JPH0786264A - 成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理体に対して酸化処理及び窒化処理を連
続的且つ短時間で行なうことができ、しかも絶縁耐性等
の電気的特性に優れた酸化膜を被処理体に形成すること
ができる成膜方法を提供する。 【構成】 本成膜方法では、外部ヒータ（抵抗発熱体２
１）により加熱して所定の８５０℃まで昇温させた反応
容器３０内へ水蒸気を供給し、反応容器３０内で熱処理
ポート４０により保持された２５枚の半導体ウエハＷの
表面を酸化処理用ガスにより酸化させてシリコン酸化膜
を形成した後、アンモニアガスで置換すると共に抵抗発
熱体２１により反応容器３０内を９００℃まで加熱して
シリコン酸化膜を窒化処理してゲート酸化膜を成膜する
ようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、成膜方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体デバイスの製造工程に
おいて、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜等の
シリコン被膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等のシリコン酸化
膜、あるいはシリコン窒化膜等の被膜を減圧ＣＶＤや常
圧ＣＶＤ等の処理によって半導体ウエハ等の被処理体へ
成膜することが広く行なわれている。

【０００３】このような成膜工程では、例えば、熱処理
装置などによる半導体ウエハのバッチ処理が広く行なわ
れている。例えばＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜を
成膜する際には熱処理装置が用いられる。この熱処理装
置を用いる場合には、所定の熱処理温度に保持された反
応容器内に多数枚の半導体ウエハ等の被処理体を石英等
のセラミックスからなる熱処理ボートを介して収納し、
常圧下で反応容器内へ酸素ガスあるいは水蒸気を導入
し、ドライ酸化あるいはウェット酸化によってゲート酸
化膜としてシリコン酸化膜の成膜が行なわれている。ま
た、一方では最近の半導体装置の高集積化によりその配
線構造が微細化、薄膜化し、ＭＯＳトランジスタにおけ
るゲート酸化膜も益々薄膜化して来ているため、ゲート
酸化膜の絶縁耐性が重要な課題になっている。そこで、
酸化処理後の半導体ウエハの酸化膜を更に窒素ガス雰囲
気あるいはアンモニアガス雰囲気下でアニール処理して
酸化膜中に窒素原子を拡散させ、ゲート酸化膜の絶縁耐
性等の電気的特性を高めるためることがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
成膜方法は、酸化処理後の半導体ウエハを熱処理装置か
ら一旦外部にアンロードし、酸化処理後の半導体ウエハ
を別の熱処理装置で窒化処理するようにしているため、
アンロード時に半導体ウエハが空気に触れ、空気中の不
純物あるいはパーティクルが混入する虞があり、ゲート
酸化膜の膜質が劣化するなどという課題があった。

【０００５】また、従来の成膜方法として、マルチチャ
ンバーからなる真空処理装置による枚葉処理により半導
体ウエハにゲート酸化膜を形成する方法もあるが、この
方法では熱酸化処理と比較して低温下で半導体ウエハを
処理するため、酸化膜の膜質が緻密でないなど必ずしも
良好なものとは言い難く、それだけ絶縁耐性等の電気的
特性に劣り、今後の超薄膜化傾向に対処できないという
課題があった。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、被処理体に対して酸化処理及び窒化処理を
連続的且つ短時間で行なうことができ、しかも絶縁耐性
等の電気的特性に優れた酸化膜を被処理体に形成するこ
とができる成膜方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の成膜方法は、外部ヒータにより加熱して所定の反応温
度まで昇温させた反応容器内へ所定の酸化処理用ガスを
供給し、上記反応容器内で保持具により保持された複数
の被処理体の表面を酸化用ガスにより酸化させて酸化膜
を形成した後、窒化処理用ガスで置換すると共に上記外
部ヒータにより上記反応容器内を所定温度まで加熱して
上記酸化膜を窒化処理するようにしたものである。

【０００８】また、本発明の請求項２に記載の成膜方法
は、請求項１に記載の発明において、上記窒化処理後の
被処理体を上記外部ヒータにより加熱して脱水素処理を
施すようにしたものである。

【０００９】また、本発明の請求項３に記載の成膜方法
は、請求項１に記載の発明において、上記窒化処理後の
被処理体に酸化処理を施すようにしたものである。

【００１０】また、本発明の請求項４に記載の成膜方法
は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明におい
て、上記反応容器内を５０〜２００℃／分の昇温速度で
加熱し、また上記反応容器内を３０〜１００℃／分の降
温速度で冷却するようにしたものである。

【００１１】また、本発明の請求項５に記載の成膜方法
は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明におい
て、上記被処理体の周縁部を熱容量の大きな支持部材で
支持し、この支持部材を介して上記被処理体を加熱、冷
却するようにしたものである。

【００１２】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、外部
ヒータにより反応容器を加熱してその内部を所定の反応
温度まで昇温させ、次いで反応容器内へ所定の酸化処理
用ガスを供給すると、反応容器内で保持具により保持さ
れた複数の被処理体の表面で酸化用ガスにより例えばシ
リコンを酸化してシリコン酸化膜を形成し、その後窒化
処理用ガスで置換した後、外部ヒータにより反応容器内
を加熱して内部を所定温度（窒化処理温度）まで昇温さ
せると、シリコン酸化膜内に窒素原子が熱拡散してシリ
コン酸化膜の表面に窒化膜を形成することができる。

【００１３】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、上記窒化処理後
の被処理体を上記外部ヒータにより加熱すると、シリコ
ン窒化膜中に拡散した水素原子を除去することができ
る。

【００１４】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、上記窒化処理後
の被処理体に酸化処理を施すことによりシリコン窒化膜
中に酸素原子を熱拡散させて膜質を向上させることがで
きる。

【００１５】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明におい
て、上記反応容器内を５０〜２００℃／分の昇温速度で
加熱することにより短時間で酸化処理温度及び窒化処理
温度まで被処理体を昇温することができ、また反応容器
内を３０〜１００℃／分の降温速度で冷却することによ
り短時間で被処理体を降温することができる。

【００１６】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明におい
て、上記被処理体の周縁部を熱容量の大きな支持部材で
支持し、この支持部材を介して被処理体を加熱、冷却す
るようにしたため、急激な加熱、冷却に対しても被処理
体全体を均等に加熱、冷却して均一な成膜を行なうこと
ができる。

【００１７】

【実施例】以下、図１〜図４に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。まず、本実施例に好適に用いられる熱
処理装置について図１、図２を参照しながら説明する。
この熱処理装置は、図１に示すように、基台１０に垂直
に配設された加熱炉２０と、この加熱炉２０の内部に軸
芯を一致させて挿入、配置され且つ下端部が開口した反
応容器３０と、この反応容器３０内にロードされてこの
反応容器３０を封止し且つ例えば３０枚前後の被処理体
（以下、「半導体ウエハ」で代表する）Ｗを熱処理に供
する保持具（以下、「熱処理ボート」と称す）４０と、
この熱処理ボート４０で保持された半導体ウエハＷを反
応容器３０の外側から強制冷却する冷却装置５０とを備
えて構成されている。そして、この熱処理ボート４０
は、半導体ウエハＷの熱処理時に図示しない昇降機構を
介して矢印Ａ方向に昇降して反応容器３０内にロードさ
れ、半導体ウエハＷの熱処理後には反応容器３０からア
ンロードされるように構成されている。

