JPH0750248A - 電子ビーム描画評価方法 - Google Patents
電子ビーム描画評価方法Info
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- JPH0750248A JPH0750248A JP19571093A JP19571093A JPH0750248A JP H0750248 A JPH0750248 A JP H0750248A JP 19571093 A JP19571093 A JP 19571093A JP 19571093 A JP19571093 A JP 19571093A JP H0750248 A JPH0750248 A JP H0750248A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置に
おいて、矩形ビームの描画精度の劣化要因を短時間で容
易に分類評価することができる電子ビーム描画評価方法
を提供する。 【構成】 順次異なる長さの矩形ビームをつなぎ合わせ
ることにより形成した縦線および横線パターンと、分割
した同一幅の矩形ビームを組み合わせ、さらにこの幅を
順次変化させていくことにより形成した縦線および横線
パターンの、パターン形状を観察することにより評価す
るものである。
おいて、矩形ビームの描画精度の劣化要因を短時間で容
易に分類評価することができる電子ビーム描画評価方法
を提供する。 【構成】 順次異なる長さの矩形ビームをつなぎ合わせ
ることにより形成した縦線および横線パターンと、分割
した同一幅の矩形ビームを組み合わせ、さらにこの幅を
順次変化させていくことにより形成した縦線および横線
パターンの、パターン形状を観察することにより評価す
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画評価方
法に係り、特にマスクやウェハなどの試料に電子ビーム
で描画されたLSI などの半導体集積回路パターンを評価
する方法に関する。
法に係り、特にマスクやウェハなどの試料に電子ビーム
で描画されたLSI などの半導体集積回路パターンを評価
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術の進歩と共に半導体装置の高
速化および高集積化が進められてきている。これに伴
い、パターンの微細化の必要性は高くなる一方であり、
線幅0.25μm,0.1μm へと高精度のパターン形成が要求
されるようになってきている。
速化および高集積化が進められてきている。これに伴
い、パターンの微細化の必要性は高くなる一方であり、
線幅0.25μm,0.1μm へと高精度のパターン形成が要求
されるようになってきている。
【０００３】このような微細デバイスでは、従来広く用
いられている光ステッパによるパターン形成は困難であ
り、さらに高精度のパターン形成の可能なリソグラフィ
手段が切望されている。
いられている光ステッパによるパターン形成は困難であ
り、さらに高精度のパターン形成の可能なリソグラフィ
手段が切望されている。
【０００４】なかでも、電子ビームリソグラフィは、最
も有力な方法として注目されている。そして、前記電子
ビームリソグラフィにおいては、スループットの向上を
目的として、可変成形ビーム（VSB)方式が採用されるよ
うになっている。
も有力な方法として注目されている。そして、前記電子
ビームリソグラフィにおいては、スループットの向上を
目的として、可変成形ビーム（VSB)方式が採用されるよ
うになっている。
【０００５】図１は、VSB 方式を用いた電子ビーム描画
装置の概略構成図の一例を示すものである。図中11は電
子銃であり、この電子銃11から放出された電子ビームは
２つのコンデンサレンズ12、13により第１のビーム成形
アパーチャマスク14に照射される。第１のアパーチャマ
スク14のアパーチャ14a による像は、投影レンズ15によ
り第２のビーム成型アパーチャマスク16上に投影され
る。そして、第２のアパーチャマスク16のアパーチャマ
スク16a の像が、縮小レンズ17および対物レンズ18によ
り試料面19上に結像されるものとなっている。
装置の概略構成図の一例を示すものである。図中11は電
子銃であり、この電子銃11から放出された電子ビームは
２つのコンデンサレンズ12、13により第１のビーム成形
アパーチャマスク14に照射される。第１のアパーチャマ
スク14のアパーチャ14a による像は、投影レンズ15によ
り第２のビーム成型アパーチャマスク16上に投影され
る。そして、第２のアパーチャマスク16のアパーチャマ
スク16a の像が、縮小レンズ17および対物レンズ18によ
り試料面19上に結像されるものとなっている。
【０００６】また、縮小レンズ17と対物レンズ18との間
には、走査用偏向器21、22が配置されている。これらの
偏向器21、22は、ビームを試料面19上で走査するもので
ある。また、第１のアパーチャマスク14と投影レンズ15
との間には、ビーム成形用偏向器23が配置されている。
この偏向器23は、第２のアパーチャマスク16上における
第１アパーチャ14a の像位置を可変し、試料面19上に照
射結像されるビームの寸法および形状を可変するもので
ある。なお、図中31は電子銃クロスオーバの結像状態を
示し、32はアパーチャの結像状態を示している。
には、走査用偏向器21、22が配置されている。これらの
偏向器21、22は、ビームを試料面19上で走査するもので
ある。また、第１のアパーチャマスク14と投影レンズ15
との間には、ビーム成形用偏向器23が配置されている。
この偏向器23は、第２のアパーチャマスク16上における
第１アパーチャ14a の像位置を可変し、試料面19上に照
射結像されるビームの寸法および形状を可変するもので
ある。なお、図中31は電子銃クロスオーバの結像状態を
示し、32はアパーチャの結像状態を示している。
【０００７】このようなVSB 方式は、種々の寸法に成形
されたビームをつなぎ合わせてパターンを形成するの
で、高精度で良好なパターンを描画するためにはビーム
寸法を高精度に調整する必要がある。
されたビームをつなぎ合わせてパターンを形成するの
で、高精度で良好なパターンを描画するためにはビーム
寸法を高精度に調整する必要がある。
【０００８】そこで、描画装置の光学鏡筒あるいは制御
部分のわずかなずれ等に起因するビームのずれを調整し
て、ある基準の下にパターンを評価する手法が種々試み
られている。
部分のわずかなずれ等に起因するビームのずれを調整し
て、ある基準の下にパターンを評価する手法が種々試み
られている。
【０００９】しかしながら、理想的に調整されたはずの
ビームを用いた場合でも、描画されたパターンが理想的
に形成されているとは限らず、パターン上で理想的にな
っていない場合、それが何に起因しているかを、容易に
しかも十分高精度に評価することができなかった。
ビームを用いた場合でも、描画されたパターンが理想的
に形成されているとは限らず、パターン上で理想的にな
っていない場合、それが何に起因しているかを、容易に
しかも十分高精度に評価することができなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記事情に
鑑みてなされたもので、描画されたパターンにおける精
度劣化要因の分類評価が容易で、しかも高精度に行うこ
とのできる方法を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、描画されたパターンにおける精
度劣化要因の分類評価が容易で、しかも高精度に行うこ
とのできる方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、評価パター
ンとして、順次異なる長さの矩形ビームをつなぎ合わせ
ることにより形成した縦線および横線パターンと、分割
した同一幅の矩形ビームを組み合わせ、さらにこの幅を
順次変化させていくことにより形成した縦線および横線
パターンの、パターン形状を観察することにより、矩形
ビームの精度劣化を引き起こす要因を分類評価できるよ
うにしている。
ンとして、順次異なる長さの矩形ビームをつなぎ合わせ
ることにより形成した縦線および横線パターンと、分割
した同一幅の矩形ビームを組み合わせ、さらにこの幅を
順次変化させていくことにより形成した縦線および横線
パターンの、パターン形状を観察することにより、矩形
ビームの精度劣化を引き起こす要因を分類評価できるよ
うにしている。
【００１２】
【作用】本発明によれば矩形ビームの描画精度を劣化さ
せる要因を短時間で容易に分類評価することができる。
その結果、明らかにした要因を個々に調整することによ
り高精度の描画が可能となる。
せる要因を短時間で容易に分類評価することができる。
その結果、明らかにした要因を個々に調整することによ
り高精度の描画が可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明による実施例の電子ビームの評
価方法について、図面を参照しつつ詳細に説明する。ま
ず、図２に示すごとく、異なる長さの矩形ビームで構成
される評価パターン40を描画データとして描画制御装置
に入力し、前記評価パターンを評価すべき電子ビームに
よって、加速電圧15kV、電流密度10A/cm2、照射量４μC
/cm2の条件でクロムが被覆された石英ガラス基板（マス
ク）表面に塗布されたポジレジスト（EBR-9)膜上に描画
し、MIBK（メチルイソブチルケトン）を用いて４分15秒
の現像を行った。ここで各評価パターンのパターン幅は
2.0μｍとし、それぞれビーム長を 2.5μｍから0.25μ
ｍまで0.25μｍ刻みで変化させた矩形ビームから構成さ
れている。
価方法について、図面を参照しつつ詳細に説明する。ま
ず、図２に示すごとく、異なる長さの矩形ビームで構成
される評価パターン40を描画データとして描画制御装置
に入力し、前記評価パターンを評価すべき電子ビームに
よって、加速電圧15kV、電流密度10A/cm2、照射量４μC
/cm2の条件でクロムが被覆された石英ガラス基板（マス
ク）表面に塗布されたポジレジスト（EBR-9)膜上に描画
し、MIBK（メチルイソブチルケトン）を用いて４分15秒
の現像を行った。ここで各評価パターンのパターン幅は
2.0μｍとし、それぞれビーム長を 2.5μｍから0.25μ
ｍまで0.25μｍ刻みで変化させた矩形ビームから構成さ
れている。
【００１４】評価に際しては、この各パターンのパター
ン形状、特にビームのつなぎ部分の形状がどの様な変化
をなしているかを比較観察することにより、矩形ビーム
に対する光学鏡筒あるいは制御部分のずれ、特に成形偏
向感度の評価を行うことができる。
ン形状、特にビームのつなぎ部分の形状がどの様な変化
をなしているかを比較観察することにより、矩形ビーム
に対する光学鏡筒あるいは制御部分のずれ、特に成形偏
向感度の評価を行うことができる。
【００１５】このようにして、形成したパターンの矩形
ビームのつなぎ部分におけるラフネスのSEM 観察を行っ
た。その結果、ラフネスはビーム長0.25μｍの場合は縦
線および横線パターンともにほぼ０μｍだったが、ビー
ムが長くなるに従って大きくなり、ビーム長 2.5μｍで
は縦線パターンが約 0.1μｍ，横線パターンが約0.05μ
ｍになった。このことから、設定ビーム長の変化に対す
る実際のビーム長の変化の割合、すなわち成形偏向感度
が理想的になっていないことや、そのずれが縦線パター
ンと横線パターンで異なっていることがわかる。従っ
て、このずれがなくなるよう調整を行うことによって、
いかなるパターン寸法においても高精度で良好なパター
ン形成を行うことができる。さらに、定性的な評価であ
れば光学顕微鏡を用いても容易に行うことができる。
ビームのつなぎ部分におけるラフネスのSEM 観察を行っ
た。その結果、ラフネスはビーム長0.25μｍの場合は縦
線および横線パターンともにほぼ０μｍだったが、ビー
ムが長くなるに従って大きくなり、ビーム長 2.5μｍで
は縦線パターンが約 0.1μｍ，横線パターンが約0.05μ
ｍになった。このことから、設定ビーム長の変化に対す
る実際のビーム長の変化の割合、すなわち成形偏向感度
が理想的になっていないことや、そのずれが縦線パター
ンと横線パターンで異なっていることがわかる。従っ
て、このずれがなくなるよう調整を行うことによって、
いかなるパターン寸法においても高精度で良好なパター
ン形成を行うことができる。さらに、定性的な評価であ
れば光学顕微鏡を用いても容易に行うことができる。
【００１６】また、同様に図３に示すごとく同一幅の矩
形に分割し、さらにこの幅を順次変化させることにより
構成されているパターンを描画した。ここで各評価41の
パターン幅は 2.0μｍとし、ビーム長は 2.5μｍ固定
で、それぞれビーム幅が 2.0μｍ， 1.0μｍ， 0.5μ
ｍ，0.25μｍ， 0.1μｍの矩形ビームから構成されてい
る。 評価に際しては、この各パターンのパターン寸法
を比較観察することにより、矩形ビームに対する光学鏡
筒あるいは制御部分のずれ、特にビーム電流のオフセッ
トの評価を行うことができる。
形に分割し、さらにこの幅を順次変化させることにより
構成されているパターンを描画した。ここで各評価41の
パターン幅は 2.0μｍとし、ビーム長は 2.5μｍ固定
で、それぞれビーム幅が 2.0μｍ， 1.0μｍ， 0.5μ
ｍ，0.25μｍ， 0.1μｍの矩形ビームから構成されてい
る。 評価に際しては、この各パターンのパターン寸法
を比較観察することにより、矩形ビームに対する光学鏡
筒あるいは制御部分のずれ、特にビーム電流のオフセッ
トの評価を行うことができる。
【００１７】このようにして、描画したパターンを現像
した後、SEM 写真からパターン寸法の測定を行った。そ
の結果、 0.1μｍのビーム幅で分割したパターンにおい
て、縦線パターンは 2.0μｍ幅のビームで描画したパタ
ーンと比較して約 0.2μｍ太く形成され、一方、横線パ
ターンは照射量不足から形成されなかった。これは本
来、 2.0μｍ幅のビームで描画した場合と 0.1μｍに分
割して描画した場合で、パターンは同様に形成されなけ
れがならないことから、理想的な状態に対して、縦線パ
ターンはビーム電流が大きくなる方向に、横線パターン
は小さくなる方向にずれていることがわかる。このずれ
を調整することにより、微小なビームを用いた場合にお
いても理想的にパターン形成を行うことが可能になる。
さらに、定性的な評価であれば光学顕微鏡を用いて容易
に行うことができる。また、ビームを成形している２枚
のアパーチャの直行度に関しても、このようにビームの
分割数を増加させて描画することにより、その状態が顕
著に現れることになり、光学顕微鏡を用いても容易に評
価を行うことが可能である。
した後、SEM 写真からパターン寸法の測定を行った。そ
の結果、 0.1μｍのビーム幅で分割したパターンにおい
て、縦線パターンは 2.0μｍ幅のビームで描画したパタ
ーンと比較して約 0.2μｍ太く形成され、一方、横線パ
ターンは照射量不足から形成されなかった。これは本
来、 2.0μｍ幅のビームで描画した場合と 0.1μｍに分
割して描画した場合で、パターンは同様に形成されなけ
れがならないことから、理想的な状態に対して、縦線パ
ターンはビーム電流が大きくなる方向に、横線パターン
は小さくなる方向にずれていることがわかる。このずれ
を調整することにより、微小なビームを用いた場合にお
いても理想的にパターン形成を行うことが可能になる。
さらに、定性的な評価であれば光学顕微鏡を用いて容易
に行うことができる。また、ビームを成形している２枚
のアパーチャの直行度に関しても、このようにビームの
分割数を増加させて描画することにより、その状態が顕
著に現れることになり、光学顕微鏡を用いても容易に評
価を行うことが可能である。
【００１８】なお、本発明の実施例では、図２および図
３に示すごとく２種類の評価パターンを用いたが、これ
らを組み合わせたパターンを用いても良いことは明らか
である。また、図４および図５に示すごとく評価パター
ン42，43を用いることにより、三角形ビームに関しても
矩形ビームと同様に評価を行うことが可能である。
３に示すごとく２種類の評価パターンを用いたが、これ
らを組み合わせたパターンを用いても良いことは明らか
である。また、図４および図５に示すごとく評価パター
ン42，43を用いることにより、三角形ビームに関しても
矩形ビームと同様に評価を行うことが可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したきたように、本発明によれ
ば、評価パターンとして、縦線および横線パターンのパ
ターン形状を観察することにより、容易に短時間で成形
ビームの精度劣化要因を分類評価できると共に、明らか
にした精度劣化要因を個々に調整することにより高精度
の描画が可能となる。
ば、評価パターンとして、縦線および横線パターンのパ
ターン形状を観察することにより、容易に短時間で成形
ビームの精度劣化要因を分類評価できると共に、明らか
にした精度劣化要因を個々に調整することにより高精度
の描画が可能となる。
【図１】 電子ビーム描画装置を示す概略構成図。
【図２】 本発明の実施例の評価パターンを示す図。
【図３】 本発明の他の実施例の評価パターンを示す
図。
図。
【図４】 本発明の他の実施例の評価パターンを示す
図。
図。
【図５】 本発明の他の実施例の評価パターンを示す
図。
図。
14 第１のビーム形成アパーチャマスク 14a アパーチャ 16 第２のビーム形成アパーチャマスク 16a アパーチャ 40 評価パターン 41 評価パターン 42 評価パターン 43 評価パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安瀬 博人 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の開孔形状を有するアパーチャマス
クに電子ビームを照射することにより前記開孔形状のビ
ームを成形し、これによって被処理基板上に描画された
パターンを評価する電子ビーム描画評価方法において、
評価パターンとして、順次異なる長さの矩形ビームをつ
なぎ合わせることにより形成した縦線および横線パター
ンと、分割した同一幅の矩形ビームを組み合わせ、さら
にこの幅を順次変化させていくことにより形成した縦線
および横線パターンの、パターン形状を観察することに
より、矩形ビームの精度劣化要因を分類評価できるよう
にしたことを特徴とする電子ビーム描画評価方法。 - 【請求項２】 所定の開孔計上を有するアパーチャマス
クに電子ビームを照射することにより前記開孔計上のビ
ームを成形し、これによって被処理基板上に描画された
パターンを評価する電子ビーム描画評価方法において、
評価パターンとして、順次異なる長さの矩形ビームをつ
なぎ合わせることにより形成した縦線および横線パター
ンと、分割した同一幅の矩形ビームを組み合わせ、さら
にこの幅を順次変化させていくことにより形成した縦線
および横線パターンの、パターン形状を観察することに
より、矩形ビームの精度劣化要因を分類評価できるよう
にすると共に、明らかにした精度劣化要因、例えば成形
偏向感度、ビーム電流のオフセットまたはアパーチャの
直行度を個々に調整するようにしたことを特徴とする電
子ビーム描画評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19571093A JP3221984B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 電子ビーム描画評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19571093A JP3221984B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 電子ビーム描画評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750248A true JPH0750248A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3221984B2 JP3221984B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=16345691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19571093A Expired - Lifetime JP3221984B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 電子ビーム描画評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221984B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017069238A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 大日本印刷株式会社 | 荷電ビーム描画装置の調整方法、荷電ビーム描画方法、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法 |
| US9659746B2 (en) | 2015-07-09 | 2017-05-23 | Nuflare Technology, Inc. | Adjustment method for charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method |
| KR20190001571A (ko) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | 가변 형상 빔 전자 빔 리소그래피에서의 기본 작은 패턴의 교정 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559421B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-05-06 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and fixing device therefor |
| JP7330004B2 (ja) | 2019-07-26 | 2023-08-21 | 株式会社東芝 | 光電変換層、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19571093A patent/JP3221984B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9659746B2 (en) | 2015-07-09 | 2017-05-23 | Nuflare Technology, Inc. | Adjustment method for charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method |
| JP2017069238A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 大日本印刷株式会社 | 荷電ビーム描画装置の調整方法、荷電ビーム描画方法、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法 |
| KR20190001571A (ko) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | 가변 형상 빔 전자 빔 리소그래피에서의 기본 작은 패턴의 교정 |
| JP2019009445A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ | 可変成形ビーム電子ビームリソグラフィにおける基本小パターンの較正 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3221984B2 (ja) | 2001-10-22 |
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Legal Events
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