JPH0749278A - 圧力センサ - Google Patents

圧力センサ

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JPH0749278A
JPH0749278A JP21509093A JP21509093A JPH0749278A JP H0749278 A JPH0749278 A JP H0749278A JP 21509093 A JP21509093 A JP 21509093A JP 21509093 A JP21509093 A JP 21509093A JP H0749278 A JPH0749278 A JP H0749278A
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JP
Japan
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pressure sensor
circuit board
substrate
pressure
board
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JP21509093A
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English (en)
Inventor
Mamoru Yabe
衛 矢部
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型で信頼性の高い圧力センサを低コストで
提供する。 【構成】 凸部13aを設けた上部基板13に穴部16
を設け、配線パターン19を形成する。中間基板14に
凸部14aの端部から切り欠き部17を設ける。下部基
板15の凸部15aと中間基板14の凸部14aとを重
ねて、中間基板14の下面に下部基板15を張り合わせ
る。次に、凸部14aと凸部13a及び切り欠き部17
の端部17aと穴部16とを重ねて、中間基板14の上
面に上部基板13を張り合わせて回路基板3を作成し、
回路基板3と平行に配置された圧力導入路11を回路基
板3に形成する。配線パターン19上にICチップ2
a、CRチップ部品2bを実装して信号処理回路2を形
成する。また、圧力導入路11の開口位置に合わせて圧
力センサチップ1を回路基板3上に実装して圧力センサ
Aを作成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は圧力センサに関する。具
体的には、空気等の流体の圧力を測定する圧力センサに
関する。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】従来、半導体圧力センサ
チップと信号処理回路を組み合わせてモジュール化した
圧力センサとして、例えば、回路基板を兼ねたパッケー
ジ基板上に直接または台座を介して圧力センサチップを
実装したものがある(特開平1−185424号公報、
同1−165437号公報、特開昭55−116252
号公報参照)。しかしながら、これらの圧力センサで
は、圧力を圧力センサに導くためのパイプ等の圧力導入
部品を圧力センサに取り付けなければならないため、圧
力センサが大きくなるとともにコストがかかり、しかも
信頼性において劣るという問題点があった。
【0003】また、信号処理回路を搭載したパッケージ
基板に直接固定電極を形成し、可動電極を形成させたダ
イヤフラムチップを固定電極と対向させてパッケージ基
板に接合して、小型化を試みた静電容量型の圧力センサ
がある("AN ULTRAMINIATURECMOS PRESSURE SENSOR FO
R A MULTIPLEXED CARDIOVASCULAR CATHETER" Transduce
rs'91 予稿集 A13.4,p1018-1020,1991)。しかしなが
ら、この圧力センサでは差圧型の構造とする場合には、
ダイヤフラムチップとパッケージ基板とで形成された容
量形成室へ圧力を導く際に圧力導入部品をダイヤフラム
チップに取り付けなければならず、このときダイヤフラ
ムチップへの応力によって圧力センサに悪影響を与え、
また、コストがかかりしかも製造工程が複雑になるとい
う問題点があった。また、絶対圧型の構造とする場合に
は、固定電極を外部に引き出すための配線によってパッ
ケージ基板上に凹凸を生じ、ダイヤフラムチップとパッ
ケージ基板との間に隙間を生じるためその気密性及びア
ライメント精度において劣るという問題点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は叙上の従来例
の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で信頼性の高い圧力センサを低コストで提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の圧力セン
サは、基板側面から基板上面にかけて基板内部に穴部を
開口させ、当該基板上に圧力センサチップを実装し、前
記穴部を介して前記圧力センサチップに圧力を導入する
ことを特徴としている。
【0006】また、本発明の第2の圧力センサは、検知
部を弾性的に支持させた支持基板を信号処理回路が実装
された回路基板上若しくは回路基板上の台座に接合し、
前記検知部に設けた可動電極と対向させて前記回路基板
上若しくは前記台座上に固定電極を設けた圧力センサに
おいて、前記回路基板の側面から前記回路基板若しくは
前記台座の上面にかけて前記回路基板及び前記台座の内
部に穴部を開口させ、当該穴部を介して前記検知部に圧
力を導入し、前記穴部の少なくとも一部に前記固定電極
と接続した導電薄膜部を設け、前記導電薄膜部と前記信
号処理回路とを前記支持基板と当該回路基板若しくは前
記台座との接合部を迂回して電気的に接続したことを特
徴としている。
【0007】
【作用】本発明の第1の圧力センサにあっては、圧力セ
ンサチップを実装した基板内部に基板側面から基板上面
にかけて開口させた穴部から圧力を導入することとして
いる。
【0008】また、本発明の第2の圧力センサにあって
は、固定電極が形成された回路基板及び台座の内部に回
路基板の側面から回路基板若しくは台座の上面にかけて
設けた穴部から圧力を導入することとしている。
【0009】このため本発明の圧力センサにあっては、
基板と圧力導入手段とが一体に構成されており、圧力導
入部品を取り付ける必要がなく、圧力センサを小型化す
るとともにコストを削減することができ、信頼性も高め
ることができる。
【0010】さらに本発明の第2の圧力センサにあって
は、回路基板の側面から回路基板若しくは台座の上面に
かけて開口させた穴部の少なくとも一部に固定電極と接
続する導電薄膜部を設け、導電薄膜部と信号処理回路と
を支持基板と回路基板若しくは台座との接合部を迂回し
て電気的に接続しているので、支持基板と回路基板若し
くは台座とを隙間なく接合することができる。このた
め、圧力センサの気密性を高め、支持基板の接合時のア
ライメント精度を高めることができ、圧力センサの信頼
性をさらに向上させることができる。
【0011】
【実施例】図1(a)は本発明の一実施例である圧力セ
ンサAの内部平面図、図1(b)はその断面図である。
圧力センサAは、圧力センサチップ1、ICチップ2a
やチップ型コンデンサやチップ型抵抗等のチップ部品2
b等からなる信号処理回路2、回路基板3及び入出力用
端子4などから構成され、ケース5により覆われてい
る。圧力センサチップ1は信号処理回路2とともに回路
基板3上に実装されており、圧力センサチップ1のセン
サ信号は、フレーム6上の電極引き出しパッド30より
信号処理回路2に接続され、入出力用端子4から外部に
取り出すことができる。
【0012】圧力センサチップ1は、角枠状の枠内全面
に薄膜状のダイヤフラム7を弾性自在に支持させたシリ
コン製のフレーム6の上面にシリコン製のカバー8が重
ねられ、カバー8の周辺部は低温接合技術等によりフレ
ーム6に接合されている。ダイヤフラム7上面には可動
電極が設けられ、可動電極と微小なギャップを隔ててカ
バー8の内面には固定電極が設けられて両電極間にコン
デンサが構成されている。
【0013】回路基板3の側面には角棒状の導入パイプ
9が回路基板3と一体として設けられて、圧力源からの
チューブ10が接続しやすくなっている。また、圧力セ
ンサチップ1に圧力を導入するための圧力導入路11が
回路基板3の側面の導入パイプ9から回路基板3の内部
を通り、回路基板3上面に開口されている。
【0014】図2は回路基板3の分解斜視図であって、
回路基板3は同一形状をした上部基板13、中間基板1
4、下部基板15の3枚の基板が重ねられてできてい
る。各基板13,14,15にはそれぞれ凸部13a,
凸部14a,凸部15aが設けられていて、また、上部
基板13には穴部16が、中間基板14には切り欠き部
17が凸部14aの端から設けられている。中間基板1
4の下面には凸部14aと凸部15aとを一致させて下
部基板15を重ね、中間基板14の上面には、凸部14
aと凸部13aとを一致させ、また、穴部16と切り欠
き部17の端部17aとを一致させて重ね、中間基板1
4の上下面に上部基板13及び下部基板15を接着させ
ている。このようにして、導入パイプ9が一体となった
回路基板3を作成し、切り欠き部17と穴部16とによ
り、回路基板3と平行にして回路基板3の内部に圧力導
入路11を設けることができる。また、上部基板13の
上面には配線パターン19が設けられ、ICチップ2a
やチップ部品2bを実装して信号処理回路2を形成する
ことができる。
【0015】しかして、チューブ10から圧力Pを加え
ると、圧力Pは圧力導入路11を通り、回路基板3上面
の開口から圧力センサチップ1に導入される。圧力Pが
導入されると、導入された圧力Pの大きさに応じてダイ
ヤフラム7が変位し、当該コンデンサの静電容量Cの大
きさが変化する。この静電容量Cの変化は、圧力センサ
チップ1に接続された信号処理回路2により検知され、
当該圧力センサAに加えられた圧力Pの大きさを知るこ
とができる。
【0016】このような構造にすることにより、圧力P
を導入するためのパイプなどの部品を別途取り付ける必
要がなく、圧力センサAの製造工程を簡略化して、圧力
センサAの製造コストの削減を図ることができる。しか
も、パッケージ基板を兼ねた回路基板3上に直接圧力セ
ンサチップ1を実装しているので、圧力センサAの小型
化を図り、信頼性を高めることができる。
【0017】図3(a)(b)に本発明の別な実施例で
ある圧力センサBを示す。圧力センサBは図3に示すよ
うに、回路基板3のほぼ全周にわたって耐湿性樹脂によ
って樹脂部20が形成されている。また、回路基板3を
構成する3枚の上部基板13、中間基板14、下部基板
15のそれぞれの基板両面には、上部基板13の配線パ
ターン19を施した部分を除いてレジストコート(図示
せず)を施してある。回路基板3の側面においては、表
面が粗になっているため最も吸湿しやすく、この部分を
耐湿性樹脂で封止することにより回路基板3の吸湿を防
ぐことができる。また、回路基板3を構成する3枚の各
基板13,14,15の表面にはレジストコートが施さ
れてあるので、導入された空気やフレーム6等の誘電率
が回路基板3の吸湿によって変化することがない。さら
に、上部基板13と中間基板14との隙間や中間基板1
4と下部基板15との隙間から空気等の圧力が逃げた
り、逆に水分が浸透したりすることがないので、圧力セ
ンサBに導入された圧力Pを正確に測定することができ
る。
【0018】図4にさらに別な実施例である圧力センサ
Cを示す。図4(a)は圧力センサCの一部破断した平
面図、図4(b)はその一部破断した断面図であって、
圧力センサCはフレーム21、信号処理回路2、回路基
板3等から構成されている。
【0019】圧力センサCは回路基板3上に、角枠状の
枠内全面に薄膜状のダイヤフラム23を弾性自在に支持
させたフレーム21が重ねられている。回路基板3上に
はAuメッキが施されて支持枠24が形成されており、
フレーム21の周辺部は支持枠24上にAu−Si共晶
接合されている。フレーム21及びダイヤフラム23
は、単結晶シリコンウエハから半導体製造技術により一
体として形成され、ダイヤフラム23の内面には可動電
極25が形成されている。回路基板3の上面には可動電
極25と対向して固定電極26が形成され、微小なギャ
ップを隔ててコンデンサを構成している。なお、フレー
ム21を支持枠24上にAu−Si共晶接合することに
よってギャップ間の精度を向上させることができる。
【0020】回路基板3は第1の実施例と同様に上部基
板13、中間基板14、下部基板15の3枚の基板が張
り合わされて作成されており、上部基板13には穴部1
6が設けられてあって、中間基板14に設けられた切り
欠き部17とにより圧力導入路11が形成され、上部基
板13に設けられた穴部16からダイヤフラム23に圧
力を導入することができる。
【0021】また、上部基板13には別な穴部27が設
けられており、圧力導入路11を形成する穴部16とと
もにこの2つの穴部16,27の内周面を含む領域には
それぞれ導電性の薄膜部28a,28bが設けられ、ス
ルーホールが構成されている。上部基板13の裏面には
薄膜部28aと薄膜部28bをつなぐ接続部29が設け
られている。固定電極26は、2つの薄膜部28a,2
8b及び接続部29とともにAlなどが蒸着されて一体
として形成され、薄膜部28bは上部基板13の表面に
構成された信号処理回路2の一端31に接続されてい
る。こうして、固定電極26は信号処理回路2の一端3
1に電気的に接続されるとともに、可動電極25はフレ
ーム21上の電極引き出しパッド30からボンディング
ワイヤ33によって信号処理回路2の別な一端32に電
気的に接続されている。
【0022】しかして、圧力センサCに圧力が加えられ
るとダイヤフラム23が変位して、当該コンデンサの静
電容量の大きさを変化させる。この静電容量の変化は信
号処理回路2により検出されて、当該加えられた圧力の
大きさを知ることができる。
【0023】この圧力センサCにあっては、固定電極2
6を回路基板3上に直接形成させてあるので、カバー8
を不要にすることができる。また、フレーム21とカバ
ー8との接合が不要になるので、製造工程を簡略化で
き、圧力センサCのコストの低下を図ることができる。
しかも、回路基板3上の固定電極26は穴部16から回
路基板3の内部を介して信号処理回路2に接続している
ので、フレーム21と回路基板3とを隙間なく接合する
ことができる。
【0024】図5(a)(b)に本発明のさらに別な実
施例である圧力センサDを示す。フレーム21の接合面
には、不純物を高濃度に注入して導電性を持たせた引き
出し部34が形成され、ダイヤフラム23の可動電極2
5と電気的に接続されている。また、回路基板3上には
Auメッキによって支持枠24が形成され、支持枠24
は信号処理回路2と接続されている。圧力センサDは、
この支持枠24上にフレーム21がAu−Si共晶接合
されて作成されている。このように、可動電極25を引
き出し部34と支持枠24とを介して信号処理回路2に
電気的に接続させることにより、ボンディングワイヤに
よる接続が不要になり、さらに、圧力センサDの製造工
程を簡略化することができる。
【0025】図6(a)(b)にはさらに別な実施例で
ある圧力センサEを示す。圧力センサEのフレーム21
は、シリコンと熱膨張が等しいガラス基板35の上に重
ねられ、フレーム21の周辺部は陽極接合法等によりガ
ラス基板35に接合されている。固定電極26は、ガラ
ス基板35の上面に可動電極25と対向して設けられて
いる。また、ガラス基板35には回路基板3の穴部16
の位置に合わせて導入口36が開口されていて、圧力導
入路11からの圧力は導入口36を介してダイヤフラム
23に加えられる。
【0026】導入口36の内周面からガラス基板35の
裏面にかけて導電性の薄膜部37が設けられており、薄
膜部37はAlなどが蒸着されて固定電極26と一体と
して形成されている。また、回路基板3上にはAuメッ
キによって支持枠24が形成され、信号処理回路2に接
続されている。ガラス基板35は支持枠24上にハンダ
により接着されて、固定電極26は薄膜部37及び支持
枠24を介して信号処理回路2に電気的に接続されてい
る。一方、ダイヤフラム23の可動電極25はフレーム
21の電極引き出しパッド30からボンディングワイヤ
33により信号処理回路2に接続されている。
【0027】このように、回路基板3とフレーム21と
の間にシリコンと熱膨張率が等しいガラス基板35を挟
み込むようにすれば、フレーム21の実装時の歪みを少
なくすることができるので、圧力センサEの温度特性を
向上させることができる。
【0028】
【発明の効果】本発明の第1の圧力センサにあっては、
圧力センサチップを実装した基板内部に基板側面から基
板上面にかけて開口させた穴部から圧力を導入すること
としている。
【0029】また、本発明の第2の圧力センサにあって
は、固定電極が形成された回路基板の内部に回路基板の
側面から回路基板若しくは台座の上面にかけて設けた穴
部から圧力を導入することとしている。
【0030】このため本発明の圧力センサにあっては、
圧力導入部品を取り付ける必要がなく、圧力センサを小
型化するとともにコストを削減することができ、信頼性
も高めることができる。
【0031】また、本発明の第2の圧力センサにあって
は、支持基板と回路基板とを隙間なく接合できるので、
圧力センサの気密性、接合時のアライメント精度を高
め、さらに信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施例である圧力センサの
内部平面図、(b)はその断面図である。
【図2】同上の圧力センサを構成する回路基板の分解斜
視図である。
【図3】(a)は本発明の別な実施例である圧力センサ
の内部平面図、(b)はその断面図である。
【図4】(a)は本発明のさらに別な実施例である圧力
センサの一部破断した平面図、(b)はその一部破断し
た断面図である。
【図5】(a)は本発明のさらに別な実施例である圧力
センサの一部破断した平面図、(b)はその一部破断し
た断面図である。
【図6】(a)は本発明のさらに別な実施例である圧力
センサの一部破断した平面図、(b)はその一部破断し
た断面図である。
【符号の説明】
3 回路基板 6 フレーム 11 圧力導入路 17 切り欠き部 19 配線パターン 20 樹脂部 21 フレーム 24 支持枠 26 固定電極 28a,28b 薄膜部 34 引き出し部 35 ガラス基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板側面から基板上面にかけて基板内部
    に穴部を開口させ、当該基板上に圧力センサチップを実
    装し、前記穴部を介して前記圧力センサチップに圧力を
    導入することを特徴とする圧力センサ。
  2. 【請求項2】 検知部を弾性的に支持させた支持基板を
    信号処理回路が実装された回路基板上若しくは回路基板
    上の台座に接合し、前記検知部に設けた可動電極と対向
    させて前記回路基板上若しくは前記台座上に固定電極を
    設けた圧力センサにおいて、 前記回路基板の側面から前記回路基板若しくは前記台座
    の上面にかけて前記回路基板及び前記台座の内部に穴部
    を開口させ、当該穴部を介して前記検知部に圧力を導入
    し、前記穴部の少なくとも一部に前記固定電極と接続し
    た導電薄膜部を設け、前記導電薄膜部と前記信号処理回
    路とを前記支持基板と当該回路基板若しくは前記台座と
    の接合部を迂回して電気的に接続したことを特徴とする
    圧力センサ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7382599B2 (en) 2005-10-31 2008-06-03 Alps Electric Co., Ltd Capacitive pressure sensor
GB2470141B (en) * 2008-02-01 2012-03-14 Custom Sensors & Technologies Inc Integrated cavity in PCB pressure sensor
WO2022019167A1 (ja) * 2020-07-21 2022-01-27 株式会社村田製作所 圧力センサ構造、圧力センサ装置および圧力センサ構造の製造方法

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