JPH0745912A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0745912A JPH0745912A JP5208658A JP20865893A JPH0745912A JP H0745912 A JPH0745912 A JP H0745912A JP 5208658 A JP5208658 A JP 5208658A JP 20865893 A JP20865893 A JP 20865893A JP H0745912 A JPH0745912 A JP H0745912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor region
- type
- region
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モニター用フォトダイオードを有する半導体
レーザ装置において、フォトダイオードからレーザダイ
オードにリーク電流が流れるのを防止する。 【構成】 フォトダイオードＰＤを形成するｐ- 型エピ
タキシャル成長層２のうちのｎ+ 型半導体領域３とｎ+
型半導体領域４との間の部分にｐ+ 型半導体領域１２か
らなるチャンネルストッパーを設ける。チャンネルスト
ッパーとしては、溝の内部を絶縁物で埋め込んだものを
用いてもよい。
レーザ装置において、フォトダイオードからレーザダイ
オードにリーク電流が流れるのを防止する。 【構成】 フォトダイオードＰＤを形成するｐ- 型エピ
タキシャル成長層２のうちのｎ+ 型半導体領域３とｎ+
型半導体領域４との間の部分にｐ+ 型半導体領域１２か
らなるチャンネルストッパーを設ける。チャンネルスト
ッパーとしては、溝の内部を絶縁物で埋め込んだものを
用いてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置に
関し、特に、レーザダイオードの出力光のモニター用フ
ォトダイオードを有する半導体レーザ装置に関する。
関し、特に、レーザダイオードの出力光のモニター用フ
ォトダイオードを有する半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクプレーヤー等において光ディ
スクの信号読み取り用として用いられている半導体レー
ザ装置は、通常、レーザ光を発生するレーザダイオード
のほかに、このレーザ光をモニターしてその出力を制御
するためのモニター用フォトダイオードを有している。
スクの信号読み取り用として用いられている半導体レー
ザ装置は、通常、レーザ光を発生するレーザダイオード
のほかに、このレーザ光をモニターしてその出力を制御
するためのモニター用フォトダイオードを有している。
【０００３】このような半導体レーザ装置を単一電源、
例えば正の単一電源で実現する方法として、ｐ型半導体
基板でモニター用フォトダイオードを構成して、その上
にレーザダイオードを載置し、レーザダイオードおよび
モニター用フォトダイオードのうちの一方のアノードと
他方のカソードとを互いに接続する方法がある（特開昭
６３−２３７４９２）。
例えば正の単一電源で実現する方法として、ｐ型半導体
基板でモニター用フォトダイオードを構成して、その上
にレーザダイオードを載置し、レーザダイオードおよび
モニター用フォトダイオードのうちの一方のアノードと
他方のカソードとを互いに接続する方法がある（特開昭
６３−２３７４９２）。
【０００４】この方法で構成された半導体レーザ装置と
して図４に示すようなものがある。図４Ａに示すよう
に、この半導体レーザ装置においては、ｐ+ 型半導体基
板１０１上にｐ- 型エピタキシャル成長層１０２が設け
られ、このｐ- 型エピタキシャル成長層１０２中にｎ+
型半導体領域１０３、１０４が互いに離れて形成されて
いる。この場合、ｐ+ 型半導体基板１０１、ｐ- 型エピ
タキシャル成長層１０２およびｎ+ 型半導体領域１０３
によりモニター用フォトダイオードＰＤが構成されてい
る。ｐ- 型エピタキシャル成長層１０２上にはＳｉＯ2
膜からなる絶縁膜１０５が形成されている。この絶縁膜
１０５には、ｎ+ 型半導体領域１０３の一端部に対応す
る部分に開口１０５ａが形成されているとともに、ｎ+
型半導体領域１０４に対応する部分に開口１０５ｂが形
成されている。開口１０５ａを通じて電極１０６がｎ+
型半導体領域１０３に接続されているとともに、開口１
０５ｂを通じて電極１０７がｎ+ 型半導体領域１０４に
接続されている。そして、開口１０５ｂの部分における
電極１０７上に、ｐ型半導体層１０８、活性層１０９お
よびｎ型半導体層１１０からなるレーザダイオードＬＤ
がボンディングにより載置されている。符号１１１はｎ
側の電極を示す。図４Ａにおいて、Ｖ１は例えば５Ｖ、
Ｖ２は例えば約２Ｖである。この半導体レーザ装置の等
価回路を図４Ｂに示す。
して図４に示すようなものがある。図４Ａに示すよう
に、この半導体レーザ装置においては、ｐ+ 型半導体基
板１０１上にｐ- 型エピタキシャル成長層１０２が設け
られ、このｐ- 型エピタキシャル成長層１０２中にｎ+
型半導体領域１０３、１０４が互いに離れて形成されて
いる。この場合、ｐ+ 型半導体基板１０１、ｐ- 型エピ
タキシャル成長層１０２およびｎ+ 型半導体領域１０３
によりモニター用フォトダイオードＰＤが構成されてい
る。ｐ- 型エピタキシャル成長層１０２上にはＳｉＯ2
膜からなる絶縁膜１０５が形成されている。この絶縁膜
１０５には、ｎ+ 型半導体領域１０３の一端部に対応す
る部分に開口１０５ａが形成されているとともに、ｎ+
型半導体領域１０４に対応する部分に開口１０５ｂが形
成されている。開口１０５ａを通じて電極１０６がｎ+
型半導体領域１０３に接続されているとともに、開口１
０５ｂを通じて電極１０７がｎ+ 型半導体領域１０４に
接続されている。そして、開口１０５ｂの部分における
電極１０７上に、ｐ型半導体層１０８、活性層１０９お
よびｎ型半導体層１１０からなるレーザダイオードＬＤ
がボンディングにより載置されている。符号１１１はｎ
側の電極を示す。図４Ａにおいて、Ｖ１は例えば５Ｖ、
Ｖ２は例えば約２Ｖである。この半導体レーザ装置の等
価回路を図４Ｂに示す。
【０００５】図４Ａに示すように、電極１０７は、ｎ+
型半導体領域１０３とｎ+ 型半導体領域１０４との間の
部分における絶縁膜１０５上に延在しているが、これは
次のような理由によるものである。すなわち、ｎ+ 型半
導体領域１０３とｎ+ 型半導体領域１０４との間の部分
における絶縁膜１０５上に電極１０７が延在していない
と、図５Ａに示すように、レーザダイオードＬＤの出力
光がその部分に照射されてｎ+ 型半導体領域１０３、１
０４およびそれらの間の部分のｐ- 型エピタキシャル成
長層１０２により形成される寄生光トランジスタ（その
等価回路を図５Ｂに示す）がオンし、フォトダイオード
ＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク電流が流れてし
まうので、これを防止するために上述のように電極１０
７を延在させてレーザダイオードＬＤからの出力光を遮
断したのである。なお、フォトダイオードＰＤからレー
ザダイオードＬＤに流れるリーク電流は、レーザダイオ
ードＬＤの動作電流を見かけ上増加させる効果を有す
る。
型半導体領域１０３とｎ+ 型半導体領域１０４との間の
部分における絶縁膜１０５上に延在しているが、これは
次のような理由によるものである。すなわち、ｎ+ 型半
導体領域１０３とｎ+ 型半導体領域１０４との間の部分
における絶縁膜１０５上に電極１０７が延在していない
と、図５Ａに示すように、レーザダイオードＬＤの出力
光がその部分に照射されてｎ+ 型半導体領域１０３、１
０４およびそれらの間の部分のｐ- 型エピタキシャル成
長層１０２により形成される寄生光トランジスタ（その
等価回路を図５Ｂに示す）がオンし、フォトダイオード
ＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク電流が流れてし
まうので、これを防止するために上述のように電極１０
７を延在させてレーザダイオードＬＤからの出力光を遮
断したのである。なお、フォトダイオードＰＤからレー
ザダイオードＬＤに流れるリーク電流は、レーザダイオ
ードＬＤの動作電流を見かけ上増加させる効果を有す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ｐ- 型エピ
タキシャル成長層１０２の不純物濃度は低いので、電極
１０７に正の動作電圧Ｖopが印加されると、図６Ａに示
すように、電極１０７が絶縁膜１０５上に延在した部分
の直下のｐ- 型エピタキシャル成長層１０２がｎ型化し
てｎチャンネル１１２が形成されるため、電極１０７お
よびｎ+ 型半導体領域１０３、１０４により形成される
寄生ＭＯＳトランジスタ（その等価回路を図６Ｂに示
す）がオンしてしまい、やはりフォトダイオードＰＤか
らレーザダイオードＬＤにリーク電流が流れてしまう。
タキシャル成長層１０２の不純物濃度は低いので、電極
１０７に正の動作電圧Ｖopが印加されると、図６Ａに示
すように、電極１０７が絶縁膜１０５上に延在した部分
の直下のｐ- 型エピタキシャル成長層１０２がｎ型化し
てｎチャンネル１１２が形成されるため、電極１０７お
よびｎ+ 型半導体領域１０３、１０４により形成される
寄生ＭＯＳトランジスタ（その等価回路を図６Ｂに示
す）がオンしてしまい、やはりフォトダイオードＰＤか
らレーザダイオードＬＤにリーク電流が流れてしまう。
【０００７】従って、この発明の目的は、モニター用フ
ォトダイオードからレーザダイオードにリーク電流が流
れるのを防止することができる半導体レーザ装置を提供
することにある。
ォトダイオードからレーザダイオードにリーク電流が流
れるのを防止することができる半導体レーザ装置を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明による半導体レーザ装置は、
第１導電型の半導体基板（１、２）と、半導体基板
（１、２）中に互いに離れて形成された第２導電型の第
１の半導体領域（３）および第２の半導体領域（４）
と、半導体基板（１、２）上に形成され、かつ第２の半
導体領域（４）に対応する部分に開口（５ｂ）を有する
絶縁膜（５）と、絶縁膜（５）の開口（５ｂ）を通じて
第２の半導体領域（４）に接続され、かつ第１の半導体
領域（３）と第２の半導体領域（４）との間の部分にお
ける絶縁膜（５）上に延在する電極（７）と、第１導電
型側が電極（７）に接続されるように電極（７）上に載
置されたレーザダイオード（ＬＤ）とを有し、半導体基
板（１、２）と第１の半導体領域（３）とによりレーザ
ダイオード（ＬＤ）の出力光のモニター用フォトダイオ
ード（ＰＤ）が形成され、レーザダイオード（ＬＤ）お
よびモニター用フォトダイオード（ＰＤ）のうちの一方
のアノードと他方のカソードとが接続されて一つの端子
とされた半導体レーザ装置において、半導体基板（１、
２）のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半導体領
域（４）との間の部分に第１導電型の半導体領域（１
２）からなるチャンネルストッパーが設けられているこ
とを特徴とするものである。
に、この発明の第１の発明による半導体レーザ装置は、
第１導電型の半導体基板（１、２）と、半導体基板
（１、２）中に互いに離れて形成された第２導電型の第
１の半導体領域（３）および第２の半導体領域（４）
と、半導体基板（１、２）上に形成され、かつ第２の半
導体領域（４）に対応する部分に開口（５ｂ）を有する
絶縁膜（５）と、絶縁膜（５）の開口（５ｂ）を通じて
第２の半導体領域（４）に接続され、かつ第１の半導体
領域（３）と第２の半導体領域（４）との間の部分にお
ける絶縁膜（５）上に延在する電極（７）と、第１導電
型側が電極（７）に接続されるように電極（７）上に載
置されたレーザダイオード（ＬＤ）とを有し、半導体基
板（１、２）と第１の半導体領域（３）とによりレーザ
ダイオード（ＬＤ）の出力光のモニター用フォトダイオ
ード（ＰＤ）が形成され、レーザダイオード（ＬＤ）お
よびモニター用フォトダイオード（ＰＤ）のうちの一方
のアノードと他方のカソードとが接続されて一つの端子
とされた半導体レーザ装置において、半導体基板（１、
