JPH0738015A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0738015A JPH0738015A JP18102493A JP18102493A JPH0738015A JP H0738015 A JPH0738015 A JP H0738015A JP 18102493 A JP18102493 A JP 18102493A JP 18102493 A JP18102493 A JP 18102493A JP H0738015 A JPH0738015 A JP H0738015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- metal
- semiconductor chip
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、金属ワイヤのない樹脂封止半導体装
置およびその製造方法において、工程を簡素化し、コス
トを削減できるようにすることを最も主要な特徴とす
る。 【構成】たとえば、半導体チップ１３のＡｌ電極上に、
それぞれ均一な高さの金属柱１４を形成する。また、こ
の半導体チップ１３を、硬化後の弾性率が６８Ｋｇｆ／
ｃｍ2 の接着剤層１２を介して、リードフレーム１１の
両面にそれぞれマウントする。そして、このリードフレ
ーム１１を金型２１ａ，金型２１ｂにより型締めし、そ
れぞれの金型２１ａ，２１ｂによって金属柱１４の表面
を押さえ付ける。この状態で、キャビティ部に樹脂１５
を充填することにより、金属柱１４の上面が封止面より
露出した樹脂封止半導体装置を得る構成となっている。
置およびその製造方法において、工程を簡素化し、コス
トを削減できるようにすることを最も主要な特徴とす
る。 【構成】たとえば、半導体チップ１３のＡｌ電極上に、
それぞれ均一な高さの金属柱１４を形成する。また、こ
の半導体チップ１３を、硬化後の弾性率が６８Ｋｇｆ／
ｃｍ2 の接着剤層１２を介して、リードフレーム１１の
両面にそれぞれマウントする。そして、このリードフレ
ーム１１を金型２１ａ，金型２１ｂにより型締めし、そ
れぞれの金型２１ａ，２１ｂによって金属柱１４の表面
を押さえ付ける。この状態で、キャビティ部に樹脂１５
を充填することにより、金属柱１４の上面が封止面より
露出した樹脂封止半導体装置を得る構成となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法に関するもので、特に金
属ワイヤを有しないワイヤレスの樹脂封止半導体装置に
使用されるものである。
半導体装置およびその製造方法に関するもので、特に金
属ワイヤを有しないワイヤレスの樹脂封止半導体装置に
使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、従来の樹脂封止半導体装
置は、たとえば図５に示す如く、リードフレーム１と半
導体チップ２の電極とが金属ワイヤ３により電気的に接
続され、さらにその周囲が絶縁性の樹脂４を用いて封止
される。しかる後、リードフレーム１が所定の長さに切
断されて所定の形状に折り曲げられることで、作成され
ている。
置は、たとえば図５に示す如く、リードフレーム１と半
導体チップ２の電極とが金属ワイヤ３により電気的に接
続され、さらにその周囲が絶縁性の樹脂４を用いて封止
される。しかる後、リードフレーム１が所定の長さに切
断されて所定の形状に折り曲げられることで、作成され
ている。
【０００３】しかし、この種の樹脂封止半導体装置の場
合、高さ方向に金属ワイヤ３を有するため、その薄型化
には限界があった。そこで、金属ワイヤを有しない、い
わゆるワイヤレスの樹脂封止半導体装置が提案されてい
る（たとえば、特開平４−１６４３４５号公報）。
合、高さ方向に金属ワイヤ３を有するため、その薄型化
には限界があった。そこで、金属ワイヤを有しない、い
わゆるワイヤレスの樹脂封止半導体装置が提案されてい
る（たとえば、特開平４−１６４３４５号公報）。
【０００４】これは、たとえば図６に示すように、半導
体チップ５の電極上に金バンプなどのバンプ電極６が形
成され、その半導体チップ５がリードフレーム７上にマ
ウントされて絶縁性の樹脂８による樹脂封止が行われ
る。その後、バンプ電極６上の樹脂８が除去され、この
露出したバンプ電極６に外部接続用の電極９が接続され
ることで、得られるようになっている。
体チップ５の電極上に金バンプなどのバンプ電極６が形
成され、その半導体チップ５がリードフレーム７上にマ
ウントされて絶縁性の樹脂８による樹脂封止が行われ
る。その後、バンプ電極６上の樹脂８が除去され、この
露出したバンプ電極６に外部接続用の電極９が接続され
ることで、得られるようになっている。
【０００５】このワイヤレスの樹脂封止半導体装置によ
れば、金属ワイヤを有しない分だけ装置の薄型化が図れ
るとともに、リードフレーム７が外部に延出しないた
め、実装の密度をも向上し得る。
れば、金属ワイヤを有しない分だけ装置の薄型化が図れ
るとともに、リードフレーム７が外部に延出しないた
め、実装の密度をも向上し得る。
【０００６】しかしながら、この樹脂封止半導体装置の
場合、樹脂封止の後、バンプ電極６上の樹脂８を除去す
る作業が必要となるが、バンプ電極６上の樹脂８の量は
一定とは限らないため、煩雑な作業を要求されるととも
に、大幅なコストの増加を招くという欠点があった。
場合、樹脂封止の後、バンプ電極６上の樹脂８を除去す
る作業が必要となるが、バンプ電極６上の樹脂８の量は
一定とは限らないため、煩雑な作業を要求されるととも
に、大幅なコストの増加を招くという欠点があった。
【０００７】たとえば、樹脂８をトランスファ成形する
際に、樹脂８の粘度や流れ方などによって半導体チップ
５を含むリードフレーム７が浮き上がったりする現象が
生じるため、バンプ電極６上の樹脂８の量（厚さ）に差
がでる。
際に、樹脂８の粘度や流れ方などによって半導体チップ
５を含むリードフレーム７が浮き上がったりする現象が
生じるため、バンプ電極６上の樹脂８の量（厚さ）に差
がでる。
【０００８】また、半導体チップ５をリードフレーム７
にマウントする際に樹脂系接着剤を用いることが多く、
接着剤の塗布量のばらつきによる接着層の厚さの異なり
により、除去する樹脂８の量も異なる結果となる。
にマウントする際に樹脂系接着剤を用いることが多く、
接着剤の塗布量のばらつきによる接着層の厚さの異なり
により、除去する樹脂８の量も異なる結果となる。
【０００９】さらに、半導体チップ５を押圧して固着さ
せる際において、接着剤の塗布量のばらつきや押圧力の
不均一などにより、半導体チップ５が傾いた状態で固着
される場合があり、それぞれのバンプ電極６上での除去
する樹脂８の量が異なる。
せる際において、接着剤の塗布量のばらつきや押圧力の
不均一などにより、半導体チップ５が傾いた状態で固着
される場合があり、それぞれのバンプ電極６上での除去
する樹脂８の量が異なる。
【００１０】このように、バンプ電極６上を被覆する樹
脂８の量にばらつきがあるため、除去にかかる作業が煩
雑であり、また外部接続用の電極をあたらに形成しなけ
ればならないなど、不要なコスト増を生じていた。
脂８の量にばらつきがあるため、除去にかかる作業が煩
雑であり、また外部接続用の電極をあたらに形成しなけ
ればならないなど、不要なコスト増を生じていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、バンプ電極上を被覆する樹脂の量にばらつ
きがあるため、それを除去する作業が煩雑であり、また
外部接続用の電極をあらたに形成しなければならないな
ど、不要なコストの増加を招くといった問題があった。
においては、バンプ電極上を被覆する樹脂の量にばらつ
きがあるため、それを除去する作業が煩雑であり、また
外部接続用の電極をあらたに形成しなければならないな
ど、不要なコストの増加を招くといった問題があった。
【００１２】そこで、この発明は、コストを削減するこ
とができるとともに、より薄型化が可能な樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
とができるとともに、より薄型化が可能な樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の樹脂封止型半導体装置にあっては、上
面に電極を有する半導体チップと、この半導体チップの
前記電極上に設けられた外部接続用の金属柱と、前記半
導体チップの下面を支持する基板と、この基板上に前記
半導体チップを接着する接着層と、この接着層を介して
前記基板上に接着された前記半導体チップを、前記金属
柱の上面を露出させた状態で封止する封止体とから構成
されている。
めに、この発明の樹脂封止型半導体装置にあっては、上
面に電極を有する半導体チップと、この半導体チップの
前記電極上に設けられた外部接続用の金属柱と、前記半
導体チップの下面を支持する基板と、この基板上に前記
半導体チップを接着する接着層と、この接着層を介して
前記基板上に接着された前記半導体チップを、前記金属
柱の上面を露出させた状態で封止する封止体とから構成
されている。
【００１４】また、この発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法にあっては、半導体チップの上面に設けられた
電極の上に、超微粒子状の金属材料を積層して外部接続
用の金属柱を形成する工程と、前記金属柱の形成された
半導体チップの下面を接着層を介して基板上に接着する
工程と、前記接着層を介して前記基板上に接着された前
記半導体チップを、前記金属柱の上面を露出させた状態
で封止する工程とからなっている。
製造方法にあっては、半導体チップの上面に設けられた
電極の上に、超微粒子状の金属材料を積層して外部接続
用の金属柱を形成する工程と、前記金属柱の形成された
半導体チップの下面を接着層を介して基板上に接着する
工程と、前記接着層を介して前記基板上に接着された前
記半導体チップを、前記金属柱の上面を露出させた状態
で封止する工程とからなっている。
【００１５】
【作用】この発明は、上記した手段により、あらかじめ
電極の上面が樹脂の表面に露出した状態で封止できるよ
うになるため、封止した樹脂を除去したり、電極を形成
し直すための作業を不要とすることが可能となるもので
ある。
電極の上面が樹脂の表面に露出した状態で封止できるよ
うになるため、封止した樹脂を除去したり、電極を形成
し直すための作業を不要とすることが可能となるもので
