JPS58207644A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58207644A JPS58207644A JP9049782A JP9049782A JPS58207644A JP S58207644 A JPS58207644 A JP S58207644A JP 9049782 A JP9049782 A JP 9049782A JP 9049782 A JP9049782 A JP 9049782A JP S58207644 A JPS58207644 A JP S58207644A
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- pellet
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に温度補償板を使用し
ないで半導体ベレット全外囲器中に収容した形式の半導
体装置に関するものである。
ないで半導体ベレット全外囲器中に収容した形式の半導
体装置に関するものである。
サイリスタ、ジャイアントトランジスタ、整流素子など
の電力用半導体装置はよく知られているように、シリコ
ンとほぼ同じ熱膨張係数を有するＭＯもしくはＷから成
る温度補償板を半導体ペレットに合金接着して両者を一
体化し、これを外囲器に封入した構造となっている。最
近の半導体ペレットの性能向上に伴ってこれらの半導体
装置も大電流化しており、これとともに温度補償板も電
流の二乗に比例して大型化することが必要となっている
。しかしながら、温度補償板は高価な金属で構成されて
いるため、通電電流の増加とともに温度補償板を大型化
していくと装置価格が著しく高騰するという問題を生じ
ることになる。そこで最近では温度補償板を用いない形
式の電力用半導体装置が実用化されてきたが′、この形
式の半導体装置に於ては以下の如き問題点があり、これ
を解決する必要があった。以下に１全参照して説明する
。
の電力用半導体装置はよく知られているように、シリコ
ンとほぼ同じ熱膨張係数を有するＭＯもしくはＷから成
る温度補償板を半導体ペレットに合金接着して両者を一
体化し、これを外囲器に封入した構造となっている。最
近の半導体ペレットの性能向上に伴ってこれらの半導体
装置も大電流化しており、これとともに温度補償板も電
流の二乗に比例して大型化することが必要となっている
。しかしながら、温度補償板は高価な金属で構成されて
いるため、通電電流の増加とともに温度補償板を大型化
していくと装置価格が著しく高騰するという問題を生じ
ることになる。そこで最近では温度補償板を用いない形
式の電力用半導体装置が実用化されてきたが′、この形
式の半導体装置に於ては以下の如き問題点があり、これ
を解決する必要があった。以下に１全参照して説明する
。
第１図に温度補償板を備えた従来の平形半導体装置を示
す。図に於て、１は半導体ペレットであり、該半導体ペ
レット１はＷもしくはＭｏｆら成る温度補償板２の上に
合金接着されている。６は外囲器の一部を構成している
銅製の陽極ブロックであり、温度補償板２の下面に加圧
接触されている。
す。図に於て、１は半導体ペレットであり、該半導体ペ
レット１はＷもしくはＭｏｆら成る温度補償板２の上に
合金接着されている。６は外囲器の一部を構成している
銅製の陽極ブロックであり、温度補償板２の下面に加圧
接触されている。
４は銅製の陰極ブロックであり、半導体ペレット１の上
面の陰極に圧接されている。５はゲートリードであり、
半導体ペレット１の上面の制御電極に接続されるととも
にセラミック製のケーシング６外へ引き出されている。
面の陰極に圧接されている。５はゲートリードであり、
半導体ペレット１の上面の制御電極に接続されるととも
にセラミック製のケーシング６外へ引き出されている。
７はケーシング６内に嵌装されたゴム製のリングであり
、温度補償板２の外周部を杷持している。
、温度補償板２の外周部を杷持している。
このよ−うな従、来の温度補償板付き平形半導体装置に
於ては、半導体ペレット１がそれ自身よりも大きな温度
補償板２に取り付けられているので、該半導体ペレット
１をケーシング６及びリング７内に封入する際［は温度
補償板２の外周面がガイド面となるため、半導体ペレッ
ト１の外周部が外囲器等とすれ合うことなく、従って外
囲器への封入に際して半導体ペレットが損傷する恐れは
なこｔ”ＬＫ反して最近実用化されている温度補償板省
略型の半導体装置に於ては外囲器への封入に際１〜てガ
イド面がなくなるため、半導体ペレットが外囲器の一部
と擦れ合って損傷しやすいという問題が生じているほか
、外囲器内で半導体ペレットを安定した状態に保持しに
くい、等の問題全解決しなければならない、 〔発明の目的〕 この発明の目的は、前記の如き問題を解決し、外囲器へ
の封入に際して半導体ペレットｌＩ′ｉ：損傷を生ずる
恐れがなく、また、外、囲器内で半導体ペレットヲ安定
した状態に保持しうる改良された温度補償板省略型の半
導体装置を提供することである。
於ては、半導体ペレット１がそれ自身よりも大きな温度
補償板２に取り付けられているので、該半導体ペレット
１をケーシング６及びリング７内に封入する際［は温度
補償板２の外周面がガイド面となるため、半導体ペレッ
ト１の外周部が外囲器等とすれ合うことなく、従って外
囲器への封入に際して半導体ペレットが損傷する恐れは
なこｔ”ＬＫ反して最近実用化されている温度補償板省
略型の半導体装置に於ては外囲器への封入に際１〜てガ
イド面がなくなるため、半導体ペレットが外囲器の一部
と擦れ合って損傷しやすいという問題が生じているほか
、外囲器内で半導体ペレットを安定した状態に保持しに
くい、等の問題全解決しなければならない、 〔発明の目的〕 この発明の目的は、前記の如き問題を解決し、外囲器へ
の封入に際して半導体ペレットｌＩ′ｉ：損傷を生ずる
恐れがなく、また、外、囲器内で半導体ペレットヲ安定
した状態に保持しうる改良された温度補償板省略型の半
導体装置を提供することである。
この発明の特徴は、半導体ペレットの表主面及び裏主面
の少なくとも一方の主面に、外囲器の一部に係合する突
部を設け、半導体ペレットを外囲器へ封入する際には該
突部によって該半導体ペレットを外囲器に位置決めする
とともに該突部を案内として該半導体ベレット全外囲器
中に挿入し、挿入後は該突部と外囲器の一部とを係合さ
せた状態に保つことにより半導体ペレットを外囲器内で
安定した状態に保持させるように構成したことである。
の少なくとも一方の主面に、外囲器の一部に係合する突
部を設け、半導体ペレットを外囲器へ封入する際には該
突部によって該半導体ペレットを外囲器に位置決めする
とともに該突部を案内として該半導体ベレット全外囲器
中に挿入し、挿入後は該突部と外囲器の一部とを係合さ
せた状態に保つことにより半導体ペレットを外囲器内で
安定した状態に保持させるように構成したことである。
該突部に係合する外囲器の一部はたとえば陽極ブロック
や陰極ブロック等でよく、また、半導体ペレットとして
サイリスクを用いる場合ＫＩ／′ｉ該突部をゲート電極
上に設けてもよい。
や陰極ブロック等でよく、また、半導体ペレットとして
サイリスクを用いる場合ＫＩ／′ｉ該突部をゲート電極
上に設けてもよい。
以下に第２図乃至第７図を参照してこの発明の実施例に
ついて一説明する。なお、以下の図に於て第１図と同一
符号で表示された部分は従来装置と同一部分である。
ついて一説明する。なお、以下の図に於て第１図と同一
符号で表示された部分は従来装置と同一部分である。
第２図乃至第４図はこの発明の第一実施例を示（−たも
ので、第２図に示す実施例の平形半導体装置に於ては第
３図に示すように制御電極８上に設けた突部９を有する
半導体ペレット１が用いられている。該突部９は以下に
記載するように半導体ペレットの位置決め及びガイドと
しての機能を有するとともに半導体ペレットの制御電極
８の引出し端子ともなっている。該突部はこの実施例で
は円柱形に構成されてｊ・す、また、ＷもしくはＭ。
ので、第２図に示す実施例の平形半導体装置に於ては第
３図に示すように制御電極８上に設けた突部９を有する
半導体ペレット１が用いられている。該突部９は以下に
記載するように半導体ペレットの位置決め及びガイドと
しての機能を有するとともに半導体ペレットの制御電極
８の引出し端子ともなっている。該突部はこの実施例で
は円柱形に構成されてｊ・す、また、ＷもしくはＭ。
の如き導電性金属で構成されていることが望ましい。突
部９には第４図に示す如きスリット１１付きの絶縁リン
グ１０が嵌装さｎ１絶縁リング１０は陰極ブーロック−
４の凹所の周壁面に係合するようになっている。この絶
縁リング１０はたとえばテフロンの如きフッ素樹脂製で
あってもよいが、絶縁性が高く且つ摩擦係数が小さけれ
ばこれ以外の材料で構成されていてもよい。スリット１
１は制御電極８のリード５を引き出すためのものである
。
部９には第４図に示す如きスリット１１付きの絶縁リン
グ１０が嵌装さｎ１絶縁リング１０は陰極ブーロック−
４の凹所の周壁面に係合するようになっている。この絶
縁リング１０はたとえばテフロンの如きフッ素樹脂製で
あってもよいが、絶縁性が高く且つ摩擦係数が小さけれ
ばこれ以外の材料で構成されていてもよい。スリット１
１は制御電極８のリード５を引き出すためのものである
。
また、制御電極８に接着した該突部９はＳｉ などの半
導体からなり、その中に所望の機能をもったＰＮ構造な
どを形成し、かつ、制御電極８の外部電極引出しをする
こともできる。
導体からなり、その中に所望の機能をもったＰＮ構造な
どを形成し、かつ、制御電極８の外部電極引出しをする
こともできる。
半導体ペレット１の外周面は予めガラスパッシベーショ
ン膜１２などによって被覆されており、半導体装置の組
立すなわち外囲器への封入、に際しては陰極１６に陰極
ブロック４が、また、陽極１４に陽極プロ、り３が圧接
されるように配置される。その際、陰極ブロック４と半
導体ペレット１との位置決めは絶縁リング１０の外周面
を陰極ブロック４の凹所の周壁面に係合させることによ
って容易に行うこ、とができる。また、半導体ペレット
１の陰極ブロック４の凹所内への挿入は絶縁リング１０
の外周面と陰極ブロック４の凹所の周壁面とを接触させ
た状態で絶縁リング１０の軸線と平行に半導体ペレッ）
Ｉａ−陰極ブロック４中に押し込むことによって容易に
行うことができ、その際、半導体ペレット１のどの部分
も陰極ブロック４やケーシング６に接触しない力・ら半
導体ペレットの損傷を生じる恐れは全くない。更に半導
体ペレット１の挿入後も半導体ペレット１は導体の突部
９及び絶縁１）フグ１０ヲ介して外囲器の陰極ブロック
４の所定位置に安定に保持される。
ン膜１２などによって被覆されており、半導体装置の組
立すなわち外囲器への封入、に際しては陰極１６に陰極
ブロック４が、また、陽極１４に陽極プロ、り３が圧接
されるように配置される。その際、陰極ブロック４と半
導体ペレット１との位置決めは絶縁リング１０の外周面
を陰極ブロック４の凹所の周壁面に係合させることによ
って容易に行うこ、とができる。また、半導体ペレット
１の陰極ブロック４の凹所内への挿入は絶縁リング１０
の外周面と陰極ブロック４の凹所の周壁面とを接触させ
た状態で絶縁リング１０の軸線と平行に半導体ペレッ）
Ｉａ−陰極ブロック４中に押し込むことによって容易に
行うことができ、その際、半導体ペレット１のどの部分
も陰極ブロック４やケーシング６に接触しない力・ら半
導体ペレットの損傷を生じる恐れは全くない。更に半導
体ペレット１の挿入後も半導体ペレット１は導体の突部
９及び絶縁１）フグ１０ヲ介して外囲器の陰極ブロック
４の所定位置に安定に保持される。
第５図は第３図に示した実施例の変形実施例であって、
第４図に示したものとほぼ同じ構造のス１ リット１５付きの絶縁リング１６ヲ半導体ペレット１の
上面に接着固定した例である。
第４図に示したものとほぼ同じ構造のス１ リット１５付きの絶縁リング１６ヲ半導体ペレット１の
上面に接着固定した例である。
第６図は本発明の第二実施例を示したもので、この実施
例に使用される半導体ペレット１を第７図に示しである
。この実施例では、半導体ペレット１の位置決めのため
の突部１７が陽極側すなわち裏主面に設けられており、
該突部１７は外囲器の陽極ブロック６の外周面と係合す
るように円筒状に構成されている。従ってこの実施例の
装置に於ては、半導体ベレット１と外囲器の陰極プ０．
７り４との相対的位置決めはケーシングを介して行われ
る。
例に使用される半導体ペレット１を第７図に示しである
。この実施例では、半導体ペレット１の位置決めのため
の突部１７が陽極側すなわち裏主面に設けられており、
該突部１７は外囲器の陽極ブロック６の外周面と係合す
るように円筒状に構成されている。従ってこの実施例の
装置に於ては、半導体ベレット１と外囲器の陰極プ０．
７り４との相対的位置決めはケーシングを介して行われ
る。
なお、この突部１７もまた、前記実施例と同じく、金属
もしくは絶縁物で構成しておくことが望ましい。また、
との突部１７ｆｄ一つの円筒形のものである必要はなく
、同一円周上に沿って配置した多数の突起として構成さ
れていてもよい。
もしくは絶縁物で構成しておくことが望ましい。また、
との突部１７ｆｄ一つの円筒形のものである必要はなく
、同一円周上に沿って配置した多数の突起として構成さ
れていてもよい。
この発明によれば、従来、温度補償板省略型の電力用半
導体装置に於て生じていた問題、すなわち、組立時にお
ける半導体ペレットと外囲器との相互接触による半導体
ペレットの損傷や組立後における半導体ペレットの不安
定状態、等の問題が解決され、半導体ペレットの損傷の
恐れがなく、また半導体ペレットを外囲器内で安定に保
持することのできる改良された半導体装置が提供される
。
導体装置に於て生じていた問題、すなわち、組立時にお
ける半導体ペレットと外囲器との相互接触による半導体
ペレットの損傷や組立後における半導体ペレットの不安
定状態、等の問題が解決され、半導体ペレットの損傷の
恐れがなく、また半導体ペレットを外囲器内で安定に保
持することのできる改良された半導体装置が提供される
。
第１図は温度補償板を使用する従来の平形半導体装置の
縦断面図、第２図は本発明による温度補償板省略型の半
導体装置の第一実施例を示す断面図、第６図は第２図の
装置の要部拡大図、第４図は第６図の一部の拡大斜視図
、第５図は第２図及び第６図の変形実施例の縦断面図、
第６図は本発明の第二実施例の縦断面図、第７図は第６
図の要部拡大図、である。 １・・・半導体ペレット、２・・・温度補償板、６・・
・陽極プロ、り、４・・・陰極ブロック、９．１７・・
・突部、８・・・制御電極、１０ 、１６・・・絶縁リ
ング。 ＝１８７
縦断面図、第２図は本発明による温度補償板省略型の半
導体装置の第一実施例を示す断面図、第６図は第２図の
装置の要部拡大図、第４図は第６図の一部の拡大斜視図
、第５図は第２図及び第６図の変形実施例の縦断面図、
第６図は本発明の第二実施例の縦断面図、第７図は第６
図の要部拡大図、である。 １・・・半導体ペレット、２・・・温度補償板、６・・
・陽極プロ、り、４・・・陰極ブロック、９．１７・・
・突部、８・・・制御電極、１０ 、１６・・・絶縁リ
ング。 ＝１８７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 温度補償板と結合せずに半導体ベレッＩｆ外囲器中
に収容した形式の半導体装置に於て、前記外囲器の一部
に係合して前記半導体ペレッ）？位置決めしうる突部−
を−前記半導体ペレットの表主面及び裏主面の少なくと
も一方の主面に設けたことを特徴とする半導体装置。 ２ 前記突部が前記半導体ペレットの制御電極上に設け
られるとともに該電極から電極引出しをするところの導
電性材料からなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049782A JPS58207644A (ja) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049782A JPS58207644A (ja) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207644A true JPS58207644A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=14000135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9049782A Pending JPS58207644A (ja) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5047836A (en) * | 1987-12-03 | 1991-09-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Temperature compensating contact to avoid misregistration |
| US5801429A (en) * | 1994-04-12 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-29 JP JP9049782A patent/JPS58207644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5047836A (en) * | 1987-12-03 | 1991-09-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Temperature compensating contact to avoid misregistration |
| US5801429A (en) * | 1994-04-12 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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