２）のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半導体領
域（４）との間の部分に第１導電型の半導体領域（１
２）からなるチャンネルストッパーが設けられているこ
とを特徴とするものである。
【０００９】この発明の第２の発明による半導体レーザ
装置は、第１導電型の半導体基板（１、２）と、半導体
基板（１、２）中に互いに離れて形成された第２導電型
の第１の半導体領域（３）および第２の半導体領域
（４）と、半導体基板（１、２）上に形成され、かつ第
２の半導体領域（４）に対応する部分に開口（５ｂ）を
有する絶縁膜（５）と、絶縁膜（５）の開口（５ｂ）を
通じて第２の半導体領域（４）に接続され、かつ第１の
半導体領域（３）と第２の半導体領域（４）との間の部
分における絶縁膜（５）上に延在する電極（７）と、第
１導電型側が電極（７）に接続されるように電極（７）
上に載置されたレーザダイオード（ＬＤ）とを有し、半
導体基板（１、２）と第１の半導体領域（３）とにより
レーザダイオード（ＬＤ）の出力光のモニター用フォト
ダイオード（ＰＤ）が形成され、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）およびモニター用フォトダイオード（ＰＤ）のうち
の一方のアノードと他方のカソードとが接続されて一つ
の端子とされた半導体レーザ装置において、半導体基板
（１、２）のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半
導体領域（４）との間の部分に絶縁物（１４）からなる
チャンネルストッパーが設けられていることを特徴とす
るものである。
装置は、第１導電型の半導体基板（１、２）と、半導体
基板（１、２）中に互いに離れて形成された第２導電型
の第１の半導体領域（３）および第２の半導体領域
（４）と、半導体基板（１、２）上に形成され、かつ第
２の半導体領域（４）に対応する部分に開口（５ｂ）を
有する絶縁膜（５）と、絶縁膜（５）の開口（５ｂ）を
通じて第２の半導体領域（４）に接続され、かつ第１の
半導体領域（３）と第２の半導体領域（４）との間の部
分における絶縁膜（５）上に延在する電極（７）と、第
１導電型側が電極（７）に接続されるように電極（７）
上に載置されたレーザダイオード（ＬＤ）とを有し、半
導体基板（１、２）と第１の半導体領域（３）とにより
レーザダイオード（ＬＤ）の出力光のモニター用フォト
ダイオード（ＰＤ）が形成され、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）およびモニター用フォトダイオード（ＰＤ）のうち
の一方のアノードと他方のカソードとが接続されて一つ
の端子とされた半導体レーザ装置において、半導体基板
（１、２）のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半
導体領域（４）との間の部分に絶縁物（１４）からなる
チャンネルストッパーが設けられていることを特徴とす
るものである。
【００１０】この発明の第１の発明または第２の発明に
よる半導体レーザ装置の好適な一実施形態においては、
第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型である。
よる半導体レーザ装置の好適な一実施形態においては、
第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型である。
【００１１】この発明の第２の発明による半導体レーザ
装置の好適な一実施形態においては、半導体基板（１、
２）のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半導体領
域（４）との間の部分に溝（１３）が設けられ、溝（１
３）に絶縁物（１４）が埋め込まれることによりチャン
ネルストッパーが形成されている。
装置の好適な一実施形態においては、半導体基板（１、
２）のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半導体領
域（４）との間の部分に溝（１３）が設けられ、溝（１
３）に絶縁物（１４）が埋め込まれることによりチャン
ネルストッパーが形成されている。
【００１２】
【作用】この発明の第１の発明による半導体レーザ装置
によれば、第１の半導体領域（３）と第２の半導体領域
（４）との間の部分、すなわちモニター用フォトダイオ
ード（ＰＤ）とレーザダイオード（ＬＤ）との間の部分
における絶縁膜（５）上に電極（７）が延在しているの
で、この延在した部分の電極（７）により、レーザダイ
オード（ＬＤ）の出力光が、第１の半導体領域（３）と
第２の半導体領域（４）との間の部分の半導体基板
（１、２）に入射するのが防止される。これによって、
第１の半導体領域（３）および第２の半導体領域（４）
とそれらの間の部分の半導体基板（１、２）とにより形
成される寄生光トランジスタがオンするのを防止するこ
とができ、従ってモニター用フォトダイオード（ＰＤ）
からレーザダイオード（ＬＤ）にリーク電流が流れるの
を防止することができる。また、半導体基板（１、２）
のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半導体領域
（４）との間の部分に第１導電型の半導体領域（１２）
からなるチャンネルストッパーが設けられているので、
電極（７）と第１の半導体領域（３）および第２の半導
体領域（４）とにより形成される寄生ＭＯＳトランジス
タがオンするような電圧が電極（７）に印加されても、
そのチャンネルストッパーの部分においてはチャンネル
が形成されないので、モニター用フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）からレーザダイオード（ＬＤ）にリーク電流が流れ
るのを防止することができる。
によれば、第１の半導体領域（３）と第２の半導体領域
（４）との間の部分、すなわちモニター用フォトダイオ
ード（ＰＤ）とレーザダイオード（ＬＤ）との間の部分
における絶縁膜（５）上に電極（７）が延在しているの
で、この延在した部分の電極（７）により、レーザダイ
オード（ＬＤ）の出力光が、第１の半導体領域（３）と