ある。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかる樹脂封止半導
体装置の概略構成を示すものである。すなわち、この樹
脂封止半導体装置は、たとえば基板としてのリードフレ
ーム１１の両面に接着剤層１２，１２をそれぞれ介して
半導体チップ１３，１３がマウントされた後、これら半
導体チップ１３，１３の各アルミニウム（Ａｌ）電極上
におのおの均一な高さで形成された金属柱１４の表面が
封止面より露出し、かつ封止面とほぼ同一平面をなす状
態で、樹脂１５により封止された構成とされている。
照して説明する。図１は、本発明にかかる樹脂封止半導
体装置の概略構成を示すものである。すなわち、この樹
脂封止半導体装置は、たとえば基板としてのリードフレ
ーム１１の両面に接着剤層１２，１２をそれぞれ介して
半導体チップ１３，１３がマウントされた後、これら半
導体チップ１３，１３の各アルミニウム（Ａｌ）電極上
におのおの均一な高さで形成された金属柱１４の表面が
封止面より露出し、かつ封止面とほぼ同一平面をなす状
態で、樹脂１５により封止された構成とされている。
【００１７】この場合、金属柱１４の上面が封止面に露
出された状態で、樹脂１５による封止が行われるように
なっているため、この金属柱１４をそのまま外部接続用
電極として利用できる。
出された状態で、樹脂１５による封止が行われるように
なっているため、この金属柱１４をそのまま外部接続用
電極として利用できる。
【００１８】すなわち、封止した樹脂１５を除去した
り、樹脂１５を除去した金属柱１４の上にさらに外部接
続用の電極を形成する必要がない。接着剤層１２，１２
としては、硬化後の弾性率が１００Ｋｇｆ／ｃｍ2 以下
の接着剤、たとえば東レ・ダウコーニング社製シリコー
ン樹脂ＳＤＡ６５３１（６８Ｋｇｆ／ｃｍ2 ）が用いら
れる。
り、樹脂１５を除去した金属柱１４の上にさらに外部接
続用の電極を形成する必要がない。接着剤層１２，１２
としては、硬化後の弾性率が１００Ｋｇｆ／ｃｍ2 以下
の接着剤、たとえば東レ・ダウコーニング社製シリコー
ン樹脂ＳＤＡ６５３１（６８Ｋｇｆ／ｃｍ2 ）が用いら
れる。
【００１９】金属柱１４は、たとえば特願平４−８３７
３号に開示された堆積法により、超微粒子状の金（Ａ
ｕ）または銅（Ｃｕ）などの金属材料をＡｌ電極上に積
層することで、形成されるものである。
３号に開示された堆積法により、超微粒子状の金（Ａ
ｕ）または銅（Ｃｕ）などの金属材料をＡｌ電極上に積
層することで、形成されるものである。
【００２０】しかして、この樹脂封止半導体装置は、た
とえば金属柱１４を介して半導体チップ１３，１３のそ
れぞれが個々のプリント基板と接続される、つまり２枚
のプリント基板により挟まれるようにして実装される。
とえば金属柱１４を介して半導体チップ１３，１３のそ
れぞれが個々のプリント基板と接続される、つまり２枚
のプリント基板により挟まれるようにして実装される。
【００２１】次に、上記した樹脂封止半導体装置の製造
方法について説明する。図２は、製造にかかる工程の概
略を示すものである。まず、半導体チップ１３，１３の
各Ａｌ電極上に、上記した堆積法により高さの均一な金
属柱１４が形成される。そして、この金属柱１４の形成
された半導体チップ１３，１３が、リードフレーム１１
の両面にそれぞれ接着剤層１２，１２を介してマウント
される（同図（ａ））。
方法について説明する。図２は、製造にかかる工程の概
略を示すものである。まず、半導体チップ１３，１３の
各Ａｌ電極上に、上記した堆積法により高さの均一な金
属柱１４が形成される。そして、この金属柱１４の形成
された半導体チップ１３，１３が、リードフレーム１１
の両面にそれぞれ接着剤層１２，１２を介してマウント
される（同図（ａ））。
【００２２】この場合、リードフレーム１１上への半導
体チップ１３，１３のマウントは、それぞれの金属柱１
４の上面が、後述する金型２１ａ，２１ｂのキャビティ
部の深さよりも少し高くなるようにして、マウントされ
る。
体チップ１３，１３のマウントは、それぞれの金属柱１
４の上面が、後述する金型２１ａ，２１ｂのキャビティ
部の深さよりも少し高くなるようにして、マウントされ
る。
【００２３】たとえば、金型２１ａ，２１ｂのキャビテ
ィ部の深さをそれぞれ３００μｍとし、半導体チップ１
３の厚さを２００μｍ、金属柱１４の高さを５０μｍと
するとき、リードフレーム１１上に接着剤層１２，１２
が５０μｍ以上の厚みを有して塗布され、この上にそれ
ぞれ半導体チップ１３，１３がマウントされる。
ィ部の深さをそれぞれ３００μｍとし、半導体チップ１
３の厚さを２００μｍ、金属柱１４の高さを５０μｍと
するとき、リードフレーム１１上に接着剤層１２，１２
が５０μｍ以上の厚みを有して塗布され、この上にそれ
ぞれ半導体チップ１３，１３がマウントされる。
【００２４】そして、半導体チップ１３，１３がマウン
トされたリードフレーム１１の上下が、金型２１ａ，２
１ｂにより型締めされる（同図（ｂ））。すると、ま
ず、金属柱１４の先端（上面）が、金型２１ａ，２１ｂ
にそれぞれ当接される。この場合、接着剤層１２，１２
は、その硬化後の弾性率が６８Ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、
柔軟性に富んでいるため、容易に変形し得る。
トされたリードフレーム１１の上下が、金型２１ａ，２
１ｂにより型締めされる（同図（ｂ））。すると、ま
ず、金属柱１４の先端（上面）が、金型２１ａ，２１ｂ
にそれぞれ当接される。この場合、接着剤層１２，１２
は、その硬化後の弾性率が６８Ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、
柔軟性に富んでいるため、容易に変形し得る。
【００２５】すなわち、金属柱１４の先端が当接された
状態で、金型２１ａ，２１ｂが徐々に移動されることに
より、図示の如く、接着剤層１２，１２は変形される。
そして、金型２１ａ，２１ｂがリードフレーム１１に接
触するまで、半導体チップ１３，１３を沈み込ませる。
状態で、金型２１ａ，２１ｂが徐々に移動されることに
より、図示の如く、接着剤層１２，１２は変形される。
そして、金型２１ａ，２１ｂがリードフレーム１１に接
触するまで、半導体チップ１３，１３を沈み込ませる。
【００２６】また、このとき、半導体チップ１３，１３
には、接着剤層１２，１２の復元しようとする力がそれ
ぞれ加えられるため、金型２１ａ，２１ｂによって金属
柱１４の先端がそれぞれ押え付けられた状態となる。
には、接着剤層１２，１２の復元しようとする力がそれ
ぞれ加えられるため、金型２１ａ，２１ｂによって金属
柱１４の先端がそれぞれ押え付けられた状態となる。
【００２７】この状態において、金型２１ａ，２１ｂ内
のキャビティ部への樹脂１５の充填により、図１に示し
た、金属柱１４の表面が封止面より露出し、かつ封止面
とほぼ同一平面をなす状態で封止を行うことができる。
のキャビティ部への樹脂１５の充填により、図１に示し
た、金属柱１４の表面が封止面より露出し、かつ封止面
とほぼ同一平面をなす状態で封止を行うことができる。
【００２８】このように、金型２１ａ，２１ｂによって
金属柱１４の先端がそれぞれ押え付けられた状態で樹脂
１５の充填を行うようにしているため、金型２１ａ，２
１ｂと金属柱１４との間に樹脂１５が流れ込み、金属柱
１４の表面が樹脂１５により被覆されるようなことはな
い。
金属柱１４の先端がそれぞれ押え付けられた状態で樹脂
１５の充填を行うようにしているため、金型２１ａ，２
１ｂと金属柱１４との間に樹脂１５が流れ込み、金属柱
１４の表面が樹脂１５により被覆されるようなことはな
い。
【００２９】また、リードフレーム１１の両面に半導体
チップ１３，１３をマウントするようにしているため、
キャビティ部がそれぞれに設けられた金型２１ａ，２１
ｂを用いる場合にも、型締めによってリードフレーム１
１が変形などされることがない。
チップ１３，１３をマウントするようにしているため、
キャビティ部がそれぞれに設けられた金型２１ａ，２１
ｂを用いる場合にも、型締めによってリードフレーム１
１が変形などされることがない。
【００３０】上記したように、あらかじめ金属柱の上面
が樹脂の表面に露出した状態で封止できるようにしてい
る。すなわち、金型によって金属柱の先端を押え付けた
状態で、樹脂の充填を行うようにしている。これによ
り、金属柱の表面が樹脂により被覆されるのを防止でき
るようになるため、封止した樹脂を除去したり、電極を
形成し直すための作業を不要とすることが可能となる。
したがって、製造上の工程を簡素化でき、ワイヤレスの
樹脂封止半導体装置を安価に得ることができるものであ
る。
が樹脂の表面に露出した状態で封止できるようにしてい
る。すなわち、金型によって金属柱の先端を押え付けた
状態で、樹脂の充填を行うようにしている。これによ
り、金属柱の表面が樹脂により被覆されるのを防止でき
るようになるため、封止した樹脂を除去したり、電極を
形成し直すための作業を不要とすることが可能となる。
したがって、製造上の工程を簡素化でき、ワイヤレスの
樹脂封止半導体装置を安価に得ることができるものであ
る。
【００３１】しかも、金属柱をそのまま外部接続用電極
として用いることができるため、より薄型化に有利なも
のとすることができる。なお、上記実施例においては、
リードフレームの両面に半導体チップをマウントしてな
る樹脂封止半導体装置を例に説明したが、これに限ら
ず、たとえばリードフレームの片面にのみ半導体チップ
をマウントしてなる樹脂封止半導体装置をも簡単に得る
ことができる。
として用いることができるため、より薄型化に有利なも
のとすることができる。なお、上記実施例においては、
リードフレームの両面に半導体チップをマウントしてな
る樹脂封止半導体装置を例に説明したが、これに限ら
ず、たとえばリードフレームの片面にのみ半導体チップ
をマウントしてなる樹脂封止半導体装置をも簡単に得る
ことができる。
【００３２】図３は、リードフレームの片面にのみ半導
体チップをマウントしてなる樹脂封止半導体装置の概略
構成を示すものである。すなわち、この樹脂封止半導体
装置は、たとえば基板としてのリードフレーム３１の上
面に接着剤層３２を介して半導体チップ３３がマウント
された後、この半導体チップ３３のＡｌ電極上におのお
の均一な高さで形成された金属柱３４の表面が封止面よ
り露出し、かつ封止面ほぼ同一平面をなす状態で、樹脂
３５により封止された構成とされている。
体チップをマウントしてなる樹脂封止半導体装置の概略
構成を示すものである。すなわち、この樹脂封止半導体
装置は、たとえば基板としてのリードフレーム３１の上
面に接着剤層３２を介して半導体チップ３３がマウント
された後、この半導体チップ３３のＡｌ電極上におのお
の均一な高さで形成された金属柱３４の表面が封止面よ
り露出し、かつ封止面ほぼ同一平面をなす状態で、樹脂
３５により封止された構成とされている。
【００３３】この場合、たとえば図４に示すように、上
側にはキャビティ部が設けられた金型４１ａを、下側に
はキャビティ部のない平坦な金型４１ｂを用い、リード
フレーム３１の下面を金型４１ｂにより支持するように
して、樹脂３５の充填が行われる。
側にはキャビティ部が設けられた金型４１ａを、下側に
はキャビティ部のない平坦な金型４１ｂを用い、リード
フレーム３１の下面を金型４１ｂにより支持するように
して、樹脂３５の充填が行われる。
【００３４】これにより、リードフレーム３１と金型４
１ａとで挟持された半導体チップ３３の、金属柱３４と
金型４１ａとの間に樹脂３５が流れ込み、金属柱３４の
表面が樹脂３５により被覆されたり、リードフレーム３
１が変形などされることなく、封止することができる。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
１ａとで挟持された半導体チップ３３の、金属柱３４と
金型４１ａとの間に樹脂３５が流れ込み、金属柱３４の
表面が樹脂３５により被覆されたり、リードフレーム３
１が変形などされることなく、封止することができる。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、コストを削減することができるとともに、より薄型
化が可能な樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を
提供できる。
ば、コストを削減することができるとともに、より薄型
化が可能な樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を
提供できる。
【図１】この発明の一実施例にかかる樹脂封止半導体装
置の概略を示す構成図。
置の概略を示す構成図。
【図２】同じく、製造方法を説明するために示す図。
【図３】この発明の他の実施例にかかる樹脂封止半導体
装置の概略を示す構成図。
装置の概略を示す構成図。
【図４】同じく、製造方法を説明するために示す図。
【図５】従来技術とその問題点を説明するために示す金
属ワイヤを有する樹脂封止半導体装置の組立工程の断面
図。
属ワイヤを有する樹脂封止半導体装置の組立工程の断面
図。
【図６】同じく、金属ワイヤのない樹脂封止半導体装置
の組立工程の断面図。
の組立工程の断面図。
１１，３１…リードフレーム、１２，３２…接着剤層、
１３，３３…半導体チップ、１４，３４…金属柱、１
５，３５…樹脂、２１ａ，２１ｂ，４１ａ，４１ｂ…金
型。
１３，３３…半導体チップ、１４，３４…金属柱、１
５，３５…樹脂、２１ａ，２１ｂ，４１ａ，４１ｂ…金
型。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ 8617−4Ｍ // Ｂ２９Ｋ 105:20 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】 上面に電極を有する半導体チップと、 この半導体チップの前記電極上に設けられた外部接続用
の金属柱と、 前記半導体チップの下面を支持する基板と、 この基板上に前記半導体チップを接着する接着層と、 この接着層を介して前記基板上に接着された前記半導体
チップを、前記金属柱の上面を露出させた状態で封止す
る封止体とを具備したことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項２】 前記金属柱は、超微粒子状の金属材料を
積層してなることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記接着層は、硬化後の弾性率が１００
Ｋｇｆ／ｃｍ2 以下の接着剤であることを特徴とする請
求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 半導体チップの上面に設けられた電極の
上に、超微粒子状の金属材料を積層して外部接続用の金
属柱を形成する工程と、 前記金属柱の形成された半導体チップの下面を接着層を
介して基板上に接着する工程と、 前記接着層を介して前記基板上に接着された前記半導体
チップを、前記金属柱の上面を露出させた状態で封止す
る工程とからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項５】 前記封止の工程は、前記金属柱の上面を
金型に当接させた状態で金型内への封止用樹脂の充填を
行うことを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102493A JPH0738015A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102493A JPH0738015A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738015A true JPH0738015A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16093435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18102493A Pending JPH0738015A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10511281B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-12-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave resonator and filter including the same |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP18102493A patent/JPH0738015A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10511281B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-12-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave resonator and filter including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6861734B2 (en) | Resin-molded semiconductor device | |
| US4974057A (en) | Semiconductor device package with circuit board and resin | |
| KR101185479B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US5869905A (en) | Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US6258314B1 (en) | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device | |
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US20010013639A1 (en) | Ball-grid-array semiconductor with protruding terminals | |
| US20020109216A1 (en) | Integrated electronic device and integration method | |
| JPH11260856A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造 | |
| JP2003017646A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP5588150B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000243887A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH08306738A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2647047B2 (ja) | 半導体素子のフリップチップ実装方法およびこの実装方法に用いられる接着剤 | |
| JPH0738015A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP5058144B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止方法 | |
| JPH09172126A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02241040A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0936300A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002151531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10242381A (ja) | 複数のｉｃチップを備えた密封型半導体装置の構造 | |
| JPH11260950A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2582534B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000277559A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPH09139404A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |