JPH0350853A - 半導体装置の半田塗布方法 - Google Patents
半導体装置の半田塗布方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の金属部に半田を塗布する半導体装
置の半田塗布方法に関する。
置の半田塗布方法に関する。
（従来の技術）
従来、電子回路に使用される実装基数や、被実装部品で
ある半導体チップ樹脂対１１−済リードフレーム体等の
半導体装置には、実装前に予め半田か塗布されている。
ある半導体チップ樹脂対１１−済リードフレーム体等の
半導体装置には、実装前に予め半田か塗布されている。
半田は実装基板や被実装部品の金属部に塗布され、実装
時に配線部の接合を容易に行なうことかできるようにな
っている。
時に配線部の接合を容易に行なうことかできるようにな
っている。
半田の塗布方法としては、半田メツキまたは゛ト田槽へ
の浸漬（半田デイツプ）が一般に行なわれている。
の浸漬（半田デイツプ）が一般に行なわれている。
しかしながら、これらの半田塗布方法によれば、いずれ
の場合も半田を所定の厚さでかつ均一に塗布することは
むずかしくなっている。このため、被実装部品を実装基
板に実装する際、フラックスを含有するクリーム半田を
再度実装基板の必要箇所に追加して塗布している。
の場合も半田を所定の厚さでかつ均一に塗布することは
むずかしくなっている。このため、被実装部品を実装基
板に実装する際、フラックスを含有するクリーム半田を
再度実装基板の必要箇所に追加して塗布している。
（発明が解決しようとする課題）
上述した半田の塗布方法は、半田メツキまたは半田デイ
ツプのいずれの場合も湿式１程により行なわれるため、
使用済溶液を廃棄するために排水処理装置が必要となる
。また半田を所定の１９さてかつ均一に塗布するために
は、高価な制御装置つ・必要となる。
ツプのいずれの場合も湿式１程により行なわれるため、
使用済溶液を廃棄するために排水処理装置が必要となる
。また半田を所定の１９さてかつ均一に塗布するために
は、高価な制御装置つ・必要となる。
なお、半田の塗布方法のうち、半田メツキの場合は、塗
布された半田の中に、半田以外の有機物を含むことがあ
る。このように他の有機物を含むと、その後の実装作業
に支障か生じる。
布された半田の中に、半田以外の有機物を含むことがあ
る。このように他の有機物を含むと、その後の実装作業
に支障か生じる。
一方、半田デイツプにより塗布する場合、例えば被実装
部品のリード線のリードピッチが狭くなると（０，８＋
＋＋ｍ程度以下）、リード線間で塗布された半田により
ブリッジが形成されることがある。
部品のリード線のリードピッチが狭くなると（０，８＋
＋＋ｍ程度以下）、リード線間で塗布された半田により
ブリッジが形成されることがある。
また半田デイツプにより塗布する場合、熱の影響で被実
装部品の半導体チップ等を劣化させることがある。
装部品の半導体チップ等を劣化させることがある。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、
所定の厚さでかつ均一に半田を塗布することができると
ともに、塗布作業を容易かつ低コストに行なうことがで
き、被塗布部品を傷めることのない半導体装置の半田塗
布方法を提供することを目的とする。
所定の厚さでかつ均一に半田を塗布することができると
ともに、塗布作業を容易かつ低コストに行なうことがで
き、被塗布部品を傷めることのない半導体装置の半田塗
布方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、表面にフラックスがコーティングされた多数
の粒状土［１を形成し、この粒状土［１’ｌを静電塗布
法により半導体装置の金属部に塗布することを特徴とす
る半導体装置の半田塗布方法である。
の粒状土［１を形成し、この粒状土［１’ｌを静電塗布
法により半導体装置の金属部に塗布することを特徴とす
る半導体装置の半田塗布方法である。
（作 用）
本発明によれば、静電塗布法により粒状半田を塗布する
ことにより、半導体装置の金属部に所定の厚さに均一に
半田を塗布することかできる。
ことにより、半導体装置の金属部に所定の厚さに均一に
半田を塗布することかできる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による半導体装置の半田塗（ｈ方法の一
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
本実施例において、半導体装置として、第１図に示すよ
うな半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用い
た。
うな半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用い
た。
この半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１は、リ
ードフレーム２に半導体チップ（図示せず）をマウント
し、この半導体チップおよび配線部回りをモールド樹脂
３で樹脂封止したものである。また、モールド樹脂３の
外方には、複数のリード線４か突出している。
ードフレーム２に半導体チップ（図示せず）をマウント
し、この半導体チップおよび配線部回りをモールド樹脂
３で樹脂封止したものである。また、モールド樹脂３の
外方には、複数のリード線４か突出している。
次に半田塗布方法について詳述する。
まず、粒径が数１０μｍ〜数１００μｍの多数の粒状半
田を用意し、この粒状半田の表面にｆｒＦ８゜系フラッ
クスをコーティングする。このフラックスは半田の確実
な接合を助けるものである。
田を用意し、この粒状半田の表面にｆｒＦ８゜系フラッ
クスをコーティングする。このフラックスは半田の確実
な接合を助けるものである。
続いて、第１図に示す半導体チップ樹脂封１１ユ済リー
ドフレーム体１を接地して陽極とし、−ノｊ、塗布機（
図示せず）を陰極とし、両極間に高電圧を印加して静電
場を形成する。続いて、この静電場にフラックスがコー
ティングされた粒状ｆｍを所定量霧状にして送込む。こ
のようにして、半導体チップ樹脂封止済リードフレーム
体１の金属部（モールド樹脂３を除いた部分）表面に粒
状土ｉｌ＋が所定の厚さに均一に塗布される。この場合
、モールド樹脂３を被覆することにより、粒状土１１１
を良好に塗布することができる。
ドフレーム体１を接地して陽極とし、−ノｊ、塗布機（
図示せず）を陰極とし、両極間に高電圧を印加して静電
場を形成する。続いて、この静電場にフラックスがコー
ティングされた粒状ｆｍを所定量霧状にして送込む。こ
のようにして、半導体チップ樹脂封止済リードフレーム
体１の金属部（モールド樹脂３を除いた部分）表面に粒
状土ｉｌ＋が所定の厚さに均一に塗布される。この場合
、モールド樹脂３を被覆することにより、粒状土１１１
を良好に塗布することができる。
続いて、半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の
塗布部分を半田溶融温度以上に加熱することにより、良
質の半田被膜を形成することかてきる。
塗布部分を半田溶融温度以上に加熱することにより、良
質の半田被膜を形成することかてきる。
このように半田被覆が形成された半導体チップ樹脂封止
済リードフレーム体１は、その後リード線４部分て破断
され、半導体チップを樹脂対１にしたモールド樹脂３側
が実装基数（図示せず）に実装される。
済リードフレーム体１は、その後リード線４部分て破断
され、半導体チップを樹脂対１にしたモールド樹脂３側
が実装基数（図示せず）に実装される。
本実施例によれば、所定量の粒状半田を静電塗布法によ
り半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の金属部
に塗布し、その後この塗布部分を加熱することにより、
所定の厚さでかつ均一な半田被覆を形成することができ
る。このため実装時に再度半田を塗布する必要はない。
り半導体チップ樹脂封止済リードフレーム体１の金属部
に塗布し、その後この塗布部分を加熱することにより、
所定の厚さでかつ均一な半田被覆を形成することができ
る。このため実装時に再度半田を塗布する必要はない。
また、従来のような湿式１程によらずに半田を塗布する
ことかできるので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を
設ける必要はなく、製造コストの低減を図ることができ
る。
ことかできるので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を
設ける必要はなく、製造コストの低減を図ることができ
る。
なお、上記実施例において、半導体装置として、半導体
チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用いた例を示し
たが、これに限らす例えば実装基数の金属部に半田を塗
布してもよい。
チップ樹脂封止済リードフレーム体１を用いた例を示し
たが、これに限らす例えば実装基数の金属部に半田を塗
布してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、静ｉヒ塗布法に
より粒状半田を塗布することにより、半導体装置の金属
部に所定の厚さに均一に半田をｉ ／１＋することがで
きる。このため、容易かつ確実な実装作業を行なうこと
ができる。また湿式上程によらずに半田を塗布すること
かできるので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を設け
る必要はなく、製造コストの低減を図ることができる。
より粒状半田を塗布することにより、半導体装置の金属
部に所定の厚さに均一に半田をｉ ／１＋することがで
きる。このため、容易かつ確実な実装作業を行なうこと
ができる。また湿式上程によらずに半田を塗布すること
かできるので、排水処理装置等の特殊な付帯設備を設け
る必要はなく、製造コストの低減を図ることができる。
第１図は本発明による半導体装置の半ｌ」塗布方法によ
って塗布される半導体チップ樹脂封止済リードフレーム
体を示す斜視図である。 １・・・半導体チップ樹脂封１Ｌ済リードフレーム体、
２・・・リードフレーム、３・・・モールド樹脂、４・
・・リード線。
って塗布される半導体チップ樹脂封止済リードフレーム
体を示す斜視図である。 １・・・半導体チップ樹脂封１Ｌ済リードフレーム体、
２・・・リードフレーム、３・・・モールド樹脂、４・
・・リード線。
Claims (1)
- 表面にフラックスがコーティングされた多数の粒状半田
を形成し、この粒状半田を静電塗布法により半導体装置
の金属部に塗布することを特徴とする半導体装置の半田
塗布方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186635A JPH0760881B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置の半田塗布方法 |
| KR1019900010746A KR910003775A (ko) | 1989-07-19 | 1990-07-16 | 반도체장치의 땜납 도포방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186635A JPH0760881B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置の半田塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350853A true JPH0350853A (ja) | 1991-03-05 |
| JPH0760881B2 JPH0760881B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16192035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186635A Expired - Fee Related JPH0760881B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置の半田塗布方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760881B2 (ja) |
| KR (1) | KR910003775A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595343A2 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method of forming solder film |
| EP0751555A2 (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-02 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor devices having electroplated leads |
| EP0788300A1 (en) * | 1996-02-01 | 1997-08-06 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for forming a conductive layer on a printed wiring board terminal |
| US5928440A (en) * | 1992-10-30 | 1999-07-27 | Showa Denko K.K. | Method of forming solder film |
| JP2005046895A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Toyo Aluminum Shoji Kk | 接合方法及び接合装置 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1186635A patent/JPH0760881B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-16 KR KR1019900010746A patent/KR910003775A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595343A2 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method of forming solder film |
| EP0595343A3 (en) * | 1992-10-30 | 1994-06-08 | Showa Denko Kk | Method of forming solder film |
| US5928440A (en) * | 1992-10-30 | 1999-07-27 | Showa Denko K.K. | Method of forming solder film |
| EP0751555A2 (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-02 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor devices having electroplated leads |
| EP0751555A3 (en) * | 1995-06-26 | 1998-07-08 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor devices having electroplated leads |
| KR100479243B1 (ko) * | 1995-06-26 | 2005-08-01 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | 전기도금된리드를가진반도체장치의제조방법 |
| EP0788300A1 (en) * | 1996-02-01 | 1997-08-06 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for forming a conductive layer on a printed wiring board terminal |
| JP2005046895A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Toyo Aluminum Shoji Kk | 接合方法及び接合装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910003775A (ko) | 1991-02-28 |
| JPH0760881B2 (ja) | 1995-06-28 |
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|---|---|---|---|
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