JPH0784020A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH0784020A JPH0784020A JP5253817A JP25381793A JPH0784020A JP H0784020 A JPH0784020 A JP H0784020A JP 5253817 A JP5253817 A JP 5253817A JP 25381793 A JP25381793 A JP 25381793A JP H0784020 A JPH0784020 A JP H0784020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic flux
- flux transformer
- magnetic sensor
- squid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】ＳＱＵＩＤ１と磁束トランス２とを含む磁気セ
ンサにおいて、ＳＱＵＩＤ１は弱結合を含む超電導ルー
プにより構成されており、磁束トランス２は常伝導体に
より構成されている。 【効果】磁束トランスが常伝導体により形成されている
ので、製造工程上での超伝導体の特性劣化がなく、設計
仕様に忠実な製品を歩留り良く製造することができる。
ンサにおいて、ＳＱＵＩＤ１は弱結合を含む超電導ルー
プにより構成されており、磁束トランス２は常伝導体に
より構成されている。 【効果】磁束トランスが常伝導体により形成されている
ので、製造工程上での超伝導体の特性劣化がなく、設計
仕様に忠実な製品を歩留り良く製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気センサに関する。
より詳細には、本発明は、高感度な磁束センサとして種
々の応用が期待されているＳＱＵＩＤを用いた磁気セン
サの新規な構成に関する。
より詳細には、本発明は、高感度な磁束センサとして種
々の応用が期待されているＳＱＵＩＤを用いた磁気セン
サの新規な構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導体の特異な特性を利用したセンサ
としてＳＱＵＩＤが知られている。ＳＱＵＩＤは、少な
くともひとつの弱結合を含む超電導ループにより構成さ
れており、センサとして使用される場合は磁束トランス
と併せて使用されることが一般的である。
としてＳＱＵＩＤが知られている。ＳＱＵＩＤは、少な
くともひとつの弱結合を含む超電導ループにより構成さ
れており、センサとして使用される場合は磁束トランス
と併せて使用されることが一般的である。
【０００３】図３および図４は、ＳＱＵＩＤを用いた磁
気センサの典型的な構成を模式的に示す図である。
気センサの典型的な構成を模式的に示す図である。
【０００４】図３に示すように、磁気センサは、第１基
板11上に形成された弱結合１ａを含む超電導ループから
なるＳＱＵＩＤ１と、第２基板12上に形成されたピック
アップコイル２ａおよびインプットコイル２ｂを含む磁
束トランス２とから構成されており、図４に示すよう
に、第１基板11および第２基板12を貼り合わせることに
より磁気センサとして完成する。このとき、ＳＱＵＩＤ
１の中心と、インプットトコイル２ｂの中心とが一致す
るように両者は貼り合わされ、磁界の検出はピックアッ
プコイル２ａ側で行われる。このような構成により、磁
気センサとしての入力感度を調節することができる他、
物理的なレイアウトの選択の範囲が広くなる。
板11上に形成された弱結合１ａを含む超電導ループから
なるＳＱＵＩＤ１と、第２基板12上に形成されたピック
アップコイル２ａおよびインプットコイル２ｂを含む磁
束トランス２とから構成されており、図４に示すよう
に、第１基板11および第２基板12を貼り合わせることに
より磁気センサとして完成する。このとき、ＳＱＵＩＤ
１の中心と、インプットトコイル２ｂの中心とが一致す
るように両者は貼り合わされ、磁界の検出はピックアッ
プコイル２ａ側で行われる。このような構成により、磁
気センサとしての入力感度を調節することができる他、
物理的なレイアウトの選択の範囲が広くなる。
【０００５】さらに、上記のような基本構成を有する磁
気センサにおいて、図５に示すように、磁束トランス２
のピックアップコイルａを、互いに巻方向が逆な１対の
コイル２ａ−１、２ａ−２から構成したグラジオメータ
として構成することも知られている。このような構成に
よれば、空間的にほぼ一様な環境磁界の変動によりピッ
クアップコイル２ａに生じる電流の変動は打ち消される
が、コイル２ａ−１、２ａ−２間の磁界の勾配は安定に
検出することができる。従って、環境磁界の変動の影響
を除去して磁界の状態を検出することが可能になる。
気センサにおいて、図５に示すように、磁束トランス２
のピックアップコイルａを、互いに巻方向が逆な１対の
コイル２ａ−１、２ａ−２から構成したグラジオメータ
として構成することも知られている。このような構成に
よれば、空間的にほぼ一様な環境磁界の変動によりピッ
クアップコイル２ａに生じる電流の変動は打ち消される
が、コイル２ａ−１、２ａ−２間の磁界の勾配は安定に
検出することができる。従って、環境磁界の変動の影響
を除去して磁界の状態を検出することが可能になる。
【０００６】上述のように、ＳＱＵＩＤを用いた磁気セ
ンサでは、磁束トランスの各コイルの寸法および巻き数
を適切に設定することにより、磁気センサとして所望の
感度等を設定することができる。
ンサでは、磁束トランスの各コイルの寸法および巻き数
を適切に設定することにより、磁気センサとして所望の
感度等を設定することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来は超電
導材料といえば特定の金属または合金であり、前述のよ
うなＳＱＵＩＤは金属薄膜により、磁束トランスは金属
線あるいは金属薄膜を適宜加工して、それぞれ作製され
ていた。これに対して、近年発見あるいは開発された複
合酸化物系超電導材料は、一般に薄膜として合成するこ
とにより良質なものが得られている。この種の酸化物超
電導薄膜は、半導体薄膜等と同様にフォトリソグラフィ
技術により微細加工が可能であり、ＳＱＵＩＤあるいは
磁束トランスも薄膜のパターニングにより作製すること
ができる。
導材料といえば特定の金属または合金であり、前述のよ
うなＳＱＵＩＤは金属薄膜により、磁束トランスは金属
線あるいは金属薄膜を適宜加工して、それぞれ作製され
ていた。これに対して、近年発見あるいは開発された複
合酸化物系超電導材料は、一般に薄膜として合成するこ
とにより良質なものが得られている。この種の酸化物超
電導薄膜は、半導体薄膜等と同様にフォトリソグラフィ
技術により微細加工が可能であり、ＳＱＵＩＤあるいは
磁束トランスも薄膜のパターニングにより作製すること
ができる。
【０００８】ただし、特に複数巻きのコイルを含む磁束
トランスは、１回の成膜処理と単純な２次元的なパター
ニング処理だけでは製作できない。即ち、図３中に示す
ように、複数巻きのコイルでは必ず線路が交叉するの
で、交叉点において線路間に絶縁膜３を間挿する必要が
ある。このため、絶縁膜と超電導薄膜とを積層する工程
や、各層に対する個別のパターニング処理が必要にな
る。一方、特に酸化物超電導体はその組成が微妙なの
で、成膜およびパターニングを繰り返す製造工程におい
て、既に成膜されている酸化物超電導体薄膜の特性劣化
が生じやすい。
トランスは、１回の成膜処理と単純な２次元的なパター
ニング処理だけでは製作できない。即ち、図３中に示す
ように、複数巻きのコイルでは必ず線路が交叉するの
で、交叉点において線路間に絶縁膜３を間挿する必要が
ある。このため、絶縁膜と超電導薄膜とを積層する工程
や、各層に対する個別のパターニング処理が必要にな
る。一方、特に酸化物超電導体はその組成が微妙なの
で、成膜およびパターニングを繰り返す製造工程におい
て、既に成膜されている酸化物超電導体薄膜の特性劣化
が生じやすい。
【０００９】また、磁束トランスを薄膜で作製する限
り、実際に作製することができる磁束トランス、特にピ
ックアップコイルの寸法は供給され得る酸化物超電導薄
膜の寸法に制限されるが、実際に品質の高い大面積酸化
物超電導薄膜の作製には多くの課題が残されている。
り、実際に作製することができる磁束トランス、特にピ
ックアップコイルの寸法は供給され得る酸化物超電導薄
膜の寸法に制限されるが、実際に品質の高い大面積酸化
物超電導薄膜の作製には多くの課題が残されている。
【００１０】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、製作上および使用上の制限が少ない、新規な
磁気センサを提供することをその目的としている。
を解決し、製作上および使用上の制限が少ない、新規な
磁気センサを提供することをその目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、ＳＱＵ
ＩＤと磁束トランスとを含む磁気センサにおいて、該Ｓ
ＱＵＩＤが弱結合を含む超電導ループにより構成されて
おり、該磁束トランスが常伝導体により構成されている
ことを特徴とする磁気センサが提供される。
ＩＤと磁束トランスとを含む磁気センサにおいて、該Ｓ
ＱＵＩＤが弱結合を含む超電導ループにより構成されて
おり、該磁束トランスが常伝導体により構成されている
ことを特徴とする磁気センサが提供される。
【００１２】
【作用】本発明に係る磁気センサは、超電導体により形
成されたＳＱＵＩＤと常伝導体により形成された磁束ト
ランスとを組み合わせて構成されている点にその主要な
特徴がある。
成されたＳＱＵＩＤと常伝導体により形成された磁束ト
ランスとを組み合わせて構成されている点にその主要な
特徴がある。
【００１３】即ち、ＳＱＵＩＤを用いた従来の磁気セン
サは、磁束トランスを含めた全ての電流路を超電導体で
製造していたので、高度な加工技術が要求される上に作
製工数が多く、更に、最終的な歩留りも低いという問題
があった。
サは、磁束トランスを含めた全ての電流路を超電導体で
製造していたので、高度な加工技術が要求される上に作
製工数が多く、更に、最終的な歩留りも低いという問題
があった。
【００１４】これに対して本発明に係る磁気センサは、
磁束トランスを常伝導体により形成しているので上記の
ような問題が生じない。即ち、ＳＱＵＩＤと磁束トラン
スとからなる磁気センサにおいて、超電導体特有の現象
を利用しているＳＱＵＩＤは不可避に超電導材料を使用
しなければならないが、ＳＱＵＩＤの感度さえ充分なら
ば、磁束トランスは必ずしも超電導体である必要はな
い。従って、磁束トランスの材料を金属等の常伝導体か
ら適宜選択すれば、酸化物超電導薄膜に対してはＳＱＵ
ＩＤを作製するための１回だけの成膜およびパターニン
グ処理を行うだけで磁気センサを完成することができ
る。尚、磁束トランスは、電気抵抗の低い材料ならばい
かなる材料を使用することもできるが、その用途に鑑み
て、非磁性体を使用することが好ましい。
磁束トランスを常伝導体により形成しているので上記の
ような問題が生じない。即ち、ＳＱＵＩＤと磁束トラン
スとからなる磁気センサにおいて、超電導体特有の現象
を利用しているＳＱＵＩＤは不可避に超電導材料を使用
しなければならないが、ＳＱＵＩＤの感度さえ充分なら
ば、磁束トランスは必ずしも超電導体である必要はな
い。従って、磁束トランスの材料を金属等の常伝導体か
ら適宜選択すれば、酸化物超電導薄膜に対してはＳＱＵ
ＩＤを作製するための１回だけの成膜およびパターニン
グ処理を行うだけで磁気センサを完成することができ
る。尚、磁束トランスは、電気抵抗の低い材料ならばい
かなる材料を使用することもできるが、その用途に鑑み
て、非磁性体を使用することが好ましい。
【００１５】このような本発明に係る磁気センサは、磁
束トランスが常伝導体で形成されているので、磁束トラ
ンスの形状、寸法等の自由度が大きい上に製造も容易で
ある。また、製造コストも低減される。
束トランスが常伝導体で形成されているので、磁束トラ
ンスの形状、寸法等の自由度が大きい上に製造も容易で
ある。また、製造コストも低減される。
【００１６】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１７】
【実施例】図１は、本発明に係る磁気センサの具体的な
構成例とその作製過程を示す図である。
構成例とその作製過程を示す図である。
【００１８】本発明に係る磁気センサの作製工程でも、
図１(a) に示すように、ＳＱＵＩＤ１と、磁束トランス
２とを別途作製し、最終的に、図３(b) に示したよう
に、両者を貼り併せて磁気センサとする。
図１(a) に示すように、ＳＱＵＩＤ１と、磁束トランス
２とを別途作製し、最終的に、図３(b) に示したよう
に、両者を貼り併せて磁気センサとする。
【００１９】本実施例では、ＳＱＵＩＤは酸化物超電導
薄膜をパターニングして作製している。即ち、図１(a)
に示すように、第１基板11上の酸化物超電導薄膜を適切
にパターニングすることにより、液体窒素による冷却で
動作するＳＱＵＩＤ１が得られる。
薄膜をパターニングして作製している。即ち、図１(a)
に示すように、第１基板11上の酸化物超電導薄膜を適切
にパターニングすることにより、液体窒素による冷却で
動作するＳＱＵＩＤ１が得られる。
【００２０】一方、磁束トランス２は、図１(b) に示す
ように、第２基板12上の金属薄膜、例えば、Au薄膜やAg
薄膜等をパターニングして構成することができる。この
とき、酸化物超電導薄膜とは異なり、金属薄膜は任意の
大きさのものを入手あるいは作製することができるの
で、所望の大きさ並びに形状の磁束トランスを作製する
ことができる。
ように、第２基板12上の金属薄膜、例えば、Au薄膜やAg
薄膜等をパターニングして構成することができる。この
とき、酸化物超電導薄膜とは異なり、金属薄膜は任意の
大きさのものを入手あるいは作製することができるの
で、所望の大きさ並びに形状の磁束トランスを作製する
ことができる。
【００２１】なお、常伝導体を使用した磁束トランスに
は電気抵抗が生じるので、最終的に磁気センサとしての
充分な感度を実現するためには適切な設計が必要であ
る。具体的には、電気抵抗の低減を図って金属薄膜の膜
厚を厚くしたり線幅を広くしたりすることが有効であ
る。また、充分な感度を確保するために、ピックアップ
コイル２ａの有効径を充分に大きくすることも好まし
い。
は電気抵抗が生じるので、最終的に磁気センサとしての
充分な感度を実現するためには適切な設計が必要であ
る。具体的には、電気抵抗の低減を図って金属薄膜の膜
厚を厚くしたり線幅を広くしたりすることが有効であ
る。また、充分な感度を確保するために、ピックアップ
コイル２ａの有効径を充分に大きくすることも好まし
い。
【００２２】以上のようにして作製したＳＱＵＩＤ１ま
たは磁束トランス２をそれぞれ装荷した第１基板11およ
び第２基板12を貼り合わせることにより、図３(b) に示
したものと基本的には同じ構造の磁気センサが完成す
る。この磁気センサにおいて、酸化物超電導薄膜により
形成されたＳＱＵＩＤ１は、特に磁束トランスにおける
慮外の特性劣化が生じないので、設計仕様をよく反映し
た磁気センサを確実に製造することができる。
たは磁束トランス２をそれぞれ装荷した第１基板11およ
び第２基板12を貼り合わせることにより、図３(b) に示
したものと基本的には同じ構造の磁気センサが完成す
る。この磁気センサにおいて、酸化物超電導薄膜により
形成されたＳＱＵＩＤ１は、特に磁束トランスにおける
慮外の特性劣化が生じないので、設計仕様をよく反映し
た磁気センサを確実に製造することができる。
【００２３】図２は、本発明に係る磁気センサの他の構
成例において特に特徴的な磁束トランスの形状を示す図
である。
成例において特に特徴的な磁束トランスの形状を示す図
である。
【００２４】同図に示すように、この実施例で使用され
る磁束トランスは、薄膜ではなく金属線により作製され
る。ここで、ピックアップコイル２ａは充分に大きな有
効径を有することが好ましく、一方、インプットコイル
２ｂは、酸化物超電導薄膜で作製できるＳＱＵＩＤに寸
法を合わせて比較的小さく成形されている。このような
磁束トランスに対して、図１に示したようなＳＱＵＩＤ
を装着することにより磁気センサが完成する。なお、ピ
ックアップコイル２ａは、例えばAg線のように電気抵抗
が低く、Au線のように化学的に安定であるもの使用する
ことが好ましい。また、使用する金属線は非磁性体であ
ることが好ましい。
る磁束トランスは、薄膜ではなく金属線により作製され
る。ここで、ピックアップコイル２ａは充分に大きな有
効径を有することが好ましく、一方、インプットコイル
２ｂは、酸化物超電導薄膜で作製できるＳＱＵＩＤに寸
法を合わせて比較的小さく成形されている。このような
磁束トランスに対して、図１に示したようなＳＱＵＩＤ
を装着することにより磁気センサが完成する。なお、ピ
ックアップコイル２ａは、例えばAg線のように電気抵抗
が低く、Au線のように化学的に安定であるもの使用する
ことが好ましい。また、使用する金属線は非磁性体であ
ることが好ましい。
【００２５】以上のように構成された磁束トランスを用
いた磁気センサは、ピックアップコイル２ａを任意の寸
法と形状で作製することができるので、用途に応じた磁
気センサの設計が容易になる。例えば、図２に示した構
造の磁束トランスにおいて、ピックアップコイル２ａの
径を 100mmφ以上に大きくして、大きな試料の測定を行
うことが考えられるが、酸化物超電導薄膜ではこのよう
な大きな寸法は実現されていない。また、磁束トランス
２は必ずしも超電導臨界温度まで冷却する必要がないの
で、冷却装置を含む実際の装置の構成も簡素になる。
いた磁気センサは、ピックアップコイル２ａを任意の寸
法と形状で作製することができるので、用途に応じた磁
気センサの設計が容易になる。例えば、図２に示した構
造の磁束トランスにおいて、ピックアップコイル２ａの
径を 100mmφ以上に大きくして、大きな試料の測定を行
うことが考えられるが、酸化物超電導薄膜ではこのよう
な大きな寸法は実現されていない。また、磁束トランス
２は必ずしも超電導臨界温度まで冷却する必要がないの
で、冷却装置を含む実際の装置の構成も簡素になる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る磁気センサはその磁束トランスが常伝導体により形成
されているので、製造工程上での超電導体の特性劣化が
なく、設計仕様に忠実な製品を歩留り良く製造すること
ができる。
る磁気センサはその磁束トランスが常伝導体により形成
されているので、製造工程上での超電導体の特性劣化が
なく、設計仕様に忠実な製品を歩留り良く製造すること
ができる。
【００２７】また、磁束トランス自体は、必ずしも超電
導臨界温度まで冷却する必要はないので、冷却設備を含
めた装置全体の構成も簡素になる。
導臨界温度まで冷却する必要はないので、冷却設備を含
めた装置全体の構成も簡素になる。
【００２８】更に、磁束トランスの寸法並び形状につい
て設計の自由度が高いので、用途に応じて適切な磁束ト
ランスを設計することができ、磁気センサの応用範囲を
拡大することができる。
て設計の自由度が高いので、用途に応じて適切な磁束ト
ランスを設計することができ、磁気センサの応用範囲を
拡大することができる。
【図１】本発明に係る磁気センサの具体的な構成例を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明に係る磁束トランスの他の構成例を示す
図である。
図である。
【図３】ＳＱＵＩＤを用いた磁気センサの一般的な構成
をその製造過程により示す図である。
をその製造過程により示す図である。
【図４】ＳＱＵＩＤを用いた磁気センサの一般的な構成
を、その外観により示す図である。
を、その外観により示す図である。
【図５】ＳＱＵＩＤを用いた磁気センサで使用される磁
束トランスの他の形状を示す図である。
束トランスの他の形状を示す図である。
１・・・ＳＱＵＩＤ、 １ａ・・弱結合、２
・・・磁束トランス、 ２ａ・・・ピックアッ
プコイル、２ｂ・・インプットコイル ３・・・
絶縁膜、11・・・第１基板、 12・・・第
２基板
・・・磁束トランス、 ２ａ・・・ピックアッ
プコイル、２ｂ・・インプットコイル ３・・・
絶縁膜、11・・・第１基板、 12・・・第
２基板
Claims (1)
- 【請求項１】ＳＱＵＩＤと磁束トランスとを含む磁気セ
ンサにおいて、該ＳＱＵＩＤが弱結合を含む超電導体の
ループにより構成されており、該磁束トランスが常伝導
体により構成されていることを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253817A JP3022094B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253817A JP3022094B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784020A true JPH0784020A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3022094B2 JP3022094B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=17256552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5253817A Expired - Fee Related JP3022094B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022094B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043649A (en) * | 1996-12-06 | 2000-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Magnetometric sensor using a voltage step up circuit and a SQUID element to measure a magnetic field |
| JP2008527684A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド | 情報処理用の結合方法およびアーキテクチャ |
| JP2020094940A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 富士通株式会社 | 磁気センサ、及び磁気センサの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101918183B1 (ko) | 2017-10-27 | 2018-11-13 | 박연오 | 방충 및 차양기능을 갖는 모자 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5253817A patent/JP3022094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043649A (en) * | 1996-12-06 | 2000-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Magnetometric sensor using a voltage step up circuit and a SQUID element to measure a magnetic field |
| JP2008527684A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド | 情報処理用の結合方法およびアーキテクチャ |
| JP2020094940A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 富士通株式会社 | 磁気センサ、及び磁気センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3022094B2 (ja) | 2000-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5669832B2 (ja) | 時間変動する磁場又は磁場勾配を測定するための測定機器、電気抵抗素子及び測定システム | |
| JP4630544B2 (ja) | ブリッジ構造を構成する複数の磁気素子のうち選択された磁気素子の磁性層の磁化方向を他の磁気素子の磁性層の磁化方向と反対方向に配向する方法 | |
| US7064937B2 (en) | System and method for fixing a direction of magnetization of pinned layers in a magnetic field sensor | |
| US6462541B1 (en) | Uniform sense condition magnetic field sensor using differential magnetoresistance | |
| JPH05297089A (ja) | 磁気センサ | |
| JP2008197089A (ja) | 磁気センサ素子及びその製造方法 | |
| US6239594B1 (en) | Mageto-impedance effect element | |
| JP3133013B2 (ja) | 超伝導量子干渉素子およびそれを用いた非破壊検査装置 | |
| JP4647984B2 (ja) | 核磁気共鳴プローブコイル | |
| JPH1048303A (ja) | 検出コイル一体型ｓｑｕｉｄ | |
| JP3022094B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JPH0983026A (ja) | 磁気センサ | |
| JP2001332781A (ja) | 磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気ヘッド、メモリー装置 | |
| JP2001221838A (ja) | 磁気インピーダンス効果素子及びその製造方法 | |
| JP2001091611A (ja) | 高磁場分解能磁束計 | |
| JPH05299711A (ja) | Ｓｑｕｉｄ | |
| JP3018540B2 (ja) | ３軸型グラジオメータ | |
| KR100485591B1 (ko) | 자기 임피던스 효과를 이용한 극소형 미세자계검출센서 및그제조방법 | |
| JP2012026788A (ja) | 地下資源探査用磁気センサ | |
| CA2145827C (en) | Flux transformer formed of an oxide superconducting thin film and method for manufacturing the same | |
| JP3210933B2 (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
| JP2909790B2 (ja) | 超伝導検出コイル | |
| JPH0832141A (ja) | 人工格子薄膜磁気センサ | |
| JPH0875834A (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
| JP2850584B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991214 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |