JPH0745754A - Ｉｃ封止樹脂 - Google Patents
Ｉｃ封止樹脂Info
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- JPH0745754A JPH0745754A JP19058293A JP19058293A JPH0745754A JP H0745754 A JPH0745754 A JP H0745754A JP 19058293 A JP19058293 A JP 19058293A JP 19058293 A JP19058293 A JP 19058293A JP H0745754 A JPH0745754 A JP H0745754A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- filler
- sealing resin
- diameter
- resin layer
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣ実装部の周期的温度変化に対して、ＩＣ
実装部の接続信頼性を向上することができるＩＣ封止樹
脂を得る。 【構成】 ＩＣ−基板間距離Ｄが５０〜７０μｍとなる
よう基板１２上に実装される駆動用ＩＣ１９は、直径５
〜２０μｍのフィラ２１ａと直径１００〜１５０μｍの
フィラ２１ｂとが混合され、５０〜７０重量％の割合で
エポキシ系樹脂中に混合されたＩＣ封止樹脂層２０によ
って、ＩＣ封止樹脂層２０中に封入され、基板１２上に
封止される。
実装部の接続信頼性を向上することができるＩＣ封止樹
脂を得る。 【構成】 ＩＣ−基板間距離Ｄが５０〜７０μｍとなる
よう基板１２上に実装される駆動用ＩＣ１９は、直径５
〜２０μｍのフィラ２１ａと直径１００〜１５０μｍの
フィラ２１ｂとが混合され、５０〜７０重量％の割合で
エポキシ系樹脂中に混合されたＩＣ封止樹脂層２０によ
って、ＩＣ封止樹脂層２０中に封入され、基板１２上に
封止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッドなどの
発熱素子を駆動する集積回路部品などに好適に用いられ
るＩＣ（Integrated Circuit）封止樹脂に関する。
発熱素子を駆動する集積回路部品などに好適に用いられ
るＩＣ（Integrated Circuit）封止樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（ａ）は従来のＩＣ封止樹脂層５の
構成を示す断面図であり、図５（ｂ）はフィラ６の直径
に対する分布を示す分布図である。図５（ａ）に示すよ
うに、寸法５．０ｍｍ×２．０ｍｍ程度のＩＣ３が、フ
リップチップ法によって、アルミナから成る電気絶縁性
の基板２上に、はんだなどから成るバンプ４を介して実
装される。このようにして基板２上に実装されたＩＣ３
は、ＩＣ封止樹脂層５によって基板２上に封止される。
前記封止樹脂層５は、アルミナから成るフィラ６が含有
されたエポキシ系樹脂から成る。
構成を示す断面図であり、図５（ｂ）はフィラ６の直径
に対する分布を示す分布図である。図５（ａ）に示すよ
うに、寸法５．０ｍｍ×２．０ｍｍ程度のＩＣ３が、フ
リップチップ法によって、アルミナから成る電気絶縁性
の基板２上に、はんだなどから成るバンプ４を介して実
装される。このようにして基板２上に実装されたＩＣ３
は、ＩＣ封止樹脂層５によって基板２上に封止される。
前記封止樹脂層５は、アルミナから成るフィラ６が含有
されたエポキシ系樹脂から成る。
【０００３】図５（ａ）に示すように、基板２上には、
それぞれ熱膨張係数の異なる部材が積層されている。た
とえば、基板２を形成するアルミナの熱膨張係数は、５
〜９×１０-5（ｃｍ／ｃｍ／℃）であり、ＩＣ３の半導
体部を形成するシリコンの熱膨張係数は、３×１０
-5（ｃｍ／ｃｍ／℃）である。また、ＩＣ封止樹脂層５
に含まれるエポキシ系樹脂の熱膨張係数は、３〜６×１
０-4（ｃｍ／ｃｍ／℃）である。このように、エポキシ
系樹脂の熱膨張係数は、他と比較して非常に大きい。こ
のため、ＩＣ封止樹脂層５を、エポキシ系樹脂だけで構
成した場合には、ＩＣ実装部の温度変化に伴って、ＩＣ
封止樹脂層５と、これに封入されるＩＣ３および基板２
との間で大きな熱応力を生じる。このためＩＣ３に不具
合を生じたり、基板２に反りを生じるなどの問題があ
る。
それぞれ熱膨張係数の異なる部材が積層されている。た
とえば、基板２を形成するアルミナの熱膨張係数は、５
〜９×１０-5（ｃｍ／ｃｍ／℃）であり、ＩＣ３の半導
体部を形成するシリコンの熱膨張係数は、３×１０
-5（ｃｍ／ｃｍ／℃）である。また、ＩＣ封止樹脂層５
に含まれるエポキシ系樹脂の熱膨張係数は、３〜６×１
０-4（ｃｍ／ｃｍ／℃）である。このように、エポキシ
系樹脂の熱膨張係数は、他と比較して非常に大きい。こ
