JPH05171437A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPH05171437A JPH05171437A JP33911191A JP33911191A JPH05171437A JP H05171437 A JPH05171437 A JP H05171437A JP 33911191 A JP33911191 A JP 33911191A JP 33911191 A JP33911191 A JP 33911191A JP H05171437 A JPH05171437 A JP H05171437A
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- transparent conductive
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性の低い基板、例えばカラーフィルター
付き基板やプラスチック製基板上に、低抵抗で透明性の
良いＩＴＯからなる透明導電膜を形成する。 【構成】 ＩｎにＳｎをドープした金属ターゲット４、
もしくはＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 をドープした焼結体ター
ゲット４をイオン源９から放出されたイオンビームでス
パッタし、アシスト用のイオン源１４から放出されるイ
オンビームで基板２２を照射しながら基板２２上にＩＴ
Ｏ膜を形成する方法において、アシスト用イオン源１４
からのイオンビームが主として酸素イオンからなる第１
段階と酸素イオンが主成分でない第２段階の少なくとも
２つの工程を含むようにする。
付き基板やプラスチック製基板上に、低抵抗で透明性の
良いＩＴＯからなる透明導電膜を形成する。 【構成】 ＩｎにＳｎをドープした金属ターゲット４、
もしくはＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 をドープした焼結体ター
ゲット４をイオン源９から放出されたイオンビームでス
パッタし、アシスト用のイオン源１４から放出されるイ
オンビームで基板２２を照射しながら基板２２上にＩＴ
Ｏ膜を形成する方法において、アシスト用イオン源１４
からのイオンビームが主として酸素イオンからなる第１
段階と酸素イオンが主成分でない第２段階の少なくとも
２つの工程を含むようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性の低い基板上に
透明かつ低抵抗なＩＴＯからなる透明導電膜をイオンビ
ームスパッタ法で高速で形成する方法に関する。
透明かつ低抵抗なＩＴＯからなる透明導電膜をイオンビ
ームスパッタ法で高速で形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤ，ＰＤＰ，ＥＬＤ等の各種ディス
プレーでは、その駆動電極として透明導電膜が用いられ
る。この透明導電膜としては、通常Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｎＯ
2 ，ＺｎＯを主体とするものが知られており、その形成
方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ス
プレー法などがある。とくにＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 をド
ープしたターゲットより得られるＩＴＯからなる透明導
電膜は、その透過率や導電性、エッチング特性に優れて
おり、表示素子の電極材料として、最もよく用いられて
いる。このＩＴＯからなる透明導電膜の形成方法として
は、真空蒸着法やスパッタ法が、膜特性の面から優位と
なっている。
プレーでは、その駆動電極として透明導電膜が用いられ
る。この透明導電膜としては、通常Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｎＯ
2 ，ＺｎＯを主体とするものが知られており、その形成
方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ス
プレー法などがある。とくにＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 をド
ープしたターゲットより得られるＩＴＯからなる透明導
電膜は、その透過率や導電性、エッチング特性に優れて
おり、表示素子の電極材料として、最もよく用いられて
いる。このＩＴＯからなる透明導電膜の形成方法として
は、真空蒸着法やスパッタ法が、膜特性の面から優位と
なっている。
【０００３】近年、ディスプレーの大型化、精細化、カ
ラー化にともない、透明電極のパターンは細く長いもの
になっており、より低抵抗な透明導電膜が要求されてい
る。必要とされる面抵抗は、その駆動方式によっても異
なるが、低いものでは１０Ω／□以下のものが要求され
ている。成膜時の基板の温度が比較的高温の場合には、
抵抗率が２．０Ｅ−４Ω・ｃｍ程度のものが安定して得
られており、膜厚２０００Ａで１０Ω／□が得られる。
ラー化にともない、透明電極のパターンは細く長いもの
になっており、より低抵抗な透明導電膜が要求されてい
る。必要とされる面抵抗は、その駆動方式によっても異
なるが、低いものでは１０Ω／□以下のものが要求され
ている。成膜時の基板の温度が比較的高温の場合には、
抵抗率が２．０Ｅ−４Ω・ｃｍ程度のものが安定して得
られており、膜厚２０００Ａで１０Ω／□が得られる。
【０００４】一方、基板にカラーフィルターが付いてい
たり、基板自身がプラスチックなど有機物の場合には、
温度はせいぜい２００℃程度までしか上げられない。従
って、ＩＴＯからなる透明導電膜の抵抗率を小さくする
ために酸化度を大きくして結晶性を向上させる手段とし
ては基板を加熱する以外の方法を用いなくてはならな
い。
たり、基板自身がプラスチックなど有機物の場合には、
温度はせいぜい２００℃程度までしか上げられない。従
って、ＩＴＯからなる透明導電膜の抵抗率を小さくする
ために酸化度を大きくして結晶性を向上させる手段とし
ては基板を加熱する以外の方法を用いなくてはならな
い。
【０００５】イオンビームによってターゲットから膜構
成物質をたたき出して基板面に付着させる過程において
基板にもイオンビームを照射する方法は通常イオンビー
ムアシスト−イオンビームスパッタ法と呼ばれ、最も有
効な手段の一つである。通常スパッタ用イオンビームに
は運動量の大きなイオンビームである必要があるのでア
ルゴンのような重い原子よりなるイオンを用い、アシス
ト用イオンビームには酸化性のイオン、すなわち酸素イ
オンを含んだイオンビームが用いられる。
成物質をたたき出して基板面に付着させる過程において
基板にもイオンビームを照射する方法は通常イオンビー
ムアシスト−イオンビームスパッタ法と呼ばれ、最も有
効な手段の一つである。通常スパッタ用イオンビームに
は運動量の大きなイオンビームである必要があるのでア
ルゴンのような重い原子よりなるイオンを用い、アシス
ト用イオンビームには酸化性のイオン、すなわち酸素イ
オンを含んだイオンビームが用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＴＯ
からなる透明導電膜の結晶性を向上させるためには酸素
イオンを多く含んだアシストイオンビームを基板に照射
する必要があり、このような条件下ではＩＴＯからなる
透明導電膜の酸化度が高くなって結晶性が向上する反
面、酸素欠陥が欠乏してキャリアー濃度が低下する。そ
の結果、ＩＴＯからなる透明導電膜の抵抗率は増大する
ことになる。
からなる透明導電膜の結晶性を向上させるためには酸素
イオンを多く含んだアシストイオンビームを基板に照射
する必要があり、このような条件下ではＩＴＯからなる
透明導電膜の酸化度が高くなって結晶性が向上する反
面、酸素欠陥が欠乏してキャリアー濃度が低下する。そ
の結果、ＩＴＯからなる透明導電膜の抵抗率は増大する
ことになる。
【０００７】キャリアー濃度を高めるためには酸素欠陥
を増やす必要があり、そのためにはアシスト用イオンビ
ーム中の酸素イオン濃度を低下させる必要があるが、十
分なキャリアー濃度が得られる程度の酸素欠陥が生成す
ると結晶性が低下してキャリアー移動度が低下し、これ
もまた抵抗率増大の原因となる。このように、従来の技
術では、キャリアー濃度とキャリアー移動度の両方が満
足な値を示すようなアシスト条件が存在しないという問
題点があった。
を増やす必要があり、そのためにはアシスト用イオンビ
ーム中の酸素イオン濃度を低下させる必要があるが、十
分なキャリアー濃度が得られる程度の酸素欠陥が生成す
ると結晶性が低下してキャリアー移動度が低下し、これ
もまた抵抗率増大の原因となる。このように、従来の技
術では、キャリアー濃度とキャリアー移動度の両方が満
足な値を示すようなアシスト条件が存在しないという問
題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記従来の問題点を解決
するために、本発明は、ＩＴＯからなる透明導電膜をイ
オンビームアシスト−イオンビームスパッタによって形
成する際に、成膜工程をアシスト用のイオンガンから出
射されるイオンビームが主として酸素イオンからなる第
一段階と酸素イオンが主成分でない第二段階の少なくと
もふたつの工程を含むものから構成した。
するために、本発明は、ＩＴＯからなる透明導電膜をイ
オンビームアシスト−イオンビームスパッタによって形
成する際に、成膜工程をアシスト用のイオンガンから出
射されるイオンビームが主として酸素イオンからなる第
一段階と酸素イオンが主成分でない第二段階の少なくと
もふたつの工程を含むものから構成した。
【０００９】成膜の第一段階においては出射されるイオ
ンの９０モル％以上が酸素イオンであることが必要であ
る。この段階では酸化度の非常に高い膜を成膜する。当
然キャリアー濃度は低くなるが、この段階では結晶性を
向上させることのみが目標となる。この層の厚みは薄い
方が良いが、薄すぎると結晶性が低下するのである程度
の厚みが必要になる。この層の厚みとしては、１ｎｍ以
上１００ｎｍ以下が好ましい。より好ましくは、１０ｎ
ｍ以上３０ｎｍ以下である。膜厚１ｎｍ以下では膜の結
晶性が低下し、膜厚１００ｎｍ以上では膜の特性自体に
は問題がないが、抵抗率の高い部分を不必要に厚くする
ことは生産性に悪影響がある。
ンの９０モル％以上が酸素イオンであることが必要であ
る。この段階では酸化度の非常に高い膜を成膜する。当
然キャリアー濃度は低くなるが、この段階では結晶性を
向上させることのみが目標となる。この層の厚みは薄い
方が良いが、薄すぎると結晶性が低下するのである程度
の厚みが必要になる。この層の厚みとしては、１ｎｍ以
上１００ｎｍ以下が好ましい。より好ましくは、１０ｎ
ｍ以上３０ｎｍ以下である。膜厚１ｎｍ以下では膜の結
晶性が低下し、膜厚１００ｎｍ以上では膜の特性自体に
は問題がないが、抵抗率の高い部分を不必要に厚くする
ことは生産性に悪影響がある。
【００１０】成膜の第二段階においては出射されるイオ
ンの１０モル％以上、３０モル％以下が酸素イオンであ
ることが必要である。この段階ではすでに第一段階で結
晶性のきわめて良いＩＴＯ膜を成膜しているので、その
上に膜が成長することになる。このような下地膜の上に
は、通常のガラス基板上ではきわめて結晶性が悪くなる
ような条件でも良質の結晶がいわゆるエピタキシャル成
長するので、酸素イオン濃度が低いイオンビームでアシ
ストしても膜中のキャリアー移動度は低下しない。従っ
て、キャリアーとなる酸素欠陥を増加させても移動度の
低下が起こることはない。
ンの１０モル％以上、３０モル％以下が酸素イオンであ
ることが必要である。この段階ではすでに第一段階で結
晶性のきわめて良いＩＴＯ膜を成膜しているので、その
上に膜が成長することになる。このような下地膜の上に
は、通常のガラス基板上ではきわめて結晶性が悪くなる
ような条件でも良質の結晶がいわゆるエピタキシャル成
長するので、酸素イオン濃度が低いイオンビームでアシ
ストしても膜中のキャリアー移動度は低下しない。従っ
て、キャリアーとなる酸素欠陥を増加させても移動度の
低下が起こることはない。
【００１１】この段階で成膜するＩＴＯ膜の厚みは所望
のシート抵抗値が得られる厚みとすれば良い。ただし、
酸素イオン濃度が１０モル％より小さいと酸素欠陥が多
くなり過ぎて吸収が大きくなるので透明電極としての役
割を果たせない。また、酸素イオン濃度が３０モル％よ
り大きくなるとキャリアー濃度が低下する。
のシート抵抗値が得られる厚みとすれば良い。ただし、
酸素イオン濃度が１０モル％より小さいと酸素欠陥が多
くなり過ぎて吸収が大きくなるので透明電極としての役
割を果たせない。また、酸素イオン濃度が３０モル％よ
り大きくなるとキャリアー濃度が低下する。
【００１２】本発明では、ターゲットをＡｒイオンビー
ムでスパッタし、かつ基板表面へのイオンビームアシス
トを複数のステップに分け、その第一段階で良質の結晶
を成長させて第二段階でキャリアー濃度の高い膜をエピ
タキシャル成長させることによってキャリアー濃度と移
動度の両方を高くすることによって上記の目的を達成す
るものである。
ムでスパッタし、かつ基板表面へのイオンビームアシス
トを複数のステップに分け、その第一段階で良質の結晶
を成長させて第二段階でキャリアー濃度の高い膜をエピ
タキシャル成長させることによってキャリアー濃度と移
動度の両方を高くすることによって上記の目的を達成す
るものである。
【００１３】
【作用】本発明によれば、成膜の初期に生成した結晶の
上にそのあとで付着した膜形成物質がエピタキシャル成
長して、通常では結晶性が悪くなるようなキャリアー濃
度の高い膜でも結晶性が良好な膜となって高いキャリア
ー移動度を維持できるので、抵抗率の低いＩＴＯからな
る透明導電膜が成膜できると考えられる。本発明によれ
ば、成膜時の基板温度が２００℃以下となっているの
で、カラーフィルター付き基板やプラスチック製基板上
への低抵抗のＩＴＯからなる透明導電膜の形成が可能と
なり、また密着性も向上する。
上にそのあとで付着した膜形成物質がエピタキシャル成
長して、通常では結晶性が悪くなるようなキャリアー濃
度の高い膜でも結晶性が良好な膜となって高いキャリア
ー移動度を維持できるので、抵抗率の低いＩＴＯからな
る透明導電膜が成膜できると考えられる。本発明によれ
ば、成膜時の基板温度が２００℃以下となっているの
で、カラーフィルター付き基板やプラスチック製基板上
への低抵抗のＩＴＯからなる透明導電膜の形成が可能と
なり、また密着性も向上する。
【００１４】
【実施例】本発明におけるメタルもしくは酸化物ターゲ
ットをイオンビームスパッタし、かつイオンビームアシ
ストを同時に行うという成膜方法は、デュアルイオンビ
ームスパッタ装置を用いて実施することができる。
ットをイオンビームスパッタし、かつイオンビームアシ
ストを同時に行うという成膜方法は、デュアルイオンビ
ームスパッタ装置を用いて実施することができる。
【００１５】以下に、本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図１は、本発明を実施するための真空成膜装
置の概略図であり、図１において、一体のアースされた
真空槽１は、真空ポンプ（図示せず）により排気されて
いる。この真空槽１の中央下部には、電気絶縁体２を介
してスパッタ用カソード３がある角度を持って傾斜して
配置され、このカソード３の上面にスパッタターゲット
であるＩＴＭ（Ｉｎ−Ｓｎ合金）もしくはＩＴＯ（Ｉｎ
2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 混合焼結体）４がボンディングされて
いる。
説明する。図１は、本発明を実施するための真空成膜装
置の概略図であり、図１において、一体のアースされた
真空槽１は、真空ポンプ（図示せず）により排気されて
いる。この真空槽１の中央下部には、電気絶縁体２を介
してスパッタ用カソード３がある角度を持って傾斜して
配置され、このカソード３の上面にスパッタターゲット
であるＩＴＭ（Ｉｎ−Ｓｎ合金）もしくはＩＴＯ（Ｉｎ
2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 混合焼結体）４がボンディングされて
いる。
【００１６】カソード３は、直流もしくは高周波電源５
にスイッチ６を介して接続されている。またスイッチ６
は、アースにも接続されている。真空槽１の下部には、
バルブ８を備えたガス供給管７が設けられ、この供給管
７を通じて酸素ガスや不活性ガスを供給できるようにな
っている。カソード３の対向する位置にはスパッタ用の
イオンガン９が設けられ、このイオンガン９はスイッチ
１０を介してイオンガン用電源１１に接続されている。
イオンガン９にはバルブ１２を備えたガス供給管１３が
設けられ、この管を通じて酸素ガスや不活性ガスが供給
できるようになっている。
にスイッチ６を介して接続されている。またスイッチ６
は、アースにも接続されている。真空槽１の下部には、
バルブ８を備えたガス供給管７が設けられ、この供給管
７を通じて酸素ガスや不活性ガスを供給できるようにな
っている。カソード３の対向する位置にはスパッタ用の
イオンガン９が設けられ、このイオンガン９はスイッチ
１０を介してイオンガン用電源１１に接続されている。
イオンガン９にはバルブ１２を備えたガス供給管１３が
設けられ、この管を通じて酸素ガスや不活性ガスが供給
できるようになっている。
【００１７】真空槽１の下部のカソード３の側方にはア
シスト用イオンガン１４が設けられ、スイッチ１５を介
してイオンガン用電源１６に接続されている。イオンガ
ン１３にはバルブ１７を備えたガス供給管１８が設けら
れ、この管を通じて酸素ガスや不活性ガスが供給できる
ようになっている。
シスト用イオンガン１４が設けられ、スイッチ１５を介
してイオンガン用電源１６に接続されている。イオンガ
ン１３にはバルブ１７を備えたガス供給管１８が設けら
れ、この管を通じて酸素ガスや不活性ガスが供給できる
ようになっている。
【００１８】真空槽１の上部には基板テーブル１９が設
けられ、中心軸２０の廻りを回転するようになってい
る。基板テーブル１９の上部にはヒーター２１が設けら
れ、基板テーブル１９を加熱できるようになっている。
基板テーブル１９には、カラーフィルター付ガラス基板
もしくはプラスチック製基板２２がセットされている。
イオンガン９，１４の前方にはそれぞれシャッター２
３，２４が設けられている。上記の状態で、以下の実験
を行った。
けられ、中心軸２０の廻りを回転するようになってい
る。基板テーブル１９の上部にはヒーター２１が設けら
れ、基板テーブル１９を加熱できるようになっている。
基板テーブル１９には、カラーフィルター付ガラス基板
もしくはプラスチック製基板２２がセットされている。
イオンガン９，１４の前方にはそれぞれシャッター２
３，２４が設けられている。上記の状態で、以下の実験
を行った。
【００１９】（実験例１）カソード３にＩＴＯターゲッ
トを取り付け、真空槽１内を５Ｅ−６Ｔｏｒｒ以下の圧
力に排気した後、カソード３をアース電位にしておき、
バルブ１２を開にしてアルゴンガスを導入し、真空槽１
内の圧力を１．５Ｅ−４Ｔｏｒｒに調節した。さらに、
ガス供給管１８のバルブ１７を開け、アルゴンと酸素２
の混合ガスを導入し、真空槽１内の圧力を２．５Ｅ−４
Ｔｏｒｒになるように調節した。ヒーター２１を用い
て、基板温度が１８０℃になるように調節し、基板テー
ブル１９を回転させた。
トを取り付け、真空槽１内を５Ｅ−６Ｔｏｒｒ以下の圧
力に排気した後、カソード３をアース電位にしておき、
バルブ１２を開にしてアルゴンガスを導入し、真空槽１
内の圧力を１．５Ｅ−４Ｔｏｒｒに調節した。さらに、
ガス供給管１８のバルブ１７を開け、アルゴンと酸素２
の混合ガスを導入し、真空槽１内の圧力を２．５Ｅ−４
Ｔｏｒｒになるように調節した。ヒーター２１を用い
て、基板温度が１８０℃になるように調節し、基板テー
ブル１９を回転させた。
【００２０】シャッター２３，２４を閉じておき、電源
１１，１６及びスイッチ１０，１５を閉じてイオンガン
９，１４を作動、調節した。シャッター２３，２４を開
けアルゴンイオンビームスパッタによる成膜を行うと同
時に酸素イオンビームによるアシストを行い、５ｎｍの
膜を形成した。次にそのまま連続的にアシスト用イオン
ガン１４への導入気体中にアルゴンを混合して行き、酸
素比率を２０％まで低下させ、引続き成膜して２００ｎ
ｍの膜を成膜した。このようにして形成したＩＴＯから
なる透明導電膜について、その面抵抗を四端子測定器で
測定し、膜厚を触針式膜厚計で測定したところ、抵抗率
が１．５×１０-4Ω・ｃｍの膜が得られた。
１１，１６及びスイッチ１０，１５を閉じてイオンガン
９，１４を作動、調節した。シャッター２３，２４を開
けアルゴンイオンビームスパッタによる成膜を行うと同
時に酸素イオンビームによるアシストを行い、５ｎｍの
膜を形成した。次にそのまま連続的にアシスト用イオン
ガン１４への導入気体中にアルゴンを混合して行き、酸
素比率を２０％まで低下させ、引続き成膜して２００ｎ
ｍの膜を成膜した。このようにして形成したＩＴＯから
なる透明導電膜について、その面抵抗を四端子測定器で
測定し、膜厚を触針式膜厚計で測定したところ、抵抗率
が１．５×１０-4Ω・ｃｍの膜が得られた。
【００２１】（実験例２）カソード３にＩＴＭターゲッ
トを取り付け、真空槽１内を５Ｅ−６Ｔｏｒｒ以下の圧
力に排気した後、カソード３をアース電位にしておき、
バルブ１２を開にしてアルゴンガスを導入し、真空槽１
内の圧力を１．５Ｅ−４Ｔｏｒｒに調節した。さらに、
ガス供給管１８のバルブ１７を開け、アルゴンと酸素２
の混合ガスを導入し、真空槽１内の圧力を２．５Ｅ−４
Ｔｏｒｒになるように調節した。ヒーター２１を用い
て、基板温度が１８０℃になるように調節し、基板テー
ブル１９を回転させた。
トを取り付け、真空槽１内を５Ｅ−６Ｔｏｒｒ以下の圧
力に排気した後、カソード３をアース電位にしておき、
バルブ１２を開にしてアルゴンガスを導入し、真空槽１
内の圧力を１．５Ｅ−４Ｔｏｒｒに調節した。さらに、
ガス供給管１８のバルブ１７を開け、アルゴンと酸素２
の混合ガスを導入し、真空槽１内の圧力を２．５Ｅ−４
Ｔｏｒｒになるように調節した。ヒーター２１を用い
て、基板温度が１８０℃になるように調節し、基板テー
ブル１９を回転させた。
【００２２】シャッター２３，２４を閉じておき、電源
１１，１６及びスイッチ１０，１５を閉じてイオンガン
９，１４を作動、調節した。シャッター２３，２４を開
けアルゴンイオンビームスパッタによる成膜を行うと同
時に酸素イオンビームによるアシストを行い、１０ｎｍ
の膜を形成した。次にそのまま連続的にアシスト用イオ
ンガン１４への導入気体中にアルゴンを混合して行き、
酸素比率を２５％まで低下させ、引続き成膜して２００
ｎｍの膜を成膜した。このようにして形成したＩＴＯ透
明導電膜について、面抵抗を四端子測定器で測定し、膜
厚を触針式膜厚計で測定したところ、抵抗率が１．７×
１０-4Ω・ｃｍの膜が得られた。
１１，１６及びスイッチ１０，１５を閉じてイオンガン
９，１４を作動、調節した。シャッター２３，２４を開
けアルゴンイオンビームスパッタによる成膜を行うと同
時に酸素イオンビームによるアシストを行い、１０ｎｍ
の膜を形成した。次にそのまま連続的にアシスト用イオ
ンガン１４への導入気体中にアルゴンを混合して行き、
酸素比率を２５％まで低下させ、引続き成膜して２００
ｎｍの膜を成膜した。このようにして形成したＩＴＯ透
明導電膜について、面抵抗を四端子測定器で測定し、膜
厚を触針式膜厚計で測定したところ、抵抗率が１．７×
１０-4Ω・ｃｍの膜が得られた。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
シスト用イオンガンから出射されるイオンビームが主と
して酸素イオンからなる第１段階では、酸化度が非常に
高く、したがって結晶性の高い膜ができ、次の酸素イオ
ンが主成分でない第２段階では、第１段階で形成された
膜を下地としてエピタキシャル成長し、キャリアー移動
度の低下のない低効率の低い膜が成膜される。
シスト用イオンガンから出射されるイオンビームが主と
して酸素イオンからなる第１段階では、酸化度が非常に
高く、したがって結晶性の高い膜ができ、次の酸素イオ
ンが主成分でない第２段階では、第１段階で形成された
膜を下地としてエピタキシャル成長し、キャリアー移動
度の低下のない低効率の低い膜が成膜される。
【００２４】このため、成膜時の基板温度を２００℃以
下としても、良好な特性を有するＩＴＯからなる透明導
電膜が得られ、したがってカラーフィルター付基板やプ
ラスチック製基板上へ低抵抗の透明導電膜を形成でき
る。
下としても、良好な特性を有するＩＴＯからなる透明導
電膜が得られ、したがってカラーフィルター付基板やプ
ラスチック製基板上へ低抵抗の透明導電膜を形成でき
る。
【図１】本発明の方法を実施するための装置の一例を示
す断面図である。
す断面図である。
４ ＩＴＯもしくはＩＴＭターゲット ９ スパッタ用イオンガン １４ アシスト用イオンガン １９ 基板テーブル ２１ 基板加熱用ヒーター ２２ ＣＦ付ガラス基板もしくはプラスチック製基板
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩｎにＳｎをドープした金属ターゲッ
ト、もしくはＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 をドープした焼結体
ターゲットを用いて基板上にＩＴＯからなる透明導電膜
を形成する方法において、成膜中の基板面にアシスト用
のイオンガンを用いてイオンビームを照射しながらスパ
ッタ用のイオンガンを用いてイオンビームスパッタによ
る膜形成を行う際に、アシスト用のイオンガンから出射
されるイオンビームが主として酸素イオンからなる第一
段階と酸素イオンが主成分でない第二段階の少なくとも
ふたつの工程を含むことを特徴とする透明導電膜の形成
方法。 - 【請求項２】 前記第一段階において出射されるイオン
の９０モル％以上が酸素イオンであることを特徴とする
請求項１記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記第二段階において出射されるイオン
の１０モル％以上、３０モル％以下が酸素イオンである
ことを特徴とする請求項１記載の透明導電膜の形成方
法。 - 【請求項４】 前記第一段階において成膜されるＩＴＯ
からなる透明導電膜の膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下
であることを特徴とする請求項１，２または３記載の透
明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339111A JP2628591B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339111A JP2628591B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05171437A true JPH05171437A (ja) | 1993-07-09 |
| JP2628591B2 JP2628591B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=18324369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3339111A Expired - Lifetime JP2628591B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628591B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6059937A (en) * | 1995-12-22 | 2000-05-09 | Korea Gas Corporation | Sensor having tin oxide thin film for detecting methane gas and propane gas, and process for manufacturing thereof |
| US6703130B2 (en) | 2001-09-07 | 2004-03-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Substrate coated with transparent conductive film and manufacturing method thereof |
| US7309405B2 (en) * | 2003-01-15 | 2007-12-18 | P & I Corp. | Method of forming ITO film |
| JP2010237637A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170974A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-14 | Fujitsu Ltd | イメ−ジセンサ及びその製造方法 |
| JPH0310066A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜の被覆方法 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3339111A patent/JP2628591B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170974A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-14 | Fujitsu Ltd | イメ−ジセンサ及びその製造方法 |
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| JP2010237637A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2628591B2 (ja) | 1997-07-09 |
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