【００１８】上記加熱炉２０は、上端部が閉塞し、下端
部が開口した筒状体として形成されている。即ち、この
加熱炉２０は、図１に示すように、筒状体の直胴部内面
に取り付けられ且つ例えば二珪化モリブデン等からなる
外部ヒータ（例えば、コイル状の抵抗発熱体２１）と、
この抵抗発熱体２１を保持すると共に筒状体の直胴部及
び上端部の内面全面を被覆する断熱材２２と、この断熱
材２２の外面全面を被覆するステンレス等からなるシェ
ル（図示せず）とを備え、発熱量の大きな二珪化モリブ
デン等からなる抵抗発熱体２１によって反応容器３０内
の温度を例えば、５００〜１２００℃の範囲まで短時間
で加熱、制御し、その内部の半導体ウエハＷに対して所
定の熱処理を短時間で行なうように構成されている。ま
た、例えば二珪化モリブデンからなる抵抗発熱体２１
は、５０〜２００℃／分の昇温速度で反応容器３０内を
加熱できるように構成されている。昇温速度が５０℃／
分未満では不要な熱を長く印加する虞があって好ましく
なく、また、２００℃／分を超えると後述のリング状支
持体４１を介して半導体ウエハＷ全面を均等に加熱する
ことができず、面内に温度勾配が生じる虞があって好ま
しくない。また、この二珪化モリブデンからなる抵抗発
熱体２１は、例えば１２００℃で２０Ｗ／cm²という大
きな表面発熱負荷を得ることができる。従って、例えば
線径が３.５mmという細い線であっても１００℃／分の
昇温速度で反応容器３０内を加熱することができ、ま
た、細い線径のため後述する冷却装置５０による強制冷
却を併用することにより５０℃／分という降温速度で反
応容器３０内を冷却することができる。

【００１９】また、上記反応容器３０は、図１に示すよ
うに、上端部が閉塞し且つ下端部が開口した石英等の耐
熱、耐食性材料によって形成されている。そして、その
開口下端のやや上方に酸素ガス、水蒸気など酸化処理用
ガスあるいはアンモニアガス、亜酸化窒素ガスなどの窒
化処理用ガスを導入する、石英等の耐熱、耐食性の材料
からなるガス導入管３１が取り付けられ、このガス導入
管３１から酸化処理用ガスあるいは窒化処理用ガスを反
応容器３０内に供給してして半導体ウエハＷを酸化処理
あるいは窒化処理を施すように構成されている。このガ
ス導入管３１は反応容器３０の内面に沿って立ち上が
り、反応容器３０の直胴部の上端近傍でドーム状上面の
中心に向けて屈曲形成され、この中心部に酸化処理用ガ
スあるいは窒化処理用ガスを吹付け、ドーム状上面を介
して各処理用ガスを反応容器３０内全体に均等に拡散さ
せるように構成されている。また、この反応容器３０の
下端のやや上方にはガスを排気する排気管３２が取り付
けられており、この排気管３２を介して処理後のガスな
どを外部へ排気するように構成されている。

【００２０】上記熱処理ボート４０は、例えば、石英等
の耐熱性、耐食性に優れた材料によって形成され且つ３
０枚の半導体ウエハＷを１枚ずつ個別に支持する支持部
材（リング状支持体４１）（図２参照）と、これらのリ
ング状支持体４１を上下方向で等間隔を隔てて平行に支
持、固定する複数の支持棒４２と、これらの支持棒４２
の下端に接続され且つ石英等の耐熱性、耐食性に優れた
材料によって形成された保温体４３とを備え、この保温
体４３の底面４３Ａが上記反応容器３０の下端開口を閉
止するように構成されている。

【００２１】また、上記リング状支持体４１は、図２に
示すように、半導体ウエハＷを周縁部で支承する平坦面
を有する支承部４１Ａと、この支承部４１Ａと一体化し
て支持棒４２に固定される固定部４１Ｂとから形成され
ている。そして、上下のリング状支持体４１、４１の間
隔は、上下の半導体ウエハＷ（厚さ０.７mm）の肉厚方
向の中心間の距離が例えば９.５２５mmに設定されてい
る。また、上記支承部４１Ａは内径から外方へ行くほど
肉厚が漸次厚く形成され、外周ほど熱容量が大きくなる
ように構成されている。従って、従来のようにリング状
支持体４１がない場合には、反応容器３０の周側面から
の輻射熱が上下の半導体ウエハＷにより遮蔽され、輻射
熱が半導体ウエハＷの内方に入射せず、周縁部のみに入
射し、周縁部が内方より温度が高くなって面内で温度勾
配ができ、逆に、冷却時には加熱時と同様に隣合う上下
の半導体ウエハＷにより半導体ウエハＷ内方からの放熱
が阻害され、周縁部からの放熱が促進され、やはり面内
で温度勾配ができ、半導体ウエハＷにスリップや反りを
生じさせる。ところが、このリング状支持体４１がある
場合には、加熱時にはリング状支持体４１が徐々に加熱
されて半導体ウエハＷの周縁部の急激な温度上昇を抑制
して内方まで均等に加熱し、また冷却時にはリング状支
持体４１の蓄熱により周縁部の急激な冷却がなく、その
結果、半導体ウエハＷの面内で温度勾配を生じることな
く面内を均等に加熱、冷却できる。