のため、ＩＣ封止樹脂層５を、エポキシ系樹脂だけで構
成した場合には、ＩＣ実装部の温度変化に伴って、ＩＣ
封止樹脂層５と、これに封入されるＩＣ３および基板２
との間で大きな熱応力を生じる。このためＩＣ３に不具
合を生じたり、基板２に反りを生じるなどの問題があ
る。
【０００４】前記ＩＣ封止樹脂層５の熱膨張係数を、ア
ルミナの熱膨張係数に近づけ、ＩＣ封止樹脂層５と、こ
れに封入されるＩＣ３および基板２との間に生じる熱応
力を低く抑えることを目的として、アルミナから成るフ
ィラ６が、エポキシ系樹脂に含有される。
ルミナの熱膨張係数に近づけ、ＩＣ封止樹脂層５と、こ
れに封入されるＩＣ３および基板２との間に生じる熱応
力を低く抑えることを目的として、アルミナから成るフ
ィラ６が、エポキシ系樹脂に含有される。
【０００５】図５（ａ）に示すように、ＩＣ封止樹脂層
５は、ＩＣ３と基板２との間にも介在する。図５（ａ）
に示すＩＣ−基板間距離Ｄは、一般に５０〜７０μｍで
ある。これによってＩＣ封止樹脂層５は、ＩＣ３上およ
び基板２上に形成された電極パターンを絶縁、保護し、
ＩＣ３と基板２との接合部を固定する。したがって、Ｉ
Ｃ３と基板２との間には、フィラ６も介在される。前記
ＩＣ封止樹脂層５は、ＩＣ３に塗布された後、約１５０
℃で３０分間、加熱硬化される。ＩＣ封止樹脂層５が硬
化された後、室温まで冷却される間に、基板２上に積層
された各部材の熱収縮がおこる。前述のように、エポキ
シ系樹脂の熱収縮が最も大きく、これによって、ＩＣ−
基板間距離Ｄを小さくするような力がはたらく。このた
め、ＩＣ３と基板２との間に介在されるフィラ６の中
に、ＩＣ−基板間距離Ｄに近い直径のものが含まれてい
る場合には、フィラ６の熱収縮と比べてエポキシ系樹脂
の熱収縮の方が大きいので、ＩＣ−基板間距離Ｄが、Ｉ
Ｃ３と基板２との間に介在されるフィラ６の直径より小
さくなろうとする。このため、フィラ６による応力の着
力点が、ＩＣ３の表面上に形成された電極パターン上に
あった場合には、前記電極パターンに大きな切断力がは
たらき、電極パターンの断線を生じる。
５は、ＩＣ３と基板２との間にも介在する。図５（ａ）
に示すＩＣ−基板間距離Ｄは、一般に５０〜７０μｍで
ある。これによってＩＣ封止樹脂層５は、ＩＣ３上およ
び基板２上に形成された電極パターンを絶縁、保護し、
ＩＣ３と基板２との接合部を固定する。したがって、Ｉ
Ｃ３と基板２との間には、フィラ６も介在される。前記
ＩＣ封止樹脂層５は、ＩＣ３に塗布された後、約１５０
℃で３０分間、加熱硬化される。ＩＣ封止樹脂層５が硬
化された後、室温まで冷却される間に、基板２上に積層
された各部材の熱収縮がおこる。前述のように、エポキ
シ系樹脂の熱収縮が最も大きく、これによって、ＩＣ−
基板間距離Ｄを小さくするような力がはたらく。このた
め、ＩＣ３と基板２との間に介在されるフィラ６の中
に、ＩＣ−基板間距離Ｄに近い直径のものが含まれてい
る場合には、フィラ６の熱収縮と比べてエポキシ系樹脂
の熱収縮の方が大きいので、ＩＣ−基板間距離Ｄが、Ｉ
Ｃ３と基板２との間に介在されるフィラ６の直径より小
さくなろうとする。このため、フィラ６による応力の着
力点が、ＩＣ３の表面上に形成された電極パターン上に
あった場合には、前記電極パターンに大きな切断力がは
たらき、電極パターンの断線を生じる。
【０００６】また、前述のようなＩＣ実装部が、サーマ
ルヘッドなどの発熱素子に設けられる場合には、発熱素
子の動作時に、ＩＣ実装部が周期的な温度変化を繰返す
環境におかれる。このため、ＩＣ封止樹脂層５と、これ
に封入されるＩＣ３および基板２などの各部材で、前述
と同様の熱膨張と熱収縮とが繰返される。これによっ
て、ＩＣ３と基板２との間に介在されるフィラ６の中
に、ＩＣ−基板間距離Ｄに近い直径のものが含まれてい
る場合には、前述のようなＩＣ３の電極パターンの断線
を生じることがある。
ルヘッドなどの発熱素子に設けられる場合には、発熱素
子の動作時に、ＩＣ実装部が周期的な温度変化を繰返す
環境におかれる。このため、ＩＣ封止樹脂層５と、これ
に封入されるＩＣ３および基板２などの各部材で、前述
と同様の熱膨張と熱収縮とが繰返される。これによっ
て、ＩＣ３と基板２との間に介在されるフィラ６の中
に、ＩＣ−基板間距離Ｄに近い直径のものが含まれてい
る場合には、前述のようなＩＣ３の電極パターンの断線
を生じることがある。
【０００７】このため、フィラ６は、直径が図５（ｂ）
に示すような分布となるように選ばれる。すなわち、フ
ィラ６は、フィラ６の直径が２０μｍ以下となるように
選ばれる。
に示すような分布となるように選ばれる。すなわち、フ
ィラ６は、フィラ６の直径が２０μｍ以下となるように
選ばれる。
【０００８】図６は、従来の他のＩＣ封止樹脂層５ａの
構成を示す断面図である。図６に示すように、ＩＣ実装
部において、アルミナから成る電気絶縁性の基板２上
に、ＩＣ３が、はんだなどから成るバンプ４を介して実
装され、ＩＣ封止樹脂層５ａに封入され、基板２上に封
止される。ＩＣ３と基板２との間は、フィラを含まない
ＩＣ封止樹脂層５ｂによって封止され、ＩＣ３の外方
は、フィラ６ａを含んだＩＣ封止樹脂層５ａによって封
止される。前記ＩＣ封止樹脂層５ａに含まれるフィラ６
ａには、比較的直径の大きいフィラも含まれる。
構成を示す断面図である。図６に示すように、ＩＣ実装
部において、アルミナから成る電気絶縁性の基板２上
に、ＩＣ３が、はんだなどから成るバンプ４を介して実
装され、ＩＣ封止樹脂層５ａに封入され、基板２上に封
止される。ＩＣ３と基板２との間は、フィラを含まない
ＩＣ封止樹脂層５ｂによって封止され、ＩＣ３の外方
は、フィラ６ａを含んだＩＣ封止樹脂層５ａによって封
止される。前記ＩＣ封止樹脂層５ａに含まれるフィラ６
ａには、比較的直径の大きいフィラも含まれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５に示すよ
うに、フィラ６の直径を小さくし、かつ所望のチクソ性
を得ようとすると、ＩＣ封止樹脂のフィラ含有率が高く
なりすぎるため、ＩＣ封止樹脂の粘度が上がり、ＩＣ封
止樹脂層５を形成する際の作業性が悪くなる。たとえ
ば、ディスペンサによってＩＣ封止樹脂をＩＣ３に塗布
するような場合、ノズルに目詰まりを起こし易くなる。
また、ＩＣ封止樹脂のフィラ含有率が高くなりすぎる
と、ＩＣ封止樹脂層５全体のヤング率が、フィラ６のヤ
ング率に近づき、高くなるため、ＩＣ封止樹脂層５が、
ＩＣ３、バンプ４および基板２に及ぼす熱応力が大きく
なり、局所破壊や基板２の反りなどを生じる原因とな
る。
うに、フィラ６の直径を小さくし、かつ所望のチクソ性
を得ようとすると、ＩＣ封止樹脂のフィラ含有率が高く
なりすぎるため、ＩＣ封止樹脂の粘度が上がり、ＩＣ封
止樹脂層５を形成する際の作業性が悪くなる。たとえ
ば、ディスペンサによってＩＣ封止樹脂をＩＣ３に塗布
するような場合、ノズルに目詰まりを起こし易くなる。
また、ＩＣ封止樹脂のフィラ含有率が高くなりすぎる
と、ＩＣ封止樹脂層５全体のヤング率が、フィラ６のヤ
ング率に近づき、高くなるため、ＩＣ封止樹脂層５が、
ＩＣ３、バンプ４および基板２に及ぼす熱応力が大きく
なり、局所破壊や基板２の反りなどを生じる原因とな
る。
【００１０】また、図６に示すように、ＩＣ３と基板２
との間に、フィラを含まないＩＣ封止樹脂層５ｂを形成
し、ＩＣ３の外方を被覆するように、フィラ６ａを含む
ＩＣ封止樹脂層５ａを形成する場合には、ＩＣ封止樹脂
をＩＣ３に塗布する作業の工数が増え、製造コストの増
加を招く。
との間に、フィラを含まないＩＣ封止樹脂層５ｂを形成
し、ＩＣ３の外方を被覆するように、フィラ６ａを含む
ＩＣ封止樹脂層５ａを形成する場合には、ＩＣ封止樹脂
をＩＣ３に塗布する作業の工数が増え、製造コストの増
加を招く。
【００１１】本発明の目的は、前記課題を解消し、ＩＣ
実装部の周期的温度変化に対して、ＩＣ実装部の接続信
頼性を向上することができるＩＣ封止樹脂を提供するこ
とである。
実装部の周期的温度変化に対して、ＩＣ実装部の接続信
頼性を向上することができるＩＣ封止樹脂を提供するこ
とである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に実装
されたＩＣを気密に封止するためのＩＣ封止樹脂であっ
て、樹脂材と無機物粒子から成り、かつ前記無機物粒子
の粒径が、基板上に実装されたＩＣと基板との間の距離
と異なる長さを有することを特徴とするＩＣ封止樹脂で
ある。
されたＩＣを気密に封止するためのＩＣ封止樹脂であっ
て、樹脂材と無機物粒子から成り、かつ前記無機物粒子
の粒径が、基板上に実装されたＩＣと基板との間の距離
と異なる長さを有することを特徴とするＩＣ封止樹脂で
ある。
【００１３】
【作用】本発明に従えば、電気絶縁性を有する樹脂の中
に、複数の無機物粒子を含むＩＣ封止樹脂は、基板上に
実装されたＩＣを封入して硬化され、前記ＩＣを、前記
基板上に封止する。また、前記複数の無機物粒子には、
基板上に実装されたＩＣと基板との距離に近い直径を有
する粒子は含まれない。したがって、基板上に実装され
たＩＣと基板との間には、ＩＣと基板との間の距離に比
べて直径の小さい複数の無機物粒子しか介在されない。
このため、ＩＣ実装部分の温度変化によって、前記樹脂
が収縮し、ＩＣと基板との距離が小さくなっても、ＩＣ
と基板との間に介在される複数の無機物粒子の直径より
小さくなることがない。したがって、ＩＣと基板との間
に介在される複数の無機物粒子によって、ＩＣの表面上
に形成された電極パターンなどに損傷を生じることを防
止することができる。
に、複数の無機物粒子を含むＩＣ封止樹脂は、基板上に
実装されたＩＣを封入して硬化され、前記ＩＣを、前記
基板上に封止する。また、前記複数の無機物粒子には、
基板上に実装されたＩＣと基板との距離に近い直径を有
する粒子は含まれない。したがって、基板上に実装され
たＩＣと基板との間には、ＩＣと基板との間の距離に比
べて直径の小さい複数の無機物粒子しか介在されない。
このため、ＩＣ実装部分の温度変化によって、前記樹脂
が収縮し、ＩＣと基板との距離が小さくなっても、ＩＣ
と基板との間に介在される複数の無機物粒子の直径より
小さくなることがない。したがって、ＩＣと基板との間
に介在される複数の無機物粒子によって、ＩＣの表面上
に形成された電極パターンなどに損傷を生じることを防
止することができる。
【００１４】また、前記複数の無機物粒子は、ＩＣと基
板との間の距離よりも大きい直径の粒子を含むので、複
数の無機物粒子を、ＩＣと基板との間の距離より小さい
直径の粒子だけにした場合に生じる、ＩＣ封止樹脂の樹
脂特性の劣化を防止することができる。
板との間の距離よりも大きい直径の粒子を含むので、複
数の無機物粒子を、ＩＣと基板との間の距離より小さい
直径の粒子だけにした場合に生じる、ＩＣ封止樹脂の樹
脂特性の劣化を防止することができる。
【００１５】
【実施例】図１は、サーマルヘッド１１の構成を示す断
面図である。サーマルヘッド１１は、アルミナなどから
成る電気絶縁性を有する基板１２上に、ガラスなどから
成る蓄熱体１３が形成される。これに積層して、窒化タ
ンタルなどから成る発熱抵抗体層１４およびアルミニウ
ムなどから成る電極層１５が形成される。前記蓄熱体１
３はＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4などから成る保護層１６によっ
て被覆され、発熱抵抗体１７が形成される。前述の電極
層１５は、フォトリソグラフィなどによってパターニン
グされており、第１共通電極１５ａ、第２共通電極１５
ｃ、個別電極１５ｂおよび制御端子などが形成される。
前記各第２共通電極１５ｃ、個別電極１５ｂおよび制御
端子に、はんだバンプ１８を介して接続されるように、
寸法５．０ｍｍ×２．０ｍｍ程度の駆動用ＩＣ１９がフ
リップチップ法などによって実装される。前記駆動用Ｉ
Ｃ１９と基板１２とのＩＣ−基板間距離Ｄは、通常５０
〜７０μｍである。前記駆動用ＩＣ１９は、ＩＣ封止樹
脂層２０に封入され、基板１２上に封止される。
面図である。サーマルヘッド１１は、アルミナなどから
成る電気絶縁性を有する基板１２上に、ガラスなどから
成る蓄熱体１３が形成される。これに積層して、窒化タ
ンタルなどから成る発熱抵抗体層１４およびアルミニウ
ムなどから成る電極層１５が形成される。前記蓄熱体１
３はＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4などから成る保護層１６によっ
て被覆され、発熱抵抗体１７が形成される。前述の電極
層１５は、フォトリソグラフィなどによってパターニン
グされており、第１共通電極１５ａ、第２共通電極１５
ｃ、個別電極１５ｂおよび制御端子などが形成される。
前記各第２共通電極１５ｃ、個別電極１５ｂおよび制御
端子に、はんだバンプ１８を介して接続されるように、
寸法５．０ｍｍ×２．０ｍｍ程度の駆動用ＩＣ１９がフ
リップチップ法などによって実装される。前記駆動用Ｉ
Ｃ１９と基板１２とのＩＣ−基板間距離Ｄは、通常５０
〜７０μｍである。前記駆動用ＩＣ１９は、ＩＣ封止樹
脂層２０に封入され、基板１２上に封止される。
【００１６】駆動用ＩＣ１９は、第２共通電極１５ｃに
よって通電され、制御端子から入力される画像信号に基
づいて、個別電極１５ｂに駆動信号を出力する。複数の
発熱抵抗体１７は、図１に示す紙面に対して垂直な方向
に配列されており、それぞれが接続されている駆動用Ｉ
Ｃからの駆動信号に基づいて発熱される。前記複数の発
熱抵抗体１７に、感熱紙が圧着され、図１に示す左右方
向に搬送されることによって、感熱紙上に画像が印画さ
れる。
よって通電され、制御端子から入力される画像信号に基
づいて、個別電極１５ｂに駆動信号を出力する。複数の
発熱抵抗体１７は、図１に示す紙面に対して垂直な方向
に配列されており、それぞれが接続されている駆動用Ｉ
Ｃからの駆動信号に基づいて発熱される。前記複数の発
熱抵抗体１７に、感熱紙が圧着され、図１に示す左右方
向に搬送されることによって、感熱紙上に画像が印画さ
れる。
【００１７】図２は本発明の一実施例であるＩＣ封止樹
脂層２０の構成を示す断面図であり、図３はフィラ２１
ａ，２１ｂの直径に対する分布を示す分布図である。図
２に示すように、はんだバンプ１８を介して基板１２上
に実装された駆動用ＩＣ１９は、ＩＣ封止樹脂層２０に
よって基板１２上に封止される。前記ＩＣ封止樹脂層２
０は、アルミナなどから成るフィラ２１ａ，２１ｂを５
０〜７０重量％含有するエポキシ系樹脂などから成る。
前記フィラ２１ａ，２１ｂは、アルミナなどの材料を撹
拌することによって、前記材料を小片に粉砕して得られ
る。本実施例のＩＣ封止樹脂層２０は、それぞれ前述の
ようにして得られた、直径５〜２０μｍのフィラ２１ａ
と、直径１００〜１５０μｍのフィラ２１ｂとが、図３
に示すような分布でエポキシ系樹脂中に混合されて得ら
れる。このようなＩＣ封止樹脂は、駆動用ＩＣ１９が基
板１２上に実装された後に、駆動用ＩＣ１９に塗布され
るので、ＩＣ−基板間距離Ｄより直径が大きいフィラ２
１ｂは、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間には介在され
ない。このようにして駆動用ＩＣ１９に塗布されたＩＣ
封止樹脂層２０は、約１５０℃で３０分間、硬化処理が
行われる。
脂層２０の構成を示す断面図であり、図３はフィラ２１
ａ，２１ｂの直径に対する分布を示す分布図である。図
２に示すように、はんだバンプ１８を介して基板１２上
に実装された駆動用ＩＣ１９は、ＩＣ封止樹脂層２０に
よって基板１２上に封止される。前記ＩＣ封止樹脂層２
０は、アルミナなどから成るフィラ２１ａ，２１ｂを５
０〜７０重量％含有するエポキシ系樹脂などから成る。
前記フィラ２１ａ，２１ｂは、アルミナなどの材料を撹
拌することによって、前記材料を小片に粉砕して得られ
る。本実施例のＩＣ封止樹脂層２０は、それぞれ前述の
ようにして得られた、直径５〜２０μｍのフィラ２１ａ
と、直径１００〜１５０μｍのフィラ２１ｂとが、図３
に示すような分布でエポキシ系樹脂中に混合されて得ら
れる。このようなＩＣ封止樹脂は、駆動用ＩＣ１９が基
板１２上に実装された後に、駆動用ＩＣ１９に塗布され
るので、ＩＣ−基板間距離Ｄより直径が大きいフィラ２
１ｂは、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間には介在され
ない。このようにして駆動用ＩＣ１９に塗布されたＩＣ
封止樹脂層２０は、約１５０℃で３０分間、硬化処理が
行われる。
【００１８】このようにして本実施例のＩＣ封止樹脂層
２０には、ＩＣ−基板間距離Ｄに近い直径のフィラが含
まれないので、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間には、
小さい直径のフィラ２１ａしか介在されない。したがっ
て、ＩＣ実装部の温度変化に対しても、ＩＣ封止樹脂層
２０に含まれるエポキシ系樹脂の熱収縮によって、ＩＣ
−基板間距離Ｄが、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に
介在されるフィラ２１ａの直径より小さくなることがな
い。このようにして、ＩＣ封止樹脂層２０中に含まれる
フィラの中から、直径がＩＣ−基板間距離Ｄに近いもの
を除くことによって、駆動用ＩＣ１９の表面に形成され
た電極パターンが、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に
介在されるフィラによって損傷されることを防止するこ
とができる。
２０には、ＩＣ−基板間距離Ｄに近い直径のフィラが含
まれないので、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間には、
小さい直径のフィラ２１ａしか介在されない。したがっ
て、ＩＣ実装部の温度変化に対しても、ＩＣ封止樹脂層
２０に含まれるエポキシ系樹脂の熱収縮によって、ＩＣ
−基板間距離Ｄが、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に
介在されるフィラ２１ａの直径より小さくなることがな
い。このようにして、ＩＣ封止樹脂層２０中に含まれる
フィラの中から、直径がＩＣ−基板間距離Ｄに近いもの
を除くことによって、駆動用ＩＣ１９の表面に形成され
た電極パターンが、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に
介在されるフィラによって損傷されることを防止するこ
とができる。
【００１９】また、ＩＣ封止樹脂中には、直径の大きな
フィラ２１ｂが含まれるので、フィラ２１ａとフィラ２
１ｂとの混合比率を所定の比率にすることによって、Ｉ
Ｃ封止樹脂のチクソ性と粘度を調節することができ、最
適な作業性を得ることができる。また、同時に、フィラ
２１ａとフィラ２１ｂとの混合比率を所定の比率にする
ことによって、ＩＣ封止樹脂層２０全体のヤング率を低
く調節することができるので、ＩＣ封止樹脂層２０が駆
動用ＩＣ１９、はんだバンプ１８および基板１２に及ぼ
す熱応力によって、ＩＣ封止樹脂層２０に封入された前
記各部材に局所破壊を生じることを防止することがで
き、また、基板１２の反りを生じることを防止すること
ができる。
フィラ２１ｂが含まれるので、フィラ２１ａとフィラ２
１ｂとの混合比率を所定の比率にすることによって、Ｉ
Ｃ封止樹脂のチクソ性と粘度を調節することができ、最
適な作業性を得ることができる。また、同時に、フィラ
２１ａとフィラ２１ｂとの混合比率を所定の比率にする
ことによって、ＩＣ封止樹脂層２０全体のヤング率を低
く調節することができるので、ＩＣ封止樹脂層２０が駆
動用ＩＣ１９、はんだバンプ１８および基板１２に及ぼ
す熱応力によって、ＩＣ封止樹脂層２０に封入された前
記各部材に局所破壊を生じることを防止することがで
き、また、基板１２の反りを生じることを防止すること
ができる。
【００２０】また、ＩＣ封止樹脂層２０においても、従
来と同程度の熱膨張係数を得ることができ、ＩＣ封止樹
脂の塗布も、１回の工程で行うことができるので、工程
が増加しない。
来と同程度の熱膨張係数を得ることができ、ＩＣ封止樹
脂の塗布も、１回の工程で行うことができるので、工程
が増加しない。
【００２１】図４は、本実施例の他の例であるフィラ２
１ｃ，２１ｄの直径に対する分布を示す分布図である。
図４に示すような分布のフィラ２１ｃ，２１ｄは、アル
ミナなどの材料を撹拌することによって、前記材料を小
片に粉砕して得られた直径５〜１５０μｍのフィラか
ら、メッシュの大きさが２０μｍおよび１００μｍのふ
るいにかけることによって、直径２０〜１００μｍのフ
ィラを除去して得られる。このようにして得られた直径
５〜２０μｍのフィラ２１ｃと、直径１００〜１５０μ
ｍのフィラ２１ｄとは、図４に示すような分布となるよ
うに混合され、さらに５０〜７０重量％の割合でエポキ
シ系樹脂と混合される。このようにして得られたＩＣ封
止樹脂は、基板１２上に実装された駆動用ＩＣ１９に塗
布される。駆動用ＩＣ１９は、ＩＣ−基板間距離Ｄが５
０〜７０μｍで基板１２上に実装されており、直径が前
記ＩＣ−基板間距離Ｄより大きいフィラ２１ｄは、駆動
用ＩＣ１９と基板１２との間には介在されない。したが
って、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に介在されるフ
ィラは、直径５〜２０μｍのフィラ２１ｃだけであるの
で、ＩＣ実装部の温度変化によって、ＩＣ−基板間距離
Ｄが、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に介在されるフ
ィラ２１ｃの直径より小さくなることはない。このよう
にＩＣ封止樹脂層２０中に含まれるフィラの中から、直
径がＩＣ−基板間距離Ｄに近いものを除くことによっ
て、駆動用ＩＣ１９の表面に形成された電極パターン
が、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に介在されるフィ
ラによって損傷されることを防止することができる。
１ｃ，２１ｄの直径に対する分布を示す分布図である。
図４に示すような分布のフィラ２１ｃ，２１ｄは、アル
ミナなどの材料を撹拌することによって、前記材料を小
片に粉砕して得られた直径５〜１５０μｍのフィラか
ら、メッシュの大きさが２０μｍおよび１００μｍのふ
るいにかけることによって、直径２０〜１００μｍのフ
ィラを除去して得られる。このようにして得られた直径
５〜２０μｍのフィラ２１ｃと、直径１００〜１５０μ
ｍのフィラ２１ｄとは、図４に示すような分布となるよ
うに混合され、さらに５０〜７０重量％の割合でエポキ
シ系樹脂と混合される。このようにして得られたＩＣ封
止樹脂は、基板１２上に実装された駆動用ＩＣ１９に塗
布される。駆動用ＩＣ１９は、ＩＣ−基板間距離Ｄが５
０〜７０μｍで基板１２上に実装されており、直径が前
記ＩＣ−基板間距離Ｄより大きいフィラ２１ｄは、駆動
用ＩＣ１９と基板１２との間には介在されない。したが
って、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に介在されるフ
ィラは、直径５〜２０μｍのフィラ２１ｃだけであるの
で、ＩＣ実装部の温度変化によって、ＩＣ−基板間距離
Ｄが、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に介在されるフ
ィラ２１ｃの直径より小さくなることはない。このよう
にＩＣ封止樹脂層２０中に含まれるフィラの中から、直
径がＩＣ−基板間距離Ｄに近いものを除くことによっ
て、駆動用ＩＣ１９の表面に形成された電極パターン
が、駆動用ＩＣ１９と基板１２との間に介在されるフィ
ラによって損傷されることを防止することができる。
【００２２】また、ＩＣ封止樹脂中には、直径の大きな
フィラ２１ｄが含まれるので、フィラ２１ｃとフィラ２
１ｄとの混合比率を所定の比率にすることによって、Ｉ
Ｃ封止樹脂のチクソ性と粘度を調節することができ、最
適な作業性を得ることができる。また同時に、フィラ２
１ｃとフィラ２１ｄとの混合比率を所定の比率にするこ
とによって、ＩＣ封止樹脂層２０全体のヤング率を低く
調節することができるので、ＩＣ封止樹脂層２０が、駆
動用ＩＣ１９、はんだバンプ１８および基板１２に及ぼ
す熱応力によって、ＩＣ封止樹脂層２０に封入された前
記各部材に局所破壊を生じることを防止することがで
き、また、基板１２の反りを生じることを防止すること
ができる。
フィラ２１ｄが含まれるので、フィラ２１ｃとフィラ２
１ｄとの混合比率を所定の比率にすることによって、Ｉ
Ｃ封止樹脂のチクソ性と粘度を調節することができ、最
適な作業性を得ることができる。また同時に、フィラ２
１ｃとフィラ２１ｄとの混合比率を所定の比率にするこ
とによって、ＩＣ封止樹脂層２０全体のヤング率を低く
調節することができるので、ＩＣ封止樹脂層２０が、駆
動用ＩＣ１９、はんだバンプ１８および基板１２に及ぼ
す熱応力によって、ＩＣ封止樹脂層２０に封入された前
記各部材に局所破壊を生じることを防止することがで
き、また、基板１２の反りを生じることを防止すること
ができる。
【００２３】また、このようなＩＣ封止樹脂において
も、従来と同程度の熱膨張係数を得ることができ、ＩＣ
封止樹脂の塗布も１回の工程で行うことができるので、
工程が増加しない。
も、従来と同程度の熱膨張係数を得ることができ、ＩＣ
封止樹脂の塗布も１回の工程で行うことができるので、
工程が増加しない。
【００２４】またさらに、直径５〜１５０μｍのフィラ
から、ふるいによって直径２０〜１００μｍのフィラを
除去し、フィラ２１ｃ，２１ｄを得るので、それぞれ撹
拌によって直径５〜２０μｍのフィラ２１ａと、直径１
００〜１５０μｍのフィラ２１ｂとを得るよりも、容易
に短時間でフィラ２１ｃ，２１ｄを得ることができる。
から、ふるいによって直径２０〜１００μｍのフィラを
除去し、フィラ２１ｃ，２１ｄを得るので、それぞれ撹
拌によって直径５〜２０μｍのフィラ２１ａと、直径１
００〜１５０μｍのフィラ２１ｂとを得るよりも、容易
に短時間でフィラ２１ｃ，２１ｄを得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電気絶縁
性を有する樹脂の中に、複数の無機物粒子を含むＩＣ封
止樹脂は、基板上に実装されたＩＣを封入して硬化さ
れ、前記ＩＣを前記基板上に封止する。また、前記複数
の無機物粒子には、基板上に実装されたＩＣと基板との
距離に近い直径を有する粒子は含まれない。したがっ
て、基板上に実装されたＩＣと基板との間には、ＩＣと
基板との間の距離に比べて直径の小さい複数の無機物粒
子しか介在されない。このためＩＣ実装部分の温度変化
によって、前記樹脂が収縮し、ＩＣと基板との間の距離
が小さくなっても、ＩＣと基板との間に介在される複数
の無機物粒子の直径より小さくなることがない。したが
って、ＩＣと基板との間に介在される複数の無機物粒子
によって、ＩＣの表面上に形成された電極パターンなど
に損傷を生じることを防止することができる。
性を有する樹脂の中に、複数の無機物粒子を含むＩＣ封
止樹脂は、基板上に実装されたＩＣを封入して硬化さ
れ、前記ＩＣを前記基板上に封止する。また、前記複数
の無機物粒子には、基板上に実装されたＩＣと基板との
距離に近い直径を有する粒子は含まれない。したがっ
て、基板上に実装されたＩＣと基板との間には、ＩＣと
基板との間の距離に比べて直径の小さい複数の無機物粒
子しか介在されない。このためＩＣ実装部分の温度変化
によって、前記樹脂が収縮し、ＩＣと基板との間の距離
が小さくなっても、ＩＣと基板との間に介在される複数
の無機物粒子の直径より小さくなることがない。したが
って、ＩＣと基板との間に介在される複数の無機物粒子
によって、ＩＣの表面上に形成された電極パターンなど
に損傷を生じることを防止することができる。
【００２６】また、前記複数の無機物粒子は、ＩＣと基
板との間の距離より大きい直径の粒子を含むので、複数
の無機物粒子をＩＣと基板との間の距離より小さい直径
の粒子だけにした場合に生じるＩＣ封止樹脂の樹脂特性
の劣化を防止することができる。
板との間の距離より大きい直径の粒子を含むので、複数
の無機物粒子をＩＣと基板との間の距離より小さい直径
の粒子だけにした場合に生じるＩＣ封止樹脂の樹脂特性
の劣化を防止することができる。
【００２７】さらに、ＩＣ封止樹脂の樹脂特性について
も、最適な粘度の調整が可能であり、ＩＣ封止樹脂の塗
布も１回で行うことができ、作業性が良い。
も、最適な粘度の調整が可能であり、ＩＣ封止樹脂の塗
布も１回で行うことができ、作業性が良い。
【図１】サーマルヘッド１１の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例であるＩＣ封止樹脂層２０の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】フィラ２１ａ，２１ｂの直径に対する分布を示
す分布図である。
す分布図である。
【図４】本実施例の他の例であるフィラ２１ｃ，２１ｄ
の直径に対する分布を示す分布図である。
の直径に対する分布を示す分布図である。
【図５】従来のＩＣ封止樹脂層５の構成を示す断面図お
よびフィラ６の直径に対する分布を示す分布図である。
よびフィラ６の直径に対する分布を示す分布図である。
【図６】従来の他のＩＣ封止樹脂層５ａの構成を示す断
面図である。
面図である。
１１ サーマルヘッド １２ 基板 １８ はんだバンプ １９ 駆動用ＩＣ ２０ ＩＣ封止樹脂層 ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ フィラ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に実装されたＩＣを気密に封止す
るためのＩＣ封止樹脂であって、 樹脂材と無機物粒子から成り、かつ前記無機物粒子の粒
径が、基板上に実装されたＩＣと基板との間の距離と異
なる長さを有することを特徴とするＩＣ封止樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19058293A JPH0745754A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Ｉｃ封止樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19058293A JPH0745754A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Ｉｃ封止樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745754A true JPH0745754A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16260465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19058293A Pending JPH0745754A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Ｉｃ封止樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745754A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100233006B1 (ko) * | 1996-08-20 | 1999-12-01 | 윤종용 | 반도체 패키지 |
| US6049038A (en) * | 1997-08-01 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Flip-chip resin sealing structure and resin sealing method |
| JP2003124402A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
| JP2007067047A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN101937883A (zh) * | 2009-06-29 | 2011-01-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP19058293A patent/JPH0745754A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100233006B1 (ko) * | 1996-08-20 | 1999-12-01 | 윤종용 | 반도체 패키지 |
| US6049038A (en) * | 1997-08-01 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Flip-chip resin sealing structure and resin sealing method |
| JP2003124402A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
| JP2007067047A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4620553B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-01-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN101937883A (zh) * | 2009-06-29 | 2011-01-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 |
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