JPH0760881B2 - 半導体装置の半田塗布方法 - Google Patents
半導体装置の半田塗布方法Info
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- JPH0760881B2 JPH0760881B2 JP1186635A JP18663589A JPH0760881B2 JP H0760881 B2 JPH0760881 B2 JP H0760881B2 JP 1186635 A JP1186635 A JP 1186635A JP 18663589 A JP18663589 A JP 18663589A JP H0760881 B2 JPH0760881 B2 JP H0760881B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の金属部に半田を塗布する半導体装
置の半田塗布方法に関する。
置の半田塗布方法に関する。
（従来の技術） 従来、電子回路に使用される実装基板や、被実装部品で
ある半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体等の半導
体装置には、実装前に予め半田が塗布されている。
ある半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体等の半導
体装置には、実装前に予め半田が塗布されている。
半田は実装基板や被実装部品の金属部に塗布され、実装
時に配線部の接合を容易に行なうことができるようにな
っている。
時に配線部の接合を容易に行なうことができるようにな
っている。
半田の塗布方法としては、半田メッキまたは半田槽への
浸漬（半田ディップ）が一般に行なわれている。
浸漬（半田ディップ）が一般に行なわれている。
しかしながら、これらの半田塗布方法によれば、いずれ
の場合も半田を所定の厚さでかつ均一に塗布することは
むずかしくなっている。このため、被実装部品を実装基
板に実装する際、フラックスを含有するクリーム半田を
再度実装基板の必要箇所に追加して塗布している。
の場合も半田を所定の厚さでかつ均一に塗布することは
むずかしくなっている。このため、被実装部品を実装基
板に実装する際、フラックスを含有するクリーム半田を
再度実装基板の必要箇所に追加して塗布している。
（発明が解決しようとする課題） 上述した半田の塗布方法は、半田メッキまたは半田ディ
ップのいずれの場合も湿式工程により行なわれるため、
使用済溶液を廃棄するために排水処理装置が必要とな
る。また半田を所定の厚さでかつ均一に塗布するために
は、高価な制御装置が必要となる。
ップのいずれの場合も湿式工程により行なわれるため、
使用済溶液を廃棄するために排水処理装置が必要とな
る。また半田を所定の厚さでかつ均一に塗布するために
は、高価な制御装置が必要となる。
なお、半田の塗布方法のうち、半田メッキの場合は、塗
布された半田の中に、半田以外の有機物を含むことがあ
る。このように他の有機物を含むと、その後の実装作業
に支障が生じる。
布された半田の中に、半田以外の有機物を含むことがあ
る。このように他の有機物を含むと、その後の実装作業
に支障が生じる。
一方、半田ディップにより塗布する場合、例えば被実装
部品のリード線のリードピッチが狭くなると（0.8mm程
度以下）、リード線間で塗布された半田によりブリッジ
が形成されることがある。
部品のリード線のリードピッチが狭くなると（0.8mm程
度以下）、リード線間で塗布された半田によりブリッジ
が形成されることがある。
また半田ディップにより塗布する場合、熱の影響で被実
装部品の半導体チップ等を劣化させることがある。
装部品の半導体チップ等を劣化させることがある。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、
所定の厚さでかつ均一に半田を塗布することができると
ともに、塗布作業を容易かつ低コストに行なうことがで
き、被塗布部品を傷めることのない半導体装置の半田塗
布方法を提供することを目的とする。
所定の厚さでかつ均一に半田を塗布することができると
ともに、塗布作業を容易かつ低コストに行なうことがで
き、被塗布部品を傷めることのない半導体装置の半田塗
布方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、表面にフラックスがコーティングされた多数
の粒状半田を形成し、この粒状半田を静電塗布法により
半導体装置の金属部に塗布することを特徴とする半導体
装置の半田塗布方法である。
の粒状半田を形成し、この粒状半田を静電塗布法により
半導体装置の金属部に塗布することを特徴とする半導体
装置の半田塗布方法である。
（作 用） 本発明によれば、静電塗布法により粒状半田を塗布する
ことにより、半導体装置の金属部に所定の厚さに均一に
半田を塗布することができる。
ことにより、半導体装置の金属部に所定の厚さに均一に
半田を塗布することができる。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明による半導体装置の半田塗布方法の一実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
本実施例において、半導体装置として、第１図に示すよ
うな半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用い
た。
うな半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用い
た。
この半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１は、リ
ードフレーム２に半導体チップ（図示せず）をマウント
し、この半導体チップおよび配線部回りをモールド樹脂
３で樹脂封止したものである。また、モールド樹脂３の
外方には、複数のリード線４が突出している。
ードフレーム２に半導体チップ（図示せず）をマウント
し、この半導体チップおよび配線部回りをモールド樹脂
３で樹脂封止したものである。また、モールド樹脂３の
外方には、複数のリード線４が突出している。
次に半田塗布方法について詳述する。
まず、粒径が数10μｍ〜数100μｍの多数の粒状半田を
用意し、この粒状半田の表面に有機系フラックスをコー
ティングする。このフラックスは半田の確実な接合を助
けるものである。
用意し、この粒状半田の表面に有機系フラックスをコー
ティングする。このフラックスは半田の確実な接合を助
けるものである。
続いて、第１図に示す半導体チップ樹脂封止済リードフ
レーム体１を接地して陽極とし、一方、塗布機（図示せ
ず）を陰極とし、両極間に高電圧を印加して静電場を形
成する。続いて、この静電場にフラックスがコーティン
グされた粒状半田を所定量霧状にして送込む。このよう
にして、半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の
金属部（モールド樹脂３を除いた部分）表面に粒状半田
が所定の厚さに均一に塗布される。この場合、モールド
樹脂３を被覆することにより、粒状半田を良好に塗布す
ることができる。
レーム体１を接地して陽極とし、一方、塗布機（図示せ
ず）を陰極とし、両極間に高電圧を印加して静電場を形
成する。続いて、この静電場にフラックスがコーティン
グされた粒状半田を所定量霧状にして送込む。このよう
にして、半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の
金属部（モールド樹脂３を除いた部分）表面に粒状半田
が所定の厚さに均一に塗布される。この場合、モールド
樹脂３を被覆することにより、粒状半田を良好に塗布す
ることができる。
続いて、半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の
塗布部分を半田溶融温度以上に加熱することにより、良
質の半田被膜を形成することができる。
塗布部分を半田溶融温度以上に加熱することにより、良
質の半田被膜を形成することができる。
このように半田被覆が形成された半導体チップ樹脂封止
済リードフレーム体１は、その後リード線４部分で破断
され、半導体チップを樹脂封止したモールド樹脂３側が
実装基板（図示せず）に実装される。
済リードフレーム体１は、その後リード線４部分で破断
され、半導体チップを樹脂封止したモールド樹脂３側が
実装基板（図示せず）に実装される。
本実施例によれば、所定量の粒状半田を静電塗布法によ
り半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の金属部
に塗布し、その後この塗布部分を加熱することにより、
所定の厚さでかつ均一な半田被覆を形成することができ
る。このため実装時に再度半田を塗布する必要はない。
また、従来のような湿式工程によらずに半田を塗布する
ことができるので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を
設ける必要はなく、製造コストの低減を図ることができ
る。
り半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の金属部
に塗布し、その後この塗布部分を加熱することにより、
所定の厚さでかつ均一な半田被覆を形成することができ
る。このため実装時に再度半田を塗布する必要はない。
また、従来のような湿式工程によらずに半田を塗布する
ことができるので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を
設ける必要はなく、製造コストの低減を図ることができ
る。
なお、上記実施例において、半導体装置として、半導体
チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用いた例を示し
たが、これに限らず例えば実装基板の金属部に半田を塗
布してもよい。
チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用いた例を示し
たが、これに限らず例えば実装基板の金属部に半田を塗
布してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、静電塗布法によ
り粒状半田を塗布することにより、半導体装置の金属部
に所定の厚さに均一に半田を塗布することができる。こ
のため、容易かつ確実な実装作業を行なうことができ
る。また湿式工程によらずに半田を塗布することができ
るので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を設ける必要
はなく、製造コストの低減を図ることができる。
り粒状半田を塗布することにより、半導体装置の金属部
に所定の厚さに均一に半田を塗布することができる。こ
のため、容易かつ確実な実装作業を行なうことができ
る。また湿式工程によらずに半田を塗布することができ
るので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を設ける必要
はなく、製造コストの低減を図ることができる。
第１図は本発明による半導体装置の半田塗布方法によっ
て塗布される半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体
を示す斜視図である。 １……半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体、２…
…リードフレーム、３……モールド樹脂、４……リード
線。
て塗布される半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体
を示す斜視図である。 １……半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体、２…
…リードフレーム、３……モールド樹脂、４……リード
線。
Claims (1)
- 【請求項１】表面にフラックスがコーティングされた多
数の粒状半田を形成し、この粒状半田を静電塗布法によ
り半導体装置の金属部に塗布することを特徴とする半導
体装置の半田塗布方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186635A JPH0760881B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置の半田塗布方法 |
| KR1019900010746A KR910003775A (ko) | 1989-07-19 | 1990-07-16 | 반도체장치의 땜납 도포방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186635A JPH0760881B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置の半田塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350853A JPH0350853A (ja) | 1991-03-05 |
| JPH0760881B2 true JPH0760881B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16192035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186635A Expired - Fee Related JPH0760881B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置の半田塗布方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760881B2 (ja) |
| KR (1) | KR910003775A (ja) |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
| US5556023A (en) * | 1992-10-30 | 1996-09-17 | Showa Denko K.K. | Method of forming solder film |
| JP2592757B2 (ja) * | 1992-10-30 | 1997-03-19 | 昭和電工株式会社 | はんだ回路基板及びその形成方法 |
| US5529682A (en) * | 1995-06-26 | 1996-06-25 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor devices having electroplated leads |
| KR970064335A (ko) * | 1996-02-01 | 1997-09-12 | 빈센트 비. 인그라시아 | 프린트된 와이어링 보드 단자상에 전도층을 형성하는 방법 및 장치 |
| JP4450578B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2010-04-14 | 東海東洋アルミ販売株式会社 | 接合方法及び接合装置 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1186635A patent/JPH0760881B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-16 KR KR1019900010746A patent/KR910003775A/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910003775A (ko) | 1991-02-28 |
| JPH0350853A (ja) | 1991-03-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |