JPH0786136A - 面位置設定装置 - Google Patents

面位置設定装置

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JPH0786136A
JPH0786136A JP5228707A JP22870793A JPH0786136A JP H0786136 A JPH0786136 A JP H0786136A JP 5228707 A JP5228707 A JP 5228707A JP 22870793 A JP22870793 A JP 22870793A JP H0786136 A JPH0786136 A JP H0786136A
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置
において、露光領域の走査方向の幅が変化しても、最適
なオートフォーカス及びオートレベリング制御を行う。 【構成】 ウエハの露光面でスリット状の露光領域16
A又は16を囲む領域34内のフォーカス位置ΔZ(曲
面46又は47のフォーカス位置)を計測する。狭い露
光領域16Aの場合には、露光領域16A内の部分曲面
46aのフォーカス位置のデータのみを用いて部分曲面
46aの近似平面を算出し、通常の露光領域16の場合
には、露光領域16内の部分曲面47aのフォーカス位
置のデータのみを用いて部分曲面47aの近似平面を算
出し、それら近似平面を投影光学系による結像面に合致
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、面位置設定装置に関
し、特に、例えば矩形又は円弧状等のスリット状の照明
領域に対してレチクル及び感光性の基板を同期して走査
することにより、レチクル上のパターンをその基板上の
各ショット領域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・
スキャン方式の露光装置の、オートフォーカス機構又は
オートレベリング機構に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル(以下、
「レチクル」と総称する)のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ(又はガラ
スプレート等)上に露光する投影露光装置が使用されて
いる。一般に投影露光装置では高い解像度が要求され、
装着されている投影光学系の開口数は高いため、投影像
の焦点深度(フォーカスマージン)は開口数の自乗に反
比例して減少している。そこで、ウエハの各ショット領
域を投影光学系の結像面に対して焦点深度の範囲内で合
わせ込むために、従来より投影露光装置には、露光フィ
ールド内の所定の基準点でのウエハのフォーカス位置を
投影光学系による結像面に合わせ込むためのオートフォ
ーカス機構、及び露光フィールド内のウエハの露光面の
傾斜角を結像面に平行に設定するためのオートレベリン
グ機構が設けられている。
【0003】従来のオートフォーカス機構は、ウエハの
各ショット領域内の所定の計測点のフォーカス位置(投
影光学系の光軸方向の位置)の結像面からのデフォーカ
ス量を検出するための焦点位置検出センサー(以下、
「AFセンサー」という)と、Zステージの高さを制御
してそのデフォーカス量を許容範囲内に収めるためのサ
ーボ系とより構成されている。そのAFセンサーの内
で、斜入射方式の検出装置では、露光フィールド内の所
定の計測点に斜めに投射されたスリットパターン像を受
光部で再結像し、ウエハの表面のフォーカス位置が変化
すると、その再結像されたスリットパターン像の位置が
変化することから、その計測点でのフォーカス位置を検
出するものである。
【0004】一方、オートレベリング機構は、ウエハの
各ショット領域上の3点以上の計測点でのフォーカス位
置を検出するレベリングセンサーと、それら3点以上の
計測点でのフォーカス位置により定まる平均的な面の傾
斜角のずれ量を許容範囲内に収めるためのサーボ系とよ
り構成されている。これに関して、従来一般に使用され
ていた一括露光方式の投影露光装置(ステッパー等)で
は、フォーカス位置の検出対象であるウエハが露光中静
止しているため、投影光学系の開口数が更に大きくなっ
た場合でも、デフォーカス量を検出するAFセンサー及
びレベリングセンサーの分解能及び精度を向上し、サー
ボ系内のZステージのメカニズムを高精度化する等によ
り、焦点深度の減少に対応することが可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】最近は、半導体素子等
の1個のチップパターンが大型化する傾向にあり、投影
露光装置においては、レチクル上のより大きな面積のパ
ターンをウエハ上に露光する大面積化が求められてい
る。また、半導体素子等のパターンが微細化するのに応
じて、投影光学系の解像度を向上することも求められて
いるが、投影光学系の解像度を向上するためには、投影
光学系の露光フィールドを大きくすることが設計上ある
いは製造上難しいという不都合がある。特に、投影光学
系として、反射屈折系を使用するような場合には、無収
差の露光フィールドの形状が円弧状の領域となることも
ある。
【0006】斯かる転写対象パターンの大面積化及び投
影光学系の露光フィールドの制限に応えるために、例え
ば矩形、円弧状又は6角形等の照明領域(これを「スリ
ット状の照明領域」という)に対してレチクル及びウエ
ハを同期して走査することにより、レチクル上のそのス
リット状の照明領域より広い面積のパターンを逐次ウエ
ハ上の各ショット領域に露光する所謂ステップ・アンド
・スキャン方式の投影露光装置が開発されている。
【0007】この種の投影露光装置においても、走査露
光中のウエハの露光面を結像面に合わせ込むためのオー
トフォーカス機構及びオートレベリング機構が必要であ
る。しかしながら、ステップ・アンド・スキャン方式の
場合には、フォーカス位置の検出対象であるウエハが露
光中に移動し、計測点のフォーカス位置を示すAFセン
サー又はレベリングセンサーの出力信号が走査方向の位
置の関数として変化するために、一括露光方式の投影露
光装置と同様の信号処理及び制御を行った場合には、ウ
エハのフォーカス位置の変動に対する追従性が悪く、ウ
エハの露光面を結像面に対して焦点深度の範囲内で合わ
せ込むことが困難であるという不都合がある。以下、こ
の不都合について詳細に説明する。
【0008】即ち、ステップ・アンド・スキャン方式の
投影露光装置の場合、先に述べたようにフォーカス位置
の検出信号は走査方向の位置の関数として、しかもそれ
が時系列として観測される。このため単にこの信号を偏
差信号として閉ループサーボを動作させた場合には、仮
に系の応答が十分速いものであればZステージはその時
系列信号にダイナミックに追従する形で制御が行われる
ことになる。スリット状の露光領域(露光照野)の走査
方向の幅が走査速度に対して十分に小さいものである場
合には、これで特に不都合はないが、通常スリット状の
露光領域の走査方向の幅は走査速度に対して無視できな
い値を持っている。
【0009】このため、仮に露光領域の中心をフォーカ
ス位置の検出信号に完全に追従させて移動させても、ウ
エハ上の或る一点がスリット状の露光領域内を通過する
間のZステージの動きが、振動としてその点での結像特
性に対して悪影響を及ぼすことになる。また、このこと
は、次のように考えることもできる。スリット状の露光
領域は、走査方向に有限の幅を持っているため、ウエハ
上でその幅内で1周期となる凹凸を限界として、それよ
り細かい凹凸には本質的に追従できないこととなる。こ
の場合の最良の制御は、何の制御も行わないことであ
り、先の例のように細かい凹凸に対して露光領域の中心
を追従させた場合には、却って合焦精度の悪化による像
劣化を招くこととなる。
【0010】また、ステップ・アンド・スキャン方式の
場合には、走査露光方式で露光する際のレチクルのパタ
ーンの端部において、不要なパターンの露光を防止する
ためにスリット状の照明領域、ひいてはスリット状の露
光領域(露光照野)の形状を小さくする必要がある。こ
れは露光中に露光領域の形状(走査方向の幅)が変化す
ることを意味するが、従来のステッパー等では有り得な
かった動作であるため、従来は露光領域の形状の変化に
対応する制御方式は特に考えられていなかった。
【0011】本発明は斯かる点に鑑み、ステップ・アン
ド・スキャン方式の露光装置において、露光動作中に露
光領域の形状が変化した場合でも、移動しているウエハ
の露光面のフォーカス位置に対する追従性を適当な状態
に制御することによって、焦点深度内にウエハの露光面
を保持することと像劣化の防止とのバランスを取り、最
適なオートフォーカス及びオートレベリング制御を行う
ことができる面位置設定装置を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明による面位置設定
装置は、所定形状の可変の照明領域(8)に対して転写
用のパターンが形成されたマスク(7)を所定の方向に
走査するマスクステージ(9)と、このマスクステージ
に同期して感光性の基板(15)を所定の方向に走査す
る基板ステージ(20)とを有し、マスク(7)のパタ
ーンを逐次基板(15)上に露光する走査型の露光装置
に設けられ、基板(15)の露光面を所定の基準面に合
わせ込むための装置であって、基板ステージ(20)に
設けられ基板(15)の露光面の所定の近似平面をその
所定の基準面に合わせ込む面設定手段(17,19,2
4)と、マスクのパターンの露光領域(16)及びこの
露光領域に対して走査方向に手前側の領域よりなる計測
領域内の複数の計測点(PA1,PB1,PC1)で基
板(15)の露光面の高さを検出する高さ検出手段(2
5A1,25B1,25C1)とを有する。
【0013】更に本発明は、その高さ検出手段により検
出されたそれら複数の計測点の高さの内から、可変の照
明領域(8)に応じて定まるそのマスクのパターンの可
変の露光領域(16)内での基板(15)の露光面の高
さを用いて、基板(15)の露光面の近似平面を求める
近似平面演算手段(40)を有し、この近似平面演算手
段で求められた近似平面をその面設定手段によりその所
定の基準面に合わせ込むものである。
【0014】
【作用】斯かる本発明の原理につき説明する。先ず高さ
検出手段は、基板(15)上の対応する計測点でのマス
ク方向の位置(フォーカス位置)を検出するものであ
る。図2に示すように、マスクパターンのスリット状の
最大の露光領域(16)に対して一方向に計測点(PB
1〜PBN)が設定され、他方向にも計測点(PC1〜
PCN)が設定されている。この場合、基板(15)が
図2で右方向に走査される場合には、計測点(PB1〜
PBN)でのフォーカス位置が使用され、基板(15)
が左方向に移動する場合には計測点(PC1〜PCN)
でのフォーカス位置が使用される。
【0015】例えば基板(15)が図3に示すように右
方向に走査される場合、露光領域(16)の手前の高さ
検出手段(25B1等)により基板(15)上の計測点
(PB1等)でのフォーカス位置を先読みし、フォーカ
ス位置に対応する信号(SB1)を図4に示すような時
系列信号として検出する。実際に処理対象となるのはフ
ォーカス位置に対応する信号であるが、以下ではフォー
カス位置そのものを処理対象として説明する。先ずその
フォーカス位置(ΔZで表す)を、基板(15)の移動
座標をモニターするための測定手段(レーザ干渉計等)
で測定された走査方向の座標位置に同期してサンプリン
グすることにより、先の時系列信号を図7に示すように
位置の関数として記憶する。結果として、2次元座標
(X,Y)に対して検出されたフォーカス位置ΔZを割
り当てた3次元マップとして、検出されたフォーカス位
置が管理される。図7(a)及び(b)の曲面(46)
及び(47)はフォーカス位置に接する曲面である。
【0016】また、マスク(7)のパターンを基板(1
5)上に露光する際に、図6(a)に示すように、マス
ク(7)の端部では照明領域(8A)の走査方向の幅は
狭くなり、図6(b)に示すように、マスク(7)の中
央部では照明領域(8)の走査方向の幅は広くなる。そ
の図6(a)及び(b)に対応する基板(15)上のス
リット状の露光領域は、それぞれ図7(a)の露光領域
(16A)及び図7(b)の露光領域(16)のように
走査方向の幅が変化している。
【0017】本発明では、図6(a)に示すようにマス
ク(7)の端部では、そのフォーカス位置の情報である
3次元マップから、図7(a)の露光領域(16A)内
のデータを切り出してその近似平面を算出する。一方、
図6(b)に示すようにマスク(7)の中央部では、図
7(b)の3次元マップから露光領域(16)内のデー
タを切り出してその近似平面を算出する。そのように露
光領域(16A又は16)内でのフォーカス位置の計測
点の個数をn個として、i番目の計測点の2次元座標を
(Xi,Yi)(i=1〜n)、i番目の計測点でのフォー
カス位置の計測値をΔZi とする。この場合、その近似
平面のX方向の傾斜角θX 、Y方向の傾斜角θY 及びそ
の近似平面のフォーカス位置ΔZ0 は、次式で算出され
る。
【0018】
【数1】
【0019】その後、3個の自由度を有する面設定手段
(17,19,24)に傾斜角θX、傾斜角θY 及びフ
ォーカス位置ΔZ0 を供給し、その面設定手段ではそれ
ら3個のパラメータを偏差量として基板(15)の位置
を制御することにより、サーボ制御が行われる。サーボ
制御については、それら3個のパラメータを速度指令値
として全体を閉ループ制御とし、この指令値が0となる
ようにループを制御してもよい。又は、それら3個のパ
ラメータを位置の指令値とし、この指令値に追従するよ
うにその面設定手段を制御してもよい。
【0020】以上の動作は、基板(15)が載置された
ステージの走査方向の位置に同期して、或る一定の間隔
で繰り返し実行される。このような方式によれば、逐次
その時々の露光領域(16A,16)の大きさに対し
て、露光領域(16A,16)の走査方向の幅が大きけ
れば広い範囲で近似平面計算が行われることとなり、結
果として全体の系は緩やかな追従性を持つようになり、
基板(15)の表面の細かい凹凸には追従しなくなる。
逆に、露光領域(16A,16)の走査方向の幅が小さ
い場合には、狭い範囲で近似平面計算が行われることと
になり、全体の系は速い追従性を持つこととなり、基板
(15)の表面の細かい凹凸にまで追従するようにな
る。このようにして追従性を制御することで、フォーカ
ス位置のマージンの確保と不要な振動の抑制による像劣
化の防止という背反する2つの要素をバランスさせて、
最適な妥協点を設定している。
【0021】
【実施例】以下、本発明による面位置設定装置の一実施
例につき図面を参照して説明する。本実施例は、ステッ
プ・アンド・スキャン方式の投影露光装置のオートフォ
ーカス機構及びオートレベリング機構に本発明を適用し
たものである。図1は本実施例の投影露光装置の全体構
成を示し、この図1において、光源及びオプティカルイ
ンテグレータ等を含む光源系1からの露光光ILが、第
1リレーレンズ2、レチクルブラインド(可変視野絞
り)3A、第2リレーレンズ4、ミラー5、及びメイン
コンデンサーレンズ6を介して、均一な照度でレチクル
7上の矩形の照明領域8を照明する。レチクルブライン
ド3Aの配置面はレチクル7のパターン形成面と共役で
あり、レチクルブラインド3Aの開口の位置及び形状に
より、レチクル7上の照明領域8の位置及び形状が設定
される。装置全体の動作を制御する主制御系13が、駆
動部3Bを介してレチクルブラインド3Aの開口の位置
及び形状を設定する。光源系1内の光源としては、超高
圧水銀ランプ、エキシマレーザ光源、又はYAGレーザ
の高調波発生装置等が使用される。
【0022】レチクル7の照明領域8内のパターンの像
が、投影光学系PLを介してフォトレジストが塗布され
たウエハ15上の矩形の露光領域16内に投影露光され
る。投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、光
軸AXに垂直な2次元平面内で図1の紙面に平行な方向
にX軸を、図1の紙面に垂直な方向にY軸を取る。本実
施例では、スキャン方式で露光する際のレチクル7及び
ウエハ15の走査方向はX軸に平行である。
【0023】レチクル7はレチクルステージ9上に保持
され、レチクルステージ9はレチクルベース10上に例
えばリニアモータによりX方向に所定速度で駆動される
ように支持されている。レチクルステージ9のX方向の
一端に固定された移動鏡11でレーザ干渉計12からの
レーザビームが反射され、レーザ干渉計12によりレチ
クル7のX方向の座標が常時計測されている。レーザ干
渉計12で計測されたレチクル7の座標情報は主制御系
13に供給され、主制御系13は、レチクル駆動系14
を介してレチクルステージ9の位置及び移動速度の制御
を行う。
【0024】一方、ウエハ15は、ウエハホルダー17
上に保持され、ウエハホルダー17は3個の伸縮自在な
ピエゾ素子等よりなる支点(図5の支点18A〜18
C)を介してZレベリングステージ19上に載置され、
Zレベリングステージ19はXYステージ20上に載置
され、XYステージ20はウエハベース21上に2次元
的に摺動自在に支持されている。Zレベリングステージ
19は、3個の支点を介してウエハホルダー17上のウ
エハ15のZ方向の位置(フォーカス位置)の微調整を
行うと共に、ウエハ15の露光面の傾斜角の微調整を行
う。更にZレベリングステージ19は、ウエハ15のZ
方向への位置の粗調整をも行う。また、XYステージ2
0は、Zレベリングステージ19、ウエハホルダー17
及びウエハ15をX方向及びY方向に位置決めすると共
に、走査露光時にウエハ15をX軸に平行に所定の走査
速度で走査する。
【0025】XYステージ20に固定された移動鏡22
で外部のレーザ干渉計23からのレーザビームを反射す
ることにより、レーザ干渉計23によりXYステージ2
3のXY座標が常時モニターされ、検出されたXY座標
が主制御系13に供給されている。主制御系13は、ウ
エハ駆動系24を介してXYステージ20及びZレベリ
ングステージ19の動作を制御する。スキャン方式で露
光を行う際には、投影光学系PLによる投影倍率をβと
して、レチクルステージ9を介してレチクル7を照明領
域8に対して−X方向(又はX方向)に速度VR で走査
するのと同期して、XYステージ20を介してウエハ1
5を露光領域16に対してX方向(又は−X方向)に速
度VW(=β・VR)で走査することにより、レチクル7の
パターン像が逐次ウエハ15上に露光される。
【0026】次に、本実施例におけるウエハ15の露光
面のZ方向の位置(フォーカス位置)を検出するための
AFセンサー(焦点位置検出系)の構成につき説明す
る。本実施例では、3N(Nは3以上の整数)個の同じ
構成のAFセンサーが配置されているが、図1ではその
内の3個のAFセンサー25A1,25B1,25C1
を示す。先ず中央のAFセンサー25A1において、光
源26A1から射出されたフォトレジストに対して非感
光性の検出光が、送光スリット板27A1内のスリット
パターンを照明し、そのスリットパターンの像が対物レ
ンズ28A1を介して、投影光学系PLの光軸AXに対
して斜めに露光領域16の中央に位置するウエハ15上
の計測点PA1に投影される。計測点PA1からの反射
光が、集光レンズ29A1を介して振動スリット板30
A1上に集光され、振動スリット板30A1上に計測点
PA1に投影されたスリットパターン像が再結像され
る。
【0027】振動スリット板30A1のスリットを通過
した光が光電検出器31A1により光電変換され、この
光電変換信号が増幅器32A1に供給される。増幅器3
2A1は、振動スリット板30A1の駆動信号により光
電検出器31A1からの光電変換信号を同期検波し、得
られた信号を増幅することにより、計測点PA1のフォ
ーカス位置に対して所定範囲でほぼ線形に変化するフォ
ーカス信号を生成し、このフォーカス信号をフォーカス
信号処理系33に供給する。同様に、他のAFセンサー
25B1は、計測点PA1に対して−X方向側の計測点
PB1にスリットパターン像を投影し、このスリットパ
ターン像からの光を光電検出器31B1で光電変換し
て、増幅器32B1に供給する。増幅器32B1は、計
測点PB1のフォーカス位置に対応するフォーカス信号
をフォーカス信号処理系33に供給する。同様に、AF
センサー25C1は、計測点PA1に対してX方向側の
計測点PC1にスリットパターン像を投影し、このスリ
ットパターン像からの光を光電検出器31C1で光電変
換して、増幅器32C1に供給する。増幅器32C1
は、計測点PC1のフォーカス位置に対応するフォーカ
ス信号をフォーカス信号処理系33に供給する。
【0028】この場合、AFセンサー25A1〜25C
1からの光電変換信号から増幅器32A1〜32C1に
より得られたフォーカス信号は、それぞれ計測点PA1
〜PC1が投影光学系PLによる結像面に合致している
ときに0になるようにキャリブレーションが行われてい
る。従って、各フォーカス信号は、それぞれ計測点PA
1〜PC1のフォーカス位置の結像面からのずれ量(デ
フォーカス量)に対応している。
【0029】図2は本例でのウエハ15上の計測点の分
布を示し、この図2において、露光領域16内の中央の
Y方向に伸びた直線に沿ってN個の計測点PA1〜PA
Nが配列され、計測点PA1〜PANからそれぞれ−X
方向に所定間隔だけ離れた位置に計測点PB1〜PBN
が配列され、計測点PA1〜PANからそれぞれX方向
に所定間隔だけ離れた位置に計測点PC1〜PCNが配
列されている。また、外側の計測点PB1〜PBN及び
PC1〜PCNにほぼ接する矩形の領域34がフォーカ
ス位置の検出が行われる計測領域となる。
【0030】本実施例では、図1のレチクルブラインド
3Aの位置及び形状を変えて露光領域16の位置及び形
状を最大限に変えたとしても、その領域34はその露光
領域16を含む領域となるように設定されている。本実
施例では、ウエハ15をX方向に走査するときには、露
光領域16内に対して走査方向に手前の計測点PB1〜
PBNで先読みされたフォーカス信号の計測値を使用
し、ウエハ15を−X方向に走査するときには、露光領
域16内に対して走査方向に手前の計測点PC1〜PC
Nで先読みされたフォーカス信号の計測値を使用する。
但し、図2において例えばウエハを−X方向に走査する
ときには、露光領域16に対して走査方向に手前の計測
点PB1〜PBNでのフォーカス信号の計測値が使用さ
れるが、計測点PB1〜PBNは露光領域16の左側
(−X方向側)のエッヂBL上、又はそのエッヂBLか
ら走査方向に手前側(−X方向側)に設定されているこ
とが望ましい。同様に、ウエハをX方向に走査するとき
に使用される計測点PC1〜PBNは、露光領域16の
右側(X方向側)のエッヂCL上、又はそのエッヂCL
から走査方向に手前側(X方向側)に設定されているこ
とが望ましい。なお、本例とは異なり、3N個の計測点
でのフォーカス信号を同時に使用する方式も考えられる
が、この場合には3N個の計測点はその領域34内にほ
ぼ均等な密度で配置されている必要がある。
【0031】以下では、図3に示すようにウエハ15を
X方向に走査する、即ちレチクル7を−X方向に走査す
るものとして説明する。この場合、図2の計測点PB1
〜PBNのフォーカス位置を対応するAFセンサー25
B1〜25BNで検出するようにする。図3はそれらの
内のAFセンサー25B1による位置検出の様子を示
し、この図3に示すように、露光領域16に対して走査
方向(X方向)に手前側の計測点PB1でのフォーカス
位置をAFセンサー25B1で計測し、AFセンサー2
5B1からの光電変換信号を増幅器32B1に通してフ
ォーカス信号SB1を得る。フォーカス信号SB1は、
計測点PB1のフォーカス位置(Z方向の位置)の結像
面からのずれ量に対応する信号である。即ち、フォーカ
ス信号SB1は、図4の曲線35で示すように、ウエハ
15の露光面の凹凸に対応する信号となる。
【0032】図5はこの場合のフォーカス信号処理系3
3及び主制御系13等の構成の一例を示し、この図5に
おいて、露光領域16の走査方向に手前側の計測点のフ
ォーカス位置を検出するN個のAFセンサー25B1〜
25BNが使用される。AFセンサー25B1〜25B
Nからの光電変換信号はそれぞれ増幅器32B1〜32
BNを介して、フォーカス信号としてフォーカス信号処
理系33内の信号処理回路36B1〜36BNに供給さ
れる。信号処理回路36B1〜36BNでは、入力され
たフォーカス信号から外乱光等によるノイズ成分が除去
され、信号成分のコンディショニングが行われる。
【0033】それら信号処理回路36B1〜36BNか
らのフォーカス信号は、それぞれウエハ15の座標位置
を検出するためのレーザ干渉計23の位置信号に基づい
て一定の位置間隔で発生する同期信号をサンプリングク
ロックとして動作するアナログ/デジタル(A/D)変
換器37B1〜37BNによりデジタルデータに変換さ
れる。そして、A/D変換器37B1〜37BNからの
デジタル化されたフォーカス信号は主制御系13内の入
出力部38を経て、主制御系13内のメモリ39に記憶
される。メモリ39内では、レーザ干渉計23により計
測される座標、及び予め記憶されている計測点PB1〜
PBNの配列に基づいて、ウエハ15上の各点でのフォ
ーカス信号を2次元座標(X,Y)に対応させた3次元
マップとして記憶している。また、その3次元マップの
内容は新たにA/D変換器37B1〜37BNでデータ
をサンプリングする毎に書き換えられる。
【0034】そして、主制御系13内の演算部40が入
出力部38を介してメモリ39から必要な領域のデータ
を切り出す。この場合、演算部40は、図1の駆動部3
Bを介してレチクルブラインド3Aの開口の位置及び形
状を設定する機能を有するため、この設定情報からウエ
ハ15上の露光領域(レチクルパターンの投影領域)1
6の位置及び形状を正確に知ることができる。そこで、
演算部40はメモリ39から、現在の露光領域16内の
フォーカス信号のデータを切り出し、既に説明した(数
1)の演算により現在の露光領域16内のウエハ15の
露光面の近似平面のフォーカス位置ΔZ0 、及び2方向
への傾斜角θXY を算出する。
【0035】そして、演算部40は、予めキャリブレー
ション(又はテストプリント等)により決定されている
投影光学系の結像面とその近似平面との間の3個のパラ
メータの差分を偏差として、ウエハ駆動系24に供給す
る。ウエハ駆動系24内では演算部40から供給された
偏差データをデジタル/アナログ(D/A)変換器41
を介してコントローラ42に供給し、コントローラ42
では、例えば一般的なPI制御(比例、積分制御)によ
り、露光領域16内のウエハ15の露光面を結像面に合
致させるための、Zレベリングステージ19の3個の支
点18A〜18Cの伸縮量を算出して、これら3個の伸
縮量の駆動信号を、それぞれサーボアンプ43A〜43
Cを介してZレベリングステージ19の支点18A〜1
8Cに供給する。
【0036】そして、支点18A〜18Cの伸縮量が調
整され、ウエハ15の露光面のフォーカス位置及び傾斜
角が調整される。このウエハ15のフォーカス位置がA
Fセンサー25B1〜25BNにより検出されてフィー
ドバックされ、図5の系全体が閉ループのサーボ系とし
て動作する。これにより、露光領域16内のウエハ15
の露光面の平均的な平面が結像面に合致するように制御
される。
【0037】より具体的に、本例において、図1のレチ
クル7のパターンを逐次ウエハ15上に露光する場合、
図6(a)に示すように、レチクル7のパターン領域4
4は所定幅の遮光帯45により囲まれている。そして、
レチクル7を−X方向に走査すると、先ずレチクル7の
端部ではレチクルブラインド3Aによって規定される照
明領域8Aの一端を遮光帯45の中に入れて、遮光帯4
5の外を通過した露光光がウエハ15側に照射されない
ようにする必要がある。そして、露光が進んで、図6
(b)に示すようにレチクル7の中央部のパターンを露
光する場合には、照明領域8は通常の大きさになる。ま
た、図6(a)及び(b)の状態に対応して、ウエハ1
5上の露光領域はそれぞれ図7(a)の走査方向に狭い
露光領域16A、及び図7(b)の通常の露光領域16
となる。なお、この走査露光時のレチクルブラインド3
Aの駆動方法については、例えば特開平4−19651
3号公報に開示されている。
【0038】また、図7(a)及び(b)の場合に共通
に、フォーカス位置のデータはそれぞれ露光領域16A
又は16を囲む領域34で検出されている。この際に本
実施例では、図7(a)の場合には、領域34で曲面4
6で表されるフォーカス位置ΔZのデータの内の、狭い
露光領域16A内の部分曲面46aで表されるデータの
みを使用して、その部分曲面46aの近似平面を算出
し、この近似平面が投影光学系による結像面に合致する
ようにサーボ系を動作させる。一方、図7(b)の場合
には、領域34で曲面47で表されるフォーカス位置Δ
Zのデータの内の、通常の露光領域16内の部分曲面4
7aで表されるデータを使用して、その部分曲面47a
の近似平面を算出し、この近似平面が投影光学系による
結像面に合致するようにサーボ系を動作させる。即ち、
フォーカス位置のデータが広い範囲で得られていても、
実際のスリット状の露光領域(16A又は16等)内の
データのみを使用して近似平面を求めることになる。
【0039】これにより、走査露光中に露光領域の走査
方向の幅が変化した場合でも、各時点での露光領域に応
じて最適な追従精度でオートフォーカス及びオートレベ
リングが実行される。なお、上述実施例において、図5
の回路の機能をコンピュータのソフトウエアによって実
行してもよい。また、レチクルブラインド3Aによって
規定されるレチクル7上の照明領域8、ひいてはウエハ
15上の露光領域16の走査方向の幅に応じてメモリ3
9からフォーカス信号を読み出すとき、特に走査露光の
開始直後及び終了直前(即ち、露光領域16が通常の大
きさ(幅)となっているとき以外)においては、その露
光領域の大きさの変化に同期して連続的にフォーカス信
号を読み出すようにしてもよい。あるいは、その大きさ
が所定量だけ変化する毎に、段階的にフォーカス信号を
読み出すようにしてもよい。また、上述実施例は本発明
を投影光学系を搭載した投影露光装置に適用したもので
あるが、それ以外に例えば、反射式の投影露光装置、プ
ロキシミティ方式の露光装置、又はコンタクト方式の露
光装置にも本発明を適用することができる。このように
本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を免脱
しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、高さ検出手段により得
られた高さ情報の内で、実際の露光領域内のデータのみ
を使用して近似平面を求めるようにしているため、ステ
ップ・アンド・スキャン方式等の走査型の露光装置にお
いて、露光領域の走査方向の幅が変化した場合でも、移
動している基板の露光面のフォーカス位置に対する追従
性を適当な状態に制御することができる。その適当な状
態とは、マスクパターンの露光領域そのものを焦点深度
の範囲内に収めることと、追従性を高めることによる不
要な振動の抑制とのバランスがとれているという状態で
ある。即ち、その露光領域(露光照野)の大きさが露光
中にダイナミックに変わる場合においても、設定された
露光領域の大きさに最適な追従性が逐次設定される。従
って、常に最適なオートフォーカス及びオートレベリン
グ制御を行うことができる。
【0041】本発明は、特に高解像の投影光学系を搭載
したステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に
おいて、焦点深度及び限界解像性能共に余裕(マージ
ン)の少なくなった場合に大きな効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による面位置設定装置の一実施例が適用
された投影露光装置の全体を示す概略構成図である。
【図2】図1のウエハ15上の計測点の配置の一例を示
す図である。
【図3】ウエハ15を所定の方向に走査する場合のAF
センサーによるフォーカス位置の検出動作の説明に供す
る模式図である。
【図4】図3のAFセンサーによるフォーカス信号を示
す波形図である。
【図5】実施例のオートフォーカス機構及びオートレベ
リング機構の例を示す要部の構成図である。
【図6】実施例において露光されるレチクル上の照明領
域の変化を示す図である。
【図7】実施例においてウエハ上の露光領域の大きさに
応じて、近似平面の計算に使用するフォーカス位置の検
出データの範囲を変える場合の説明図である。
【符号の説明】
3A レチクルブラインド 7 レチクル PL 投影光学系 13 主制御系 15 ウエハ 16A,16 露光領域 18A〜18C 支点 19 Zレベリングステージ 20 XYステージ 23 ウエハ側のレーザ干渉計 24 ウエハ駆動系 25A1,25B1〜25BN,25C1 AFセンサ
ー PB1〜PBN 計測点 32B1〜32BN 増幅器 33 フォーカス信号処理系 36B1〜36BN 信号処理回路 39 メモリ 40 演算部 42 コントローラ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定形状の可変の照明領域に対して転写
    用のパターンが形成されたマスクを所定の方向に走査す
    るマスクステージと、該マスクステージに同期して感光
    性の基板を所定の方向に走査する基板ステージとを有
    し、前記マスクのパターンを逐次前記基板上に露光する
    走査型の露光装置に設けられ、前記基板の露光面を所定
    の基準面に合わせ込むための装置であって、 前記基板ステージに設けられ前記基板の露光面の所定の
    近似平面を前記所定の基準面に合わせ込む面設定手段
    と、 前記マスクのパターンの露光領域及び該露光領域に対し
    て走査方向に手前側の領域よりなる計測領域内の複数の
    計測点で前記基板の露光面の高さを検出する高さ検出手
    段と、 該高さ検出手段により検出された前記複数の計測点の高
    さの内から、前記可変の照明領域に応じて定まる前記マ
    スクのパターンの可変の露光領域内での前記基板の露光
    面の高さの情報を用いて、前記基板の露光面の近似平面
    を求める近似平面演算手段と、を有し、 該近似平面演算手段で求められた近似平面を前記面設定
    手段により前記所定の基準面に合わせ込むことを特徴と
    する面位置設定装置。
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