第２の半導体領域（４）との間の部分の半導体基板
（１、２）に入射するのが防止される。これによって、
第１の半導体領域（３）および第２の半導体領域（４）
とそれらの間の部分の半導体基板（１、２）とにより形
成される寄生光トランジスタがオンするのを防止するこ
とができ、従ってモニター用フォトダイオード（ＰＤ）
からレーザダイオード（ＬＤ）にリーク電流が流れるの
を防止することができる。また、半導体基板（１、２）
のうちの第１の半導体領域（３）と第２の半導体領域
（４）との間の部分に第１導電型の半導体領域（１２）
からなるチャンネルストッパーが設けられているので、
電極（７）と第１の半導体領域（３）および第２の半導
体領域（４）とにより形成される寄生ＭＯＳトランジス
タがオンするような電圧が電極（７）に印加されても、
そのチャンネルストッパーの部分においてはチャンネル
が形成されないので、モニター用フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）からレーザダイオード（ＬＤ）にリーク電流が流れ
るのを防止することができる。
【００１３】この発明の第２の発明による半導体レーザ
装置によれば、第１の発明による半導体レーザ装置と同
様に、レーザダイオード（ＬＤ）の出力光により寄生光
トランジスタがオンするのを防止することができるとと
もに、寄生ＭＯＳトランジスタがオンするような電圧が
電極（７）に印加されても、絶縁物からなるチャンネル
ストッパーの部分においてはチャンネルが形成されない
ので、モニター用フォトダイオード（ＰＤ）からレーザ
ダイオード（ＬＤ）にリーク電流が流れるのを防止する
ことができる。
装置によれば、第１の発明による半導体レーザ装置と同
様に、レーザダイオード（ＬＤ）の出力光により寄生光
トランジスタがオンするのを防止することができるとと
もに、寄生ＭＯＳトランジスタがオンするような電圧が
電極（７）に印加されても、絶縁物からなるチャンネル
ストッパーの部分においてはチャンネルが形成されない
ので、モニター用フォトダイオード（ＰＤ）からレーザ
ダイオード（ＬＤ）にリーク電流が流れるのを防止する
ことができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながらこの発明の実施例
について説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。図１はこの
発明の第１実施例による半導体レーザ装置を示す断面図
である。この第１実施例による半導体レーザ装置の等価
回路は、図４Ｂに示すと同様である。
について説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。図１はこの
発明の第１実施例による半導体レーザ装置を示す断面図
である。この第１実施例による半導体レーザ装置の等価
回路は、図４Ｂに示すと同様である。
【００１５】図１に示すように、この第１実施例による
半導体レーザ装置においては、ｐ+型半導体基板１上に
ｐ- 型エピタキシャル成長層２が設けられ、このｐ- 型
エピタキシャル成長層２中にｎ+ 型半導体領域３、４が
互いに離れて形成されている。この場合、ｐ+ 型半導体
基板１、ｐ- 型エピタキシャル成長層２およびｎ+ 型半
導体領域３によりモニター用フォトダイオードＰＤが構
成されている。ｐ- 型エピタキシャル成長層２上にはＳ
ｉＯ2 膜からなる絶縁膜５が形成されている。この絶縁
膜５には、ｎ+ 型半導体領域３の一端部に対応する部分
に開口５ａが形成されているとともに、ｎ+ 型半導体領
域４に対応する部分に開口５ｂが形成されている。開口
５ａを通じて電極６がｎ+ 型半導体領域３に接続されて
いるとともに、開口５ｂを通じて電極７がｎ+ 型半導体
領域４に接続されている。ここで、電極７は、ｎ+ 型半
導体領域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部分における
絶縁膜５上に延在している。そして、開口５ｂの部分に
おける電極７上に、ｐ型半導体層８、活性層９およびｎ
型半導体層１０からなるレーザダイオードＬＤがボンデ
ィングにより載置されている。符号１１はｎ側の電極を
示す。この第１実施例による半導体レーザ装置において
は、図４Ａに示す従来の半導体レーザ装置と同様な上述
の構成に加えて、ｐ- 型エピタキシャル成長層２のうち
のｎ+ 型半導体領域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部
分に、ｐ+ 型半導体領域１２がチャンネルストッパーと
して形成されている。
半導体レーザ装置においては、ｐ+型半導体基板１上に
ｐ- 型エピタキシャル成長層２が設けられ、このｐ- 型
エピタキシャル成長層２中にｎ+ 型半導体領域３、４が
互いに離れて形成されている。この場合、ｐ+ 型半導体
基板１、ｐ- 型エピタキシャル成長層２およびｎ+ 型半
導体領域３によりモニター用フォトダイオードＰＤが構
成されている。ｐ- 型エピタキシャル成長層２上にはＳ
ｉＯ2 膜からなる絶縁膜５が形成されている。この絶縁
膜５には、ｎ+ 型半導体領域３の一端部に対応する部分
に開口５ａが形成されているとともに、ｎ+ 型半導体領
域４に対応する部分に開口５ｂが形成されている。開口
５ａを通じて電極６がｎ+ 型半導体領域３に接続されて
いるとともに、開口５ｂを通じて電極７がｎ+ 型半導体
領域４に接続されている。ここで、電極７は、ｎ+ 型半
導体領域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部分における
絶縁膜５上に延在している。そして、開口５ｂの部分に
おける電極７上に、ｐ型半導体層８、活性層９およびｎ
型半導体層１０からなるレーザダイオードＬＤがボンデ
ィングにより載置されている。符号１１はｎ側の電極を
示す。この第１実施例による半導体レーザ装置において
は、図４Ａに示す従来の半導体レーザ装置と同様な上述
の構成に加えて、ｐ- 型エピタキシャル成長層２のうち
のｎ+ 型半導体領域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部
分に、ｐ+ 型半導体領域１２がチャンネルストッパーと
して形成されている。
【００１６】この第１実施例において、ｐ+ 型半導体基
板１の不純物濃度は例えば、５×１０17〜５×１０18ｃ
ｍ-3であり、ｐ- 型エピタキシャル成長層２の不純物濃
度は例えば、５×１０14ｃｍ-3であり、ｎ+ 型半導体領
域３、４の不純物濃度は例えば、１×１０18ｃｍ-3であ
り、チャンネルストッパーとしてのｐ+ 型半導体領域１
２の不純物濃度は例えば、１×１０18ｃｍ-3であり、ｎ
+ 型半導体領域３、４間の距離は例えば、２０μｍであ
り、絶縁膜５の膜厚は例えば、３７０ｎｍである。
板１の不純物濃度は例えば、５×１０17〜５×１０18ｃ
ｍ-3であり、ｐ- 型エピタキシャル成長層２の不純物濃
度は例えば、５×１０14ｃｍ-3であり、ｎ+ 型半導体領
域３、４の不純物濃度は例えば、１×１０18ｃｍ-3であ
り、チャンネルストッパーとしてのｐ+ 型半導体領域１
２の不純物濃度は例えば、１×１０18ｃｍ-3であり、ｎ
+ 型半導体領域３、４間の距離は例えば、２０μｍであ
り、絶縁膜５の膜厚は例えば、３７０ｎｍである。
【００１７】この第１実施例によれば、ｎ+ 型半導体領
域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部分における絶縁膜
５上に延在している電極７による遮光効果でｎ+ 型半導
体領域３、４およびそれらの間の部分のｐ- 型エピタキ
シャル成長層２により形成される寄生光トランジスタが
レーザダイオードＬＤの出力光の照射によりオンし、フ
ォトダイオードＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク
電流が流れるのを防止することができることに加えて、
ｐ- 型エピタキシャル成長層２のうちのｎ+ 型半導体領
域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部分にｐ+ 型半導体
領域１２がチャンネルストッパーとして設けられている
ことにより、電極７およびｎ+ 型半導体領域３、４によ
り形成される寄生ＭＯＳトランジスタがオンするような
正の電圧が電極７に印加されてもｐ+ 型半導体領域１２
の部分にはｎチャンネルが形成されないので、フォトダ
イオードＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク電流が
流れるのを防止することができる。
域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部分における絶縁膜
５上に延在している電極７による遮光効果でｎ+ 型半導
体領域３、４およびそれらの間の部分のｐ- 型エピタキ
シャル成長層２により形成される寄生光トランジスタが
レーザダイオードＬＤの出力光の照射によりオンし、フ
ォトダイオードＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク
電流が流れるのを防止することができることに加えて、
ｐ- 型エピタキシャル成長層２のうちのｎ+ 型半導体領
域３とｎ+ 型半導体領域４との間の部分にｐ+ 型半導体
領域１２がチャンネルストッパーとして設けられている
ことにより、電極７およびｎ+ 型半導体領域３、４によ
り形成される寄生ＭＯＳトランジスタがオンするような
正の電圧が電極７に印加されてもｐ+ 型半導体領域１２
の部分にはｎチャンネルが形成されないので、フォトダ
イオードＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク電流が
流れるのを防止することができる。
【００１８】図２はこの発明の第２実施例による半導体
レーザ装置を示す断面図である。この第２実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図４Ｂに示すと同様であ
る。
レーザ装置を示す断面図である。この第２実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図４Ｂに示すと同様であ
る。
【００１９】図２に示すように、この第２実施例による
半導体レーザ装置においては、ｐ-型エピタキシャル成
長層２のうちのｎ+ 型半導体領域３とｎ+ 型半導体領域
４との間の部分に溝１３が設けられ、この溝１３の内部
に例えばＳｉＯ2 のような絶縁物１４が埋め込まれたも
のによりチャンネルストッパーが構成されている。この
ような構造は、例えば、反応性イオンエッチング法によ
りｐ- 型エピタキシャル成長層２を選択的にエッチング
して溝１３を形成した後、ＣＶＤ法により絶縁物１４を
形成してこの溝１３を埋めることにより容易に形成する
ことができる。その他の構成は第１実施例による半導体
レーザ装置と同様であるので説明を省略する。
半導体レーザ装置においては、ｐ-型エピタキシャル成
長層２のうちのｎ+ 型半導体領域３とｎ+ 型半導体領域
４との間の部分に溝１３が設けられ、この溝１３の内部
に例えばＳｉＯ2 のような絶縁物１４が埋め込まれたも
のによりチャンネルストッパーが構成されている。この
ような構造は、例えば、反応性イオンエッチング法によ
りｐ- 型エピタキシャル成長層２を選択的にエッチング
して溝１３を形成した後、ＣＶＤ法により絶縁物１４を
形成してこの溝１３を埋めることにより容易に形成する
ことができる。その他の構成は第１実施例による半導体
レーザ装置と同様であるので説明を省略する。
【００２０】この第２実施例によれば、第１実施例と同
様に、寄生光トランジスタおよび寄生ＭＯＳトランジス
タに起因してフォトダイオードＰＤからレーザダイオー
ドＬＤにリーク電流が流れるのを防止することができ
る。
様に、寄生光トランジスタおよび寄生ＭＯＳトランジス
タに起因してフォトダイオードＰＤからレーザダイオー
ドＬＤにリーク電流が流れるのを防止することができ
る。
【００２１】図３はこの発明の第３実施例による半導体
レーザ装置を示す断面図である。この第３実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図４Ｂに示すと同様であ
る。図３に示すように、この第３実施例による半導体レ
ーザ装置においては、ｎ+ 型半導体領域３とｎ+ 型半導
体領域４との間の部分における絶縁膜５が十分に厚く形
成されており、さらにこの絶縁膜５の直下の部分にｐ+
型半導体領域１２がチャンネルストッパーとして形成さ
れている。このような構造は、半導体集積回路における
素子分離に用いられている、いわゆるＬＯＣＯＳ法によ
り容易に形成することができる。その他の構成は第１実
施例による半導体レーザ装置と同様であるので説明を省
略する。
レーザ装置を示す断面図である。この第３実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図４Ｂに示すと同様であ
る。図３に示すように、この第３実施例による半導体レ
ーザ装置においては、ｎ+ 型半導体領域３とｎ+ 型半導
体領域４との間の部分における絶縁膜５が十分に厚く形
成されており、さらにこの絶縁膜５の直下の部分にｐ+
型半導体領域１２がチャンネルストッパーとして形成さ
れている。このような構造は、半導体集積回路における
素子分離に用いられている、いわゆるＬＯＣＯＳ法によ
り容易に形成することができる。その他の構成は第１実
施例による半導体レーザ装置と同様であるので説明を省
略する。
【００２２】この第３実施例によれば、電極７をゲート
電極とする寄生ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜とな
る絶縁膜５が十分に厚く形成されており、しかもその直
下にｐ+ 型半導体領域１２がチャンネルストッパーとし
て形成されているので、寄生ＭＯＳトランジスタがオン
するのを防止することができ、従って寄生ＭＯＳトラン
ジスタに起因してフォトダイオードＰＤからレーザダイ
オードＬＤにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。寄生光トランジスタに起因してフォトダイオード
ＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク電流が流れるの
を防止することができることは、第１実施例および第２
実施例と同様である。
電極とする寄生ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜とな
る絶縁膜５が十分に厚く形成されており、しかもその直
下にｐ+ 型半導体領域１２がチャンネルストッパーとし
て形成されているので、寄生ＭＯＳトランジスタがオン
するのを防止することができ、従って寄生ＭＯＳトラン
ジスタに起因してフォトダイオードＰＤからレーザダイ
オードＬＤにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。寄生光トランジスタに起因してフォトダイオード
ＰＤからレーザダイオードＬＤにリーク電流が流れるの
を防止することができることは、第１実施例および第２
実施例と同様である。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
半導体基板のうちの第１の半導体領域と第２の半導体領
域との間の部分にチャンネルストッパーが設けられてい
ることにより、モニター用フォトダイオードからレーザ
ダイオードにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。
半導体基板のうちの第１の半導体領域と第２の半導体領
域との間の部分にチャンネルストッパーが設けられてい
ることにより、モニター用フォトダイオードからレーザ
ダイオードにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。
【図１】この発明の第１実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】この発明の第２実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図３】この発明の第３実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置を示す断面図および等
価回路図である。
価回路図である。
【図５】従来の半導体レーザ装置の問題点を説明するた
めの断面図および等価回路図である。
めの断面図および等価回路図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の問題点を説明するた
めの断面図および等価回路図である。
めの断面図および等価回路図である。
２ ｐ- 型エピタキシャル成長層 ３、４ ｎ+ 型半導体領域 ５ 絶縁膜 ６、７ 電極 １２ ｐ+ 型半導体領域 １３ 溝 １４ 絶縁物
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板と、 上記半導体基板中に互いに離れて形成された第２導電型
の第１の半導体領域および第２の半導体領域と、 上記半導体基板上に形成され、かつ上記第２の半導体領
域に対応する部分に開口を有する絶縁膜と、 上記絶縁膜の上記開口を通じて上記第２の半導体領域に
接続され、かつ上記第１の半導体領域と上記第２の半導
体領域との間の部分における上記絶縁膜上に延在する電
極と、 第１導電型側が上記電極に接続されるように上記電極上
に載置されたレーザダイオードとを有し、 上記半導体基板と上記第１の半導体領域とにより上記レ
ーザダイオードの出力光のモニター用フォトダイオード
が形成され、 上記レーザダイオードおよび上記モニター用フォトダイ
オードのうちの一方のアノードと他方のカソードとが接
続されて一つの端子とされた半導体レーザ装置におい
て、 上記半導体基板のうちの上記第１の半導体領域と上記第
２の半導体領域との間の部分に第１導電型の半導体領域
からなるチャンネルストッパーが設けられていることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 第１導電型の半導体基板と、 上記半導体基板中に互いに離れて形成された第２導電型
の第１の半導体領域および第２の半導体領域と、 上記半導体基板上に形成され、かつ上記第２の半導体領
域に対応する部分に開口を有する絶縁膜と、 上記絶縁膜の上記開口を通じて上記第２の半導体領域に
接続され、かつ上記第１の半導体領域と上記第２の半導
体領域との間の部分における上記絶縁膜上に延在する電
極と、 第１導電型側が上記電極に接続されるように上記電極上
に載置されたレーザダイオードとを有し、 上記半導体基板と上記第１の半導体領域とにより上記レ
ーザダイオードの出力光のモニター用フォトダイオード
が形成され、 上記レーザダイオードおよび上記モニター用フォトダイ
オードのうちの一方のアノードと他方のカソードとが接
続されて一つの端子とされた半導体レーザ装置におい
て、 上記半導体基板のうちの上記第１の半導体領域と上記第
２の半導体領域との間の部分に絶縁物からなるチャンネ
ルストッパーが設けられていることを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項３】 上記第１導電型がｐ型であり、上記第２
導電型がｎ型であることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 上記半導体基板のうちの上記第１の半導
体領域と上記第２の半導体領域との間の部分に溝が設け
られ、上記溝に上記絶縁物が埋め込まれることにより上
記チャンネルストッパーが形成されていることを特徴と
する請求項２記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208658A JPH0745912A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208658A JPH0745912A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745912A true JPH0745912A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16559906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5208658A Pending JPH0745912A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745912A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029904A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Systeme optique de reception et dispositif optique a semiconducteur equipe de ce dernier |
| JP2002305297A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2004111700A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 受発光素子 |
| KR100444234B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 트랜치 형성 레이저 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| US6828644B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-12-07 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with reduced parasitic capacitance between impurity diffusion regions |
| KR100587019B1 (ko) * | 2005-02-25 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 모니터용 포토다이오드 일체형 발광 다이오드 패키지 |
| WO2013015379A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびそれを備えたセンサ装置 |
| JP2015026761A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 京セラ株式会社 | 受発光素子 |
| CN104584238A (zh) * | 2012-08-30 | 2015-04-29 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
| WO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5208658A patent/JPH0745912A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1324396A4 (en) * | 2000-09-29 | 2008-10-22 | Sanyo Electric Co | OPTICAL RECEPTION SYSTEM AND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME |
| EP1324396A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-07-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Receiving optics and photosemiconductor device having the same |
| US7777234B2 (en) | 2000-09-29 | 2010-08-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-receiving element and photonic semiconductor device provided therewith |
| WO2002029904A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Systeme optique de reception et dispositif optique a semiconducteur equipe de ce dernier |
| JP2002305297A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US6828644B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-12-07 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with reduced parasitic capacitance between impurity diffusion regions |
| KR100444234B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 트랜치 형성 레이저 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2004111700A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 受発光素子 |
| KR100587019B1 (ko) * | 2005-02-25 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 모니터용 포토다이오드 일체형 발광 다이오드 패키지 |
| WO2013015379A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびそれを備えたセンサ装置 |
| JPWO2013015379A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-02-23 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびそれを備えたセンサ装置 |
| CN104584238A (zh) * | 2012-08-30 | 2015-04-29 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
| EP2892081A4 (en) * | 2012-08-30 | 2016-06-22 | Kyocera Corp | LIGHT TRANSMITTING / RECEIVING ELEMENT AND SENSOR DEVICE USING THE SAME |
| JP2015026761A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 京セラ株式会社 | 受発光素子 |
| WO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
| JPWO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7235857B2 (en) | Power semiconductor device | |
| JPH0745912A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5748661A (en) | Integrated lateral detector and laser device and method of fabrication | |
| JP4499967B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP3777183B2 (ja) | ピンフォトダイオード | |
| JP2005026279A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3249891B2 (ja) | 半導体装置およびその使用方法 | |
| JP3303648B2 (ja) | 半導体リレー | |
| JP2001230425A (ja) | Ｍｏｓダイオード回路 | |
| US5929485A (en) | High voltage insulated gate type bipolar transistor for self-isolated smart power IC | |
| JPH0541481A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0113232B2 (ja) | ||
| JP3155040B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3513851B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1065150A (ja) | Ｄｍｏｓ ｆｅｔ | |
| JPH098317A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2003008126A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000022195A (ja) | フォトダイオード | |
| JP2958652B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5814573A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3637822B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH07183498A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05323362A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03290979A (ja) | フォトダイオード | |
| JPH07234736A (ja) | 定電圧回路 |