JPH0746049A - 高周波線形電力増幅器 - Google Patents
高周波線形電力増幅器Info
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- JPH0746049A JPH0746049A JP5188570A JP18857093A JPH0746049A JP H0746049 A JPH0746049 A JP H0746049A JP 5188570 A JP5188570 A JP 5188570A JP 18857093 A JP18857093 A JP 18857093A JP H0746049 A JPH0746049 A JP H0746049A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 入力信号の例えばビート周波数(Δf)をバ
イアス装置で検出し、そして、周波数に応じて制御され
た歪成分を歪補償装置で生成し、線形性を向上する高周
波線形形電力増幅器を提供すること。 【構成】 高周波線形電力増幅器において、周波数によ
る電圧の変化分を検出するf/V変換回路21をバイア
ス装置に設け、このf/V変換回路21で検出された信
号を制御装置19に加え、周波数で制御された歪成分を
歪補償装置11で生成する。
イアス装置で検出し、そして、周波数に応じて制御され
た歪成分を歪補償装置で生成し、線形性を向上する高周
波線形形電力増幅器を提供すること。 【構成】 高周波線形電力増幅器において、周波数によ
る電圧の変化分を検出するf/V変換回路21をバイア
ス装置に設け、このf/V変換回路21で検出された信
号を制御装置19に加え、周波数で制御された歪成分を
歪補償装置11で生成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル通信システ
ム、例えば衛星通信システムや携帯電話システム、デジ
タルコードレスシステムに用いられる高周波線形電力増
幅器に関する。
ム、例えば衛星通信システムや携帯電話システム、デジ
タルコードレスシステムに用いられる高周波線形電力増
幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】デジタル通信システムに用いられる高周
波線形電力増幅器は、線形性(リニアリティー)や効率
が厳しく規定されている。高周波線形電力増幅器に用い
られる電力素子、例えば電界効果トランジスタ(以後F
ETという)が単体でもつ線形性や効率を上回る性能を
要求されることもある。このような要求がある場合、電
力素子で発生する歪を小さくするために、歪補償装置
(リニアライザー)を設け線形性を向上させている。
波線形電力増幅器は、線形性(リニアリティー)や効率
が厳しく規定されている。高周波線形電力増幅器に用い
られる電力素子、例えば電界効果トランジスタ(以後F
ETという)が単体でもつ線形性や効率を上回る性能を
要求されることもある。このような要求がある場合、電
力素子で発生する歪を小さくするために、歪補償装置
(リニアライザー)を設け線形性を向上させている。
【0003】しかし、入力信号レベルや温度など使用条
件によって、電力素子の歪特性が変化する。このため、
使用条件が変わると電力素子で発生する歪も違ってく
る。したがって、電力素子で発生する歪を小さくするた
めには、歪補償装置で生成される補償用の歪成分を使用
条件によって調整する必要がある。
件によって、電力素子の歪特性が変化する。このため、
使用条件が変わると電力素子で発生する歪も違ってく
る。したがって、電力素子で発生する歪を小さくするた
めには、歪補償装置で生成される補償用の歪成分を使用
条件によって調整する必要がある。
【0004】ところで、歪補償装置の歪成分は、歪発生
回路で歪信号を発生しその歪信号の大きさや位相を制御
して得ている。したがって、歪補償に最適な歪成分を得
るために、例えば歪発生回路で発生する歪信号に対する
制御条件を、予め使用条件に応じて測定しておき、その
制御条件をメモリーに記憶させる方法が用いられる。そ
して、電力素子が実際に動作している時の使用条件をモ
ニタし、その使用条件に見合った制御条件で歪信号を制
御する構成である。
回路で歪信号を発生しその歪信号の大きさや位相を制御
して得ている。したがって、歪補償に最適な歪成分を得
るために、例えば歪発生回路で発生する歪信号に対する
制御条件を、予め使用条件に応じて測定しておき、その
制御条件をメモリーに記憶させる方法が用いられる。そ
して、電力素子が実際に動作している時の使用条件をモ
ニタし、その使用条件に見合った制御条件で歪信号を制
御する構成である。
【0005】なお、電力素子で発生する歪に影響を与え
る使用条件として、入力レベルや温度の他に、多数の信
号波を同時に増幅する場合の周波数差(ビート周波数:
Δf)がある。
る使用条件として、入力レベルや温度の他に、多数の信
号波を同時に増幅する場合の周波数差(ビート周波数:
Δf)がある。
【0006】多数の信号波が電力素子に同時に入力され
ると、電力素子の出力電力は入力された信号のビート周
波数(Δf)によって変化する。なお、電力素子は、通
常、AB級またはB級にバイアスされ、効率の向上が図
られている。したがって、出力電力が変化すると電流
(FETの場合はドレイン電流)の平均値が変化する。
電流の平均値が変化する場合、ビート周波数(Δf)に
追従する速さで、電力素子の端子にバイアス装置から電
荷を供給する必要がある。
ると、電力素子の出力電力は入力された信号のビート周
波数(Δf)によって変化する。なお、電力素子は、通
常、AB級またはB級にバイアスされ、効率の向上が図
られている。したがって、出力電力が変化すると電流
(FETの場合はドレイン電流)の平均値が変化する。
電流の平均値が変化する場合、ビート周波数(Δf)に
追従する速さで、電力素子の端子にバイアス装置から電
荷を供給する必要がある。
【0007】しかし、バイアス装置にはインダクタンス
分が含まれるため、バイアス電源から電力素子に供給さ
れる電荷がビート周波数(Δf)に追従できなくなる。
このような場合、バイアス電圧が下がり、電力素子の線
形性が劣化する。使用する周波数帯域が狭く、したがっ
て、ビート周波数(Δf)が小さいときは、線形性の劣
化は小さい。
分が含まれるため、バイアス電源から電力素子に供給さ
れる電荷がビート周波数(Δf)に追従できなくなる。
このような場合、バイアス電圧が下がり、電力素子の線
形性が劣化する。使用する周波数帯域が狭く、したがっ
て、ビート周波数(Δf)が小さいときは、線形性の劣
化は小さい。
【0008】しかし、使用する周波数帯域が広くなり、
ビート周波数(Δf)が大きくなると、電力素子の線形
性の劣化は大きくなり、電力素子の歪に対するビート周
波数(Δf)の影響が無視できなくなる。
ビート周波数(Δf)が大きくなると、電力素子の線形
性の劣化は大きくなり、電力素子の歪に対するビート周
波数(Δf)の影響が無視できなくなる。
【0009】なお、多数の信号波を同時に増幅する場合
のビート周波数(Δf)に限らず、単一の信号波を増幅
する場合でも、変調方式によっては同様の現象が起こ
る。単一の信号波の場合は、その変調速度が多数の信号
波の場合のビート周波数(Δf)と同様な影響を与え
る。
のビート周波数(Δf)に限らず、単一の信号波を増幅
する場合でも、変調方式によっては同様の現象が起こ
る。単一の信号波の場合は、その変調速度が多数の信号
波の場合のビート周波数(Δf)と同様な影響を与え
る。
【0010】ところで、歪補償装置の歪発生回路で生成
される歪信号を、入力信号の周波数で制御しようとする
と、入力信号の周波数をモニタするために、周波数を検
出する検出回路が伝送線路に挿入される。しかし、伝送
線路に検出回路を挿入すると、検出回路によって伝送す
る信号が減衰する。
される歪信号を、入力信号の周波数で制御しようとする
と、入力信号の周波数をモニタするために、周波数を検
出する検出回路が伝送線路に挿入される。しかし、伝送
線路に検出回路を挿入すると、検出回路によって伝送す
る信号が減衰する。
【0011】また、入力信号の周波数をモニタする場
合、周波数に比例した出力を得るためにf/V変換回路
が用いられる。しかし、マイクロ波帯など周波数が高く
なると、f/V変換回路が複雑になり、また大型なもの
になる。このため、歪補償装置の歪発生回路で生成され
る歪信号を周波数で制御する方法は、これまで用いられ
ていない。
合、周波数に比例した出力を得るためにf/V変換回路
が用いられる。しかし、マイクロ波帯など周波数が高く
なると、f/V変換回路が複雑になり、また大型なもの
になる。このため、歪補償装置の歪発生回路で生成され
る歪信号を周波数で制御する方法は、これまで用いられ
ていない。
【0012】ここで、従来の高周波線形電力増幅器につ
いて、図3を参照して説明する。図3はプリディストー
タ形歪補償装置を用いた例である。
いて、図3を参照して説明する。図3はプリディストー
タ形歪補償装置を用いた例である。
【0013】INは入力端子で、入力端子INには点線
で示した歪補償装置31が接続されている。なお、歪補
償装置31は、後段に接続された電力素子32で発生す
る歪を打ち消す逆位相の歪成分を生成する。
で示した歪補償装置31が接続されている。なお、歪補
償装置31は、後段に接続された電力素子32で発生す
る歪を打ち消す逆位相の歪成分を生成する。
【0014】歪補償装置31に入力された信号は分配器
33で2分され、一方は歪発生回路34から減衰器3
5、移相器36を通して合成器37に加えられる。ま
た、他方は伝送線路38を通して合成器37に加えられ
る。合成器37で合成された入力信号は電力素子32で
増幅され、出力端子OUTから出力される。
33で2分され、一方は歪発生回路34から減衰器3
5、移相器36を通して合成器37に加えられる。ま
た、他方は伝送線路38を通して合成器37に加えられ
る。合成器37で合成された入力信号は電力素子32で
増幅され、出力端子OUTから出力される。
【0015】なお、歪発生回路34では、電力素子32
で発生する歪を補償する歪信号が生成される。歪信号
は、減衰器35や移相器36で、その大きさや位相が制
御され、電力素子32で発生する歪と逆位相にされ補償
用の歪成分として合成器37に加えられる。なお、減衰
器35や移相器36で制御される歪信号の大きさや移相
量は、制御回路39によって制御される。
で発生する歪を補償する歪信号が生成される。歪信号
は、減衰器35や移相器36で、その大きさや位相が制
御され、電力素子32で発生する歪と逆位相にされ補償
用の歪成分として合成器37に加えられる。なお、減衰
器35や移相器36で制御される歪信号の大きさや移相
量は、制御回路39によって制御される。
【0016】また、電力素子32の近くに温度センサ4
0が設けられ、周囲の温度が測定される。温度センサ4
0で測定された温度情報は制御回路39に送られる。制
御回路39には、減衰器35や位相器36に対する制御
条件が温度条件に応じてメモリーに記憶されている。そ
して、温度センサ40から送られる温度情報をもとに、
メモリーに記憶されている制御条件で減衰器35や位相
器36を制御し、電力素子32から出力される信号の歪
が最小となるようにしている。なお、図3の例では、減
衰器35や位相器36は温度情報で制御され、入力レベ
ルによる制御は行われていない。ここで、電力素子に対
しバイアス電圧を供給するバイアス装置について、図4
を参照して説明する。INは電力素子の入力端で、電力
素子には例えばFET41が用いられる。FET41は
ドレインD、ソースS、ゲートGの各端子を持ち、ソー
スSは接地され、ドレインDは出力端OUTに接続され
る。そして、ドレインD、ゲートGには、バイアス電源
B1、B2からインダクタンス素子L1、L2を通して
バイアス電圧が供給される。なお、コンデンサC1、C
2は、高周波信号に対するバイアス電源B1、B2側の
影響を防いでいる。
0が設けられ、周囲の温度が測定される。温度センサ4
0で測定された温度情報は制御回路39に送られる。制
御回路39には、減衰器35や位相器36に対する制御
条件が温度条件に応じてメモリーに記憶されている。そ
して、温度センサ40から送られる温度情報をもとに、
メモリーに記憶されている制御条件で減衰器35や位相
器36を制御し、電力素子32から出力される信号の歪
が最小となるようにしている。なお、図3の例では、減
衰器35や位相器36は温度情報で制御され、入力レベ
ルによる制御は行われていない。ここで、電力素子に対
しバイアス電圧を供給するバイアス装置について、図4
を参照して説明する。INは電力素子の入力端で、電力
素子には例えばFET41が用いられる。FET41は
ドレインD、ソースS、ゲートGの各端子を持ち、ソー
スSは接地され、ドレインDは出力端OUTに接続され
る。そして、ドレインD、ゲートGには、バイアス電源
B1、B2からインダクタンス素子L1、L2を通して
バイアス電圧が供給される。なお、コンデンサC1、C
2は、高周波信号に対するバイアス電源B1、B2側の
影響を防いでいる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】電力素子例えばFET
にバイアス電圧を加えるバイアス装置は、そのインダク
タンス分が電力素子で発生する歪に影響を与える。これ
までは、インダクタンス素子の配置場所や長さなどを工
夫して、インダクタンス分ができるだけ小さくなるよう
にしている。しかし、使用周波数帯域が広くなると、イ
ンダクタンスの影響は無視できなくなる。また、電力素
子で発生する歪は、例えば多数の信号波が入力される場
合はビート周波数(Δf)で変化する。
にバイアス電圧を加えるバイアス装置は、そのインダク
タンス分が電力素子で発生する歪に影響を与える。これ
までは、インダクタンス素子の配置場所や長さなどを工
夫して、インダクタンス分ができるだけ小さくなるよう
にしている。しかし、使用周波数帯域が広くなると、イ
ンダクタンスの影響は無視できなくなる。また、電力素
子で発生する歪は、例えば多数の信号波が入力される場
合はビート周波数(Δf)で変化する。
【0018】ところで、歪補償装置で生成される歪成分
は、電力素子で発生する歪に対して特定のビート周波数
(Δf)で逆位相となるように設定される。したがっ
て、他のビート周波数(Δf)に対しては必ずしも逆位
相にならない。このため、複数のビート周波数(Δf)
に対して、電力素子で発生する歪を補償するためには、
歪補償装置で生成される歪成分をビート周波数(Δf)
に応じて制御する必要がある。しかし、前述したように
周波数による制御が困難であるため、個々のビート周波
数(Δf)に対する制御は行われていない。これまでは
使用周波数帯域内のすべてのビート周波数(Δf)に対
して平均的に補償効果があるように制御している。
は、電力素子で発生する歪に対して特定のビート周波数
(Δf)で逆位相となるように設定される。したがっ
て、他のビート周波数(Δf)に対しては必ずしも逆位
相にならない。このため、複数のビート周波数(Δf)
に対して、電力素子で発生する歪を補償するためには、
歪補償装置で生成される歪成分をビート周波数(Δf)
に応じて制御する必要がある。しかし、前述したように
周波数による制御が困難であるため、個々のビート周波
数(Δf)に対する制御は行われていない。これまでは
使用周波数帯域内のすべてのビート周波数(Δf)に対
して平均的に補償効果があるように制御している。
【0019】したがって、従来の高周波線形形電力増幅
器では、使用周波数帯域が広くなると、電力素子で発生
する歪を十分に補償できない。
器では、使用周波数帯域が広くなると、電力素子で発生
する歪を十分に補償できない。
【0020】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、入力信号の例えばビート周波数(Δf)をバイアス
装置で検出し、そして、周波数に応じて制御された歪成
分を歪補償装置で生成し、線形性を向上する高周波線形
形電力増幅器を提供することを目的とする。
で、入力信号の例えばビート周波数(Δf)をバイアス
装置で検出し、そして、周波数に応じて制御された歪成
分を歪補償装置で生成し、線形性を向上する高周波線形
形電力増幅器を提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波信号を
増幅する電力素子と、この電力素子の端子にバイアス電
圧を供給するバイアス装置と、前記電力素子の非線形性
によって生じる歪を補償する歪成分を生成する歪補償装
置と、この歪補償装置で生成される歪成分を制御する制
御装置とを具備する高周波線形電力増幅器において、周
波数による電圧の変化分を検出する検出装置を前記バイ
アス装置に設け、前記検出装置で検出された信号を前記
制御装置に加え、前記歪補償装置で生成される歪成分を
制御している。
増幅する電力素子と、この電力素子の端子にバイアス電
圧を供給するバイアス装置と、前記電力素子の非線形性
によって生じる歪を補償する歪成分を生成する歪補償装
置と、この歪補償装置で生成される歪成分を制御する制
御装置とを具備する高周波線形電力増幅器において、周
波数による電圧の変化分を検出する検出装置を前記バイ
アス装置に設け、前記検出装置で検出された信号を前記
制御装置に加え、前記歪補償装置で生成される歪成分を
制御している。
【0022】
【作用】上記した構成によれば、周波数の変化分を検出
する検出装置をバイアス装置に設け、周波数の変化分で
制御された歪成分を歪補償装置で生成している。したが
って、電力素子の出力変化などによる歪の変化を補償す
ることができ、高周波線形形電力増幅器の線形性を向上
できる。また、周波数の変化分を検出する検出装置をバ
イアス装置に設けているので、検出装置が入力信号を減
衰させるようなこともない。
する検出装置をバイアス装置に設け、周波数の変化分で
制御された歪成分を歪補償装置で生成している。したが
って、電力素子の出力変化などによる歪の変化を補償す
ることができ、高周波線形形電力増幅器の線形性を向上
できる。また、周波数の変化分を検出する検出装置をバ
イアス装置に設けているので、検出装置が入力信号を減
衰させるようなこともない。
【0023】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図1の回
路構成図を参照して説明する。図1の実施例は、図3と
同様にプリディストータ形歪補償装置を用いた例であ
る。INが入力端子で、入力端子INに点線で示した歪
補償装置11が接続されている。歪補償装置11に入力
された信号は分配器12で2分され、一方は歪発生回路
13、そして減衰器14、移相器15を通して合成器1
6に加えられる。他方は伝送線路17を通して合成器1
6に加えられる。合成器16で合成された信号は、電力
素子18例えばFETで増幅され出力端子OUTから出
力される。
路構成図を参照して説明する。図1の実施例は、図3と
同様にプリディストータ形歪補償装置を用いた例であ
る。INが入力端子で、入力端子INに点線で示した歪
補償装置11が接続されている。歪補償装置11に入力
された信号は分配器12で2分され、一方は歪発生回路
13、そして減衰器14、移相器15を通して合成器1
6に加えられる。他方は伝送線路17を通して合成器1
6に加えられる。合成器16で合成された信号は、電力
素子18例えばFETで増幅され出力端子OUTから出
力される。
【0024】なお、歪発生回路13では、電力素子18
で発生する歪を補償する歪信号が生成される。歪信号
は、減衰器14や移相器15で、その大きさや位相が制
御され、電力素子18で発生する歪と逆位相の補償用の
歪成分として合成器16に加えられる。なお、減衰器1
4や移相器15で制御される歪信号の大きさや移相量
は、制御回路19によって制御される。
で発生する歪を補償する歪信号が生成される。歪信号
は、減衰器14や移相器15で、その大きさや位相が制
御され、電力素子18で発生する歪と逆位相の補償用の
歪成分として合成器16に加えられる。なお、減衰器1
4や移相器15で制御される歪信号の大きさや移相量
は、制御回路19によって制御される。
【0025】また、合成器16に加えられた補償用の歪
成分は、歪補償装置11の出力として、入力信号と一緒
に電力素子18に加えられる。このとき、電力素子18
で発生する歪は、歪補償回路11から送られる歪成分で
補償される。
成分は、歪補償装置11の出力として、入力信号と一緒
に電力素子18に加えられる。このとき、電力素子18
で発生する歪は、歪補償回路11から送られる歪成分で
補償される。
【0026】なお、電力素子18の近くには温度センサ
20が設けられ、周囲の温度が測定される。また、電力
素子18の例えばバイアス装置にf/V変換回路21が
設けられ、ビート周波数(Δf)などの周波数情報が検
出される。そして、温度センサ20で測定された温度情
報、およびf/V変換回路21で検出された周波数情報
は制御装置19に送られる。制御装置19には、歪補償
装置11内の減衰器14や移相器15に対する制御条件
が温度や周波数などの使用条件に応じてメモリーに記憶
されており、温度センサ20から送られる温度情報やf
/V変換回路21から送られる周波数情報をもとに、減
衰器14や移相器15を制御する。
20が設けられ、周囲の温度が測定される。また、電力
素子18の例えばバイアス装置にf/V変換回路21が
設けられ、ビート周波数(Δf)などの周波数情報が検
出される。そして、温度センサ20で測定された温度情
報、およびf/V変換回路21で検出された周波数情報
は制御装置19に送られる。制御装置19には、歪補償
装置11内の減衰器14や移相器15に対する制御条件
が温度や周波数などの使用条件に応じてメモリーに記憶
されており、温度センサ20から送られる温度情報やf
/V変換回路21から送られる周波数情報をもとに、減
衰器14や移相器15を制御する。
【0027】ここで、バイアス装置内に構成されるf/
V変換回路について、図2を参照して説明する。INは
電力素子の入力端子で、電力素子には例えばFET25
が用いられる。FET25はドレインD、ソースS、ゲ
ートGの各端子を持ち、ソースSは接地される。また、
ドレインDは出力端子OUTに接続される。そしてドレ
インDやゲートGには、バイアス電源B1、B2からイ
ンダクタンス素子L1、L2を通してバイアス電圧が供
給される。なお、コンデンサC1、C2は、高周波信号
に対するバイアス電源B1、B2側の影響を防いでい
る。そして、コンデンサC1の両端に、f/V変換回路
26が接続される。
V変換回路について、図2を参照して説明する。INは
電力素子の入力端子で、電力素子には例えばFET25
が用いられる。FET25はドレインD、ソースS、ゲ
ートGの各端子を持ち、ソースSは接地される。また、
ドレインDは出力端子OUTに接続される。そしてドレ
インDやゲートGには、バイアス電源B1、B2からイ
ンダクタンス素子L1、L2を通してバイアス電圧が供
給される。なお、コンデンサC1、C2は、高周波信号
に対するバイアス電源B1、B2側の影響を防いでい
る。そして、コンデンサC1の両端に、f/V変換回路
26が接続される。
【0028】上記した構成で、例えば多数の信号波が電
力素子25に同時に入力されると、インダクタンス素子
L1の影響で、コンデンサC1の電圧値が、入力された
信号のビート周波数(Δf)で変化する。この電圧変化
の周波数がf/V変換回路26で検出され制御回路19
(図1)に送られる。そして、歪発生回路13で生成さ
れた歪信号をf/V変換回路21で検出された周波数情
報で制御する。
力素子25に同時に入力されると、インダクタンス素子
L1の影響で、コンデンサC1の電圧値が、入力された
信号のビート周波数(Δf)で変化する。この電圧変化
の周波数がf/V変換回路26で検出され制御回路19
(図1)に送られる。そして、歪発生回路13で生成さ
れた歪信号をf/V変換回路21で検出された周波数情
報で制御する。
【0029】この構成では、ビート周波数(Δf)を検
出するf/V変換回路がバイアス装置に挿入されている
ので、入力信号を減衰させるようなことはない。また、
ビート周波数(Δf)は数10MHz程度と、マイクロ
波帯の入力信号に比べ周波数が低くなっているので、入
力信号を直接検波する場合に比べf/V変換回路の構成
は簡単になる。
出するf/V変換回路がバイアス装置に挿入されている
ので、入力信号を減衰させるようなことはない。また、
ビート周波数(Δf)は数10MHz程度と、マイクロ
波帯の入力信号に比べ周波数が低くなっているので、入
力信号を直接検波する場合に比べf/V変換回路の構成
は簡単になる。
【0030】なお、ビート周波数(Δf)が電力素子の
歪に対し影響が小さい場合は、f/V変換回路で検出さ
れる周波数の精度はそれほど要求されない。この場合、
LC共振回路やゲインが変化する増幅器などでf/V変
換回路を構成できる。また、ビート周波数(Δf)は電
圧振幅と比例関係にあるため、電圧振幅をモニタする回
路でf/V変換回路を構成することもできる。この場
合、f/V変換回路はより簡単になる。
歪に対し影響が小さい場合は、f/V変換回路で検出さ
れる周波数の精度はそれほど要求されない。この場合、
LC共振回路やゲインが変化する増幅器などでf/V変
換回路を構成できる。また、ビート周波数(Δf)は電
圧振幅と比例関係にあるため、電圧振幅をモニタする回
路でf/V変換回路を構成することもできる。この場
合、f/V変換回路はより簡単になる。
【0031】上記した本発明の構成によれば、入力信号
の例えばビート周波数をバイアス装置内で検出し、検出
された周波数で歪成分を制御しているので、入力信号の
減衰もなく、また、電力素子で発生する歪も小さくでき
る。
の例えばビート周波数をバイアス装置内で検出し、検出
された周波数で歪成分を制御しているので、入力信号の
減衰もなく、また、電力素子で発生する歪も小さくでき
る。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、入力信号の減衰がな
く、また、電力素子で発生する歪が小さい高周波線形電
力増幅器を実現できる。
く、また、電力素子で発生する歪が小さい高周波線形電
力増幅器を実現できる。
【図1】本発明の一実施例を示す回路構成図である。
【図2】本発明の一実施例を説明する回路図である。
【図3】従来の例を示す回路構成図である。
【図4】従来の例を説明する回路図である。
11…歪補償装置 12…分配器 13…歪発生回路 14…減衰器 15…移相器 16…合成器 17…伝送線路 18…電力素子 19…制御回路 20…温度センサ 21…f/V変換回路 IN…入力端子 OUT…出力端子
Claims (1)
- 【請求項1】 高周波信号を増幅する電力素子と、この
電力素子の端子にバイアス電圧を供給するバイアス装置
と、前記電力素子の非線形性によって生じる歪を補償す
る歪成分を生成する歪補償装置と、この歪補償装置で生
成される歪成分を制御する制御装置とを具備する高周波
線形電力増幅器において、周波数による電圧の変化分を
検出する検出装置を前記バイアス装置に設け、前記検出
装置で検出された信号を前記制御装置に加え、前記歪補
償装置で生成される歪成分を制御することを特徴とする
高周波線形電力増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5188570A JPH0746049A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波線形電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5188570A JPH0746049A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波線形電力増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0746049A true JPH0746049A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16226005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5188570A Pending JPH0746049A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波線形電力増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0746049A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08307161A (ja) * | 1995-05-02 | 1996-11-22 | Nec Corp | フィードフォワード増幅器 |
JP2003516013A (ja) * | 1999-11-24 | 2003-05-07 | テレフォンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | 無線周波数信号の発生方法と装置 |
JP2008028746A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 歪み補償装置 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5188570A patent/JPH0746049A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08307161A (ja) * | 1995-05-02 | 1996-11-22 | Nec Corp | フィードフォワード増幅器 |
JP2003516013A (ja) * | 1999-11-24 | 2003-05-07 | テレフォンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | 無線周波数信号の発生方法と装置 |
JP4679021B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2011-04-27 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | 無線周波数信号の発生方法と装置 |
JP2008028746A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 歪み補償装置 |
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