JPH0738082A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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- JPH0738082A JPH0738082A JP17578293A JP17578293A JPH0738082A JP H0738082 A JPH0738082 A JP H0738082A JP 17578293 A JP17578293 A JP 17578293A JP 17578293 A JP17578293 A JP 17578293A JP H0738082 A JPH0738082 A JP H0738082A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 非合金接合型のペレットの周辺支持構造を採
用することにより、ペレット自体への外力を与えず外囲
器内に実装することが可能となる圧接型半導体装置を提
供することにある。 【構成】 圧接型半導体装置は、絶縁性筒体２５と、こ
の両端を閉塞する一対の電極ポスト２３，２４とを外囲
器５０とし、この外囲器５０内に、半導体ペレット（サ
イリスタ半導体基板）２１Ｂと、半導体ペレット２１Ｂ
に一方面で接触すると共に他方面で電極ポスト２３，２
４に接触する一対の挟み込み電極接触部材２１Ａ，２１
Ｃを少なくとも収容してなる。外囲器５０内には、ペレ
ット２１Ｂの外周を覆う絶縁性緩衝部材（シリコンゴ
ム）２１Ｅと、絶縁性緩衝部材２１Ｅと絶縁性筒体２５
との間隙に介在する絶縁性枠体（スペーサ）２２とを有
している。
用することにより、ペレット自体への外力を与えず外囲
器内に実装することが可能となる圧接型半導体装置を提
供することにある。 【構成】 圧接型半導体装置は、絶縁性筒体２５と、こ
の両端を閉塞する一対の電極ポスト２３，２４とを外囲
器５０とし、この外囲器５０内に、半導体ペレット（サ
イリスタ半導体基板）２１Ｂと、半導体ペレット２１Ｂ
に一方面で接触すると共に他方面で電極ポスト２３，２
４に接触する一対の挟み込み電極接触部材２１Ａ，２１
Ｃを少なくとも収容してなる。外囲器５０内には、ペレ
ット２１Ｂの外周を覆う絶縁性緩衝部材（シリコンゴ
ム）２１Ｅと、絶縁性緩衝部材２１Ｅと絶縁性筒体２５
との間隙に介在する絶縁性枠体（スペーサ）２２とを有
している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電力用サイリスタやＩ
ＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等のパ
ワー半導体ペレットの実装構造に関し、特に、半導体ペ
レットの表裏面を一対の挟み込み電極接触部材で接触さ
せた圧接型半導体装置に関するものである。
ＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等のパ
ワー半導体ペレットの実装構造に関し、特に、半導体ペ
レットの表裏面を一対の挟み込み電極接触部材で接触さ
せた圧接型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来例に係る合金接合型サイリ
スタの実装断面の構成図である。例えば、出力電流が数
百〔Ａ〕〜数千〔Ａ〕以上の負荷に適用される平形サイ
リスタは、図５において、カソード電極ポスト３，アノ
ード電極ポスト４及び絶縁性筒体（以下セラミックスと
いう）５Ａから成る外囲器５内に、カソード側接触モリ
ブデン部材（以下単にカソード接触部材という）１Ａ，
半導体ペレット（シリコン基板）１Ｂ，アノード側接触
モリブデン部材（以下単にアノード接触部材という）１
Ｃ及び絶縁リング１Ｅが格納されて成る。
スタの実装断面の構成図である。例えば、出力電流が数
百〔Ａ〕〜数千〔Ａ〕以上の負荷に適用される平形サイ
リスタは、図５において、カソード電極ポスト３，アノ
ード電極ポスト４及び絶縁性筒体（以下セラミックスと
いう）５Ａから成る外囲器５内に、カソード側接触モリ
ブデン部材（以下単にカソード接触部材という）１Ａ，
半導体ペレット（シリコン基板）１Ｂ，アノード側接触
モリブデン部材（以下単にアノード接触部材という）１
Ｃ及び絶縁リング１Ｅが格納されて成る。
【０００３】当該サイリスタの組み立て方法は、まず、
絶縁リング１Ｅをカソード電極ポスト３の外側ガイドに
セットし、絶縁ブッシュ１Ｆをゲート部領域孔１Ｄのガ
イドにセットする。次に、カソード接触部材１Ａを絶縁
ブッシュ１Ｆのガイドにセットし、その後、アノード接
触部材１Ｃと合金接合したペレット１Ｂから成るサイリ
スタエレメントを絶縁リング１Ｅのガイドにセットす
る。そして、最後にアノード電極ポスト４をセラミック
ス５Ａにセットし、それを溶接により封じる。これによ
り、平形サイリスタの実装構造が完成する。
絶縁リング１Ｅをカソード電極ポスト３の外側ガイドに
セットし、絶縁ブッシュ１Ｆをゲート部領域孔１Ｄのガ
イドにセットする。次に、カソード接触部材１Ａを絶縁
ブッシュ１Ｆのガイドにセットし、その後、アノード接
触部材１Ｃと合金接合したペレット１Ｂから成るサイリ
スタエレメントを絶縁リング１Ｅのガイドにセットす
る。そして、最後にアノード電極ポスト４をセラミック
ス５Ａにセットし、それを溶接により封じる。これによ
り、平形サイリスタの実装構造が完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来例
に係るサイリスタエレメントでは、アノード接触部材１
Ｃにペレット１Ｂが合金接合されて成り、アノード電極
ポスト４のセットの際に、当該エレメントが外囲器５内
において、両電極ポスト３，４の間で挟み込み固定され
る。
に係るサイリスタエレメントでは、アノード接触部材１
Ｃにペレット１Ｂが合金接合されて成り、アノード電極
ポスト４のセットの際に、当該エレメントが外囲器５内
において、両電極ポスト３，４の間で挟み込み固定され
る。
【０００５】すなわち、ペレット１Ｂに比べて硬いモリ
ブデン等の材料から成るアノード接触部材１Ｃがサイリ
スタエレメントの補強部材（基体）となっているので、
実装構造の締め付け力等の外力に対してペレット１Ｂが
有効に保護される。また、このアノード接触部材１Ｃを
絶縁リング１Ｅにより押さえ付けることにより、ペレッ
ト１Ｂを固定することが可能となる。
ブデン等の材料から成るアノード接触部材１Ｃがサイリ
スタエレメントの補強部材（基体）となっているので、
実装構造の締め付け力等の外力に対してペレット１Ｂが
有効に保護される。また、このアノード接触部材１Ｃを
絶縁リング１Ｅにより押さえ付けることにより、ペレッ
ト１Ｂを固定することが可能となる。
【０００６】しかし、モリブデン等の硬質基板が合金接
合されていない，いわゆる、アロイフリータイプ（以下
非合金接合型ともいう）のサイリスタエレメントでは、
従来例の方法によりペレット１Ｂを絶縁リング１Ｅで押
さえ込もうとすると、アノード電極ポスト４のセットの
際に、ペレット１Ｂ自体に直接外力が加わり、それが割
れてしまうという問題を生ずる。
合されていない，いわゆる、アロイフリータイプ（以下
非合金接合型ともいう）のサイリスタエレメントでは、
従来例の方法によりペレット１Ｂを絶縁リング１Ｅで押
さえ込もうとすると、アノード電極ポスト４のセットの
際に、ペレット１Ｂ自体に直接外力が加わり、それが割
れてしまうという問題を生ずる。
【０００７】本発明は、上記の問題点を解決するもので
あり、非合金接合型のペレットの周辺支持構造を採用す
ることにより、ペレットへの外力を与えず外囲器内に実
装することが可能となる圧接型半導体装置を提供するこ
とにある。
あり、非合金接合型のペレットの周辺支持構造を採用す
ることにより、ペレットへの外力を与えず外囲器内に実
装することが可能となる圧接型半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明が講じた手段は、絶縁性筒体と、この両端
を閉塞する一対の電極体とを外囲器とし、この外囲器内
に、半導体ペレットと、その半導体ペレットに一方面で
接触すると共に他方面で上記電極体に接触する一対の挟
み込み電極接触部材を少なくとも収容してなる圧接型半
導体装置において、上記外囲器内には、半導体ペレット
の外周を覆う絶縁性緩衝部材と、絶縁性緩衝部材と絶縁
性筒体との間隙に介在する絶縁性スペーサとを設けたこ
とを特徴とするここで、絶縁性スペーサとしては、上記
絶縁性緩衝部材の外周を取り巻く絶縁性枠体とすること
ができる。そして、一対の電極体に絶縁性枠体の一部が
係合可能の位置決め用段差を設けても良いし、また一対
の挟み込み電極接触部材に絶縁性枠体の一部が係合可能
の位置決め用段差を設けても良い。この絶縁性枠体は、
例えば、四フッ化エチレンの重合体から成るフッ素樹脂
又はポリフェニレンサルファイドから成る。
めに、本発明が講じた手段は、絶縁性筒体と、この両端
を閉塞する一対の電極体とを外囲器とし、この外囲器内
に、半導体ペレットと、その半導体ペレットに一方面で
接触すると共に他方面で上記電極体に接触する一対の挟
み込み電極接触部材を少なくとも収容してなる圧接型半
導体装置において、上記外囲器内には、半導体ペレット
の外周を覆う絶縁性緩衝部材と、絶縁性緩衝部材と絶縁
性筒体との間隙に介在する絶縁性スペーサとを設けたこ
とを特徴とするここで、絶縁性スペーサとしては、上記
絶縁性緩衝部材の外周を取り巻く絶縁性枠体とすること
ができる。そして、一対の電極体に絶縁性枠体の一部が
係合可能の位置決め用段差を設けても良いし、また一対
の挟み込み電極接触部材に絶縁性枠体の一部が係合可能
の位置決め用段差を設けても良い。この絶縁性枠体は、
例えば、四フッ化エチレンの重合体から成るフッ素樹脂
又はポリフェニレンサルファイドから成る。
【０００９】他方、絶縁性スペーサとしては、絶縁性弾
力部材とすることができる。
力部材とすることができる。
【００１０】
【作用】外囲器内には、半導体ペレットの外周を覆う絶
縁性緩衝部材と、絶縁性緩衝部材と絶縁性筒体との間隙
に介在する絶縁性スペーサとが設けられるので、組立て
時においてペレットはその周縁から応力緩衝的に両持ち
梁構造で支持される。このため、外囲器内に固定される
際の締め付け力等が直接ペレットに加わり難く、ペレッ
トの割れ等を防止することができる。従って、アロイフ
リータイプの半導体素子の実装が可能となる。
縁性緩衝部材と、絶縁性緩衝部材と絶縁性筒体との間隙
に介在する絶縁性スペーサとが設けられるので、組立て
時においてペレットはその周縁から応力緩衝的に両持ち
梁構造で支持される。このため、外囲器内に固定される
際の締め付け力等が直接ペレットに加わり難く、ペレッ
トの割れ等を防止することができる。従って、アロイフ
リータイプの半導体素子の実装が可能となる。
【００１１】絶縁性スペーサとしては、硬質の絶縁性枠
体でも良いし、また絶縁性弾力部材でも構わない。絶縁
性枠体を用いた場合、電極体や挟み込み電極接触部材に
位置決め用段差があるときには、ペレットの位置決めが
正確に行なえるので、組み付け時に不如意な当り等を排
除でき、ペレットの割れや損傷を排除できる。
体でも良いし、また絶縁性弾力部材でも構わない。絶縁
性枠体を用いた場合、電極体や挟み込み電極接触部材に
位置決め用段差があるときには、ペレットの位置決めが
正確に行なえるので、組み付け時に不如意な当り等を排
除でき、ペレットの割れや損傷を排除できる。
【００１２】
【実施例】次に、図を参照しながら、本発明の実施例に
ついて説明をする。図１〜４は、本発明による圧接型半
導体装置を説明する図である。
ついて説明をする。図１〜４は、本発明による圧接型半
導体装置を説明する図である。
【００１３】〔第１の実施例〕図１（Ａ），（Ｂ）は、
本発明の第１の実施例に係るアロイフリー型サイリスタ
の構成図であり、図２（Ａ），（Ｂ）は、その組み込み
時の状態説明図をそれぞれ示している。なお、各図は断
面のみを示している。
本発明の第１の実施例に係るアロイフリー型サイリスタ
の構成図であり、図２（Ａ），（Ｂ）は、その組み込み
時の状態説明図をそれぞれ示している。なお、各図は断
面のみを示している。
【００１４】例えば、出力電流が数百〔Ａ〕〜数千
〔Ａ〕以上の負荷に適用可能なアロイフリー型サイリス
タは、図１（Ａ）において、カソード電極ポスト２３，
アノード電極ポスト２４及びセラミックス（絶縁性筒
体）２５から成る外囲器５０を有し、この外囲器５０内
に、絶縁性枠体（スペーサ）２２に周辺が覆われサイリ
スタエレメント２１が収容されている。ここで、サイリ
スタエレメント２１は図１（Ｂ）に示すようにカソード
接触部材21Ａ，ペレット21Ｂ及びアノード接触部材21Ｃ
が順次重ね合わされている。カソード接触部材21Ａはモ
リブデンやタングステン等の硬質金属から成り、その部
材21Ａにはゲート領域孔21Ｄが開口されている。部材21
Ａはカソード電極ポスト２３に接触される。
〔Ａ〕以上の負荷に適用可能なアロイフリー型サイリス
タは、図１（Ａ）において、カソード電極ポスト２３，
アノード電極ポスト２４及びセラミックス（絶縁性筒
体）２５から成る外囲器５０を有し、この外囲器５０内
に、絶縁性枠体（スペーサ）２２に周辺が覆われサイリ
スタエレメント２１が収容されている。ここで、サイリ
スタエレメント２１は図１（Ｂ）に示すようにカソード
接触部材21Ａ，ペレット21Ｂ及びアノード接触部材21Ｃ
が順次重ね合わされている。カソード接触部材21Ａはモ
リブデンやタングステン等の硬質金属から成り、その部
材21Ａにはゲート領域孔21Ｄが開口されている。部材21
Ａはカソード電極ポスト２３に接触される。
【００１５】ペレット21Ｂはサイリスタ半導体基板であ
り、その外周領域が絶縁性リム状緩衝部材たるリング状
のシリコンゴム21Ｅに覆われている。アノード接触部材
21Ｃは、部材21Ａと同様にモリブデンやタングステン等
の硬質金属から成る。部材21Ｃはアノード電極ポスト２
４に接触される。シリコンゴム21Ｅはペレット21Ｂの外
周領域を外力から保護するものである。
り、その外周領域が絶縁性リム状緩衝部材たるリング状
のシリコンゴム21Ｅに覆われている。アノード接触部材
21Ｃは、部材21Ａと同様にモリブデンやタングステン等
の硬質金属から成る。部材21Ｃはアノード電極ポスト２
４に接触される。シリコンゴム21Ｅはペレット21Ｂの外
周領域を外力から保護するものである。
【００１６】絶縁性枠体２２は、例えば、耐薬品性，耐
熱性のフッ化樹脂（四フッ化エチレンの重合体）の型枠
から成る。なお、絶縁性枠体２２をＰＰＳ（ポリフェレ
ンサルファイド）から形成しても良い。当該絶縁性枠体
２２は組み入れ易くするため、例えば、その半径方向又
は電極方向に２つに分割された割り型構造となってい
る。これはサイリスタエレメント２１に覆い込み一体化
するものである。なお、絶縁性枠体２２の外径は、予
め、セラミックス２５の内径とほぼ同等に設計される。
熱性のフッ化樹脂（四フッ化エチレンの重合体）の型枠
から成る。なお、絶縁性枠体２２をＰＰＳ（ポリフェレ
ンサルファイド）から形成しても良い。当該絶縁性枠体
２２は組み入れ易くするため、例えば、その半径方向又
は電極方向に２つに分割された割り型構造となってい
る。これはサイリスタエレメント２１に覆い込み一体化
するものである。なお、絶縁性枠体２２の外径は、予
め、セラミックス２５の内径とほぼ同等に設計される。
【００１７】カソード電極ポスト２３は負荷側に接続さ
れる電極部分である。アノード電極ポスト２４は電源側
に接続される電極部分である。両電極ポスト２３，２４
は銅又はその合金から成る。なお、カソード電極ポスト
２４及びアノード電極ポスト２３の外周角部に位置決め
用段差２３ａ，２３ｂが形成されており、その組み立て
の際に、この部分が絶縁性枠体２２にすり合わされて位
置決めされる。セラミックス２５は放熱フィン部を有す
る筒体である。
れる電極部分である。アノード電極ポスト２４は電源側
に接続される電極部分である。両電極ポスト２３，２４
は銅又はその合金から成る。なお、カソード電極ポスト
２４及びアノード電極ポスト２３の外周角部に位置決め
用段差２３ａ，２３ｂが形成されており、その組み立て
の際に、この部分が絶縁性枠体２２にすり合わされて位
置決めされる。セラミックス２５は放熱フィン部を有す
る筒体である。
【００１８】次に、当該サイリスタの組み立て方法につ
いて説明をする。まず、図１（Ｂ）に示すように、シリ
コンゴム21Ｅによりペレット21Ｂの外周領域を保護し、
このシリコン21Ｂの表裏にカソード接触部材21Ａとアノ
ード接触部材21Ｃとを重ね合わせる。この状態のサイリ
スタエレメント２１を図２（Ａ）に示すように絶縁性枠
体２２に組み込む。
いて説明をする。まず、図１（Ｂ）に示すように、シリ
コンゴム21Ｅによりペレット21Ｂの外周領域を保護し、
このシリコン21Ｂの表裏にカソード接触部材21Ａとアノ
ード接触部材21Ｃとを重ね合わせる。この状態のサイリ
スタエレメント２１を図２（Ａ）に示すように絶縁性枠
体２２に組み込む。
【００１９】次に、図２（Ａ）において、サイリスタエ
レメント２１が組み込まれた絶縁性枠体２２を外囲器５
０内に組み込む。ここで、従来例と同様に、ゲート領域
孔21Ｄを組み立てる。すなわち、絶縁ブッシュ21Ｆをゲ
ート領域孔21Ｄのガイドにセットする。続いてサイリス
タエレメント２１をセラミック２５の内側のガイドにセ
ットする。最後に、アノード電極ポスト２４をセット
し、それを溶接して封じることでサイリスタの実装構造
が完成する。
レメント２１が組み込まれた絶縁性枠体２２を外囲器５
０内に組み込む。ここで、従来例と同様に、ゲート領域
孔21Ｄを組み立てる。すなわち、絶縁ブッシュ21Ｆをゲ
ート領域孔21Ｄのガイドにセットする。続いてサイリス
タエレメント２１をセラミック２５の内側のガイドにセ
ットする。最後に、アノード電極ポスト２４をセット
し、それを溶接して封じることでサイリスタの実装構造
が完成する。
【００２０】このようにして、アロイフリー型サイリス
タによれば、図１（Ａ）示すように、カソード接触部材
21Ａ，ペレット21Ｂ及びアノード接触部材21Ｃから成る
サイリスタエレメント２１が、組み立てに先立って、絶
縁性枠体２２に組み込まれる。このため、絶縁性枠体２
２を外囲器５０に押し込んで組み付けた場合でも、ペレ
ット２１Ｂは両持ち梁構造の緩衝的な支持であるため、
ペレット２１Ｂ自体に加わる外力が低減することから、
割れや損傷を未然に防止できる。
タによれば、図１（Ａ）示すように、カソード接触部材
21Ａ，ペレット21Ｂ及びアノード接触部材21Ｃから成る
サイリスタエレメント２１が、組み立てに先立って、絶
縁性枠体２２に組み込まれる。このため、絶縁性枠体２
２を外囲器５０に押し込んで組み付けた場合でも、ペレ
ット２１Ｂは両持ち梁構造の緩衝的な支持であるため、
ペレット２１Ｂ自体に加わる外力が低減することから、
割れや損傷を未然に防止できる。
【００２１】なお、図２（Ｂ）に示すようにカソード接
触部材21Ｇ及びアノード接触部材21Ｈ側に位置決め用段
差２１ａ，２１ｂを形成し、両部材21Ｇ，21Ｈと絶縁性
枠体２２との被接触面を平坦化を図り、それを両電極ポ
スト２３，２４により固定することも可能である。位置
決め作用が確実であるので、ペレット自体に偏った押し
付け力が作用することなく、不如意な損傷等を防止でき
る。
触部材21Ｇ及びアノード接触部材21Ｈ側に位置決め用段
差２１ａ，２１ｂを形成し、両部材21Ｇ，21Ｈと絶縁性
枠体２２との被接触面を平坦化を図り、それを両電極ポ
スト２３，２４により固定することも可能である。位置
決め作用が確実であるので、ペレット自体に偏った押し
付け力が作用することなく、不如意な損傷等を防止でき
る。
【００２２】〔第２の実施例〕図３は、本発明の第２の
実施例に係るアロイフリー型サイリスタの構成図であ
り、図４は、その組み込み時の状態説明図をそれぞれ示
している。
実施例に係るアロイフリー型サイリスタの構成図であ
り、図４は、その組み込み時の状態説明図をそれぞれ示
している。
【００２３】第１の実施例と異なるのは第２の実施例で
は絶縁性枠体２２に代えて、固定用ゴム（スペーサ）２
９によりサイリスタエレメント２１が固定されるもので
ある。すなわち、第２の実施例に係るアロイフリー型サ
イリスタは、図３において、カソード電極ポスト２６，
アノード電極ポスト２７及びセラミックス２８から成る
外囲器６０に、固定用ゴム２９により押さえ込まれたサ
イリスタエレメント２１が圧接されて成る。
は絶縁性枠体２２に代えて、固定用ゴム（スペーサ）２
９によりサイリスタエレメント２１が固定されるもので
ある。すなわち、第２の実施例に係るアロイフリー型サ
イリスタは、図３において、カソード電極ポスト２６，
アノード電極ポスト２７及びセラミックス２８から成る
外囲器６０に、固定用ゴム２９により押さえ込まれたサ
イリスタエレメント２１が圧接されて成る。
【００２４】ここで、固定用ゴム２９は円筒形状を有し
ており、その内径は、サイリスタエレメント２１の外径
よりも大きく形成され、それが絶縁性筒体２８の高さ寸
法よりやや大きくされている。なお、第１の実施例と同
じ名称のものは同じ機能を有するため、その説明を省略
する。
ており、その内径は、サイリスタエレメント２１の外径
よりも大きく形成され、それが絶縁性筒体２８の高さ寸
法よりやや大きくされている。なお、第１の実施例と同
じ名称のものは同じ機能を有するため、その説明を省略
する。
【００２５】次に、当該サイリスタの組み立て方法を説
明する。図４において、まず、絶縁ブッシュ21Ｆをゲー
ト領域孔21Ｄのガイドにセットし、次に、カソード接触
部材21Ａと絶縁ブッシュ21Ｆとをガイドにセットした上
で、ペレット21Ｂとアノード接触部材21Ｃとをガイドに
セットする。その後、セラミックス２８の内側に円筒状
の固定用ゴム２９を挿入する。最後にアノード電極ポス
ト２７をセットし、それを溶接して封じて完成する。
明する。図４において、まず、絶縁ブッシュ21Ｆをゲー
ト領域孔21Ｄのガイドにセットし、次に、カソード接触
部材21Ａと絶縁ブッシュ21Ｆとをガイドにセットした上
で、ペレット21Ｂとアノード接触部材21Ｃとをガイドに
セットする。その後、セラミックス２８の内側に円筒状
の固定用ゴム２９を挿入する。最後にアノード電極ポス
ト２７をセットし、それを溶接して封じて完成する。
【００２６】このようにして、本発明の第２の実施例に
係るアロイフリー型サイリスタによれば、図３に示すよ
うに、サイリスタエレメント２１とセラミックス２８と
の間に絶縁伸縮性の固定用ゴム２９が設けられる。この
ため、組み立ての際に、カソード電極ポスト２６及びア
ノード電極ポスト２７により固定用ゴム２９を強く挟み
込むことにより、その伸縮性を利用してエレメント２１
をセラミックス２８内に確実に固定することが可能とな
る。固定用ゴム２９とペレット21Ｂとの間には多少隙間
が生じ、封止時の外力の影響が極力低減され、固定用ゴ
ム２９が縮むことにより、サイリスタエレメント２１を
強固に固定することが可能となる。なお、第１の実施例
のような絶縁性枠体２２が不要となり、コスト低減化を
図ることが可能となる。また、組み立て容易な大容量の
シリコンサイリスタを提供することができる。
係るアロイフリー型サイリスタによれば、図３に示すよ
うに、サイリスタエレメント２１とセラミックス２８と
の間に絶縁伸縮性の固定用ゴム２９が設けられる。この
ため、組み立ての際に、カソード電極ポスト２６及びア
ノード電極ポスト２７により固定用ゴム２９を強く挟み
込むことにより、その伸縮性を利用してエレメント２１
をセラミックス２８内に確実に固定することが可能とな
る。固定用ゴム２９とペレット21Ｂとの間には多少隙間
が生じ、封止時の外力の影響が極力低減され、固定用ゴ
ム２９が縮むことにより、サイリスタエレメント２１を
強固に固定することが可能となる。なお、第１の実施例
のような絶縁性枠体２２が不要となり、コスト低減化を
図ることが可能となる。また、組み立て容易な大容量の
シリコンサイリスタを提供することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の圧接型半
導体装置によれば、外囲内においてペレット自体が周辺
からの両持ち梁構造を以て緩衝的に支持された実装構造
である点に特徴を有するので、次の効果を奏する。
導体装置によれば、外囲内においてペレット自体が周辺
からの両持ち梁構造を以て緩衝的に支持された実装構造
である点に特徴を有するので、次の効果を奏する。
【００２８】 外囲器内に固定される際の締め付け力
等が直接ペレットに加わり難くなるので、ペレットの割
れ等を防止することができる。従って、アロイフリータ
イプの半導体素子の実装が可能となる。このため、実装
コストの低廉化に寄与する。
等が直接ペレットに加わり難くなるので、ペレットの割
れ等を防止することができる。従って、アロイフリータ
イプの半導体素子の実装が可能となる。このため、実装
コストの低廉化に寄与する。
【００２９】 絶縁性スペーサとしては、絶縁性枠体
を用いた場合には、ペレット，挟み込み電極接触部材及
び絶縁性枠体を一体化したユニットを得ることができ、
組立て容易性に寄与する。
を用いた場合には、ペレット，挟み込み電極接触部材及
び絶縁性枠体を一体化したユニットを得ることができ、
組立て容易性に寄与する。
【００３０】 絶縁性スペーサとしては、絶縁性弾力
部材を用いた場合には、実装コストの更なる低廉化に寄
与する。
部材を用いた場合には、実装コストの更なる低廉化に寄
与する。
【００３１】 絶縁性枠体を用いた場合、電極体や挟
み込み電極接触部材に位置決め用段差があるときには、
ペレットの位置決めが正確に行なえるので、組み付け時
に不如意な当り等を排除でき、ペレットの割れや損傷を
排除できる。
み込み電極接触部材に位置決め用段差があるときには、
ペレットの位置決めが正確に行なえるので、組み付け時
に不如意な当り等を排除でき、ペレットの割れや損傷を
排除できる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るアロイフリー型サ
イリスタの構成図である。
イリスタの構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係るサイリスタエレメ
ントの組み込み時の状態説明図である。
ントの組み込み時の状態説明図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係るアロイフリー型サ
イリスタの構成図である。
イリスタの構成図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係るサイリスタエレメ
ントの組み込み時の状態説明図である。
ントの組み込み時の状態説明図である。
【図５】従来例に係る合金接合型サイリスタの構成図で
ある。
ある。
２１…サイリスタエレメント（半導体素子） ２１Ａ…カソード接触部材 ２１Ｂ…アノード接触部材 ２１Ｃ…半導体ペレット ２１Ｅ…シリコンゴム（絶縁性緩衝部材） ２１ａ，２１ｂ，２３ａ，２３ｂ…位置決め用段差 ２２…絶縁性枠体（スペーサ） ２３…カソード電極ポスト ２４…アノード電極ポスト ２５…絶縁性筒体 ２９…固定用ゴム（スペーサ） ５０…外囲器
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性筒体と、この両端を閉塞する一対
の電極体とを外囲器とし、この外囲器内に、半導体ペレ
ットと、該半導体ペレットに一方面で接触すると共に他
方面で前記電極体に接触する一対の挟み込み電極接触部
材を少なくとも収容してなる圧接型半導体装置におい
て、 前記外囲器内には、前記半導体ペレットの外周を覆う絶
縁性緩衝部材と、絶縁性緩衝部材と前記絶縁性筒体との
間隙に介在する絶縁性スペーサとを有することを特徴と
する圧接型半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の圧接型半導体装置にお
いて、前記絶縁性スペーサは、前記絶縁性緩衝部材の外
周を取り巻く絶縁性枠体であることを特徴とする圧接型
半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の圧接型半導体装置にお
いて、前記一対の電極体は前記絶縁性枠体の一部が係合
可能の位置決め用段差を有することを特徴とする圧接型
半導体装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の圧接型半導体装置にお
いて、前記一対の挟み込み電極接触部材は前記絶縁性枠
体の一部が係合可能の位置決め用段差を有することを特
徴とする圧接型半導体装置。 - 【請求項５】 請求項２乃至請求項４のいずれか一項に
記載の圧接型半導体装置において、前記絶縁性枠体は、
四フッ化エチレンの重合体から成るフッ素樹脂又はポリ
フェニレンサルファイドから成ることを特徴とする圧接
型半導体装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の圧接型半導体装置にお
いて、前記絶縁性スペーサは、絶縁性弾力部材であるこ
とを特徴とする圧接型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17578293A JP3163851B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17578293A JP3163851B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 圧接型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738082A true JPH0738082A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3163851B2 JP3163851B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=16002162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17578293A Expired - Fee Related JP3163851B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163851B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19627426A1 (de) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Asea Brown Boveri | Lichtzündbarer Leistungshalbleiter sowie Verfahren zum Zusammenbauen eines solchen lichtzündbaren Leistungshalbleiters |
| WO2000008683A1 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-17 | Hitachi, Ltd. | Flat semiconductor device, method for manufacturing the same, and converter comprising the same |
| EP2190011A3 (de) * | 2008-11-20 | 2010-11-10 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Feuchtigkeitsdichtes Leistungshalbleitermodul mit Zentriereinrichtung |
| JP2016062983A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP17578293A patent/JP3163851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19627426A1 (de) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Asea Brown Boveri | Lichtzündbarer Leistungshalbleiter sowie Verfahren zum Zusammenbauen eines solchen lichtzündbaren Leistungshalbleiters |
| WO2000008683A1 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-17 | Hitachi, Ltd. | Flat semiconductor device, method for manufacturing the same, and converter comprising the same |
| EP2190011A3 (de) * | 2008-11-20 | 2010-11-10 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Feuchtigkeitsdichtes Leistungshalbleitermodul mit Zentriereinrichtung |
| JP2016062983A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN105990256A (zh) * | 2014-09-16 | 2016-10-05 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3163851B2 (ja) | 2001-05-08 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |