JPH07334830A - 記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH07334830A JPH07334830A JP12491194A JP12491194A JPH07334830A JP H07334830 A JPH07334830 A JP H07334830A JP 12491194 A JP12491194 A JP 12491194A JP 12491194 A JP12491194 A JP 12491194A JP H07334830 A JPH07334830 A JP H07334830A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保護機能に優れ、しかも薄くても充分にその
機能が発揮される保護層が設けられた記録媒体を提供す
ることである。 【構成】 支持体と、記録層と、保護層とを具備する記
録媒体であって、前記保護層はＮ成分を含有するダイヤ
モンドライクカーボンで構成されてなる記録媒体。
機能が発揮される保護層が設けられた記録媒体を提供す
ることである。 【構成】 支持体と、記録層と、保護層とを具備する記
録媒体であって、前記保護層はＮ成分を含有するダイヤ
モンドライクカーボンで構成されてなる記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体などの記
録媒体、特にＮ成分を含有するダイヤモンドライクカー
ボンで構成されてなる保護層を有する記録媒体に関する
ものである。
録媒体、特にＮ成分を含有するダイヤモンドライクカー
ボンで構成されてなる保護層を有する記録媒体に関する
ものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型の磁気記録媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドと
の摺動による耐久性に乏しいことから、表面酸化処理を
行い、酸化膜による保護膜を設けることが行われてい
る。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型の磁気記録媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドと
の摺動による耐久性に乏しいことから、表面酸化処理を
行い、酸化膜による保護膜を設けることが行われてい
る。
【０００４】しかしながら、表面酸化の手段では耐久性
の向上効果が少なく、更なる研究が行われている。この
ような観点から、表面酸化膜ではなく、カーボン、特に
ダイヤモンドライクカーボン等の保護膜を設けることが
提案されている。例えば、プラズマＣＶＤ装置に炭素源
としてのＣ6 Ｈ6 ガスを供給し、これからのプラズマガ
スを金属磁性膜表面に堆積させることにより、表面にダ
イヤモンドライクカーボンからなる保護膜が設けられた
磁気記録媒体が提案（特開平６−４１７５８号公報）さ
れている。
の向上効果が少なく、更なる研究が行われている。この
ような観点から、表面酸化膜ではなく、カーボン、特に
ダイヤモンドライクカーボン等の保護膜を設けることが
提案されている。例えば、プラズマＣＶＤ装置に炭素源
としてのＣ6 Ｈ6 ガスを供給し、これからのプラズマガ
スを金属磁性膜表面に堆積させることにより、表面にダ
イヤモンドライクカーボンからなる保護膜が設けられた
磁気記録媒体が提案（特開平６−４１７５８号公報）さ
れている。
【０００５】しかしながら、この提案のものでも充分な
ものではなかった。すなわち、このダイヤモンドライク
カーボンからなる保護膜でもって目的とする機能を充分
に発揮させようとすると、その厚さが１００Å程度は必
要とするものであった。ところで、磁気ヘッドと磁性膜
との間の距離は小さい方が好ましい。これは、磁気ヘッ
ドと磁性膜との間の距離をｄ、記録波長をλとすると、 −５４．６（ｄ／λ） で表される出力低下（単位はｄＢ）がもたらされるから
である。尚、人によっては、この出力低下は、上記の式
で表されるよりも大きく、 −１００（ｄ／λ） にもなると言われている。
ものではなかった。すなわち、このダイヤモンドライク
カーボンからなる保護膜でもって目的とする機能を充分
に発揮させようとすると、その厚さが１００Å程度は必
要とするものであった。ところで、磁気ヘッドと磁性膜
との間の距離は小さい方が好ましい。これは、磁気ヘッ
ドと磁性膜との間の距離をｄ、記録波長をλとすると、 −５４．６（ｄ／λ） で表される出力低下（単位はｄＢ）がもたらされるから
である。尚、人によっては、この出力低下は、上記の式
で表されるよりも大きく、 −１００（ｄ／λ） にもなると言われている。
【０００６】従って、磁気ヘッドと磁性膜との間の距離
（スペーシングロス）が小さいことが好ましいことを鑑
みたならば、１００Åもの厚さを必要とする保護膜では
決して満足できるものではない。
（スペーシングロス）が小さいことが好ましいことを鑑
みたならば、１００Åもの厚さを必要とする保護膜では
決して満足できるものではない。
【０００７】
【発明の開示】本発明の目的は、保護機能に優れ、しか
も薄くても充分にその機能が発揮される保護層が設けら
れた記録媒体を提供することである。この本発明の目的
は、支持体と、記録層と、保護層とを具備する記録媒体
であって、前記保護層はＮ成分を含有するダイヤモンド
ライクカーボンで構成されてなることを特徴とする記録
媒体によって達成される。
も薄くても充分にその機能が発揮される保護層が設けら
れた記録媒体を提供することである。この本発明の目的
は、支持体と、記録層と、保護層とを具備する記録媒体
であって、前記保護層はＮ成分を含有するダイヤモンド
ライクカーボンで構成されてなることを特徴とする記録
媒体によって達成される。
【０００８】又、支持体と、記録層と、Ｎ成分を含有す
るダイヤモンドライクカーボンで構成されてなる保護層
とを具備する記録媒体の製造方法であって、前記保護層
はＣ成分およびＮ成分を有する化合物を用いたＣＶＤ手
段により構成されることを特徴とする記録媒体の製造方
法によって達成される。又、支持体と、記録層と、Ｎ成
分を含有するダイヤモンドライクカーボンで構成されて
なる保護層とを具備する記録媒体の製造方法であって、
前記保護層はＣ成分を有する化合物とＮ成分を有する化
合物とを用いたＣＶＤ手段により構成されることを特徴
とする記録媒体の製造方法によって達成される。
るダイヤモンドライクカーボンで構成されてなる保護層
とを具備する記録媒体の製造方法であって、前記保護層
はＣ成分およびＮ成分を有する化合物を用いたＣＶＤ手
段により構成されることを特徴とする記録媒体の製造方
法によって達成される。又、支持体と、記録層と、Ｎ成
分を含有するダイヤモンドライクカーボンで構成されて
なる保護層とを具備する記録媒体の製造方法であって、
前記保護層はＣ成分を有する化合物とＮ成分を有する化
合物とを用いたＣＶＤ手段により構成されることを特徴
とする記録媒体の製造方法によって達成される。
【０００９】又、支持体と、記録層と、Ｎ成分を含有す
るダイヤモンドライクカーボンで構成されてなる保護層
とを具備する記録媒体の製造方法であって、前記保護層
はＣ成分およびＮ成分を有する化合物、Ｃ成分を有する
化合物、及び／又はＮ成分を有する化合物を用いたＣＶ
Ｄ手段により構成されることを特徴とする記録媒体の製
造方法によって達成される。
るダイヤモンドライクカーボンで構成されてなる保護層
とを具備する記録媒体の製造方法であって、前記保護層
はＣ成分およびＮ成分を有する化合物、Ｃ成分を有する
化合物、及び／又はＮ成分を有する化合物を用いたＣＶ
Ｄ手段により構成されることを特徴とする記録媒体の製
造方法によって達成される。
【００１０】尚、上記本発明におけるダイヤモンドライ
クカーボンからなる保護層のＮ成分は０．０１〜１０％
の割合であることが好ましい。そして、この本発明にな
るＮ成分を含むダイヤモンドライクカーボンの膜は、２
０〜５００Å厚さであることが好ましい。尚、このＮ成
分を含むダイヤモンドライクカーボン膜の厚さの下限値
は３０Åであることがより好ましく、そして更に好まし
くは４０Å、もっと好ましくは５０Åである。Ｎ成分を
含むダイヤモンドライクカーボン膜の厚さの上限値は３
００Åであることがより好ましく、そして更に好ましく
は２００Å、さらに好ましくは１５０Å、もっと好まし
くは１００Å、最も好ましくは９０Åである。
クカーボンからなる保護層のＮ成分は０．０１〜１０％
の割合であることが好ましい。そして、この本発明にな
るＮ成分を含むダイヤモンドライクカーボンの膜は、２
０〜５００Å厚さであることが好ましい。尚、このＮ成
分を含むダイヤモンドライクカーボン膜の厚さの下限値
は３０Åであることがより好ましく、そして更に好まし
くは４０Å、もっと好ましくは５０Åである。Ｎ成分を
含むダイヤモンドライクカーボン膜の厚さの上限値は３
００Åであることがより好ましく、そして更に好ましく
は２００Å、さらに好ましくは１５０Å、もっと好まし
くは１００Å、最も好ましくは９０Åである。
【００１１】上記本発明におけるＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）に際して用いられるＣ成分およびＮ
成分を有する化合物としては窒素含有環状炭化水素を好
ましいものとして挙げることが出来る。特に、Ｎを環構
成要素として含む窒素含有環状炭化水素を好ましいもの
として挙げることが出来る。より好ましくは、温度２５
℃において蒸気圧が１ａｔｍ以上あるＮを環構成要素と
して含む窒素含有環状炭化水素を挙げることが出来る。
例えば、ピラジン、ピラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾ
ール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジ
ン、ピペラジン、イミダゾール、ピロール、あるいはこ
れらの同族体や誘導体のような化合物を好ましいものと
して挙げることが出来る。
パーデポジション）に際して用いられるＣ成分およびＮ
成分を有する化合物としては窒素含有環状炭化水素を好
ましいものとして挙げることが出来る。特に、Ｎを環構
成要素として含む窒素含有環状炭化水素を好ましいもの
として挙げることが出来る。より好ましくは、温度２５
℃において蒸気圧が１ａｔｍ以上あるＮを環構成要素と
して含む窒素含有環状炭化水素を挙げることが出来る。
例えば、ピラジン、ピラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾ
ール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジ
ン、ピペラジン、イミダゾール、ピロール、あるいはこ
れらの同族体や誘導体のような化合物を好ましいものと
して挙げることが出来る。
【００１２】又、窒素含有環状炭化水素のみを用いても
良いが、ベンゼンやシクロヘキサン等の環状炭化水素を
併用しても良く、又、窒素やアンモニア等の窒素化合物
を併用しても良い。あるいは、環状炭化水素と窒素化合
物とのいずれをも併用しても良い。すなわち、ダイヤモ
ンドライクカーボン中のＮ成分が０．０１〜１０％の割
合となるように窒素含有環状炭化水素、環状炭化水素、
窒素化合物を用いてＣＶＤにより保護膜を形成すれば良
い。
良いが、ベンゼンやシクロヘキサン等の環状炭化水素を
併用しても良く、又、窒素やアンモニア等の窒素化合物
を併用しても良い。あるいは、環状炭化水素と窒素化合
物とのいずれをも併用しても良い。すなわち、ダイヤモ
ンドライクカーボン中のＮ成分が０．０１〜１０％の割
合となるように窒素含有環状炭化水素、環状炭化水素、
窒素化合物を用いてＣＶＤにより保護膜を形成すれば良
い。
【００１３】又、ＣＶＤに際して窒素含有環状炭化水素
のようなＣ成分およびＮ成分を有する化合物を用いない
場合、すなわちＣ成分を有する化合物とＮ成分を有する
化合物とを用いる場合において、Ｃ成分を有する化合物
としては炭化水素が用いられる。特に、環状炭化水素、
例えばベンゼンあるいはこれらの同族体や誘導体を好ま
しいものとして挙げることが出来る。そして、ベンゼン
等の環状炭化水素と共に併用されるＮ成分を有する化合
物としては、例えばＮ2 ，ＮＨ3 ，ＮＯ2 ，ＮＯ等の気
体が挙げられる。この場合においても、ダイヤモンドラ
イクカーボン中のＮ成分が０．０１〜１０％の割合とな
るようにＣ成分を有する化合物とＮ成分を有する化合物
とを所定の割合で混合し、ＣＶＤにより保護膜を形成す
れば良い。
のようなＣ成分およびＮ成分を有する化合物を用いない
場合、すなわちＣ成分を有する化合物とＮ成分を有する
化合物とを用いる場合において、Ｃ成分を有する化合物
としては炭化水素が用いられる。特に、環状炭化水素、
例えばベンゼンあるいはこれらの同族体や誘導体を好ま
しいものとして挙げることが出来る。そして、ベンゼン
等の環状炭化水素と共に併用されるＮ成分を有する化合
物としては、例えばＮ2 ，ＮＨ3 ，ＮＯ2 ，ＮＯ等の気
体が挙げられる。この場合においても、ダイヤモンドラ
イクカーボン中のＮ成分が０．０１〜１０％の割合とな
るようにＣ成分を有する化合物とＮ成分を有する化合物
とを所定の割合で混合し、ＣＶＤにより保護膜を形成す
れば良い。
【００１４】本発明で用いられる磁気記録媒体の支持体
は非磁性のものが好ましく、この支持体はＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが用いられる。
は非磁性のものが好ましく、この支持体はＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが用いられる。
【００１５】この支持体上に蒸着手段やスパッタ手段と
いった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜が設
けられる。尚、蒸着装置などは従来から知られているも
のを用いて差し支えない。金属磁性膜を構成する磁性粒
子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の
他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の
金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性膜
の成膜時には酸化性ガスなどが供されていて、磁気特性
の向上が図られる。
いった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜が設
けられる。尚、蒸着装置などは従来から知られているも
のを用いて差し支えない。金属磁性膜を構成する磁性粒
子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の
他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の
金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性膜
の成膜時には酸化性ガスなどが供されていて、磁気特性
の向上が図られる。
【００１６】又、必要に応じて、支持体の他面側にバッ
クコート層が設けられる。このバックコート層は蒸着手
段のような乾式メッキ手段によって構成された金属系薄
膜であっても、カーボンブラックやバインダ樹脂を含む
塗料を塗布することによって構成された塗布型のもので
あっても良い。磁性膜上には保護膜が形成される。この
保護膜はＮ成分を含有するダイヤモンドライクカーボン
で構成されたものであり、この種の保護膜は次のように
して形成される。
クコート層が設けられる。このバックコート層は蒸着手
段のような乾式メッキ手段によって構成された金属系薄
膜であっても、カーボンブラックやバインダ樹脂を含む
塗料を塗布することによって構成された塗布型のもので
あっても良い。磁性膜上には保護膜が形成される。この
保護膜はＮ成分を含有するダイヤモンドライクカーボン
で構成されたものであり、この種の保護膜は次のように
して形成される。
【００１７】すなわち、図１に示す如く、金属磁性膜が
支持体上に設けられた磁気記録媒体１を真空容器２内に
配設された供給側ロール３ａから冷却キャンローラ４を
経て巻取側ロール３ｂに走行させ、そしてＣＶＤ装置５
を作動させ、冷却キャンローラ４に添接されている磁気
記録媒体１の金属磁性膜に対してピペリジンガスのプラ
ズマを吹き付けると、金属磁性膜の表面にＮ成分を含有
するダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。尚、
図１中、６はバイアス電源である。
支持体上に設けられた磁気記録媒体１を真空容器２内に
配設された供給側ロール３ａから冷却キャンローラ４を
経て巻取側ロール３ｂに走行させ、そしてＣＶＤ装置５
を作動させ、冷却キャンローラ４に添接されている磁気
記録媒体１の金属磁性膜に対してピペリジンガスのプラ
ズマを吹き付けると、金属磁性膜の表面にＮ成分を含有
するダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。尚、
図１中、６はバイアス電源である。
【００１８】このようにして成膜されたダイヤモンドラ
イクカーボン膜をオージェ電子分光やＸ線光電子分光法
により調べた処、この膜にはＮ成分を含有していること
が確かめられた。尚、ピペリジンの代わりにベンゼンを
用いてＣＶＤ手段により成膜されたダイヤモンドライク
カーボン膜を成膜した処、この膜はＮを持たないＩＩａ
型のダイヤモンドライクカーボン膜であり、ピペリジン
を用いて成膜されたダイヤモンドライクカーボン膜とは
異なるものであった。
イクカーボン膜をオージェ電子分光やＸ線光電子分光法
により調べた処、この膜にはＮ成分を含有していること
が確かめられた。尚、ピペリジンの代わりにベンゼンを
用いてＣＶＤ手段により成膜されたダイヤモンドライク
カーボン膜を成膜した処、この膜はＮを持たないＩＩａ
型のダイヤモンドライクカーボン膜であり、ピペリジン
を用いて成膜されたダイヤモンドライクカーボン膜とは
異なるものであった。
【００１９】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００２０】
〔実施例１〕斜め蒸着手段により厚さが２〜５０μｍの
ＰＥＴフィルム等の非磁性の支持体面上に厚さが０．１
５μｍのＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性膜を設
けた。
ＰＥＴフィルム等の非磁性の支持体面上に厚さが０．１
５μｍのＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性膜を設
けた。
【００２１】この合金磁性膜上に、図１に示したような
ＣＶＤ手段を用いてダイヤモンドライクカーボン膜を６
０Å厚さ堆積させた。尚、このＣＶＤ時に導入したガス
は、ピペリジンを加熱し、ガス化したものであって、ガ
ス導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎである。又、プラズマ化
する為のマイクロ波発振器の出力は１ｋＷ、周波数は
２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇ、装置内の真空
度は５ｍＴｏｒｒである。
ＣＶＤ手段を用いてダイヤモンドライクカーボン膜を６
０Å厚さ堆積させた。尚、このＣＶＤ時に導入したガス
は、ピペリジンを加熱し、ガス化したものであって、ガ
ス導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎである。又、プラズマ化
する為のマイクロ波発振器の出力は１ｋＷ、周波数は
２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇ、装置内の真空
度は５ｍＴｏｒｒである。
【００２２】〔実施例２〕実施例１において同様に行
い、厚さ５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性
膜上に設けた。 〔実施例３〕実施例１において同様に行い、厚さ７０Å
のダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。
い、厚さ５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性
膜上に設けた。 〔実施例３〕実施例１において同様に行い、厚さ７０Å
のダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。
【００２３】〔実施例４〕実施例１において、ピペリジ
ン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （キャリアガ
ス、導入速度は３ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ４０
Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設け
た。 〔実施例５〕実施例１において、ピペリジン（導入速度
は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （キャリアガス、導入速度
は１０ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ４０Åのダイヤ
モンドライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。
ン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （キャリアガ
ス、導入速度は３ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ４０
Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設け
た。 〔実施例５〕実施例１において、ピペリジン（導入速度
は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （キャリアガス、導入速度
は１０ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ４０Åのダイヤ
モンドライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。
【００２４】〔実施例６〕実施例１において、ピペリジ
ン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （キャリアガ
ス、導入速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ
４０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設
けた。 〔実施例７〕実施例１において、ピペリジン（導入速度
は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とベンゼン（導入速度は５ｍｌ／
ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイヤモンドライク
カーボン膜を磁性膜上に設けた。
ン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （キャリアガ
ス、導入速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ
４０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設
けた。 〔実施例７〕実施例１において、ピペリジン（導入速度
は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とベンゼン（導入速度は５ｍｌ／
ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイヤモンドライク
カーボン膜を磁性膜上に設けた。
【００２５】〔実施例８〕実施例１において、ピペリジ
ン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とベンゼン（導入速
度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイ
ヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例９〕実施例１において、ピペリジン（導入速度
は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （導入速度は３ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とベンゼン（導入速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ）とを
導入し、厚さ５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を
磁性膜上に設けた。
ン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とベンゼン（導入速
度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイ
ヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例９〕実施例１において、ピペリジン（導入速度
は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （導入速度は３ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とベンゼン（導入速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ）とを
導入し、厚さ５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を
磁性膜上に設けた。
【００２６】〔実施例１０〕実施例１において、ピペリ
ジン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （導入速度
は３ｍｌ／ｍｉｎ）とシクロヘキサン（導入速度は２０
ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイヤモンド
ライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例１１〕実施例１において、ピペリジンの代わり
にピラジン（導入速度は１８ｍｌ／ｍｉｎ）を導入し、
厚さ５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上
に設けた。
ジン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （導入速度
は３ｍｌ／ｍｉｎ）とシクロヘキサン（導入速度は２０
ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイヤモンド
ライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例１１〕実施例１において、ピペリジンの代わり
にピラジン（導入速度は１８ｍｌ／ｍｉｎ）を導入し、
厚さ５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上
に設けた。
【００２７】〔実施例１２〕実施例１において、ピペリ
ジンの代わりにピリジン（導入速度は３０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）を導入し、厚さ７０Åのダイヤモンドライクカーボ
ン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例１３〕実施例１において、ピペリジンの代わり
にベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （導
入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ2 （導入速度は２００
ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイヤモンド
ライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。
ジンの代わりにピリジン（導入速度は３０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）を導入し、厚さ７０Åのダイヤモンドライクカーボ
ン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例１３〕実施例１において、ピペリジンの代わり
にベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＮ2 （導
入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ2 （導入速度は２００
ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ５０Åのダイヤモンド
ライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。
【００２８】〔実施例１４〕実施例１において、ピペリ
ジンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とＮ2 （導入速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ
2 （導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ
５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設
けた。
ジンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とＮ2 （導入速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ
2 （導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ
５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設
けた。
【００２９】〔実施例１５〕実施例１において、ピペリ
ジンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とＮ2 （導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ
2 （導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ
５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設
けた。
ジンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とＮ2 （導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ
2 （導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ
５０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設
けた。
【００３０】〔実施例１６〕実施例１において、ピペリ
ジンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とＮ2 （導入速度は２０００ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ2
（導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ６
０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設け
た。
ジンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉ
ｎ）とＮ2 （導入速度は２０００ｍｌ／ｍｉｎ）とＨ2
（導入速度は２００ｍｌ／ｍｉｎ）とを導入し、厚さ６
０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上に設け
た。
【００３１】〔比較例１〕実施例１において、ピペリジ
ンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）
を導入し、厚さ６０Åのダイヤモンドライクカーボン膜
を磁性膜上に設けた。 〔比較例２〕実施例１において、ピペリジンの代わりに
ベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）を導入し、厚
さ１２０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上
に設けた。
ンの代わりにベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）
を導入し、厚さ６０Åのダイヤモンドライクカーボン膜
を磁性膜上に設けた。 〔比較例２〕実施例１において、ピペリジンの代わりに
ベンゼン（導入速度は２０ｍｌ／ｍｉｎ）を導入し、厚
さ１２０Åのダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜上
に設けた。
【００３２】〔特性〕上記の各例で得られた磁気テープ
のダイヤモンドライクカーボン膜上にフッ素系の潤滑剤
を塗布し、２０Å厚さの潤滑膜を付けた。そして、８ｍ
ｍ幅にスリットし、８ｍｍＶＴＲ用カセットに装填し、
再生装置に装着し、７ＭＨｚでの再生出力並びにスチル
耐久性（出力低下）を調べたので、その結果を表−１に
示す。
のダイヤモンドライクカーボン膜上にフッ素系の潤滑剤
を塗布し、２０Å厚さの潤滑膜を付けた。そして、８ｍ
ｍ幅にスリットし、８ｍｍＶＴＲ用カセットに装填し、
再生装置に装着し、７ＭＨｚでの再生出力並びにスチル
耐久性（出力低下）を調べたので、その結果を表−１に
示す。
【００３３】 表−１ 保護膜中のＮ ７ＭＨｚの再生出力 スチル耐久性（ｄＢ） （atomic％） （ｄＢ） 50時間後 100時間後 実施例１ ０．０４ ０．２ −１．４ −２．５ 実施例２ ０．０４ ０．２ −１．５ −２．４ 実施例３ ０．０５ ０．０ −１．３ −２．３ 実施例４ ０．１２ ０．４ −１．２ −１．９ 実施例５ ０．１４ ０．５ −１．５ −２．８ 実施例６ ０．６２ ０．５ −１．７ −２．４ 実施例７ ０．０３ ０．３ −１．６ −２．６ 実施例８ ０．０２ ０．３ −１．３ −２．１ 実施例９ ０．０１ ０．３ −１．７ −２．３ 実施例10 ０．０２ ０．４ −１．６ −２．５ 実施例11 ０．０４ ０．５ −１．８ −２．６ 実施例12 ０．０９ ０．０ −１．４ −２．４ 実施例13 ０．１０ ０．４ −１．３ −２．５ 実施例14 ０．５２ ０．４ −１．３ −２．５ 実施例15 １．０３ ０．３ −１．４ −２．６ 実施例16 １０．０ ０．０ −１．５ −２．６ 比較例１ ０ ０．０ −２．８ −５．７ 比較例２ ０ −１．５ −１．９ −３．１ ＊保護膜中のＮはオージェ電子分光による。
【００３４】＊スチル耐久性は50及 100時間後のスチル
再生（７ＭＨｚ）における出力低下これによれば、磁性
膜表面に設けたダイヤモンドライクカーボン膜にＮ成分
を含有してなるものは、耐久性に富むことが判る。特
に、その厚さが４０Åと言ったような薄いものでも耐久
性に富むものであり、これよりスペーシングロスを少な
く出来るから、それだけ再生出力も大きなものとなる。
再生（７ＭＨｚ）における出力低下これによれば、磁性
膜表面に設けたダイヤモンドライクカーボン膜にＮ成分
を含有してなるものは、耐久性に富むことが判る。特
に、その厚さが４０Åと言ったような薄いものでも耐久
性に富むものであり、これよりスペーシングロスを少な
く出来るから、それだけ再生出力も大きなものとなる。
【００３５】
【効果】本発明によれば、耐久性および再生出力に優れ
た記録媒体が得られる。
た記録媒体が得られる。
【図１】ダイヤモンドライクカーボン成膜装置の概略図
１ 磁気記録媒体 ２ 真空容器 ５ ＣＶＤ装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】 支持体と、記録層と、保護層とを具備す
る記録媒体であって、前記保護層はＮ成分を含有するダ
イヤモンドライクカーボンで構成されてなることを特徴
とする記録媒体。 - 【請求項２】 Ｎ成分を含有するダイヤモンドライクカ
ーボンからなる保護層のＮ成分が０．０１〜１０％の割
合であることを特徴とする請求項１の記録媒体。 - 【請求項３】 支持体と、記録層と、Ｎ成分を含有する
ダイヤモンドライクカーボンで構成されてなる保護層と
を具備する記録媒体の製造方法であって、前記保護層は
Ｃ成分およびＮ成分を有する化合物を用いたＣＶＤ手段
により構成されることを特徴とする記録媒体の製造方
法。 - 【請求項４】 支持体と、記録層と、Ｎ成分を含有する
ダイヤモンドライクカーボンで構成されてなる保護層と
を具備する記録媒体の製造方法であって、前記保護層は
Ｃ成分を有する化合物とＮ成分を有する化合物とを用い
たＣＶＤ手段により構成されることを特徴とする記録媒
体の製造方法。 - 【請求項５】 支持体と、記録層と、Ｎ成分を含有する
ダイヤモンドライクカーボンで構成されてなる保護層と
を具備する記録媒体の製造方法であって、前記保護層は
Ｃ成分およびＮ成分を有する化合物、Ｃ成分を有する化
合物、及び／又はＮ成分を有する化合物を用いたＣＶＤ
手段により構成されることを特徴とする記録媒体の製造
方法。 - 【請求項６】 Ｃ成分およびＮ成分を有する化合物が窒
素含有環状炭化水素であることを特徴とする請求項３ま
たは請求項５の記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 Ｃ成分およびＮ成分を有する化合物がＮ
を環構成要素として含む窒素含有環状炭化水素の群の中
から選ばれるものであることを特徴とする請求項３、請
求項５または請求項６の記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 Ｃ成分を有する化合物が炭化水素である
ことを特徴とする請求項４または請求項５の記録媒体の
製造方法。 - 【請求項９】 Ｃ成分を有する化合物が環状炭化水素で
あることを特徴とする請求項４、請求項５または請求項
８の記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 Ｎ成分を有する化合物がＮ2 ，Ｎ
Ｈ3 ，ＮＯ2 ，ＮＯの群の中から選ばれるものであるこ
とを特徴とする請求項４または請求項５の記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12491194A JPH07334830A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12491194A JPH07334830A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07334830A true JPH07334830A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14897170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12491194A Pending JPH07334830A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07334830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010020830A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体の保護層 |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP12491194A patent/JPH07334830A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010020830A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体の保護層 |
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