JPH073849B2 - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
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- JPH073849B2 JPH073849B2 JP61041666A JP4166686A JPH073849B2 JP H073849 B2 JPH073849 B2 JP H073849B2 JP 61041666 A JP61041666 A JP 61041666A JP 4166686 A JP4166686 A JP 4166686A JP H073849 B2 JPH073849 B2 JP H073849B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- tie bar
- external
- leads
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に用いられるリードフレームに関
し、特に品質の向上を図ったリードフレームに関する。
し、特に品質の向上を図ったリードフレームに関する。
リードフレームは半導体素子チップを樹脂封止する場合
に多用されており、リードフレームに素子チップを搭載
した上でこれを樹脂封止し、その上で外部リードをリー
ドフレームのフレーム部から切断して半導体装置を構成
している。従来、この種のリードフレームには、多数本
設けられた外部リードの形状保持性を高めるため、及び
樹脂封止する際に樹脂が外部リードの外方に向かって流
出することを防止するために、これら外部リード間を連
結するためのダイバーと称する連結部が形成されてい
る。
に多用されており、リードフレームに素子チップを搭載
した上でこれを樹脂封止し、その上で外部リードをリー
ドフレームのフレーム部から切断して半導体装置を構成
している。従来、この種のリードフレームには、多数本
設けられた外部リードの形状保持性を高めるため、及び
樹脂封止する際に樹脂が外部リードの外方に向かって流
出することを防止するために、これら外部リード間を連
結するためのダイバーと称する連結部が形成されてい
る。
例えば、第２図に示すように、リードフレーム11は、並
設した複数本の外部リード12を相互に連結するように各
外部リード12間にタイバー13を一体に形成しており、こ
のタイバー13によって各外部リード12の並設方向の位置
を保持するとともに、図外の半導体素子を封止するため
のパッケージ用樹脂10が図示下方に流出することを防止
している。
設した複数本の外部リード12を相互に連結するように各
外部リード12間にタイバー13を一体に形成しており、こ
のタイバー13によって各外部リード12の並設方向の位置
を保持するとともに、図外の半導体素子を封止するため
のパッケージ用樹脂10が図示下方に流出することを防止
している。
なお、このタイバー13は樹脂封止の完了後にポンチ14を
用いて切断し、各外部リード12を夫々独立したリードと
して構成する。
用いて切断し、各外部リード12を夫々独立したリードと
して構成する。
上述した従来のリードフレームは、タイバー13を外部リ
ード12と略同じ幅寸法に形成している。このため、タイ
バー13の切断時には、タイバー13の長さ、つまり外部リ
ード12の隣接間隔に等しい切断長を有するポンチを用意
し、かつこのポンチ14を用いた切断強度の高い剪断力に
よってタイバー13を切断する必要がある。
ード12と略同じ幅寸法に形成している。このため、タイ
バー13の切断時には、タイバー13の長さ、つまり外部リ
ード12の隣接間隔に等しい切断長を有するポンチを用意
し、かつこのポンチ14を用いた切断強度の高い剪断力に
よってタイバー13を切断する必要がある。
したがって、樹脂封止後に生じるリードフレームの収縮
等の変形によって外部リード12に位置ずれが生じると、
ポンチ14に対するタイバー13及び外部リード12の位置に
ずれが生じ、この結果タイバー13を切断する際にポンチ
14が外部リード12に干渉することがある。そして、この
ような干渉が生じると、外部リード12の縁部がポンチ14
によって削られ、金属のひげ状切断バリが発生する。こ
のひげ状バリは、半導体装置の外観を損なうばかりでな
く、外部リード12を相互に短絡させて半導体装置の品質
の低下を招く原因になる。
等の変形によって外部リード12に位置ずれが生じると、
ポンチ14に対するタイバー13及び外部リード12の位置に
ずれが生じ、この結果タイバー13を切断する際にポンチ
14が外部リード12に干渉することがある。そして、この
ような干渉が生じると、外部リード12の縁部がポンチ14
によって削られ、金属のひげ状切断バリが発生する。こ
のひげ状バリは、半導体装置の外観を損なうばかりでな
く、外部リード12を相互に短絡させて半導体装置の品質
の低下を招く原因になる。
本発明のリードフレームは、タイバーの切断に際しての
外部リードにおけるひげ状バリの発生を防止して半導体
装置の品質の向上を図るものである。
外部リードにおけるひげ状バリの発生を防止して半導体
装置の品質の向上を図るものである。
本発明のリードフレームは、複数本の外部リードを互い
に連結するタイバーを複数本の細いバーで構成し、隣接
する外部リード間で略Ｘ字状に形成して各外部リードの
保持と樹脂流出防止を図る構成としている。
に連結するタイバーを複数本の細いバーで構成し、隣接
する外部リード間で略Ｘ字状に形成して各外部リードの
保持と樹脂流出防止を図る構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、特にリードフレーム
を用いて樹脂封止を行った状態におけるその一部を示す
図である。
を用いて樹脂封止を行った状態におけるその一部を示す
図である。
リードフレーム１は図示を省略する素子搭載部に半導体
素子チップを搭載し得るとともに、この素子搭載部の周
囲に複数本の外部リード２を所定のピッチ寸法で並設
し、素子チップの電極パッドと各外部リード２とを金属
ワイヤで電気接続するように構成している。これら外部
リード２は、これと直角方向に延びるタイバー３で夫々
連結している。このダイバー３は、中央部に設けた共通
片3bと、この共通片3bの両側から夫々外部リード２に向
かって幅寸法を拡げながら延び、隣接する外部リード２
に夫々連結した細いバー3aとで構成しており、タイバー
３全体としては略Ｘ字状に形成される。換言すれば、隣
接する外部リード２間で頂点を共通にした三角形として
構成している。
素子チップを搭載し得るとともに、この素子搭載部の周
囲に複数本の外部リード２を所定のピッチ寸法で並設
し、素子チップの電極パッドと各外部リード２とを金属
ワイヤで電気接続するように構成している。これら外部
リード２は、これと直角方向に延びるタイバー３で夫々
連結している。このダイバー３は、中央部に設けた共通
片3bと、この共通片3bの両側から夫々外部リード２に向
かって幅寸法を拡げながら延び、隣接する外部リード２
に夫々連結した細いバー3aとで構成しており、タイバー
３全体としては略Ｘ字状に形成される。換言すれば、隣
接する外部リード２間で頂点を共通にした三角形として
構成している。
このリードフレーム１によれば、外部リード２の各先端
部を含むように素子チップを樹脂封止してパッケージ10
を構成する。そして、樹脂封止後にタイバー３を切断す
る際には、図示破線のように外部リード２の相互間隔に
比較して小さい幅寸法のポンチ４を利用するそして、こ
のポンチ４を用いてタイバー３の共通片3bに対して平面
方向に力を加えれば、各バー3aは細く形成されているた
めに、極めて容易に外部リード２から引きちぎるように
して裂断され、タイバー３の切断が行われる。
部を含むように素子チップを樹脂封止してパッケージ10
を構成する。そして、樹脂封止後にタイバー３を切断す
る際には、図示破線のように外部リード２の相互間隔に
比較して小さい幅寸法のポンチ４を利用するそして、こ
のポンチ４を用いてタイバー３の共通片3bに対して平面
方向に力を加えれば、各バー3aは細く形成されているた
めに、極めて容易に外部リード２から引きちぎるように
して裂断され、タイバー３の切断が行われる。
したがって、ポンチ４は外部リード間隔よりも十分小さ
いものを使用してもタイバー３の切断を有効に行うこと
ができ、このため樹脂封止後にリードフレーム１の収縮
変形によって外部リード２に位置ずれが生じても、ポン
チ４が外部リード２に干渉することはない。これによ
り、外部リード２にひげ状のバリが発生することはな
く、半導体装置の品質の低下を防止できる。
いものを使用してもタイバー３の切断を有効に行うこと
ができ、このため樹脂封止後にリードフレーム１の収縮
変形によって外部リード２に位置ずれが生じても、ポン
チ４が外部リード２に干渉することはない。これによ
り、外部リード２にひげ状のバリが発生することはな
く、半導体装置の品質の低下を防止できる。
また、この構成ではタイバー３が略Ｘ字状に形成されて
いるため、これにより形成される頂点を共通にした２個
の三角形の作用によって、外部リード２が幅方向及び長
さ方向に変形或いは位置変形されることが有効に防止で
き、前記したポンチ４による切断を更に容易なのもと
し、かつ半導体装置の品質の低下を防止することができ
る。
いるため、これにより形成される頂点を共通にした２個
の三角形の作用によって、外部リード２が幅方向及び長
さ方向に変形或いは位置変形されることが有効に防止で
き、前記したポンチ４による切断を更に容易なのもと
し、かつ半導体装置の品質の低下を防止することができ
る。
以上説明したように本発明は、タイバーを複数本の細い
バーで構成し、隣接する外部リード間で略Ｘ字状に形成
して各外部リードの保持と樹脂流出防止を図っているの
で、外部リードの相互間隔に比較して小さい幅寸法のポ
ンチでタイバーの切断を実現でき、したがってポンチと
外部リードとの干渉を回避して外部リードにおけるひげ
状バリの発生を防止でき、外部リードの短絡を防止する
等半導体装置の品質の向上を達成できる。
バーで構成し、隣接する外部リード間で略Ｘ字状に形成
して各外部リードの保持と樹脂流出防止を図っているの
で、外部リードの相互間隔に比較して小さい幅寸法のポ
ンチでタイバーの切断を実現でき、したがってポンチと
外部リードとの干渉を回避して外部リードにおけるひげ
状バリの発生を防止でき、外部リードの短絡を防止する
等半導体装置の品質の向上を達成できる。
また、本発明は、タイバーが隣接外部リード間で略Ｘ字
状に形成されているため、タイバーは頂点を共通にした
２個の三角形の作用によって、外部リードが幅方向及び
長さ方向に変形或いは位置変形されることが有効に防止
でき、ポンチによるダイバーの切断を更に容易なものと
し、かつ半導体装置の品質の低下を防止することができ
る。
状に形成されているため、タイバーは頂点を共通にした
２個の三角形の作用によって、外部リードが幅方向及び
長さ方向に変形或いは位置変形されることが有効に防止
でき、ポンチによるダイバーの切断を更に容易なものと
し、かつ半導体装置の品質の低下を防止することができ
る。
第１図は本発明の一実施例の要部の平面図、第２図は従
来のリードフレームの一部の平面図である。 1,11…リードフレーム、2,12…外部リード、3,13…タイ
バー、3a…細いバー、3b…共通片、4,14…ポンチ、10…
樹脂（パッケージ）。
来のリードフレームの一部の平面図である。 1,11…リードフレーム、2,12…外部リード、3,13…タイ
バー、3a…細いバー、3b…共通片、4,14…ポンチ、10…
樹脂（パッケージ）。
Claims (1)
- 【請求項１】複数本の外部リードをタイバーを用いて互
いに連結し、このタイバーによって各外部リードの保持
とパッケージ用樹脂の流出防止を図るように構成したリ
ードフレームにおいて、前記タイバーを複数本の細いバ
ーで構成して各外部リードに連結してなり、このタイバ
ーはその隣接する外部リード間で略Ｘ字状に形成されて
隣接する外部リード間に頂点を共通にした三角形として
構成したことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041666A JPH073849B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041666A JPH073849B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200749A JPS62200749A (ja) | 1987-09-04 |
| JPH073849B2 true JPH073849B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=12614708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61041666A Expired - Lifetime JPH073849B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073849B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5271148A (en) * | 1988-11-17 | 1993-12-21 | National Semiconductor Corporation | Method of producing a leadframe |
| JPH0370150A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US5202577A (en) * | 1990-02-06 | 1993-04-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe having a particular dam bar |
| JPH04121754U (ja) * | 1991-04-22 | 1992-10-30 | ローム株式会社 | 電子部品用リードフレームの構造 |
| KR20030097089A (ko) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | 주식회사 심텍 | 타이 바 구조 |
| JP2004063688A (ja) | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体アセンブリモジュール |
| JP4350727B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2009-10-21 | 三菱電機株式会社 | 挿入実装型の半導体装置を製造する方法 |
| DE112014007018B4 (de) * | 2014-10-03 | 2021-04-29 | Mitsubishi Electric Corp. | Leiterrahmen und Verfahren für eine Fertigung einer Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5669852A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS6084850A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-14 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS61135146A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-23 | Toshiba Corp | 半導体リ−ドフレ−ム |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61041666A patent/JPH073849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62200749A (ja) | 1987-09-04 |
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