JPH073489A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
- Publication number
- JPH073489A JPH073489A JP23553793A JP23553793A JPH073489A JP H073489 A JPH073489 A JP H073489A JP 23553793 A JP23553793 A JP 23553793A JP 23553793 A JP23553793 A JP 23553793A JP H073489 A JPH073489 A JP H073489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- soft magnetic
- magnetic thin
- face
- centered cubic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ０．５Oe以下、特に０．３Oe以下、さらには
０．２Oe以下の低保磁力を有し、かつ飽和磁束密度の高
い軟磁性薄膜を提供する。 【構成】 ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方晶相
からなり、Ｘ線回折における面心立方晶（２００）面の
ピーク強度および面心立方晶（１１１）面のピーク強度
をそれぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）としたと
き、０．１≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２であ
る軟磁性薄膜。ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方
晶相を主とし、微量の体心立方晶相を含み、Ｘ線回折に
おける体心立方晶（１１０）面のピーク強度をＩ（１１
０）としたとき、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１
かつＩ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１である軟磁性
薄膜。
０．２Oe以下の低保磁力を有し、かつ飽和磁束密度の高
い軟磁性薄膜を提供する。 【構成】 ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方晶相
からなり、Ｘ線回折における面心立方晶（２００）面の
ピーク強度および面心立方晶（１１１）面のピーク強度
をそれぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）としたと
き、０．１≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２であ
る軟磁性薄膜。ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方
晶相を主とし、微量の体心立方晶相を含み、Ｘ線回折に
おける体心立方晶（１１０）面のピーク強度をＩ（１１
０）としたとき、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１
かつＩ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１である軟磁性
薄膜。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、軟磁性薄膜、特に電気
めっき法により作製した低保磁力、高飽和磁束密度の軟
磁性薄膜に関する。
めっき法により作製した低保磁力、高飽和磁束密度の軟
磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドや薄膜トランスの磁性薄
膜には、低保磁力、高飽和磁束密度等の優れた軟磁気特
性が要求される。
膜には、低保磁力、高飽和磁束密度等の優れた軟磁気特
性が要求される。
【０００３】これらの磁性薄膜は、スパッタ法等の気相
成膜法やめっき法等の液相成膜法により形成されるのが
一般的であるが、めっき法、特に電気めっき法は、大面
積の成膜が容易で、しかも均一性の高い膜が得られ、ま
た、工程数が少なく設備が安価であるという利点があ
る。
成膜法やめっき法等の液相成膜法により形成されるのが
一般的であるが、めっき法、特に電気めっき法は、大面
積の成膜が容易で、しかも均一性の高い膜が得られ、ま
た、工程数が少なく設備が安価であるという利点があ
る。
【０００４】このようなことから電着パーマロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ合金）膜が薄膜ヘッド磁極材料として現在広く使
用されている。
−Ｆｅ合金）膜が薄膜ヘッド磁極材料として現在広く使
用されている。
【０００５】ところで、近年の記録密度の上昇は、記録
媒体の保磁力（Ｈc ）の上昇による部分が大きい。保磁
力の大きな記録媒体に十分に書き込むためには、記録ヘ
ッドからより強い磁界を発生する必要がある。また、Ｍ
Ｒ（磁気抵抗）インダクティブ複合ヘッドのシールド層
の磁性材料も、高密度記録のためには、より薄い膜で所
望のシールド効果が期待できる高飽和磁束密度材料が必
要となってきている。ところが、上記のパーマロイの飽
和磁束密度（Ｂs ）は１Ｔ以下であり、より飽和磁束密
度（Ｂs ）の高い材料が求められている。
媒体の保磁力（Ｈc ）の上昇による部分が大きい。保磁
力の大きな記録媒体に十分に書き込むためには、記録ヘ
ッドからより強い磁界を発生する必要がある。また、Ｍ
Ｒ（磁気抵抗）インダクティブ複合ヘッドのシールド層
の磁性材料も、高密度記録のためには、より薄い膜で所
望のシールド効果が期待できる高飽和磁束密度材料が必
要となってきている。ところが、上記のパーマロイの飽
和磁束密度（Ｂs ）は１Ｔ以下であり、より飽和磁束密
度（Ｂs ）の高い材料が求められている。
【０００６】この磁気特性的な要求を満たす磁性めっき
膜の一つとしては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金が挙げられ
る。
膜の一つとしては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金が挙げられ
る。
【０００７】このＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金のバルク材の
磁気特性については、R.M.Bozorth,Ferromagnetism, 19
51 (D.Van Nostrand Company, Inc.)にまとめられてい
る。このなかに記載された図５−８４によれば、保磁力
（Ｈc ）が小さくなるのはＣｏが少ない組成のみであ
り、特にＨc ＜０．３Oeはわずかな組成範囲に限定され
ていることがわかる。
磁気特性については、R.M.Bozorth,Ferromagnetism, 19
51 (D.Van Nostrand Company, Inc.)にまとめられてい
る。このなかに記載された図５−８４によれば、保磁力
（Ｈc ）が小さくなるのはＣｏが少ない組成のみであ
り、特にＨc ＜０．３Oeはわずかな組成範囲に限定され
ていることがわかる。
【０００８】また、特公昭６３−５３２７７号には、コ
バルト−ニッケル−鉄合金の電気めっき浴組成物が開示
されており、これを用いて電気めっきを行うことによ
り、低い保磁力、高い飽和磁化（４πＭｓ）、および０
または僅かに負の磁歪を有するコバルト−ニッケル−鉄
合金被膜が得られることが示されている。この場合保磁
力（Ｈc ）は２Oe以下となると記載されており、実施例
に示されたＣｏＮｉＦｅ被膜（約８０：１０：１０）で
は４πＭｓ＝１６ｋＧ、Ｈc ＝１．５Oeが得られてい
る。４πＭｓはパーマロイの２倍近い値となっている
が、保磁力がパーマロイに比べてかなり高く、軟磁気特
性において劣るものとなっている。
バルト−ニッケル−鉄合金の電気めっき浴組成物が開示
されており、これを用いて電気めっきを行うことによ
り、低い保磁力、高い飽和磁化（４πＭｓ）、および０
または僅かに負の磁歪を有するコバルト−ニッケル−鉄
合金被膜が得られることが示されている。この場合保磁
力（Ｈc ）は２Oe以下となると記載されており、実施例
に示されたＣｏＮｉＦｅ被膜（約８０：１０：１０）で
は４πＭｓ＝１６ｋＧ、Ｈc ＝１．５Oeが得られてい
る。４πＭｓはパーマロイの２倍近い値となっている
が、保磁力がパーマロイに比べてかなり高く、軟磁気特
性において劣るものとなっている。
【０００９】また、米国特許第５０１１５８１号（対応
特開平２−１３８７１６号）には、電着法による高飽和
磁束密度合金薄膜の製造方法が開示されている。実施例
の膜サンプルが示すとおり、Ｂs は１０５００〜１８５
００G の範囲にあり高いものとなっているが、Ｈc は最
小のものでも１Oeであり軟磁気特性が十分でない。
特開平２−１３８７１６号）には、電着法による高飽和
磁束密度合金薄膜の製造方法が開示されている。実施例
の膜サンプルが示すとおり、Ｂs は１０５００〜１８５
００G の範囲にあり高いものとなっているが、Ｈc は最
小のものでも１Oeであり軟磁気特性が十分でない。
【００１０】また、特開平２−６８９０６号には、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、Ｆｅが２０〜７５at% 、
Ｃｏが５〜４５at% 、Ｎｉが２０〜７０at% であり、薄
膜面として面心立方格子構造の（２２０）面または（１
１１）面を優先的に面配向させた高飽和磁束密度軟磁性
膜が開示されている。膜の製法として、蒸着法、電着法
が示されているが、実施例で電着法によって作製したサ
ンプルは（１１１）配向のＦｅ29Ｃｏ7 Ｎｉ64（数値は
at% ）膜のみであり、Ｈc は２．５Oeとなっており、軟
磁気特性が十分とはいえない。
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、Ｆｅが２０〜７５at% 、
Ｃｏが５〜４５at% 、Ｎｉが２０〜７０at% であり、薄
膜面として面心立方格子構造の（２２０）面または（１
１１）面を優先的に面配向させた高飽和磁束密度軟磁性
膜が開示されている。膜の製法として、蒸着法、電着法
が示されているが、実施例で電着法によって作製したサ
ンプルは（１１１）配向のＦｅ29Ｃｏ7 Ｎｉ64（数値は
at% ）膜のみであり、Ｈc は２．５Oeとなっており、軟
磁気特性が十分とはいえない。
【００１１】また第１６回日本応用磁気学会学術講演概
要集の７ｐＦ−１５には、耐食性に優れ、かつ高い飽和
磁束密度を有するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ膜が報告されてお
り、Ｃｏ＝５０〜６０wt% 、Ｆｅ＝２０〜３０wt% 、Ｎ
ｉ＝２０〜３０wt% の組成でのめっき軟磁性膜が示され
ている。このものは１９ｋＧ以上の高Ｂs を有するもの
であるが、透磁率（μ）は６００〜７００程度であり、
パーマロイと比べて低く、保磁力も大きいと推定され
る。
要集の７ｐＦ−１５には、耐食性に優れ、かつ高い飽和
磁束密度を有するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ膜が報告されてお
り、Ｃｏ＝５０〜６０wt% 、Ｆｅ＝２０〜３０wt% 、Ｎ
ｉ＝２０〜３０wt% の組成でのめっき軟磁性膜が示され
ている。このものは１９ｋＧ以上の高Ｂs を有するもの
であるが、透磁率（μ）は６００〜７００程度であり、
パーマロイと比べて低く、保磁力も大きいと推定され
る。
【００１２】以上のことから、電気めっき法により、高
Ｂs で低Ｈc のＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系の軟磁性薄膜を得る
ことが望まれている。
Ｂs で低Ｈc のＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系の軟磁性薄膜を得る
ことが望まれている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、通
常、０．５Oe以下、特に０．３Oe以下、さらには０．２
Oe以下の低保磁力を有し、かつ飽和磁束密度の高い軟磁
性薄膜を提供することにある。
常、０．５Oe以下、特に０．３Oe以下、さらには０．２
Oe以下の低保磁力を有し、かつ飽和磁束密度の高い軟磁
性薄膜を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１３）の構成によって達成される。 （１）ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方晶相から
なり、Ｘ線回折における面心立方晶（２００）面のピー
ク強度および面心立方晶（１１１）面のピーク強度をそ
れぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）としたとき、 ０．１≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 （２）ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方晶相を主
とし、微量の体心立方晶相を含み、Ｘ線回折における面
心立方晶（２００）面のピーク強度、面心立方晶（１１
１）面のピーク強度および体心立方晶（１１０）面のピ
ーク強度をそれぞれＩ（２００）、Ｉ（１１１）および
Ｉ（１１０）としたとき、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１かつ Ｉ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 （３）Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ である上記（２）の軟磁性薄膜。 （４）電気めっき法により形成され、形成直後には面心
立方晶単相であり、熱処理により体心立方晶相を共析し
たものである上記（２）または（３）の軟磁性薄膜。 （５）前記熱処理の際の温度が２４０〜３７０℃である
上記（４）の軟磁性薄膜。 （６）ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、ｂおよび
ｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率（wt% ）を
表し、 ａ＝２８〜７５wt% 、 ｂ＝１６〜６０wt% 、 ｃ＝９〜４２wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する上記
（１）ないし（５）のいずれかの軟磁性薄膜。 （７）ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、ｂおよび
ｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率（wt% ）を
表し、 ａ＝３０〜６０wt% 、 ｂ＝２０〜５０wt% 、 ｃ＝１０〜４０wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する上記
（６）の軟磁性薄膜。 （８）ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、ｂおよび
ｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率（wt% ）を
表し、 ａ＝３５〜４５wt% 、 ｂ＝２５〜３５wt% 、 ｃ＝２５〜３５wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する上記
（７）の軟磁性薄膜。 （９）Ｃｏイオン、ＮｉイオンおよびＦｅイオンを含有
し、ｐＨ２〜１０、温度１０〜８０℃のめっき浴を用
い、電流密度０．５〜４．０A/dm2 の条件で電気めっき
法により作製した上記（１）ないし（８）のいずれかの
軟磁性薄膜。 （１０）パーマロイを下地膜として作製した上記（９）
の軟磁性薄膜。 （１１）保磁力が０．５Oe以下で、飽和磁束密度が１３
kG以上である上記（１）ないし（10）のいずれかの軟磁
性薄膜。 （１２）保磁力が０．３Oe以下である上記（11）の軟磁
性薄膜。 （１３）保磁力が０．２Oe以下である上記（12）の軟磁
性薄膜。
（１）〜（１３）の構成によって達成される。 （１）ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方晶相から
なり、Ｘ線回折における面心立方晶（２００）面のピー
ク強度および面心立方晶（１１１）面のピーク強度をそ
れぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）としたとき、 ０．１≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 （２）ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方晶相を主
とし、微量の体心立方晶相を含み、Ｘ線回折における面
心立方晶（２００）面のピーク強度、面心立方晶（１１
１）面のピーク強度および体心立方晶（１１０）面のピ
ーク強度をそれぞれＩ（２００）、Ｉ（１１１）および
Ｉ（１１０）としたとき、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１かつ Ｉ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 （３）Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ である上記（２）の軟磁性薄膜。 （４）電気めっき法により形成され、形成直後には面心
立方晶単相であり、熱処理により体心立方晶相を共析し
たものである上記（２）または（３）の軟磁性薄膜。 （５）前記熱処理の際の温度が２４０〜３７０℃である
上記（４）の軟磁性薄膜。 （６）ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、ｂおよび
ｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率（wt% ）を
表し、 ａ＝２８〜７５wt% 、 ｂ＝１６〜６０wt% 、 ｃ＝９〜４２wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する上記
（１）ないし（５）のいずれかの軟磁性薄膜。 （７）ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、ｂおよび
ｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率（wt% ）を
表し、 ａ＝３０〜６０wt% 、 ｂ＝２０〜５０wt% 、 ｃ＝１０〜４０wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する上記
（６）の軟磁性薄膜。 （８）ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、ｂおよび
ｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率（wt% ）を
表し、 ａ＝３５〜４５wt% 、 ｂ＝２５〜３５wt% 、 ｃ＝２５〜３５wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する上記
（７）の軟磁性薄膜。 （９）Ｃｏイオン、ＮｉイオンおよびＦｅイオンを含有
し、ｐＨ２〜１０、温度１０〜８０℃のめっき浴を用
い、電流密度０．５〜４．０A/dm2 の条件で電気めっき
法により作製した上記（１）ないし（８）のいずれかの
軟磁性薄膜。 （１０）パーマロイを下地膜として作製した上記（９）
の軟磁性薄膜。 （１１）保磁力が０．５Oe以下で、飽和磁束密度が１３
kG以上である上記（１）ないし（10）のいずれかの軟磁
性薄膜。 （１２）保磁力が０．３Oe以下である上記（11）の軟磁
性薄膜。 （１３）保磁力が０．２Oe以下である上記（12）の軟磁
性薄膜。
【００１５】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】本発明の軟磁性薄膜は、Ｃｏ、Ｎｉおよび
Ｆｅを含有する。この軟磁性薄膜は、面心立方晶（ｆｃ
ｃ）相の単相であるか、好ましくは面心立方晶相を主と
し微量の体心立方晶（ｂｃｃ）相を含む。
Ｆｅを含有する。この軟磁性薄膜は、面心立方晶（ｆｃ
ｃ）相の単相であるか、好ましくは面心立方晶相を主と
し微量の体心立方晶（ｂｃｃ）相を含む。
【００１７】本発明の軟磁性薄膜がｆｃｃ相の単相から
なる場合、Ｘ線回折チャートにおけるｆｃｃ（２００）
面のピーク強度およびｆｃｃ（１１１）面のピーク強度
をそれぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）としたと
き、 ０．１≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２、好まし
くは ０．１５≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ である。Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）＞０．２である
と、保磁力が大きくなってしまう。
なる場合、Ｘ線回折チャートにおけるｆｃｃ（２００）
面のピーク強度およびｆｃｃ（１１１）面のピーク強度
をそれぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）としたと
き、 ０．１≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２、好まし
くは ０．１５≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ である。Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）＞０．２である
と、保磁力が大きくなってしまう。
【００１８】本発明の軟磁性薄膜が、ｆｃｃ相を主とし
微量のｂｃｃ相を含む場合には、Ｘ線回折におけるｂｃ
ｃ（１１０）面のピーク強度をＩ（１１０）としたと
き、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１、好ましくは Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１５ であって、かつ Ｉ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１ である。この場合、通常、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦１ であり、好ましくは Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ である。この場合にＩ（２００）／Ｉ（１１１）＞０．
２となると、保磁力が大きくなる傾向にある。
微量のｂｃｃ相を含む場合には、Ｘ線回折におけるｂｃ
ｃ（１１０）面のピーク強度をＩ（１１０）としたと
き、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１、好ましくは Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１５ であって、かつ Ｉ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１ である。この場合、通常、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦１ であり、好ましくは Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ である。この場合にＩ（２００）／Ｉ（１１１）＞０．
２となると、保磁力が大きくなる傾向にある。
【００１９】ｂｃｃ相の存在は、電子線回折により確認
することができるが、電子線回折によりｂｃｃ相が確認
されている場合でも、汎用のＸ線回折装置を用いた場合
にはＩ（１１０）／Ｉ（１１１）＝０となって、その存
在が確認できないこともある。これは、一般にＸ線回折
が電子線回折よりも感度が低いためである。本発明で
は、電子線回折によりｂｃｃ相が確認できればＩ（１１
０）／Ｉ（１１１）＝０であってもよい。本発明におけ
る好ましい組成範囲はｂｃｃ相が共析を開始する直前の
組成範囲なので、汎用のＸ線回折装置では検出不可能な
程度の極めて微量のｂｃｃ相が局部的に偏析することで
高特性が得られていると考えられる。具体的には、ｆｃ
ｃ相からなる結晶粒の粒界にｂｃｃ相が析出することに
より粒子分離が進むため、あるいは結晶磁気異方性の和
が小さくなる方向への変化が生じるため、低保磁力が得
られるものと考えられる。一方、Ｉ（１１０）／Ｉ（１
１１）＞０．１である場合、ｂｃｃ相自体が結晶成長し
ているため、あるいはｂｃｃ相の結晶磁気異方性の影響
が大きくなるため、保磁力が増大してしまうと考えられ
る。
することができるが、電子線回折によりｂｃｃ相が確認
されている場合でも、汎用のＸ線回折装置を用いた場合
にはＩ（１１０）／Ｉ（１１１）＝０となって、その存
在が確認できないこともある。これは、一般にＸ線回折
が電子線回折よりも感度が低いためである。本発明で
は、電子線回折によりｂｃｃ相が確認できればＩ（１１
０）／Ｉ（１１１）＝０であってもよい。本発明におけ
る好ましい組成範囲はｂｃｃ相が共析を開始する直前の
組成範囲なので、汎用のＸ線回折装置では検出不可能な
程度の極めて微量のｂｃｃ相が局部的に偏析することで
高特性が得られていると考えられる。具体的には、ｆｃ
ｃ相からなる結晶粒の粒界にｂｃｃ相が析出することに
より粒子分離が進むため、あるいは結晶磁気異方性の和
が小さくなる方向への変化が生じるため、低保磁力が得
られるものと考えられる。一方、Ｉ（１１０）／Ｉ（１
１１）＞０．１である場合、ｂｃｃ相自体が結晶成長し
ているため、あるいはｂｃｃ相の結晶磁気異方性の影響
が大きくなるため、保磁力が増大してしまうと考えられ
る。
【００２０】本発明では、結晶相の構成および結晶面の
配向を上記のようにすることにより、低保磁力かつ高飽
和磁束密度のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ軟磁性薄膜が得られる。
特に、保磁力（Ｈc ）は０．５Oe以下、好ましくは０．
３Oe以下、さらに好ましくは０．２Oe以下、特に好まし
くは０．１Oe以下が実現でき、極めて良好な軟磁気特性
を示す。また、飽和磁束密度（Ｂs ）は１３〜２０kG程
度である。
配向を上記のようにすることにより、低保磁力かつ高飽
和磁束密度のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ軟磁性薄膜が得られる。
特に、保磁力（Ｈc ）は０．５Oe以下、好ましくは０．
３Oe以下、さらに好ましくは０．２Oe以下、特に好まし
くは０．１Oe以下が実現でき、極めて良好な軟磁気特性
を示す。また、飽和磁束密度（Ｂs ）は１３〜２０kG程
度である。
【００２１】従って、本発明の軟磁性薄膜は、薄膜ヘッ
ドや薄膜トランス用の磁性薄膜として極めて有用であ
る。特に、インダクティブＭＲヘッドのオーバーライト
特性の向上効果や、シールド層間減少による記録密度の
向上効果が期待できる。
ドや薄膜トランス用の磁性薄膜として極めて有用であ
る。特に、インダクティブＭＲヘッドのオーバーライト
特性の向上効果や、シールド層間減少による記録密度の
向上効果が期待できる。
【００２２】これに対し、主相が他の晶相である場合に
はＨc が高くなってしまう。また、Ｉ（１１０）／Ｉ
（１１１）＞０．１となる程度にｂｃｃ相が混在する場
合や、ｆｃｃ相が主相であってもＩ（２００）／Ｉ（１
１１）＜０．１である場合には、Ｈc が高くなり良好な
軟磁気特性が得られない（図１参照）。なお、図１にｆ
ｃｃ＋ｂｃｃと表示してあるものは、Ｉ（１１０）／Ｉ
（１１１）＞０．１のものである。
はＨc が高くなってしまう。また、Ｉ（１１０）／Ｉ
（１１１）＞０．１となる程度にｂｃｃ相が混在する場
合や、ｆｃｃ相が主相であってもＩ（２００）／Ｉ（１
１１）＜０．１である場合には、Ｈc が高くなり良好な
軟磁気特性が得られない（図１参照）。なお、図１にｆ
ｃｃ＋ｂｃｃと表示してあるものは、Ｉ（１１０）／Ｉ
（１１１）＞０．１のものである。
【００２３】本発明において、特に所望の構造とするた
めにはパーマロイを下地膜として用いることが好まし
い。例えば、銅を下地膜とすると同じ組成の膜でも所望
の結晶構造が得られないために軟磁気特性が悪くなる。
パーマロイの下地膜の厚さは、通常４００〜１０００A
程度とする。
めにはパーマロイを下地膜として用いることが好まし
い。例えば、銅を下地膜とすると同じ組成の膜でも所望
の結晶構造が得られないために軟磁気特性が悪くなる。
パーマロイの下地膜の厚さは、通常４００〜１０００A
程度とする。
【００２４】本発明の軟磁性薄膜は、低Ｈc を得る上
で、下記の組成を有することが好ましい。
で、下記の組成を有することが好ましい。
【００２５】ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ 上記において、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% であり、ａ＝２
８〜７５wt% 、さらには３０〜６０wt% 、特には３５〜
４５wt% が好ましく、ｂ＝１６〜５６wt% 、さらには２
０〜５０wt% 、特には２５〜３５wt% が好ましく、ｃ＝
９〜４２wt% 、さらには１０〜４０wt% 、特には２５〜
３５wt% であることが好ましい。
８〜７５wt% 、さらには３０〜６０wt% 、特には３５〜
４５wt% が好ましく、ｂ＝１６〜５６wt% 、さらには２
０〜５０wt% 、特には２５〜３５wt% が好ましく、ｃ＝
９〜４２wt% 、さらには１０〜４０wt% 、特には２５〜
３５wt% であることが好ましい。
【００２６】なお、上記のａ＝２８〜７５wt% 、ｂ＝１
６〜５６wt% 、ｃ＝９〜４２wt% で表される組成範囲
は、図２に示される点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを図示のように結
ぶ線で囲まれる領域であり、この領域内で０．５Oe以
下、特に０．４Oe以下のＨc が得られる。
６〜５６wt% 、ｃ＝９〜４２wt% で表される組成範囲
は、図２に示される点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを図示のように結
ぶ線で囲まれる領域であり、この領域内で０．５Oe以
下、特に０．４Oe以下のＨc が得られる。
【００２７】また、上記のａ＝３０〜６０wt% 、ｂ＝２
０〜５０wt% 、ｃ＝１０〜４０wt%で表される組成範囲
は図２に示される点Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊを図示のよ
うに結ぶ線で囲まれる領域であり、この領域内で０．３
Oe以下のＨc が得られる。さらに、ａ＝３５〜４５wt%
、ｂ＝２５〜３５wt% 、ｃ＝２５〜３５wt% で表され
る組成範囲は図３に示される点Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ
を図示のように結ぶ線で囲まれる領域であり、これらの
領域では０．２Oe以下のＨc が得られる。従って、上記
組成式において、ａ、ｂ、ｃが大きくなりすぎても小さ
くなりすぎても低Ｈc は得られにくくなる。
０〜５０wt% 、ｃ＝１０〜４０wt%で表される組成範囲
は図２に示される点Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊを図示のよ
うに結ぶ線で囲まれる領域であり、この領域内で０．３
Oe以下のＨc が得られる。さらに、ａ＝３５〜４５wt%
、ｂ＝２５〜３５wt% 、ｃ＝２５〜３５wt% で表され
る組成範囲は図３に示される点Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ
を図示のように結ぶ線で囲まれる領域であり、これらの
領域では０．２Oe以下のＨc が得られる。従って、上記
組成式において、ａ、ｂ、ｃが大きくなりすぎても小さ
くなりすぎても低Ｈc は得られにくくなる。
【００２８】本発明の軟磁性薄膜は、電気めっき法によ
り作製することが好ましく、めっき浴組成やめっき条件
などを選択することによって、上記の膜特性を実現する
ことができる。また量産性に優れる。さらに、本発明に
用いるめっき浴は安定性が良好である。
り作製することが好ましく、めっき浴組成やめっき条件
などを選択することによって、上記の膜特性を実現する
ことができる。また量産性に優れる。さらに、本発明に
用いるめっき浴は安定性が良好である。
【００２９】なお、特開昭６４−８６０５号公報の第３
表には、スパッタ法により形成された厚さ１．９μm の
Ｆｅ30Ｃｏ40Ｎｉ30膜が記載されている。この膜はｆｃ
ｃ単相であるが、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は約０．
２２であって、本発明範囲を外れている。同公報の第１
表には、同組成の薄膜の保磁力が０．４２ Oe であるこ
とが記載されているが、この値は本発明における同様な
組成の薄膜に比べ、高い。
表には、スパッタ法により形成された厚さ１．９μm の
Ｆｅ30Ｃｏ40Ｎｉ30膜が記載されている。この膜はｆｃ
ｃ単相であるが、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は約０．
２２であって、本発明範囲を外れている。同公報の第１
表には、同組成の薄膜の保磁力が０．４２ Oe であるこ
とが記載されているが、この値は本発明における同様な
組成の薄膜に比べ、高い。
【００３０】後述するように、本発明ではｆｃｃ単相の
膜に熱処理を施して微量のｂｃｃ相を析出させることに
より、さらに低い保磁力とすることができるが、同公報
にも３５０℃で１時間のアニールを施すことが記載され
ている。しかし、同公報には、アニールによりｂｃｃ相
が析出することも保磁力が低くなることも記載されてい
ない。同公報には、アニール前後の平均結晶粒径および
保磁力の変化が第４図（Ａ）および第４図（Ｂ）に示さ
れているが、アニール前に約０．４ Oe であった保磁力
がアニール後にはかえって増加している。同公報におい
てアニールにより保磁力が低下しているのは、スパッタ
法により形成された薄膜の結晶粒径が比較的大きいため
と考えられる。
膜に熱処理を施して微量のｂｃｃ相を析出させることに
より、さらに低い保磁力とすることができるが、同公報
にも３５０℃で１時間のアニールを施すことが記載され
ている。しかし、同公報には、アニールによりｂｃｃ相
が析出することも保磁力が低くなることも記載されてい
ない。同公報には、アニール前後の平均結晶粒径および
保磁力の変化が第４図（Ａ）および第４図（Ｂ）に示さ
れているが、アニール前に約０．４ Oe であった保磁力
がアニール後にはかえって増加している。同公報におい
てアニールにより保磁力が低下しているのは、スパッタ
法により形成された薄膜の結晶粒径が比較的大きいため
と考えられる。
【００３１】また、同公報第３表にはＦｅ30Ｃｏ40Ｎｉ
30膜とＦｅ86Ｓｉ14膜とを各２００層積層した多層膜が
記載されている。この多層膜では、Ｉ（２００）／Ｉ
（１１１）が約０．１５となり、アニール後には約０．
１２となることが開示されているが、製造の容易な単層
膜においてＩ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２が得ら
れている例はない。
30膜とＦｅ86Ｓｉ14膜とを各２００層積層した多層膜が
記載されている。この多層膜では、Ｉ（２００）／Ｉ
（１１１）が約０．１５となり、アニール後には約０．
１２となることが開示されているが、製造の容易な単層
膜においてＩ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２が得ら
れている例はない。
【００３２】また、特開平２−６８９０６号公報の実施
例にはｆｃｃ構造の（１１１）面を優先的に面配向させ
た電着膜が開示されている。しかし、本発明のものとは
面配向において異なるため、本発明のような低保磁力は
実現できない。また、同公報には（１１１）面と（２０
０）面とを優先的に配向させたスパッタ蒸着膜も開示さ
れているが、スパッタ蒸着法によるためか、あるいは面
配向比が本発明の範囲外であるためか、本発明と異な
り、良好な特性が得られないことが記載されている。
例にはｆｃｃ構造の（１１１）面を優先的に面配向させ
た電着膜が開示されている。しかし、本発明のものとは
面配向において異なるため、本発明のような低保磁力は
実現できない。また、同公報には（１１１）面と（２０
０）面とを優先的に配向させたスパッタ蒸着膜も開示さ
れているが、スパッタ蒸着法によるためか、あるいは面
配向比が本発明の範囲外であるためか、本発明と異な
り、良好な特性が得られないことが記載されている。
【００３３】また、米国特許第５０１１５８１号（特開
平２−１３８７１６号）では、結晶構造や面配向につい
ては何ら示唆されておらず、本発明のような低保磁力は
実現できない。
平２−１３８７１６号）では、結晶構造や面配向につい
ては何ら示唆されておらず、本発明のような低保磁力は
実現できない。
【００３４】従って、本発明の効果は、上記の膜組成、
結晶構造および面配向のすべての要件を満足したとき得
られるものであり、いずれか１つの要件が欠落しても得
られるものではない。
結晶構造および面配向のすべての要件を満足したとき得
られるものであり、いずれか１つの要件が欠落しても得
られるものではない。
【００３５】本発明の軟磁性薄膜は、前記のとおり、パ
ーマロイを下地膜とし、電気めっき法により作製するこ
とが好ましい。このとき用いるめっき浴にはＣｏイオ
ン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンが含有される。めっき浴中
におけるＣｏイオン、ＦｅイオンおよびＮｉイオンの濃
度は目的とする膜組成等に応じ適宜選択すればよく、通
常、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンの濃度は、い
ずれも、各々０．０１モル／リットル〜溶解限度までと
することが好ましい。各金属イオンの濃度が低くなる
と、金属の析出速度が低下しやすく、実用的でない。Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉの各イオンの供給源は、硫酸塩、スルフ
ァミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水溶性の塩から選択す
ることが好ましく、安価であることから特に硫酸塩を用
いることが好ましい。また、ＣｏイオンおよびＦｅイオ
ンは、金属をめっき浴中に浸漬して自然溶解させたり、
電解により陽極を溶解させることにより供給することも
できる。
ーマロイを下地膜とし、電気めっき法により作製するこ
とが好ましい。このとき用いるめっき浴にはＣｏイオ
ン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンが含有される。めっき浴中
におけるＣｏイオン、ＦｅイオンおよびＮｉイオンの濃
度は目的とする膜組成等に応じ適宜選択すればよく、通
常、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンの濃度は、い
ずれも、各々０．０１モル／リットル〜溶解限度までと
することが好ましい。各金属イオンの濃度が低くなる
と、金属の析出速度が低下しやすく、実用的でない。Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉの各イオンの供給源は、硫酸塩、スルフ
ァミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水溶性の塩から選択す
ることが好ましく、安価であることから特に硫酸塩を用
いることが好ましい。また、ＣｏイオンおよびＦｅイオ
ンは、金属をめっき浴中に浸漬して自然溶解させたり、
電解により陽極を溶解させることにより供給することも
できる。
【００３６】めっき浴のｐＨは２〜１０、特に２．５〜
２．９とすることが好ましく、浴温度は１０〜８０℃、
特に３５〜４５℃とすることが好ましい。めっき浴のｐ
Ｈおよび温度を上記範囲とすることにより、良好なめっ
き膜を得ることができる。これに対し、ｐＨが低くなる
と金属の析出速度が低下し、ｐＨが高くなるとアンモニ
アガスの発生等により作業環境が悪くなる。また、浴温
度が低くなると金属の析出速度が低下し、浴温度が高く
なると浴の安定性が得られない。
２．９とすることが好ましく、浴温度は１０〜８０℃、
特に３５〜４５℃とすることが好ましい。めっき浴のｐ
Ｈおよび温度を上記範囲とすることにより、良好なめっ
き膜を得ることができる。これに対し、ｐＨが低くなる
と金属の析出速度が低下し、ｐＨが高くなるとアンモニ
アガスの発生等により作業環境が悪くなる。また、浴温
度が低くなると金属の析出速度が低下し、浴温度が高く
なると浴の安定性が得られない。
【００３７】めっき浴中には、有機光沢剤を含有させて
もよい。有機光沢剤としてはサッカリンが好ましい。添
加量は０．５グラム／リットル以上とすれば十分である
が、使用中の消耗等を考慮して１〜６グラム／リットル
とすることが好ましい。めっき浴中には、この他、ラウ
リル硫酸ナトリウム等の界面活性剤、ホウ酸、塩化アン
モニウム等の通常の電気めっき浴に添加する成分を適宜
含有させてもよい。また、適宜、安定化剤として有機酸
イオン、還元剤、キレート剤等を添加してもよい。な
お、一般の条件では３価のＦｅイオンは沈澱を生じ好ま
しくないが、クエン酸、酒石酸等の安定剤ないしキレー
ト剤（錯体形成剤）を添加した場合は沈澱を生じないば
かりでなく、Ｈc 低下に効果があるため、むしろ３価の
Ｆｅイオンを浴中に存在させる方が好ましい。
もよい。有機光沢剤としてはサッカリンが好ましい。添
加量は０．５グラム／リットル以上とすれば十分である
が、使用中の消耗等を考慮して１〜６グラム／リットル
とすることが好ましい。めっき浴中には、この他、ラウ
リル硫酸ナトリウム等の界面活性剤、ホウ酸、塩化アン
モニウム等の通常の電気めっき浴に添加する成分を適宜
含有させてもよい。また、適宜、安定化剤として有機酸
イオン、還元剤、キレート剤等を添加してもよい。な
お、一般の条件では３価のＦｅイオンは沈澱を生じ好ま
しくないが、クエン酸、酒石酸等の安定剤ないしキレー
ト剤（錯体形成剤）を添加した場合は沈澱を生じないば
かりでなく、Ｈc 低下に効果があるため、むしろ３価の
Ｆｅイオンを浴中に存在させる方が好ましい。
【００３８】なお、連続フィルタリングによりめっき浴
中の微粒子や水酸化物を取り除いてもよい。
中の微粒子や水酸化物を取り除いてもよい。
【００３９】陽極は、微粒子除去の観点からは不溶性の
ＴｉＰｔ、フェライト電極が好ましい。しかし、陽極に
おいて酸化反応が起こるので、例えばイオン交換膜によ
り陰極部と分離することが望ましい。
ＴｉＰｔ、フェライト電極が好ましい。しかし、陽極に
おいて酸化反応が起こるので、例えばイオン交換膜によ
り陰極部と分離することが望ましい。
【００４０】成膜時の電流密度は、０．５〜４．０A/dm
2 とすることが好ましく、さらには０．５〜２A/dm2 と
することが好ましい。電流密度を上記範囲とすることに
よって、良好なめっき膜を得ることができる。これに対
し、電流密度が小さくなると金属の析出速度が低下し、
電流密度が大きくなると膜中の金属粒子の粒子サイズが
増大しＨc が低下する。直流以外にもパルス電解や陰極
溶解まで行なう交流併用型も可能である。
2 とすることが好ましく、さらには０．５〜２A/dm2 と
することが好ましい。電流密度を上記範囲とすることに
よって、良好なめっき膜を得ることができる。これに対
し、電流密度が小さくなると金属の析出速度が低下し、
電流密度が大きくなると膜中の金属粒子の粒子サイズが
増大しＨc が低下する。直流以外にもパルス電解や陰極
溶解まで行なう交流併用型も可能である。
【００４１】めっき浴の溶媒としては、通常の水の他に
非水系溶媒、例えばメチルアルコール、ジメチルホルム
アミド、エチルアルコール、プロピレンカーバイド、溶
融塩等も使用可能である。
非水系溶媒、例えばメチルアルコール、ジメチルホルム
アミド、エチルアルコール、プロピレンカーバイド、溶
融塩等も使用可能である。
【００４２】本発明の軟磁性薄膜では、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎ
ｉの一部を置換する形で、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｍｎ、Ｐ、Ｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｔ等から選択された
１種以上の元素を含有させてもよい。含有量は全体の３
wt% 以下とすることが好ましい。
ｉの一部を置換する形で、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｍｎ、Ｐ、Ｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｔ等から選択された
１種以上の元素を含有させてもよい。含有量は全体の３
wt% 以下とすることが好ましい。
【００４３】なお、膜中にはＣ、Ｓが微量含有されるこ
とがあるが、これらのものは磁気特性に大きな影響を与
えるので注意が必要となる。具体的には共に１０００pp
m 以下であることが望ましい。
とがあるが、これらのものは磁気特性に大きな影響を与
えるので注意が必要となる。具体的には共に１０００pp
m 以下であることが望ましい。
【００４４】本発明の軟磁性薄膜には、目的とする方向
に一軸異方性を付与することが好ましい。一軸異方性付
与の方法としては、磁界中成膜や成膜後の磁界中アニー
ルを用いることができる。磁界中成膜としては、一定の
直流磁界中で成膜する方法が一般的である。しかし、本
発明の軟磁性薄膜では異方性磁界Ｈｋが大きくなりすぎ
ることが多く、高透磁率を得るためにはＨｋの適正化が
要求される場合も多い。Ｈｋの適正化方法としては直交
磁界中成膜や回転磁界中アニール、あるいは直流磁界中
成膜時と直流磁界中アニール時の磁界方向を面内直交さ
せる等の方法が有効である。直交磁界中成膜は、磁場を
コイルで発生させ交互に電流を印加することで可能であ
る。また、永久磁石を用いる場合には陰極を９０°回転
させることで可能となる。アニールの際には飽和磁歪値
が正の方向に増加することが多いので、アニール後の飽
和磁歪値が所望の値となるように成膜を行なうことが好
ましい。薄膜磁気ヘッドのバルクハウゼンノイズを低減
するためには、軟磁性薄膜の飽和磁歪値を小さな負の値
に保つ必要があるとされている。この目的のためには、
成膜時にはやや大きな負の磁歪とし、アニール後に小さ
な負の値となるように設計を行なう。また、複数回の面
内直交方向磁界印加熱処理を行ない、異方性制御を行な
うことも透磁率の向上や磁区構造制御等に有効である。
磁区構造の適性化によりデバイス化した場合のバルクハ
ウセンノイズの低減が可能となる。
に一軸異方性を付与することが好ましい。一軸異方性付
与の方法としては、磁界中成膜や成膜後の磁界中アニー
ルを用いることができる。磁界中成膜としては、一定の
直流磁界中で成膜する方法が一般的である。しかし、本
発明の軟磁性薄膜では異方性磁界Ｈｋが大きくなりすぎ
ることが多く、高透磁率を得るためにはＨｋの適正化が
要求される場合も多い。Ｈｋの適正化方法としては直交
磁界中成膜や回転磁界中アニール、あるいは直流磁界中
成膜時と直流磁界中アニール時の磁界方向を面内直交さ
せる等の方法が有効である。直交磁界中成膜は、磁場を
コイルで発生させ交互に電流を印加することで可能であ
る。また、永久磁石を用いる場合には陰極を９０°回転
させることで可能となる。アニールの際には飽和磁歪値
が正の方向に増加することが多いので、アニール後の飽
和磁歪値が所望の値となるように成膜を行なうことが好
ましい。薄膜磁気ヘッドのバルクハウゼンノイズを低減
するためには、軟磁性薄膜の飽和磁歪値を小さな負の値
に保つ必要があるとされている。この目的のためには、
成膜時にはやや大きな負の磁歪とし、アニール後に小さ
な負の値となるように設計を行なう。また、複数回の面
内直交方向磁界印加熱処理を行ない、異方性制御を行な
うことも透磁率の向上や磁区構造制御等に有効である。
磁区構造の適性化によりデバイス化した場合のバルクハ
ウセンノイズの低減が可能となる。
【００４５】本発明では、成膜時にｆｃｃ相と微量のｂ
ｃｃ相とを共析させてもよいが、上記した組成範囲にお
いて微量のｂｃｃ相を共析させることは困難なので、通
常、ｆｃｃ単相の薄膜を形成した後、熱処理により微量
のｂｃｃ相を析出させることが好ましい。この熱処理に
は、上記した磁界中アニールを利用することができる。
熱処理の際の保持温度は、好ましくは２４０〜３７０
℃、より好ましくは２８０〜３５０℃である。熱処理温
度が低すぎるとｂｃｃ相が析出せず、高すぎるとｂｃｃ
相の析出量が多くなりすぎて保磁力が高くなってしま
う。熱処理時間は、０．１〜１０時間とすることが好ま
しい。
ｃｃ相とを共析させてもよいが、上記した組成範囲にお
いて微量のｂｃｃ相を共析させることは困難なので、通
常、ｆｃｃ単相の薄膜を形成した後、熱処理により微量
のｂｃｃ相を析出させることが好ましい。この熱処理に
は、上記した磁界中アニールを利用することができる。
熱処理の際の保持温度は、好ましくは２４０〜３７０
℃、より好ましくは２８０〜３５０℃である。熱処理温
度が低すぎるとｂｃｃ相が析出せず、高すぎるとｂｃｃ
相の析出量が多くなりすぎて保磁力が高くなってしま
う。熱処理時間は、０．１〜１０時間とすることが好ま
しい。
【００４６】本発明の軟磁性薄膜の厚さは、目的に応じ
て適宜決定すればよく、特に制限はないが、低い保磁力
を得るためには、通常、０．５〜１０μm 程度とするこ
とが好ましく、また、薄膜磁気ヘッドに適用する場合は
０．５〜４．５μm 程度、薄膜トランスに適用する場合
は３〜７μm 程度とすることが好ましい。
て適宜決定すればよく、特に制限はないが、低い保磁力
を得るためには、通常、０．５〜１０μm 程度とするこ
とが好ましく、また、薄膜磁気ヘッドに適用する場合は
０．５〜４．５μm 程度、薄膜トランスに適用する場合
は３〜７μm 程度とすることが好ましい。
【００４７】本発明の軟磁性薄膜は、薄膜磁気ヘッドや
薄膜トランスのほか、各種磁気デバイスへの適用が可能
である。また、低保磁力で磁歪（λｓ）が大きいことを
利用した用途が期待される。
薄膜トランスのほか、各種磁気デバイスへの適用が可能
である。また、低保磁力で磁歪（λｓ）が大きいことを
利用した用途が期待される。
【００４８】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４９】＜実施例１＞１０mm×１０mm×０．７mm厚
のコーニング７０５９ガラス上に、スパッタ法によりチ
タンを５０A 、さらにパーマロイを５００A 成膜した基
板を使用した。めっき前処理として１Ｎ−塩酸（常温）
に３０秒浸漬し、水洗した後、以下のめっき条件にて軟
磁性薄膜サンプルを成膜した。なお、飽和磁歪値測定用
の試料には、別途０．１mm厚のガラス板に上記基板と同
様の処理を施した基板を使用した。
のコーニング７０５９ガラス上に、スパッタ法によりチ
タンを５０A 、さらにパーマロイを５００A 成膜した基
板を使用した。めっき前処理として１Ｎ−塩酸（常温）
に３０秒浸漬し、水洗した後、以下のめっき条件にて軟
磁性薄膜サンプルを成膜した。なお、飽和磁歪値測定用
の試料には、別途０．１mm厚のガラス板に上記基板と同
様の処理を施した基板を使用した。
【００５０】めっき浴中の基板の周囲には銅板で補助カ
ソードを設けた。陰極全体の形状は３インチの円盤状で
あり、陽極には４インチ径のＴｉＰｔ板を使用した。攪
拌には断面が三角形のパドルを用い、６０回／分間の周
期で陰極から２mmの場所でパドル攪拌を行なった。めっ
き液は下記組成とし、その総量は約７リットルとした。
ソードを設けた。陰極全体の形状は３インチの円盤状で
あり、陽極には４インチ径のＴｉＰｔ板を使用した。攪
拌には断面が三角形のパドルを用い、６０回／分間の周
期で陰極から２mmの場所でパドル攪拌を行なった。めっ
き液は下記組成とし、その総量は約７リットルとした。
【００５１】めっき浴組成（１リットル中） 硫酸コバルト・７水塩 ０〜２０g 硫酸ニッケル・６水塩 ０〜５０g 硫酸第一鉄・７水塩 ０〜２０g ホウ酸 ２５g 塩化アンモニウム １５g サッカリン ２g 界面活性剤 微量
【００５２】めっき浴温度は４０℃、めっき浴のｐＨは
２．８、電流密度は１．５A/dm2 、めっき時間は５分間
とし、３００Oeの直流磁界を印加しながら電気めっきを
行ない、厚さ１．２μm の軟磁性薄膜サンプルを得た。
この場合、浴中の金属イオンの濃度比を変化させること
により種々の組成のものを得た。また一部のサンプルに
ついては、異方性磁界制御を目的に、膜面内でかつ成膜
時の磁界印加方向と直交する方向に２kOe の磁場を印加
しながら、真空熱処理炉にて３００℃で３０分間のアニ
ールを行なった。
２．８、電流密度は１．５A/dm2 、めっき時間は５分間
とし、３００Oeの直流磁界を印加しながら電気めっきを
行ない、厚さ１．２μm の軟磁性薄膜サンプルを得た。
この場合、浴中の金属イオンの濃度比を変化させること
により種々の組成のものを得た。また一部のサンプルに
ついては、異方性磁界制御を目的に、膜面内でかつ成膜
時の磁界印加方向と直交する方向に２kOe の磁場を印加
しながら、真空熱処理炉にて３００℃で３０分間のアニ
ールを行なった。
【００５３】得られた各サンプルについて、下記の測定
を行った。
を行った。
【００５４】（組成）蛍光Ｘ線分析装置、ＩＣＰを用い
て測定した。
て測定した。
【００５５】（保磁力Ｈc ）交流Ｂ−Ｈトレーサーによ
り６０Hzにて測定した。
り６０Hzにて測定した。
【００５６】（飽和磁束密度Ｂs ）ＶＳＭにより測定し
た。
た。
【００５７】（飽和磁歪値）光てこ法により３Hz、１０
０Oeの磁界中で測定した。
０Oeの磁界中で測定した。
【００５８】（透磁率）８の字コイル法により５MHz 、
３mOe にて測定した。
３mOe にて測定した。
【００５９】（Ｘ線回折）Ｃｕ−Ｋα線（５０kV，４０
mA）を用い、各面のピークの強度を求めた。
mA）を用い、各面のピークの強度を求めた。
【００６０】晶相および面配向比とＨc との関係を説明
するために選択したサンプルを、図１に示す。図１か
ら、ｆｃｃ単相で、かつＩ（２００）／Ｉ（１１１）が
０．１〜０．２では、すべて０．５Oe以下のＨc を示
し、０．１５以上ではほとんどが０．３Oe以下のＨc を
示すことがわかる。これに対し、ｂｃｃ相が混在してい
るものや、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．１未満の
サンプルではＨc が高くなっている。なお、図１におい
てＩ（２００）／Ｉ（１１１）が０．１〜０．２のサン
プルは、すべて図２の領域ＡＢＣＤ内の組成を有する。
これらのサンプルにおいて、ｂｃｃ相は、（１１０）
面、（２１１）面および（２２０）面の回折ピークの出
現により確認した。図１にｆｃｃ＋ｂｃｃと表示してあ
るものは、Ｉ（１１０）／Ｉ（１１１）＞０．１であ
る。また、図１にｆｃｃと表示してあるものは、Ｉ（１
１０）／Ｉ（１１１）＝０である。
するために選択したサンプルを、図１に示す。図１か
ら、ｆｃｃ単相で、かつＩ（２００）／Ｉ（１１１）が
０．１〜０．２では、すべて０．５Oe以下のＨc を示
し、０．１５以上ではほとんどが０．３Oe以下のＨc を
示すことがわかる。これに対し、ｂｃｃ相が混在してい
るものや、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．１未満の
サンプルではＨc が高くなっている。なお、図１におい
てＩ（２００）／Ｉ（１１１）が０．１〜０．２のサン
プルは、すべて図２の領域ＡＢＣＤ内の組成を有する。
これらのサンプルにおいて、ｂｃｃ相は、（１１０）
面、（２１１）面および（２２０）面の回折ピークの出
現により確認した。図１にｆｃｃ＋ｂｃｃと表示してあ
るものは、Ｉ（１１０）／Ｉ（１１１）＞０．１であ
る。また、図１にｆｃｃと表示してあるものは、Ｉ（１
１０）／Ｉ（１１１）＝０である。
【００６１】また、組成とＨc との関係を説明するため
に選択したサンプルを、図２および図３に示す。図２の
三元組成図には、Ｈc が０．３ Oe 以下のサンプルをプ
ロットし、図２にプロットしたサンプルのうちＨc が
０．２ Oe 以下のものを、図３の三元組成図にプロット
した。図２および図３にはＣｏ＝０のサンプルもプロッ
トされているが、これらはパーマロイ組成であり、Ｂs
が１０kG未満と低かった。一方、３成分系である本発明
のサンプルは、Ｂs が１３〜２０kGと極めて高かった。
に選択したサンプルを、図２および図３に示す。図２の
三元組成図には、Ｈc が０．３ Oe 以下のサンプルをプ
ロットし、図２にプロットしたサンプルのうちＨc が
０．２ Oe 以下のものを、図３の三元組成図にプロット
した。図２および図３にはＣｏ＝０のサンプルもプロッ
トされているが、これらはパーマロイ組成であり、Ｂs
が１０kG未満と低かった。一方、３成分系である本発明
のサンプルは、Ｂs が１３〜２０kGと極めて高かった。
【００６２】図３にプロットした本発明のサンプルの一
例について、詳しい特性を以下に示す。
例について、詳しい特性を以下に示す。
【００６３】膜組成 Ｃｏ＝４０wt% 、Ｆｅ＝２８wt%
、Ｎｉ＝３２wt%結晶相 ｆｃｃ相＋微量のｂｃｃ相面配向比 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）＝０．１９、Ｉ
（１１０）／Ｉ（１１１）＝０アニール後の磁気特性 Ｈc ＝０．０５Oe、Ｂs ＝１７
kG、Ｈｋ＝５Oe、μ＝３５００ なお、ｂｃｃ相は、加速電圧２００kV、制限視野５μm
の電子線回折により確認した。
、Ｎｉ＝３２wt%結晶相 ｆｃｃ相＋微量のｂｃｃ相面配向比 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）＝０．１９、Ｉ
（１１０）／Ｉ（１１１）＝０アニール後の磁気特性 Ｈc ＝０．０５Oe、Ｂs ＝１７
kG、Ｈｋ＝５Oe、μ＝３５００ なお、ｂｃｃ相は、加速電圧２００kV、制限視野５μm
の電子線回折により確認した。
【００６４】上記サンプル中のＣ含有量は８５０ppm 、
Ｓ含有量は５５０ppm であった。
Ｓ含有量は５５０ppm であった。
【００６５】＜実施例２＞Ｃｏ＝３８wt% 、Ｆｅ＝２８
wt% 、Ｎｉ＝３４wt% を含む薄膜サンプルを実施例１と
同様にして形成した。次いで、表１に示す保持温度でア
ニールを施した。保持温度以外のアニール条件は、実施
例１と同様とした。アニール後の各サンプルについてＸ
線回折を行ない、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）およびＩ
（１１０）／Ｉ（１１１）を求め、また、電子線回折を
行なって、ｂｃｃ相の有無を調べた。Ｘ線回折および電
子線回折の条件は、実施例１と同様とした。さらに、こ
れらのサンプルのＨc を測定した。なお、比較のため
に、アニールを施さなかったサンプルについても同様な
測定を行なった。結果を表１に示す。
wt% 、Ｎｉ＝３４wt% を含む薄膜サンプルを実施例１と
同様にして形成した。次いで、表１に示す保持温度でア
ニールを施した。保持温度以外のアニール条件は、実施
例１と同様とした。アニール後の各サンプルについてＸ
線回折を行ない、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）およびＩ
（１１０）／Ｉ（１１１）を求め、また、電子線回折を
行なって、ｂｃｃ相の有無を調べた。Ｘ線回折および電
子線回折の条件は、実施例１と同様とした。さらに、こ
れらのサンプルのＨc を測定した。なお、比較のため
に、アニールを施さなかったサンプルについても同様な
測定を行なった。結果を表１に示す。
【００６６】
【表１】
【００６７】表１から、Ｘ線回折においてＩ（１１０）
／Ｉ（１１１）＝０となりｆｃｃ単相と判断されるもの
でも、電子線回折によりｆｃｃ＋ｂｃｃであることが確
認できることがわかる。そして、ｂｃｃ相が存在し、か
つＩ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１である場合、極
めて低いＨc が得られることがわかる。
／Ｉ（１１１）＝０となりｆｃｃ単相と判断されるもの
でも、電子線回折によりｆｃｃ＋ｂｃｃであることが確
認できることがわかる。そして、ｂｃｃ相が存在し、か
つＩ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１である場合、極
めて低いＨc が得られることがわかる。
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、低Ｈc で高Ｂs の軟磁
性薄膜が得られる。
性薄膜が得られる。
【図１】結晶相および面配向比に対するＨc の依存性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図２】低Ｈc が得られる膜組成の範囲を示す三元組成
図である。
図である。
【図３】低Ｈc が得られる膜組成の範囲を示す三元組成
図である。
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 雄一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方
晶相からなり、Ｘ線回折における面心立方晶（２００）
面のピーク強度および面心立方晶（１１１）面のピーク
強度をそれぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）とした
とき、 ０．１≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 ＣｏとＮｉとＦｅとを含有し、面心立方
晶相を主とし、微量の体心立方晶相を含み、Ｘ線回折に
おける面心立方晶（２００）面のピーク強度、面心立方
晶（１１１）面のピーク強度および体心立方晶（１１
０）面のピーク強度をそれぞれＩ（２００）、Ｉ（１１
１）およびＩ（１１０）としたとき、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≧０．１かつ Ｉ（１１０）／Ｉ（１１１）≦０．１ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項３】 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．２ である請求項２の軟磁性薄膜。
- 【請求項４】 電気めっき法により形成され、形成直後
には面心立方晶単相であり、熱処理により体心立方晶相
を共析したものである請求項２または３の軟磁性薄膜。 - 【請求項５】 前記熱処理の際の温度が２４０〜３７０
℃である請求項４の軟磁性薄膜。 - 【請求項６】 ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、
ｂおよびｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率
（wt% ）を表し、 ａ＝２８〜７５wt% 、 ｂ＝１６〜６０wt% 、 ｃ＝９〜４２wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する請求項１
ないし５のいずれかの軟磁性薄膜。 - 【請求項７】 ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、
ｂおよびｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率
（wt% ）を表し、 ａ＝３０〜６０wt% 、 ｂ＝２０〜５０wt% 、 ｃ＝１０〜４０wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する請求項６
の軟磁性薄膜。 - 【請求項８】 ａＣｏ−ｂＮｉ−ｃＦｅ［ここで、ａ、
ｂおよびｃは、それぞれＣｏ、ＮｉおよびＦｅの比率
（wt% ）を表し、 ａ＝３５〜４５wt% 、 ｂ＝２５〜３５wt% 、 ｃ＝２５〜３５wt% 、および ａ＋ｂ＋ｃ＝１００wt% の関係を満足する。］で表される組成を有する請求項７
の軟磁性薄膜。 - 【請求項９】 Ｃｏイオン、ＮｉイオンおよびＦｅイオ
ンを含有し、ｐＨ２〜１０、温度１０〜８０℃のめっき
浴を用い、電流密度０．５〜４．０A/dm2 の条件で電気
めっき法により作製した請求項１ないし８のいずれかの
軟磁性薄膜。 - 【請求項１０】 パーマロイを下地膜として作製した請
求項９の軟磁性薄膜。 - 【請求項１１】 保磁力が０．５Oe以下で、飽和磁束密
度が１３kG以上である請求項１ないし１０のいずれかの
軟磁性薄膜。 - 【請求項１２】 保磁力が０．３Oe以下である請求項１
１の軟磁性薄膜。 - 【請求項１３】 保磁力が０．２Oe以下である請求項１
２の軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23553793A JP3201892B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-08-27 | 軟磁性薄膜とそれを用いた磁気インダクティブｍｒヘッド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-120847 | 1993-04-23 | ||
| JP12084793 | 1993-04-23 | ||
| JP23553793A JP3201892B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-08-27 | 軟磁性薄膜とそれを用いた磁気インダクティブｍｒヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH073489A true JPH073489A (ja) | 1995-01-06 |
| JP3201892B2 JP3201892B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=26458353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23553793A Expired - Fee Related JP3201892B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-08-27 | 軟磁性薄膜とそれを用いた磁気インダクティブｍｒヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201892B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466416B1 (en) | 1999-08-11 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Magnetic head, method for making the same and magnetic recording/reproducing device using the same |
| JP2003034891A (ja) * | 2001-05-18 | 2003-02-07 | Headway Technologies Inc | コバルト鉄系合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方法 |
| US6661606B2 (en) | 1995-02-03 | 2003-12-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk apparatus with magnetic head having upper and lower magnetic cores of an electroplated thin film |
| US6723449B2 (en) | 2000-12-07 | 2004-04-20 | Hitachi, Ltd. | Structure and plating method of thin film magnetic head and magnetic storage apparatus |
| US6791794B2 (en) | 2000-09-28 | 2004-09-14 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
| US6795271B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-09-21 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
| KR100475756B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2005-03-10 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 자성 박막의 제조 방법 및 자성 박막을 제조하기 위한 전해 도금 장치 |
| JP2006210744A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
| US7267757B2 (en) | 2002-11-01 | 2007-09-11 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head utilizing a CoNiFe alloy with 60-80 weight percent Fe and method for production therefor |
| US7679860B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-03-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thin film magnetic head with layer having high saturation magnetic flux density, and magnetic storage apparatus |
| WO2019092829A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | シャープ株式会社 | マスクの製造方法 |
| JP2019136753A (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 株式会社野村鍍金 | コバルト−ニッケル合金材料、それを用いた連続鋳造用鋳型およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP23553793A patent/JP3201892B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661606B2 (en) | 1995-02-03 | 2003-12-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk apparatus with magnetic head having upper and lower magnetic cores of an electroplated thin film |
| US6466416B1 (en) | 1999-08-11 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Magnetic head, method for making the same and magnetic recording/reproducing device using the same |
| US7023659B2 (en) | 1999-09-30 | 2006-04-04 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
| US6795271B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-09-21 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
| US7173793B2 (en) | 2000-01-05 | 2007-02-06 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
| KR100475756B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2005-03-10 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 자성 박막의 제조 방법 및 자성 박막을 제조하기 위한 전해 도금 장치 |
| US6791794B2 (en) | 2000-09-28 | 2004-09-14 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
| US6723449B2 (en) | 2000-12-07 | 2004-04-20 | Hitachi, Ltd. | Structure and plating method of thin film magnetic head and magnetic storage apparatus |
| US7150819B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-12-19 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Structure and plating method of thin film magnetic head and magnetic storage apparatus |
| JP2003034891A (ja) * | 2001-05-18 | 2003-02-07 | Headway Technologies Inc | コバルト鉄系合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方法 |
| US7267757B2 (en) | 2002-11-01 | 2007-09-11 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head utilizing a CoNiFe alloy with 60-80 weight percent Fe and method for production therefor |
| JP2006210744A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
| JP4635626B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-02-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 軟磁性膜の製造方法及び磁気ヘッドの製造方法 |
| US7679860B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-03-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thin film magnetic head with layer having high saturation magnetic flux density, and magnetic storage apparatus |
| WO2019092829A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | シャープ株式会社 | マスクの製造方法 |
| JP2019136753A (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 株式会社野村鍍金 | コバルト−ニッケル合金材料、それを用いた連続鋳造用鋳型およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3201892B2 (ja) | 2001-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7192662B2 (en) | Ultra high saturation moment soft magnetic thin film | |
| Andricacos et al. | Future directions in electroplated materials for thin-film recording heads | |
| EP0243627B1 (en) | Electro-deposited conife alloy for thin film heads | |
| JP3229718B2 (ja) | 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜 | |
| JP2544845B2 (ja) | 磁性薄膜、ラミネ―ト、磁気記録ヘッドおよび磁気遮蔽体ならびにラミネ―トの製造方法 | |
| JPH0443989B2 (ja) | ||
| JP3201892B2 (ja) | 軟磁性薄膜とそれを用いた磁気インダクティブｍｒヘッド | |
| JP2007302998A (ja) | 電気めっき層の磁気特性制御方法、磁性層の電気めっき方法、磁性層の製造方法、磁気ヘッドの製造方法およびそれに用いるめっき浴 | |
| JP3102505B2 (ja) | 軟磁性多層めっき膜の製造方法および軟磁性多層めっき膜ならびに磁気ヘッド | |
| JP3211815B2 (ja) | 軟質磁性薄膜及びその製造方法 | |
| JP3298930B2 (ja) | 磁性薄膜の製造方法 | |
| JP3201763B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH0765228B2 (ja) | 高磁束密度４元系合金電着薄膜の製造方法 | |
| JP3826323B2 (ja) | めっき磁性薄膜の製造方法 | |
| JP3233963B2 (ja) | 磁性薄膜およびその製造方法 | |
| EP1821289A2 (en) | Soft magnetic thin film, method of producing the same, and magnetic head | |
| JP3514800B2 (ja) | 軟磁性薄膜およびその製造方法 | |
| JPH06251978A (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法および軟磁性薄膜 | |
| JPH08236349A (ja) | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気デバイス | |
| JP2003059717A (ja) | 軟磁性膜と薄膜磁気ヘッドとこれらの製造方法 | |
| JP3432667B2 (ja) | 高密度磁気記録ヘッド用軟磁性薄膜 | |
| JP2003022909A (ja) | 磁性薄膜とその製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH0372611A (ja) | 無電解めっき軟磁性薄膜 | |
| Ramasubramanian et al. | Electrodeposition and performance evaluation of high moment nickel-iron films | |
| JP2633326B2 (ja) | 高飽和磁束密度合金薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010605 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080622 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090622 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090622 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |