同一量だけ減少させたとき間隔が狭い場合の方が静
電容量の変化が大きい。
【0059】よって、付加容量Cpを構成している凹部
15及び電極16の形状を図7A及びBに示す如く形成
した場合、間隔が狭い部分の電極を削り取ると付加容量
Cpの変化率が大きく、共振周波数の変化率も図8の曲
線aに示す如く大きいので、この共振周波数を大きく調
整することができる。
15及び電極16の形状を図7A及びBに示す如く形成
した場合、間隔が狭い部分の電極を削り取ると付加容量
Cpの変化率が大きく、共振周波数の変化率も図8の曲
線aに示す如く大きいので、この共振周波数を大きく調
整することができる。
【0060】また逆に、この間隔の広い部分の電極を削
り取った場合は付加容量Cpの変化率は小さく、この共
振周波の変化率も図8の曲線bに示す如く、小さいので
この共振周波数の微調整ができる。
り取った場合は付加容量Cpの変化率は小さく、この共
振周波の変化率も図8の曲線bに示す如く、小さいので
この共振周波数の微調整ができる。
【0061】従って、この図7A及びBの構成によれば
外部導体12に対向する電極16の削り取る場所により
図8の曲線a+bに示す如く、共振周波数の粗調と微調
とが行え、調整の短時間化、高精度化が図れる利益があ
る。
外部導体12に対向する電極16の削り取る場所により
図8の曲線a+bに示す如く、共振周波数の粗調と微調
とが行え、調整の短時間化、高精度化が図れる利益があ
る。
【0062】また図9は本発明の他の実施例を示す。こ
の図9例につき説明するに図1,図4,図6に対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
の図9例につき説明するに図1,図4,図6に対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【0063】この図9例においては誘電体共振器R1 ,
R2 に対する付加容量Cpを凹部15及び電極16の形
状を外部導体12にのみ対向する電極部16fを広く構
成すると共に隣接する共振器R1 及びR2 にのみ対向す
る電極部16Wをそれぞれ広く構成し、また入出力端子
となる電極18に対してのみ対向する電極部16Qを設
けると共に目的外の電極との結合を相対的に減少させる
ため補助凹部15aを形成する。
R2 に対する付加容量Cpを凹部15及び電極16の形
状を外部導体12にのみ対向する電極部16fを広く構
成すると共に隣接する共振器R1 及びR2 にのみ対向す
る電極部16Wをそれぞれ広く構成し、また入出力端子
となる電極18に対してのみ対向する電極部16Qを設
けると共に目的外の電極との結合を相対的に減少させる
ため補助凹部15aを形成する。
【0064】一般に高精度の複合誘電体フィルタでは製
造時に周波数,帯域幅、選択度の調整が必要である。実
際の調整は電極を局部的に研磨等の手段で減らして行な
うが、通常これらの調整は、相互に影響仕合い、何処を
どれだけ調整すべきかの判断が難しいため、非常に手間
が掛かったり、歩留りも悪い。
造時に周波数,帯域幅、選択度の調整が必要である。実
際の調整は電極を局部的に研磨等の手段で減らして行な
うが、通常これらの調整は、相互に影響仕合い、何処を
どれだけ調整すべきかの判断が難しいため、非常に手間
が掛かったり、歩留りも悪い。
【0065】しかしながら、この図9に示す如く構成し
たときには外部導体(接地電極)12と対向している凹
部15の電極部16fの部分を削り取れば、接地容量の
み変化し、この共振器R1 及びR2 間の結合容量や入出
力結合容量は殆ど変化しない。これは共振器R1 ,R2
の共振周波数を調整したことと等価で、主としてフィル
タの動作する周波数のみが調整され、帯域幅及び選択度
は変化しない。
たときには外部導体(接地電極)12と対向している凹
部15の電極部16fの部分を削り取れば、接地容量の
み変化し、この共振器R1 及びR2 間の結合容量や入出
力結合容量は殆ど変化しない。これは共振器R1 ,R2
の共振周波数を調整したことと等価で、主としてフィル
タの動作する周波数のみが調整され、帯域幅及び選択度
は変化しない。
【0066】また隣接共振器とのみ対向している凹部1
5の電極部16Wを削れば、共振器R1 ,R2 間の結合
容量のみ変化し、結合容量C2 のみ変化したことと等価
で、対地容量、入出力結合容量は殆ど変化しない。従っ
て主として帯域幅のみ調整され、周波数、選択度は変化
しない。
5の電極部16Wを削れば、共振器R1 ,R2 間の結合
容量のみ変化し、結合容量C2 のみ変化したことと等価
で、対地容量、入出力結合容量は殆ど変化しない。従っ
て主として帯域幅のみ調整され、周波数、選択度は変化
しない。
【0067】また入出力端子を構成する電極18とのみ
対向している凹部15の電極部16Qを削れば入出力結
合容量C1 ,C3 のみが変化したことと等価で対地容
量、共振器R1 ,R2 間の結合容量は殆ど変化しない。
従って主として選択度のみ調整され、周波数、帯域幅は
変化しない。
対向している凹部15の電極部16Qを削れば入出力結
合容量C1 ,C3 のみが変化したことと等価で対地容
量、共振器R1 ,R2 間の結合容量は殆ど変化しない。
従って主として選択度のみ調整され、周波数、帯域幅は
変化しない。
【0068】従って図9A〜Dに示す如く構成したとき
には誘電体フィルタの周波数,帯域幅及び選択度の各調
整項目を各々別々に調整できる。
には誘電体フィルタの周波数,帯域幅及び選択度の各調
整項目を各々別々に調整できる。
【0069】また、図10は本発明の他の実施例を示
す。この図10例につき説明するに図1,図4に対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
す。この図10例につき説明するに図1,図4に対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【0070】この図10例においては、図10Aに示す
上面図及び図10Bのこの図10AのB−B線断面図に
示す如く誘電体ブロック11の誘電体共振器R1 ,R2
に対する付加容量Cp及び入出力端子に接続する電極1
8が形成される側の誘電体11Bとして誘電率εB が誘
電体本体11Aの誘電率εA より低いものとした2層構
成の誘電体11A及び11Bより成る誘電体ブロックを
使用する。
上面図及び図10Bのこの図10AのB−B線断面図に
示す如く誘電体ブロック11の誘電体共振器R1 ,R2
に対する付加容量Cp及び入出力端子に接続する電極1
8が形成される側の誘電体11Bとして誘電率εB が誘
電体本体11Aの誘電率εA より低いものとした2層構
成の誘電体11A及び11Bより成る誘電体ブロックを
使用する。
【0071】この場合、この誘電体ブロック11として
はこの誘電体11Bとして例えば(Ca,Sr,Ba)
(Zr,Ti)O3 系の組成の比誘電率30の誘電体セ
ラミックスを使用し、誘電体本体11Aとして例えばC
aO−La2 O3 −TiO2系の組成の比誘電率100
の誘電体セラミックスを使用し、各々の材料の粉末を2
層に積み上げた後に成形し、1330℃にて5時間焼結
することにより得る如くする。
はこの誘電体11Bとして例えば(Ca,Sr,Ba)
(Zr,Ti)O3 系の組成の比誘電率30の誘電体セ
ラミックスを使用し、誘電体本体11Aとして例えばC
aO−La2 O3 −TiO2系の組成の比誘電率100
の誘電体セラミックスを使用し、各々の材料の粉末を2
層に積み上げた後に成形し、1330℃にて5時間焼結
することにより得る如くする。
【0072】一般に誘電体フィルタの入出力結合容量C
1 ,C3 の静電容量値は設計により種々の値をとる。こ
の静電容量Cは前述の如く#の関係があり、誘電率εの
低い誘電体を使用すれば、同じ容量Cを得るのに面積S
を広くするか、又は間隔dを小さくすれば良い。
1 ,C3 の静電容量値は設計により種々の値をとる。こ
の静電容量Cは前述の如く#の関係があり、誘電率εの
低い誘電体を使用すれば、同じ容量Cを得るのに面積S
を広くするか、又は間隔dを小さくすれば良い。
【0073】実際に誘電体ブロック11に入出力端子用
の凹部19を形成する場合、その大きさと位置は物理的
にある範囲に限定されることになる。例えば比誘電率ε
r =100の材料で容量0.1×10-12 Fを実現する
には面積Sが2mm2 という実用的な大きさの場合、間
隔dは17mmとなり、物理的に実現困難となり、逆に
間隔dが2mmという実用的な場合、面積Sは0.2m
m2 となり実現困難となる。しかし比誘電率=20の材
料を用いれば面積Sが2mm2 のとき、間隔dは3mm
となり、間隔dが2mmのとき、面積Sは1mm2 とな
り実用的な大きさとすることができる。
の凹部19を形成する場合、その大きさと位置は物理的
にある範囲に限定されることになる。例えば比誘電率ε
r =100の材料で容量0.1×10-12 Fを実現する
には面積Sが2mm2 という実用的な大きさの場合、間
隔dは17mmとなり、物理的に実現困難となり、逆に
間隔dが2mmという実用的な場合、面積Sは0.2m
m2 となり実現困難となる。しかし比誘電率=20の材
料を用いれば面積Sが2mm2 のとき、間隔dは3mm
となり、間隔dが2mmのとき、面積Sは1mm2 とな
り実用的な大きさとすることができる。
【0074】しかし、前述の如く誘電体共振器を小型化
する為には誘電率εが高いことが必要となる。そこで図
10例に示す如く構成することにより全体の大きさを変
えることなく入出力端子を接続する電極18の大きさを
実用的なものとすることができる。
する為には誘電率εが高いことが必要となる。そこで図
10例に示す如く構成することにより全体の大きさを変
えることなく入出力端子を接続する電極18の大きさを
実用的なものとすることができる。
【0075】この例えば図9及び図10に示す如き、誘
電体フィルタをマウント用基板27に取付けるのに図1
1に示す如く行なう。即ち図11Aに示すように端子ピ
ン用穴28a,28bと、誘電体フィルタの入出力端子
を構成する電極18との導通を得るための基板の上下に
連続した導体が存在するスルーホール29a,29bを
有し、そのスルーホール29a,29bと端子ピン用穴
28a,28bとの間を結ぶ導電パターン30a,30
bを有する基板31を、接着剤等で誘電体フィルタの入
出力端子用の電極18のある面に取り付ける。
電体フィルタをマウント用基板27に取付けるのに図1
1に示す如く行なう。即ち図11Aに示すように端子ピ
ン用穴28a,28bと、誘電体フィルタの入出力端子
を構成する電極18との導通を得るための基板の上下に
連続した導体が存在するスルーホール29a,29bを
有し、そのスルーホール29a,29bと端子ピン用穴
28a,28bとの間を結ぶ導電パターン30a,30
bを有する基板31を、接着剤等で誘電体フィルタの入
出力端子用の電極18のある面に取り付ける。
【0076】この場合、入出力端子用の電極18,18
と基板31のスルーホール29a,29bとを半田付け
して導通を得るようにし、また端子ピン32a,32b
を基板31の端子ピン用穴28a,28bに圧入し、半
田付けを行い、この端子ピン32a,32bと誘電体フ
ィルタの入出力端子用の電極18,18との導通を得た
誘電体フィルタを得る。
と基板31のスルーホール29a,29bとを半田付け
して導通を得るようにし、また端子ピン32a,32b
を基板31の端子ピン用穴28a,28bに圧入し、半
田付けを行い、この端子ピン32a,32bと誘電体フ
ィルタの入出力端子用の電極18,18との導通を得た
誘電体フィルタを得る。
【0077】この誘電体フィルタを図11Bに示す如く
端子ピン32a,32bを介してマウント用基板27に
電気的及び機械的に取付ける如くする。この場合誘電体
フィルタの外部導体12を基板31の側面に設けた側面
導電パターン33を介してマウント用基板27のアース
パターンに半田32を介して接続する如くする。
端子ピン32a,32bを介してマウント用基板27に
電気的及び機械的に取付ける如くする。この場合誘電体
フィルタの外部導体12を基板31の側面に設けた側面
導電パターン33を介してマウント用基板27のアース
パターンに半田32を介して接続する如くする。
【0078】この場合、この導電体フィルタを図11に
示す如くマウント用基板27に取付けたときは、入出力
用のリードがなくシールドケースなしでも使用が可能で
ある。
示す如くマウント用基板27に取付けたときは、入出力
用のリードがなくシールドケースなしでも使用が可能で
ある。
【0079】また、図12,図13例は上述例の誘電体
フィルタをマウント用基板27にサーフェイスマウント
できるようにした例を示す。この図12,図13につき
説明するに図1,図4,図6,図11に対応する部分に
は同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
フィルタをマウント用基板27にサーフェイスマウント
できるようにした例を示す。この図12,図13につき
説明するに図1,図4,図6,図11に対応する部分に
は同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【0080】本例は図12A及びBに示す如く、この誘
電体ブロック11のこの誘電体共振器R1 ,R2 に対す
る付加容量Cpが構成された側の面に一側面12aに達
する溝19a,19aを形成すると共にこの溝19a,
19aの内側に電極18a,18aを設け、この電極1
8a,18aと凹部15の電極16との間で入力及び出
力用の結合容量C1 及びC3 を構成する如くする。
電体ブロック11のこの誘電体共振器R1 ,R2 に対す
る付加容量Cpが構成された側の面に一側面12aに達
する溝19a,19aを形成すると共にこの溝19a,
19aの内側に電極18a,18aを設け、この電極1
8a,18aと凹部15の電極16との間で入力及び出
力用の結合容量C1 及びC3 を構成する如くする。
【0081】また図12Bに示す如くこの一側面12a
の溝19aの周辺の外部導体12を除去する如くする。
その他は上述実施例と同様に構成する。
の溝19aの周辺の外部導体12を除去する如くする。
その他は上述実施例と同様に構成する。
【0082】この図12例の誘電体フィルタをマウント
用基板27にサーフェイスマウントするときはこの誘電
体フィルタの一側面12aを下面として、このマウント
用基板27の所定位置に配し、この誘電体フィルタの電
極18a,18aをマウント用基板27の所定の配線パ
ターンに半田付けすると共にこの外部導体12の所定位
置をマウント用基板27の所定位置に半田付けする如く
する。
用基板27にサーフェイスマウントするときはこの誘電
体フィルタの一側面12aを下面として、このマウント
用基板27の所定位置に配し、この誘電体フィルタの電
極18a,18aをマウント用基板27の所定の配線パ
ターンに半田付けすると共にこの外部導体12の所定位
置をマウント用基板27の所定位置に半田付けする如く
する。
【0083】上述例によれば誘電体ブロック11以外に
誘電体フィルタを構成する部品はなく、図13に示す如
くサーフェイスマウントを行なうことができる。また本
例による誘電体フィルタの電極18a,18aはマウン
ト用基板27に距離を零の状態にして接続できるので、
電磁波自体の発生や影響が少ない構成となり、シールド
ケースを省略することができる。
誘電体フィルタを構成する部品はなく、図13に示す如
くサーフェイスマウントを行なうことができる。また本
例による誘電体フィルタの電極18a,18aはマウン
ト用基板27に距離を零の状態にして接続できるので、
電磁波自体の発生や影響が少ない構成となり、シールド
ケースを省略することができる。
【0084】また図14,図15は例えば図9及び図1
0に示す如き誘電体フィルタをマウント用基板27にフ
ェイスマウント基板26を介して取付ける例を示す。
0に示す如き誘電体フィルタをマウント用基板27にフ
ェイスマウント基板26を介して取付ける例を示す。
【0085】このフェイスマウント基板26は図14A
に示す如く、誘電体フィルタの入出力端子を構成する電
極18との導通を得るための基板26の上下に連続した
導体が存在するスルーホール35a,35bを有すると
共にこのスルーホール35a,35bと夫々導通し、こ
の基板26の一側辺まで延びる導体パターン25a,2
5bを設ける。
に示す如く、誘電体フィルタの入出力端子を構成する電
極18との導通を得るための基板26の上下に連続した
導体が存在するスルーホール35a,35bを有すると
共にこのスルーホール35a,35bと夫々導通し、こ
の基板26の一側辺まで延びる導体パターン25a,2
5bを設ける。
【0086】このフェイスマウント基板26を誘電体ブ
ロック11の入出力端子用の電極18のある面に所定の
位置関係で接着剤等により取り付けると共にこの電極1
8,18とこのフェイスマウント基板26のスルーホー
ル35a,35bとを半田付けして導通を得るようにす
る。
ロック11の入出力端子用の電極18のある面に所定の
位置関係で接着剤等により取り付けると共にこの電極1
8,18とこのフェイスマウント基板26のスルーホー
ル35a,35bとを半田付けして導通を得るようにす
る。
【0087】このフェイスマウント基板26を取り付け
た誘電体フィルタをマウント用基板27にサーフェイス
マウントするときは図15に示す如く、このフェイスマ
ウント基板26を前面側とすると共に導体パターン25
a,25bの延びる一側辺側を下側として、このマウン
ト用基板27の所定位置に配し、このフェイスマウント
基板26の導体パターン25a,25bをマウント用基
板27の所定の配線パターンに半田付けすると共にこの
誘電体フィルタの外部導体12の所定の位置をマウント
用基板27の所定のアースパターンに半田付けする如く
する。
た誘電体フィルタをマウント用基板27にサーフェイス
マウントするときは図15に示す如く、このフェイスマ
ウント基板26を前面側とすると共に導体パターン25
a,25bの延びる一側辺側を下側として、このマウン
ト用基板27の所定位置に配し、このフェイスマウント
基板26の導体パターン25a,25bをマウント用基
板27の所定の配線パターンに半田付けすると共にこの
誘電体フィルタの外部導体12の所定の位置をマウント
用基板27の所定のアースパターンに半田付けする如く
する。
【0088】この場合、図14Bに示す如くフェイスマ
ウント基板26の中央部の側面に導体パターン36を設
け、その導体パターン36と誘電体フィルタの外部導体
12とを半田付けすることにより、このフェイスマウン
ト基板26と誘電体フィルタとの取付強度を増加するこ
とができる。
ウント基板26の中央部の側面に導体パターン36を設
け、その導体パターン36と誘電体フィルタの外部導体
12とを半田付けすることにより、このフェイスマウン
ト基板26と誘電体フィルタとの取付強度を増加するこ
とができる。
【0089】本例による誘電体フィルタをデュプレクサ
即ち送受信機用アンテナ共用器として使用するときには
図16に示す如く、中心周波数が所定量と異なる2つの
誘電体フィルタ37a,37bを付加容量Cp側が同一
方向になるように互いに接合し、アンテナに接続される
共通端子38を誘電体フィルタ37bの入力端子電極1
8に接続すると共にこの共通端子38を外部コンデンサ
39を介して誘電体フィルタ37aの一方の共振器R2
の内部導体14に接続し、この誘電体フィルタ37aの
入力端子電極18に接続された入力端子40aを送信器
の出力側に接続すると共に誘電体フィルタ37bの出力
端子電極18に接続された出力端子40bを受信器の入
力側に接続する如くする。
即ち送受信機用アンテナ共用器として使用するときには
図16に示す如く、中心周波数が所定量と異なる2つの
誘電体フィルタ37a,37bを付加容量Cp側が同一
方向になるように互いに接合し、アンテナに接続される
共通端子38を誘電体フィルタ37bの入力端子電極1
8に接続すると共にこの共通端子38を外部コンデンサ
39を介して誘電体フィルタ37aの一方の共振器R2
の内部導体14に接続し、この誘電体フィルタ37aの
入力端子電極18に接続された入力端子40aを送信器
の出力側に接続すると共に誘電体フィルタ37bの出力
端子電極18に接続された出力端子40bを受信器の入
力側に接続する如くする。
【0090】図17は、本発明の他の実施例を示すもの
である。以下、上述の実施例と対応する部分には同一の
符号を付して説明する。本実施例は、誘電体ブロック1
1に設けられた凹部15において入出力結合用の結合容
量C1 ,C3 を構成するようにしたものである。すなわ
ち、図17A,Bに示すように、誘電体セラミックから
なる基板4の一方の面(端子面)41aに電極42を形
成し、これをコンデンサ部材45とする。この場合、電
極42を基板41の1つの縁部まで延ばし、これを入出
力用の端子部42aとする。そして、この基板41の電
極42が形成されていない面を各凹部15の電極16に
取り付ける。これにより、凹部15の電極16と基板4
1の電極42との間で入出力用の結合容量C1 ,C3 が
形成される。
である。以下、上述の実施例と対応する部分には同一の
符号を付して説明する。本実施例は、誘電体ブロック1
1に設けられた凹部15において入出力結合用の結合容
量C1 ,C3 を構成するようにしたものである。すなわ
ち、図17A,Bに示すように、誘電体セラミックから
なる基板4の一方の面(端子面)41aに電極42を形
成し、これをコンデンサ部材45とする。この場合、電
極42を基板41の1つの縁部まで延ばし、これを入出
力用の端子部42aとする。そして、この基板41の電
極42が形成されていない面を各凹部15の電極16に
取り付ける。これにより、凹部15の電極16と基板4
1の電極42との間で入出力用の結合容量C1 ,C3 が
形成される。
【0091】誘電体セラミックとしては、例えば誘電体
ブロック11に用いた材料と同じものを用いることがで
きる。尚、基板41が凹部15に収まるように他方の面
(取付面)41bに段差を設けておく。
ブロック11に用いた材料と同じものを用いることがで
きる。尚、基板41が凹部15に収まるように他方の面
(取付面)41bに段差を設けておく。
【0092】図18及び19は、本実施例に用いられる
コンデンサ部材43の例を示すものである。
コンデンサ部材43の例を示すものである。
【0093】図18Aに示すコンデンサ部材43Aの場
合、各凹部15の大きさに対応する基板41の端子面4
1aに入出力用の電極42を形成する。そして、電極4
2が形成されていない取付面41bと凹部15の電極1
6とを接着剤を用いて固定する。
合、各凹部15の大きさに対応する基板41の端子面4
1aに入出力用の電極42を形成する。そして、電極4
2が形成されていない取付面41bと凹部15の電極1
6とを接着剤を用いて固定する。
【0094】図18Bに示すコンデンサ部材43Bの場
合、基板41の両面に電極42a,42bを形成する。
そして、取付面41bに形成した電極42bと凹部15
の電極16とを半田付けにより固定する。
合、基板41の両面に電極42a,42bを形成する。
そして、取付面41bに形成した電極42bと凹部15
の電極16とを半田付けにより固定する。
【0095】図18Cに示すコンデンサ部材43Cの場
合、図18A,Bに示す基板41より大きな面積を有す
る1つの基板44の端子面44aに上述した2つの電極
42を形成する。そして、基板44の取付面44bと凹
部15の電極16とを接着剤を用いて固定する。
合、図18A,Bに示す基板41より大きな面積を有す
る1つの基板44の端子面44aに上述した2つの電極
42を形成する。そして、基板44の取付面44bと凹
部15の電極16とを接着剤を用いて固定する。
【0096】図18Dに示すコンデンサ部材43Dの場
合、図18Cと同様に1つの基板44の端子面44aに
2つの電極42を形成するとともに、取付面44bにも
2つの電極42bを形成する。そして、基板44の取付
面44bに形成した電極42bと凹部15の電極16と
を半田付けにより固定する。
合、図18Cと同様に1つの基板44の端子面44aに
2つの電極42を形成するとともに、取付面44bにも
2つの電極42bを形成する。そして、基板44の取付
面44bに形成した電極42bと凹部15の電極16と
を半田付けにより固定する。
【0097】図19A〜図19Dに示すコンデンサ部材
43E〜43Hは、誘電体セラミックからなる基板を2
枚重ねて直列接続のコンデンサを構成するものである。
43E〜43Hは、誘電体セラミックからなる基板を2
枚重ねて直列接続のコンデンサを構成するものである。
【0098】図19Aに示すコンデンサ部材43Eは、
少なくとも一面に電極47を形成した正方形状の基板4
5と、両面に電極48,49を形成した長方形状の基板
46とを半田付けて構成する。この場合、電極48を延
長して端子部48aとする。そして、基板45の他方の
面に電極を形成しない場合には、接着剤を用いて各凹部
15の電極16への固定を行い、その面に電極を形成し
た場合には、半田付けにより固定を行う。
少なくとも一面に電極47を形成した正方形状の基板4
5と、両面に電極48,49を形成した長方形状の基板
46とを半田付けて構成する。この場合、電極48を延
長して端子部48aとする。そして、基板45の他方の
面に電極を形成しない場合には、接着剤を用いて各凹部
15の電極16への固定を行い、その面に電極を形成し
た場合には、半田付けにより固定を行う。
【0099】図19Bに示すコンデンサ部材43Fの場
合、1つの基板50の両面にそれぞれ2つの電極48を
形成し、一方の面の各電極49に図19Aに示す基板4
5を半田付けする。
合、1つの基板50の両面にそれぞれ2つの電極48を
形成し、一方の面の各電極49に図19Aに示す基板4
5を半田付けする。
【0100】図19Cに示すコンデンサ部材43Gの場
合、一方の面に電極48を形成した長方形状の基板46
と正方形状の基板45とを接着剤により固定する。尚、
基板45の他方の面には、電極を形成してもしなくても
よい。そして、半田付け又は接着剤によりこのコンデン
サ部材43Gを各凹部15の電極16に固定する。
合、一方の面に電極48を形成した長方形状の基板46
と正方形状の基板45とを接着剤により固定する。尚、
基板45の他方の面には、電極を形成してもしなくても
よい。そして、半田付け又は接着剤によりこのコンデン
サ部材43Gを各凹部15の電極16に固定する。
【0101】図19Dに示すコンデンサ部材43Hの場
合、1つの基板50の片面に2つの電極48を形成し、
他方の面に接着剤を用いて図19Dに示す基板45を固
定する。
合、1つの基板50の片面に2つの電極48を形成し、
他方の面に接着剤を用いて図19Dに示す基板45を固
定する。
【0102】図20は本実施例の誘電体フィルタの使用
状態を示すものである。同図に示すように、半田付け又
は接着剤によりコンデンサ部材43が固定された誘電体
ブロック11にシールドケース51を半田付けする。
尚、コンデンサ部材43の固定に際しては、端子部分4
1cが外部導体12の面より突出するようにしておく。
そして、半田付けによりこの誘電体ブロック11をマウ
ント用基板27に固定する。この場合、コンデンサ部材
43の端子部42aとフィルタの入出力端子用マウント
パターンとが半田52により接続されるようにする。ま
た、シールドケース51とフィルタのグランド用マウン
トパターンとが半田53により接続されるようにする。
状態を示すものである。同図に示すように、半田付け又
は接着剤によりコンデンサ部材43が固定された誘電体
ブロック11にシールドケース51を半田付けする。
尚、コンデンサ部材43の固定に際しては、端子部分4
1cが外部導体12の面より突出するようにしておく。
そして、半田付けによりこの誘電体ブロック11をマウ
ント用基板27に固定する。この場合、コンデンサ部材
43の端子部42aとフィルタの入出力端子用マウント
パターンとが半田52により接続されるようにする。ま
た、シールドケース51とフィルタのグランド用マウン
トパターンとが半田53により接続されるようにする。
【0103】かかる構成を有する本実施例によれば、少
なくとも一面に電極42を形成したコンデンサ部材43
を誘電体ブロック11の複数の凹部15に配して入出力
用の結合容量C1 ,C3 を構成するようにしたことか
ら、外付けの結合コンデンサを省略でき、小型化及び部
品点数の削減ひいてはコストダウンを達成することがで
きる。しかも、本実施例の場合、結合容量C1 ,C3 を
構成する電極42が入出力用の端子部42aを兼ねてい
るため、簡素な構成でサーフェイスマウントを行うこと
ができる。さらに、本実施例においては結合容量C1 ,
C3 を構成する電極42を露出させておくことができる
ため、市販のチップコンデンサを使用した場合と異な
り、誘電体ブロック11への接続後であっても電極42
の除去により容易に結合容量C1 ,C3 を調整すること
ができる。
なくとも一面に電極42を形成したコンデンサ部材43
を誘電体ブロック11の複数の凹部15に配して入出力
用の結合容量C1 ,C3 を構成するようにしたことか
ら、外付けの結合コンデンサを省略でき、小型化及び部
品点数の削減ひいてはコストダウンを達成することがで
きる。しかも、本実施例の場合、結合容量C1 ,C3 を
構成する電極42が入出力用の端子部42aを兼ねてい
るため、簡素な構成でサーフェイスマウントを行うこと
ができる。さらに、本実施例においては結合容量C1 ,
C3 を構成する電極42を露出させておくことができる
ため、市販のチップコンデンサを使用した場合と異な
り、誘電体ブロック11への接続後であっても電極42
の除去により容易に結合容量C1 ,C3 を調整すること
ができる。
【0104】図21は、一般的なバンドエリミネーショ
ンフィルタの構成を示すものである。本発明に係る誘電
体フィルタは、このようなバンドエリミネーションフィ
ルタにも適用することができる。この場合、図中Aの部
分は図22に示すようなコンデンサ部材で構成し、図中
Bの部分は上述の誘電体ブロック11を用いて構成す
る。
ンフィルタの構成を示すものである。本発明に係る誘電
体フィルタは、このようなバンドエリミネーションフィ
ルタにも適用することができる。この場合、図中Aの部
分は図22に示すようなコンデンサ部材で構成し、図中
Bの部分は上述の誘電体ブロック11を用いて構成す
る。
【0105】図22は本実施例におけるコンデンサ部材
の例を示すものである。バンドエリミネーションフィル
タの場合、共振器間にコイルを接続する必要があるた
め、本実施例においては、上述のコンデンサ部材のう
ち、入出力端子用の電極42(48)が1枚の平板状の
基板44(50)に形成されたもの(図18C,図18
D,図19B,図19D)を用い、電極42(48)間
にコイルを接続する。この場合、図22Aに示すように
コイルパターンによりコイル54を構成しても良く、ま
た図22Bに示すように導線によりコイル55を構成し
ても良い。
の例を示すものである。バンドエリミネーションフィル
タの場合、共振器間にコイルを接続する必要があるた
め、本実施例においては、上述のコンデンサ部材のう
ち、入出力端子用の電極42(48)が1枚の平板状の
基板44(50)に形成されたもの(図18C,図18
D,図19B,図19D)を用い、電極42(48)間
にコイルを接続する。この場合、図22Aに示すように
コイルパターンによりコイル54を構成しても良く、ま
た図22Bに示すように導線によりコイル55を構成し
ても良い。
【0106】そして、このように電極42(48)間に
コイル54,55を接続することにより、従来使用して
いた中継基板を用いることなくバンドエリミネーション
フィルタを構成でき、小型化及び部品点数の削減ひいて
はコストダウンを図ることができる。具体的には、図2
3に示すように、誘電体ブロック11に3つの凹部15
及び電極16を形成する一方、1つの基板56上に電極
57,58及び59を形成してこれらをコイル60で接
続し、この基板56を凹部15に取り付ける。
コイル54,55を接続することにより、従来使用して
いた中継基板を用いることなくバンドエリミネーション
フィルタを構成でき、小型化及び部品点数の削減ひいて
はコストダウンを図ることができる。具体的には、図2
3に示すように、誘電体ブロック11に3つの凹部15
及び電極16を形成する一方、1つの基板56上に電極
57,58及び59を形成してこれらをコイル60で接
続し、この基板56を凹部15に取り付ける。
【0107】
【発明の効果】本発明によれば、複数の誘電体共振器R
1 ,R2 が構成された誘電体ブロック11自体に凹部1
5を設け、この凹部15に中心導体と連なる電極16を
設けたので、内部導体14と外部導体12とが電気的に
接続されていない側(駆動端側)の対接地電極面積が増
大し、これにより付加容量Cpが設けられたと等価とな
り、この付加容量Cpを凹部15の深さ,形状,面積等
を選定してその容量値を適当に設定することによって、
共振器R1 ,R2 の長さの縮小化、従って誘電体ブロッ
ク11の厚さの低減化を図ることができ、誘電体フィル
タを小型化することができる。
1 ,R2 が構成された誘電体ブロック11自体に凹部1
5を設け、この凹部15に中心導体と連なる電極16を
設けたので、内部導体14と外部導体12とが電気的に
接続されていない側(駆動端側)の対接地電極面積が増
大し、これにより付加容量Cpが設けられたと等価とな
り、この付加容量Cpを凹部15の深さ,形状,面積等
を選定してその容量値を適当に設定することによって、
共振器R1 ,R2 の長さの縮小化、従って誘電体ブロッ
ク11の厚さの低減化を図ることができ、誘電体フィル
タを小型化することができる。
【0108】また本発明によれば、この誘電体ブロック
11の付加容量Cpが構成された側の面に第2の凹部1
9を形成すると共にこの凹部19内に電極18を設け、
この電極18と電極16との間に結合容量C1 ,C3 を
構成するようにしたことから、外付けの結合コンデンサ
を省略でき、小型化及び部品点数の削減を達成できる。
11の付加容量Cpが構成された側の面に第2の凹部1
9を形成すると共にこの凹部19内に電極18を設け、
この電極18と電極16との間に結合容量C1 ,C3 を
構成するようにしたことから、外付けの結合コンデンサ
を省略でき、小型化及び部品点数の削減を達成できる。
【0109】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
する凹部15の電極16の形状を接地電極12と対向す
る部分の距離が場所によって異なるようにしたので、こ
の誘電体共振器R1 ,R2 の共振周波数の調整を容易か
つ精度よく行なうことができる。
する凹部15の電極16の形状を接地電極12と対向す
る部分の距離が場所によって異なるようにしたので、こ
の誘電体共振器R1 ,R2 の共振周波数の調整を容易か
つ精度よく行なうことができる。
【0110】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
する凹部15の電極の形状を部分的に対接地電極,対端
子電極,対隣接凹部電極の各々に対してのみ大きな結合
容量を持つようにしてフィルタの伝送特性における通過
域中心周波数,通過帯域幅,選択度を夫々単独で調整で
きるようにしたので、製造時容易かつ正確に夫々を短時
間に調整することができる。
する凹部15の電極の形状を部分的に対接地電極,対端
子電極,対隣接凹部電極の各々に対してのみ大きな結合
容量を持つようにしてフィルタの伝送特性における通過
域中心周波数,通過帯域幅,選択度を夫々単独で調整で
きるようにしたので、製造時容易かつ正確に夫々を短時
間に調整することができる。
【0111】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
する凹部15の電極16が形成されている側に使用する
誘電体材料の誘電率εB を誘電体本体の誘電率εA より
低い材料としたので、凹部15の電極16や端子電極1
8の大きさを目的に応じて変更でき、所望の大きさの誘
電体フィルタを容易に製造することができる。
する凹部15の電極16が形成されている側に使用する
誘電体材料の誘電率εB を誘電体本体の誘電率εA より
低い材料としたので、凹部15の電極16や端子電極1
8の大きさを目的に応じて変更でき、所望の大きさの誘
電体フィルタを容易に製造することができる。
【0112】また本発明によれば、誘電体ブロック11
のこの誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpが
構成された側の面に一側面に達する溝19aを形成する
と共にこの溝19aの内側に電極18aを設け、入力及
び出力用の結合容量C1 ,C 3 を構成するようにしたの
で、この電極18aを使用して容易にサーフェイスマウ
ントができ、従来例に比べ構成を簡素化することができ
る。
のこの誘電体共振器R1 ,R2 に対する付加容量Cpが
構成された側の面に一側面に達する溝19aを形成する
と共にこの溝19aの内側に電極18aを設け、入力及
び出力用の結合容量C1 ,C 3 を構成するようにしたの
で、この電極18aを使用して容易にサーフェイスマウ
ントができ、従来例に比べ構成を簡素化することができ
る。
【0113】また本発明によれば、付加容量Cpを構成
した面にサーフェイスマウントに対応した導体パターン
25a,25bを形成した基板26を電気的に接続した
ので、この導体パターン25a,25bを使用してサー
フェイスマウントを容易に行なうことができ、従来例に
比べ構成を簡素化することができる。
した面にサーフェイスマウントに対応した導体パターン
25a,25bを形成した基板26を電気的に接続した
ので、この導体パターン25a,25bを使用してサー
フェイスマウントを容易に行なうことができ、従来例に
比べ構成を簡素化することができる。
【0114】また本発明によれば、少なくとも一面に電
極42を形成した誘電体41を誘電体ブロック11の複
数の凹部15に配して入出力用の結合容量C1 ,C3 を
構成するようにしたことから、外付けの結合コンデンサ
を省略でき、小型化及び部品点数の削減ひいてはコスト
ダウンを達成することができる。しかも、本発明の場
合、結合容量C1 ,C3 を構成する電極42が入出力端
子42aを兼ねているため、簡素な構成でサーフェイス
マウントを行うことができる。さらに、本発明において
は結合容量C1 ,C3 を構成する電極42を露出させて
おくことができるため、市販のチップコンデンサを使用
した場合と異なり、誘電体ブロック11への接続後であ
っても電極42の除去により容易に結合容量C1 ,C3
を調整することができる。
極42を形成した誘電体41を誘電体ブロック11の複
数の凹部15に配して入出力用の結合容量C1 ,C3 を
構成するようにしたことから、外付けの結合コンデンサ
を省略でき、小型化及び部品点数の削減ひいてはコスト
ダウンを達成することができる。しかも、本発明の場
合、結合容量C1 ,C3 を構成する電極42が入出力端
子42aを兼ねているため、簡素な構成でサーフェイス
マウントを行うことができる。さらに、本発明において
は結合容量C1 ,C3 を構成する電極42を露出させて
おくことができるため、市販のチップコンデンサを使用
した場合と異なり、誘電体ブロック11への接続後であ
っても電極42の除去により容易に結合容量C1 ,C3
を調整することができる。
【0115】また本発明によれば、複数の凹部に配され
た誘電体の入出力端子用の電極42(48)間にコイル
54,55を接続することにより、従来使用していた中
継基板を用いることなくバンドエリミネーションフィル
タを構成でき、小型化及び部品点数の削減ひいてはコス
トダウンを図ることができる。
た誘電体の入出力端子用の電極42(48)間にコイル
54,55を接続することにより、従来使用していた中
継基板を用いることなくバンドエリミネーションフィル
タを構成でき、小型化及び部品点数の削減ひいてはコス
トダウンを図ることができる。
【図1】Aは本発明誘電体フィルタの一実施例を示す上
面図、BはそのB−B線断面図である。
面図、BはそのB−B線断面図である。
【図2】本発明誘電体フィルタの例を示す構成図であ
る。
る。
【図3】Aは本発明の他の実施例を示す上面図、Bはそ
のB−B線断面図である。
のB−B線断面図である。
【図4】Aは本発明の他の実施例を示す上面図、Bはそ
のB−B線断面図である。
のB−B線断面図である。
【図5】本発明誘電体フィルタの例を示す構成図であ
る。
る。
【図6】Aは本発明の他の実施例を示す上面図、Bはそ
のB−B線断面図である。
のB−B線断面図である。
【図7】Aは本発明の他の実施例を示す上面図、Bはそ
のB−B線断面図である。
のB−B線断面図である。
【図8】図7の説明に供する線図である。
【図9】Aは本発明の他の実施例を示す上面図、Bはそ
のB−B線断面図、CはそのC−C線断面図、Dはその
斜視図である。
のB−B線断面図、CはそのC−C線断面図、Dはその
斜視図である。
【図10】Aは本発明の他の実施例を示す上面図、Bは
そのB−B線断面図である。
そのB−B線断面図である。
【図11】Aは本発明による誘電体フィルタの具体例を
示す分解斜視図、Bはその取付例を示す斜視図である。
示す分解斜視図、Bはその取付例を示す斜視図である。
【図12】Aは本発明の他の実施例を示す斜視図、Bは
その要部の拡大斜視図である。
その要部の拡大斜視図である。
【図13】図12の誘電体フィルタの取付け例を示す斜
視図である。
視図である。
【図14】Aは本発明の他の実施例を示す分解斜視図、
Bはその要部の他の例を示す斜視図である。
Bはその要部の他の例を示す斜視図である。
【図15】図14の誘電体フィルタの取付け例を示す斜
視図である。
視図である。
【図16】本発明による誘電体フィルタをデュプレクサ
に使用した例を示す構成図である。
に使用した例を示す構成図である。
【図17】本発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図18】同実施例に用いるコンデンサ部材の例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図19】同実施例に用いるコンデンサ部材の例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図20】図17の誘電体フィルタの取付け例を示す断
面図である。
面図である。
【図21】一般的なバンドエリミネーションフィルタを
示す回路図である。
示す回路図である。
【図22】A コンデンサ部材の他の例を示す斜視図で
ある。 B コンデンサ部材の他の例を示す斜視図である。 C バンドエリミネーションフィルタの構成例である。
ある。 B コンデンサ部材の他の例を示す斜視図である。 C バンドエリミネーションフィルタの構成例である。
【図23】従来の誘電体フィルタの例を示す構成図であ
る。
る。
【図24】誘電体フィルタの説明に供する線図である。
【図25】Aは従来の誘電体共振器の例の上面図、Bは
そのB−B線断面図である。
そのB−B線断面図である。
【図26】従来の誘電体共振器の例の断面図である。
【図27】従来の誘電体共振器の例の断面図である。
【図28】Aは従来の誘電体フィルタの例の上面図、B
はそのB−B線断面図である。
はそのB−B線断面図である。
【図29】従来の誘電体フィルタの例の構成図である。
【図30】従来の誘電体フィルタの例の断面図である。
【図31】従来の誘電体フィルタの例の断面図である。
11 誘電体ブロック 12 外部導体 13 貫通孔 14 内部導体 15 凹部 16,18,18a 電極 19 第2の凹部 19a 溝 25a,25b 導体パターン 26 フェイスマウント基板 27 マウント用基板 41 基板 42 電極 43 コンデンサ部材 56 基板 57,58,59 電極 60 コイル
Claims (9)
- 【請求項1】 外部導体が設けられた誘電体ブロック内
に複数の貫通孔が設けられると共に該複数の貫通孔内に
夫々一端面で上記外部導体に電気的に接続された内部導
体が設けられて成る複数の誘電体共振器より成る誘電体
フィルタにおいて、 上記誘電体ブロックの上記複数の貫通孔の他端面側に凹
部を形成すると共に該凹部内に上記内部導体と連なる電
極を形成して付加容量を構成するようにしたことを特徴
とする誘電体フィルタ。 - 【請求項2】 請求項1記載の誘電体フィルタにおい
て、上記誘電体ブロックの上記誘電体共振器に対する付
加容量が構成された側の面に、第2の凹部を形成すると
共に該第2の凹部内に電極を設け、入力又は出力用の少
なくとも一方の結合容量を構成するようにしたことを特
徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の誘電体フィルタに
おいて、 上記誘電体共振器に対する上記付加容量を構成する凹部
の電極の形状を誘電体を介して存在する上記貫通孔と平
行な接地電極と対向する部分の距離が場所によって異な
るようにしたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項4】 請求項2又は3記載の誘電体フィルタに
おいて、 上記誘電体共振器に対する上記付加容量を構成する凹部
の電極の形状を対接地電極、対端子電極、対隣接凹部電
極の各々に対してのみ大きな結合容量を持つようにし、
フィルタの伝送特性における通過域中心周波数、通過帯
域幅、選択度を夫々単独に調整できるようにしたことを
特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項5】 請求項2,3又は4記載の誘電体フィル
タにおいて、 上記誘電体共振器に対する付加容量を構成する凹部電極
が形成されている側に使用する誘電体材料の誘電率を誘
電体本体の誘電率より低い材料としたことを特徴とする
誘電体フィルタ。 - 【請求項6】 請求項1記載の誘電体フィルタにおい
て、 上記誘電体ブロックの上記誘電体共振器に対する付加容
量が構成された側の面に一側面に達する溝を形成すると
共に該溝の内側に電極を設け、入力及び出力用の結合容
量を構成するようにしたことを特徴とする誘電体フィル
タ。 - 【請求項7】 請求項2,3,4又は5に記載した誘電
体フィルタにおいて、 上記誘電体共振器に対する付加容量を構成した面にサー
フェイスマウントに対応した導電パターンを形成した基
板を電気的に接続したことを特徴とする誘電体フィル
タ。 - 【請求項8】 請求項1記載の誘電体フィルタにおい
て、 少なくとも一面に入出力端子用の電極を形成した誘電体
を上記複数の凹部に配して入出力用の結合容量を構成す
るようにしたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項9】 請求項8記載の誘電体フィルタにおい
て、 上記複数の凹部に配された誘電体の入出力端子用の電極
間にコイルを接続するようにしたことを特徴とする誘電
体フィルタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5337235A JPH0786807A (ja) | 1993-07-23 | 1993-12-28 | 誘電体フィルタ |
US08/770,507 US5764118A (en) | 1993-07-23 | 1996-12-20 | Dielectric coaxial filter with irregular polygon shaped recesses |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5-182931 | 1993-07-23 | ||
JP18293193 | 1993-07-23 | ||
JP5337235A JPH0786807A (ja) | 1993-07-23 | 1993-12-28 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786807A true JPH0786807A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=26501544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5337235A Pending JPH0786807A (ja) | 1993-07-23 | 1993-12-28 | 誘電体フィルタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5764118A (ja) |
JP (1) | JPH0786807A (ja) |
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EP0817302A2 (en) * | 1996-07-03 | 1998-01-07 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Method of forming electrodes of a dielectric filter |
EP0989625A2 (en) * | 1998-09-28 | 2000-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter unit, duplexer and communication apparatus |
KR20010018612A (ko) * | 1999-08-20 | 2001-03-05 | 원대철 | 유전체 필터 |
KR100325761B1 (ko) * | 1998-04-17 | 2002-03-06 | 무라타 야스타카 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서, 이들의 실장 구조 및 통신기 장치 |
KR100327536B1 (ko) * | 1998-09-11 | 2002-03-14 | 무라타 야스타카 | 유전체 필터, 복합 유전체 필터, 듀플렉서 및 통신 장치 |
KR20040007077A (ko) * | 2002-07-16 | 2004-01-24 | 성규제 | 일체형 유전체 필터 |
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JP2020022079A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 双信電機株式会社 | フィルタ |
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-
1993
- 1993-12-28 JP JP5337235A patent/JPH0786807A/ja active Pending
-
1996
- 1996-12-20 US US08/770,507 patent/US5764118A/en not_active Expired - Lifetime
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