JPH0745912A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0745912A JPH0745912A JP5208658A JP20865893A JPH0745912A JP H0745912 A JPH0745912 A JP H0745912A JP 5208658 A JP5208658 A JP 5208658A JP 20865893 A JP20865893 A JP 20865893A JP H0745912 A JPH0745912 A JP H0745912A
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- semiconductor
- semiconductor region
- type
- region
- laser device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モニター用フォトダイオードを有する半導体
レーザ装置において、フォトダイオードからレーザダイ
オードにリーク電流が流れるのを防止する。 【構成】 フォトダイオードPDを形成するp- 型エピ
タキシャル成長層2のうちのn+ 型半導体領域3とn+
型半導体領域4との間の部分にp+ 型半導体領域12か
らなるチャンネルストッパーを設ける。チャンネルスト
ッパーとしては、溝の内部を絶縁物で埋め込んだものを
用いてもよい。
レーザ装置において、フォトダイオードからレーザダイ
オードにリーク電流が流れるのを防止する。 【構成】 フォトダイオードPDを形成するp- 型エピ
タキシャル成長層2のうちのn+ 型半導体領域3とn+
型半導体領域4との間の部分にp+ 型半導体領域12か
らなるチャンネルストッパーを設ける。チャンネルスト
ッパーとしては、溝の内部を絶縁物で埋め込んだものを
用いてもよい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置に
関し、特に、レーザダイオードの出力光のモニター用フ
ォトダイオードを有する半導体レーザ装置に関する。
関し、特に、レーザダイオードの出力光のモニター用フ
ォトダイオードを有する半導体レーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクプレーヤー等において光ディ
スクの信号読み取り用として用いられている半導体レー
ザ装置は、通常、レーザ光を発生するレーザダイオード
のほかに、このレーザ光をモニターしてその出力を制御
するためのモニター用フォトダイオードを有している。
スクの信号読み取り用として用いられている半導体レー
ザ装置は、通常、レーザ光を発生するレーザダイオード
のほかに、このレーザ光をモニターしてその出力を制御
するためのモニター用フォトダイオードを有している。
【0003】このような半導体レーザ装置を単一電源、
例えば正の単一電源で実現する方法として、p型半導体
基板でモニター用フォトダイオードを構成して、その上
にレーザダイオードを載置し、レーザダイオードおよび
モニター用フォトダイオードのうちの一方のアノードと
他方のカソードとを互いに接続する方法がある(特開昭
63−237492)。
例えば正の単一電源で実現する方法として、p型半導体
基板でモニター用フォトダイオードを構成して、その上
にレーザダイオードを載置し、レーザダイオードおよび
モニター用フォトダイオードのうちの一方のアノードと
他方のカソードとを互いに接続する方法がある(特開昭
63−237492)。
【0004】この方法で構成された半導体レーザ装置と
して図4に示すようなものがある。図4Aに示すよう
に、この半導体レーザ装置においては、p+ 型半導体基
板101上にp- 型エピタキシャル成長層102が設け
られ、このp- 型エピタキシャル成長層102中にn+
型半導体領域103、104が互いに離れて形成されて
いる。この場合、p+ 型半導体基板101、p- 型エピ
タキシャル成長層102およびn+ 型半導体領域103
によりモニター用フォトダイオードPDが構成されてい
る。p- 型エピタキシャル成長層102上にはSiO2
膜からなる絶縁膜105が形成されている。この絶縁膜
105には、n+ 型半導体領域103の一端部に対応す
る部分に開口105aが形成されているとともに、n+
型半導体領域104に対応する部分に開口105bが形
成されている。開口105aを通じて電極106がn+
型半導体領域103に接続されているとともに、開口1
05bを通じて電極107がn+ 型半導体領域104に
接続されている。そして、開口105bの部分における
電極107上に、p型半導体層108、活性層109お
よびn型半導体層110からなるレーザダイオードLD
がボンディングにより載置されている。符号111はn
側の電極を示す。図4Aにおいて、V1は例えば5V、
V2は例えば約2Vである。この半導体レーザ装置の等
価回路を図4Bに示す。
して図4に示すようなものがある。図4Aに示すよう
に、この半導体レーザ装置においては、p+ 型半導体基
板101上にp- 型エピタキシャル成長層102が設け
られ、このp- 型エピタキシャル成長層102中にn+
型半導体領域103、104が互いに離れて形成されて
いる。この場合、p+ 型半導体基板101、p- 型エピ
タキシャル成長層102およびn+ 型半導体領域103
によりモニター用フォトダイオードPDが構成されてい
る。p- 型エピタキシャル成長層102上にはSiO2
膜からなる絶縁膜105が形成されている。この絶縁膜
105には、n+ 型半導体領域103の一端部に対応す
る部分に開口105aが形成されているとともに、n+
型半導体領域104に対応する部分に開口105bが形
成されている。開口105aを通じて電極106がn+
型半導体領域103に接続されているとともに、開口1
05bを通じて電極107がn+ 型半導体領域104に
接続されている。そして、開口105bの部分における
電極107上に、p型半導体層108、活性層109お
よびn型半導体層110からなるレーザダイオードLD
がボンディングにより載置されている。符号111はn
側の電極を示す。図4Aにおいて、V1は例えば5V、
V2は例えば約2Vである。この半導体レーザ装置の等
価回路を図4Bに示す。
【0005】図4Aに示すように、電極107は、n+
型半導体領域103とn+ 型半導体領域104との間の
部分における絶縁膜105上に延在しているが、これは
次のような理由によるものである。すなわち、n+ 型半
導体領域103とn+ 型半導体領域104との間の部分
における絶縁膜105上に電極107が延在していない
と、図5Aに示すように、レーザダイオードLDの出力
光がその部分に照射されてn+ 型半導体領域103、1
04およびそれらの間の部分のp- 型エピタキシャル成
長層102により形成される寄生光トランジスタ(その
等価回路を図5Bに示す)がオンし、フォトダイオード
PDからレーザダイオードLDにリーク電流が流れてし
まうので、これを防止するために上述のように電極10
7を延在させてレーザダイオードLDからの出力光を遮
断したのである。なお、フォトダイオードPDからレー
ザダイオードLDに流れるリーク電流は、レーザダイオ
ードLDの動作電流を見かけ上増加させる効果を有す
る。
型半導体領域103とn+ 型半導体領域104との間の
部分における絶縁膜105上に延在しているが、これは
次のような理由によるものである。すなわち、n+ 型半
導体領域103とn+ 型半導体領域104との間の部分
における絶縁膜105上に電極107が延在していない
と、図5Aに示すように、レーザダイオードLDの出力
光がその部分に照射されてn+ 型半導体領域103、1
04およびそれらの間の部分のp- 型エピタキシャル成
長層102により形成される寄生光トランジスタ(その
等価回路を図5Bに示す)がオンし、フォトダイオード
PDからレーザダイオードLDにリーク電流が流れてし
まうので、これを防止するために上述のように電極10
7を延在させてレーザダイオードLDからの出力光を遮
断したのである。なお、フォトダイオードPDからレー
ザダイオードLDに流れるリーク電流は、レーザダイオ
ードLDの動作電流を見かけ上増加させる効果を有す
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、p- 型エピ
タキシャル成長層102の不純物濃度は低いので、電極
107に正の動作電圧Vopが印加されると、図6Aに示
すように、電極107が絶縁膜105上に延在した部分
の直下のp- 型エピタキシャル成長層102がn型化し
てnチャンネル112が形成されるため、電極107お
よびn+ 型半導体領域103、104により形成される
寄生MOSトランジスタ(その等価回路を図6Bに示
す)がオンしてしまい、やはりフォトダイオードPDか
らレーザダイオードLDにリーク電流が流れてしまう。
タキシャル成長層102の不純物濃度は低いので、電極
107に正の動作電圧Vopが印加されると、図6Aに示
すように、電極107が絶縁膜105上に延在した部分
の直下のp- 型エピタキシャル成長層102がn型化し
てnチャンネル112が形成されるため、電極107お
よびn+ 型半導体領域103、104により形成される
寄生MOSトランジスタ(その等価回路を図6Bに示
す)がオンしてしまい、やはりフォトダイオードPDか
らレーザダイオードLDにリーク電流が流れてしまう。
【0007】従って、この発明の目的は、モニター用フ
ォトダイオードからレーザダイオードにリーク電流が流
れるのを防止することができる半導体レーザ装置を提供
することにある。
ォトダイオードからレーザダイオードにリーク電流が流
れるのを防止することができる半導体レーザ装置を提供
することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の発明による半導体レーザ装置は、
第1導電型の半導体基板(1、2)と、半導体基板
(1、2)中に互いに離れて形成された第2導電型の第
1の半導体領域(3)および第2の半導体領域(4)
と、半導体基板(1、2)上に形成され、かつ第2の半
導体領域(4)に対応する部分に開口(5b)を有する
絶縁膜(5)と、絶縁膜(5)の開口(5b)を通じて
第2の半導体領域(4)に接続され、かつ第1の半導体
領域(3)と第2の半導体領域(4)との間の部分にお
ける絶縁膜(5)上に延在する電極(7)と、第1導電
型側が電極(7)に接続されるように電極(7)上に載
置されたレーザダイオード(LD)とを有し、半導体基
板(1、2)と第1の半導体領域(3)とによりレーザ
ダイオード(LD)の出力光のモニター用フォトダイオ
ード(PD)が形成され、レーザダイオード(LD)お
よびモニター用フォトダイオード(PD)のうちの一方
のアノードと他方のカソードとが接続されて一つの端子
とされた半導体レーザ装置において、半導体基板(1、
2)のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半導体領
域(4)との間の部分に第1導電型の半導体領域(1
2)からなるチャンネルストッパーが設けられているこ
とを特徴とするものである。
に、この発明の第1の発明による半導体レーザ装置は、
第1導電型の半導体基板(1、2)と、半導体基板
(1、2)中に互いに離れて形成された第2導電型の第
1の半導体領域(3)および第2の半導体領域(4)
と、半導体基板(1、2)上に形成され、かつ第2の半
導体領域(4)に対応する部分に開口(5b)を有する
絶縁膜(5)と、絶縁膜(5)の開口(5b)を通じて
第2の半導体領域(4)に接続され、かつ第1の半導体
領域(3)と第2の半導体領域(4)との間の部分にお
ける絶縁膜(5)上に延在する電極(7)と、第1導電
型側が電極(7)に接続されるように電極(7)上に載
置されたレーザダイオード(LD)とを有し、半導体基
板(1、2)と第1の半導体領域(3)とによりレーザ
ダイオード(LD)の出力光のモニター用フォトダイオ
ード(PD)が形成され、レーザダイオード(LD)お
よびモニター用フォトダイオード(PD)のうちの一方
のアノードと他方のカソードとが接続されて一つの端子
とされた半導体レーザ装置において、半導体基板(1、
2)のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半導体領
域(4)との間の部分に第1導電型の半導体領域(1
2)からなるチャンネルストッパーが設けられているこ
とを特徴とするものである。
【0009】この発明の第2の発明による半導体レーザ
装置は、第1導電型の半導体基板(1、2)と、半導体
基板(1、2)中に互いに離れて形成された第2導電型
の第1の半導体領域(3)および第2の半導体領域
(4)と、半導体基板(1、2)上に形成され、かつ第
2の半導体領域(4)に対応する部分に開口(5b)を
有する絶縁膜(5)と、絶縁膜(5)の開口(5b)を
通じて第2の半導体領域(4)に接続され、かつ第1の
半導体領域(3)と第2の半導体領域(4)との間の部
分における絶縁膜(5)上に延在する電極(7)と、第
1導電型側が電極(7)に接続されるように電極(7)
上に載置されたレーザダイオード(LD)とを有し、半
導体基板(1、2)と第1の半導体領域(3)とにより
レーザダイオード(LD)の出力光のモニター用フォト
ダイオード(PD)が形成され、レーザダイオード(L
D)およびモニター用フォトダイオード(PD)のうち
の一方のアノードと他方のカソードとが接続されて一つ
の端子とされた半導体レーザ装置において、半導体基板
(1、2)のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半
導体領域(4)との間の部分に絶縁物(14)からなる
チャンネルストッパーが設けられていることを特徴とす
るものである。
装置は、第1導電型の半導体基板(1、2)と、半導体
基板(1、2)中に互いに離れて形成された第2導電型
の第1の半導体領域(3)および第2の半導体領域
(4)と、半導体基板(1、2)上に形成され、かつ第
2の半導体領域(4)に対応する部分に開口(5b)を
有する絶縁膜(5)と、絶縁膜(5)の開口(5b)を
通じて第2の半導体領域(4)に接続され、かつ第1の
半導体領域(3)と第2の半導体領域(4)との間の部
分における絶縁膜(5)上に延在する電極(7)と、第
1導電型側が電極(7)に接続されるように電極(7)
上に載置されたレーザダイオード(LD)とを有し、半
導体基板(1、2)と第1の半導体領域(3)とにより
レーザダイオード(LD)の出力光のモニター用フォト
ダイオード(PD)が形成され、レーザダイオード(L
D)およびモニター用フォトダイオード(PD)のうち
の一方のアノードと他方のカソードとが接続されて一つ
の端子とされた半導体レーザ装置において、半導体基板
(1、2)のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半
導体領域(4)との間の部分に絶縁物(14)からなる
チャンネルストッパーが設けられていることを特徴とす
るものである。
【0010】この発明の第1の発明または第2の発明に
よる半導体レーザ装置の好適な一実施形態においては、
第1導電型がp型であり、第2導電型がn型である。
よる半導体レーザ装置の好適な一実施形態においては、
第1導電型がp型であり、第2導電型がn型である。
【0011】この発明の第2の発明による半導体レーザ
装置の好適な一実施形態においては、半導体基板(1、
2)のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半導体領
域(4)との間の部分に溝(13)が設けられ、溝(1
3)に絶縁物(14)が埋め込まれることによりチャン
ネルストッパーが形成されている。
装置の好適な一実施形態においては、半導体基板(1、
2)のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半導体領
域(4)との間の部分に溝(13)が設けられ、溝(1
3)に絶縁物(14)が埋め込まれることによりチャン
ネルストッパーが形成されている。
【0012】
【作用】この発明の第1の発明による半導体レーザ装置
によれば、第1の半導体領域(3)と第2の半導体領域
(4)との間の部分、すなわちモニター用フォトダイオ
ード(PD)とレーザダイオード(LD)との間の部分
における絶縁膜(5)上に電極(7)が延在しているの
で、この延在した部分の電極(7)により、レーザダイ
オード(LD)の出力光が、第1の半導体領域(3)と
第2の半導体領域(4)との間の部分の半導体基板
(1、2)に入射するのが防止される。これによって、
第1の半導体領域(3)および第2の半導体領域(4)
とそれらの間の部分の半導体基板(1、2)とにより形
成される寄生光トランジスタがオンするのを防止するこ
とができ、従ってモニター用フォトダイオード(PD)
からレーザダイオード(LD)にリーク電流が流れるの
を防止することができる。また、半導体基板(1、2)
のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半導体領域
(4)との間の部分に第1導電型の半導体領域(12)
からなるチャンネルストッパーが設けられているので、
電極(7)と第1の半導体領域(3)および第2の半導
体領域(4)とにより形成される寄生MOSトランジス
タがオンするような電圧が電極(7)に印加されても、
そのチャンネルストッパーの部分においてはチャンネル
が形成されないので、モニター用フォトダイオード(P
D)からレーザダイオード(LD)にリーク電流が流れ
るのを防止することができる。
によれば、第1の半導体領域(3)と第2の半導体領域
(4)との間の部分、すなわちモニター用フォトダイオ
ード(PD)とレーザダイオード(LD)との間の部分
における絶縁膜(5)上に電極(7)が延在しているの
で、この延在した部分の電極(7)により、レーザダイ
オード(LD)の出力光が、第1の半導体領域(3)と
第2の半導体領域(4)との間の部分の半導体基板
(1、2)に入射するのが防止される。これによって、
第1の半導体領域(3)および第2の半導体領域(4)
とそれらの間の部分の半導体基板(1、2)とにより形
成される寄生光トランジスタがオンするのを防止するこ
とができ、従ってモニター用フォトダイオード(PD)
からレーザダイオード(LD)にリーク電流が流れるの
を防止することができる。また、半導体基板(1、2)
のうちの第1の半導体領域(3)と第2の半導体領域
(4)との間の部分に第1導電型の半導体領域(12)
からなるチャンネルストッパーが設けられているので、
電極(7)と第1の半導体領域(3)および第2の半導
体領域(4)とにより形成される寄生MOSトランジス
タがオンするような電圧が電極(7)に印加されても、
そのチャンネルストッパーの部分においてはチャンネル
が形成されないので、モニター用フォトダイオード(P
D)からレーザダイオード(LD)にリーク電流が流れ
るのを防止することができる。
【0013】この発明の第2の発明による半導体レーザ
装置によれば、第1の発明による半導体レーザ装置と同
様に、レーザダイオード(LD)の出力光により寄生光
トランジスタがオンするのを防止することができるとと
もに、寄生MOSトランジスタがオンするような電圧が
電極(7)に印加されても、絶縁物からなるチャンネル
ストッパーの部分においてはチャンネルが形成されない
ので、モニター用フォトダイオード(PD)からレーザ
ダイオード(LD)にリーク電流が流れるのを防止する
ことができる。
装置によれば、第1の発明による半導体レーザ装置と同
様に、レーザダイオード(LD)の出力光により寄生光
トランジスタがオンするのを防止することができるとと
もに、寄生MOSトランジスタがオンするような電圧が
電極(7)に印加されても、絶縁物からなるチャンネル
ストッパーの部分においてはチャンネルが形成されない
ので、モニター用フォトダイオード(PD)からレーザ
ダイオード(LD)にリーク電流が流れるのを防止する
ことができる。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照しながらこの発明の実施例
について説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。図1はこの
発明の第1実施例による半導体レーザ装置を示す断面図
である。この第1実施例による半導体レーザ装置の等価
回路は、図4Bに示すと同様である。
について説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。図1はこの
発明の第1実施例による半導体レーザ装置を示す断面図
である。この第1実施例による半導体レーザ装置の等価
回路は、図4Bに示すと同様である。
【0015】図1に示すように、この第1実施例による
半導体レーザ装置においては、p+型半導体基板1上に
p- 型エピタキシャル成長層2が設けられ、このp- 型
エピタキシャル成長層2中にn+ 型半導体領域3、4が
互いに離れて形成されている。この場合、p+ 型半導体
基板1、p- 型エピタキシャル成長層2およびn+ 型半
導体領域3によりモニター用フォトダイオードPDが構
成されている。p- 型エピタキシャル成長層2上にはS
iO2 膜からなる絶縁膜5が形成されている。この絶縁
膜5には、n+ 型半導体領域3の一端部に対応する部分
に開口5aが形成されているとともに、n+ 型半導体領
域4に対応する部分に開口5bが形成されている。開口
5aを通じて電極6がn+ 型半導体領域3に接続されて
いるとともに、開口5bを通じて電極7がn+ 型半導体
領域4に接続されている。ここで、電極7は、n+ 型半
導体領域3とn+ 型半導体領域4との間の部分における
絶縁膜5上に延在している。そして、開口5bの部分に
おける電極7上に、p型半導体層8、活性層9およびn
型半導体層10からなるレーザダイオードLDがボンデ
ィングにより載置されている。符号11はn側の電極を
示す。この第1実施例による半導体レーザ装置において
は、図4Aに示す従来の半導体レーザ装置と同様な上述
の構成に加えて、p- 型エピタキシャル成長層2のうち
のn+ 型半導体領域3とn+ 型半導体領域4との間の部
分に、p+ 型半導体領域12がチャンネルストッパーと
して形成されている。
半導体レーザ装置においては、p+型半導体基板1上に
p- 型エピタキシャル成長層2が設けられ、このp- 型
エピタキシャル成長層2中にn+ 型半導体領域3、4が
互いに離れて形成されている。この場合、p+ 型半導体
基板1、p- 型エピタキシャル成長層2およびn+ 型半
導体領域3によりモニター用フォトダイオードPDが構
成されている。p- 型エピタキシャル成長層2上にはS
iO2 膜からなる絶縁膜5が形成されている。この絶縁
膜5には、n+ 型半導体領域3の一端部に対応する部分
に開口5aが形成されているとともに、n+ 型半導体領
域4に対応する部分に開口5bが形成されている。開口
5aを通じて電極6がn+ 型半導体領域3に接続されて
いるとともに、開口5bを通じて電極7がn+ 型半導体
領域4に接続されている。ここで、電極7は、n+ 型半
導体領域3とn+ 型半導体領域4との間の部分における
絶縁膜5上に延在している。そして、開口5bの部分に
おける電極7上に、p型半導体層8、活性層9およびn
型半導体層10からなるレーザダイオードLDがボンデ
ィングにより載置されている。符号11はn側の電極を
示す。この第1実施例による半導体レーザ装置において
は、図4Aに示す従来の半導体レーザ装置と同様な上述
の構成に加えて、p- 型エピタキシャル成長層2のうち
のn+ 型半導体領域3とn+ 型半導体領域4との間の部
分に、p+ 型半導体領域12がチャンネルストッパーと
して形成されている。
【0016】この第1実施例において、p+ 型半導体基
板1の不純物濃度は例えば、5×1017〜5×1018c
m-3であり、p- 型エピタキシャル成長層2の不純物濃
度は例えば、5×1014cm-3であり、n+ 型半導体領
域3、4の不純物濃度は例えば、1×1018cm-3であ
り、チャンネルストッパーとしてのp+ 型半導体領域1
2の不純物濃度は例えば、1×1018cm-3であり、n
+ 型半導体領域3、4間の距離は例えば、20μmであ
り、絶縁膜5の膜厚は例えば、370nmである。
板1の不純物濃度は例えば、5×1017〜5×1018c
m-3であり、p- 型エピタキシャル成長層2の不純物濃
度は例えば、5×1014cm-3であり、n+ 型半導体領
域3、4の不純物濃度は例えば、1×1018cm-3であ
り、チャンネルストッパーとしてのp+ 型半導体領域1
2の不純物濃度は例えば、1×1018cm-3であり、n
+ 型半導体領域3、4間の距離は例えば、20μmであ
り、絶縁膜5の膜厚は例えば、370nmである。
【0017】この第1実施例によれば、n+ 型半導体領
域3とn+ 型半導体領域4との間の部分における絶縁膜
5上に延在している電極7による遮光効果でn+ 型半導
体領域3、4およびそれらの間の部分のp- 型エピタキ
シャル成長層2により形成される寄生光トランジスタが
レーザダイオードLDの出力光の照射によりオンし、フ
ォトダイオードPDからレーザダイオードLDにリーク
電流が流れるのを防止することができることに加えて、
p- 型エピタキシャル成長層2のうちのn+ 型半導体領
域3とn+ 型半導体領域4との間の部分にp+ 型半導体
領域12がチャンネルストッパーとして設けられている
ことにより、電極7およびn+ 型半導体領域3、4によ
り形成される寄生MOSトランジスタがオンするような
正の電圧が電極7に印加されてもp+ 型半導体領域12
の部分にはnチャンネルが形成されないので、フォトダ
イオードPDからレーザダイオードLDにリーク電流が
流れるのを防止することができる。
域3とn+ 型半導体領域4との間の部分における絶縁膜
5上に延在している電極7による遮光効果でn+ 型半導
体領域3、4およびそれらの間の部分のp- 型エピタキ
シャル成長層2により形成される寄生光トランジスタが
レーザダイオードLDの出力光の照射によりオンし、フ
ォトダイオードPDからレーザダイオードLDにリーク
電流が流れるのを防止することができることに加えて、
p- 型エピタキシャル成長層2のうちのn+ 型半導体領
域3とn+ 型半導体領域4との間の部分にp+ 型半導体
領域12がチャンネルストッパーとして設けられている
ことにより、電極7およびn+ 型半導体領域3、4によ
り形成される寄生MOSトランジスタがオンするような
正の電圧が電極7に印加されてもp+ 型半導体領域12
の部分にはnチャンネルが形成されないので、フォトダ
イオードPDからレーザダイオードLDにリーク電流が
流れるのを防止することができる。
【0018】図2はこの発明の第2実施例による半導体
レーザ装置を示す断面図である。この第2実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図4Bに示すと同様であ
る。
レーザ装置を示す断面図である。この第2実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図4Bに示すと同様であ
る。
【0019】図2に示すように、この第2実施例による
半導体レーザ装置においては、p-型エピタキシャル成
長層2のうちのn+ 型半導体領域3とn+ 型半導体領域
4との間の部分に溝13が設けられ、この溝13の内部
に例えばSiO2 のような絶縁物14が埋め込まれたも
のによりチャンネルストッパーが構成されている。この
ような構造は、例えば、反応性イオンエッチング法によ
りp- 型エピタキシャル成長層2を選択的にエッチング
して溝13を形成した後、CVD法により絶縁物14を
形成してこの溝13を埋めることにより容易に形成する
ことができる。その他の構成は第1実施例による半導体
レーザ装置と同様であるので説明を省略する。
半導体レーザ装置においては、p-型エピタキシャル成
長層2のうちのn+ 型半導体領域3とn+ 型半導体領域
4との間の部分に溝13が設けられ、この溝13の内部
に例えばSiO2 のような絶縁物14が埋め込まれたも
のによりチャンネルストッパーが構成されている。この
ような構造は、例えば、反応性イオンエッチング法によ
りp- 型エピタキシャル成長層2を選択的にエッチング
して溝13を形成した後、CVD法により絶縁物14を
形成してこの溝13を埋めることにより容易に形成する
ことができる。その他の構成は第1実施例による半導体
レーザ装置と同様であるので説明を省略する。
【0020】この第2実施例によれば、第1実施例と同
様に、寄生光トランジスタおよび寄生MOSトランジス
タに起因してフォトダイオードPDからレーザダイオー
ドLDにリーク電流が流れるのを防止することができ
る。
様に、寄生光トランジスタおよび寄生MOSトランジス
タに起因してフォトダイオードPDからレーザダイオー
ドLDにリーク電流が流れるのを防止することができ
る。
【0021】図3はこの発明の第3実施例による半導体
レーザ装置を示す断面図である。この第3実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図4Bに示すと同様であ
る。図3に示すように、この第3実施例による半導体レ
ーザ装置においては、n+ 型半導体領域3とn+ 型半導
体領域4との間の部分における絶縁膜5が十分に厚く形
成されており、さらにこの絶縁膜5の直下の部分にp+
型半導体領域12がチャンネルストッパーとして形成さ
れている。このような構造は、半導体集積回路における
素子分離に用いられている、いわゆるLOCOS法によ
り容易に形成することができる。その他の構成は第1実
施例による半導体レーザ装置と同様であるので説明を省
略する。
レーザ装置を示す断面図である。この第3実施例による
半導体レーザ装置の等価回路は図4Bに示すと同様であ
る。図3に示すように、この第3実施例による半導体レ
ーザ装置においては、n+ 型半導体領域3とn+ 型半導
体領域4との間の部分における絶縁膜5が十分に厚く形
成されており、さらにこの絶縁膜5の直下の部分にp+
型半導体領域12がチャンネルストッパーとして形成さ
れている。このような構造は、半導体集積回路における
素子分離に用いられている、いわゆるLOCOS法によ
り容易に形成することができる。その他の構成は第1実
施例による半導体レーザ装置と同様であるので説明を省
略する。
【0022】この第3実施例によれば、電極7をゲート
電極とする寄生MOSトランジスタのゲート絶縁膜とな
る絶縁膜5が十分に厚く形成されており、しかもその直
下にp+ 型半導体領域12がチャンネルストッパーとし
て形成されているので、寄生MOSトランジスタがオン
するのを防止することができ、従って寄生MOSトラン
ジスタに起因してフォトダイオードPDからレーザダイ
オードLDにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。寄生光トランジスタに起因してフォトダイオード
PDからレーザダイオードLDにリーク電流が流れるの
を防止することができることは、第1実施例および第2
実施例と同様である。
電極とする寄生MOSトランジスタのゲート絶縁膜とな
る絶縁膜5が十分に厚く形成されており、しかもその直
下にp+ 型半導体領域12がチャンネルストッパーとし
て形成されているので、寄生MOSトランジスタがオン
するのを防止することができ、従って寄生MOSトラン
ジスタに起因してフォトダイオードPDからレーザダイ
オードLDにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。寄生光トランジスタに起因してフォトダイオード
PDからレーザダイオードLDにリーク電流が流れるの
を防止することができることは、第1実施例および第2
実施例と同様である。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
半導体基板のうちの第1の半導体領域と第2の半導体領
域との間の部分にチャンネルストッパーが設けられてい
ることにより、モニター用フォトダイオードからレーザ
ダイオードにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。
半導体基板のうちの第1の半導体領域と第2の半導体領
域との間の部分にチャンネルストッパーが設けられてい
ることにより、モニター用フォトダイオードからレーザ
ダイオードにリーク電流が流れるのを防止することがで
きる。
【図1】この発明の第1実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図2】この発明の第2実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図3】この発明の第3実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図4】従来の半導体レーザ装置を示す断面図および等
価回路図である。
価回路図である。
【図5】従来の半導体レーザ装置の問題点を説明するた
めの断面図および等価回路図である。
めの断面図および等価回路図である。
【図6】従来の半導体レーザ装置の問題点を説明するた
めの断面図および等価回路図である。
めの断面図および等価回路図である。
2 p- 型エピタキシャル成長層 3、4 n+ 型半導体領域 5 絶縁膜 6、7 電極 12 p+ 型半導体領域 13 溝 14 絶縁物
Claims (4)
- 【請求項1】 第1導電型の半導体基板と、 上記半導体基板中に互いに離れて形成された第2導電型
の第1の半導体領域および第2の半導体領域と、 上記半導体基板上に形成され、かつ上記第2の半導体領
域に対応する部分に開口を有する絶縁膜と、 上記絶縁膜の上記開口を通じて上記第2の半導体領域に
接続され、かつ上記第1の半導体領域と上記第2の半導
体領域との間の部分における上記絶縁膜上に延在する電
極と、 第1導電型側が上記電極に接続されるように上記電極上
に載置されたレーザダイオードとを有し、 上記半導体基板と上記第1の半導体領域とにより上記レ
ーザダイオードの出力光のモニター用フォトダイオード
が形成され、 上記レーザダイオードおよび上記モニター用フォトダイ
オードのうちの一方のアノードと他方のカソードとが接
続されて一つの端子とされた半導体レーザ装置におい
て、 上記半導体基板のうちの上記第1の半導体領域と上記第
2の半導体領域との間の部分に第1導電型の半導体領域
からなるチャンネルストッパーが設けられていることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項2】 第1導電型の半導体基板と、 上記半導体基板中に互いに離れて形成された第2導電型
の第1の半導体領域および第2の半導体領域と、 上記半導体基板上に形成され、かつ上記第2の半導体領
域に対応する部分に開口を有する絶縁膜と、 上記絶縁膜の上記開口を通じて上記第2の半導体領域に
接続され、かつ上記第1の半導体領域と上記第2の半導
体領域との間の部分における上記絶縁膜上に延在する電
極と、 第1導電型側が上記電極に接続されるように上記電極上
に載置されたレーザダイオードとを有し、 上記半導体基板と上記第1の半導体領域とにより上記レ
ーザダイオードの出力光のモニター用フォトダイオード
が形成され、 上記レーザダイオードおよび上記モニター用フォトダイ
オードのうちの一方のアノードと他方のカソードとが接
続されて一つの端子とされた半導体レーザ装置におい
て、 上記半導体基板のうちの上記第1の半導体領域と上記第
2の半導体領域との間の部分に絶縁物からなるチャンネ
ルストッパーが設けられていることを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項3】 上記第1導電型がp型であり、上記第2
導電型がn型であることを特徴とする請求項1または請
求項2記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項4】 上記半導体基板のうちの上記第1の半導
体領域と上記第2の半導体領域との間の部分に溝が設け
られ、上記溝に上記絶縁物が埋め込まれることにより上
記チャンネルストッパーが形成されていることを特徴と
する請求項2記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5208658A JPH0745912A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5208658A JPH0745912A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0745912A true JPH0745912A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16559906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5208658A Pending JPH0745912A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0745912A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002029904A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Systeme optique de reception et dispositif optique a semiconducteur equipe de ce dernier |
JP2002305297A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2004111700A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 受発光素子 |
KR100444234B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 트랜치 형성 레이저 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
US6828644B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-12-07 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with reduced parasitic capacitance between impurity diffusion regions |
KR100587019B1 (ko) * | 2005-02-25 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 모니터용 포토다이오드 일체형 발광 다이오드 패키지 |
WO2013015379A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびそれを備えたセンサ装置 |
JP2015026761A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 京セラ株式会社 | 受発光素子 |
CN104584238A (zh) * | 2012-08-30 | 2015-04-29 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
WO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5208658A patent/JPH0745912A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1324396A4 (en) * | 2000-09-29 | 2008-10-22 | Sanyo Electric Co | OPTICAL RECEPTION SYSTEM AND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME |
EP1324396A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-07-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Receiving optics and photosemiconductor device having the same |
US7777234B2 (en) | 2000-09-29 | 2010-08-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-receiving element and photonic semiconductor device provided therewith |
WO2002029904A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Systeme optique de reception et dispositif optique a semiconducteur equipe de ce dernier |
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WO2013015379A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびそれを備えたセンサ装置 |
JPWO2013015379A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-02-23 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびそれを備えたセンサ装置 |
CN104584238A (zh) * | 2012-08-30 | 2015-04-29 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
EP2892081A4 (en) * | 2012-08-30 | 2016-06-22 | Kyocera Corp | LIGHT TRANSMITTING / RECEIVING ELEMENT AND SENSOR DEVICE USING THE SAME |
JP2015026761A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 京セラ株式会社 | 受発光素子 |
WO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
JPWO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
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