JPH0740181Y2 - レーザ周波数特性測定装置並びに核装置を利用した可変周波数光源 - Google Patents
レーザ周波数特性測定装置並びに核装置を利用した可変周波数光源Info
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- JPH0740181Y2 JPH0740181Y2 JP1989056716U JP5671689U JPH0740181Y2 JP H0740181 Y2 JPH0740181 Y2 JP H0740181Y2 JP 1989056716 U JP1989056716 U JP 1989056716U JP 5671689 U JP5671689 U JP 5671689U JP H0740181 Y2 JPH0740181 Y2 JP H0740181Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、半導体レーザの温度−発振周波数特性や電流
−発振周波数特性等を高精度に測定する装置および該装
置を利用した可変周波数光源に関するものである。
−発振周波数特性等を高精度に測定する装置および該装
置を利用した可変周波数光源に関するものである。
〈従来の技術〉 第９図は半導体レーザの温度−発振周波数特性を測定す
る装置の第１の従来例で、回折格子を利用するものを示
す原理構成図である。被測定半導体レーザ１は温度制御
回路２によって温度が掃引される。被測定レーザ１の出
力光を回転中心４の回りに回転している回折格子３に入
射すると、波長によって回折角が変るので、光検出器５
に入射する時の光の入射角θとレーザ１の温度を観測す
ると、レーザ１の温度−発振周波数特性を測定すること
ができる。
る装置の第１の従来例で、回折格子を利用するものを示
す原理構成図である。被測定半導体レーザ１は温度制御
回路２によって温度が掃引される。被測定レーザ１の出
力光を回転中心４の回りに回転している回折格子３に入
射すると、波長によって回折角が変るので、光検出器５
に入射する時の光の入射角θとレーザ１の温度を観測す
ると、レーザ１の温度−発振周波数特性を測定すること
ができる。
第10図は半導体レーザの温度−発振周波数特性を測定す
る第２の従来例で、マイケルソン干渉計を利用するもの
を示す原理構成図である。被測定レーザ１は第９図と同
様に温度が掃引される。被測定レーザ１の出力光
（λx）をハーフミラー6,7,可動ミラー8,ミラー９から
なるマイケルソン干渉計に入射し、光検出器10で干渉縞
を検出する。レーザ１の各温度での波長値を測定し、レ
ーザ１の温度−発振周波数特性を測定することができ
る。
る第２の従来例で、マイケルソン干渉計を利用するもの
を示す原理構成図である。被測定レーザ１は第９図と同
様に温度が掃引される。被測定レーザ１の出力光
（λx）をハーフミラー6,7,可動ミラー8,ミラー９から
なるマイケルソン干渉計に入射し、光検出器10で干渉縞
を検出する。レーザ１の各温度での波長値を測定し、レ
ーザ１の温度−発振周波数特性を測定することができ
る。
〈考案が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記の各従来方式は共に機械的な可動部
分があるため、高速応答性が悪い（１サンプル/1〜2
s）。また第９図の方式の場合は機械精度が測定精度に
影響するので、高精度化が困難で経時変化にも弱い。精
度を上げるには第９図の場合には回折格子３と光検出器
５の距離を大きくし、第10図の場合は可動ミラー８の可
動距離Δｌを大きくしなければならないが、いずれも光
学系が大きくなるという問題を生じる。また第10図の場
合には基準光源（λref）が必要となるため、光学系の
構成が複雑となる。
分があるため、高速応答性が悪い（１サンプル/1〜2
s）。また第９図の方式の場合は機械精度が測定精度に
影響するので、高精度化が困難で経時変化にも弱い。精
度を上げるには第９図の場合には回折格子３と光検出器
５の距離を大きくし、第10図の場合は可動ミラー８の可
動距離Δｌを大きくしなければならないが、いずれも光
学系が大きくなるという問題を生じる。また第10図の場
合には基準光源（λref）が必要となるため、光学系の
構成が複雑となる。
本考案はこのような課題を解決するためになされたもの
で、簡単な構成で半導体レーザの温度−発振周波数特性
や電流−発振周波数特性を高速・高精度に測定できる装
置を実現することを目的とする。さらにこのような装置
を用いて高精度な可変周波数光源を実現することを目的
とする。
で、簡単な構成で半導体レーザの温度−発振周波数特性
や電流−発振周波数特性を高速・高精度に測定できる装
置を実現することを目的とする。さらにこのような装置
を用いて高精度な可変周波数光源を実現することを目的
とする。
〈課題を解決するための手段〉 本考案の第１に係るレーザ周波数特性測定装置は被測定
半導体レーザの温度または電流を掃引する掃引手段と、
前記半導体レーザの出力光を２つに分離する分離手段
と、この分離手段の一方の出力光を入射し特定の周波数
で吸収を起こす吸収セルと、前記分離手段の他方の出力
光を入射するファブリ・ペロー・エタロンと、前記吸収
セルの透過光を検出する第１の光検出器と、前記ファブ
リ・ペロー・エタロンの透過光を検出する第２の光検出
器と、前記第１および第２の光検出器の出力と前記掃引
手段の掃引信号とから前記被測定半導体レーザの各温度
または電流における発振周波数を演算する演算回路とを
備えたことを特徴とする。
半導体レーザの温度または電流を掃引する掃引手段と、
前記半導体レーザの出力光を２つに分離する分離手段
と、この分離手段の一方の出力光を入射し特定の周波数
で吸収を起こす吸収セルと、前記分離手段の他方の出力
光を入射するファブリ・ペロー・エタロンと、前記吸収
セルの透過光を検出する第１の光検出器と、前記ファブ
リ・ペロー・エタロンの透過光を検出する第２の光検出
器と、前記第１および第２の光検出器の出力と前記掃引
手段の掃引信号とから前記被測定半導体レーザの各温度
または電流における発振周波数を演算する演算回路とを
備えたことを特徴とする。
本考案の第２に係る可変周波数光源は半導体レーザと、
この半導体レーザの温度を掃引する掃引手段と、前記半
導体レーザの出力光を２つに分離する分離手段と、この
分離手段の一方の出力光を入射し特定の周波数で吸収を
起こす標準物質を封入した吸収セルと、前記分離手段の
他方の出力光を入射するファブリ・ペロー・エタロン
と、前記吸収セルの透過光を検出する第１の光検出器
と、前記ファブリ・ペロー・エタロンの透過光を検出す
る第２の光検出器と、前記第１および第２の光検出器の
出力と前記掃引手段の掃引信号とから前記半導体レーザ
の発振周波数を演算する演算回路と、前記吸収セルの吸
収線または前記ファブリ・ペロー・エタロンの透過線に
前記半導体レーザの発振周波数を制御する制御手段とを
備えたことを特徴とする。
この半導体レーザの温度を掃引する掃引手段と、前記半
導体レーザの出力光を２つに分離する分離手段と、この
分離手段の一方の出力光を入射し特定の周波数で吸収を
起こす標準物質を封入した吸収セルと、前記分離手段の
他方の出力光を入射するファブリ・ペロー・エタロン
と、前記吸収セルの透過光を検出する第１の光検出器
と、前記ファブリ・ペロー・エタロンの透過光を検出す
る第２の光検出器と、前記第１および第２の光検出器の
出力と前記掃引手段の掃引信号とから前記半導体レーザ
の発振周波数を演算する演算回路と、前記吸収セルの吸
収線または前記ファブリ・ペロー・エタロンの透過線に
前記半導体レーザの発振周波数を制御する制御手段とを
備えたことを特徴とする。
〈作用〉 温度または電流により掃引される半導体レーザの出力光
の周波数は吸収セルの透過光のピーク位置とファブリ・
ペロー・エタロンの透過光のピークの数で、絶対値の目
盛り付が行なわれる。
の周波数は吸収セルの透過光のピーク位置とファブリ・
ペロー・エタロンの透過光のピークの数で、絶対値の目
盛り付が行なわれる。
〈実施例〉 以下本考案を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本考案に係るレーザ周波数特性測定装置の一実
施例を示す構成ブロック図である。11は被測定半導体レ
ーザ、13は被測定レーザ11を収める恒温槽、12は恒温槽
13の温度を制御する温度制御回路、15は温度制御回路12
の温度設定入力に加算手段14を介して掃引信号を加える
掃引用発振器、16は被測定レーザ11を一定の注入電流で
駆動する定電流源である。17は被測定レーザ11の出力光
を平行光にするコリメートレンズ、18はレンズ17の出力
光を２つに分割する第１のビームスプリッタ、19はビー
ムスプリッタ18の透過光を入射して特定の波長で吸収す
る物質を封入した吸収セル、20はビームスプリッタ18の
反射光を入射するファブリ・ペロー・エタロン、21,22
はそれぞれ吸収セル19,ファブリ・ペロー・エタロン20
の透過光を検出する第1,第２の光検出器、23は第1,第２
の光検出器21,22および掃引用発振器15の出力から被測
定レーザ11の各温度での発振周波数を演算する演算回路
である。演算回路23は例えばマイクロプロセッサ等で構
成することができる。恒温槽13,温度制御回路12,加算手
段14および掃引用発振器15は被測定半導体レーザ11の温
度を掃引する掃引手段を構成する。
施例を示す構成ブロック図である。11は被測定半導体レ
ーザ、13は被測定レーザ11を収める恒温槽、12は恒温槽
13の温度を制御する温度制御回路、15は温度制御回路12
の温度設定入力に加算手段14を介して掃引信号を加える
掃引用発振器、16は被測定レーザ11を一定の注入電流で
駆動する定電流源である。17は被測定レーザ11の出力光
を平行光にするコリメートレンズ、18はレンズ17の出力
光を２つに分割する第１のビームスプリッタ、19はビー
ムスプリッタ18の透過光を入射して特定の波長で吸収す
る物質を封入した吸収セル、20はビームスプリッタ18の
反射光を入射するファブリ・ペロー・エタロン、21,22
はそれぞれ吸収セル19,ファブリ・ペロー・エタロン20
の透過光を検出する第1,第２の光検出器、23は第1,第２
の光検出器21,22および掃引用発振器15の出力から被測
定レーザ11の各温度での発振周波数を演算する演算回路
である。演算回路23は例えばマイクロプロセッサ等で構
成することができる。恒温槽13,温度制御回路12,加算手
段14および掃引用発振器15は被測定半導体レーザ11の温
度を掃引する掃引手段を構成する。
上記のような構成の装置の動作を次に説明する。被測定
レーザ11は定電流源16により定電流で駆動される。被測
定レーザ11として例えば1,5μｍ帯DFBレーザを用いる場
合には、温度変化に対して約12.5GHz/℃（100pm/℃）で
発振周波数がシフトする。ここで吸収セル19の封入物質
をアセチレンとすると、その1.536〜1.54μｍ帯の吸収
線は第２図に示すようになる。またファブリ・ペロー・
エタロン20のFSR（透過ピークの間隔）を100MHz、被測
定レーザ11の温度掃引を10℃から40℃まで100sで行うと
すると、ファブリ・ペロー・エタロン20の透過パワー，
吸収セル19の透過パワーおよび温度掃引信号の関係は第
３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すようになる。第３図点線
内の拡大図を第４図に示す。吸収線周波数は絶対値が高
精度に測定されて既知であり、P19とP21,P21とP23の吸
収線の周波数差がそれぞれ約171GHz,174GHzなので、t1
〜t2間に出るエタロン透過信号の数は171GHz/100MHz≒1
710本、t2〜t3間では1740本である。すなわち、吸収線
の周波数間隔が異なるので、エタロン透過信号の本数で
吸収線を同定することができる。また第４図のように各
吸収線からのエタロン透過信号の数をＮ本とすると、Ｎ
本目の発振周波数ν（Ｎ）は ν（Ｎ）＝ν１＋100・Ｎ …（１） となる。ここでν１（THz）は各吸収線の発振周波数で
ある。Ｎ本目の時の温度をＴ（Ｎ）とすると、ν（Ｎ）
およびＴ（Ｎ）から第５図に示すような被測定レーザの
温度−発振周波数特性を、演算装置23において精度よく
得ることができる。周波数分解能はエタロンのFSRで決
まり、この場合は100MHzである。上記実施例のように吸
収物質にアセチレンを使用する場合には、1.53〜1.545
μｍ帯の被測定レーザを測定することができる。その他
の波長帯の被測定レーザに対しては、その波長帯で吸収
線のある分子を吸収物質として用いる。また被測定レー
ザの駆動電流をパラメータとして温度−発振周波数特性
を測定することにより、電流周波数特性を得ることがで
きる。
レーザ11は定電流源16により定電流で駆動される。被測
定レーザ11として例えば1,5μｍ帯DFBレーザを用いる場
合には、温度変化に対して約12.5GHz/℃（100pm/℃）で
発振周波数がシフトする。ここで吸収セル19の封入物質
をアセチレンとすると、その1.536〜1.54μｍ帯の吸収
線は第２図に示すようになる。またファブリ・ペロー・
エタロン20のFSR（透過ピークの間隔）を100MHz、被測
定レーザ11の温度掃引を10℃から40℃まで100sで行うと
すると、ファブリ・ペロー・エタロン20の透過パワー，
吸収セル19の透過パワーおよび温度掃引信号の関係は第
３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すようになる。第３図点線
内の拡大図を第４図に示す。吸収線周波数は絶対値が高
精度に測定されて既知であり、P19とP21,P21とP23の吸
収線の周波数差がそれぞれ約171GHz,174GHzなので、t1
〜t2間に出るエタロン透過信号の数は171GHz/100MHz≒1
710本、t2〜t3間では1740本である。すなわち、吸収線
の周波数間隔が異なるので、エタロン透過信号の本数で
吸収線を同定することができる。また第４図のように各
吸収線からのエタロン透過信号の数をＮ本とすると、Ｎ
本目の発振周波数ν（Ｎ）は ν（Ｎ）＝ν１＋100・Ｎ …（１） となる。ここでν１（THz）は各吸収線の発振周波数で
ある。Ｎ本目の時の温度をＴ（Ｎ）とすると、ν（Ｎ）
およびＴ（Ｎ）から第５図に示すような被測定レーザの
温度−発振周波数特性を、演算装置23において精度よく
得ることができる。周波数分解能はエタロンのFSRで決
まり、この場合は100MHzである。上記実施例のように吸
収物質にアセチレンを使用する場合には、1.53〜1.545
μｍ帯の被測定レーザを測定することができる。その他
の波長帯の被測定レーザに対しては、その波長帯で吸収
線のある分子を吸収物質として用いる。また被測定レー
ザの駆動電流をパラメータとして温度−発振周波数特性
を測定することにより、電流周波数特性を得ることがで
きる。
このような構成のレーザ周波数特性測定装置によれば、
機械的可動部がないので高速測定ができ、経時変化に強
い。
機械的可動部がないので高速測定ができ、経時変化に強
い。
また従来例第10図の場合と比較して周波数基準光源が不
要なため、構成が簡単になる。
要なため、構成が簡単になる。
また周波数絶対値の精度の出た分子吸収線とエタロンFS
Rで波長値を測定するので、測定値が高精度となる。し
たがって校正の必要もない。
Rで波長値を測定するので、測定値が高精度となる。し
たがって校正の必要もない。
なお上記の実施例で被測定レーザの駆動電流を一定にし
て温度を掃引しているが、吸収線間隔の小さい吸収物質
を用いれば、温度を一定に制御して駆動電流を掃引（6G
Hz程度）し、電流−周波数特性を測定することもでき
る。
て温度を掃引しているが、吸収線間隔の小さい吸収物質
を用いれば、温度を一定に制御して駆動電流を掃引（6G
Hz程度）し、電流−周波数特性を測定することもでき
る。
第６図は第１図装置の一変形例で、被測定レーザの出力
パワーを一定に制御するものを示す構成ブロック図であ
る。第１図の場合と異なり、被測定レーザ11を定電流で
駆動する代りに被測定レーザ内のモニタ用フォトダイオ
ードの出力を用いてパワー制御回路24により出力パワー
を一定に保っている。この結果被測定レーザの温度を変
えても出力パワーが変化せずに温度−発振周波数特性を
測定することができる。吸収物質によっては入射パワー
が大きくなると飽和して吸収波形が変る等、入射光強度
によって吸収波形・周波数が変るものであるが、その影
響を除くことができる。また実際に半導体レーザはパワ
ーを安定化して使用することが多い。
パワーを一定に制御するものを示す構成ブロック図であ
る。第１図の場合と異なり、被測定レーザ11を定電流で
駆動する代りに被測定レーザ内のモニタ用フォトダイオ
ードの出力を用いてパワー制御回路24により出力パワー
を一定に保っている。この結果被測定レーザの温度を変
えても出力パワーが変化せずに温度−発振周波数特性を
測定することができる。吸収物質によっては入射パワー
が大きくなると飽和して吸収波形が変る等、入射光強度
によって吸収波形・周波数が変るものであるが、その影
響を除くことができる。また実際に半導体レーザはパワ
ーを安定化して使用することが多い。
第７図は本考案に係る周波数可変光源の一実施例を示す
構成ブロック図である。第１図と同じ部分は同一の記号
を付して説明を省略する。11aは可変周波数光源装置の
光源となる半導体レーザ、25は半導体レーザ11aの出力
光をコリメートレンズ17を介し入射して２つに分離する
第２のビームスプリッタで、その透過光が第１のビーム
スプリッタ18に入射しその反射光が本装置の可変周波数
出力光となるもの、26はファブリ・ペロー・エタロン20
の任意の透過周波数に半導体レーザ11aの出力周波数を
制御する周波数制御回路、27は半導体レーザ11aの周波
数掃引モードと周波数制御モードを切換えるスイッチ、
28はスイッチ27の出力を定電流源16の出力に加算する加
算手段でその出力が半導体レーザ11aの注入電流に印加
されるもの、29は掃引用発振器15と加算手段14の間に接
続する電圧ホールド回路で掃引用発振器15の出力をその
まま出力するアップデート（update）モードと掃引用発
振器15の出力を保持するホールドモードとを有する。
構成ブロック図である。第１図と同じ部分は同一の記号
を付して説明を省略する。11aは可変周波数光源装置の
光源となる半導体レーザ、25は半導体レーザ11aの出力
光をコリメートレンズ17を介し入射して２つに分離する
第２のビームスプリッタで、その透過光が第１のビーム
スプリッタ18に入射しその反射光が本装置の可変周波数
出力光となるもの、26はファブリ・ペロー・エタロン20
の任意の透過周波数に半導体レーザ11aの出力周波数を
制御する周波数制御回路、27は半導体レーザ11aの周波
数掃引モードと周波数制御モードを切換えるスイッチ、
28はスイッチ27の出力を定電流源16の出力に加算する加
算手段でその出力が半導体レーザ11aの注入電流に印加
されるもの、29は掃引用発振器15と加算手段14の間に接
続する電圧ホールド回路で掃引用発振器15の出力をその
まま出力するアップデート（update）モードと掃引用発
振器15の出力を保持するホールドモードとを有する。
このような可変周波数光源の２つの動作モードを次に説
明する。
明する。
（イ）発振周波数掃引モード スイッチ27をオフ、電圧ホールド回路29をアップデート
モードとする。この場合ビームスプリッタ25から周波数
掃引光が出力されるが、これと同時に第１図の場合と同
様にして、演算回路23で出力光の周波数が演算され、そ
の表示等が行なわれる。すなわちエタロン透過信号の数
Ｎを計数するとともに、（１）式を用いて掃引中のレー
ザ発振周波数を正確に測定することができる。
モードとする。この場合ビームスプリッタ25から周波数
掃引光が出力されるが、これと同時に第１図の場合と同
様にして、演算回路23で出力光の周波数が演算され、そ
の表示等が行なわれる。すなわちエタロン透過信号の数
Ｎを計数するとともに、（１）式を用いて掃引中のレー
ザ発振周波数を正確に測定することができる。
（ロ）発振周波数制御モード （イ）の発振周波数掃引モードで、レーザ発振周波数が
Ｎ本目のエタロン透過線上にあるとき、スイッチ27をオ
ン、電圧ホールド回路29をホールドモードとして半導体
レーザ11aの温度を一定に保つ。その結果、レーザ発振
周波数はＮ本目のエタロン透過線上に一定に制御され
る。このモードでとり得るレーザ発振周波数の分解能は
ファブリ・ペロー・エタロン20のFSR（この場合100MH
z）で決まる。すなわちFSR間隔ごとにステップ的に一定
周波数の出力光を得ることができる。（イ）と組合せて
ステップ状に掃引することもできる。
Ｎ本目のエタロン透過線上にあるとき、スイッチ27をオ
ン、電圧ホールド回路29をホールドモードとして半導体
レーザ11aの温度を一定に保つ。その結果、レーザ発振
周波数はＮ本目のエタロン透過線上に一定に制御され
る。このモードでとり得るレーザ発振周波数の分解能は
ファブリ・ペロー・エタロン20のFSR（この場合100MH
z）で決まる。すなわちFSR間隔ごとにステップ的に一定
周波数の出力光を得ることができる。（イ）と組合せて
ステップ状に掃引することもできる。
上記の（イ）モードによれば、その可変周波数光とその
周波数値を利用して、物質のスペクトル検出や光フィル
タの特性測定等を行なうことができる。また（ロ）モー
ドによればその周波数一定の出力光とビートをとって被
測定レーザ光の特性測定等を行なうことができる。
周波数値を利用して、物質のスペクトル検出や光フィル
タの特性測定等を行なうことができる。また（ロ）モー
ドによればその周波数一定の出力光とビートをとって被
測定レーザ光の特性測定等を行なうことができる。
このような構成の可変周波数光源によれば、物質の吸収
線とエタロンのFSRをレーザ発振周波数の目盛りとする
ので、発振周波数を高精度に把握することができる。
線とエタロンのFSRをレーザ発振周波数の目盛りとする
ので、発振周波数を高精度に把握することができる。
また機械的可動部が無いので、高精度に発振周波数を掃
引でき、経時変化にも強い。
引でき、経時変化にも強い。
なお吸収物質としては、アセチレンに限らず、アンモニ
ア，シアン化水素等複数の吸収線が異なる周波数間隔で
並んでいる任意の物質を用いることができる。
ア，シアン化水素等複数の吸収線が異なる周波数間隔で
並んでいる任意の物質を用いることができる。
また出力光と同時に、光検出器21,22の出力をマーカ信
号として外部に出力してもよい。マーカ信号を用いてデ
ィスプレイ上の目盛り付を行なうことができる。
号として外部に出力してもよい。マーカ信号を用いてデ
ィスプレイ上の目盛り付を行なうことができる。
第８図は第７図装置の変形例を示す構成ブロック図であ
る。第７図と異なるのは光検出器22と周波数制御回路26
の間に切換スイッチ30を接続した点で、前述の（ロ）モ
ードにおいて、スイッチ30により光検出器21の出力を周
波数制御回路26に接続することにより、半導体レーザ11
aの発振周波数を吸収セル19の標準物質の吸収線にロッ
クできるようにしている。このような構成により、
（ロ）モードにおいて、絶対周波数が安定な出力光を得
ることができる。
る。第７図と異なるのは光検出器22と周波数制御回路26
の間に切換スイッチ30を接続した点で、前述の（ロ）モ
ードにおいて、スイッチ30により光検出器21の出力を周
波数制御回路26に接続することにより、半導体レーザ11
aの発振周波数を吸収セル19の標準物質の吸収線にロッ
クできるようにしている。このような構成により、
（ロ）モードにおいて、絶対周波数が安定な出力光を得
ることができる。
〈考案の効果〉 以上述べたように本考案によれば、半導体レーザの温度
−発振周波数特性や電流−発振周波数特性を高速・高精
度に測定できるレーザ周波数特性測定装置を簡単な構成
で実現することができる。また上記装置を利用して発振
周波数が高精度で、信頼性の高い可変周波数光源を簡単
な構成で実現することができる。
−発振周波数特性や電流−発振周波数特性を高速・高精
度に測定できるレーザ周波数特性測定装置を簡単な構成
で実現することができる。また上記装置を利用して発振
周波数が高精度で、信頼性の高い可変周波数光源を簡単
な構成で実現することができる。
第１図は本考案に係るレーザ周波数特性測定装置の一実
施例を示す構成ブロック図、第２図は吸収セルの吸収特
性を示す特性曲線図、第３図および第４図は第１図装置
の動作説明図、第５図は第１図装置によって測定された
被測定レーザの温度−波長特性を示す図、第６図は第１
図装置の一変形例を示す構成ブロック図、第７図は本考
案に係る可変周波数光源の一実施例を示す構成ブロック
図、第８図は第７図装置の変形例を示す構成ブロック
図、第９図，第10図は従来のレーザ周波数特性測定装置
を示す構成原理図である。 11……被測定半導体レーザ、15……掃引手段、18……分
離手段、19……吸収セル、20……ファブリ・ペロー・エ
タロン、21……第１の光検出器、22……第２の光検出
器、23……演算回路、26……周波数制御回路、27……ス
イッチ、29……電圧ホールド回路、30……切換スイッ
チ。
施例を示す構成ブロック図、第２図は吸収セルの吸収特
性を示す特性曲線図、第３図および第４図は第１図装置
の動作説明図、第５図は第１図装置によって測定された
被測定レーザの温度−波長特性を示す図、第６図は第１
図装置の一変形例を示す構成ブロック図、第７図は本考
案に係る可変周波数光源の一実施例を示す構成ブロック
図、第８図は第７図装置の変形例を示す構成ブロック
図、第９図，第10図は従来のレーザ周波数特性測定装置
を示す構成原理図である。 11……被測定半導体レーザ、15……掃引手段、18……分
離手段、19……吸収セル、20……ファブリ・ペロー・エ
タロン、21……第１の光検出器、22……第２の光検出
器、23……演算回路、26……周波数制御回路、27……ス
イッチ、29……電圧ホールド回路、30……切換スイッ
チ。
Claims (2)
- 【請求項１】被測定半導体レーザの温度または電流を掃
引する掃引手段と、前記半導体レーザの出力光を２つの
分離する分離手段と、この分離手段の一方の出力光を入
射し特定の周波数で吸収を起こす吸収セルと、前記分離
手段の他方の出力光を入射するファブリ・ペロー・エタ
ロンと、前記吸収セルの透過光を検出する第１の光検出
器と、前記ファブリ・ペロー・エタロンの透過光を検出
する第２の光検出器と、前記第１および第２の光検出器
の出力と前記掃引手段の掃引信号とから前記被測定半導
体レーザの各温度または電流における発振周波数を演算
する演算回路とを備えたことを特徴とするレーザ周波数
特性測定装置。 - 【請求項２】半導体レーザと、この半導体レーザの温度
を掃引する掃引手段と、前記半導体レーザの出力光を２
つの分離する分離手段と、この分離手段の一方の出力光
を入射し特定の周波数で吸収を起こす標準物質を封入し
た吸収セルと、前記分離手段の他方の出力光を入射する
ファブリ・ペロー・エタロンと、前記吸収セルの透過光
を検出する第１の光検出器と、前記ファブリ・ペロー・
エタロンの透過光を検出する第１の光検出器と、前記第
１および第２の光検出器の出力と前記掃引手段の掃引信
号とから前記半導体レーザの発振周波数を演算する演算
回路と、前記吸収セルの吸収線または前記ファブリ・ペ
ロー・エタロンの透過線に前記半導体レーザの発振周波
数を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする可変
波長光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989056716U JPH0740181Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-05-17 | レーザ周波数特性測定装置並びに核装置を利用した可変周波数光源 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-37147 | 1989-02-16 | ||
| JP3714789 | 1989-03-30 | ||
| JP1989056716U JPH0740181Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-05-17 | レーザ周波数特性測定装置並びに核装置を利用した可変周波数光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319933U JPH0319933U (ja) | 1991-02-27 |
| JPH0740181Y2 true JPH0740181Y2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=31717793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989056716U Expired - Lifetime JPH0740181Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-05-17 | レーザ周波数特性測定装置並びに核装置を利用した可変周波数光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740181Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6985234B2 (en) * | 2001-01-30 | 2006-01-10 | Thorlabs, Inc. | Swept wavelength meter |
| US6570894B2 (en) * | 2001-01-30 | 2003-05-27 | Tektronix, Inc. | Real-time wavelength calibration for swept lasers |
| GB2541903B (en) * | 2015-09-02 | 2020-06-03 | Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh | Optimisation of the laser operating point in a laser absorption spectrometer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48100138A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-18 | ||
| JPS5812385A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-24 | Fujitsu Ltd | 波長可変レーザを用いたガス分析装置 |
| JPS60140141A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | Fujitsu Ltd | 光ガスセンサ |
| JPS62198723A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Yokogawa Electric Corp | 可変波長光源 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1989056716U patent/JPH0740181Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319933U (ja) | 1991-02-27 |
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