JPH0772346B2 - 低抵抗透明導電膜の製造方法 - Google Patents
低抵抗透明導電膜の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、液晶ディスプレーの表示素子等に用いるIn−
Ｏ或いはIn−Sn−Ｏ系透明導電膜（ITO膜と称する）の
製造方法に関する。
Ｏ或いはIn−Sn−Ｏ系透明導電膜（ITO膜と称する）の
製造方法に関する。
（従来の技術） 従来、この種の透明導電膜の製造方法としては塗布法、
真空蒸着法、気相反応法、DC或いはRF2極スパッタ法、D
C或いはRFマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法等が
知られているが、これらの製造方法のうちスパッタ法は
大型基板上に透明導電膜を均一に形成出来るため多く使
われている。
真空蒸着法、気相反応法、DC或いはRF2極スパッタ法、D
C或いはRFマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法等が
知られているが、これらの製造方法のうちスパッタ法は
大型基板上に透明導電膜を均一に形成出来るため多く使
われている。
ところでスパッタ法においては透明導電膜の電気抵抗率
に影響を与える要因として基板温度と、酸素ガス分圧が
知られており、このうち基板温度については該温度が高
い程低い電気抵抗率の膜が得られることが分っており、
また酸素ガス分圧については該分圧が低い領域では酸素
空孔が多いためキャリヤー密度が大きいが移動度が小さ
く、該分圧が高い領域ではキャリヤー密度が小さくなる
代わりに移動度が大きくなるので、両者のかね合いで抵
抗率が極小値となる最適分圧があることが分っており、
従って従来のスパッタ法では基板温度と酸素ガス分圧の
夫々のパラメーターを調整して低電気抵抗率の透明導電
膜を形成していた。
に影響を与える要因として基板温度と、酸素ガス分圧が
知られており、このうち基板温度については該温度が高
い程低い電気抵抗率の膜が得られることが分っており、
また酸素ガス分圧については該分圧が低い領域では酸素
空孔が多いためキャリヤー密度が大きいが移動度が小さ
く、該分圧が高い領域ではキャリヤー密度が小さくなる
代わりに移動度が大きくなるので、両者のかね合いで抵
抗率が極小値となる最適分圧があることが分っており、
従って従来のスパッタ法では基板温度と酸素ガス分圧の
夫々のパラメーターを調整して低電気抵抗率の透明導電
膜を形成していた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら従来のスパッタ法では、例えば耐熱温度が
160〜200℃程度と低いカラーフィルタ材から成る基板上
にITO膜を形成するフルカラーSTN方式等基板温度を高く
することがで出来ない場合には、透明導電膜の電気抵抗
率を低下させるのに限度があった。
160〜200℃程度と低いカラーフィルタ材から成る基板上
にITO膜を形成するフルカラーSTN方式等基板温度を高く
することがで出来ない場合には、透明導電膜の電気抵抗
率を低下させるのに限度があった。
また、連続的にスパッタを行っていると、ターゲットの
表面にInOという絶縁性酸化物が生成されて該表面が黒
色に変色（以下ターゲット黒化と称する）し、ターゲッ
ト黒化の進行と共に、基板上に形成される透明導電膜の
電気抵抗率が上昇するので、長時間連続して多数枚の基
板上に透明導電膜を形成する場合は、電気抵抗率が徐々
に上昇して均一な電気抵抗率を備えた低抵抗透明導電膜
が得られないという問題がある。
表面にInOという絶縁性酸化物が生成されて該表面が黒
色に変色（以下ターゲット黒化と称する）し、ターゲッ
ト黒化の進行と共に、基板上に形成される透明導電膜の
電気抵抗率が上昇するので、長時間連続して多数枚の基
板上に透明導電膜を形成する場合は、電気抵抗率が徐々
に上昇して均一な電気抵抗率を備えた低抵抗透明導電膜
が得られないという問題がある。
本発明は、前記問題点を解消した低抵抗透明導電膜の製
造方法を提供することを目的とする。
造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究した結
果、基板上に透明導電膜を形成する際、該透明導電膜の
電気抵抗率に影響を与える要因として前記基板温度、酸
素ガス分圧の他にスパッタ電圧が大きく影響することを
知見した。
果、基板上に透明導電膜を形成する際、該透明導電膜の
電気抵抗率に影響を与える要因として前記基板温度、酸
素ガス分圧の他にスパッタ電圧が大きく影響することを
知見した。
本発明は前記知見に基づいてなされたものであって、本
発明の低抵抗透明導電膜の製造方法は、In−Ｏ或いはIn
−Sn−Ｏを基本構成元素とする透明導電膜をスパッタ法
で形成する方法において、スパッタ電圧を350V以下に保
持した状態でスパッタするようにしたことを特徴とす
る。
発明の低抵抗透明導電膜の製造方法は、In−Ｏ或いはIn
−Sn−Ｏを基本構成元素とする透明導電膜をスパッタ法
で形成する方法において、スパッタ電圧を350V以下に保
持した状態でスパッタするようにしたことを特徴とす
る。
スパッタ電圧を低下させるのには、一般的には放電イン
ピーダンス（ターゲット電圧／ターゲット電流）を低く
すればよく、例えば該放電インピーダンスはターゲット
表面の磁界強度に影響を受け易く、該磁界強度を増加さ
せるとプラズマ密度が大きくなり、その結果スパッタ電
圧が低下するので、ターゲット表面での平行磁界強度を
4000Oe以上に保持した状態でスパッタをすればよい。
ピーダンス（ターゲット電圧／ターゲット電流）を低く
すればよく、例えば該放電インピーダンスはターゲット
表面の磁界強度に影響を受け易く、該磁界強度を増加さ
せるとプラズマ密度が大きくなり、その結果スパッタ電
圧が低下するので、ターゲット表面での平行磁界強度を
4000Oe以上に保持した状態でスパッタをすればよい。
また、長時間連続してスパッタを行うとターゲット表面
が黒化し、これに伴ってスパッタ電圧が上昇するので、
平行磁界強度を調整してスパッタ成膜中のスパッタ電圧
を350V以下の一定値に保持すればよい。
が黒化し、これに伴ってスパッタ電圧が上昇するので、
平行磁界強度を調整してスパッタ成膜中のスパッタ電圧
を350V以下の一定値に保持すればよい。
本発明で用いる基板上に形成する透明導電膜のターゲッ
トとしてはIn、In−Sn合金、Inの酸化物焼結体、或いは
In−Sn酸化物焼結体等が挙げられるが、そのうちIn−Sn
酸化物焼結体が基板上に透明膜を長時間安定状態で形成
するので好ましい。
トとしてはIn、In−Sn合金、Inの酸化物焼結体、或いは
In−Sn酸化物焼結体等が挙げられるが、そのうちIn−Sn
酸化物焼結体が基板上に透明膜を長時間安定状態で形成
するので好ましい。
また、スパッタガスとしては例えばアルゴンガス等の不
活性ガスに酸素ガスを添加した混合ガスが挙げられ、不
活性ガスにアルゴンガスを用いるときはその混合ガス圧
は一般には10-3Torr台程度とし、酸素ガス分圧は一般に
は10-5Torr台程度とする。
活性ガスに酸素ガスを添加した混合ガスが挙げられ、不
活性ガスにアルゴンガスを用いるときはその混合ガス圧
は一般には10-3Torr台程度とし、酸素ガス分圧は一般に
は10-5Torr台程度とする。
（作 用） スパッタ法でIn−Ｏ或いはIn−Sn−Ｏを基本元素とする
低抵抗透明導電膜を形成する過程において、ターゲット
表面近傍において、0-,02-,InO-等の負イオンが発生
し、これらの負イオンはターゲット電圧が例えば−400V
の場合は400eVのエネルギーに加速されて基板に突入す
るので、成膜中の透明導電膜にミクロ的なダメージを発
生させてしまう。このミクロ的ダメージによってInやSn
の２価のイオンが発生し、アクセプターとして作用する
ためキャリヤー密度が低下したり、酸素空孔が潰されて
キャリヤー密度が低下することによって、電気抵抗率が
上昇する。
低抵抗透明導電膜を形成する過程において、ターゲット
表面近傍において、0-,02-,InO-等の負イオンが発生
し、これらの負イオンはターゲット電圧が例えば−400V
の場合は400eVのエネルギーに加速されて基板に突入す
るので、成膜中の透明導電膜にミクロ的なダメージを発
生させてしまう。このミクロ的ダメージによってInやSn
の２価のイオンが発生し、アクセプターとして作用する
ためキャリヤー密度が低下したり、酸素空孔が潰されて
キャリヤー密度が低下することによって、電気抵抗率が
上昇する。
本発明によれば、スパッタ電圧（ターゲット電圧と同
じ）を350V以下に保持した状態でスパッタすることによ
って、基板に突入する負イオンのエネルギーを低く押え
て、透明導電膜へのダメージを小さくする。
じ）を350V以下に保持した状態でスパッタすることによ
って、基板に突入する負イオンのエネルギーを低く押え
て、透明導電膜へのダメージを小さくする。
（実施例） 以下添付図面に従って本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、本発明の低抵抗透明導電膜の製造方法を実施
するための製造装置の１例を示すもので、図中、１は真
空室を示し、該真空室１は外部の真空ポンプ等の適当な
真空排気手段に接続される排気口２を介して内部の真空
度を調節自在とすると共に、該真空室１に連通されたガ
ス導入管３から例えばアルゴンガスと酸素ガスの混合ガ
スから成るスパッタガスを導入出来るようにした。該真
空室１内には基板４とスパッタカソード５とを対向配置
し、該基板４の背後にこれを加熱するヒータ６を設け
た。
するための製造装置の１例を示すもので、図中、１は真
空室を示し、該真空室１は外部の真空ポンプ等の適当な
真空排気手段に接続される排気口２を介して内部の真空
度を調節自在とすると共に、該真空室１に連通されたガ
ス導入管３から例えばアルゴンガスと酸素ガスの混合ガ
スから成るスパッタガスを導入出来るようにした。該真
空室１内には基板４とスパッタカソード５とを対向配置
し、該基板４の背後にこれを加熱するヒータ６を設け
た。
該スパッタカソード５のバッキングプレート７の前面に
ロウ材でボンディングしたターゲット８を配置し、また
該スパッタカソード５のバッキングプレート７の背後
に、電圧計を備えるプラズマ放電用のDC電源９に接続さ
れる電磁石10を収容したカソードケース11を配置すると
共に、該真空室１とカソードケース11との間に前記プラ
ズマ放電用のDC電源９を配置し、真空室１をアース電位
にして、カソードケース11に負電圧をかけて真空室１内
でDCマグネトロンスパッタを行な得るようにした。ま
た、図示例ではプラズマ放電用のDC電源９と電磁石用DC
電源12との間にコントローラ13を配置した。該コントロ
ーラ13はプラズマ放電用のDC電源９から出力されるスパ
ッタ電圧の変化に応じた変化信号を受信し、この変化信
号に応じて電磁石用DO電源12の電流の大きさを調整して
ターゲット８の表面に発生する磁界強度を250Oe〜1600O
eの範囲に調整出来るようにした。
ロウ材でボンディングしたターゲット８を配置し、また
該スパッタカソード５のバッキングプレート７の背後
に、電圧計を備えるプラズマ放電用のDC電源９に接続さ
れる電磁石10を収容したカソードケース11を配置すると
共に、該真空室１とカソードケース11との間に前記プラ
ズマ放電用のDC電源９を配置し、真空室１をアース電位
にして、カソードケース11に負電圧をかけて真空室１内
でDCマグネトロンスパッタを行な得るようにした。ま
た、図示例ではプラズマ放電用のDC電源９と電磁石用DC
電源12との間にコントローラ13を配置した。該コントロ
ーラ13はプラズマ放電用のDC電源９から出力されるスパ
ッタ電圧の変化に応じた変化信号を受信し、この変化信
号に応じて電磁石用DO電源12の電流の大きさを調整して
ターゲット８の表面に発生する磁界強度を250Oe〜1600O
eの範囲に調整出来るようにした。
尚、図中、14は真空室１に接続したアース、15は真空室
１とカソードケース11との間に配置したテフロン板から
成る絶縁シート、16はアースシールド、17は防着板であ
る。
１とカソードケース11との間に配置したテフロン板から
成る絶縁シート、16はアースシールド、17は防着板であ
る。
また、図示していないがターゲット８はカソードケース
11内に設けた水冷手段によって冷却されている。
11内に設けた水冷手段によって冷却されている。
次に低抵抗透明導電膜の形成の具体的実施例について説
明する。
明する。
実験例１ 前記図示製造装置の真空室１内に光透過性ガラス（コー
ニング社製、No.7059、大きさ210mm×210mm）から成る
基板４と、In2O3に10wt％SnO2が混入した酸化物ターゲ
ット８（大きさ125mm×406mm）とを装着した。続いて真
空室１内を真空排気手段で排気口２を介して８×10-6To
rr程度に設定した後、該真空室１内が５×10-3Torrとな
るようにアルゴンガスと酸素ガスとから成るスパッタガ
スをガス導入管３から真空室１内に導入した。尚、この
時の酸素ガス分圧は４×10-5Torrとした。また、基板４
とターゲット８との間隔は80mmとした。
ニング社製、No.7059、大きさ210mm×210mm）から成る
基板４と、In2O3に10wt％SnO2が混入した酸化物ターゲ
ット８（大きさ125mm×406mm）とを装着した。続いて真
空室１内を真空排気手段で排気口２を介して８×10-6To
rr程度に設定した後、該真空室１内が５×10-3Torrとな
るようにアルゴンガスと酸素ガスとから成るスパッタガ
スをガス導入管３から真空室１内に導入した。尚、この
時の酸素ガス分圧は４×10-5Torrとした。また、基板４
とターゲット８との間隔は80mmとした。
次に電磁石用DC電源12から電磁石10への電流の大きさを
コントローラ13で調整してターゲット８の表面に発生す
る磁極間中心位置での平行磁界の強度即ちマグネトロン
磁場強度を250Oeから1600oeに変化させながらDCマグネ
トロンスパッタを行い、スパッタ初期時（ターゲット材
表面が黒化していない状態の場合即ちターゲット黒化
前）と、40時間経過後のスパッタ時（ターゲット材表面
が黒化した状態の場合即ちターゲット黒化後）との夫々
のスパッタ時におけるスパッタ電圧を求めた。
コントローラ13で調整してターゲット８の表面に発生す
る磁極間中心位置での平行磁界の強度即ちマグネトロン
磁場強度を250Oeから1600oeに変化させながらDCマグネ
トロンスパッタを行い、スパッタ初期時（ターゲット材
表面が黒化していない状態の場合即ちターゲット黒化
前）と、40時間経過後のスパッタ時（ターゲット材表面
が黒化した状態の場合即ちターゲット黒化後）との夫々
のスパッタ時におけるスパッタ電圧を求めた。
そしてスパッタ電圧を各磁界強度（マグネトロン磁場強
度）毎に測定した。得られた測定結果を第２図に示す。
度）毎に測定した。得られた測定結果を第２図に示す。
第２図から明らかなように、スパッタ初期時、40時間経
過後のスパッタ時のいずれの場合も磁界の強度が増加す
るのに伴ってスパッタ電圧が減少することが確認され
た。但し、いずれの場合も磁界強度が900Oeを超すとス
パッタ電圧はそれ以上減少しない傾向を示した。
過後のスパッタ時のいずれの場合も磁界の強度が増加す
るのに伴ってスパッタ電圧が減少することが確認され
た。但し、いずれの場合も磁界強度が900Oeを超すとス
パッタ電圧はそれ以上減少しない傾向を示した。
従って、ターゲット表面の磁界強度を変化（第２図示に
おける矢印方向）させることによってスパッタ電圧を一
定にすることが出来る。
おける矢印方向）させることによってスパッタ電圧を一
定にすることが出来る。
また、DCマグネトロンスパッタ法の代わりにRFマグネト
ロンスパッタ法でスパッタを行ったが、同様の結果が得
られた。
ロンスパッタ法でスパッタを行ったが、同様の結果が得
られた。
実験例２ 前記図示製造装置の真空室１内に光透過性ガラス（コー
ニング社製、No.7059、大きさ210mm×210mm）から成る
基板４と、In2O3に10wt％SnO2が混入した酸化物ターゲ
ット８（大きさ125mm×406mm）とを装着した。続いて真
空室１内を真空排気手段で排気口２を介して８×10-6To
rr程度に設定した後、該真空室１内が５×10-3Torrとな
るようにアルゴンガスと酸素ガスとから成るスパッタガ
スをガス導入管３から真空室１内に導入した。尚、基板
４とターゲット８との間隔は80mmとした。
ニング社製、No.7059、大きさ210mm×210mm）から成る
基板４と、In2O3に10wt％SnO2が混入した酸化物ターゲ
ット８（大きさ125mm×406mm）とを装着した。続いて真
空室１内を真空排気手段で排気口２を介して８×10-6To
rr程度に設定した後、該真空室１内が５×10-3Torrとな
るようにアルゴンガスと酸素ガスとから成るスパッタガ
スをガス導入管３から真空室１内に導入した。尚、基板
４とターゲット８との間隔は80mmとした。
次にヒータ６で基板４の温度を室温（25℃）、160℃、4
60℃の各条件下に設定し、夫々の温度下で電磁石用DC電
源12から電磁石10への電流の大きさをコントローラ13で
変化させながらターゲット８の表面に発生する磁界強度
を調整し、該磁界強度の調整に応じてスパッタ電圧を変
化させながらスパッタを行って基板４上に厚さ1000Åの
In−Sn−Ｏ系の透明導電膜を形成した。
60℃の各条件下に設定し、夫々の温度下で電磁石用DC電
源12から電磁石10への電流の大きさをコントローラ13で
変化させながらターゲット８の表面に発生する磁界強度
を調整し、該磁界強度の調整に応じてスパッタ電圧を変
化させながらスパッタを行って基板４上に厚さ1000Åの
In−Sn−Ｏ系の透明導電膜を形成した。
尚、酸素ガス分圧は基板温度およびスパッタ電圧の各条
件に対して最適となるように調整した。
件に対して最適となるように調整した。
前記方法で形成された透明導電膜の電気抵抗率を各基板
温度のスパッタ電圧毎に測定した。得られた測定結果を
第３図に示す。
温度のスパッタ電圧毎に測定した。得られた測定結果を
第３図に示す。
第３図から明らかなように全ての基板温度においてスパ
ッタ電圧が低くなるに従って、透明導電膜の電気抵抗率
を低下させることが出来ることが確認された。
ッタ電圧が低くなるに従って、透明導電膜の電気抵抗率
を低下させることが出来ることが確認された。
また、ターゲットとして前記In2O3にSnO2を10wt％混入
した酸化物に代えてIn2O3へのSnO2の混入量が10wt％以
外の組成とした酸化物、また酸化物に代えてIn金属単
独、In−Sn合金を用いてスパッタを行ったところ同様の
結果が得られた。
した酸化物に代えてIn2O3へのSnO2の混入量が10wt％以
外の組成とした酸化物、また酸化物に代えてIn金属単
独、In−Sn合金を用いてスパッタを行ったところ同様の
結果が得られた。
（発明の効果） このように本発明の低抵抗透明導電膜の製造方法による
ときは、スパッタ電圧（ターゲット電圧と同じ）と350V
以下に保持した状態でスパッタするようにしたので、タ
ーゲットをスパッタ法でスパッタさせて基板上に透明導
電膜を形成させる際、負イオンのエネルギーを低下させ
ることが出来るから、透明導電膜へのダメージを小さく
することが出来て、基板の耐熱温度が低い材料であって
も、基板上に電気抵抗率が低い透明導電膜を形成するこ
とが出来る効果を有する。
ときは、スパッタ電圧（ターゲット電圧と同じ）と350V
以下に保持した状態でスパッタするようにしたので、タ
ーゲットをスパッタ法でスパッタさせて基板上に透明導
電膜を形成させる際、負イオンのエネルギーを低下させ
ることが出来るから、透明導電膜へのダメージを小さく
することが出来て、基板の耐熱温度が低い材料であって
も、基板上に電気抵抗率が低い透明導電膜を形成するこ
とが出来る効果を有する。
また、ターゲット表面での平行磁界強度を400Oe以上に
保持した状態でスパッタする場合は、平行磁界強度の調
整のみによって、成膜中のスパッタ電圧を低くすること
が出来るから電気抵抗率が低い透明導電膜を簡単に形成
することが出来る効果を有する。
保持した状態でスパッタする場合は、平行磁界強度の調
整のみによって、成膜中のスパッタ電圧を低くすること
が出来るから電気抵抗率が低い透明導電膜を簡単に形成
することが出来る効果を有する。
また、前記平行磁界強度を調整してスパッタ成膜中のス
パッタ電圧を350V以下の一定値に保持することによっ
て、長時間連続してスパッタを行っても常に均一な電気
抵抗率を有する透明導電膜を連続して製造することが出
来る効果を有する。
パッタ電圧を350V以下の一定値に保持することによっ
て、長時間連続してスパッタを行っても常に均一な電気
抵抗率を有する透明導電膜を連続して製造することが出
来る効果を有する。
第１図は本発明の透明導電膜の製造方法を実施するため
の製造装置の１例の截断面図、第２図はマグネトロン磁
場強度とスパッタ電圧変化との関係を示す特性線図、第
３図は基板の各温度条件下におけるスパッタ電圧と電気
抵抗率変化との関係を示す特性線図である。 １……真空室、４……基板 ８……ターゲット、10……電磁石 12……電磁石用DC電源、13……コントローラ
の製造装置の１例の截断面図、第２図はマグネトロン磁
場強度とスパッタ電圧変化との関係を示す特性線図、第
３図は基板の各温度条件下におけるスパッタ電圧と電気
抵抗率変化との関係を示す特性線図である。 １……真空室、４……基板 ８……ターゲット、10……電磁石 12……電磁石用DC電源、13……コントローラ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−260505（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−204282（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−188660（ＪＰ，Ａ) 特公 昭61−28615（ＪＰ，Ｂ２) 高井 治ら著「材料テクノロジー９ 材 料のプロセス技術〔１〕」昭和62年11月30 日 東京大学出版会発行，Ｐ．136〜137
Claims (3)
- 【請求項１】In−Ｏ或いはIn−Sn−Ｏを基本構成元素と
する透明導電膜をスパッタ法で形成する方法において、
スパッタ電圧を350V以下に保持した状態でスパッタする
ようにしたことを特徴とする低抵抗透明導電膜の製造方
法。 - 【請求項２】ターゲット表面での平行磁界強度を400Oe
以上に保持した状態でスパッタするようにしたことを特
徴とする請求項１に記載の低抵抗透明導電膜の製造方
法。 - 【請求項３】前記平行磁界強度を調整してスパッタ成膜
中のスパッタ電圧を350V以下の一定値に保持するように
したことを特徴とする請求項２に記載の低抵抗透明導電
膜の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050086A JPH0772346B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
| KR1019890004384A KR930001782B1 (ko) | 1989-03-03 | 1989-04-03 | 투명 도전막의 제조방법 및 그 제조장치 |
| US07/524,768 US5116479A (en) | 1989-03-03 | 1990-05-17 | Process for producing transparent conductive film comprising indium oxide |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050086A JPH0772346B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232358A JPH02232358A (ja) | 1990-09-14 |
| JPH0772346B2 true JPH0772346B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=12849221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050086A Expired - Lifetime JPH0772346B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Country Status (3)
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Cited By (1)
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| JP2003239069A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜の製造方法及び装置 |
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| JP5035857B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2012-09-26 | Ｈｏｙａ株式会社 | 低抵抗ｉｔｏ薄膜及びその製造方法 |
| GB2361245A (en) * | 2000-04-14 | 2001-10-17 | Jk Microtechnology Ltd | High conductivity indium-tin-oxide films |
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| KR20100044262A (ko) * | 2007-09-19 | 2010-04-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 태양전지의 제조방법 |
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-
1989
- 1989-03-03 JP JP1050086A patent/JPH0772346B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-03 KR KR1019890004384A patent/KR930001782B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-05-17 US US07/524,768 patent/US5116479A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 高井治ら著「材料テクノロジー９材料のプロセス技術〔１〕」昭和６２年１１月３０日東京大学出版会発行，Ｐ．１３６〜１３７ |
Cited By (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02232358A (ja) | 1990-09-14 |
| KR900014916A (ko) | 1990-10-25 |
| US5116479A (en) | 1992-05-26 |
| KR930001782B1 (ko) | 1993-03-13 |
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