JPH0734590U - Icソケット - Google Patents
IcソケットInfo
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- JPH0734590U JPH0734590U JP6459593U JP6459593U JPH0734590U JP H0734590 U JPH0734590 U JP H0734590U JP 6459593 U JP6459593 U JP 6459593U JP 6459593 U JP6459593 U JP 6459593U JP H0734590 U JPH0734590 U JP H0734590U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ICパッケージ1或はICチップのリード2
或いは電極と、微細電極4又は電極との接続を確実にす
るICソケットを提供する。 【構成】 微細電極4又は電極は粒径15μm以下の高
硬度粒子と共にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金
を施してなる。
或いは電極と、微細電極4又は電極との接続を確実にす
るICソケットを提供する。 【構成】 微細電極4又は電極は粒径15μm以下の高
硬度粒子と共にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金
を施してなる。
Description
【0001】
本考案は、多端子のICパッケージ或はシリコンのICチップの実装或はバー ン・イン試験等に使用されるICソケットに関するもので、通常パッケージ状態 ・チップ状態のどちらでもエージングする為のソケットである。
【0002】
現在、ICソケットにおいてはICリードフレーム(材質42合金又は、銅合 金の表面に半田メッキされている)と、ソケット内に組み込まれたプレスで打ち 抜かれたコンタクトピン(材質BeCuの表面にNiメッキ2〜3μm、その上に金メ ッキを0.2〜0.3μm)とが接触することにより電路を形成している。 一方、ICパッケージ或はシリコンチップのリードは高密度化の傾向にある。 ICパッケージ或はシリコンチップの実装或は試験等を行うためのICソケット のコンタクトピンも、これに合わせて高密度化をしなければならない。例えば図 4に示すようにシリコンのICチップ1aの電極2aはアルミニウムをベースと してなり、そのピッチは0.2mm以下のピッチとなり、ICソケット側の微細 電極4のピッチもそれに合わせて縮少させなければならない。 ICパッケージ1或はICチップ1aの微細ピッチ化傾向に伴うICソケット の微細化ピッチの為各リード2,電極2aと微細電極4との間の良好な電気的接 続は困難となる。特にICチップ1aの各リード2,電極2aと微細電極4がア ルミニウムの場合、その表面に酸化アルミニウムの被膜ができるので、接触不良 を起し易い。
【0003】
このため、従来は表面の酸化物被膜を破るためにダイヤモンド粉を用いるもの が知られているが、そのダイヤモンド粉の粒径は22μm〜27μmと大きいた め、接触抵抗値は大きく、また抵抗値のバラツキが大きく、接触圧力も大きい欠 点がある。
【0004】
本考案はかかる課題を解決するもので、ICパッケージ或いはICチップを装 填するICソケットのICソケット本体10において、ICパッケージ或いはI Cチップを装填する部分の下方にはICパッケージ或いはICチップのリード2 或いは電極2aと外部回路6とを接続する弾性を有するコンタクト部材16が配 設され、このコンタクト部材16の前記リード2或いは電極2aと接する電極4 bは粒径15μm以下の高硬度粒子14と共にニッケルを複合鍍金し、その上に 金鍍金15を施してなるものである。 また、ICパッケージ或はICチップを装填するICソケットのICソケット 本体10において、ICパッケージ1或はICチップ1aを装填する部分の下方 には弾性体7があり、その上には絶縁性フィルム5があり、この絶縁性フィルム の表面には上記ICパッケージ1或はICチップ1aのリード2或は電極2aに 接する微細電極4,4aを有する回路6があり、この微細電極4,4aは粒径1 5μm以下の高硬度粒子14と共にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金15 を施してなるICソケットである。 また、ICパッケージ或はICチップを装填するICソケットのICソケット 本体10において、ICパッケージ1或はICチップ1aを装填する部分の下方 には弾性のあるコンタクトピン16があり、このコンタクトピン16には上記I Cパッケージ1或はICチップ1aのリード2或は電極2aと接する電極4bを 有し、この電極4bは粒径15μm以下の高硬度粒子14と共にニッケルを複合 鍍金し、その上に金鍍金15を施してなるICソケットである。
【0005】
押圧部3がリード2或は電極2aを押圧すると高硬度粒子14は金鍍金15の 金と共にリード2或は電極2a内に喰い込み、リード2或は電極2aを回路6に 確実に接続する。
【0006】
【実施例】 図1は本考案の一実施例の押圧型のICソケットの縦断面図を示すもので、I Cパッケージ1を用いているが、シリコンのICチップ1aを用いる場合にも通 用しうることは勿論である。 この実施例が示すICパッケージ1はリードがガルウイン形状のICパッケー ジで、そのリード2は42鉄ニッケル合金又は銅合金にハンダ鍍金をしたもので ある。 ICソケット本体10は直方体状でその上面中央にICパッケージ1を入れる 開口を有する。このカバー12にはICパッケージ1のリード2を下方に押圧す る押圧部3を有する。 ICソケット本体10内において上記開口の下方の位置には150℃以上の耐 熱性シリコンゴム材料によって構成されている弾性体7があり、その上にはポリ イミド樹脂或はポリエーテルサルフォン等よりなる柔軟な絶縁性フィルム5があ り、この絶縁性フィルム5の表面には上記リード2に接する高密度に形成された 微細電極4を有する銅箔などで作られた柔軟性の回路6が設けられている。この 回路6はICソケット本体10の底部に植設した端子13,13・・・に接続さ れる。
【0007】 図2はその微細電極4の拡大図を示すもので、その微細電極4はダイヤモンド 粒14と共にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金15をしたものである。ダ イヤモンド粒14の粒径は15μm以下のものである。金鍍金15の厚さはニッ ケルメッキが酸化しない程度とする。 次にこの装置の動作を説明する。ICソケット本体10の上面中央の開口内に ICパッケージ1を装填し、カバー12を覆せて上方より下方に押圧すると押圧 部3は図2矢印のようにリード2を下方に押圧する。これによってダイヤモンド 粒14は金鍍金15の金と共にリード2内に喰い込み、リード2を微細電極4と 回路6、そして端子13に接続する。ダイヤモンド粒子が食い込む深さは約5ミ クロンから10ミクロン程度であると思われる。 ICチップ1aを用いたときにはダイヤモンド粒14はその電極2aの酸化ア ルミニウムの被膜を割りながら内部のアルミニウムに突き刺さり、接続が良好と なる。
【0008】 図3は本考案の他の実施例の回転押圧型のICソケットの縦断面図を示すもの で、上記実施例と同じ部分は同じ符号を用いて説明する。 図において1はICパッケージ本体、2はICパッケージのリード、3はリー ド2を押圧するための押圧部、4aはリード2と接続するための多数の接点が高 密度に形成された微細電極、5は微細電極4aを表面に設けた柔軟性を有するポ リイミドなどで作られた絶縁性フィルム、6は絶縁性フィルム5の表面に設けら れた微細電極4aと電気的に接続が可能な状態にある銅箔などで作られた柔軟性 を有する回路、7は微細電極4aの下方部分全体にわたって配設されており、絶 縁性フィルム5に下から接するゴム等の弾性体、8は回転軸9によってICソケ ット本体10に対して上下に揺動可能に取り付けられたブロック、11は一端を ICソケット本体10に、他の一端をブロック8に取り付けられたばね、12は ICソケットに回動可能に取り付けられた押圧部3を有するカバー、13は回路 6と接続状態にある、ICパッケージの実装試験等を行うための回路基板と接続 するために、回路基板の接続部分のピッチに合わせてICソケット本体10に取 り付けられた端子である。
【0009】 かくして、ICパッケージを装着するに際しカバー12を開け、ICパッケー ジ1をICソケット本体10に装填すると、リード2が微細電極4aの上に載る 。微細電極4aは、ICパッケージのリード2のピッチと同じピッチで、絶縁性 フィルム5の表面に設けられている。ブロック8は、ばね11の弾性力によって 、ICソケット本体10に対して上方向の力を受けている。カバー12を閉じる と、押圧部3がリード2をICソケット本体10に対して下方向へ押圧する。す ると、まず弾性体7が弾性変形しはじめ、次にブロック8が回転軸9を中心に左 旋し、ばね11を変形させる。このとき、微細電極4aも回転軸9を中心に回転 し、リード2を擦り、ワイピング作用が行われる。そして、リード2と回路6が 確実に接続され、更に端子13を通じて、図示されていない回路基板と接続され る。
【0010】 而して、リード2と微細電極4aの擦れ合う距離は、リード2を押圧部3によ って押圧したときのブロック8の回転量によって決まることになる。従って、回 転量を多くすることによって、リード2と微細電極4aのワイピング効果はより 確実に得られる。但し、ブロック8の回転可能範囲は、リード2を曲げる危険性 のない範囲としなければならない。 尚、上記実施例においては、微細電極にダイヤモンド粒と共にニッケルを複合 鍍金した例を示したが、ダイヤモンド粒に代えて炭化硅素、シリカ、チタンウイ スカ、セラミックスなど酸化金属被膜を破壊しうるような高硬度粒子であればよ い。
【0011】 〔実験例〕 (測定の目的) アルミをベースとした蒸着膜と今後ソケットに使用されるで あろうと思われる様々な接触物質と蒸着膜との接触特性がどうなのか、また、様 々な接触物質の中でどれが一番良い接触特性を得られるかの試(実)験を行った 。 (試験方法) 当社で設計・製作した接触特性試験治具を使用し、Siチップ上 のAlをベースとした蒸着膜に対し、接触圧と接触抵抗との関係がどうなのか試験 (実験) する。 図5のように、様々な接触物質20とシリコンチップ21上に蒸着したアルミ ニウムをベースとした蒸着膜22と接触させ、接触物質裏面よりスプリング23 を介した通称ポゴピンと呼ばれているピン24で先端部25を押す。そして、そ の押す力を徐々に強く押していく。その力はロードセル26(P/Eセンサ)で 測定する。そして接触物質2のアルミニウムをベースとした蒸着膜22の各々の 一端から四端子測定法に則ってその間の抵抗値の変化を測定する(市販の「Low Ohm Meter 」を使用し、その測定電流は50μAである)。 尚、ポゴピン24の先端部は丸・平2種類各々測定を行った。抵抗値と圧力と の関係は図6に示す。 従来公知の2つの資料と本考案の2つの資料の抵抗値を表1に示し、接触圧力 を表2に示し、総合評価を表3に示す。これによれば、軽い接触圧で接触抵抗は 小さくなり、総合的に良好な結果が得られたことがわかる。これは軽い接触圧で 、酸化被膜への食い込み量が小さいため、逆に金鍍金とリードとの接触面積が大 きく保たれるためと考えられる。
【0012】
【表1】
【0013】
【表2】
【0014】
【表3】
【0015】 (結果) 総合評価の結果、ニッケルメッキにダイヤモンドをまぶした「フリ ーカット」の接触特性が良いことが判明した。その中でもその上に金メッキを施 したものが良い。ダイヤモンド粒子の大きさはアルミ蒸着膜に対しては3〜15 μm程度の厚さの範囲がよいことが判明した。
【0016】 図7は本考案の更に他の実施例を示すもので、前述の実施例と同じ部分は同じ 符号を用いて説明する。 ICパッケージ1或はICチップ1aを装填する部分の下方には弾性のあるコ ンタクトピン16があり、このコンタクトピン16には上記ICパッケージ1或 はICチップ1aのリード2或は電極2aと接する電極4bを有し、この電極4 bは粒径15μm以下の高硬度粒子14と共にニッケルを複合鍍金し、その上に 金鍍金15を施してなるものである。なお、図中17はソケット本体10に設け たコンタクトピン16間を離間する仕切壁、18はコンタクトピン16を上下に 撓み易いようにする湾曲部である。 この装置において、リード2或いは電極2aを電極4bに向けて押圧すると、 ダイヤモンド粒14は金鍍金15の金と共にリード2或いは電極2a内に喰い込 み、リード2或いは電極2aを回路に確実に接続する。
【0017】
以上のように本考案ではこの微細電極4,4a又は電極4bは高硬度粒子14 と共にニッケル鍍金し、その上に金鍍金15を施しているので、押圧部3がリー ド2或は電極2aを押圧すると高硬度粒子14は金鍍金15の金と共にリード2 或は電極2a内に喰い込み、リード2或は電極2aを回路6に確実に接続するも のであるが、高硬度粒子14の粒径は15μm以下と小さいので、接触抵抗値は 小さく、その抵抗値のバラツキも小さく、接触圧も小さくてすむものである。
【図1】本考案の一実施例の概要を示す壁を押圧型のI
Cソケットの縦断面図である。
Cソケットの縦断面図である。
【図2】その要部の拡大図である。
【図3】本考案の他の実施例の回転押圧型のICソケッ
トの縦断面図である。
トの縦断面図である。
【図4】シリコンチップのリードを示す裏面図である。
【図5】実験例の説明図である。
【図6】抵抗値と圧力の関係を示すグラフである。
【図7】本考案の更に他の実施例の要部の斜視図であ
る。
る。
1 ICパッケージ 1a ICチップ 2 リード 2a 電極 4 微細電極 4a 微細電極 4b 電極 5 絶縁性フィルム 6 回路 7 弾性体 10 ICソケット本体 14 高硬度粒子 15 金鍍金 16 コンタクトピン
Claims (4)
- 【請求項1】 ICパッケージ或いはICチップを装填
するICソケットのICソケット本体(10)におい
て、ICパッケージ或いはICチップを装填する部分の
下方にはICパッケージ或いはICチップのリード
(2)或いは電極(2a)と外部回路(6)とを接続す
る弾性を有するコンタクト部材(16)が配設され、こ
のコンタクト部材(16)の前記リード(2)或いは電
極(2a)と接する電極(4b)は粒径15μm以下の
高硬度粒子(14)と共にニッケルを複合鍍金し、その
上に金鍍金(15)を施してなるICソケット。 - 【請求項2】 ICパッケージ或はICチップを装填す
るICソケットのICソケット本体(10)において、
ICパッケージ(1)或はICチップ(1a)を装填す
る部分の下方には弾性体(7)があり、その上には絶縁
性フィルム(5)があり、この絶縁性フィルムの表面に
は上記ICパッケージ(1)或はICチップ(1a)の
リード(2)或は電極(2a)と接する微細電極(4,
4a)を有する回路(6)があり、この微細電極(4,
4a)は粒径15μm以下の高硬度粒子(14)と共に
ニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金(15)を施し
てなるICソケット。 - 【請求項3】 ICパッケージ或はICチップを装填す
るICソケットのICソケット本体(10)において、
ICパッケージ(1)或はICチップ(1a)を装填す
る部分の下方には弾性のあるコンタクトピン(16)が
あり、このコンタクトピン(16)には上記ICパッケ
ージ(1)或はICチップ(1a)のリード(2)或は
電極(2a)と接する電極(4b)を有し、この電極
(4b)は粒径15μm以下の高硬度粒子(14)と共
にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金(15)を施
してなるICソケット。 - 【請求項4】 前記高硬度粒子(14)は、ダイヤモン
ド、炭化硅素、シリカ、チタンウイスカ、セラミックス
のうちのいずれか、又はこれらのうちの複数種を含むも
のからなるものであることを特徴とする請求項1、2又
は3のいずれかに記載のICソケット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6459593U JPH0734590U (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | Icソケット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6459593U JPH0734590U (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | Icソケット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0734590U true JPH0734590U (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=13262770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6459593U Pending JPH0734590U (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | Icソケット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0734590U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103036125A (zh) * | 2011-10-04 | 2013-04-10 | 株式会社爱德万测试 | 插座及电子元件测试装置 |
-
1993
- 1993-12-02 JP JP6459593U patent/JPH0734590U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103036125A (zh) * | 2011-10-04 | 2013-04-10 | 株式会社爱德万测试 | 插座及电子元件测试装置 |
KR101402621B1 (ko) * | 2011-10-04 | 2014-06-27 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 소켓 및 전자부품 시험장치 |
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