JP3577921B2 - 誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ、特に、誘電体ブロックに複数の誘電体共振器を設けた誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、例えば誘電体ブロックに複数の誘電体共振器を設けた誘電体フィルタとして、図18に示すものが知られている。この誘電体フィルタは、誘電体ブロック31の対向する面31a,31bを貫通して2つの共振器孔32a,32bを設けたものである。それぞれの共振器孔32a,32bは、大径孔部42a,42bと、その大径孔部42a,42bに連通した小径孔部43a,43bとを有している。小径孔部43a,43bの軸は、それぞれ大径孔部42a,42bの軸に対して偏心してずれている。すなわち、大径孔部42a,42bの半径をR、小径孔部43a,43bの半径をr、大径孔部42a,42bの軸と小径孔部43a,43bの軸相互のずれ距離をP(図19参照)とすると、0<P<R−rの範囲で、大径孔部42a,42bの軸に対して小径孔部43a,43bの軸が偏心している。
【0003】
誘電体ブロック31の外面の略全面には外導体34が形成されている。1対の入出力電極35は、この外導体34に対して所定の間隔を確保して、外導体34に非導通の状態で誘電体ブロック31の外面に形成されている。共振器孔32a,32bの略内周全面には内導体33が形成されており、大径孔部42a,42bの開口部に延在している外導体34との間にギャップ38を設けている。
【0004】
以上の構成からなる誘電体フィルタにおいて、図19に示すように、小径孔部43aと43b間の軸間距離d1を、大径孔部42aと42b間の軸間距離d2より広くすると、共振器孔32aと32b間の電磁界結合は容量性結合となる。逆に、小径孔部43aと43b間の軸間距離d1を、大径孔部42aと42b間の軸間距離d2より狭くすると、共振器孔32aと32b間の電磁界結合は、誘導性結合となる。そして、小径孔部43aと43b間の軸間距離d1を変えることにより、共振器孔32aと32b間の電磁界結合度を所望の強さに設定していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の誘電体フィルタにおいては、小径孔部43a,43bの軸が大径孔部42a,42bの軸に対して、0<P<R−rの範囲でしか偏心していなかったので、小径孔部43aと43b間の軸間距離d1を変化させることができる範囲が狭かった。そのため、隣り合う共振器孔32aと32b間の電磁界結合度の強さを、広い範囲で設定することができなかった。従って、隣り合う共振器孔32aと32b間に強い電磁界結合が必要とされる場合には、誘電体ブロック31の外形形状や寸法を変えなければならないこともあった。
【0006】
そこで、本発明の目的は、誘電体ブロックの外形形状や寸法を変えることなく、隣り合う共振器孔間に強い電磁界結合を設定することができる誘電体フィルタや誘電体デュプレクサを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するため、本発明に係る誘電体フィルタあるいは誘電体デュプレクサは、共振器孔のうち少なくとも1つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸をずらせて屈曲形状とし、前記大径孔部の半径Rと、前記小径孔部の半径rと、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸のずれ距離Pとが、関係式R−r<P<R+rを満足していることを特徴とする。具体的には、例えば、屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離を大径孔部相互間の軸間距離より小さくしたり、あるいは大きくしたり、あるいは等しくしたりしている。
【0008】
【作用】
以上の構成により、小径孔部相互間の軸間距離、あるいは大径孔部相互間の軸間距離を変化させることができる範囲が従来の誘電体フィルタや誘電体デュプレクサと比較して広くなる。従って、隣り合う共振器孔相互間に強い電磁界結合が必要とされる場合であっても、誘電体ブロックの外形形状や寸法を変えなくてすむ。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサの実施形態について添付図面を参照して説明する。
【0010】
[第1実施形態、図1〜図3]
第1実施形態に係る誘電体フィルタは、図1に示すように、誘電体ブロック1の対向する面1a,1bを貫通して二つの共振器孔2a,2bを形成している。それぞれの共振器孔2a,2bは、横断面円形の大径孔部22a,22bと、その大径孔部22a,22bに連通した横断面円形の小径孔部23a,23bとを有している。小径孔部23aと23bは相互に遠ざかるように形成されている。すなわち、小径孔部23a,23bの軸は、それぞれ大径孔部22a,22bの軸に対して偏心してずれている。大径孔部22a,22bの半径をR、小径孔部23a,23bの半径をr、大径孔部22a,22bの軸と小径孔部23a,23bの軸相互のずれ距離をP(図2参照)とすると、関係式R−r<P<R+rを満足する範囲で、大径孔部22a,22bの軸を基準にして小径孔部23a,23bの軸を偏心させている。従って、共振器孔2a,2bは屈曲した形状を成している。小径孔部23aと23b間の軸間距離d1は、大径孔部22aと22b間の軸間距離d2より広く、図15に示した従来の誘電体フィルタの小径孔部相互間の軸間距離と比較して広く設定されている。
【0011】
誘電体ブロック1の外面には、外導体4と一対の入出力電極5が形成されている。一対の入出力電極5は外導体4に対して所定の間隔を確保して、外導体4に非導通の状態で形成されている。外導体4は、入出力電極5の形成領域と大径孔部22a,22bの開口側面1a(以下、開放側端面1aと記す)を残して外面の略全面に形成されている。共振器孔2a,2bの内周全面には内導体3が形成されている。内導体3は、開放側端面1aでは外導体4から電気的に開放(分離)され、小径孔部23a,23bの開口側面1b(以下、短絡側端面1bと記す)では、外導体4に電気的に短絡(導通)されている。さらに、各共振器孔2a,2bの軸方向の長さはλ/4(λは共振器孔2a,2b毎に形成される共振器の中心波長)に設定されている。そして、共振器孔2a,2bのそれぞれの内導体3と入出力電極5との間には、外部結合容量が生じている。
【0012】
この構成の誘電体フィルタにおいて、開放側端面1a側では、共振器孔2a,2bの大径孔部22aと22b間の軸間距離d2を固定しているので、両共振器孔2aと2b間の結合に関わる電界エネルギーの割合はほとんど変化しない。しかし、短絡側端面1b側では、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1を、大径孔部22aと22bの間の軸間距離d2より広く設定しているため、結合に関わる磁界エネルギーの割合が減少し、容量性結合の度合いが強くなる。しかも、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1を、図15に示した従来の誘電体フィルタと比較してさらに広くしているため、強い容量性結合が得られ、共振器孔2a,2b毎に形成される二つの共振器間は、強い容量性結合で結合されることになる。従って、誘電体ブロック1の外形形状や寸法を変えることなく、より強い容量性結合を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【0013】
さらに、一般に、複数の誘電体共振器を結合した誘電体フィルタにおいて、隣り合う共振器間の結合が容量性結合の場合は、通過帯域の低域側に一つの減衰極GLが得られる。この低域側の減衰域GLは、容量性結合が強くなるにつれて低周波側に移動する。従って、図3に示すように、第1実施形態の誘電体フィルタの低域側の減衰極GL(実線11参照)は、図15に示した従来の誘電体フィルタの低域側の減衰極GL(点線12参照)より低周波側に形成され、第1実施形態の誘電体フィルタの通過帯域の広帯域化を図ることができる。
【0014】
[第2実施形態、図4及び図5]
図4に示すように、第2実施形態の誘電体フィルタは、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1が、大径孔部22aと22b間の軸間距離d2より狭く、かつ、従来の誘電体フィルタの小径孔部相互間の軸間距離と比較して狭く設定されていることを残して、前記第1実施形態の誘電体フィルタと同様の構造を有している。
【0015】
この構成の誘電体フィルタにおいて、開放側端面1a側では、共振器孔2a,2bの大径孔部22aと22b間の軸間距離d2を固定しているので、両共振器孔2aと2b間の結合に関わる電界エネルギーの割合はほとんど変化しない。しかし、短絡側端面1b側では、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1を、大径孔部22aと22b間の軸間距離d2より狭く設定しているため、結合に関わる磁界エネルギーの割合が増加し、誘導性結合の度合いが強くなる。しかも、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1を、従来の誘電体フィルタと比較してさらに狭くしているため、強い誘導性結合が得られ、共振器孔2a,2b毎に形成される二つの共振器間は強い誘導性結合で結合されることになる。従って、誘電体ブロック1の外形形状や寸法を変えることなく、より強い誘導性結合を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【0016】
さらに、一般に複数の誘電体共振器を結合した誘電体フィルタにおいて、隣り合う共振器間の結合が誘導性結合の場合は、通過帯域の高域側に一つの減衰極GHが得られる。この高域側の減衰極GHは、誘導性結合が強くなるにつれて高周波側に移動する。従って、図5に示すように、第2実施形態の誘電体フィルタの高域側の減衰極GH(実線13参照)は、従来の誘電体フィルタの高域側の減衰極GH(点線14参照)より高周波側に形成され、第2実施形態の誘電体フィルタの通過帯域の広帯域化を図ることができる。
【0017】
[第3実施形態、図6]
図6に示すように、第3実施形態の誘電体フィルタは、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1が、大径孔部22aと22b間の軸間距離d2と等しくなるように設定されていることを残して、前記第1実施形態の誘電体フィルタと同様の構造を有している。この誘電体フィルタは、電磁界結合度の設計自由度を高めることができる。
【0018】
[第4実施形態、図7及び図8]
図7に示すように、第4実施形態の誘電体フィルタは、誘電体ブロック1の開放側端面1aと短絡側端面1bとを貫通して三つの共振器孔2a,2b,2cを一列状に設けている。それぞれの共振器孔2a,2b,2cは横断面円形の大径孔部22a,22b,22cと、その大径孔部22a,22b,22cに連通した横断面円形の小径孔部23a,23b,23cを有している。小径孔部23a,23b,23cの軸は、それぞれ大径孔部22a,22b,22cの軸に対して偏心してずれている。すなわち、大径孔部22a,22b,22cの半径をR、小径孔部23a,23b,23cの半径をr、大径孔部22a,22b,22cの軸と小径孔部23a,23b,23cの軸相互のずれ距離をP(図8参照)とすると、関係式R−r<P<R+rを満足する範囲で、大径孔部22a,22b,22cの軸を基準にして小径孔部23a,23b,23cの軸を偏心させている。従って、共振器孔2a,2b,2cは屈曲した形状を成している。
【0019】
図8に示すように、小径孔部23aと23c間の軸間距離d3は、大径孔部22aと22c間の軸間距離d4より狭く、かつ、従来の誘電体フィルタの小径孔部相互間の軸間距離と比較して狭く設定されている。小径孔部23bと23c間の軸間距離d5は、大径孔部22bと22c間の軸間距離d6より広く、かつ、従来と比較して広く設定されている。
【0020】
この構成の誘電体フィルタにおいて、共振器孔2a,2cで形成される二つの共振器間の結合は強い誘導性結合となり、共振器孔2b,2cで形成される共振器間の結合は強い容量性結合となる。従って、このフィルタの減衰特性は図9に示すように、通過帯域の高域側、低域側にそれぞれ一つの減衰極GL,GHが形成されたものとなる。小径孔部23aと23c間の軸間距離d3をさらに狭め、かつ小径孔部23bと23c間の軸間距離d5をさらに広げれば通過帯域の幅がさらに広がる。
【0021】
[第5実施形態、図10〜図12]
第5実施形態は自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体デュプレクサについて説明する。図10は端面51a側から見た誘電体デュプレクサの外観斜視図であり、実装面(底面)51cを上にして示している。図11は端面51b側から見た誘電体デュプレクサの背面図であり、実装面51cを下にして示している。図12は図11に示された誘電体デュプレクサの平面図である。
【0022】
この誘電体デュプレクサは、略直方体形状の誘電体ブロック51の対向する一対の端面51a,51bを貫通して、七つの共振器孔52a〜52gが一列状に形成されている。共振器孔52aと52bの間、共振器孔52cと52dの間、及び共振器孔52fと52gの間には、それぞれ外部結合孔55a,55b,55c及びグランド孔56a,56b,56cが形成されている。
【0023】
それぞれの共振器孔52a〜52gは、横断面円形の大径孔部62a〜62gと、その大径孔部62a〜62gに連通した横断面円形の小径孔部63a〜63gとを有している。小径孔部63c〜63fの軸は、それぞれ大径孔部62c〜62fの軸に対して偏心してずれている。すなわち、各大径孔部62c〜62fの半径をR、各小径孔部63c〜63fの半径をr,各大径孔部62c〜62fの軸と各小径孔部63c〜63fの軸相互のずれ距離をP(図12参照)とすると、関係式R−r<P<P+rを満足する範囲で、大径孔部62c〜62fの軸を基準にして小径孔部63c〜63fの軸を偏心させている。従って、共振器孔52c〜52fは屈曲した形状を成している。
【0024】
図12に示すように、小径孔部63bと63c間の軸間距離d11は、大径孔部62bと62c間の軸間距離d14より狭く、かつ、従来の誘電体デュプレクサの小径孔部相互間の軸間距離と比較して狭く設定されている。小径孔部63dと63e間の軸間距離d12は、大径孔部62dと62e間の軸間距離d15より広く、かつ、従来と比較して広く設定されている。小径孔部63eと63f間の軸間距離d13は、大径孔部62eと62f間の軸間距離d16と等しく、かつ、従来と等しい軸間距離に設定されている。
【0025】
誘電体ブロック51の外面の略全面には、外導体54が形成されている。入出力電極である送信側電極Tx,受信側電極Rx及びアンテナ電極ANTは、外導体54に対して所定の間隔を確保して外導体54に非導通の状態で、実装面51cから端面51bに渡って誘電体ブロック51に形成されている。
【0026】
各共振器孔52a〜52gの略内周全面には内導体53(図10参照)が形成されており、大径孔部62a〜62gの開口部に延在している外導体54との間にギャップ58を設けている。このギャップ58が設けられている大径孔部62a〜62gの開口側の端面51aが開放側端面であり、小径孔部63a〜63gの開口側の端面51bが短絡側端面である。内導体53は、開放側端面51aでは外導体54から電気的に開放(分離)され、短絡側端面51bでは外導体54に電気的に短絡(導通)されている。さらに、各共振器孔52a〜52gの軸方向の長さはλ/4(λは共振器孔52a〜52g毎に形成される共振器の中心波長)に設定されている。
【0027】
外部結合孔55a,55b,55c及びグランド孔56a,56b,56cの内周全面には、それぞれ内導体53が形成されている。外部結合孔55a,55b,55cは、それぞれ送信側電極Tx,アンテナ電極ANT,受信側電極Rxに導通している。すなわち、外部結合孔55a〜55cのそれぞれの内導体53は、開放側端面51aでは外導体54と電気的に導通し、短絡側端面51bでは外導体54と電気的に分離している。
【0028】
一方、グランド孔56a〜56cは、各外部結合孔55a〜55cの近傍に、外部結合孔55a〜55cに対して平行に設けられ、それぞれの内導体53は開放側端面51a及び短絡側端面51bで外導体54と電気的に導通している。このグランド孔56a〜56cの形成位置,形状,内寸(大きさ)を変えることにより、外部結合孔55a〜55cの自己容量を増減することができるので、外部結合を変えることができ、より適切な外部結合を設定することができる。外部結合孔55a〜55cの自己容量とは、外部結合孔55a〜55cの内導体53とグランド導体(外導体54及びグランド孔56a〜56cの内導体53)間に発生する容量である。
【0029】
この誘電体デュプレクサは、共振器孔52b,52cで形成される二つの共振器からなる送信フィルタ(帯域通過フィルタ)と、共振器孔52d,52e,52fで形成される三つの共振器からなる受信フィルタ(帯域通過フィルタ)と、両側の共振器孔52a,52gで形成される各共振器で形成される二つのトラップ(帯域阻止フィルタ)とで構成されている。外部結合孔55aとこれに隣り合う共振器孔52a,52b、外部結合孔55bとこれに隣り合う共振器孔52c,52d、及び外部結合孔55cとこれに隣り合う共振器孔52f,52gはそれぞれ電磁界結合され、この電磁界結合により外部結合を得ている。
【0030】
以上の構成からなる誘電体デュプレクサは、図示しない送信回路系から送信側電極Txに入った送信信号を共振器孔52b,52cからなる送信フィルタを介してアンテナ電極ANTから出力すると共に、アンテナ電極ANTから入った受信信号を共振器孔52d,52e,52fからなる受信フィルタを介して受信側電極Rxから図示しない受信回路系に出力する。そして、共振器孔52b,52cで形成される二つの共振器間の結合は強い誘導性結合となり、共振器孔52d,52eで形成される二つの共振器間の結合は強い容量性結合となる。従って、誘電体ブロック51の外形形状や寸法を変えることなく、より強い容量性結合や誘導性結合を有する誘電体デュプレクサを得ることができる。
【0031】
さらに、共振器孔52e,52fの小径孔部63eと63f間の軸間距離d13が、大径孔部62eと62f間の軸間距離d16と等しくなるように設定することにより、誘電体ブロック51の外形寸法を大きくしなくても、共振器孔52e,52fで形成される二つの共振器間の電磁界結合度を一定に保つことができ、設計の自由度を高めることができる。
【0032】
さらに、通過帯域の低域側(あるいは高域側)に形成される減衰極を、より低周波側(あるいは高周波側)に移動させることができ、誘電体デュプレクサの通過帯域の広帯域化を図り、かつ、減衰特性の急峻な高性能の小型誘電体デュプレクサを容易に実現できる。
【0033】
[他の実施形態]
なお、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサは前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【0034】
例えば、図13に示すように、誘電体ブロック1内に四つの共振器孔2a,2b,2c,2dを設けてもよい。この場合、大径孔部22a〜22dの半径をR、小径孔部23a〜23dの半径をr、大径孔部22a〜22dの軸と小径孔部23a〜23dの軸相互の偏心距離をPとすると、共振器孔2a,2cは、0<P<R−rの関係を満足する範囲で、大径孔部22a,22cの軸を基準にして小径孔部23a,23cの軸を偏心させている。共振器孔2b,2dは、R−r<P<R+rの関係を満足する範囲で、大径孔部22b,22dの軸を基準にして小径孔部23b,23dの軸を偏心させている。
【0035】
共振器孔2a,2cにそれぞれ形成される二つの共振器間は強い誘導性結合で結合され、共振器孔2c,2dにそれぞれ形成される二つの共振器間は強い容量性結合で結合される。そして、共振器孔2b,2dにそれぞれ形成される二つの共振器間は、共振器孔2a,2c間の誘導性結合よりさらに強い結合度で誘導性結合される。このことにより、誘電体フィルタの電磁界結合の自由設計度を更に高めることができ、バンドパスフィルタやデュプレクサ等の設計を容易にすることができる。さらに、共振器孔を五つ以上設けるものであってもよい。
【0036】
また、共振器孔の軸方向の長さはλ/4に限るものではなく、例えばλ/2であってもよい。この場合、共振器孔の両開口面は、両面とも短絡側端面に設定するか、又は両面とも開放側端面に設定する必要がある。
【0037】
さらに、図14に示すように、共振器孔2a,2bにおける大径孔部22a,22bと小径孔部23a,23bとの境界段差部24a,24b相互が共振器孔2a,2bの軸方向にずれた位置にあってもよく、必ずしも前記実施形態のように軸方向に等しい位置に配設する必要はない。
【0038】
また、図15に示すように、共振器孔2e,2fの大径孔部22e,22f及び小径孔部23e,23fの形状は、横断面円形の他に横断面矩形のものであってもよい。
【0039】
また、図16に示すように、共振器孔2g,2hの大径孔部22g,22h及び小径孔部23g,23hが設けられる位置は、大径孔部22gが開放側端面1a側で小径孔部23gが短絡側端面1b側、小径孔部23hが開放側端面1a側で大径孔部22hが短絡側端面1b側となっていてもよい。
【0040】
また、図17に示す誘電体フィルタであってもよい。この誘電体フィルタは、誘電体ブロック1の外面の略全面に外導体4が形成されている。1対の入出力電極5は、この外導体4に対して所定の間隔を確保して、外導体4に非導通の状態で誘電体ブロック1の外面に形成されている。共振器孔2a,2bの略内周全面には内導体3が形成されており、大径孔部22a,22bの開口部に延在している外導体4との間にギャップ8を設けている。このギャップ8が設けられている大径孔部22a,22bの開口面1aが開放側端面であり、小径孔部23a,23bの開口面1bが短絡側端面である。そして、共振器孔2a,2bの軸方向の内導体3の長さはλ/4に設定されている。
【0041】
さらに、内径一定の共振器孔を含めた誘電体フィルタあるいは誘電体デュプレクサであってもよい。さらに、誘電体ブロックに結合溝を設ける等の共振器孔間の他の電磁界結合手段を併用して構成し、結合度をより大きく変えるようにしてもよい。
【0042】
また、前記実施形態では、開放側端面側に大径孔部を、短絡側端面側に小径孔部を形成した共振器孔にて説明したが、これに限ることはなく、短絡側端面側に大径孔部を形成し、開放側端面側の小径孔部相互間の軸間距離を変えるようにしてもよい。この場合、隣り合う共振器孔間の結合関係は前記実施形態で説明したものとは逆の関係となる。すなわち、小径孔部相互間の軸間距離を狭くしていくと徐々に容量性結合度が強くなり、小径孔部相互間の軸間距離を広くしていくと誘導性結合度が強くなっていく。
【0043】
また、前記実施形態では、誘導体ブロックの外面の所定箇所に入出力電極を形成した誘導体フィルタあるいは誘電体デュプレクサについて説明したが、これに限るものではなく、入出力電極に代えて、入出力樹脂ピン等により外部回路と接続するものでもよい。
【0044】
また、前記実施形態では、所定のピッチに配置された大径孔部の軸を基準にして小径孔部の軸をずらせた場合を説明したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、所定のピッチに配置された小径孔部の軸を基準にして大径孔部の軸をずらせるようにしてもよい。
【0045】
さらに、前記実施形態では、共振器孔の大径及び小径孔部の軸が一直線状に並んでいるが、大径孔部の軸と小径孔部の軸が例えば誘電体ブロックの高さ方向に千鳥状に配置されるようにしたものであってもよい。
【0046】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、共振器孔の大径孔部の半径Rと、小径孔部rと、大径孔部の軸と小径孔部の軸とのずれ距離Pとが、関係式R−r<P<R+rを満足させる範囲で、大径孔部の軸と小径孔部の軸相互をずらせたので、誘電体ブロックの外形形状、寸法を変えることなく、共振器孔相互間の電磁界結合を従来の誘電体フィルタや誘電体デュプレクサよりさらに強くすることができる。さらに、通過帯域の低域側(あるいは高域側)に形成される減衰極を、より低周波側(あるいは高周波側)に移動させることができ、誘電体フィルタや誘電体デュプレクサの通過帯域の広帯域化を図り、かつ、減衰特性の急峻な高性能の小型誘電体フィルタや小型誘電体デュプレクサを容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る誘電体フィルタの第1実施形態を示す外観斜視図。
【図2】図1に示した誘電体フィルタの開放側端面側から見た正面図。
【図3】図1に示した誘電体フィルタの減衰特性を示すグラフ。
【図4】本発明に係る誘電体フィルタの第2実施形態を示す正面図。
【図5】図4に示した誘電体フィルタの減衰特性を示すグラフ。
【図6】本発明に係る誘電体フィルタの第3実施形態を示す正面図。
【図7】本発明に係る誘電体フィルタの第4実施形態を示す外観斜視図。
【図8】図7に示した誘電体フィルタの開放側端面側から見た正面図。
【図9】図7に示した誘電体フィルタの減衰特性を示すグラフ。
【図10】本発明に係る誘電体デュプレクサの一実施形態を示す外観斜視図。
【図11】図10に示した誘電体デュプレクサの短絡側端面側から見た背面図。
【図12】図11に示した誘電体デュプレクサの平面図。
【図13】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を示す正面図。
【図14】本発明に係る誘電体フィルタの別の他の実施形態を示す水平断面図。
【図15】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す正面図。
【図16】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す水平断面図。
【図17】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す外観斜視図。
【図18】従来の誘電体フィルタの外観斜視図。
【図19】図18に示した誘電体フィルタの開放側端面側から見た正面図。
【符号の説明】
1…誘電体ブロック
2a〜2h…共振器孔
3…内導体
4…外導体
22a〜22h…大径孔部
23a〜23h…小径孔部
51…誘電体ブロック
52a〜52g…共振器孔
53…内導体
54…外導体
62a〜62g…大径孔部
63a〜63g…小径孔部
d1,d3,d5,d11,d12,d13…小径孔部相互間の軸間距離
d2,d4,d6,d14,d15,d16…大径孔部相互間の軸間距離
P…大径孔部の軸と小径孔部の軸とのずれ距離
Claims (8)
- 誘電体ブロックの内部に複数の共振器孔を設け、該共振器孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる誘電体フィルタにおいて、
前記共振器孔のうち少なくとも1つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸をずらせて屈曲形状とし、前記大径孔部の半径Rと、前記小径孔部の半径rと、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸のずれ距離Pとが、関係式R−r<P<R+rを満足していることを特徴とする誘電体フィルタ。 - 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より大きいことを特徴とする請求項1記載の誘電体フィルタ。
- 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より小さいことを特徴とする請求項1記載の誘電体フィルタ。
- 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離と等しいことを特徴とする請求項1記載の誘電体フィルタ。
- 誘電体ブロックの内部に複数の共振器孔を設け、該共振器孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる誘電体デュプレクサにおいて、
前記共振器孔のうち少なくとも1つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸をずらせて屈曲形状とし、前記大径孔部の半径Rと、前記小径孔部の半径rと、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸のずれ距離Pとが、関係式R−r<P<R+rを満足していることを特徴とする誘電体デュプレクサ。 - 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より大きいことを特徴とする請求項5記載の誘電体デュプレクサ。
- 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より小さいことを特徴とする請求項5記載の誘電体デュプレクサ。
- 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離と等しいことを特徴とする請求項5記載の誘電体デュプレクサ。
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