JP3211815B2 - 軟質磁性薄膜及びその製造方法 - Google Patents
軟質磁性薄膜及びその製造方法Info
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記憶装置用複
合型磁気ヘッドの磁極材料等として有効に用いられる軟
質磁性薄膜及びその製造方法に関する。
合型磁気ヘッドの磁極材料等として有効に用いられる軟
質磁性薄膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記憶装置に搭載される磁気ヘッドに
おいては、高密度な磁気記録を行うため、ますます強く
かつ急峻でありかつ高速に変化する書き込み磁界を発生
する必要が生じている。
おいては、高密度な磁気記録を行うため、ますます強く
かつ急峻でありかつ高速に変化する書き込み磁界を発生
する必要が生じている。
【０００３】近年の磁気ディスク装置では、再生用の磁
気抵抗効果素子と記録用のインダクティブヘッド素子を
有する複合型薄膜磁気ヘッドが、再生と記録に各々の素
子を最適化できるため主力になっている。
気抵抗効果素子と記録用のインダクティブヘッド素子を
有する複合型薄膜磁気ヘッドが、再生と記録に各々の素
子を最適化できるため主力になっている。
【０００４】書き込み磁界を強くするためには、インダ
クティブヘッド素子の磁性層材料は、飽和磁束密度の高
い磁性材料でなければならない。また、この磁性材料は
書き込みコイルに電流を流すことで容易に励磁される必
要があり、そのためには保磁力が小さく、透磁率の高い
磁性材料、即ち良好な軟質磁性材料である必要がある。
クティブヘッド素子の磁性層材料は、飽和磁束密度の高
い磁性材料でなければならない。また、この磁性材料は
書き込みコイルに電流を流すことで容易に励磁される必
要があり、そのためには保磁力が小さく、透磁率の高い
磁性材料、即ち良好な軟質磁性材料である必要がある。
【０００５】更に、従来、薄膜ヘッドの磁気コアとして
用いられてきた電気めっきパーマロイ膜（Ｎｉ含有量８
２％）の電気抵抗率は２０×１０-6Ωｃｍ程度であり、
３μｍ程度に薄膜化しても周波数１００ＭＨｚ以上では
渦電流の影響が大きくなりすぎて磁化変化が追随できず
書き込み能力が急速に低下する。渦電流を抑制するため
には、磁性体の電気抵抗率を大きくする必要がある。
用いられてきた電気めっきパーマロイ膜（Ｎｉ含有量８
２％）の電気抵抗率は２０×１０-6Ωｃｍ程度であり、
３μｍ程度に薄膜化しても周波数１００ＭＨｚ以上では
渦電流の影響が大きくなりすぎて磁化変化が追随できず
書き込み能力が急速に低下する。渦電流を抑制するため
には、磁性体の電気抵抗率を大きくする必要がある。
【０００６】上記パーマロイの飽和磁束密度は０．９〜
１．０テスラ（Ｔ）程度であるが、これより飽和磁束密
度の高い良好な軟質磁性材料を用いれば、書き込み磁界
がより強くて急峻な磁気ヘッドを作ることができる。
１．０テスラ（Ｔ）程度であるが、これより飽和磁束密
度の高い良好な軟質磁性材料を用いれば、書き込み磁界
がより強くて急峻な磁気ヘッドを作ることができる。
【０００７】パーマロイ以上の飽和磁束密度を持った磁
気ヘッド用軟質磁性材料として、これまで種々の材料が
提案されている。特に、コバルト・鉄・ニッケル三元系
合金膜は保磁力、磁歪定数が小さく、また高い飽和磁束
密度が得られることから、その組成及び製造方法につい
て検討がなされている。
気ヘッド用軟質磁性材料として、これまで種々の材料が
提案されている。特に、コバルト・鉄・ニッケル三元系
合金膜は保磁力、磁歪定数が小さく、また高い飽和磁束
密度が得られることから、その組成及び製造方法につい
て検討がなされている。
【０００８】例えば、特開平５−２６３１７０号公報に
はコバルトが６０〜９０重量％、鉄が３〜９重量％、ニ
ッケルが５〜１５重量％であるコバルト・鉄・ニッケル
の電気めっき膜が提案されている。
はコバルトが６０〜９０重量％、鉄が３〜９重量％、ニ
ッケルが５〜１５重量％であるコバルト・鉄・ニッケル
の電気めっき膜が提案されている。
【０００９】特開平８−２４１５０３号公報では、コバ
ルトが６０〜８０重量％、鉄が８〜２５重量％、ニッケ
ルが１５〜２５重量％であるコバルト・鉄・ニッケルの
電気めっき膜が提案されている。
ルトが６０〜８０重量％、鉄が８〜２５重量％、ニッケ
ルが１５〜２５重量％であるコバルト・鉄・ニッケルの
電気めっき膜が提案されている。
【００１０】特開平８−３２１０１０号公報では、コバ
ルトが６０〜７５重量％、鉄が３〜９重量％、ニッケル
が１７〜２５重量％であるコバルト・鉄・ニッケルの電
気めっき膜が提案されている。
ルトが６０〜７５重量％、鉄が３〜９重量％、ニッケル
が１７〜２５重量％であるコバルト・鉄・ニッケルの電
気めっき膜が提案されている。
【００１１】また、特許第２８２１４５６号公報では、
コバルトが４０〜７０重量％、鉄が２０〜４０重量％、
及びニッケルが１０〜２０重量％であるコバルト・鉄・
ニッケルの電気めっき膜が提案されている。
コバルトが４０〜７０重量％、鉄が２０〜４０重量％、
及びニッケルが１０〜２０重量％であるコバルト・鉄・
ニッケルの電気めっき膜が提案されている。
【００１２】これらの従来例の中で、特に特許第２８２
１４５６号公報に基づいて作製されたコバルト・鉄・ニ
ッケル膜は、１．９〜２．１Ｔという高い飽和磁束密度
を持ち、保磁力及び磁歪定数も小さいため、非常に優れ
た磁気ヘッド材料になる。しかし、このコバルト・鉄・
ニッケル膜の電気抵抗率はパーマロイと同等の２０×１
０-6Ωｃｍ程度である。
１４５６号公報に基づいて作製されたコバルト・鉄・ニ
ッケル膜は、１．９〜２．１Ｔという高い飽和磁束密度
を持ち、保磁力及び磁歪定数も小さいため、非常に優れ
た磁気ヘッド材料になる。しかし、このコバルト・鉄・
ニッケル膜の電気抵抗率はパーマロイと同等の２０×１
０-6Ωｃｍ程度である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】十分な書き込み能力を
保つため膜厚を３μｍ程度にした記録ヘッドにおいて、
１００ＭＨｚ以上での書き込みを可能にするためには、
電気抵抗率を高くして高周波での渦電流損失を減らす必
要がある。
保つため膜厚を３μｍ程度にした記録ヘッドにおいて、
１００ＭＨｚ以上での書き込みを可能にするためには、
電気抵抗率を高くして高周波での渦電流損失を減らす必
要がある。
【００１４】本発明は、このような問題点を克服するた
めのものであり、電気抵抗率が５０×１０-6Ωｃｍ以上
であり、保磁力及び磁歪定数が小さく、かつ１．６Ｔ以
上、特に１．７Ｔ以上の飽和磁束密度を持つ軟質磁性薄
膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
めのものであり、電気抵抗率が５０×１０-6Ωｃｍ以上
であり、保磁力及び磁歪定数が小さく、かつ１．６Ｔ以
上、特に１．７Ｔ以上の飽和磁束密度を持つ軟質磁性薄
膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意検討を行った結果、コバルト含有量が
４０〜７０重量％、鉄含有量が２０〜４０重量％、ニッ
ケル含有量が５〜２０重量％の磁性薄膜に、更に炭素を
０．０２〜０．１重量％含有させることにより、高い飽
和磁束密度と優れた軟質磁気特性と高い電気抵抗率を兼
ね備えた磁性薄膜が得られること、そしてかかる磁性薄
膜は、水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）塩、水溶性
ニッケル塩を含有する磁性薄膜形成用の電気めっき浴に
対し、ジエチレントリアミン（ＤＴＡ）、アラニン等の
分子内にアミノ基を有する有機化合物を添加して電気め
っきを行うことによりＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金めっき皮膜
中に炭素が導入され、これによって容易に得ることがで
きることを知見した。またこの場合、上記磁性薄膜はイ
オウ含有量が０．１重量％以下であることが特性上より
好ましく、このような磁性薄膜は、上記分子内にアミノ
基を有する有機化合物を添加しためっき浴において、イ
オウ元素を界面活性剤以外には含まないめっき液を用い
て電気めっきすることにより、得ることができることを
知見した。更に、得られた薄膜を１００〜３００℃で熱
処理することにより、耐食性が向上することを知見し、
本発明をなすに至ったものである。
達成するため鋭意検討を行った結果、コバルト含有量が
４０〜７０重量％、鉄含有量が２０〜４０重量％、ニッ
ケル含有量が５〜２０重量％の磁性薄膜に、更に炭素を
０．０２〜０．１重量％含有させることにより、高い飽
和磁束密度と優れた軟質磁気特性と高い電気抵抗率を兼
ね備えた磁性薄膜が得られること、そしてかかる磁性薄
膜は、水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）塩、水溶性
ニッケル塩を含有する磁性薄膜形成用の電気めっき浴に
対し、ジエチレントリアミン（ＤＴＡ）、アラニン等の
分子内にアミノ基を有する有機化合物を添加して電気め
っきを行うことによりＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金めっき皮膜
中に炭素が導入され、これによって容易に得ることがで
きることを知見した。またこの場合、上記磁性薄膜はイ
オウ含有量が０．１重量％以下であることが特性上より
好ましく、このような磁性薄膜は、上記分子内にアミノ
基を有する有機化合物を添加しためっき浴において、イ
オウ元素を界面活性剤以外には含まないめっき液を用い
て電気めっきすることにより、得ることができることを
知見した。更に、得られた薄膜を１００〜３００℃で熱
処理することにより、耐食性が向上することを知見し、
本発明をなすに至ったものである。
【００１６】即ち、本発明は、 （１）水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）塩、水溶性
ニッケル塩を含有し、かつアミノ基を分子内に有する有
機添加剤を含むめっき浴を用いて電気めっきすることに
よって得られ、炭素含有量が０．０２〜０．１重量％で
あり、コバルト含有量が４０〜７０重量％、鉄含有量が
２０〜４０重量％、及びニッケル含有量が５〜２０重量
％である電気抵抗率が５０×１０-6Ωｃｍ以上のコバル
ト・鉄・ニッケル・炭素薄膜からなる軟質磁性薄膜、 （２）コバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜中のイオウ含
有量が０．１重量％以下であることを特徴とする上記
（１）のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜からなる軟
質磁性薄膜、 （３）１００〜３００℃の熱処理が施された上記（１）
又は（２）の軟質磁性薄膜。 （４）水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）塩、水溶性
ニッケル塩を含有し、かつアミノ基を分子内に有する有
機添加剤を含むめっき浴を用いて、電気めっきを行うこ
とを特徴とする上記（１）のコバルト・鉄・ニッケル・
炭素薄膜からなる軟質磁性薄膜の製造方法、 （５）水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）塩、水溶性
ニッケル塩を含有し、かつ有機添加剤としてジエチレン
トリアミン、αアラニン、βアラニン、グルタミン酸ナ
トリウム、グリシン、又はその他のアミノ基を分子内に
有する有機化合物を含み、イオウ元素は界面活性剤以外
には含まれないめっき浴を用いて、３〜２５ｍＡ／ｃｍ
2の範囲の陰極電流密度で電気めっきを行うことを特徴
とする上記 （２）のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜からなる軟
質磁性薄膜の製造方法、 （６）得られたコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜を、
１００〜３００℃で熱処理する上記（４）又は（５）の
製造方法を提供する。
ニッケル塩を含有し、かつアミノ基を分子内に有する有
機添加剤を含むめっき浴を用いて電気めっきすることに
よって得られ、炭素含有量が０．０２〜０．１重量％で
あり、コバルト含有量が４０〜７０重量％、鉄含有量が
２０〜４０重量％、及びニッケル含有量が５〜２０重量
％である電気抵抗率が５０×１０-6Ωｃｍ以上のコバル
ト・鉄・ニッケル・炭素薄膜からなる軟質磁性薄膜、 （２）コバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜中のイオウ含
有量が０．１重量％以下であることを特徴とする上記
（１）のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜からなる軟
質磁性薄膜、 （３）１００〜３００℃の熱処理が施された上記（１）
又は（２）の軟質磁性薄膜。 （４）水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）塩、水溶性
ニッケル塩を含有し、かつアミノ基を分子内に有する有
機添加剤を含むめっき浴を用いて、電気めっきを行うこ
とを特徴とする上記（１）のコバルト・鉄・ニッケル・
炭素薄膜からなる軟質磁性薄膜の製造方法、 （５）水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）塩、水溶性
ニッケル塩を含有し、かつ有機添加剤としてジエチレン
トリアミン、αアラニン、βアラニン、グルタミン酸ナ
トリウム、グリシン、又はその他のアミノ基を分子内に
有する有機化合物を含み、イオウ元素は界面活性剤以外
には含まれないめっき浴を用いて、３〜２５ｍＡ／ｃｍ
2の範囲の陰極電流密度で電気めっきを行うことを特徴
とする上記 （２）のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜からなる軟
質磁性薄膜の製造方法、 （６）得られたコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜を、
１００〜３００℃で熱処理する上記（４）又は（５）の
製造方法を提供する。
【００１７】本発明の磁性薄膜の製造方法によれば、コ
バルト含有量が４０〜７０重量％、鉄含有量が２０〜４
０重量％、ニッケル含有量が５〜２０重量％、炭素含有
量が０．０２〜０．１重量％の磁性薄膜を製造すること
ができる。この磁性薄膜は、１．６〜２．１テスラとい
う高い飽和磁束密度と、保磁力４エルステッド以下、特
に３エルステッド以下という優れた軟質磁気特性と、５
０×１０-6Ωｃｍ以上、最高値として約１００×１０-6
Ωｃｍという高い電気抵抗率を持つ。従って、この軟質
磁性薄膜を磁気コアに使った磁気ヘッドは、従来のヘッ
ドに比べ発生磁界及び磁界勾配を大きくでき、かつ高い
周波数での書き込みが可能になるため、高速かつ高記録
密度の磁気記憶装置を提供することができる。
バルト含有量が４０〜７０重量％、鉄含有量が２０〜４
０重量％、ニッケル含有量が５〜２０重量％、炭素含有
量が０．０２〜０．１重量％の磁性薄膜を製造すること
ができる。この磁性薄膜は、１．６〜２．１テスラとい
う高い飽和磁束密度と、保磁力４エルステッド以下、特
に３エルステッド以下という優れた軟質磁気特性と、５
０×１０-6Ωｃｍ以上、最高値として約１００×１０-6
Ωｃｍという高い電気抵抗率を持つ。従って、この軟質
磁性薄膜を磁気コアに使った磁気ヘッドは、従来のヘッ
ドに比べ発生磁界及び磁界勾配を大きくでき、かつ高い
周波数での書き込みが可能になるため、高速かつ高記録
密度の磁気記憶装置を提供することができる。
【００１８】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の磁性薄膜は、上述したように、コバルト含有量
が４０〜７０重量％、鉄含有量が２０〜４０重量％、ニ
ッケル含有量が５〜２０重量％、炭素含有量が０．０２
〜０．１重量％である。この場合、この磁性薄膜中のイ
オウ含有量は０．３重量％以下、特に０．１重量％以下
であることが好ましい。かかる組成範囲において、上述
した本発明の目的を有利に達成することができる。
本発明の磁性薄膜は、上述したように、コバルト含有量
が４０〜７０重量％、鉄含有量が２０〜４０重量％、ニ
ッケル含有量が５〜２０重量％、炭素含有量が０．０２
〜０．１重量％である。この場合、この磁性薄膜中のイ
オウ含有量は０．３重量％以下、特に０．１重量％以下
であることが好ましい。かかる組成範囲において、上述
した本発明の目的を有利に達成することができる。
【００１９】上記磁性薄膜は、電気めっき法によって形
成することができる。この場合、電気めっき浴として
は、硫酸コバルト等の水溶性コバルト塩、硫酸鉄（Ｉ
Ｉ）等の水溶性鉄（ＩＩ）塩、硫酸ニッケル等の水溶性
ニッケル塩を含むＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金電気めっき浴に
分子内にアミノ基を有する有機化合物を添加したものが
使用される。上記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金電気めっき浴の
組成は、公知の浴組成とすることができ、水溶性コバル
ト塩、鉄（ＩＩ）塩、ニッケル塩の濃度は、上記薄膜中
のコバルト含有量、鉄含有量、ニッケル含有量が上記範
囲になる有効量であり、適宜選定すればよいが、一般的
には、めっき浴中のコバルト塩濃度は０．００５〜０．
００７モル／リットル、鉄（ＩＩ）塩濃度は０．００５
〜０．０２モル／リットル、ニッケル塩濃度は０．１〜
０．３モル／リットルである。
成することができる。この場合、電気めっき浴として
は、硫酸コバルト等の水溶性コバルト塩、硫酸鉄（Ｉ
Ｉ）等の水溶性鉄（ＩＩ）塩、硫酸ニッケル等の水溶性
ニッケル塩を含むＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金電気めっき浴に
分子内にアミノ基を有する有機化合物を添加したものが
使用される。上記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金電気めっき浴の
組成は、公知の浴組成とすることができ、水溶性コバル
ト塩、鉄（ＩＩ）塩、ニッケル塩の濃度は、上記薄膜中
のコバルト含有量、鉄含有量、ニッケル含有量が上記範
囲になる有効量であり、適宜選定すればよいが、一般的
には、めっき浴中のコバルト塩濃度は０．００５〜０．
００７モル／リットル、鉄（ＩＩ）塩濃度は０．００５
〜０．０２モル／リットル、ニッケル塩濃度は０．１〜
０．３モル／リットルである。
【００２０】上記めっき浴には、有機添加剤としてアミ
ノ基を分子内に有する水溶性有機化合物を添加する。こ
の有機化合物としては、ジエチレントリアミン、αアラ
ニン、βアラニン、グルタミン酸又はそのナトリウム塩
等の水溶性塩、グリシンなどが挙げられるが、これらに
限定されるものではない。なお、この分子内にアミノ基
を有する有機化合物は、イオウ元素を含まないものが好
ましい。
ノ基を分子内に有する水溶性有機化合物を添加する。こ
の有機化合物としては、ジエチレントリアミン、αアラ
ニン、βアラニン、グルタミン酸又はそのナトリウム塩
等の水溶性塩、グリシンなどが挙げられるが、これらに
限定されるものではない。なお、この分子内にアミノ基
を有する有機化合物は、イオウ元素を含まないものが好
ましい。
【００２１】上記分子内にアミノ基を有する有機化合物
は、本発明の磁性薄膜を製造する際に、炭素供給源とな
るものであり、その添加量は、上記磁性薄膜中の炭素含
有量を与える有効量であるが、通常、めっき浴中０．０
０５〜０．１８モル／リットル、特に０．０１〜０．１
モル／リットルである。
は、本発明の磁性薄膜を製造する際に、炭素供給源とな
るものであり、その添加量は、上記磁性薄膜中の炭素含
有量を与える有効量であるが、通常、めっき浴中０．０
０５〜０．１８モル／リットル、特に０．０１〜０．１
モル／リットルである。
【００２２】本発明に用いるめっき浴には、塩化アンモ
ニウム等の導電性塩、ドデシル硫酸ナトリウム等の界面
活性剤、ホウ酸等のｐＨ緩衝剤などの適宜な成分を公知
な浴と同様に常用量で添加することができるが、イオウ
元素を含む添加剤、例えばサッカリンナトリウム等のイ
オウ元素を含有する応力緩和剤を配合しないことが好ま
しく、イオウ元素は界面活性剤以外には含まれないめっ
き浴を用いることが有効である。
ニウム等の導電性塩、ドデシル硫酸ナトリウム等の界面
活性剤、ホウ酸等のｐＨ緩衝剤などの適宜な成分を公知
な浴と同様に常用量で添加することができるが、イオウ
元素を含む添加剤、例えばサッカリンナトリウム等のイ
オウ元素を含有する応力緩和剤を配合しないことが好ま
しく、イオウ元素は界面活性剤以外には含まれないめっ
き浴を用いることが有効である。
【００２３】即ち、一般に、コバルト・鉄・ニッケル三
元系合金においては、ニッケルの磁気モーメントへの寄
与が鉄及びコバルトに比べて小さいため、ニッケルの含
有量が少ない組成の方が、飽和磁束密度が大きくなる。
その結果、サッカリンナトリウム等のイオウ元素を含有
する応力緩和の添加剤を含まないめっき浴を用いて作製
したコバルト・鉄・ニッケル三元系合金膜において良好
な軟磁性が得られる組成での飽和磁束密度は、サッカリ
ンナトリウムを応力緩和の有機添加剤として含むめっき
浴を用いて作製したコバルト・鉄・ニッケル三元系合金
膜組成において良好な軟質磁気特性が得られる組成での
飽和磁束密度に比べて大きな値が得られるものである。
元系合金においては、ニッケルの磁気モーメントへの寄
与が鉄及びコバルトに比べて小さいため、ニッケルの含
有量が少ない組成の方が、飽和磁束密度が大きくなる。
その結果、サッカリンナトリウム等のイオウ元素を含有
する応力緩和の添加剤を含まないめっき浴を用いて作製
したコバルト・鉄・ニッケル三元系合金膜において良好
な軟磁性が得られる組成での飽和磁束密度は、サッカリ
ンナトリウムを応力緩和の有機添加剤として含むめっき
浴を用いて作製したコバルト・鉄・ニッケル三元系合金
膜組成において良好な軟質磁気特性が得られる組成での
飽和磁束密度に比べて大きな値が得られるものである。
【００２４】本発明に用いるめっき浴は酸性であり、そ
のｐＨは適宜選定されるが、通常、ｐＨ１．５〜３．０
である。
のｐＨは適宜選定されるが、通常、ｐＨ１．５〜３．０
である。
【００２５】上記めっき浴を用いて本発明のコバルト・
鉄・ニッケル・炭素薄膜（磁性薄膜）を電気めっきする
方法としては、常法が採用されるが、めっき温度は１５
〜４０℃にて行うことができ、また陰極電流密度は３〜
２５ｍＡ／ｃｍ2であることが好ましい。なお、めっき
浴はパドル撹拌法などの適宜な方法で撹拌することがで
きる。
鉄・ニッケル・炭素薄膜（磁性薄膜）を電気めっきする
方法としては、常法が採用されるが、めっき温度は１５
〜４０℃にて行うことができ、また陰極電流密度は３〜
２５ｍＡ／ｃｍ2であることが好ましい。なお、めっき
浴はパドル撹拌法などの適宜な方法で撹拌することがで
きる。
【００２６】なお、得られたコバルト・鉄・ニッケル・
炭素薄膜は、１００〜３００℃、特に２００〜２５０℃
程度で熱処理を行うことができ、これによって耐食性を
向上させることができる。この場合、熱処理時間は０．
５〜２時間とすることがよく、また熱処理雰囲気は、空
気中、窒素等の不活性ガス中、真空下などとすることが
できる。
炭素薄膜は、１００〜３００℃、特に２００〜２５０℃
程度で熱処理を行うことができ、これによって耐食性を
向上させることができる。この場合、熱処理時間は０．
５〜２時間とすることがよく、また熱処理雰囲気は、空
気中、窒素等の不活性ガス中、真空下などとすることが
できる。
【００２７】本発明の軟質磁性薄膜は、磁気記憶装置用
複合型磁気ヘッドの磁極材料として有効に使用すること
ができる。この場合、この磁気記憶装置用複合型磁気ヘ
ッドとしては公知の構成とすることができ、その磁性層
として本発明の磁性薄膜を用いることができる。なお、
その膜厚は適宜選定されるが、通常、０．１〜４．０μ
ｍの範囲である。
複合型磁気ヘッドの磁極材料として有効に使用すること
ができる。この場合、この磁気記憶装置用複合型磁気ヘ
ッドとしては公知の構成とすることができ、その磁性層
として本発明の磁性薄膜を用いることができる。なお、
その膜厚は適宜選定されるが、通常、０．１〜４．０μ
ｍの範囲である。
【００２８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、下記の例で、めっき薄膜は銅フォイル、Ｎｉ
Ｆｅ、チタン、ガラス板上に形成し、陽極には白金線を
使用した。また、めっき薄膜は１μｍとした。
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、下記の例で、めっき薄膜は銅フォイル、Ｎｉ
Ｆｅ、チタン、ガラス板上に形成し、陽極には白金線を
使用した。また、めっき薄膜は１μｍとした。
【００２９】［実施例１］まず、ジエチレントリアミン
を添加剤として用いた、コバルト・鉄・ニッケル・炭素
薄膜の製造について具体的に説明する。本発明のめっき
浴の組成及びめっき条件の一例を下記に示す。 （Ａ）応力緩和の添加剤を含まない本発明のめっき浴組成及びめっき条件の例浴組成 含有量 硫酸コバルト ０．０６〜０．０７モル／リットル 硫酸ニッケル ０．２０モル／リットル 硫酸鉄（ＩＩ） ０．００６〜０．０３５モル／リットル ホウ酸 ０．４モル／リットル 塩化アンモニウム ０．２８モル／リットル ジエチレントリアミン 図１〜５に示す量 ドデシル硫酸ナトリウム ０．０１ｇ／リットルめっき条件 浴温 ２０〜３０ ℃ 陰極電流密度 １０ ｍＡ／ｃｍ2 ｐＨ ２．８ 撹拌 パドル撹拌法
を添加剤として用いた、コバルト・鉄・ニッケル・炭素
薄膜の製造について具体的に説明する。本発明のめっき
浴の組成及びめっき条件の一例を下記に示す。 （Ａ）応力緩和の添加剤を含まない本発明のめっき浴組成及びめっき条件の例浴組成 含有量 硫酸コバルト ０．０６〜０．０７モル／リットル 硫酸ニッケル ０．２０モル／リットル 硫酸鉄（ＩＩ） ０．００６〜０．０３５モル／リットル ホウ酸 ０．４モル／リットル 塩化アンモニウム ０．２８モル／リットル ジエチレントリアミン 図１〜５に示す量 ドデシル硫酸ナトリウム ０．０１ｇ／リットルめっき条件 浴温 ２０〜３０ ℃ 陰極電流密度 １０ ｍＡ／ｃｍ2 ｐＨ ２．８ 撹拌 パドル撹拌法
【００３０】図１は、上記（Ａ）の条件で作製した本発
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、めっ
き液へのジエチレントリアミン添加量と、めっき膜中の
コバルト、鉄、及びニッケルの含有量の関係を示す。ジ
エチレントリアミンの添加量を０ｇ／リットルから８ｇ
／リットルに増やすことで、めっき膜中のコバルト含有
量は５６重量％から６０重量％に増加し、鉄含有量は３
２重量％から２４重量％に減少する。
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、めっ
き液へのジエチレントリアミン添加量と、めっき膜中の
コバルト、鉄、及びニッケルの含有量の関係を示す。ジ
エチレントリアミンの添加量を０ｇ／リットルから８ｇ
／リットルに増やすことで、めっき膜中のコバルト含有
量は５６重量％から６０重量％に増加し、鉄含有量は３
２重量％から２４重量％に減少する。
【００３１】図２は、上記（Ａ）の条件で作製した本発
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜の中で、元素比
をコバルト：ニッケル：鉄＝５５〜５７：１２〜１３：
３０〜３１とした場合における、めっき液へのジエチレ
ントリアミン添加量と、めっき膜中の炭素含有量の関係
を示す。ジエチレントリアミン添加量を１ｇ／リットル
以上にすると炭素含有量が０．０４重量％以上（０．１
７ａｔ％以上）になる。
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜の中で、元素比
をコバルト：ニッケル：鉄＝５５〜５７：１２〜１３：
３０〜３１とした場合における、めっき液へのジエチレ
ントリアミン添加量と、めっき膜中の炭素含有量の関係
を示す。ジエチレントリアミン添加量を１ｇ／リットル
以上にすると炭素含有量が０．０４重量％以上（０．１
７ａｔ％以上）になる。
【００３２】図３は、上記（Ａ）の条件で作製した本発
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、ジエ
チレントリアミン添加量と膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）の
関係を示す。ジエチレントリアミン添加量１３ｇ／リッ
トルまでは、添加量と飽和磁束密度との間には明確な関
係は見られないが、どのめっき膜も１．９Ｔ以上の高い
飽和磁束密度を示す。
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、ジエ
チレントリアミン添加量と膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）の
関係を示す。ジエチレントリアミン添加量１３ｇ／リッ
トルまでは、添加量と飽和磁束密度との間には明確な関
係は見られないが、どのめっき膜も１．９Ｔ以上の高い
飽和磁束密度を示す。
【００３３】図４は、上記（Ａ）の条件で作製した本発
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、ジエ
チレントリアミン添加量と膜の保磁力の関係を示す。ジ
エチレントリアミン添加量４ｇ／リットルまでは、添加
量と保磁力との間には明確な関係は見られず、どのめっ
き膜も２エルステッド以下の小さい保磁力を示す。更に
添加量１７ｇ／リットルまでは５エルステッド以下の保
磁力を示す。
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、ジエ
チレントリアミン添加量と膜の保磁力の関係を示す。ジ
エチレントリアミン添加量４ｇ／リットルまでは、添加
量と保磁力との間には明確な関係は見られず、どのめっ
き膜も２エルステッド以下の小さい保磁力を示す。更に
添加量１７ｇ／リットルまでは５エルステッド以下の保
磁力を示す。
【００３４】図５は、上記（Ａ）の条件で作製した本発
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、ジエ
チレントリアミン添加量と膜の電気抵抗率の関係を示
す。ジエチレントリアミン２ｇ／リットル添加で、７０
×１０-6Ωｃｍとなり、１２ｇ／リットル添加で１００
×１０-6Ωｃｍとなる。
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、ジエ
チレントリアミン添加量と膜の電気抵抗率の関係を示
す。ジエチレントリアミン２ｇ／リットル添加で、７０
×１０-6Ωｃｍとなり、１２ｇ／リットル添加で１００
×１０-6Ωｃｍとなる。
【００３５】このように、上記（Ａ）の条件においてジ
エチレントリアミンを添加することで、飽和磁束密度が
高くかつ優れた軟磁気特性を保ちながら、電気抵抗率を
高めることが可能になる。
エチレントリアミンを添加することで、飽和磁束密度が
高くかつ優れた軟磁気特性を保ちながら、電気抵抗率を
高めることが可能になる。
【００３６】［実施例２］次に、βアラニンを添加剤と
して用いた、コバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜の製造
について具体的に説明する。本発明のめっき浴の組成及
びめっき条件の一例を下記に示す。 （Ｂ）応力緩和の添加剤を含まない本発明のめっき浴組成及びめっき条件の例浴組成 含有量 硫酸コバルト ０．０６モル／リットル 硫酸ニッケル ０．２０モル／リットル 硫酸鉄（ＩＩ） ０．０１５モル／リットル ホウ酸 ０．４モル／リットル 塩化アンモニウム ０．２８モル／リットル βアラニン ０．０１〜０．１モル／リットル ドデシル硫酸ナトリウム ０．０１ｇ／リットルめっき条件 浴温 ２０〜３０℃ 陰極電流密度 ２０ｍＡ／ｃｍ2 ｐＨ ２．８ 撹拌 パドル撹拌法
して用いた、コバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜の製造
について具体的に説明する。本発明のめっき浴の組成及
びめっき条件の一例を下記に示す。 （Ｂ）応力緩和の添加剤を含まない本発明のめっき浴組成及びめっき条件の例浴組成 含有量 硫酸コバルト ０．０６モル／リットル 硫酸ニッケル ０．２０モル／リットル 硫酸鉄（ＩＩ） ０．０１５モル／リットル ホウ酸 ０．４モル／リットル 塩化アンモニウム ０．２８モル／リットル βアラニン ０．０１〜０．１モル／リットル ドデシル硫酸ナトリウム ０．０１ｇ／リットルめっき条件 浴温 ２０〜３０℃ 陰極電流密度 ２０ｍＡ／ｃｍ2 ｐＨ ２．８ 撹拌 パドル撹拌法
【００３７】図６は上記（Ｂ）の条件で作成した本発明
のコバルト・鉄・ニッケル炭素薄膜における、めっき液
へのβアラニン添加量と、めっき膜中のコバルト、鉄、
及びニッケルの含有量の関係を示す。βアラニンの添加
量を０モル／リットルから０．０８モル／リットルに増
やしても、めっき膜中のコバルト、鉄、ニッケルの含有
量はほとんど変化せず、０．１０モル／リットル添加し
た際に、コバルト含量が５６重量％から５８重量％へ、
それに伴い、ニッケル含量が１３重量％から１１重量％
へと変化する。
のコバルト・鉄・ニッケル炭素薄膜における、めっき液
へのβアラニン添加量と、めっき膜中のコバルト、鉄、
及びニッケルの含有量の関係を示す。βアラニンの添加
量を０モル／リットルから０．０８モル／リットルに増
やしても、めっき膜中のコバルト、鉄、ニッケルの含有
量はほとんど変化せず、０．１０モル／リットル添加し
た際に、コバルト含量が５６重量％から５８重量％へ、
それに伴い、ニッケル含量が１３重量％から１１重量％
へと変化する。
【００３８】図７は、上記（Ｂ）の条件で作製した本発
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、βア
ラニン添加量と膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）、及び保磁力
（Ｈｃ）の関係を示す。βアラニン添加量が０．０４モ
ル／リットルまでは、飽和磁束密度は２．０テスラ以上
であるが、それ以上の添加量ではＢｓが低下する。添加
量０．１モル／リットルまでは保磁力はほぼ２．０エル
ステッドである。このことから、０．１モル／リットル
程度までのβアラニン添加においては、どのめっき膜も
良好な軟磁気特性を示す。このときの炭素含有量は０．
０６モル／リットル添加で、０．１５アトミック％とな
る。
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、βア
ラニン添加量と膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）、及び保磁力
（Ｈｃ）の関係を示す。βアラニン添加量が０．０４モ
ル／リットルまでは、飽和磁束密度は２．０テスラ以上
であるが、それ以上の添加量ではＢｓが低下する。添加
量０．１モル／リットルまでは保磁力はほぼ２．０エル
ステッドである。このことから、０．１モル／リットル
程度までのβアラニン添加においては、どのめっき膜も
良好な軟磁気特性を示す。このときの炭素含有量は０．
０６モル／リットル添加で、０．１５アトミック％とな
る。
【００３９】図８は、上記（Ｂ）の条件で作製した本発
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、βア
ラニン添加量と膜の電気抵抗率の関係を示す。βアラニ
ン添加量０．０２モル／リットルまでは膜の電気抵抗率
は６５×１０-6Ωｃｍ程度まで、単調に増加する。０．
０２モル／リットルから０．０８モル／リットルまでの
添加では、膜の電気抵抗率に顕著な変化はみられない
が、βアラニン量を０．１モル／リットルまで増やす
と、再び電気抵抗率の増加がみられ、１００×１０ -6Ω
ｃｍ程度となる。
明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜における、βア
ラニン添加量と膜の電気抵抗率の関係を示す。βアラニ
ン添加量０．０２モル／リットルまでは膜の電気抵抗率
は６５×１０-6Ωｃｍ程度まで、単調に増加する。０．
０２モル／リットルから０．０８モル／リットルまでの
添加では、膜の電気抵抗率に顕著な変化はみられない
が、βアラニン量を０．１モル／リットルまで増やす
と、再び電気抵抗率の増加がみられ、１００×１０ -6Ω
ｃｍ程度となる。
【００４０】このように、上記（Ｂ）の条件においてβ
アラニンを添加することで、飽和磁束密度が高くかつ優
れた軟磁気特性を保ちながら、電気抵抗率を高めること
が可能になる。
アラニンを添加することで、飽和磁束密度が高くかつ優
れた軟磁気特性を保ちながら、電気抵抗率を高めること
が可能になる。
【００４１】［実施例３］Ｌ−グルタミン酸ナトリウム
を添加剤として下記めっき浴組成、めっき条件にてコバ
ルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜を作成した。浴組成 含有量 硫酸コバルト ０．０６〜０．０７５モル／リットル 硫酸ニッケル ０．２モル／リットル 硫酸鉄（ＩＩ） ０．００６〜０．０４５モル／リットル ホウ酸 ０．４モル／リットル 塩化アンモニウム ０．２８モル／リットル Ｌ−グルタミン酸ナトリウム ０〜０．０１モル／リットル ドデシル硫酸ナトリウム ０．０１ｇ／リットルめっき条件 浴温 室温 陰極電流密度 ５〜３０ｍＡ／ｃｍ2 ｐＨ １．８〜２．８ 撹拌 １０００ｒｐｍ 得られた薄膜の特性を表１及び図９に示す。
を添加剤として下記めっき浴組成、めっき条件にてコバ
ルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜を作成した。浴組成 含有量 硫酸コバルト ０．０６〜０．０７５モル／リットル 硫酸ニッケル ０．２モル／リットル 硫酸鉄（ＩＩ） ０．００６〜０．０４５モル／リットル ホウ酸 ０．４モル／リットル 塩化アンモニウム ０．２８モル／リットル Ｌ−グルタミン酸ナトリウム ０〜０．０１モル／リットル ドデシル硫酸ナトリウム ０．０１ｇ／リットルめっき条件 浴温 室温 陰極電流密度 ５〜３０ｍＡ／ｃｍ2 ｐＨ １．８〜２．８ 撹拌 １０００ｒｐｍ 得られた薄膜の特性を表１及び図９に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】上記の結果から明らかなように、Ｌ−グル
タミン酸ナトリウムの添加により、例えば０．００５モ
ル／リットルでＨｃ２．１エルステッド、比抵抗１００
μΩ・ｃｍの薄膜が得られる。
タミン酸ナトリウムの添加により、例えば０．００５モ
ル／リットルでＨｃ２．１エルステッド、比抵抗１００
μΩ・ｃｍの薄膜が得られる。
【００４４】以上の結果から認められるように、本発明
の製造方法で作製したコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄
膜は、大きな磁束密度と優れた軟質磁気特性と高い電気
抵抗率を兼ね備えている。
の製造方法で作製したコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄
膜は、大きな磁束密度と優れた軟質磁気特性と高い電気
抵抗率を兼ね備えている。
【００４５】［実施例４］元素比をコバルト：ニッケ
ル：鉄＝５６：１３：１４とした場合において、めっき
液へのジエチレントリアミン添加量を８ｇ／リットルと
した以外は実施例１と同様に操作し、（Ｃｏ56Ｎｉ13Ｆ
ｅ31）99.76Ｃ0.24で示されるコバルト・鉄・ニッケル
・炭素薄膜を得た。次に、この薄膜について、下記条件
で熱処理を施した。 熱処理温度・時間 ２５０℃，１時間 昇温速度 １０℃／分 放冷速度 自然放冷 この熱処理を施した薄膜の特性は下記の通りであった。
ル：鉄＝５６：１３：１４とした場合において、めっき
液へのジエチレントリアミン添加量を８ｇ／リットルと
した以外は実施例１と同様に操作し、（Ｃｏ56Ｎｉ13Ｆ
ｅ31）99.76Ｃ0.24で示されるコバルト・鉄・ニッケル
・炭素薄膜を得た。次に、この薄膜について、下記条件
で熱処理を施した。 熱処理温度・時間 ２５０℃，１時間 昇温速度 １０℃／分 放冷速度 自然放冷 この熱処理を施した薄膜の特性は下記の通りであった。
【００４６】更に、上記熱処理を施した薄膜及び熱処理
を施さなかった薄膜について、アノード分極法により耐
食性を評価した。耐食性測定条件は下記の通りである。 溶液 ５重量％ＮａＣｌ水溶液 捜引速度 １０ｍＶ／秒 捜引範囲 −１．０〜＋０．５Ｖ 参照極 Ａｇ／ＡｇＣｌ
を施さなかった薄膜について、アノード分極法により耐
食性を評価した。耐食性測定条件は下記の通りである。 溶液 ５重量％ＮａＣｌ水溶液 捜引速度 １０ｍＶ／秒 捜引範囲 −１．０〜＋０．５Ｖ 参照極 Ａｇ／ＡｇＣｌ
【００４７】結果を図１０に示す。図１０において、
（ａ）は熱処理前、（ｂ）は熱処理後の分極曲線であ
る。図１０の結果に見られるように、ＮａＣｌ５重量％
水溶液中で薄膜をアノード側に分極させると、（ａ）で
はアノード側で溶け易いものであるが、熱処理後の
（ｂ）では不動態領域が見られ、矢印の孔食電位を示す
点が生じて耐食性向上が認められる。
（ａ）は熱処理前、（ｂ）は熱処理後の分極曲線であ
る。図１０の結果に見られるように、ＮａＣｌ５重量％
水溶液中で薄膜をアノード側に分極させると、（ａ）で
はアノード側で溶け易いものであるが、熱処理後の
（ｂ）では不動態領域が見られ、矢印の孔食電位を示す
点が生じて耐食性向上が認められる。
【００４８】
【発明の効果】本発明の軟質磁性薄膜は、高い飽和磁束
密度と優れた軟質磁気特性と高い電気抵抗率とを兼ね備
えたものであり、また本発明の製造方法によれば、かか
る軟質磁性薄膜を確実に製造することができる。
密度と優れた軟質磁気特性と高い電気抵抗率とを兼ね備
えたものであり、また本発明の製造方法によれば、かか
る軟質磁性薄膜を確実に製造することができる。
【図１】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、めっき液へのジエチレントリアミン添加量と、
めっき膜中のコバルト、鉄、及びニッケルの含有量の関
係を示すグラフである。
おける、めっき液へのジエチレントリアミン添加量と、
めっき膜中のコバルト、鉄、及びニッケルの含有量の関
係を示すグラフである。
【図２】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、めっき液へのジエチレントリアミン添加量と、
めっき膜中の炭素含有量の関係を示すグラフである。
おける、めっき液へのジエチレントリアミン添加量と、
めっき膜中の炭素含有量の関係を示すグラフである。
【図３】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、ジエチレントリアミン添加量と膜の飽和磁束密
度の関係を示すグラフである。
おける、ジエチレントリアミン添加量と膜の飽和磁束密
度の関係を示すグラフである。
【図４】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、ジエチレントリアミン添加量と膜の保磁力の関
係を示すグラフである。
おける、ジエチレントリアミン添加量と膜の保磁力の関
係を示すグラフである。
【図５】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、ジエチレントリアミン添加量と膜の電気抵抗率
の関係を示すグラフである。
おける、ジエチレントリアミン添加量と膜の電気抵抗率
の関係を示すグラフである。
【図６】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、めっき液へのβアラニン添加量と、めっき膜中
のコバルト、鉄、及びニッケルの含有量の関係を示すグ
ラフである。
おける、めっき液へのβアラニン添加量と、めっき膜中
のコバルト、鉄、及びニッケルの含有量の関係を示すグ
ラフである。
【図７】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、βアラニン添加量と膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）
及び保磁力（Ｈｃ）の関係を示すグラフである。
おける、βアラニン添加量と膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）
及び保磁力（Ｈｃ）の関係を示すグラフである。
【図８】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、βアラニン添加量と膜の電気抵抗率の関係を示
すグラフである。
おける、βアラニン添加量と膜の電気抵抗率の関係を示
すグラフである。
【図９】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜に
おける、グルタミン酸ナトリウム添加量と膜の電気抵抗
率、保磁力の関係を示すグラフである。
おける、グルタミン酸ナトリウム添加量と膜の電気抵抗
率、保磁力の関係を示すグラフである。
【図１０】本発明のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜
における、熱処理前と熱処理後のアノード分極法による
耐食性評価結果を示すグラフである。
における、熱処理前と熱処理後のアノード分極法による
耐食性評価結果を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 10/00 - 10/32 H01F 41/14 - 41/34 G11B 5/127,5/31
Claims (6)
- 【請求項１】 水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）
塩、水溶性ニッケル塩を含有し、かつアミノ基を分子内
に有する有機添加剤を含むめっき浴を用いて電気めっき
することによって得られ、炭素含有量が０．０２〜０．
１重量％であり、コバルト含有量が４０〜７０重量％、
鉄含有量が２０〜４０重量％、及びニッケル含有量が５
〜２０重量％である電気抵抗率が５０×１０-6Ωｃｍ以
上のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜からなる軟質磁
性薄膜。 - 【請求項２】 コバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜中の
イオウ含有量が０．１重量％以下であることを特徴とす
る請求項１記載のコバルト・鉄・ニッケル・炭素薄膜か
らなる軟質磁性薄膜。 - 【請求項３】 １００〜３００℃の熱処理が施された請
求項１又は２記載の軟質磁性薄膜。 - 【請求項４】 水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）
塩、水溶性ニッケル塩を含有し、かつアミノ基を分子内
に有する有機添加剤を含むめっき浴を用いて、電気めっ
きを行うことを特徴とする請求項１記載のコバルト・鉄
・ニッケル・炭素薄膜からなる軟質磁性薄膜の製造方
法。 - 【請求項５】 水溶性コバルト塩、水溶性鉄（ＩＩ）
塩、水溶性ニッケル塩を含有し、かつ有機添加剤として
ジエチレントリアミン、αアラニン、βアラニン、グル
タミン酸ナトリウム、グリシン、又はその他のアミノ基
を分子内に有する有機化合物を含み、イオウ元素は界面
活性剤以外には含まれないめっき浴を用いて、３〜２５
ｍＡ／ｃｍ2の範囲の陰極電流密度で電気めっきを行う
ことを特徴とする請求項２記載のコバルト・鉄・ニッケ
ル・炭素薄膜からなる軟質磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 得られたコバルト・鉄・ニッケル・炭素
薄膜を、１００〜３００℃で熱処理する請求項４又は５
記載の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP20402399A JP3211815B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-07-19 | 軟質磁性薄膜及びその製造方法 |
| US09/488,041 US6337007B1 (en) | 1999-01-19 | 2000-01-19 | Method of making a Co-Fe-Ni soft magnetic thin film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-10413 | 1999-01-19 | ||
| JP1041399 | 1999-01-19 | ||
| JP20402399A JP3211815B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-07-19 | 軟質磁性薄膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277332A JP2000277332A (ja) | 2000-10-06 |
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ID=26345671
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20402399A Expired - Fee Related JP3211815B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-07-19 | 軟質磁性薄膜及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6337007B1 (ja) |
| JP (1) | JP3211815B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
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| US6776891B2 (en) * | 2001-05-18 | 2004-08-17 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing an ultra high saturation moment soft magnetic thin film |
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