JPH0743849B2 - 光磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
光磁気デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0743849B2 JPH0743849B2 JP61018365A JP1836586A JPH0743849B2 JP H0743849 B2 JPH0743849 B2 JP H0743849B2 JP 61018365 A JP61018365 A JP 61018365A JP 1836586 A JP1836586 A JP 1836586A JP H0743849 B2 JPH0743849 B2 JP H0743849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- rare earth
- protective film
- earth metal
- optical disk
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、光磁気ディスクの製造方法において、光磁気
記録媒体の酸化を防止するため、炭化物と希土類金属と
を同時にスパッタリングすることにより上記記録媒体の
保護膜を作製するようにしたものである。このようにす
れば、上記炭化物中の酸素を上記希土類金属でトラップ
することができるので、記録媒体の酸化を防止し、長寿
命化を測ることができる。
記録媒体の酸化を防止するため、炭化物と希土類金属と
を同時にスパッタリングすることにより上記記録媒体の
保護膜を作製するようにしたものである。このようにす
れば、上記炭化物中の酸素を上記希土類金属でトラップ
することができるので、記録媒体の酸化を防止し、長寿
命化を測ることができる。
本発明は、光磁気ディスクの製造方法、特には光磁気記
録媒体の酸化防止のための保護膜の製造方法に関する。
録媒体の酸化防止のための保護膜の製造方法に関する。
レーザ光を照射して情報の消去、記録及び再生を行う光
磁気ディスクは、大容量ファイルとして期待されてい
る。しかし、光磁気記録媒体として使用される材料は、
非常に活性である希土類金属を含むため、酸化等により
劣化しやすい。従って、上記光磁気ディスクの実用化の
ためには、上記記録媒体の寿命を保証することが必須で
あり、そのため、上記記録媒体を保護するための保護膜
の開発が急がれている。
磁気ディスクは、大容量ファイルとして期待されてい
る。しかし、光磁気記録媒体として使用される材料は、
非常に活性である希土類金属を含むため、酸化等により
劣化しやすい。従って、上記光磁気ディスクの実用化の
ためには、上記記録媒体の寿命を保証することが必須で
あり、そのため、上記記録媒体を保護するための保護膜
の開発が急がれている。
上記光磁気ディスクは、一般にPMMA等でできた基板上
に、希上類金属および遷移金属（Tb、Fe、Co、等）の記
録膜を真空蒸着もしくはスパッタリング等で成膜し、そ
の上から保護膜を形成することによりできている。上記
保護膜の材料としては、従来から、SiO、AlN等で代表さ
れる酸化物や窒化物の他、TiC等の炭化物が検討されて
きた。その中でも炭化物は、それ自体で上記記録膜中の
希土類元素を酸化するという性質が、上記酸化物ほど顕
著でないため、保護膜の材料として特に注目されてい
る。
に、希上類金属および遷移金属（Tb、Fe、Co、等）の記
録膜を真空蒸着もしくはスパッタリング等で成膜し、そ
の上から保護膜を形成することによりできている。上記
保護膜の材料としては、従来から、SiO、AlN等で代表さ
れる酸化物や窒化物の他、TiC等の炭化物が検討されて
きた。その中でも炭化物は、それ自体で上記記録膜中の
希土類元素を酸化するという性質が、上記酸化物ほど顕
著でないため、保護膜の材料として特に注目されてい
る。
上記炭化物で保護膜を作製する方法としてスパッタリン
グがある。ところが、炭化物をスパッタリングすると、
その過程において、残留ガス成分である酸素が炭化物膜
中に取込まれてしまう。このようにして保護膜中に酸素
が存在すると、その酸素によって記録媒体中の希土類金
属が選択的に酸化されることにより、記録媒体の保磁力
が変化してしまうという問題が生じる。このように、炭
化物でできた保護膜は上述したような利点はあるが、ま
たその保護効果は万全ではない。
グがある。ところが、炭化物をスパッタリングすると、
その過程において、残留ガス成分である酸素が炭化物膜
中に取込まれてしまう。このようにして保護膜中に酸素
が存在すると、その酸素によって記録媒体中の希土類金
属が選択的に酸化されることにより、記録媒体の保磁力
が変化してしまうという問題が生じる。このように、炭
化物でできた保護膜は上述したような利点はあるが、ま
たその保護効果は万全ではない。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、記録媒体の酸化を
防止して長寿命化を実現できる、光磁気ディスクの製造
方法を提供することを目的とする。
防止して長寿命化を実現できる、光磁気ディスクの製造
方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、炭化物からなる
ターゲットと希土類金属からなるターゲットとを用い
て、これら炭化物と希土類金属とを同時に光磁気記録媒
体上にスパッタリングすることにより、光磁気記録媒体
の保護膜を作製するようにしたものである。
ターゲットと希土類金属からなるターゲットとを用い
て、これら炭化物と希土類金属とを同時に光磁気記録媒
体上にスパッタリングすることにより、光磁気記録媒体
の保護膜を作製するようにしたものである。
希土類金属は、他の金属に比べて非常に酸化されやす
い。そのため、保護膜を作製する際、希土類金属を炭化
物と同時にスパッタリングすると、残留ガス中の酸素を
上記希土類金属がトラップし、もしくは上記希土類金属
がそのまま炭化物膜中に入って膜中の酸素をトラップす
るので、そのトラップされた酸素は安定な希土類酸化物
として炭化物膜中に存在することになる。従って、保護
膜中の酸素による記録媒体への影響がなくなり、すなわ
ち酸化が防止される。
い。そのため、保護膜を作製する際、希土類金属を炭化
物と同時にスパッタリングすると、残留ガス中の酸素を
上記希土類金属がトラップし、もしくは上記希土類金属
がそのまま炭化物膜中に入って膜中の酸素をトラップす
るので、そのトラップされた酸素は安定な希土類酸化物
として炭化物膜中に存在することになる。従って、保護
膜中の酸素による記録媒体への影響がなくなり、すなわ
ち酸化が防止される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照うしながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための概略的な
製造段階図である。
製造段階図である。
まず同図（ａ）に示すように、ガラス等でできた透明な
ディスク状の基板１を用意し、これを不図示の基板ホル
ダー上に固定する。次に、この基板１上に、同図（ｂ）
に示すように、Tb、Fe、Co、等の光磁気記録材料ででき
た記録膜２をスパッタリングで形成する。続いて、Tic
等の炭化物とDy等の希土類金属とを同時にスパッタリン
グすることにより、同図（ｃ）に示すように、上記記録
膜２上に保護膜３を形成する。この保護膜３のスパッタ
リングは、例えば第２図に示すように、上記炭化物（例
えばTiC）でできたディスク状のターゲット４を記録膜
２の上方に所定距離で配置し、このターゲット４上に上
記希土類金属（例えばDy）の複数個のチップ５を所定の
面積比（例えばターゲット４対チップ５を10対１）に並
べて行う。
ディスク状の基板１を用意し、これを不図示の基板ホル
ダー上に固定する。次に、この基板１上に、同図（ｂ）
に示すように、Tb、Fe、Co、等の光磁気記録材料ででき
た記録膜２をスパッタリングで形成する。続いて、Tic
等の炭化物とDy等の希土類金属とを同時にスパッタリン
グすることにより、同図（ｃ）に示すように、上記記録
膜２上に保護膜３を形成する。この保護膜３のスパッタ
リングは、例えば第２図に示すように、上記炭化物（例
えばTiC）でできたディスク状のターゲット４を記録膜
２の上方に所定距離で配置し、このターゲット４上に上
記希土類金属（例えばDy）の複数個のチップ５を所定の
面積比（例えばターゲット４対チップ５を10対１）に並
べて行う。
上記保護膜３の作製中は、前述したように、残留ガス中
の酸素を上記希土類金属がトラップし、もしくは、上記
希土類金属がそのまま炭化物の膜の中に入って膜中の酸
素をトラップする。そのため、形成された保護膜３の中
に酸素は存在せずに、その代わり安定な希土類酸化物が
存在している。従って、保護膜３中の酸素によって記録
膜２が酸化されるということはなくなる。
の酸素を上記希土類金属がトラップし、もしくは、上記
希土類金属がそのまま炭化物の膜の中に入って膜中の酸
素をトラップする。そのため、形成された保護膜３の中
に酸素は存在せずに、その代わり安定な希土類酸化物が
存在している。従って、保護膜３中の酸素によって記録
膜２が酸化されるということはなくなる。
そこで、上記保護膜３による酸化防止の効果を明らかに
するため、記録膜２の保持力Hcの経時変化（初期値Hc゜
で規格化）を各試料ごとに測定してみた（第３図）。こ
こで保持力Hcは、各試料を150℃で加熱して、カールー
プから得られる保持力である。同図には、希土類金属と
してDy、炭化物としてTiCを用い、第２図中のチップ５
のターゲット４に対する面積比をそれぞれ０、1/20、1/
10とした３つの試料Ａ、Ｂ、Ｃについての測定結果を示
した。なお、スパッタリング時のArガス圧を２×10-2To
rr、RF電力を400W、ターゲット４と基板ホルダーとの距
離を50mm、保護膜３の膜厚を100nmとした。
するため、記録膜２の保持力Hcの経時変化（初期値Hc゜
で規格化）を各試料ごとに測定してみた（第３図）。こ
こで保持力Hcは、各試料を150℃で加熱して、カールー
プから得られる保持力である。同図には、希土類金属と
してDy、炭化物としてTiCを用い、第２図中のチップ５
のターゲット４に対する面積比をそれぞれ０、1/20、1/
10とした３つの試料Ａ、Ｂ、Ｃについての測定結果を示
した。なお、スパッタリング時のArガス圧を２×10-2To
rr、RF電力を400W、ターゲット４と基板ホルダーとの距
離を50mm、保護膜３の膜厚を100nmとした。
すると、第３図に明らかなように、Dyの比率の大きい試
料Ｃのみが、約10時間経過後でも保持力Hcの変化がな
く、一方、他の試料Ａ、Ｂは大きく変化している。ま
た、試料ＡとＢを比較してみても、Dyを全く用いない試
料Ａより、少量であるが、Dyを用いた試料Ｂの方が比較
的安定した保持力が得ているのがわかる。
料Ｃのみが、約10時間経過後でも保持力Hcの変化がな
く、一方、他の試料Ａ、Ｂは大きく変化している。ま
た、試料ＡとＢを比較してみても、Dyを全く用いない試
料Ａより、少量であるが、Dyを用いた試料Ｂの方が比較
的安定した保持力が得ているのがわかる。
なお、上記保護膜の作製に使用される希土類金属として
は、上記Dyの他に、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、
Tb、Ho、Er、Tm、Yb、もしくはLuであってもよい。
は、上記Dyの他に、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、
Tb、Ho、Er、Tm、Yb、もしくはLuであってもよい。
また、炭化物としては、上記TiCの他に、SiC、Cr3C2、M
o2CもしくはWCを用いてもよい。
o2CもしくはWCを用いてもよい。
以上説明したように本発明によれば、保護膜の作製のた
めのスパッタリング時に上記保護膜内に取込まれた酸素
は、保護膜内で安定な希土類酸化物になるため、記録媒
体が酸化されることなく、従って、記録媒体の長寿命化
を実現できる。
めのスパッタリング時に上記保護膜内に取込まれた酸素
は、保護膜内で安定な希土類酸化物になるため、記録媒
体が酸化されることなく、従って、記録媒体の長寿命化
を実現できる。
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の一実施例を
説明するための概略的な製造段階図、 第２図は、同実施例により保護膜を作成するときのター
ゲットとチップの配置図、 第３図は、第２図中のターゲットに対するチップの比率
の異なる３つの試料Ａ、Ｂ、Ｃについて保持力の経時変
化を示す図である。 １……基板、 ２……記録膜、 ３……保護膜、 ４……ターゲット、 ５……チップ。
説明するための概略的な製造段階図、 第２図は、同実施例により保護膜を作成するときのター
ゲットとチップの配置図、 第３図は、第２図中のターゲットに対するチップの比率
の異なる３つの試料Ａ、Ｂ、Ｃについて保持力の経時変
化を示す図である。 １……基板、 ２……記録膜、 ３……保護膜、 ４……ターゲット、 ５……チップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 一紀 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−143460（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−38781（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】希土類金属と遷移金属とからなる非晶質系
の光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクの製造方法に
おいて、 炭化物からなるターゲットと希土類金属からなるターゲ
ットとを用いて、該炭化物と該希土類金属とを同時に前
記光磁気記録媒体上にスパッタリングすることにより前
記光磁気記録媒体の保護膜を作製することを特徴とする
光磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項２】前記炭化物としてTiC、SiC、Cr3C2、Mo2C
もしくはWCを用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項３】前記保護膜の作製に使用される前記希土類
金属としてLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Cd、Tb、Dy、
Ho、Er、Tm、Yb、もしくは、Luを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の光磁気ディ
スクの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018365A JPH0743849B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
| DE8686402530T DE3685649T2 (de) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Apparatur mit optischem gedaechtnis und verfahren zu deren herstellung. |
| EP86402530A EP0231672B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Optical memory device and process for fabricating same |
| KR1019860009659A KR900003688B1 (ko) | 1986-01-29 | 1986-11-15 | 광기억장치 및 그의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018365A JPH0743849B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62175947A JPS62175947A (ja) | 1987-08-01 |
| JPH0743849B2 true JPH0743849B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=11969671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61018365A Expired - Lifetime JPH0743849B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743849B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0315488B1 (en) * | 1987-11-06 | 1993-05-19 | Victor Company Of Japan, Limited | Thermal imprint recording apparatus |
| JPH04105974A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-07 | Sony Corp | 記録装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143460A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-29 | Toshiba Corp | 光熱磁気記録媒体とその製造方法 |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61018365A patent/JPH0743849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62175947A (ja) | 1987-08-01 |
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