【００２２】また、上記冷却装置５０は、上記加熱炉２
０と上記反応容器３０間の空隙部６０で冷気を流通させ
て反応容器３０内を強制冷却するように構成されてい
る。即ち、この冷却装置５０は、上記加熱炉２０の上面
中央に形成された排気口２３に排気ダクト５１を介して
連結された排気ファン５２と、上記空隙部６０の下端で
且つ加熱炉２０の下端周縁に等間隔に形成された複数の
吸気口５３と、これらの吸気口５３に連通する連通ダク
ト５４と、この連通ダクト５４に接続され、外部の空気
を連通ダクト５４を介して吸気口５３へ給気する給気フ
ァン５５とを備え、上記排気ファン５２及び上記給気フ
ァン５５の協働作用により上記空隙部６０内に図１の矢
印Ｂで示すように空気の上昇気流を形成し、この上昇気
流により例えば３０〜１００℃／分の降温速度で反応容
器３０内を冷却するように構成されている。降温速度が
３０℃／分未満では冷却速度が遅く、不要な熱を半導体
ウエハＷに印加する虞があって好ましくなく、また、降
温速度が１００℃／分を超えると上記リング状支持体４
１を介して半導体ウエハＷ全面を均等に強制冷却するこ
とができず、面内に温度勾配が生じる虞があって好まし
くない。また、上記各吸気口５３にはそれぞれ熱処理ボ
ート４０の最下段のリング状支持体４１まで達する給気
ノズル５６が取り付けられ、これらの給気ノズル５６に
より空隙部６０の周囲で均等な上昇気流を形成するよう
に構成されている。また、上記排気ダクト５１は工場内
の共用ダクト７０に連通し、上記排気ファン５２及び給
気ファン５５によって空隙部６０から排気された高温空
気を熱交換器５７で冷却しながら排気ダクト７０の排気
ファン７１によって図１の矢印Ｃで示すように外部へ排
出するように構成されている。また、上記排気口２３及
び上記吸気口５３にはそれぞれシャッター５８、５９が
配設され、熱処理時にはこれらのシャッター５８、５９
を閉じて空隙部６０を密閉し、反応容器３０を効率良く
加熱できるように構成されている。尚、上記排気口２３
のシャッター５８は例えば石英等の耐熱性材料によって
形成され、また、上記給気口５３のシャッター５９は例
えばステンレス、フッ素系樹脂等よって形成されてい
る。

【００２３】次に、上記熱処理装置を用いて半導体ウエ
ハＷのシリコンを酸化処理及び窒化処理する場合につい
て本実施例の成膜方法について説明する。本実施例の成
膜方法では図３で示すように熱処理を行なう。それには
まず、常圧下で加熱炉２０によって反応容器３０を加熱
してその内部温度を例えば４００℃に設定し、反応容器
３０内に熱処理ボート４０をロードして反応容器３０内
を熱処理ボート４０の底面４３Ａのフランジ部で封止
し、例えば２５枚の半導体ウエハＷ及び上下両端部のダ
ミーウエハを反応容器３０内に設置する。引き続いて反
応容器３０内の温度を二珪化モリブデンの抵抗発熱体２
１により図３ので示すように例えば１００℃／分の昇
温速度で加熱して図３に示すように内部温度を８５０℃
に設定する。この温度下でガス導入管３１から水蒸気を
供給して水蒸気圧を常圧（７６０Torr）に保持した状態
で図３ので示すように半導体ウエハＷのシリコンを１
５分間ウェット酸化して１００オングストロームのシリ
コン酸化膜（ＳｉＯ_x）を形成する。

【００２４】その後、図３ので示すように１００℃／
分の昇温速度で図３ので示すように加熱して内部温度
を９００℃に設定し、ガス導入管３１からアンモニアガ
ス（ＮＨ₃）を２ｌ／分で３０分間あるいは亜酸化窒素
（Ｎ₂Ｏ）を５ｌ／分で３０分間供給して図３ので示
すようにシリコン酸化膜を窒化処理してシリコン酸化膜
中に窒素原子を熱拡散させてシリコン酸化膜の表面にシ
リコン窒化膜（ＳｉＯ_xＮ_y）を形成する。更に引き続い
て１００℃／分の昇温速度で図３ので示すように加熱
して内部温度を１０００〜１１００℃に設定し、この温
度下で例えば塩化水素ガスを数％含有した酸素ガスを１
０ｌ／分で３０分間供給して図３ので示すようにシリ
コン窒化膜（ＳｉＯ_xＮ_y）に混入している水素原子を酸
化処理により除去して高集積化に適した極薄で絶縁耐性
等の電気的特性に優れた膜質のゲート酸化膜を成膜する
ことができる。

【００２５】その後シャッター５８、５９を開放すると
共に排気ファン５２及び給気ファン５５を駆動させ、連
通ダクト５４、複数の吸気口５３及び複数の給気ノズル
５６を介して加熱炉２０内に常温の空気を空隙部６０内
へ供給して反応容器３０の全周囲で均等な上昇気流を図
１の矢印Ｂで示すように形成すると共に、内部で昇温し
た空気を排気口２３、排気ダクト５１及び熱交換器５７
を介して排気ダクト７０へ冷却しながら排出し、排気フ
ァン７１により外部へ排出する。このように加熱炉２０
と反応容器３０間の空隙部６０全体に冷気を均等に流通
させて反応容器３０全体を均等に強制冷却して反応容器
３０内を図３ので示すよう例えば５０℃／分の降温速
度で冷却して１０００〜１１００℃から６００℃まで強
制冷却する。その後、熱処理ボート４０をアンロード
し、この熱処理ボート４０の半導体ウエハＷを未処理の
ものと交換した後、この熱処理ボート４０をロードす
る。この際６００℃の加熱炉２０が放熱して略４００℃
に降温し、次の半導体ウエハＷのロード後には上述の一
連の動作を同一条件で繰り返すことができる。

【００２６】以上説明したように本実施例によれば、反
応容器３０から半導体ウエハＷをアンロードすることな
く、同一反応容器３０内で酸化処理、窒化処理及び脱水
素処理を連続的に行なうため、空気中のパーティクル等
の不純物がゲート酸化膜中にに混入することがなく極薄
で絶縁耐性等の電気的特性に優れたゲート酸化膜を短時
間で成膜することができる。

【００２７】また、本実施例では外部ヒータとして二珪
化モリブデンの抵抗発熱体２１を用いて１００℃／分の
昇温速度で加熱し、また冷却装置５０により空隙部６０
に冷気の上昇気流を作って５０℃／分の降温速度で強制
冷却するようにしたため、酸化処理、窒化処理及び脱水
素処理に要する時間を従来に比べて格段に短縮すること
ができ、熱処理のスループットを向上させることができ
る。尚、従来の熱処理装置の場合には、そのヒータはそ
の昇温速度が例えば５℃／分程度であり、冷却能力も十
分でなく、本実施例のような反応容器３０内の昇降温を
短時間で行なうことができず、従って、複数回に分けた
成膜操作を行なうことが難しかった。

【００２８】また、本実施例では半導体ウエハＷの周縁
部を熱容量の大きなリング状支持体４１で支持し、この
リング状支持体４１を介して半導体ウエハＷを加熱、冷
却するようにしたため、各リング状支持体４１で支持さ
れた半導体ウエハＷが隣合う上下の半導体ウエハＷによ
って加熱及び放熱作用が阻害されても、熱容量の大きな
リング状支持体４１によって半導体ウエハＷ周縁部の昇
温速度及び降温速度を遅延させて面内を均一に加熱、冷
却することができ、その結果、半導体ウエハＷを短時間
で均一なゲート酸化膜を成膜することができる。

【００２９】尚、上記実施例では酸化処理、窒化処理及
び脱水素処理をそれぞれ８５０℃、９００℃、１０００
〜１１００℃で行なう場合について説明したが、各処理
温度は必要に応じて適宜変更することができる。また、
それぞれの処理に用いられるガスも必要に応じて変更す
ることができる。

【００３０】また、外部ヒータとして二珪化モリブデン
の抵抗発熱体２１を用いて昇温速度を速くしたものにつ
いて説明したが、抵抗発熱体の材料は二珪化モリブデン
に制限されるものではなく、例えば１００℃／分の昇温
速度のように短時間で反応容器３０内を昇温できるもの
であれば良い。また、冷却装置５０は上記実施例の構造
に制限されるものではなく、例えば５０℃／分の降温速
度のように短時間で降温できるものであれば良い。

【００３１】また、半導体ウエハＷを支持する支持部材
は、上記実施例のリング状支持体４１に制限されるもの
ではなく、本発明における支持部材は熱容量が大きな材
料、形状として形成されたものであれば良い。

【００３２】

【発明の効果】本発明の請求項１に記載の発明によれ
ば、同一反応容器内で酸化処理及び窒化処理連続的に行
なうようにしたため、被処理体に対して酸化処理及び窒
化処理を連続的且つ短時間で行なうことができ、しかも
絶縁耐性等の電気的特性に優れた酸化膜を被処理体に形
成することができる成膜方法を提供することができる。

【００３３】また、本発明の請求項２及び請求項３に記
載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、上
記窒化処理後の被処理体を上記外部ヒータにより加熱し
て脱水素処理を施すようにしたため、絶縁耐性等の電気
的特性に更に優れた酸化膜を被処理体に形成することが
できる成膜方法を提供することができる。

【００３４】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の発明
において、二珪化モリブデンからなるヒータを用いると
共に反応容器内を強制冷却するようにしたため、熱処理
時間の短縮及びスループットの向上を実現する成膜方法
を提供することができる。

【００３５】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の発明
において、上記被処理体の周縁部を熱容量の大きな支持
部材で支持し、この支持部材を介して被処理体を加熱、
冷却して被処理体を均等に加熱、冷却するようにしたた
め、被処理体周縁部の昇温速度及び降温速度を遅延させ
て面内を均一に加熱、冷却することができ、その結果、
被処理体全体の短時間での成膜を実現する成膜方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の成膜方法に好適に用いられる熱処理装
置の一例の要部を示す断面図である。

【図２】図１に示す熱処理装置の熱処理ボートの半導体
ウエハの支持部材を拡大して示す断面図である。

【図３】本発明の成膜方法に好ましい一実施例を示す処
理温度の経過を示す図である。

【符号の説明】

２０ 加熱炉 ２１ 抵抗発熱体（外部ヒータ、二珪化モリブデン） ３０ 反応容器 ４０ 熱処理ボート（保持具） ５０ 冷却装置 ６０ 空隙部

フロントページの続き (72)発明者 大部 智行 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 池川 寛晄 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部ヒータにより加熱して所定の反応温
   度まで昇温させた反応容器内へ所定の酸化用ガスを供給
   し、上記反応容器内で保持具により保持された複数の被
   処理体の表面を酸化処理用ガスにより酸化させて酸化膜
   を形成した後、窒化処理用ガスで置換すると共に上記外
   部ヒータにより上記反応容器内を所定温度まで加熱して
   上記酸化膜を窒化処理することを特徴とする成膜方法。
2. 【請求項２】 上記窒化処理後の被処理体を上記外部ヒ
   ータにより加熱して脱水素処理を施すことを特徴とする
   請求項１に記載の成膜方法。
3. 【請求項３】 上記窒化処理後の被処理体に酸化処理を
   施すことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
4. 【請求項４】 上記反応容器内を５０〜２００℃／分の
   昇温速度で加熱し、また上記反応容器内を３０〜１００
   ℃／分の降温速度で冷却することを特徴とする請求項１
   〜請求項３のいずれか一つに記載の成膜方法。
5. 【請求項５】 上記被処理体の周縁部を熱容量の大きな
   支持部材で支持し、この支持部材を介して上記被処理体
   を加熱、冷却することを特徴とする請求項１〜４のいず
   れか一つに記載の成膜方法。