JPH0758048A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH0758048A JPH0758048A JP5225071A JP22507193A JPH0758048A JP H0758048 A JPH0758048 A JP H0758048A JP 5225071 A JP5225071 A JP 5225071A JP 22507193 A JP22507193 A JP 22507193A JP H0758048 A JPH0758048 A JP H0758048A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐食性を有する排ガスが内管と外管の分離し
た下端部間を通ってマニホールドに接触することにより
生じる腐食を防止することができ、マニホールドの耐久
性の向上が図れる熱処理装置を提供する。 【構成】 金属製のマニホールド2上に耐熱耐食性を有
する内管3と外管4とを同心状に設ける。前記内管3内
に収容された被処理体13に加熱雰囲気下で下方から処
理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管3と外管4
との間を通して排気する。前記マニホールド2に接する
内管3の下端部と外管4の下端部との間に、シールガス
Sを噴出させるための所定の隙間34を形成する。これ
により前記マニホールド2に接する内管3と外管4の下
端部間がシールされ、腐食性を有する排ガスによるマニ
ホールド2の腐食が防止される。
た下端部間を通ってマニホールドに接触することにより
生じる腐食を防止することができ、マニホールドの耐久
性の向上が図れる熱処理装置を提供する。 【構成】 金属製のマニホールド2上に耐熱耐食性を有
する内管3と外管4とを同心状に設ける。前記内管3内
に収容された被処理体13に加熱雰囲気下で下方から処
理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管3と外管4
との間を通して排気する。前記マニホールド2に接する
内管3の下端部と外管4の下端部との間に、シールガス
Sを噴出させるための所定の隙間34を形成する。これ
により前記マニホールド2に接する内管3と外管4の下
端部間がシールされ、腐食性を有する排ガスによるマニ
ホールド2の腐食が防止される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体ウエハの製造においては、
CVD、酸化、拡散、アニールなどの処理を行うため
に、各種の熱処理装置が使用されている。この種の熱処
理装置としては、金属製のマニホールド上に耐熱耐食性
を有する内管及び外管からなる縦形の反応管を設け、こ
の反応管内に収容された被処理体たるウエハに加熱雰囲
気下で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前
記内管と外管との間を降下させて排気するようにしたも
のがある。この熱処理装置においては、前記処理ガスの
流れによりウエハに面内均一な処理が可能であること、
及び前記マニホールドに反応管との間の気密を図る構造
を容易に適用可能であることから、特に減圧下の熱処理
(例えば減圧CVD)に好適である。
CVD、酸化、拡散、アニールなどの処理を行うため
に、各種の熱処理装置が使用されている。この種の熱処
理装置としては、金属製のマニホールド上に耐熱耐食性
を有する内管及び外管からなる縦形の反応管を設け、こ
の反応管内に収容された被処理体たるウエハに加熱雰囲
気下で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前
記内管と外管との間を降下させて排気するようにしたも
のがある。この熱処理装置においては、前記処理ガスの
流れによりウエハに面内均一な処理が可能であること、
及び前記マニホールドに反応管との間の気密を図る構造
を容易に適用可能であることから、特に減圧下の熱処理
(例えば減圧CVD)に好適である。
【0003】ところで、前記熱処理装置においては、処
理ガスとして例えば酸素(O2)と腐食性を有する塩化
水素(HCl)を使用する熱処理の場合でも、乾燥状態
下の塩化水素自体は比較的不活性であること、及び処理
ガスを反応管内(具体的には内管内)の下方から上方へ
流すようになっていることから、内管内の下方の金属製
部材が腐食する問題はほとんどない。従って、その点で
は、特開平2−138730号公報に開示されているよ
うに反応管内に処理ガスを水平に流すようになっている
熱処理装置と異なり、内管内の下方の金属製部材に腐食
防止対策を施す必要性はそれ程ない。
理ガスとして例えば酸素(O2)と腐食性を有する塩化
水素(HCl)を使用する熱処理の場合でも、乾燥状態
下の塩化水素自体は比較的不活性であること、及び処理
ガスを反応管内(具体的には内管内)の下方から上方へ
流すようになっていることから、内管内の下方の金属製
部材が腐食する問題はほとんどない。従って、その点で
は、特開平2−138730号公報に開示されているよ
うに反応管内に処理ガスを水平に流すようになっている
熱処理装置と異なり、内管内の下方の金属製部材に腐食
防止対策を施す必要性はそれ程ない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記熱
処理装置においては、処理後の排ガスが例えば塩化水素
に湿気を含んで強い腐食性を有するようになる場合があ
り、この場合、腐食性を有する排ガス(腐食性生成物を
含む)が反応管の内管と外管との間を降下して排気され
る際に、反応管の内管と外管の下端部間を通ってマニホ
ールドに接触し、マニホールドが腐食する問題があっ
た。
処理装置においては、処理後の排ガスが例えば塩化水素
に湿気を含んで強い腐食性を有するようになる場合があ
り、この場合、腐食性を有する排ガス(腐食性生成物を
含む)が反応管の内管と外管との間を降下して排気され
る際に、反応管の内管と外管の下端部間を通ってマニホ
ールドに接触し、マニホールドが腐食する問題があっ
た。
【0005】なお、この腐食の問題を解決する手段とし
ては、前記反応管を内管と外管の下端部間がつながった
一体構造にすることが考えられるが、この場合、反応管
の製造、洗浄及び取扱いが困難になる問題があるため採
用し難い。
ては、前記反応管を内管と外管の下端部間がつながった
一体構造にすることが考えられるが、この場合、反応管
の製造、洗浄及び取扱いが困難になる問題があるため採
用し難い。
【0006】そこで、本発明の目的は、腐食性を有する
排ガスが内管と外管の分離した下端部間を通ってマニホ
ールドに接触することにより生じる腐食を防止すること
ができ、マニホールドの耐久性の向上が図れる熱処理装
置を提供することにある。
排ガスが内管と外管の分離した下端部間を通ってマニホ
ールドに接触することにより生じる腐食を防止すること
ができ、マニホールドの耐久性の向上が図れる熱処理装
置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、金属製のマニホールド上に耐熱
耐食性を有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管
内に収容された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理
ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間
を通して排気するようにした熱処理装置において、前記
マニホールドに接する内管の下端部と外管の下端部との
間に、シールガスを噴出させるための所定の隙間を形成
したことを特徴とする。
に、請求項1の発明は、金属製のマニホールド上に耐熱
耐食性を有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管
内に収容された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理
ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間
を通して排気するようにした熱処理装置において、前記
マニホールドに接する内管の下端部と外管の下端部との
間に、シールガスを噴出させるための所定の隙間を形成
したことを特徴とする。
【0008】また、請求項2の発明は、前記請求項1の
発明において、前記マニホールドが、偏平なリング状に
形成され、かつ前記外管の下側部には処理後のガスを排
気するための排気管部が形成されていることを特徴とす
る。
発明において、前記マニホールドが、偏平なリング状に
形成され、かつ前記外管の下側部には処理後のガスを排
気するための排気管部が形成されていることを特徴とす
る。
【0009】更に、請求項3の発明は、金属製のマニホ
ールド上に耐熱耐食性を有する内管と外管とを同心状に
設け、前記内管内に収容された被処理体に加熱雰囲気下
で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内
管と外管との間を通して排気するようにした熱処理装置
において、前記マニホールドに接する内管の下端部と外
管の下端部との間に、これらの間をシールするためのシ
ール部材を介設したことを特徴とする。
ールド上に耐熱耐食性を有する内管と外管とを同心状に
設け、前記内管内に収容された被処理体に加熱雰囲気下
で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内
管と外管との間を通して排気するようにした熱処理装置
において、前記マニホールドに接する内管の下端部と外
管の下端部との間に、これらの間をシールするためのシ
ール部材を介設したことを特徴とする。
【0010】
【作用】請求項1の発明によれば、マニホールドに接す
る内管と外管の分離した下端部間が、シールガスにより
シールされるため、腐食性を有する排ガスの接触によっ
て生じるマニホールドの腐食を防止することが可能であ
り、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
る内管と外管の分離した下端部間が、シールガスにより
シールされるため、腐食性を有する排ガスの接触によっ
て生じるマニホールドの腐食を防止することが可能であ
り、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
【0011】請求項2の発明によれば、マニホールドに
は排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを偏平
に形成することができるため、マニホールドの構造の簡
素化及び小形化が図れる。
は排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを偏平
に形成することができるため、マニホールドの構造の簡
素化及び小形化が図れる。
【0012】請求項3の発明によれば、マニホールドに
接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部材に
よりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接触に
よって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及び低
コストで防止することが可能である。
接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部材に
よりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接触に
よって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及び低
コストで防止することが可能である。
【0013】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【0014】図1は本発明に係る熱処理装置の一実施例
を示す断面図であり、本実施例の熱処理装置1は例えば
ステンレススチール製の偏平なリング状のマニホールド
2を図示しないベースプレート部に水平に備えている。
このマニホールド2の上面部には耐熱耐食性を有する例
えば石英製の内管3と外管4とが同心状に設けられ、こ
れら内管3と外管4とにより二重管構造の縦形の反応管
5が構成されている。この反応管5の内管3は、処理空
間6を形成するもので、前記マニホールド2の開口部2
aの内径とほぼ等しい内径に形成されている。
を示す断面図であり、本実施例の熱処理装置1は例えば
ステンレススチール製の偏平なリング状のマニホールド
2を図示しないベースプレート部に水平に備えている。
このマニホールド2の上面部には耐熱耐食性を有する例
えば石英製の内管3と外管4とが同心状に設けられ、こ
れら内管3と外管4とにより二重管構造の縦形の反応管
5が構成されている。この反応管5の内管3は、処理空
間6を形成するもので、前記マニホールド2の開口部2
aの内径とほぼ等しい内径に形成されている。
【0015】前記反応管5の外管4は、内管3との間に
排気通路としての環状の排気通路7を形成する内径に形
成され、この外管4の周囲には抵抗発熱線8を巻回した
加熱部9が設けられている。この加熱部9は、抵抗発熱
線8として例えば二ケイ化モリブデン(MoSi2)を
用いることにより反応管5内を100℃/分位で昇温可
能に構成されると共に、図示しない強制空冷手段により
50℃/分位で降温可能に構成されている。
排気通路としての環状の排気通路7を形成する内径に形
成され、この外管4の周囲には抵抗発熱線8を巻回した
加熱部9が設けられている。この加熱部9は、抵抗発熱
線8として例えば二ケイ化モリブデン(MoSi2)を
用いることにより反応管5内を100℃/分位で昇温可
能に構成されると共に、図示しない強制空冷手段により
50℃/分位で降温可能に構成されている。
【0016】前記マニホールド2の下面部には、昇降機
構10の昇降アーム11に設けられたステンレススチー
ル製の蓋体12が開閉可能に設けられ、この蓋体12上
には被処理体である半導体ウエハ13を所定間隔で多段
に保持するウエハボート14が保温筒15を介して載置
されている。前記蓋体12には、保温筒15を回転駆動
する回転機構16が設けられ、図2に示すように蓋体1
2の上面周縁部にはマニホールド2の下面部との間をシ
ールするための耐熱耐食性を有する例えばフッ素ゴム製
のOリング17a,17bが蟻溝18を介して同心状に
二重に装着されている。
構10の昇降アーム11に設けられたステンレススチー
ル製の蓋体12が開閉可能に設けられ、この蓋体12上
には被処理体である半導体ウエハ13を所定間隔で多段
に保持するウエハボート14が保温筒15を介して載置
されている。前記蓋体12には、保温筒15を回転駆動
する回転機構16が設けられ、図2に示すように蓋体1
2の上面周縁部にはマニホールド2の下面部との間をシ
ールするための耐熱耐食性を有する例えばフッ素ゴム製
のOリング17a,17bが蟻溝18を介して同心状に
二重に装着されている。
【0017】前記マニホールド2には、径方向に貫通す
る処理ガス供給通路19が周方向に複数設けられ、これ
ら処理ガス供給通路19の先端部にはマニホールド2の
開口部2a周縁部から立上がり反応管5の内管3下方か
ら上方へ向けて処理ガスを噴射供給するノズル20が接
続され、処理ガス供給通路19の基端部には図示しない
処理ガス供給源が接続されている。反応管5の外管4の
下側部には、外管4の天井に至った処理後の排ガスを内
管3と外管4の排気通路7を降下させて排気するための
排気管部21が設けられ、この排気管部21には減圧処
理排気系22と常圧処理排気系23が接続されている。
この減圧処理排気系22にはバルブ24、真空ポンプ2
5、除害装置26等が順に設けられ、常圧処理排気系2
3にはバルブ27、排ガス中の腐食性成分(例えばHC
l)の処理装置28等が順に設けられている。
る処理ガス供給通路19が周方向に複数設けられ、これ
ら処理ガス供給通路19の先端部にはマニホールド2の
開口部2a周縁部から立上がり反応管5の内管3下方か
ら上方へ向けて処理ガスを噴射供給するノズル20が接
続され、処理ガス供給通路19の基端部には図示しない
処理ガス供給源が接続されている。反応管5の外管4の
下側部には、外管4の天井に至った処理後の排ガスを内
管3と外管4の排気通路7を降下させて排気するための
排気管部21が設けられ、この排気管部21には減圧処
理排気系22と常圧処理排気系23が接続されている。
この減圧処理排気系22にはバルブ24、真空ポンプ2
5、除害装置26等が順に設けられ、常圧処理排気系2
3にはバルブ27、排ガス中の腐食性成分(例えばHC
l)の処理装置28等が順に設けられている。
【0018】一方、前記反応管5の内管3の下端部と外
管4の下端部とは分離され、内管3の下端部と外管4の
下端部とには前記マニホールド2の上面部に載置される
外向きのフランジ3a,4aがそれぞれ形成されてい
る。図2ないし図3に示すようにマニホールド2の上面
部には、この上面部に直接載置される内管3のフランジ
3aの外周を囲む位置決め突起部29が形成され、この
位置決め突起部29の外側には外管4のフランジ4aと
の間をシールするための例えばフッ素ゴム製のOリング
30a,30bが蟻溝31を介して同心状に二重に装着
されている。
管4の下端部とは分離され、内管3の下端部と外管4の
下端部とには前記マニホールド2の上面部に載置される
外向きのフランジ3a,4aがそれぞれ形成されてい
る。図2ないし図3に示すようにマニホールド2の上面
部には、この上面部に直接載置される内管3のフランジ
3aの外周を囲む位置決め突起部29が形成され、この
位置決め突起部29の外側には外管4のフランジ4aと
の間をシールするための例えばフッ素ゴム製のOリング
30a,30bが蟻溝31を介して同心状に二重に装着
されている。
【0019】また、マニホールド2の上面部における前
記Oリング30a,30bの外側には、外管4のフラン
ジ4aの外周を囲んでその水平移動を規制すると共に据
付高さ位置を規定する例えばテフロン製の断面L字状の
位置決めリング32が取付けられ、更にこの位置決めリ
ング32の外側には外管4のフランジ4aを固定するた
めの押え部材33がボルト締めにより取付けられてい
る。
記Oリング30a,30bの外側には、外管4のフラン
ジ4aの外周を囲んでその水平移動を規制すると共に据
付高さ位置を規定する例えばテフロン製の断面L字状の
位置決めリング32が取付けられ、更にこの位置決めリ
ング32の外側には外管4のフランジ4aを固定するた
めの押え部材33がボルト締めにより取付けられてい
る。
【0020】特に、前記内管3のフランジ3aの先端部
は、外管4のフランジの基部と若干ラップしており、内
管3のフランジ3aの先端部上面と、これと対向する外
管4のフランジ4aの基部下面との間にはシールガスS
を噴出させるための所定の隙間34が設けられている。
シールガスSとしては、例えば窒素(N2)ガス、アル
ゴン(Ar)ガス、ヘリウム(He)ガス等の不活性ガ
スが好ましく、中でも窒素(N2)ガスが好適である。
また、シールガスSは、前記隙間34から2リットル/
分位で噴出させることが好ましく、前記隙間34の幅と
しては、例えば5mm位が好ましい。前記内管3のフラ
ンジ3a上には、前記隙間34から噴出されるシールガ
スSを上方へ向けるための突部35が環状に形成され、
この突部35の内側には凹部36が環状に形成されてい
る。
は、外管4のフランジの基部と若干ラップしており、内
管3のフランジ3aの先端部上面と、これと対向する外
管4のフランジ4aの基部下面との間にはシールガスS
を噴出させるための所定の隙間34が設けられている。
シールガスSとしては、例えば窒素(N2)ガス、アル
ゴン(Ar)ガス、ヘリウム(He)ガス等の不活性ガ
スが好ましく、中でも窒素(N2)ガスが好適である。
また、シールガスSは、前記隙間34から2リットル/
分位で噴出させることが好ましく、前記隙間34の幅と
しては、例えば5mm位が好ましい。前記内管3のフラ
ンジ3a上には、前記隙間34から噴出されるシールガ
スSを上方へ向けるための突部35が環状に形成され、
この突部35の内側には凹部36が環状に形成されてい
る。
【0021】前記マニホールド2には、その上端面の二
重のOリング間17a,17b及び蓋体12の二重のO
リング30a,30b間を減圧して高シール性を得るた
めの減圧通路37a,37bが形成されると共に、前記
隙間34にシールガスSを供給するためのシールガス供
給通路38が形成されている。前記減圧通路37a,3
7bには真空ポンプ等の図示しない減圧源が接続され、
前記シールガス供給通路38には図示しないシールガス
供給源が接続されている。なお、マニホールド2には、
Oリング17a,17b,30a,30b等を冷却する
ための冷却水通路39が設けられている。
重のOリング間17a,17b及び蓋体12の二重のO
リング30a,30b間を減圧して高シール性を得るた
めの減圧通路37a,37bが形成されると共に、前記
隙間34にシールガスSを供給するためのシールガス供
給通路38が形成されている。前記減圧通路37a,3
7bには真空ポンプ等の図示しない減圧源が接続され、
前記シールガス供給通路38には図示しないシールガス
供給源が接続されている。なお、マニホールド2には、
Oリング17a,17b,30a,30b等を冷却する
ための冷却水通路39が設けられている。
【0022】次に前記実施例の作用を延べる。例えば処
理ガスとして酸素(O2)と塩化水素(HCl)を用い
た常圧下でのドライ酸化処理を行う場合には、先ず、予
め加熱部9により所定温度(850℃)に加熱された反
応管5内に、ウエハ13を多段に保持したウエハボート
14を昇降機構10によってローデンイングし、マニホ
ールド2の開口部2aを蓋体12で閉じる。なお、常圧
処理の場合は、蓋体12上及びマニホールド2上のOリ
ング17aと17b,30aと30b間の減圧を行う必
要はない。
理ガスとして酸素(O2)と塩化水素(HCl)を用い
た常圧下でのドライ酸化処理を行う場合には、先ず、予
め加熱部9により所定温度(850℃)に加熱された反
応管5内に、ウエハ13を多段に保持したウエハボート
14を昇降機構10によってローデンイングし、マニホ
ールド2の開口部2aを蓋体12で閉じる。なお、常圧
処理の場合は、蓋体12上及びマニホールド2上のOリ
ング17aと17b,30aと30b間の減圧を行う必
要はない。
【0023】次いで、常圧処理排気系23を作動させる
と共に反応管5の内管3と外管4の下端部間の隙間34
からシールガスSを噴射させ、この状態で処理ガスをノ
ズル20から反応管5内に供給して熱処理を開始する。
処理ガスが反応管5の内管4内を上昇する際にウエハ1
3に対する面内均一の熱処理が施され、処理後の排ガス
は内管3と外管4の間の排気通路7を降下して外管4の
下側部の排気管部21から常圧処理排気系23に排気さ
れる。
と共に反応管5の内管3と外管4の下端部間の隙間34
からシールガスSを噴射させ、この状態で処理ガスをノ
ズル20から反応管5内に供給して熱処理を開始する。
処理ガスが反応管5の内管4内を上昇する際にウエハ1
3に対する面内均一の熱処理が施され、処理後の排ガス
は内管3と外管4の間の排気通路7を降下して外管4の
下側部の排気管部21から常圧処理排気系23に排気さ
れる。
【0024】ところで、排ガスは塩化水素(HCl)に
湿気を含むことにより強い腐食性を有しているが、マニ
ホールド2に接する反応管5の内管3と外管4の下端部
間の隙間34からシールガスSが噴出されていることに
より、隙間34がシールされているので、腐食性を有す
る排ガスがマニホールド2に接触することがない。この
ため、腐食性を有する排ガスによるマニホールド2の腐
食を防止することができ、マニホールド2の耐久性の向
上が図れる。なお、排気管部21より排気されなかった
一部の腐食性生成物は、内管3のフランジ3a上の突部
35より内側の凹部36に溜まるが、内管3のフランジ
3aは耐食性を有する例えば石英製であるので、腐食す
ることはない。
湿気を含むことにより強い腐食性を有しているが、マニ
ホールド2に接する反応管5の内管3と外管4の下端部
間の隙間34からシールガスSが噴出されていることに
より、隙間34がシールされているので、腐食性を有す
る排ガスがマニホールド2に接触することがない。この
ため、腐食性を有する排ガスによるマニホールド2の腐
食を防止することができ、マニホールド2の耐久性の向
上が図れる。なお、排気管部21より排気されなかった
一部の腐食性生成物は、内管3のフランジ3a上の突部
35より内側の凹部36に溜まるが、内管3のフランジ
3aは耐食性を有する例えば石英製であるので、腐食す
ることはない。
【0025】前記熱処理装置においては、研磨加工が機
械的に精度よくでき、かつ熱変形が生じにくい部分であ
る内管3のフランジ3aの先端部上面と、これと対向す
る外管4のフランジ4aの基部下面との間に、シールガ
スSを噴出させるための隙間34を形成したので、隙間
34の幅が熱変形等で変動しにくく、隙間34の管理が
容易である。また、前記反応管5においては、内管3と
外管4の下端部間が分離されているので、製造、洗浄及
び取扱いが容易である。更に、前記マニホールド2にお
いては、排気管部21が設けられておらず、偏平なリン
グ状に形成されているため、構造の簡素化及び小形化が
図れる。
械的に精度よくでき、かつ熱変形が生じにくい部分であ
る内管3のフランジ3aの先端部上面と、これと対向す
る外管4のフランジ4aの基部下面との間に、シールガ
スSを噴出させるための隙間34を形成したので、隙間
34の幅が熱変形等で変動しにくく、隙間34の管理が
容易である。また、前記反応管5においては、内管3と
外管4の下端部間が分離されているので、製造、洗浄及
び取扱いが容易である。更に、前記マニホールド2にお
いては、排気管部21が設けられておらず、偏平なリン
グ状に形成されているため、構造の簡素化及び小形化が
図れる。
【0026】また、前記熱処理装置においては、マニホ
ールド2と蓋体12との間及びマニホールド2と反応管
5の外管4との間に二重のOリング17aと17b,3
0aと30bを採用し、かつOリング17aと17b,
30aと30b間を減圧するようにしたので、高シール
性が得られ、例えば1×10-6Torr位の高減圧下ま
で排気した後、所定の圧力例えば1TorrでのCDV
処理が可能となる。このCDV処理を行う場合には、減
圧処理排気系22を作動させればよく、常圧下での酸
化、拡散等を行う場合には、前述のように常圧処理排気
系23を作動させればよい。
ールド2と蓋体12との間及びマニホールド2と反応管
5の外管4との間に二重のOリング17aと17b,3
0aと30bを採用し、かつOリング17aと17b,
30aと30b間を減圧するようにしたので、高シール
性が得られ、例えば1×10-6Torr位の高減圧下ま
で排気した後、所定の圧力例えば1TorrでのCDV
処理が可能となる。このCDV処理を行う場合には、減
圧処理排気系22を作動させればよく、常圧下での酸
化、拡散等を行う場合には、前述のように常圧処理排気
系23を作動させればよい。
【0027】このように各種の熱処理を一台の熱処理装
置1で行うことができるので、設備コストの低減が図れ
る。また、前記各種の熱処理をウエハ13の移し変えを
行うことなく同じ反応管5内で連続的に行うことができ
るので、スループットの向上が図れる。この場合、昇温
及び降温速度の速い加熱部9を用いることにより更にス
ループットが向上する。
置1で行うことができるので、設備コストの低減が図れ
る。また、前記各種の熱処理をウエハ13の移し変えを
行うことなく同じ反応管5内で連続的に行うことができ
るので、スループットの向上が図れる。この場合、昇温
及び降温速度の速い加熱部9を用いることにより更にス
ループットが向上する。
【0028】図4は本発明に係る熱処理装置の他の実施
例を示す要部拡大断面図であり、前記実施例と同一部分
には同一符号が付されている。本実施例の熱処理装置1
においては、反応管5の内管3と外管4の下端部間にシ
ールガスSを噴出させるようになっておらず、その代り
に内管3と外管4の下端部間にはOリング40が介設さ
れている。
例を示す要部拡大断面図であり、前記実施例と同一部分
には同一符号が付されている。本実施例の熱処理装置1
においては、反応管5の内管3と外管4の下端部間にシ
ールガスSを噴出させるようになっておらず、その代り
に内管3と外管4の下端部間にはOリング40が介設さ
れている。
【0029】この場合、前記実施例の熱処理装置1とは
異なり、マニホールド2上には内管3用の位置決め突起
部29及び二重のOリング30a,30bのうちの内側
のOリング30bが設けられておらず、その代わりに位
置決め突起部29のあった位置には例えばフッ素ゴム製
のOリング40が配置されている。すなわち、このOリ
ング40は、マニホールド2上における内管3のフラン
ジ3a先端部と、この先端部と対向するように外管4の
フランジ4a基部下面に傾斜して設けられた切欠部41
との間に介設されている。
異なり、マニホールド2上には内管3用の位置決め突起
部29及び二重のOリング30a,30bのうちの内側
のOリング30bが設けられておらず、その代わりに位
置決め突起部29のあった位置には例えばフッ素ゴム製
のOリング40が配置されている。すなわち、このOリ
ング40は、マニホールド2上における内管3のフラン
ジ3a先端部と、この先端部と対向するように外管4の
フランジ4a基部下面に傾斜して設けられた切欠部41
との間に介設されている。
【0030】このように構成された本実施例の熱処理装
置によれば、前記実施例の熱処理装置とほぼ同様の作用
効果が得られるが、特にマニホールド2に接する反応管
5の内管3と外管4の分離した下端部間を、Oリング4
0によってシールするようにしたので、シールガスSを
用いる前記実施例の熱処理装置よりも簡単な構造及び低
コストでマニホールド2の腐食を防止することができ
る。
置によれば、前記実施例の熱処理装置とほぼ同様の作用
効果が得られるが、特にマニホールド2に接する反応管
5の内管3と外管4の分離した下端部間を、Oリング4
0によってシールするようにしたので、シールガスSを
用いる前記実施例の熱処理装置よりも簡単な構造及び低
コストでマニホールド2の腐食を防止することができ
る。
【0031】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、前記実施例の熱処理装置におい
ては、処理ガスを下方から上方へ向って供給するように
しているため、反応管5内に露出しているマニホールド
2及び蓋体12の露出面には腐食性を有する処理ガスに
よる腐食が生じにくいが、念のために前記露出面に耐熱
耐食性を有する例えば石英製の保護層を設けるようにし
てもよい。また、反応管5の材質としては、石英以外
に、例えばサファイア、アルミナ等が適用できる。更
に、被処理体としては、半導体ウエハ以外にも、LCD
等であってもよい。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、前記実施例の熱処理装置におい
ては、処理ガスを下方から上方へ向って供給するように
しているため、反応管5内に露出しているマニホールド
2及び蓋体12の露出面には腐食性を有する処理ガスに
よる腐食が生じにくいが、念のために前記露出面に耐熱
耐食性を有する例えば石英製の保護層を設けるようにし
てもよい。また、反応管5の材質としては、石英以外
に、例えばサファイア、アルミナ等が適用できる。更
に、被処理体としては、半導体ウエハ以外にも、LCD
等であってもよい。
【0032】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【0033】1)請求項1の発明によれば、マニホール
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シールガ
スによりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を防止することが
でき、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シールガ
スによりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を防止することが
でき、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
【0034】2)請求項2の発明によれば、マニホール
ドには排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを
偏平に形成することができるため、マニホールドの構造
の簡素化及び小形化が図れる。
ドには排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを
偏平に形成することができるため、マニホールドの構造
の簡素化及び小形化が図れる。
【0035】3)請求項3の発明によれば、マニホール
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部
材によりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及
び低コストで防止することができる。
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部
材によりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及
び低コストで防止することができる。
【図1】本発明に係る熱処理装置の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図2】図1の熱処理装置の要部拡大断面図である。
【図3】図1の熱処理装置に使用されているマニホール
ドの平面図である。
ドの平面図である。
【図4】本発明に係る熱処理装置の他の実施例を示す要
部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
1 熱処理装置 2 マニホールド 3 内管 4 外管 5 反応管 6 処理空間 7 排気通路 9 加熱部 12 蓋体 13 被処理体(半導体ウエハ) S シールガス 21 排気管部 34 隙間 40 Oリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/324 D 8617−4M
Claims (3)
- 【請求項1】 金属製のマニホールド上に耐熱耐食性を
有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管内に収容
された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理ガスを供
給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間を通して
排気するようにした熱処理装置において、前記マニホー
ルドに接する内管の下端部と外管の下端部との間に、シ
ールガスを噴出させるための所定の隙間を設けたことを
特徴とする熱処理装置。 - 【請求項2】 前記マニホールドが、偏平なリング状に
形成され、かつ前記外管の下側部には排ガスを排気する
ための排気管部が形成されていることを特徴とする請求
項1記載の熱処理装置。 - 【請求項3】 金属製のマニホールド上に耐熱耐食性を
有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管内に収容
された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理ガスを供
給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間を通して
排気するようにした熱処理装置において、前記マニホー
ルドに接する内管の下端部と外管の下端部との間に、こ
れらの間をシールするためのシール部材を介設したこと
を特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22507193A JP3278011B2 (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 熱処理装置 |
US08/269,608 US5578132A (en) | 1993-07-07 | 1994-07-05 | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
KR1019940016333A KR100210623B1 (ko) | 1993-07-07 | 1994-07-07 | 열처리 장치 및 그 운전 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22507193A JP3278011B2 (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758048A true JPH0758048A (ja) | 1995-03-03 |
JP3278011B2 JP3278011B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16823575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22507193A Expired - Lifetime JP3278011B2 (ja) | 1993-07-07 | 1993-08-19 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3278011B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030065853A (ko) * | 2002-02-01 | 2003-08-09 | 유니셈 주식회사 | 폐가스 처리 장치 |
KR100513781B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2005-12-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 종형처리장치 |
WO2006132274A1 (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Tokyo Electron Limited | 真空装置のシール構造 |
JP2007299795A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉用マニホールド及び縦型炉 |
JP2008038248A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-02-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2008177524A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2009200329A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | 半導体製造装置 |
JP2010056300A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
KR101333363B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2013-11-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
KR20140035270A (ko) * | 2012-09-13 | 2014-03-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
KR20200094893A (ko) * | 2019-01-30 | 2020-08-10 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 매니폴드 및 이를 포함하는 기판 처리 설비 |
JP2021181854A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 中外炉工業株式会社 | 熱処理炉 |
CN115149030A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-10-04 | 广东佛燃科技有限公司 | 一种用于固体氧化物电堆测试的气体电加热装置 |
-
1993
- 1993-08-19 JP JP22507193A patent/JP3278011B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100966389B1 (ko) * | 2005-06-08 | 2010-06-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 장치의 밀봉 구조 |
WO2006132274A1 (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Tokyo Electron Limited | 真空装置のシール構造 |
JP2006342386A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置のシール構造 |
US8021488B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-09-20 | Tokyo Electron Limited | Sealing structure of vacuum device |
JP2007299795A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉用マニホールド及び縦型炉 |
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KR101333363B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2013-11-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
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US8529701B2 (en) | 2008-08-28 | 2013-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
KR20140035270A (ko) * | 2012-09-13 | 2014-03-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
KR20200094893A (ko) * | 2019-01-30 | 2020-08-10 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 매니폴드 및 이를 포함하는 기판 처리 설비 |
JP2021181854A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 中外炉工業株式会社 | 熱処理炉 |
CN115149030A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-10-04 | 广东佛燃科技有限公司 | 一种用于固体氧化物电堆测试的气体电加热装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3278011B2 (ja) | 2002-04-30 |
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