JPH076411A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH076411A JPH076411A JP6057155A JP5715594A JPH076411A JP H076411 A JPH076411 A JP H076411A JP 6057155 A JP6057155 A JP 6057155A JP 5715594 A JP5715594 A JP 5715594A JP H076411 A JPH076411 A JP H076411A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速あるいは常時半導体レーザの光量制御が
可能で、かつ情報の破壊の恐れのない光記録媒体を提供
する。 【構成】 光記録媒体に情報を記録するためのトラツク
上で、かつ、情報の記録部（２４）と情報の記録部（２
４）との間のヘツダー部（２３）に前記半導体レーザの
光量制御を行うためのレーザ試射部を備える。
可能で、かつ情報の破壊の恐れのない光記録媒体を提供
する。 【構成】 光記録媒体に情報を記録するためのトラツク
上で、かつ、情報の記録部（２４）と情報の記録部（２
４）との間のヘツダー部（２３）に前記半導体レーザの
光量制御を行うためのレーザ試射部を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザから出た光
を光記録媒体に照射することで情報の記録・再生・消去
等を実行するための光記録媒体に関する。
を光記録媒体に照射することで情報の記録・再生・消去
等を実行するための光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光デイスク装置について、光磁気
デイスクシステムを例に挙げて説明する。
デイスクシステムを例に挙げて説明する。
【０００３】光磁気デイスクの既に公知の構造は、ガラ
ス基板等の基体上に希土類−鉄合金の非晶質薄膜をスパ
ッタリングにて成膜して膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を有する磁性膜を被覆して構成されるものであり、この
光磁気デイスクに対面させて半導体レーザビームを照射
する光学ヘッドを配置することで情報の記録・再生・消
去を行う光磁気デイスクシステムが構成される。
ス基板等の基体上に希土類−鉄合金の非晶質薄膜をスパ
ッタリングにて成膜して膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を有する磁性膜を被覆して構成されるものであり、この
光磁気デイスクに対面させて半導体レーザビームを照射
する光学ヘッドを配置することで情報の記録・再生・消
去を行う光磁気デイスクシステムが構成される。
【０００４】この光磁気デイスクシステムにおいて情報
の記録はレーザビームを約１μｍφ程度に集光したもの
を上記磁性膜面に照射して該磁性膜の温度を局所的に上
昇させてその温度上昇部分の保磁力を減少させ同時に外
部より補助磁場を印加することで磁化の向きを反転させ
て行う（消去も同様の方法で可能である）。また、記録
された情報の再生は記録された磁性膜面に記録時より弱
い光量の半導体レーザによる直線偏光を照射してその反
射した光の磁場の影響による偏光面の傾きを利用して光
の強弱に変え、それを光検出器で検出して行う。
の記録はレーザビームを約１μｍφ程度に集光したもの
を上記磁性膜面に照射して該磁性膜の温度を局所的に上
昇させてその温度上昇部分の保磁力を減少させ同時に外
部より補助磁場を印加することで磁化の向きを反転させ
て行う（消去も同様の方法で可能である）。また、記録
された情報の再生は記録された磁性膜面に記録時より弱
い光量の半導体レーザによる直線偏光を照射してその反
射した光の磁場の影響による偏光面の傾きを利用して光
の強弱に変え、それを光検出器で検出して行う。
【０００５】以上の構造から、半導体レーザには記録時
に高出力のレーザ光を、再生時に低出力のレーザ光を射
出する構成が必要となり、これらの２つのレベルの出力
を速やかなる手段により切り換えることが、その駆動装
置に要求される。
に高出力のレーザ光を、再生時に低出力のレーザ光を射
出する構成が必要となり、これらの２つのレベルの出力
を速やかなる手段により切り換えることが、その駆動装
置に要求される。
【０００６】また半導体レーザの光出力は温度特性を有
し、周囲温度によりそのしきい値電流値及びしきい値以
上の線形部分における傾きが変動するため、温度により
駆動電流値に対するレーザ発振の出力強度が変化する。
そのため記録時のレーザの高出力発振時に出力光強度が
変動し、記録媒体に対して情報の書き込み不足や過多を
生じさせ、システム全体の情報処理の誤り率が劣化し
た。このことは再生時のレーザの低出力発振時（情報の
再生時）においても同様で、出力光強度が変動すればそ
れは再生信号のＳ／Ｎ比の劣化として現れてくる。
し、周囲温度によりそのしきい値電流値及びしきい値以
上の線形部分における傾きが変動するため、温度により
駆動電流値に対するレーザ発振の出力強度が変化する。
そのため記録時のレーザの高出力発振時に出力光強度が
変動し、記録媒体に対して情報の書き込み不足や過多を
生じさせ、システム全体の情報処理の誤り率が劣化し
た。このことは再生時のレーザの低出力発振時（情報の
再生時）においても同様で、出力光強度が変動すればそ
れは再生信号のＳ／Ｎ比の劣化として現れてくる。
【０００７】以上の理由で高・低の両出力レベルにおい
てレーザ光を安定発振させることが必要不可欠であるこ
とが明白である。
てレーザ光を安定発振させることが必要不可欠であるこ
とが明白である。
【０００８】以上のことから、図５に示すような構成の
半導体レーザの光量制御装置が提案されている。同図の
装置は半導体レーザに駆動電流を供給する２つの電流源
が設けられ、記録媒体から情報を再生する場合は低出力
分電流源１による駆動電流Ｉ1のみにより半導体レーザ
４を駆動するものである。また記録媒体に情報を記録す
る際には、もう一つの電流源である高出力分電流源２か
らの駆動電流Ｉ2を駆動電流Ｉ1に付加することにより高
出力のレーザ光を得るものである。
半導体レーザの光量制御装置が提案されている。同図の
装置は半導体レーザに駆動電流を供給する２つの電流源
が設けられ、記録媒体から情報を再生する場合は低出力
分電流源１による駆動電流Ｉ1のみにより半導体レーザ
４を駆動するものである。また記録媒体に情報を記録す
る際には、もう一つの電流源である高出力分電流源２か
らの駆動電流Ｉ2を駆動電流Ｉ1に付加することにより高
出力のレーザ光を得るものである。
【０００９】ここで低出力分電流源１に対しては半導体
レーザ４の出力光の強度を光検知器５により検出し、プ
リアンプ６を通してサンプルホールド回路７に導入す
る。サンプルホールド回路７はホールドタイミング信号
Ｓ4がハイレベルの時はデータを保持し、ローレベルで
はデータをそのまま通過させる。このデータを基準電圧
源９と比較器８において比較し、ローパスフィルタ１０
を通過後の低域周波数成分をパワーアンプ１１に入力
し、低出力分電流源１の出力電流Ｉ1を制御する。ホー
ルドタイミング信号Ｓ4が常時ローレベルであれば、こ
の制御により低出力光強度は半導体レーザの温度特性に
関係なく常に一定に保持させることになる。なお、この
ような一定強度の出力光を得るための自動出力制御をＡ
ＰＣと呼ぶ。
レーザ４の出力光の強度を光検知器５により検出し、プ
リアンプ６を通してサンプルホールド回路７に導入す
る。サンプルホールド回路７はホールドタイミング信号
Ｓ4がハイレベルの時はデータを保持し、ローレベルで
はデータをそのまま通過させる。このデータを基準電圧
源９と比較器８において比較し、ローパスフィルタ１０
を通過後の低域周波数成分をパワーアンプ１１に入力
し、低出力分電流源１の出力電流Ｉ1を制御する。ホー
ルドタイミング信号Ｓ4が常時ローレベルであれば、こ
の制御により低出力光強度は半導体レーザの温度特性に
関係なく常に一定に保持させることになる。なお、この
ような一定強度の出力光を得るための自動出力制御をＡ
ＰＣと呼ぶ。
【００１０】次に高出力発振時（情報記録時）にはまず
ホールドタイミング信号Ｓ4をハイレベルにして、デー
タを保持する。すなわちＡＰＣを凍結させる。アンドゲ
ート２０においてホールドタイミング信号Ｓ4を利用し
て、記録時のみ記録データ信号ＳDをスイッチング回路
１９に送る。記録データ信号ＳDに従って、高出力分電
流（記録電流）Ｉ2が低出力分電流Ｉ1に付加され、媒体
への記録が行われる。ＡＰＣを凍結させるのは高出力発
振に応答して出力強度を下げてしまうのを避けるためで
ある。凍結時間を半導体レーザの温度特性の変化の時間
と比べて十分小さくすることによってＡＰＣは実用上差
し支えなく作動する。
ホールドタイミング信号Ｓ4をハイレベルにして、デー
タを保持する。すなわちＡＰＣを凍結させる。アンドゲ
ート２０においてホールドタイミング信号Ｓ4を利用し
て、記録時のみ記録データ信号ＳDをスイッチング回路
１９に送る。記録データ信号ＳDに従って、高出力分電
流（記録電流）Ｉ2が低出力分電流Ｉ1に付加され、媒体
への記録が行われる。ＡＰＣを凍結させるのは高出力発
振に応答して出力強度を下げてしまうのを避けるためで
ある。凍結時間を半導体レーザの温度特性の変化の時間
と比べて十分小さくすることによってＡＰＣは実用上差
し支えなく作動する。
【００１１】さて以上の光デイスク装置における情報記
録時の発振動作制御の特徴は、半導体レーザの温度特性
において発振しきい値のみが変動し、半導体レーザの駆
動電流−光出力カーブにおけるしきい値以上の線形部分
の傾きは変化しない、という前提条件の下で制御してい
る点である。
録時の発振動作制御の特徴は、半導体レーザの温度特性
において発振しきい値のみが変動し、半導体レーザの駆
動電流−光出力カーブにおけるしきい値以上の線形部分
の傾きは変化しない、という前提条件の下で制御してい
る点である。
【００１２】このことを図６を用いて以下に説明する。
同図で周囲温度の違いにより、状態ＡとＢの２つの光出
力カーブが存在するものと考える。まず状態Ａでは低出
力光強度Ｐ1に対して低出力分電流源より駆動電流Ｉ
1（Ａ）が出力される。周囲温度が変化してしきい値の
みが変化し状態Ａから状態Ｂへ移ったとする。するとＡ
ＰＣにより低出力光強度Ｐ1を一定に保とうとする制御
が働き、低出力分電流源からの駆動電流はＩ1（Ａ）か
らＩ1（Ｂ）に変化する。そこで記録時に高出力分電流
源より定電流源Ｉ2を付加すれば、しきい値以上の線形
部分の傾きが一定であるから状態Ａにおいても状態Ｂに
おいても一定の高出力光強度Ｐ1＋Ｐ2が得られる。すな
わち低出力光強度のＡＰＣを行えば、高出力光強度に対
するＡＰＣも同時に疑似的に実現されるはずである。
同図で周囲温度の違いにより、状態ＡとＢの２つの光出
力カーブが存在するものと考える。まず状態Ａでは低出
力光強度Ｐ1に対して低出力分電流源より駆動電流Ｉ
1（Ａ）が出力される。周囲温度が変化してしきい値の
みが変化し状態Ａから状態Ｂへ移ったとする。するとＡ
ＰＣにより低出力光強度Ｐ1を一定に保とうとする制御
が働き、低出力分電流源からの駆動電流はＩ1（Ａ）か
らＩ1（Ｂ）に変化する。そこで記録時に高出力分電流
源より定電流源Ｉ2を付加すれば、しきい値以上の線形
部分の傾きが一定であるから状態Ａにおいても状態Ｂに
おいても一定の高出力光強度Ｐ1＋Ｐ2が得られる。すな
わち低出力光強度のＡＰＣを行えば、高出力光強度に対
するＡＰＣも同時に疑似的に実現されるはずである。
【００１３】しかし上記の従来の光デイスク装置では高
出力強度を一定に保つことができない。なぜならば半導
体レーザの駆動電流−光出力におけるしきい値以上の線
形部分における傾きはレーザの経時変化及び周囲温度に
よって変化してしまうからである。すなわち、高出力分
の第２の電流源２による一定電流Ｉ2のみの付加では、
上記の理由により高出力光強度Ｐ2は変化してしまい、
結果的に良好な記録（消去）特性を得ることはできな
い。
出力強度を一定に保つことができない。なぜならば半導
体レーザの駆動電流−光出力におけるしきい値以上の線
形部分における傾きはレーザの経時変化及び周囲温度に
よって変化してしまうからである。すなわち、高出力分
の第２の電流源２による一定電流Ｉ2のみの付加では、
上記の理由により高出力光強度Ｐ2は変化してしまい、
結果的に良好な記録（消去）特性を得ることはできな
い。
【００１４】したがって、所定の高出力光強度を得るた
めに高出力分電流源２の出力電流値Ｉ2を、低出力分電
流源とは別個に制御する必要がある。また、この制御の
方法も低出力光強度のＡＰＣと同様、半導体レーザの温
度特性変化よりも十分小さい時間間隔で常時制御すれ
ば、高出力発振から次の高出力発振までの時間間隔が温
度特性変化を招くぐらい長くとも、瞬時に安定した高出
力発振が得られることになり好ましい。
めに高出力分電流源２の出力電流値Ｉ2を、低出力分電
流源とは別個に制御する必要がある。また、この制御の
方法も低出力光強度のＡＰＣと同様、半導体レーザの温
度特性変化よりも十分小さい時間間隔で常時制御すれ
ば、高出力発振から次の高出力発振までの時間間隔が温
度特性変化を招くぐらい長くとも、瞬時に安定した高出
力発振が得られることになり好ましい。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上述の半導体レーザの
光量制御を行う場合、光デイスクの外周部や内周部とい
った情報を記録しない領域で行うと、光量制御のたびに
光ヘッドをデイスクの内側、外側へ移動しなければなら
ず、情報の記録再生を中止する必要があるという問題が
ある。
光量制御を行う場合、光デイスクの外周部や内周部とい
った情報を記録しない領域で行うと、光量制御のたびに
光ヘッドをデイスクの内側、外側へ移動しなければなら
ず、情報の記録再生を中止する必要があるという問題が
ある。
【００１６】また、情報の記録部において行うと、情報
を破壊する恐れがあるという問題がある。
を破壊する恐れがあるという問題がある。
【００１７】そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みて
なされたものであり、高速あるいは常時半導体レーザの
光量制御が可能で、かつ情報の破壊の恐れのない光記録
媒体を提供することを目的とする。
なされたものであり、高速あるいは常時半導体レーザの
光量制御が可能で、かつ情報の破壊の恐れのない光記録
媒体を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本願発明は半導体レーザからの光を照射して情報の
記録、再生、消去を行うための光記録媒体において、前
記光記録媒体に情報を記録するためのトラツク上で、か
つ、情報の記録部と情報の記録部との間に前記半導体レ
ーザの光量制御を行うためのレーザ試射部を備えること
を特徴とする光記録媒体である。
め、本願発明は半導体レーザからの光を照射して情報の
記録、再生、消去を行うための光記録媒体において、前
記光記録媒体に情報を記録するためのトラツク上で、か
つ、情報の記録部と情報の記録部との間に前記半導体レ
ーザの光量制御を行うためのレーザ試射部を備えること
を特徴とする光記録媒体である。
【００１９】また、前記光記録媒体に情報を記録するた
めのトラツクがヘツダー部とデータ部とを有し、前記レ
ーザ試射部を前記ヘツダー部に設けることを特徴とする
光記録媒体である。
めのトラツクがヘツダー部とデータ部とを有し、前記レ
ーザ試射部を前記ヘツダー部に設けることを特徴とする
光記録媒体である。
【００２０】さらに、前記レーザ試射部を前記ヘツダー
部ごとに設けることを特徴とする光記録媒体である。
部ごとに設けることを特徴とする光記録媒体である。
【００２１】
【作用】高速あるいは常時半導体レーザの光量制御が可
能で、かつ情報の破壊の恐れがない。
能で、かつ情報の破壊の恐れがない。
【００２２】
【実施例】以下、本発明に係る光デイスク装置を光磁気
デイスク装置に適用した場合を例に挙げて詳細に説明す
る。
デイスク装置に適用した場合を例に挙げて詳細に説明す
る。
【００２３】図１は本発明の一実施例による光量制御装
置を示すブロック図である。図２は図１の装置の動作の
ための駆動電流−光出力カーブ及び波形図である。図３
はデイスクの構造を、また、図４は図１の装置に必要な
タイミング波形を示している。
置を示すブロック図である。図２は図１の装置の動作の
ための駆動電流−光出力カーブ及び波形図である。図３
はデイスクの構造を、また、図４は図１の装置に必要な
タイミング波形を示している。
【００２４】図１において半導体レーザ４は記録（消
去）、再生の動作に関して低出力分電流源１と高出力分
電流源２により駆動されるが、高出力光強度の制御のた
めに、試射を行う試射分電流源３が新たに設けられる。
つまり記録媒体から情報を再生する場合は低出力分電流
源１の出力電流Ｉ1のみを流し、情報を記録する場合は
高出力分電流源２の出力電流Ｉ2を、試射を行う場合は
試射分電流源３の出力電流Ｉ3を、それぞれ低出力分電
流Ｉ1に付加して半導体レーザを駆動する。なお、図５
に示した従来の光量制御装置と比較すると、高出力分電
流源２の出力電流Ｉ2を制御するループが新たに加えら
れている。
去）、再生の動作に関して低出力分電流源１と高出力分
電流源２により駆動されるが、高出力光強度の制御のた
めに、試射を行う試射分電流源３が新たに設けられる。
つまり記録媒体から情報を再生する場合は低出力分電流
源１の出力電流Ｉ1のみを流し、情報を記録する場合は
高出力分電流源２の出力電流Ｉ2を、試射を行う場合は
試射分電流源３の出力電流Ｉ3を、それぞれ低出力分電
流Ｉ1に付加して半導体レーザを駆動する。なお、図５
に示した従来の光量制御装置と比較すると、高出力分電
流源２の出力電流Ｉ2を制御するループが新たに加えら
れている。
【００２５】図１の光量制御装置において低出力発振時
の低出力分電流源１に対するＡＰＣは以下のようにして
実現される。まず半導体レーザ４の出力光の強度は光検
知器５により検出され、この検出出力はプリアンプ６を
通してサンプルホールド回路７に導入される。ここでサ
ンプルホールド回路７及び１３はホールドタイミング信
号Ｓ1、Ｓ4及びＳ3がハイレベルの時データを保持し、
ローレベルの時はデータをそのまま通過させる。次にサ
ンプルホールド回路７の出力は基準電圧源９の基準電圧
Ｖ1と比較器８において比較され、ローパスフイルタ１
０を通過して直接パワーアンプ１１に導入され、この出
力によって低出力分電流源１の出力電流Ｉ1は制御され
る。この制御により低出力光強度は半導体レーザの温度
特性に関係無く一定に保持される。
の低出力分電流源１に対するＡＰＣは以下のようにして
実現される。まず半導体レーザ４の出力光の強度は光検
知器５により検出され、この検出出力はプリアンプ６を
通してサンプルホールド回路７に導入される。ここでサ
ンプルホールド回路７及び１３はホールドタイミング信
号Ｓ1、Ｓ4及びＳ3がハイレベルの時データを保持し、
ローレベルの時はデータをそのまま通過させる。次にサ
ンプルホールド回路７の出力は基準電圧源９の基準電圧
Ｖ1と比較器８において比較され、ローパスフイルタ１
０を通過して直接パワーアンプ１１に導入され、この出
力によって低出力分電流源１の出力電流Ｉ1は制御され
る。この制御により低出力光強度は半導体レーザの温度
特性に関係無く一定に保持される。
【００２６】一方、高出力発振時の高出力電流源２に対
するＡＰＣは以下の様にして実現される。まずホールド
タイミング信号Ｓ1をハイレベルにして低出力発振時の
ＡＰＣ（サンプルホールド回路７）を凍結させる。次に
試射分電流源３の出力電流Ｉ3がスイツチング回路１２
に加わる試射信号Ｓ2のタイミングで低出力分電流Ｉ1に
付加され、この付加後の電流によって駆動され、半導体
レーザ４の試射が行われる。そしてこの試射出力の光強
度を光検知器５で検知しプリアンプ６を通してサンプル
ホールド回路１３に入力する。ここでホールドタイミン
グ信号Ｓ3によってデータが保持され、この出力Ｖ3と試
射分電流Ｉ3から割算器１４によって、半導体レーザの
しきい値からの駆動電流−光出力カーブの傾きと等価な
Ｖ3／Ｉ3が出力される。次に割算器１５においてこの値
と基準電圧源１６の出力Ｖ2を用いて駆動電流と等価な
Ｖ2／（Ｖ3／Ｉ3）が算出されローパスフイルタ１７を
通過してパワーアンプ１８に入力され、このパワーアン
プ１８の出力を用いて高出力分電流源２の出力電流値Ｉ
2を制御する。
するＡＰＣは以下の様にして実現される。まずホールド
タイミング信号Ｓ1をハイレベルにして低出力発振時の
ＡＰＣ（サンプルホールド回路７）を凍結させる。次に
試射分電流源３の出力電流Ｉ3がスイツチング回路１２
に加わる試射信号Ｓ2のタイミングで低出力分電流Ｉ1に
付加され、この付加後の電流によって駆動され、半導体
レーザ４の試射が行われる。そしてこの試射出力の光強
度を光検知器５で検知しプリアンプ６を通してサンプル
ホールド回路１３に入力する。ここでホールドタイミン
グ信号Ｓ3によってデータが保持され、この出力Ｖ3と試
射分電流Ｉ3から割算器１４によって、半導体レーザの
しきい値からの駆動電流−光出力カーブの傾きと等価な
Ｖ3／Ｉ3が出力される。次に割算器１５においてこの値
と基準電圧源１６の出力Ｖ2を用いて駆動電流と等価な
Ｖ2／（Ｖ3／Ｉ3）が算出されローパスフイルタ１７を
通過してパワーアンプ１８に入力され、このパワーアン
プ１８の出力を用いて高出力分電流源２の出力電流値Ｉ
2を制御する。
【００２７】以上のように高出力発振のためのＡＰＣが
実現された後、アンドゲート２０において、ホールドタ
イミング信号Ｓ4を記録可能信号として併用し、記録デ
ータ信号ＳDとを用いてスイツチング回路１９を動作さ
せ高出力分電流Ｉ2を低出力分電流Ｉ1に付加する。
実現された後、アンドゲート２０において、ホールドタ
イミング信号Ｓ4を記録可能信号として併用し、記録デ
ータ信号ＳDとを用いてスイツチング回路１９を動作さ
せ高出力分電流Ｉ2を低出力分電流Ｉ1に付加する。
【００２８】ここで以上の光量制御装置の駆動電流の制
御について図２を用いて説明する。図２において曲線
Ａ、Ｂで示すように半導体レーザのしきい値及びしきい
値からの駆動電流−光出力カーブの傾きは半導体レーザ
の温度特性及び経時変化によって変化する。低出力発振
時にはＡＰＣの作用で出力光強度Ｐ1を常に保持しよう
とするので、状態Ａでの駆動電流はＩ1（Ａ）であり、
状態ＢではＩ1（Ｂ）となる。また高出力発振時には低
出力光強度Ｐ1へ付加される高出力光強度Ｐ2を一定に保
持すればよい。すなわち高出力光強度Ｐ2を実現するた
めに高出力分電流源２の出力電流値は状態ＡではＩ
2（Ａ）であるが、状態ＢではＩ2（Ｂ）となる。
御について図２を用いて説明する。図２において曲線
Ａ、Ｂで示すように半導体レーザのしきい値及びしきい
値からの駆動電流−光出力カーブの傾きは半導体レーザ
の温度特性及び経時変化によって変化する。低出力発振
時にはＡＰＣの作用で出力光強度Ｐ1を常に保持しよう
とするので、状態Ａでの駆動電流はＩ1（Ａ）であり、
状態ＢではＩ1（Ｂ）となる。また高出力発振時には低
出力光強度Ｐ1へ付加される高出力光強度Ｐ2を一定に保
持すればよい。すなわち高出力光強度Ｐ2を実現するた
めに高出力分電流源２の出力電流値は状態ＡではＩ
2（Ａ）であるが、状態ＢではＩ2（Ｂ）となる。
【００２９】このように低出力発振時及び高出力発振時
の光強度を一定に保つためには、低出力電流源の出力電
流Ｉ1（Ａ）（Ｉ1（Ｂ））及び高出力電流源の出力電流
Ｉ2（Ａ）（Ｉ2（Ｂ））をそれぞれ制御する必要があ
る。
の光強度を一定に保つためには、低出力電流源の出力電
流Ｉ1（Ａ）（Ｉ1（Ｂ））及び高出力電流源の出力電流
Ｉ2（Ａ）（Ｉ2（Ｂ））をそれぞれ制御する必要があ
る。
【００３０】次に高出力電流源２の出力電流の制御につ
いて状態Ａのみについて以下に説明する。状態Ｂでも同
様である。まず試射分電流源３の出力電流Ｉ3（Ａ）を
低出力分電流Ｉ1（Ａ）に付加することによって試射分
の出力光強度Ｐ3（Ａ）が光検知器５で検知される。こ
れによりしきい値からの駆動電流−光出力カーブの傾き
Ｐ3（Ａ）／Ｉ3（Ａ）が判明する。高出力光強度Ｐ2を
得るためには次の条件を満足する高出力分電流Ｉ
2（Ａ）を低出力分電流Ｉ1（Ａ）に付加すればよい。
いて状態Ａのみについて以下に説明する。状態Ｂでも同
様である。まず試射分電流源３の出力電流Ｉ3（Ａ）を
低出力分電流Ｉ1（Ａ）に付加することによって試射分
の出力光強度Ｐ3（Ａ）が光検知器５で検知される。こ
れによりしきい値からの駆動電流−光出力カーブの傾き
Ｐ3（Ａ）／Ｉ3（Ａ）が判明する。高出力光強度Ｐ2を
得るためには次の条件を満足する高出力分電流Ｉ
2（Ａ）を低出力分電流Ｉ1（Ａ）に付加すればよい。
【００３１】
【数１】
【００３２】高出力分光強度Ｐ2と試射出力分光強度Ｐ3
（Ａ）に対する光検知器５の出力をそれぞれＶ2、Ｖ
3（Ａ）とすると、数１は次のように書き換えられる。
（Ａ）に対する光検知器５の出力をそれぞれＶ2、Ｖ
3（Ａ）とすると、数１は次のように書き換えられる。
【００３３】
【数２】
【００３４】従って、高出力分電流源２の出力電流値Ｉ
2（Ａ）は数２より数３となる。
2（Ａ）は数２より数３となる。
【００３５】
【数３】
【００３６】同様に状態Ｂでは数４の通りとなる。
【００３７】
【数４】
【００３８】数３、数４で示されたように基準電圧Ｖ2
と駆動電流−光り出力カーブの傾きＶ3（Ａ）／Ｉ
3（Ａ）（Ｖ3（Ｂ）／Ｉ3（Ｂ））のみによって高出力
発振時の駆動電流Ｉ2（Ａ）（Ｉ2（Ｂ））を制御するこ
とができる。
と駆動電流−光り出力カーブの傾きＶ3（Ａ）／Ｉ
3（Ａ）（Ｖ3（Ｂ）／Ｉ3（Ｂ））のみによって高出力
発振時の駆動電流Ｉ2（Ａ）（Ｉ2（Ｂ））を制御するこ
とができる。
【００３９】このように構成された本発明による半導体
レーザの光量制御装置の動作タイミングについて以下に
説明する。
レーザの光量制御装置の動作タイミングについて以下に
説明する。
【００４０】図３において光磁気デイスク円板２２上の
１トラツク当たりに複数のヘツダー部２３が存在する。
ヘツダー部２３へは情報の記録は行われない。試射はデ
ータ部２４とデータ部２４に挟まれたこのヘツダー部２
３ごとに行われる。また、このヘツダー部にはレーザ試
射部が設けられている。まず試射によって低出力分電流
源のＡＰＣが応答しないように、ヘツダー部２３では図
４に示すようにホールド信号Ｓ1の発生により低出力分
電流源１のＡＰＣを凍結させる。この凍結の間に試射信
号Ｓ2により試射を行い、この時の出力光強度のデータ
をホールドタイミング信号Ｓ3で保持する。以上のタイ
ミングによって常時高出力分電流源２の出力電流を制御
することができる。情報記録時は高出力発振が低出力分
電流源のＡＰＣに応答しないように、記録可能信号Ｓ4
がホールドタイミング信号Ｓ1と共にサンプルホールド
回路７に加えられる。そして記録データ信号ＳDによっ
て情報が書き込まれる。
１トラツク当たりに複数のヘツダー部２３が存在する。
ヘツダー部２３へは情報の記録は行われない。試射はデ
ータ部２４とデータ部２４に挟まれたこのヘツダー部２
３ごとに行われる。また、このヘツダー部にはレーザ試
射部が設けられている。まず試射によって低出力分電流
源のＡＰＣが応答しないように、ヘツダー部２３では図
４に示すようにホールド信号Ｓ1の発生により低出力分
電流源１のＡＰＣを凍結させる。この凍結の間に試射信
号Ｓ2により試射を行い、この時の出力光強度のデータ
をホールドタイミング信号Ｓ3で保持する。以上のタイ
ミングによって常時高出力分電流源２の出力電流を制御
することができる。情報記録時は高出力発振が低出力分
電流源のＡＰＣに応答しないように、記録可能信号Ｓ4
がホールドタイミング信号Ｓ1と共にサンプルホールド
回路７に加えられる。そして記録データ信号ＳDによっ
て情報が書き込まれる。
【００４１】以上の構成の光デイスク装置では、試射に
よる高出力分電流源のＡＰＣがヘツダー部２３ごとに行
われるので、高出力発振（情報記録）時には瞬時にして
安定した光出力強度の制御が行われる。
よる高出力分電流源のＡＰＣがヘツダー部２３ごとに行
われるので、高出力発振（情報記録）時には瞬時にして
安定した光出力強度の制御が行われる。
【００４２】以上の構成において試射分電流源３を半導
体レーザ４に対する第３の電流源として設けたが、この
試射分電流源３を別個に設けず、高出力分電流源２を一
時的に試射分電流源として用いることで部品点数の減少
化を図ることも可能である。
体レーザ４に対する第３の電流源として設けたが、この
試射分電流源３を別個に設けず、高出力分電流源２を一
時的に試射分電流源として用いることで部品点数の減少
化を図ることも可能である。
【００４３】
【発明の効果】本願発明によれば、光ヘッドがトラック
の横断を伴うアクセスを行わないため、情報の記録再生
を中止する必要がなく、高速に半導体レーザの光量制
御、あるいは常時半導体レーザの光量制御を行うことが
可能となる。また、情報領域の近傍で光量制御を行うの
で、記録パワー調整済みの適切な光量を瞬時に得ること
ができる上に、情報領域の情報を破壊することがない光
デイスクを提供することができる。
の横断を伴うアクセスを行わないため、情報の記録再生
を中止する必要がなく、高速に半導体レーザの光量制
御、あるいは常時半導体レーザの光量制御を行うことが
可能となる。また、情報領域の近傍で光量制御を行うの
で、記録パワー調整済みの適切な光量を瞬時に得ること
ができる上に、情報領域の情報を破壊することがない光
デイスクを提供することができる。
【図１】本発明の一実施例の光デイスク装置のブロック
図である。
図である。
【図２】本発明の光デイスク装置の動作を説明するため
の駆動電流−光出力カーブ及び波形を示す図である。
の駆動電流−光出力カーブ及び波形を示す図である。
【図３】本発明の光デイスクの構造を示す構造図であ
る。
る。
【図４】本発明の光デイスク装置の動作タイミングを示
す図である。
す図である。
【図５】従来の光デイスク装置のブロック図である。
【図６】従来の光デイスク装置の動作を説明するための
駆動電流−光出力カーブ及び波形を示す図である。
駆動電流−光出力カーブ及び波形を示す図である。
１ 低出力分電流源 ２ 高出力分電流源 ３ 試射分電流源 ４ 半導体レーザ ５ 光検知器 ６ プリアンプ ７ サンプルホールド回路 ８ 比較器 ９ 基準電圧源 １０ ローパスフィルタ １１ パワーアンプ １２ スイッチング回路 １３ サンプルホールド回路 １４、１５ 割算器 １６ 基準電圧源 １７ ローパスフィルタ １８ パワーアンプ １９ スイッチング回路 ２０ アンドゲート ２１ オアゲート ２２ デイスク ２３ ヘッダー部 ２４ データ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 11/10 ５８１ Ｄ 8935−5Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザからの光を照射して情報の
記録、再生、消去を行うための光記録媒体において、 前記光記録媒体に情報を記録するためのトラツク上で、
かつ、情報の記録部と情報の記録部との間に前記半導体
レーザの光量制御を行うためのレーザ試射部を備えるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記光記録媒体に情報を記録するための
トラツクがヘツダー部とデータ部とを有し、前記レーザ
試射部を前記ヘツダー部に設けることを特徴とする請求
項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記レーザ試射部を前記ヘツダー部ごと
に設けることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6057155A JP2524479B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6057155A JP2524479B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 光記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207987A Division JPS6266424A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 光量制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076411A true JPH076411A (ja) | 1995-01-10 |
| JP2524479B2 JP2524479B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=13047683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6057155A Expired - Lifetime JP2524479B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2524479B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393213B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 디스크 드라이브의 자동 파워 제어 장치 |
-
1994
- 1994-03-28 JP JP6057155A patent/JP2524479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393213B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 디스크 드라이브의 자동 파워 제어 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2524479B2 (ja) | 1996-08-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |