JPH02232358A - 低抵抗透明導電膜の製造方法 - Google Patents
低抵抗透明導電膜の製造方法Info
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- JPH02232358A JPH02232358A JP1050086A JP5008689A JPH02232358A JP H02232358 A JPH02232358 A JP H02232358A JP 1050086 A JP1050086 A JP 1050086A JP 5008689 A JP5008689 A JP 5008689A JP H02232358 A JPH02232358 A JP H02232358A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- -1 O<-> Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3458—Electromagnets in particular for cathodic sputtering apparatus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、液晶ディスプレーの表示素子等に用いるＩｎ
−０或いはＩ ｎ−Ｓｎ−０系透明導電膜（ＩＴＯ膜と
称する）の製造方法およびその製造装置に関する。
−０或いはＩ ｎ−Ｓｎ−０系透明導電膜（ＩＴＯ膜と
称する）の製造方法およびその製造装置に関する。
（従来の技術）
従来、この種の透明導電膜の製造方法としては塗布法、
真空蒸着法、気相反応法、ＤＣ或いはＲＰ２極スパッタ
法、ＤＣ或いはＲＰマグネトロンスパッタ法等のスパッ
タ法等が知られているが、これらの製造方法のうちスパ
ッタ法は大型基板上に透明導電膜を均一に形成出来るた
め多く使われている。
真空蒸着法、気相反応法、ＤＣ或いはＲＰ２極スパッタ
法、ＤＣ或いはＲＰマグネトロンスパッタ法等のスパッ
タ法等が知られているが、これらの製造方法のうちスパ
ッタ法は大型基板上に透明導電膜を均一に形成出来るた
め多く使われている。
ところでスパッタ法においては透明導電膜の電気抵抗率
に影響を与える要因として基板温度と、酸素ガス分圧が
知られており、このうち基板温度については該温度が高
い程低い電気抵抗率の膜が得られることが分っており、
また酸素ガス分圧については該分圧が低い領域では酸素
空孔が多いためキャリャー密度が大きいが移動度が小さ
く、該分圧が高い領域ではキャリャー密度が小さくなる
代わりに移動度が大きくなるので、両者のかね合いで抵
抗率が極小値となる最適分圧があることが分っており、
従って従来のスパッタ法では基板温度と酸素ガス分圧の
夫々のバラメーターを調整して低電気抵抗率の透明導電
膜を形成していた。
に影響を与える要因として基板温度と、酸素ガス分圧が
知られており、このうち基板温度については該温度が高
い程低い電気抵抗率の膜が得られることが分っており、
また酸素ガス分圧については該分圧が低い領域では酸素
空孔が多いためキャリャー密度が大きいが移動度が小さ
く、該分圧が高い領域ではキャリャー密度が小さくなる
代わりに移動度が大きくなるので、両者のかね合いで抵
抗率が極小値となる最適分圧があることが分っており、
従って従来のスパッタ法では基板温度と酸素ガス分圧の
夫々のバラメーターを調整して低電気抵抗率の透明導電
膜を形成していた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら従来のスパッタ法では、例えば耐熱温度が
１６０〜２０σ℃程度と低いカラーフィルタ材から成る
基板上に＋ＴＯ膜を形成するフルカラーＳＴＮ方式等基
板温度を高くすることが出来ない場合には、透明導電膜
の電気抵抗率を低下させるのには限度があった。
１６０〜２０σ℃程度と低いカラーフィルタ材から成る
基板上に＋ＴＯ膜を形成するフルカラーＳＴＮ方式等基
板温度を高くすることが出来ない場合には、透明導電膜
の電気抵抗率を低下させるのには限度があった。
また、連続的にスパッタを行っていると、ターゲットの
表面にＩｎＯという絶縁性酸化物が生成されて該表面が
黒色に変色（以下ターゲット黒化と称する）し、ターゲ
ット黒化の進行と共に、基板上に形成される透明導電膜
の電気抵抗率が上昇するので、長時間連続して多数枚の
基板上に透明導電膜を形成する場合は、電気抵抗率が徐
々に上昇して均一な電気抵抗率を備えた透明導電膜が得
られないという問題がある。
表面にＩｎＯという絶縁性酸化物が生成されて該表面が
黒色に変色（以下ターゲット黒化と称する）し、ターゲ
ット黒化の進行と共に、基板上に形成される透明導電膜
の電気抵抗率が上昇するので、長時間連続して多数枚の
基板上に透明導電膜を形成する場合は、電気抵抗率が徐
々に上昇して均一な電気抵抗率を備えた透明導電膜が得
られないという問題がある。
本発明は、前記問題点を解消した透明導ｔＳの製造方法
と、透明導電膜の製造装置を提供することを目的とする
。
と、透明導電膜の製造装置を提供することを目的とする
。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究した結果
、基板上に透明導電膜を形成する際、該透明導電膜の電
気抵抗率に影響を与える要因として前記基板温度、酸素
ガス分圧の他にスパッタ電圧が大きく影響することを知
見した。
、基板上に透明導電膜を形成する際、該透明導電膜の電
気抵抗率に影響を与える要因として前記基板温度、酸素
ガス分圧の他にスパッタ電圧が大きく影響することを知
見した。
本発明は前記知見に基づいてなされたものであって、本
発明の透明導電膜の製造方法は、Ｉ ｎ−０或いはＩｎ
−Ｓｎ−０を基本構成元素とする透明導電膜をスパッタ
法により形成する方法において、３５０Ｖ以下のスパッ
タ電圧でスパッタするようにしたことを特徴とする。
発明の透明導電膜の製造方法は、Ｉ ｎ−０或いはＩｎ
−Ｓｎ−０を基本構成元素とする透明導電膜をスパッタ
法により形成する方法において、３５０Ｖ以下のスパッ
タ電圧でスパッタするようにしたことを特徴とする。
スパッタ電圧を低下させるのには、一般的には放電イン
ピーダンス（ターゲット電圧／夕一ゲット電流）を低く
すればよく、例えば該放電インピーダンスはターゲット
表面の磁界強度に影響を受け易く、該磁界強度を増加さ
せるとプラズマ密度が大きくなり、その結果スパッタ電
圧が低下するので、ターゲット表面での平行磁界強度を
４０００ｅ以上に保持した状態でスパッタをすればよい
。
ピーダンス（ターゲット電圧／夕一ゲット電流）を低く
すればよく、例えば該放電インピーダンスはターゲット
表面の磁界強度に影響を受け易く、該磁界強度を増加さ
せるとプラズマ密度が大きくなり、その結果スパッタ電
圧が低下するので、ターゲット表面での平行磁界強度を
４０００ｅ以上に保持した状態でスパッタをすればよい
。
また、長時間連続してスパッタを行うと夕一ゲット表面
が黒化し、これに伴ってスパッタ電圧が上昇するので、
平行磁界強度を調整してスパッタ成膜中のスパッタ電圧
を一定に保持すればよい。
が黒化し、これに伴ってスパッタ電圧が上昇するので、
平行磁界強度を調整してスパッタ成膜中のスパッタ電圧
を一定に保持すればよい。
本発明で用いる基板上に形成する透明導電膜のターゲッ
トとしてはＩｎｓ Ｉｎ−Ｓｎ合金、１ｎの酸化物焼結
体、或いはＩｎ−Ｓｎ酸化物焼結体等が挙げられるが、
そのうちＩｎ−”Ｓｎ酸化物焼結体が基板上に透明膜を
長時間安定状態で形成するので好ましい。
トとしてはＩｎｓ Ｉｎ−Ｓｎ合金、１ｎの酸化物焼結
体、或いはＩｎ−Ｓｎ酸化物焼結体等が挙げられるが、
そのうちＩｎ−”Ｓｎ酸化物焼結体が基板上に透明膜を
長時間安定状態で形成するので好ましい。
また、スパッタガスとしては例えばアルゴンガス等の不
活性ガスに酸素ガスを添加した混合ガスが挙げられ、不
活性ガスにアルゴンガスを用いるときはその混合ガス圧
は一般には１０−’Ｔｏｒｒ台程度とし、酸素ガス分圧
は一般にはｌＯづＴｏｒｒ台程度とする。
活性ガスに酸素ガスを添加した混合ガスが挙げられ、不
活性ガスにアルゴンガスを用いるときはその混合ガス圧
は一般には１０−’Ｔｏｒｒ台程度とし、酸素ガス分圧
は一般にはｌＯづＴｏｒｒ台程度とする。
また、本発明の通明導電膜の製造装置は、真空室内に基
板とターゲット材とを対向させて設け、該基板と該ター
ゲット材との間に生ずるプラズマ放電により該基板上に
Ｉｎ−０或いはＩｎ−Ｓｏ−０を基本構成元素とする透
明導電膜を形成する装置において、ターゲット表面の磁
界強度を調整する電磁石を該ターゲットの裏面側に設け
ると共に、スパッタ電圧の変化に応じて電磁石への電流
を調整するコン１ローラを該電磁石川ＤＣ電源に接続し
たことを特徴とする。
板とターゲット材とを対向させて設け、該基板と該ター
ゲット材との間に生ずるプラズマ放電により該基板上に
Ｉｎ−０或いはＩｎ−Ｓｏ−０を基本構成元素とする透
明導電膜を形成する装置において、ターゲット表面の磁
界強度を調整する電磁石を該ターゲットの裏面側に設け
ると共に、スパッタ電圧の変化に応じて電磁石への電流
を調整するコン１ローラを該電磁石川ＤＣ電源に接続し
たことを特徴とする。
（作 用）
スパッタ法でＩｎ一〇或いはＩ ｎ−Ｓｎ−０を基本元
素とする透明導電膜を形成する過程において、夕一ゲッ
ト表面近傍において、ｏ−，ｏ２−ｌｎＯ一等の負イオ
ンが発生し、これらの負イオンはターゲット電圧が例え
ば−４００ｖの場合は４００ｅ■のエネルギーに加速さ
れて基板に突入するので、成膜中の透明導電膜にミクロ
的なダメージを発生させてしまう。このミクロ的ダメー
ジによってｉｎやＳｎの２価のイオンが発生し、アクセ
プターとして作用するためキャリャー密度が低下したり
、酸素空孔が潰されてキャリャー密度が低下することに
よって、電気抵抗率が上昇する。
素とする透明導電膜を形成する過程において、夕一ゲッ
ト表面近傍において、ｏ−，ｏ２−ｌｎＯ一等の負イオ
ンが発生し、これらの負イオンはターゲット電圧が例え
ば−４００ｖの場合は４００ｅ■のエネルギーに加速さ
れて基板に突入するので、成膜中の透明導電膜にミクロ
的なダメージを発生させてしまう。このミクロ的ダメー
ジによってｉｎやＳｎの２価のイオンが発生し、アクセ
プターとして作用するためキャリャー密度が低下したり
、酸素空孔が潰されてキャリャー密度が低下することに
よって、電気抵抗率が上昇する。
本発明によれば、３５０■以下のスパッタ電圧（ターゲ
ット電圧と同じ）でスパッタすることによって、基板に
突入する負イオンのエネルギーを低く押えて、透明導電
膜へのダメージを小さくする。
ット電圧と同じ）でスパッタすることによって、基板に
突入する負イオンのエネルギーを低く押えて、透明導電
膜へのダメージを小さくする。
（実施例）
以下添付図面に従って本発明の実施例について説明する
。
。
第１図は、透明導電膜の製造装置の１例を示すもので、
図中、１は真空室を示し、該真空室１は外部の真空ポン
プ等の適当な真空排気手段に接続される排気口２を介し
て内部の真空度を調節自在とすると共に、該真空室１に
連通されたガス導入管３から例えばアルゴンガスと酸素
ガスの混合ガスから成るスパッタガスを導入出来るよう
にした。該真空室１内には基板４とスパッタカソード５
とを対向配置し、該基板４の背後にこれを加熱するヒー
タ６を設けた。
図中、１は真空室を示し、該真空室１は外部の真空ポン
プ等の適当な真空排気手段に接続される排気口２を介し
て内部の真空度を調節自在とすると共に、該真空室１に
連通されたガス導入管３から例えばアルゴンガスと酸素
ガスの混合ガスから成るスパッタガスを導入出来るよう
にした。該真空室１内には基板４とスパッタカソード５
とを対向配置し、該基板４の背後にこれを加熱するヒー
タ６を設けた。
該スパッタカソード５のパッキングプレート７の前面に
ロウ材でボンディングしたターゲット８を配置し、また
該スパッタカソード５のパッキングプレート１の背後に
、電圧計を備えるプラズマ放電用のＤＣ電源９に接続さ
れる電磁石１０を収容したカソードケースｌ１を配置す
ると共に、該真空室１とカソードケースｌ１との間に前
記プラズマ放電用のＤＣ電源９を配置し、真空室１をア
ース電位にして、カソードケース１１に負電圧をかけて
真空室１内でＤＣマグネトロンスパッタを行な得るよう
にした。また、図示例ではプラズマ放電用のＤＣ電源９
と電磁石用ＤＣ？４源１２との間にコントローラ１３を
配置した。該コントローラ１３はプラズマ放電用のＤＣ
電源９から出力されるスパッタ電圧の変化に応じた変化
信号を受信し、この変化信号に応じて電磁石用ＤＣ電源
ｌ２の電流の大きさを調整してターゲット８の表面に発
生する磁界強度を２５００ｅ −１６０００ｅの範囲に
調整出来るようにした。
ロウ材でボンディングしたターゲット８を配置し、また
該スパッタカソード５のパッキングプレート１の背後に
、電圧計を備えるプラズマ放電用のＤＣ電源９に接続さ
れる電磁石１０を収容したカソードケースｌ１を配置す
ると共に、該真空室１とカソードケースｌ１との間に前
記プラズマ放電用のＤＣ電源９を配置し、真空室１をア
ース電位にして、カソードケース１１に負電圧をかけて
真空室１内でＤＣマグネトロンスパッタを行な得るよう
にした。また、図示例ではプラズマ放電用のＤＣ電源９
と電磁石用ＤＣ？４源１２との間にコントローラ１３を
配置した。該コントローラ１３はプラズマ放電用のＤＣ
電源９から出力されるスパッタ電圧の変化に応じた変化
信号を受信し、この変化信号に応じて電磁石用ＤＣ電源
ｌ２の電流の大きさを調整してターゲット８の表面に発
生する磁界強度を２５００ｅ −１６０００ｅの範囲に
調整出来るようにした。
尚、図中、１４は真空室１に接続したアース、１５は真
空室１とカソードケース１１との間に配置したテフロン
板から成る絶縁シート、１６はアースシールド、１７は
防着板である。
空室１とカソードケース１１との間に配置したテフロン
板から成る絶縁シート、１６はアースシールド、１７は
防着板である。
また、図示していないがターゲット８はカソードケース
１１内に設けた水冷手段によって冷却されている。
１１内に設けた水冷手段によって冷却されている。
次に透明導電膜の形成の具体的実施例につい？説明する
う 実験例１ 前記図示製造装置の真空室１内に光透過性ガラス（コー
ニング社製、ｋ ７０５９、大きさ２１０關Ｘ２１０ｍ
ｌ１）から成る基板４と、Ｉｎ２０３に１０ｗｔ％Ｓｎ
Ｏ■が混入した酸化物ターゲット８（大きさ１２５ ｍ
ｍ Ｘ ４０Ｂ ｍ＋ｓ）とを装着した。続いて真空室
１内を真空排気手段で排気口２を介して８Ｘ１０−６Ｔ
ｏｒｒ程度に設定した後、該真空室１内が５Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒとなるようにアルゴンガスと酸素ガスとから
成るスパツタガスをガス導入管３から真空室１内に導入
した。尚、この時の酸素ガス分圧は４ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒとした。また、基板４と夕−ゲット８との間隔は
８０ｍとした。
う 実験例１ 前記図示製造装置の真空室１内に光透過性ガラス（コー
ニング社製、ｋ ７０５９、大きさ２１０關Ｘ２１０ｍ
ｌ１）から成る基板４と、Ｉｎ２０３に１０ｗｔ％Ｓｎ
Ｏ■が混入した酸化物ターゲット８（大きさ１２５ ｍ
ｍ Ｘ ４０Ｂ ｍ＋ｓ）とを装着した。続いて真空室
１内を真空排気手段で排気口２を介して８Ｘ１０−６Ｔ
ｏｒｒ程度に設定した後、該真空室１内が５Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒとなるようにアルゴンガスと酸素ガスとから
成るスパツタガスをガス導入管３から真空室１内に導入
した。尚、この時の酸素ガス分圧は４ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒとした。また、基板４と夕−ゲット８との間隔は
８０ｍとした。
次に電磁石用ＤＣ電源ｌ２から電磁石１０への電流の大
きさをコントローラ１３で調整してターゲット８の表面
に発生する磁極間中心位置での平行磁界の強度即ちマグ
ネトロン磁場強度を２５００ｅから１８００ｏｅに変化
させながらＤＣマクネトロンスパッタを行い、スパッタ
初期時（ターゲット材表面が黒化していない状態の場合
即ちターゲット黒化前）と、４０時間経過後のスパッタ
時（夕−ゲソト材表面が黒化した状態の場合即ち夕一ゲ
ット黒化後）との夫々のスパッタ時におけるスパッタ電
圧を求めた。
きさをコントローラ１３で調整してターゲット８の表面
に発生する磁極間中心位置での平行磁界の強度即ちマグ
ネトロン磁場強度を２５００ｅから１８００ｏｅに変化
させながらＤＣマクネトロンスパッタを行い、スパッタ
初期時（ターゲット材表面が黒化していない状態の場合
即ちターゲット黒化前）と、４０時間経過後のスパッタ
時（夕−ゲソト材表面が黒化した状態の場合即ち夕一ゲ
ット黒化後）との夫々のスパッタ時におけるスパッタ電
圧を求めた。
そしてスパッタ電圧を各磁界強度（マグネトロン磁場強
度）毎に測定した。得られた測定結果を第２図に示す。
度）毎に測定した。得られた測定結果を第２図に示す。
第２図から明らかなように、スパッタ初期時、４０時間
経過後のスパッタ時のいずれの場合も磁界の強度が増加
するのに伴ってスパッタ電圧が減少することが確認され
た。但し、いずれの場合も磁界強度が９０００ｅを超す
とスパッタ電圧はそれ以上減少しない傾向を示した。
経過後のスパッタ時のいずれの場合も磁界の強度が増加
するのに伴ってスパッタ電圧が減少することが確認され
た。但し、いずれの場合も磁界強度が９０００ｅを超す
とスパッタ電圧はそれ以上減少しない傾向を示した。
従って、ターゲット表面の磁界強度を変化（第２図示に
おける矢印方向）させることによってスパッタ電圧を一
定にすることが出来る。
おける矢印方向）させることによってスパッタ電圧を一
定にすることが出来る。
また、ＤＣマグネトロンスパッタ法の代わりに１？Ｆマ
グネトロンスパッタ法でスパッタを行ったが、同様の結
果が得られた。
グネトロンスパッタ法でスパッタを行ったが、同様の結
果が得られた。
実験例２
前記図示製造装置の真空室１内に光透過性ガラス（コー
ニング社製、Ｎｏ．７０５９、大きさ２１０ｍｉＸ２１
０ｍｉ）から成る基［４と、Ｉｎ２０３にｌＯｖｔ％Ｓ
ｎＯｚが混入した酸化物ターゲット８（大きさ１２５
ａｎ Ｘ ４００ ｍｍ）とを装着した。続いて真空室
１内を真空排気手段で排気口２を介して８Ｘ１．０−６
Ｔｏｒｒ程度に設定した後、該真空室１内が５Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒとなるようにアルゴンガスと酸素ガスとか
ら成るスパッタガスをガス導入管３から真空室１内に導
入した。尚、基板４とターゲット８との間隔は８Ｄｍｒ
ｓとした。
ニング社製、Ｎｏ．７０５９、大きさ２１０ｍｉＸ２１
０ｍｉ）から成る基［４と、Ｉｎ２０３にｌＯｖｔ％Ｓ
ｎＯｚが混入した酸化物ターゲット８（大きさ１２５
ａｎ Ｘ ４００ ｍｍ）とを装着した。続いて真空室
１内を真空排気手段で排気口２を介して８Ｘ１．０−６
Ｔｏｒｒ程度に設定した後、該真空室１内が５Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒとなるようにアルゴンガスと酸素ガスとか
ら成るスパッタガスをガス導入管３から真空室１内に導
入した。尚、基板４とターゲット８との間隔は８Ｄｍｒ
ｓとした。
次にヒータ６で基板４の温度を室温（２５℃）、１８０
℃、４６０℃の各条件下に設定し、夫々の温度下で電磁
石用ＤＣ電源１２から電磁石１０への電流の大きさをコ
ントローラ１３で変化させながらターゲット８の表面に
発生する磁界強度を調整し、該磁界強度の調整に応じて
スパッタ電圧を変化させながらスパッタを行って基板４
上に厚さ１０００人のＩｎ−Ｓｎ−０系の透明導電膜を
形成した。
℃、４６０℃の各条件下に設定し、夫々の温度下で電磁
石用ＤＣ電源１２から電磁石１０への電流の大きさをコ
ントローラ１３で変化させながらターゲット８の表面に
発生する磁界強度を調整し、該磁界強度の調整に応じて
スパッタ電圧を変化させながらスパッタを行って基板４
上に厚さ１０００人のＩｎ−Ｓｎ−０系の透明導電膜を
形成した。
？、酸素ガス分圧は基板温度およびスパッタ電圧の各条
件に対して最適となるように調整した。
件に対して最適となるように調整した。
前記方法で形成された透明導電膜の電気抵抗率を各基板
温度のスパッタ電圧毎に測定した。、得られた測定結果
を第３図に示す。
温度のスパッタ電圧毎に測定した。、得られた測定結果
を第３図に示す。
第３図から明らかなように全ての基板温度においてスパ
ッタ電圧が低くなるに従って、透明導電膜の電気抵抗率
を低下させることが出来ることが確認された。
ッタ電圧が低くなるに従って、透明導電膜の電気抵抗率
を低下させることが出来ることが確認された。
また、ターゲットとして前言己１ｎ２０−３１こＳ口０
２を１０νｔ％混入した酸化物に代えてＩｎ２０３への
ＳｎＯ■の混入二がｌｏｖｔ％以外の組成とした酸化物
、また酸化物に代えて１０金属単独、Ｉｎ−Ｓｎ合金を
用いてスバソタを行ったところ同様の結果が得られた。
２を１０νｔ％混入した酸化物に代えてＩｎ２０３への
ＳｎＯ■の混入二がｌｏｖｔ％以外の組成とした酸化物
、また酸化物に代えて１０金属単独、Ｉｎ−Ｓｎ合金を
用いてスバソタを行ったところ同様の結果が得られた。
（発明の効果）
このように本発明の透明導電膜の製造方法によるときは
、３５０■以下のスパッタ電圧（ターゲット電圧と同し
）でスパッタするようにしだので、ターゲットをスパッ
タ法でスパッタさせて基板上に透明導電膜を形成させる
際、負イオンのエネルギーを低下させることが出来るか
ら、透明導電膜へのダメージを小さくすることが出来て
、基板の耐熱温度が低い材料であっても、基板上に電気
抵抗率が低い透明導電膜を形成することが出来る効果を
有する。
、３５０■以下のスパッタ電圧（ターゲット電圧と同し
）でスパッタするようにしだので、ターゲットをスパッ
タ法でスパッタさせて基板上に透明導電膜を形成させる
際、負イオンのエネルギーを低下させることが出来るか
ら、透明導電膜へのダメージを小さくすることが出来て
、基板の耐熱温度が低い材料であっても、基板上に電気
抵抗率が低い透明導電膜を形成することが出来る効果を
有する。
また、ターゲット表面での平行磁界強度を４０００ｅ以
上に保持した状態でスパッタする場合は、平行磁界強度
の調整のみによって、成膜中のスパッタ電圧を低くする
ことが出来るから電気抵抗率が低い透明導電膜を簡単に
形成することが出来る効果を有する。
上に保持した状態でスパッタする場合は、平行磁界強度
の調整のみによって、成膜中のスパッタ電圧を低くする
ことが出来るから電気抵抗率が低い透明導電膜を簡単に
形成することが出来る効果を有する。
また、前記平行磁界強度を調整してスパッタ成膜中のス
パッタ電圧を一定に保持することによって、長時間連続
してスパッタを行っても常に均一な電気抵抗率を有する
透明導電膜を連続して製造することが出来る効果をａす
る。
パッタ電圧を一定に保持することによって、長時間連続
してスパッタを行っても常に均一な電気抵抗率を有する
透明導電膜を連続して製造することが出来る効果をａす
る。
本発明の透明導電膜の製造装置によるときは、ターゲッ
ト表面の磁界強度を調整する電磁石を該ターゲットの裏
面側に設けると共に、スパッタ電圧の変化に応じて電磁
石への電流を調整するコントローラを該電磁石用ＤＣ電
源に接続するようにしたので、低いスパッタ電圧を一定
に保持することが出来るから、低い電気抵抗率を備える
透明導電膜を簡単に製造することが出来る効果を有する
。
ト表面の磁界強度を調整する電磁石を該ターゲットの裏
面側に設けると共に、スパッタ電圧の変化に応じて電磁
石への電流を調整するコントローラを該電磁石用ＤＣ電
源に接続するようにしたので、低いスパッタ電圧を一定
に保持することが出来るから、低い電気抵抗率を備える
透明導電膜を簡単に製造することが出来る効果を有する
。
第１図は本発明の透明導電膜の製造方法を実施するため
の製造装置の１例の截断面図、第２図はマグネトロン磁
場強度とスパッタ電圧変化との関係を示す特性図、第３
図は基板の各温度条件下におけるスパッタ電圧と電気抵
抗率変化との関係を示す特性図である。 １・・・真空室 ４・・・基 板８・・・ター
ゲット １０・・・電磁石１２・・・電磁石用ＤＣ
電源 ｌ３・・・コントローラ特 許 出 願 人
日本真空技術株式会社外３名 手続補正書 平成 年 月 日
の製造装置の１例の截断面図、第２図はマグネトロン磁
場強度とスパッタ電圧変化との関係を示す特性図、第３
図は基板の各温度条件下におけるスパッタ電圧と電気抵
抗率変化との関係を示す特性図である。 １・・・真空室 ４・・・基 板８・・・ター
ゲット １０・・・電磁石１２・・・電磁石用ＤＣ
電源 ｌ３・・・コントローラ特 許 出 願 人
日本真空技術株式会社外３名 手続補正書 平成 年 月 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｉｎ−Ｏ或いはＩｎ−Ｓｎ−Ｏを基本構成元素とす
る透明導電膜をスパッタ法で形成する方法において、３
５０Ｖ以下のスパッタ電圧でスパッタするようにしたこ
とを特徴とする透明導電膜の製造方法。 ２、ターゲット表面での平行磁界強度を４０００ｅ以上
に保持した状態でスパッタするようにしたことを特徴と
する請求項１に記載の透明導電膜の製造方法。 ３、前記平行磁界強度を調整してスパッタ成膜中のスパ
ッタ電圧を一定に保持するようにしたことを特徴とする
請求項２に記載の透明導電膜の製造方法。 ４、真空室内に基板とターゲットとを対向させて設け、
該基板と該ターゲットとの間に生ずるプラズマ放電によ
り該基板上にＩｎ−Ｏ或いはＩｎ−Ｓｎ−Ｏを基本構成
元素とする透明導電膜を形成する装置において、ターゲ
ット表面の磁界強度を調整する電磁石を該ターゲットの
裏面側に設けると共に、スパッタ電圧の変化に応じて電
磁石への電流を調整するコントローラを該電磁石用ＤＣ
電源に接続して設けたことを特徴とする透明導電膜の製
造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050086A JPH0772346B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
| KR1019890004384A KR930001782B1 (ko) | 1989-03-03 | 1989-04-03 | 투명 도전막의 제조방법 및 그 제조장치 |
| US07/524,768 US5116479A (en) | 1989-03-03 | 1990-05-17 | Process for producing transparent conductive film comprising indium oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050086A JPH0772346B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232358A true JPH02232358A (ja) | 1990-09-14 |
| JPH0772346B2 JPH0772346B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=12849221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050086A Expired - Lifetime JPH0772346B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5116479A (ja) |
| JP (1) | JPH0772346B2 (ja) |
| KR (1) | KR930001782B1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180476A (en) * | 1990-02-27 | 1993-01-19 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method for producing transparent conductive films |
| US5744011A (en) * | 1993-03-18 | 1998-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering apparatus and sputtering method |
| WO2009028372A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2009108420A (ja) * | 1999-07-16 | 2009-05-21 | Hoya Corp | 低抵抗ｉｔｏ薄膜及びその製造方法 |
| KR20150103710A (ko) | 2013-01-16 | 2015-09-11 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 투명 도전성 필름의 제조 방법 |
| US9562282B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-02-07 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
| US9570210B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-02-14 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
| US9805837B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-10-31 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3056200B1 (ja) * | 1999-02-26 | 2000-06-26 | 鐘淵化学工業株式会社 | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
| GB2361245A (en) * | 2000-04-14 | 2001-10-17 | Jk Microtechnology Ltd | High conductivity indium-tin-oxide films |
| JP2003239069A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜の製造方法及び装置 |
| KR20100044262A (ko) * | 2007-09-19 | 2010-04-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 태양전지의 제조방법 |
| JPWO2009038094A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2011-01-06 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法 |
| JP5555848B2 (ja) | 2008-05-15 | 2014-07-23 | 国立大学法人山口大学 | 薄膜作製用スパッタ装置及び薄膜作製方法 |
| US20090314631A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-24 | Angstrom Sciences, Inc. | Magnetron With Electromagnets And Permanent Magnets |
Citations (2)
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| JPS61260505A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| DE3112104A1 (de) * | 1981-03-27 | 1982-10-07 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von elektrisch leitfaehigen transparenten oxidschichten |
| DE3300525A1 (de) * | 1983-01-10 | 1984-07-12 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Targets fuer die kathodenzerstaeubung |
| US4500408A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and method of controlling sputter coating |
| US4500409A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter coating source for both magnetic and non magnetic target materials |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1050086A patent/JPH0772346B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-03 KR KR1019890004384A patent/KR930001782B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-05-17 US US07/524,768 patent/US5116479A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS59206050A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-21 | エクソン・リサ−チ・アンド・エンヂニアリング・コムパニ− | 変性ゼオライト触媒組成物およびスチレン形成のためのメタノ−ルによるトルエンのアルキル化法 |
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| US9562282B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-02-07 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
| US9570210B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-02-14 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
| US9624573B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-04-18 | Nitto Denko Corporation | Production method for transparent conductive film |
| US9805837B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-10-31 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900014916A (ko) | 1990-10-25 |
| US5116479A (en) | 1992-05-26 |
| JPH0772346B2 (ja) | 1995-08-02 |
| KR930001782B1 (ko) | 1993-03-13 |
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