JPH0764114A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0764114A JPH0764114A JP23721293A JP23721293A JPH0764114A JP H0764114 A JPH0764114 A JP H0764114A JP 23721293 A JP23721293 A JP 23721293A JP 23721293 A JP23721293 A JP 23721293A JP H0764114 A JPH0764114 A JP H0764114A
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- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B2213/00—Viewfinders; Focusing aids for cameras; Means for focusing for cameras; Autofocus systems for cameras
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
せ、同時に放熱性を改良して温度上昇の影響を防止した
光電変換装置を搭載した液晶表示装置を提供する。 【構成】 基板109の上に金属層121を形成し、そ
の上にバイポーラ型トランジスタを形成し、該トランジ
スタのベース領域を深いベース118a及び浅いベース
118bからなる構成とし、上記深いベース118aと
上記金属層121をショットキー接合させてなる光電変
換素子を液晶パネルのTFT基板上に形成する。
Description
部と光電変換部を有するアクティブマトリクス型の液晶
表示装置に関するものである。
電圧を印加することにより該液晶の光学的性質を変化さ
せ、画像表示を行なう液晶素子は、CRTよりもコンパ
クトで高精細な表示装置として広く普及している。
集積することで、より多様な機能を有する装置が提案さ
れている。例えば、観察者の眼球に赤外光を照射し、そ
の赤外光を検知することにより、観察者の視線方向を検
知することができる。
ていた液晶表示装置と検出装置を一体化したものであ
り、カメラやビデオ装置の小型化に大きく寄与する。
置の構造を図7及び図8に示す。図中、101は光電変
換部、102は液晶表示部、103は基板、104は薄
膜トランジスタ(以下「TFT」と記す)、105は画
素電極、106はTFTのチャネル領域、107はソー
ス拡散層、108はドレイン拡散層、109は基板、1
10はゲート絶縁層、111はゲート電極、112、1
14〜116は絶縁層、113は電極、809は基板、
813は電極、812、814〜816は絶縁層、81
7はコレクタ、818はベース、819はエミッタであ
る。
パネルの平面模式図である。液晶表示パネルは、1枚の
半導体又はガラス等透明素材からなる基板103上に液
晶表示部102及び光電変換部101を有している。図
7に示したように、光電変換部を左右に一対配置してい
るが、必要に応じて一方のみ、或いは上下を含めた2対
配置される。各光電変換部は多数の光電変換素子を一列
配置したラインセンサー構造、又は2次元アレイ状に配
置したエリアセンサー構造が可能である。
表面が絶縁された半導体基板或いはガラス等透明絶縁素
材からなる基板109上に薄膜単結晶半導体をチャネル
領域106とするTFT104、TFT104のドレイ
ン拡散層108に接続されたITO等透明導電材からな
る画素電極105、TFT104のソース拡散層107
に接続され、画像信号が入力されるソース電極113、
TFTのゲート電極111よりなる。隣接するTFT間
は厚い絶縁層116で分離され、TFTの表面は多層の
絶縁層112、114、115で絶縁されている。本図
に示した基板と対向電極を有する基板(不図示)との間
に液晶を挟持し、液晶表示パネルが構成される。また、
階調性、画質を向上させるために、画素電極105の下
に接地された別の電極を設け、画素電極105との間に
保持容量を形成することもある。
4が2次元アレイ状に配置され、ゲート電極111間及
びソース電極113間を水平・垂直方向に接続してい
る。ゲート電極が接続された配線は走査線と呼ばれ、所
定のタイミングでTFTのチャネルをオン・オフする。
また画像信号はソース電極が接続された信号線に入力さ
れ、TFTがオンされると所定の画像信号が画素電極に
書き込まれる。この時の画素電位ともう一方の基板上の
対向電極の電位との差が液晶に印加される。液晶は印加
された電圧に応じて光透過率を変え、画像情報を表示す
る。
表面が絶縁された半導体基板又はガラス等絶縁性透明素
材からなる基板809上にはバイポーラ型トランジスタ
のコレクタ817、ベース818、エミッタ819が配
置され、エミッタは電極813により引き出され信号出
力を与える。隣接する光電変換素子間は厚い絶縁層81
6で分離され、表面は多層の絶縁層812、814、8
15により絶縁されている。この型の光電変換素子はB
ASIS(Base−Store TypeImage
Sensor)型と呼ばれ、入射光により発生した正
孔をベース818に蓄積し、その正孔数に比例した電子
電流をバイポーラトランジスタの増幅作用により出力す
るものである。BASISの動作原理の詳細は、例えば
IEEE Transactions on Elec
tron Devices Vol.36, No.
1, January 1989 pp.31−38
”A Novel Bipolar Imaging
Device withSelf−Noise Re
duction Capability” N.Tan
aka, T. Ohmi, Y. Nakamura
に記載されている。
搭載した液晶表示装置は、 薄膜シリコンの厚さを十分厚くできないため、入射光
の一部が薄膜シリコンを通過し、信号電荷量に損失を生
じてS/Nが低下してしまう。特に視線検知用センサー
の様に、検知すべき光の波長が長い場合、損失は大とな
る。 光電変換装置が絶縁層の上に形成されているために、
放熱性が著しく悪く、熱による温度上昇によって (1)光電変換装置の暗電流が増大し、S/Nが劣化す
る (2)トランジスタのオン抵抗が変化し、出力電圧が変
動する 等の問題があった。
決した表示装置であり、具体的には各画素毎にスイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを設けた第1の基板
と、第2の基板との間に液晶を挟持し、該第1の基板上
の表示部近傍に光電変換部を有するアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置であって、上記第1の基板と光電変
換部との間に、該光電変換部の少なくとも一部と重なる
金属層を設け、該光電変換部の半導体層と該金属層をシ
ョットキー結合したことを特徴とする液晶表示装置であ
る。
は、ベース蓄積型イメージセンサー(Base−Sto
re Type Image Sensor)や、電荷
結合素子(Change Coupled Devic
e)が好ましく用いられる。又、上記イメージセンサー
を用いた場合には、光電変換部は深さの異なる第1,第
2のベース領域を有し、深い方のベース領域が金属層と
接触した構成が好ましい。
説明する。
の液晶表示装置と液晶表示部の構成及び画像の動作方法
は同じである。よって、図7に示される液晶表示パネル
を有している。本実施例の光電変換部の断面を図1
(a)に示す。図中109は基板、112、114〜1
16は絶縁層、113は電極、117はコレクタ、11
8a、118bはベース、119はエミッタ、121は
金属層である。本実施例において、表面が絶縁された半
導体基板或いは透明絶縁素材からなる基板109上に
は、光電変換部のシリコンとショットキー接合を形成す
る金属層121が存在する。本実施例ではPt又はPt
Siを用いた。バイポーラ型トランジスタのベース領域
は、金属層121と接する深いベース118a及び深い
ベース118aと接し、金属層121には達していない
浅いベース118bよりなり、1016〜1018cm-3の
不純物濃度を有する。n型コレクタ117はベースを取
り囲み、金属層121と接する。浅いベース118b内
にはシリコン層表面に位置するn+ 型エミッタ119が
有り、エミッタ電極113が接続されている。隣接する
画素間はSiO2 の絶縁層116により絶縁され、シリ
コン層表面は酸化シリコンの層間絶縁層112、SiN
の層間絶縁層114、115により順次覆われ保護され
ている。
全く同じである。但し、金属層121と深いベース11
8aの存在により、以下の特徴を有する。
光電変換装置の発熱が金属層を通じて外部端子に放出さ
れるため、温度上昇が抑制される。
赤外光が金属層で反射され、再度光電変換信号に寄与す
る機会を得る。
より、基板に近い領域の電荷がより効率良くベース領域
に集まる。
2(a)はPtの電位をベース118aの電位をほぼ等
しくした場合の空乏層の広がり、図2(b)はPtの電
位をコレクタ117の電位とほぼ等しくした場合の空乏
層の広がりを示す。本発明に係る空乏層の広がりは図2
(b)であり、Ptをベース領域に対して正方向にバイ
アスすることにより、深いベース118aのうち、金属
層121に近い領域を空乏化させている。この領域に発
生した正孔は空乏層中の電界により、ベース領域に集ま
り易い構造になっている。従来構造では、この領域に発
生したキャリアの一部は隣接素子に拡散し、S/N劣化
の一因となっていた。本実施例では、電子・正孔対を発
生する機会を得るため、光電変換効率が向上する。
属層121により完全に反射され、ノイズを生じさせな
い。
述べる。
3に示す。先ず表面を5000〜10000Å酸化した
シリコン基板302を用意する(a)。金属層の必要な
部分の酸化膜を3000〜8000Å程度除去した後、
Pt,Co,Alなどn型シリコンとショットキー接合
を形成する金属を1000〜5000Å程度、スパッタ
法、CVD法などにより堆積する(b)。次に研磨によ
り厚い酸化膜301a上の金属層303を除去し、表面
を平坦にする(c)。酸化膜は研磨の際のストッパーと
なる。次にもう1枚のシリコン基板304を用意し、上
記研磨後のウエハと貼り合わせる(d)。貼り合わせた
後、金属層303の融点を越えない温度で熱処理を行な
うことで、貼り合わせ強度を向上させる。最後に研磨に
より、シリコン層を所望の厚さにまで薄膜化する。
する。表示部と光電変換部はシリコン層の厚さが異なる
ため、一旦薄い状態にしてから、エピタキシャル成長に
より光電変換部に必要な3〜5μmの厚さにしても、ま
た最初の厚みを3〜5μmにしてその後に表示部のみを
3000Å〜1μmまで薄膜化しても良い。
cm-3のn型シリコンとした。このシリコン層に初めに
深いベース領域118aをイオン注入及び熱拡散により
形成する。次に表示部のp型層(チャネル領域106)
及び浅いベース層118bをイオン注入及び熱拡散によ
り形成した。本実施例では表示部のp型層及び深いベー
ス層の濃度を1E16cm-3とし、浅いベース層濃度を
1E17cm-3としたが、それぞれ目的に応じ、1E1
5〜1E17cm-3、1E16〜1E18cm-3程度が
可能である。
膜116、を形成する。厚さは10000Åとした。次
にMOSFETのソース拡散層107、ドレイン拡散層
108のn+ 領域及びエミッタ119をイオン注入、熱
処理により形成した。注入ドーパントはPh+ 、注入量
は5E15cm-2としたが、ドーパントとしてAs+、
注入量は1E15〜1E16cm-2程度が可能である。
断面図ではソース、ドレインのn+ 層は基板109に達
しているが、必ずしもその必要はない。
ト酸化膜上にはポリシリコン電極を形成しておく。ソー
ス、ドレインのイオン注入は通常、ポリシリコンゲート
をセルフアラインにして注入される。CVD法でBPS
G膜(絶縁膜112)を7000Å程度堆積した後、コ
ンタクトホールを形成し、アルミ電極113を堆積、パ
ターニングする。
し、表示部には透明画素電極105を形成する。画素電
極105はドレイン108と直接コンタクトをとり、I
TO(Indium Tin Oxide)を使用して
形成した。最後にパッシベーション膜となるシリコン窒
化膜(絶縁層115)を形成する。
として、ELTRAN(Epitaxial Laye
r Transfer on Porous Sili
con)法がある。本方法では、図3(d)における第
2のシリコンウエハの代わりに、表面を5〜50μm多
孔質化したシリコンウエハ上にエピタキシャル層を形成
した基板(図4)が用いられる。本ウエハは、エピタキ
シャル層403側を貼り合わせた後、シリコン基板40
1、多孔質シリコン402を引き続きHFとH2 O2 の
混合液でエッチング除去して、膜厚が均一で品質の良い
エピタキシャル層を用いたSOI基板が得られる。TF
T及び光電変換部の製法は、前記第1の基板の場合と全
く同じである。
チャネルとするもの、ポリシリコンを再結晶化すること
で単結晶とするもの、或いはアモルファスシリコンをチ
ャネルとするもの等も効果は全く変わらない。
て、pチャネル型のもの、バイポーラトランジスタの導
電型として、pnp型のものも簡単な電圧の変更が必要
なだけで本発明の効果を何ら損なうことはない。
光電変換部の断面を示す。本実施例では、実施例1で形
成した深いベースを省いた構造になっている。本実施例
では、金属層によるベース領域への空乏層広がりがない
ため、クロストークは従来並みであるが、放熱効果、赤
外光の反射効果、裏面からの可視光に対する遮光効果は
実施例1と同様に得られる。また、深いベースを形成す
る工程が不要となり、トランジスタの構造は従来と同じ
ものが用いられるという利点がある。
光電変換部の断面図である。本実施例は光電変換部をC
CD(Charge Coupled Device)
とした。本CCDの基本構成及びその動作は例えば、
M.Yamagishi他によるIEEETrans,
Electron Devices,Ed−38,p
p.976(1991)に記載されている。本実施例で
は図6中のp−ウエルaに対し負バイアスを印加し、空
乏層が伸びないようにしておく。CCDの場合でも、金
属膜によりシリコンを通過する赤外光を反射し、再び光
電変換することができる。
想的な遮光膜を得ることができる。更に、CCDの発熱
はBASIS型光電変換装置に比べて10〜100倍大
きいが、この発熱を金属膜を介して外部に排出すること
ができた。本実施例では光電変換装置のS/N向上、出
力電圧の安定化が図れた。
装置においては、 光電変換部での発熱を排出し、温度上昇による暗電流
増大を防止し、 赤外光を反射し、再度シリコン層に入射させることに
より、光電変換効率をあげることができ、 ベース領域へのキャリアの収束を促し、クロストーク
を防止し、 金属層が裏面側からの外光、迷光となる可視光の理想
的な遮光膜を兼ねることができる。
換装置が形成され、しかもバックライト等で比較的高温
化に晒され易く且つ赤外光等の比較的長波長の光に対し
て高い検出感度を必要とする視線検知機能を具備する液
晶表示装置であっても上記視線検知機能を低下させるこ
となく安定して使用することができる。
る。
る。
ある。
を示す図である。
る。
る。
化したシステムは、カメラやビデオ装置の小型化に大き
く寄与するものである。
構造例を図7及び図8に示す。図中、101は光電変換
部、102は液晶表示部、103は基板、104は薄膜
トランジスタ(以下「TFT」と記す)、105は画素
電極、106はTFTのチャネル領域、107はソース
拡散層、108はドレイン拡散層、109は基板、11
0はゲート絶縁層、111はゲート電極、112、11
4〜116は絶縁層、113は電極、809は基板、8
13は電極、812、814〜816は絶縁層、817
はコレクタ、818はベース、819はエミッタであ
る。
おいては、例えば、 薄膜シリコンの厚さを十分厚くできないため、入射光
の一部が薄膜シリコンを通過し、信号電荷量に損失を生
じてS/Nが低下してしまう。特に視線検知用センサー
の様に、検知すべき光の波長が長い場合、損失は大とな
る。 光電変換装置が絶縁層の上に形成されているために、
放熱性が著しく悪く、熱による温度上昇によって (1)光電変換装置の暗電流が増大し、S/Nが劣化す
る。 (2)トランジスタのオン抵抗が変化し、出力電圧が変
動する。 等の問題を生じる場合があった。
Claims (4)
- 【請求項1】 各画素毎にスイッチング素子として薄膜
トランジスタを設けた第1の基板と、第2の基板との間
に液晶を挟持し、該第1の基板上の表示部近傍に光電変
換部を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置で
あって、上記第1の基板と光電変換部との間に、該光電
変換部の少なくとも一部と重なる金属層を設け、該光電
変換部の半導体層と該金属層をショットキー結合したこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 上記光電変換部はベース蓄積型イメージ
センサーであることを特徴とする請求項1に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項3】 上記光電変換部は深さの異なる第1,第
2のベース領域を有し、深い方のベース領域は金属層と
接触していることを特徴とする請求項2に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項4】 上記光電変換部は電荷結合素子であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23721293A JP3347423B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 液晶表示装置 |
DE69330709T DE69330709T2 (de) | 1992-12-28 | 1993-12-24 | Blickrichtungsdetektor und Kamera mit diesem Detektor |
EP93310577A EP0605246B1 (en) | 1992-12-28 | 1993-12-24 | Sight line detector and camera with the detector |
US08/955,279 US5873003A (en) | 1992-12-28 | 1997-10-21 | Sight line detector, display unit, view finder and unit and camera with the same display unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23721293A JP3347423B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
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JPH0764114A true JPH0764114A (ja) | 1995-03-10 |
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ID=17012051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20030037541A (ko) * | 2001-11-06 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2009016855A (ja) * | 2008-08-20 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
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-
1993
- 1993-08-31 JP JP23721293A patent/JP3347423B2/ja not_active Expired - Fee Related
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