JPH0774085B2 - 導電性ガラス板 - Google Patents
導電性ガラス板Info
- Publication number
- JPH0774085B2 JPH0774085B2 JP61232766A JP23276686A JPH0774085B2 JP H0774085 B2 JPH0774085 B2 JP H0774085B2 JP 61232766 A JP61232766 A JP 61232766A JP 23276686 A JP23276686 A JP 23276686A JP H0774085 B2 JPH0774085 B2 JP H0774085B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive glass
- glass plate
- ito film
- present
- etching
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導電性ガラス板に係り、さらに詳しくは、イ
ンジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜（以
下、「ITO膜」という。）の被覆を有する導電性ガラス
板に関する。
ンジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜（以
下、「ITO膜」という。）の被覆を有する導電性ガラス
板に関する。
本発明の導電性ガラス板は、液晶素子、太陽電池等の透
明電極用として好適に使用される。
明電極用として好適に使用される。
従来から、ガラス基板上に真空蒸着法やスパッタリング
法によりITO膜を被覆した導電性ガラス板は、各種ディ
スプレー、太陽電池等の透明電極用として広く使用され
ている。ITO膜は、結晶粒子の集合体であるが、通常、
配向性のない結晶粒子の集合体である。
法によりITO膜を被覆した導電性ガラス板は、各種ディ
スプレー、太陽電池等の透明電極用として広く使用され
ている。ITO膜は、結晶粒子の集合体であるが、通常、
配向性のない結晶粒子の集合体である。
ディスプレー等の透明電極は、導電性ガラス板の導電性
薄膜を、エッチングによりパターン化して製造される
が、近年、電極パターンの高密度化、細密化が強く要求
されている。エッチングは結晶粒界に沿って進行する
が、従来のITO膜の場合には、配向性のない結晶粒子の
集合体であることにより、電極パターン直線性が得られ
難く、パターンの高密度化、細密化に限界を生じてい
る。
薄膜を、エッチングによりパターン化して製造される
が、近年、電極パターンの高密度化、細密化が強く要求
されている。エッチングは結晶粒界に沿って進行する
が、従来のITO膜の場合には、配向性のない結晶粒子の
集合体であることにより、電極パターン直線性が得られ
難く、パターンの高密度化、細密化に限界を生じてい
る。
本発明は、直線性の良好なパターンの形成が可能なITO
膜の被覆を有する導電性ガラス板を提供することをその
目的とする。
膜の被覆を有する導電性ガラス板を提供することをその
目的とする。
本発明者等は、前記目的を達成すべく鋭意研究した結
果、（100）面配向した結晶粒子の集合体からなるITO膜
が、エッチング後のパターンの直線性に優れることを見
出し、本発明を完成した。
果、（100）面配向した結晶粒子の集合体からなるITO膜
が、エッチング後のパターンの直線性に優れることを見
出し、本発明を完成した。
本発明は、インジウム−スズ複合酸化物の柱状単結晶の
集合体からなり、（100）面の配向率が70％以上の透明
導電性薄膜の被覆を有することを特徴とする導電性ガラ
ス板である。
集合体からなり、（100）面の配向率が70％以上の透明
導電性薄膜の被覆を有することを特徴とする導電性ガラ
ス板である。
本発明において、透明導電性薄膜、すなわち、ITO膜
は、インジウム（In）とすず（Sn）とのSn/In原子比
が、0.01≦Sn/In≦0.1である複合酸化物の柱状単結晶の
集合体であり、この単結晶は、添付第１図(a)の透過型
電子顕微鏡写真および添付第２図(a)のＸ線回折図に示
すように、（100）面配向しており、その配向率は70％
以上である。
は、インジウム（In）とすず（Sn）とのSn/In原子比
が、0.01≦Sn/In≦0.1である複合酸化物の柱状単結晶の
集合体であり、この単結晶は、添付第１図(a)の透過型
電子顕微鏡写真および添付第２図(a)のＸ線回折図に示
すように、（100）面配向しており、その配向率は70％
以上である。
本発明の導電性ガラス板は、有機インジウム化合物と有
機スズ化合物との混合溶液（以下「前駆体」という。）
をキャリア−ガス中に微粒子化して分散させ、予め450
〜550℃に加熱したガラス基板と常圧下に接触させる方
法により製造することができる。前駆体の微粒子化は、
超音波霧化法、スプレー法等によって行うことができ、
均一な粒径の微粒子を安定して発生させることができる
超音波霧化法が好ましく採用される。キャリアーガスと
して、酸化性ガス、通常、空気が使用される。ガラス基
板として、ソーダライムガラス基板、パイレックス基板
等が使用されるが、ソーダライムガラス基板を使用する
場合には、ガラス基板中のNa分のITO膜中への拡散を防
止するために、予めSiO2膜等で被覆されたガラス基板の
使用が好ましい。
機スズ化合物との混合溶液（以下「前駆体」という。）
をキャリア−ガス中に微粒子化して分散させ、予め450
〜550℃に加熱したガラス基板と常圧下に接触させる方
法により製造することができる。前駆体の微粒子化は、
超音波霧化法、スプレー法等によって行うことができ、
均一な粒径の微粒子を安定して発生させることができる
超音波霧化法が好ましく採用される。キャリアーガスと
して、酸化性ガス、通常、空気が使用される。ガラス基
板として、ソーダライムガラス基板、パイレックス基板
等が使用されるが、ソーダライムガラス基板を使用する
場合には、ガラス基板中のNa分のITO膜中への拡散を防
止するために、予めSiO2膜等で被覆されたガラス基板の
使用が好ましい。
上記導電性ガラス板の製造方法においては、前駆体の微
粒子と加熱されたガラス基板との接触により、ガラス基
板上にITO膜組成を有する結晶核が生成し、その核がま
ず膜状に成長して隣接する核と接触し、その接触後は相
互に拘束されるため成長は基板面に対して垂直な方向の
みとなり、その結果、配向した柱状単結晶の集合体であ
るITO膜が得られる。
粒子と加熱されたガラス基板との接触により、ガラス基
板上にITO膜組成を有する結晶核が生成し、その核がま
ず膜状に成長して隣接する核と接触し、その接触後は相
互に拘束されるため成長は基板面に対して垂直な方向の
みとなり、その結果、配向した柱状単結晶の集合体であ
るITO膜が得られる。
本発明の導電性ガラス板は、前記したように、（100）
面配向した柱状単結晶の集合体からなるITO膜の被覆を
有することを特徴とする。
面配向した柱状単結晶の集合体からなるITO膜の被覆を
有することを特徴とする。
この導電性ガラス板のITO膜をエッチングして電極加工
を行う場合、エッチングが結晶粒界および結晶軸に沿っ
て進行するため、エッチング速度が一定となるばかりで
なく、エッチングパターンの肩崩れが小さく、直線性の
優れた電極パターンが得られる。
を行う場合、エッチングが結晶粒界および結晶軸に沿っ
て進行するため、エッチング速度が一定となるばかりで
なく、エッチングパターンの肩崩れが小さく、直線性の
優れた電極パターンが得られる。
さらに、本発明の導電性ガラス板のITO膜は、（100）面
配向していることから、原子が規則的に配列しており、
優れた導電性を示す。
配向していることから、原子が規則的に配列しており、
優れた導電性を示す。
本発明を、実施例および比較例により、さらに詳細に説
明する。
明する。
ただし、本発明の範囲は、下記実施例により何等限定さ
れるものではない。
れるものではない。
(1) 導電性ガラス板の製造 有機インジウム化合物と有機スズ化合物とを、Sn/In原
子比が0.05の比率で含有するアセチルアセトン溶液（前
駆体）を超音波霧化装置に仕込み、超音波振動子を作動
して前駆体を霧化、微粒子化し、この装置内に導入した
キャリアーガス（空気）中に分散させた。この前駆体微
粒子を含むキャリアーガスを、予め550℃に加熱したSiO
2の被覆を有するガラス基板面に接触させ、このガラス
基板表面に100Å/minの膜形成速度で厚さ1,100Åの透明
なITO膜を析出させ、導電性ガラス板を製造した。
子比が0.05の比率で含有するアセチルアセトン溶液（前
駆体）を超音波霧化装置に仕込み、超音波振動子を作動
して前駆体を霧化、微粒子化し、この装置内に導入した
キャリアーガス（空気）中に分散させた。この前駆体微
粒子を含むキャリアーガスを、予め550℃に加熱したSiO
2の被覆を有するガラス基板面に接触させ、このガラス
基板表面に100Å/minの膜形成速度で厚さ1,100Åの透明
なITO膜を析出させ、導電性ガラス板を製造した。
得られた導電性ガラス板のITO膜断面の透過型電子顕微
鏡写真を第１図(a)に、表面のＸ線回折図を第２図(a)に
示す。
鏡写真を第１図(a)に、表面のＸ線回折図を第２図(a)に
示す。
また、比較として、真空蒸着法で製造した市販の導電性
ガラス板（膜厚800Å）のITO膜断面の透過型電子顕微鏡
写真を第１図(b)に、表面のＸ線回折図を第２図(b)に示
す。
ガラス板（膜厚800Å）のITO膜断面の透過型電子顕微鏡
写真を第１図(b)に、表面のＸ線回折図を第２図(b)に示
す。
また、成膜速度および基板温度を代えて導電性ガラス板
を製造した。
を製造した。
これらのＸ線回折測定結果より、（100）面配向率を下
記式により算出した。
記式により算出した。
I(222)：（222）面反射ピーク強度 I(400)：（400）面反射ピーク強度 算出結果を下記に示す。
基板温度 成膜速度 配向率 ℃ Å/mim ％ 500 100 95 550 100 90 500 300 80 550 300 75 真空蒸着品 −−− 23 (2) ITO膜のエッチング 前記第(1)項で製造した導電性ガラス板および比較のた
めの真空蒸着法で製造した市販の導電性ガラス板のITO
膜（膜厚800Å）を、50℃のFeCl3−HCl系のエッチング
液（FeCl3:HCl:H2O＝13.3g:400ml:400ml）を用いてエッ
チングし、エッチング速度を測定した。
めの真空蒸着法で製造した市販の導電性ガラス板のITO
膜（膜厚800Å）を、50℃のFeCl3−HCl系のエッチング
液（FeCl3:HCl:H2O＝13.3g:400ml:400ml）を用いてエッ
チングし、エッチング速度を測定した。
また、導電率を併せて測定した。
測定結果を、下記に示す。
エッチング速度 導電率 Å/min Ω・cm 本発明品 1,300〜1,500 ２×10-4 真空蒸着品 1,500〜1,600 1.5×10-4 〔発明の効果〕 本発明の柱状単結晶の集合体からなるITO膜の被覆を有
する導電性ガラス体においては、前記実施例に示したよ
うに、市販の真空蒸着法で製造した導電性ガラス体に比
較して結晶軸に沿ってエッチングされるため、極めて解
像性の良いエッチングパターンが得られる。さらに、配
向性の良い結晶粒子の集合体であるため、優れた導電性
を示す。
する導電性ガラス体においては、前記実施例に示したよ
うに、市販の真空蒸着法で製造した導電性ガラス体に比
較して結晶軸に沿ってエッチングされるため、極めて解
像性の良いエッチングパターンが得られる。さらに、配
向性の良い結晶粒子の集合体であるため、優れた導電性
を示す。
本発明の導電性ガラス体を用い透明電極の加工を行う場
合、前記したように解像性が優れるため電極パターンを
高密度化することができる。
合、前記したように解像性が優れるため電極パターンを
高密度化することができる。
本発明は、エッチングの解像性に優れたITO膜の被覆を
有する導電性ガラス体を提供するものであり、その産業
上の、特に電気・電子産業上の意義は極めて大きい。
有する導電性ガラス体を提供するものであり、その産業
上の、特に電気・電子産業上の意義は極めて大きい。
第１図 導電性ガラス体のITO膜断面の結晶構造を示す
走査型電子顕微鏡写真 (a) 本発明の導電性ガラス体 (b) 真空蒸着法による市販導電性ガラス体 第２図 導電性ガラス体のITO膜表面のＸ線回折図 (a) 本発明の導電性ガラス体 (b) 真空蒸着法による市販導電性ガラス体
走査型電子顕微鏡写真 (a) 本発明の導電性ガラス体 (b) 真空蒸着法による市販導電性ガラス体 第２図 導電性ガラス体のITO膜表面のＸ線回折図 (a) 本発明の導電性ガラス体 (b) 真空蒸着法による市販導電性ガラス体
Claims (1)
- 【請求項１】インジウム−スズ複合酸化物の柱状単結晶
の集合体からなり、（100）面の配向率が70％以上の透
明導電性薄膜の被覆を有することを特徴とする導電性ガ
ラス板
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232766A JPH0774085B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 導電性ガラス板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232766A JPH0774085B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 導電性ガラス板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389436A JPS6389436A (ja) | 1988-04-20 |
| JPH0774085B2 true JPH0774085B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=16944406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61232766A Expired - Fee Related JPH0774085B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 導電性ガラス板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774085B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384513B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2003-05-22 | 주식회사하나엔지니어링 | 저저항 투명도전성 복층 박막용 조성물, 이의 제조방법 및이를 포함하는 제품 |
| JP4538410B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-09-08 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜付透光性基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227945A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | 電気伝導性ガラス |
| JPS61256944A (ja) * | 1985-05-04 | 1986-11-14 | バテル メモリアル インステイチユ−ト | ガラス基板を錫ド−プインジウム酸化物膜で被覆する方法および装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61232766A patent/JPH0774085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227945A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | 電気伝導性ガラス |
| JPS61256944A (ja) * | 1985-05-04 | 1986-11-14 | バテル メモリアル インステイチユ−ト | ガラス基板を錫ド−プインジウム酸化物膜で被覆する方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6389436A (ja) | 1988-04-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |