JPH07326778A - センサーモジュール - Google Patents
センサーモジュールInfo
- Publication number
- JPH07326778A JPH07326778A JP6117011A JP11701194A JPH07326778A JP H07326778 A JPH07326778 A JP H07326778A JP 6117011 A JP6117011 A JP 6117011A JP 11701194 A JP11701194 A JP 11701194A JP H07326778 A JPH07326778 A JP H07326778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sensor element
- hole
- infrared sensor
- bare chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサーモジュールの低コスト化、小型化を
図る。 【構成】 センサーモジュールに用いられる、一方の面
に赤外線センサー素子６を実装し他方の面にベアチップ
状の信号処理用IC１４を実装したベアチップ実装基板１
２に、貫通穴７ａへ外気を侵入させるための通気手段と
して溝１３ａを設けた。 【効果】 貫通穴７ａの内部の気圧を外気圧と同じにす
ることができるので、熱絶縁膜２の歪みによる赤外線セ
ンサー素子６の劣化、破壊を防止することができる。
図る。 【構成】 センサーモジュールに用いられる、一方の面
に赤外線センサー素子６を実装し他方の面にベアチップ
状の信号処理用IC１４を実装したベアチップ実装基板１
２に、貫通穴７ａへ外気を侵入させるための通気手段と
して溝１３ａを設けた。 【効果】 貫通穴７ａの内部の気圧を外気圧と同じにす
ることができるので、熱絶縁膜２の歪みによる赤外線セ
ンサー素子６の劣化、破壊を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線、紫外線等を検
出するセンサーモジュールに関するものである。
出するセンサーモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、赤外線、紫外線等を検出するセン
サーの構成単位として、 CANパッケージに封止されたセ
ンサー素子及びそのセンサー素子の出力信号を処理する
信号処理用IC及びその信号処理用ICの周辺部品を１枚の
基板上に実装したセンサーモジュールという構成が用い
られていた。
サーの構成単位として、 CANパッケージに封止されたセ
ンサー素子及びそのセンサー素子の出力信号を処理する
信号処理用IC及びその信号処理用ICの周辺部品を１枚の
基板上に実装したセンサーモジュールという構成が用い
られていた。
【０００３】図２に赤外線を検出する赤外線センサーモ
ジュールの一例を示す。図２で、（ａ）は赤外線センサ
ーモジュールの表側（赤外線を受光する側）の構造を示
した斜視図、（ｂ）は赤外線センサーモジュールの裏側
の構造を示した斜視図である。図２で、１は本体基板、
２はセンサー素子である赤外線センサー素子を内蔵した
CANパッケージ、３はクワッドフラットパッケージ形の
信号処理用IC、４は本体部分が本体基板１の表側に実装
された、ＬＥＤ、電解コンデンサ等のリード端子付き部
品、５は基板１の裏面側に実装された表面実装用のチッ
プ部品である。２ａは CANパッケージ２の上部に形成さ
れた開口に固着されたプラスチックフィルターで、赤外
線のみを CANパッケージ２の内部に透過させるものであ
る。
ジュールの一例を示す。図２で、（ａ）は赤外線センサ
ーモジュールの表側（赤外線を受光する側）の構造を示
した斜視図、（ｂ）は赤外線センサーモジュールの裏側
の構造を示した斜視図である。図２で、１は本体基板、
２はセンサー素子である赤外線センサー素子を内蔵した
CANパッケージ、３はクワッドフラットパッケージ形の
信号処理用IC、４は本体部分が本体基板１の表側に実装
された、ＬＥＤ、電解コンデンサ等のリード端子付き部
品、５は基板１の裏面側に実装された表面実装用のチッ
プ部品である。２ａは CANパッケージ２の上部に形成さ
れた開口に固着されたプラスチックフィルターで、赤外
線のみを CANパッケージ２の内部に透過させるものであ
る。
【０００４】次に、図３に基づいて CANパッケージ２に
内蔵される赤外線センサー素子６の一例を説明する。図
で、（ａ）は表面側の構造を示す斜視図、（ｂ）はＡ−
Ａ断面図である。図において、略正方形平板状の半導体
基板７の表面には熱絶縁膜８が形成され、さらにその上
部には赤外線を感知する４個の熱検知部９（検知部）が
実装されている。その他、各熱検知部９を電気的に接続
する配線部分１０及び半導体基板７との接続のためにボ
ンディングワイヤーの一端が接合される電極パッド１１
が熱絶縁膜８上に形成されている。熱検知部９の下部の
半導体基板部分は除去されており、略四角錐台上の貫通
穴７ａが形成されている。このように、貫通穴７ａ上の
熱絶縁膜８上に熱検知部９を形成することによって、赤
外線を受けて温度上昇した熱検知部９の熱が伝導によっ
て逃げにくくなり赤外線検出の感度を高めることができ
る。
内蔵される赤外線センサー素子６の一例を説明する。図
で、（ａ）は表面側の構造を示す斜視図、（ｂ）はＡ−
Ａ断面図である。図において、略正方形平板状の半導体
基板７の表面には熱絶縁膜８が形成され、さらにその上
部には赤外線を感知する４個の熱検知部９（検知部）が
実装されている。その他、各熱検知部９を電気的に接続
する配線部分１０及び半導体基板７との接続のためにボ
ンディングワイヤーの一端が接合される電極パッド１１
が熱絶縁膜８上に形成されている。熱検知部９の下部の
半導体基板部分は除去されており、略四角錐台上の貫通
穴７ａが形成されている。このように、貫通穴７ａ上の
熱絶縁膜８上に熱検知部９を形成することによって、赤
外線を受けて温度上昇した熱検知部９の熱が伝導によっ
て逃げにくくなり赤外線検出の感度を高めることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示したような赤
外線センサー素子６の場合、例えば、図２に示したよう
に CANパッケージ２に封止されていた。これは赤外線セ
ンサー素子６の信頼性及び感度を保持するためと、赤外
線を CANパッケージ２の内部に透過させるセンサー受光
窓２ａを設けることができるパッケージにする必要があ
るからである。しかし、 CANパッケージ２は小型化が困
難で、また、高感度が要求される場合は内部に特定の封
入ガスを充填しなければならないのでコスト高になると
いう問題点があった。
外線センサー素子６の場合、例えば、図２に示したよう
に CANパッケージ２に封止されていた。これは赤外線セ
ンサー素子６の信頼性及び感度を保持するためと、赤外
線を CANパッケージ２の内部に透過させるセンサー受光
窓２ａを設けることができるパッケージにする必要があ
るからである。しかし、 CANパッケージ２は小型化が困
難で、また、高感度が要求される場合は内部に特定の封
入ガスを充填しなければならないのでコスト高になると
いう問題点があった。
【０００６】赤外線センサー素子６を CAN封止せずに赤
外線センサーモジュールを構成する方法としては、本体
基板１の他に、一方の面に赤外線センサー素子６をベア
チップ実装し他方の面に信号処理用ICのベアチップを実
装したベアチップ実装基板を設けて、そのベアチップ実
装基板を本体基板１に実装する方法があった。図４にそ
のベアチップ実装基板１２の一例を示す。図４は、ベア
チップ実装基板１２の側面図で、１３は一方の面に赤外
線センサー素子６がダイボンドされた小基板、１４は小
基板１３の他方の面にダイボンドされたベアチップ状の
信号処理用IC、１５は、赤外線センサー素子６と小基板
１３、または、信号処理用IC１４と小基板１３とを接続
するボンディングワイヤ、１６は信号処理用IC１４及び
それに接続されたボンディングワイヤ１５を保護する封
止樹脂である。赤外線センサー素子６及び信号処理用IC
１４は、ダイボンドペースト（図示省略）によって小基
板１３上にダイボンドされている。
外線センサーモジュールを構成する方法としては、本体
基板１の他に、一方の面に赤外線センサー素子６をベア
チップ実装し他方の面に信号処理用ICのベアチップを実
装したベアチップ実装基板を設けて、そのベアチップ実
装基板を本体基板１に実装する方法があった。図４にそ
のベアチップ実装基板１２の一例を示す。図４は、ベア
チップ実装基板１２の側面図で、１３は一方の面に赤外
線センサー素子６がダイボンドされた小基板、１４は小
基板１３の他方の面にダイボンドされたベアチップ状の
信号処理用IC、１５は、赤外線センサー素子６と小基板
１３、または、信号処理用IC１４と小基板１３とを接続
するボンディングワイヤ、１６は信号処理用IC１４及び
それに接続されたボンディングワイヤ１５を保護する封
止樹脂である。赤外線センサー素子６及び信号処理用IC
１４は、ダイボンドペースト（図示省略）によって小基
板１３上にダイボンドされている。
【０００７】次に、図５に赤外線センサーモジュールの
一例を示す。図５で、（ａ）はベアチップ実装基板１２
を本体基板１７に実装する前の状態を示す本体基板表側
の斜視図、（ｂ）はベアチップ実装基板１２を本体基板
１７に実装する前の状態を示す本体基板裏側の斜視図、
（ｃ）はベアチップ実装基板１２を基板１７に実装した
状態を示す本体基板表側の斜視図、（ｄ）はベアチップ
実装基板１２を本体基板１７に実装した状態を示す本体
基板裏側の斜視図である。
一例を示す。図５で、（ａ）はベアチップ実装基板１２
を本体基板１７に実装する前の状態を示す本体基板表側
の斜視図、（ｂ）はベアチップ実装基板１２を本体基板
１７に実装する前の状態を示す本体基板裏側の斜視図、
（ｃ）はベアチップ実装基板１２を基板１７に実装した
状態を示す本体基板表側の斜視図、（ｄ）はベアチップ
実装基板１２を本体基板１７に実装した状態を示す本体
基板裏側の斜視図である。
【０００８】図５で、本体基板１７には両面に回路パタ
ーンが形成されていると共に、平面視略矩形状のセンサ
ー受光窓１７ａが中央部分に形成されている。また、本
体基板１７には電解コンデンサ等のリード付電子部品１
８、表面実装用のチップ部品１９等が実装されている。
ーンが形成されていると共に、平面視略矩形状のセンサ
ー受光窓１７ａが中央部分に形成されている。また、本
体基板１７には電解コンデンサ等のリード付電子部品１
８、表面実装用のチップ部品１９等が実装されている。
【０００９】図に示すように、赤外線センサー素子６の
上部の受光面が本体基板１７に形成されたセンサー受光
窓１７ａに臨みベアチップ実装基板１２がセンサー受光
窓１７ａの一方の開口を塞ぐようにベアチップ実装基板
１２は本体基板１７に接着剤によって固着されている。
また、センサー受光窓１７ａの他方の開口を塞ぐように
プラスチックフィルター２０が本体基板１７に取り付け
られている。このように本体基板１７の内部に赤外線セ
ンサー素子６を配置することによって、赤外線をプラス
チックフィルター２０を介して赤外線センサー素子６に
入射させることができると共に、赤外線センサー素子６
を保護することができるので、パッケージが不要となり
封止工程の簡略化によるコスト低減、小型化を図ること
ができた。
上部の受光面が本体基板１７に形成されたセンサー受光
窓１７ａに臨みベアチップ実装基板１２がセンサー受光
窓１７ａの一方の開口を塞ぐようにベアチップ実装基板
１２は本体基板１７に接着剤によって固着されている。
また、センサー受光窓１７ａの他方の開口を塞ぐように
プラスチックフィルター２０が本体基板１７に取り付け
られている。このように本体基板１７の内部に赤外線セ
ンサー素子６を配置することによって、赤外線をプラス
チックフィルター２０を介して赤外線センサー素子６に
入射させることができると共に、赤外線センサー素子６
を保護することができるので、パッケージが不要となり
封止工程の簡略化によるコスト低減、小型化を図ること
ができた。
【００１０】しかし、赤外線センサー素子６を小基板１
３上にダイボンドペーストでダイボンドした後に、赤外
線センサー素子６の特性劣化が発生したり破壊が発生す
るという問題点があった。この問題点の原因を図６に基
づいて説明する。図６は小基板１３上へ赤外線センサー
素子６を実装するダイボンド工程を示す工程図である。
まず、（ａ）に示すように、小基板１３の赤外線センサ
ー素子６実装位置の所定箇所にダイボンドペースト２１
を供給し、赤外線センサー素子６を実装位置に配置す
る。（ｂ）は配置した状態を示す断面図である。次に、
リフロー等により加熱すると、（ｃ）に示したように、
赤外線センサー素子６に形成された貫通穴６ａの内部の
気体が膨張して貫通穴６ａの外部にぬける。その状態で
ダイボンドペースト２１は、赤外線センサー素子６の下
面で、貫通穴６ａの開口の周囲に広がるので、貫通穴６
ａはダイボンドペースト２１によって外気と遮断される
ことになり、ダイボンドペースト２１を硬化させるため
冷却すると、貫通穴６ａの内部の圧力が外気圧より小さ
くなり、（ｄ）に示すように、熱絶縁膜８が下方に凹状
に歪んでしまう。この現象が赤外線センサー素子６の劣
化、または、破壊の発生の原因となっていた。
３上にダイボンドペーストでダイボンドした後に、赤外
線センサー素子６の特性劣化が発生したり破壊が発生す
るという問題点があった。この問題点の原因を図６に基
づいて説明する。図６は小基板１３上へ赤外線センサー
素子６を実装するダイボンド工程を示す工程図である。
まず、（ａ）に示すように、小基板１３の赤外線センサ
ー素子６実装位置の所定箇所にダイボンドペースト２１
を供給し、赤外線センサー素子６を実装位置に配置す
る。（ｂ）は配置した状態を示す断面図である。次に、
リフロー等により加熱すると、（ｃ）に示したように、
赤外線センサー素子６に形成された貫通穴６ａの内部の
気体が膨張して貫通穴６ａの外部にぬける。その状態で
ダイボンドペースト２１は、赤外線センサー素子６の下
面で、貫通穴６ａの開口の周囲に広がるので、貫通穴６
ａはダイボンドペースト２１によって外気と遮断される
ことになり、ダイボンドペースト２１を硬化させるため
冷却すると、貫通穴６ａの内部の圧力が外気圧より小さ
くなり、（ｄ）に示すように、熱絶縁膜８が下方に凹状
に歪んでしまう。この現象が赤外線センサー素子６の劣
化、または、破壊の発生の原因となっていた。
【００１１】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、赤外線センサー素子をダイボ
ンドする際の脆弱な赤外線センサーチップの劣化または
破壊の発生を防止して、封止工程の簡素化による低コス
ト化、及び、小型化を図ることができるセンサーモジュ
ールの構造を提供することにある。
その目的とするところは、赤外線センサー素子をダイボ
ンドする際の脆弱な赤外線センサーチップの劣化または
破壊の発生を防止して、封止工程の簡素化による低コス
ト化、及び、小型化を図ることができるセンサーモジュ
ールの構造を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のセンサーモジュールは、表面から裏面まで
達する貫通穴を備えた平板状の半導体基板と、前記貫通
穴の表面側開口を覆ってその周辺部が前記半導体基板に
支持された熱絶縁膜と、前記貫通穴上方の前記熱絶縁膜
上に形成された検知部とを備えたセンサー素子と、信号
処理用ICとを実装したセンサーモジュールにおいて、セ
ンサー受光窓が形成された本体基板に、一方の面に前記
センサー素子を実装し他方の面に前記信号処理用ICをベ
アチップ実装したベアチップ実装基板を、前記センサー
受光窓に前記センサー素子が臨むように実装すると共
に、前記貫通穴へ外気を侵入させるための通気手段を前
記ベアチップ実装基板の本体である小基板上に設けたこ
とを特徴とするものである。
め、本発明のセンサーモジュールは、表面から裏面まで
達する貫通穴を備えた平板状の半導体基板と、前記貫通
穴の表面側開口を覆ってその周辺部が前記半導体基板に
支持された熱絶縁膜と、前記貫通穴上方の前記熱絶縁膜
上に形成された検知部とを備えたセンサー素子と、信号
処理用ICとを実装したセンサーモジュールにおいて、セ
ンサー受光窓が形成された本体基板に、一方の面に前記
センサー素子を実装し他方の面に前記信号処理用ICをベ
アチップ実装したベアチップ実装基板を、前記センサー
受光窓に前記センサー素子が臨むように実装すると共
に、前記貫通穴へ外気を侵入させるための通気手段を前
記ベアチップ実装基板の本体である小基板上に設けたこ
とを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】本発明のセンサーモジュールでは、ベアチップ
実装基板の本体である小基板上に、赤外線センサー素子
に形成された貫通穴へ外気を侵入させるための通気手段
を設けている。これにより、ダイボンドペーストで貫通
穴が外気と遮断されるのを防止することができるので熱
絶縁膜が歪むのを防止することができる。
実装基板の本体である小基板上に、赤外線センサー素子
に形成された貫通穴へ外気を侵入させるための通気手段
を設けている。これにより、ダイボンドペーストで貫通
穴が外気と遮断されるのを防止することができるので熱
絶縁膜が歪むのを防止することができる。
【００１４】
【実施例】図１に本発明のセンサーモジュールに用いる
ベアチップ実装基板の一実施例を示す。但し、図４に示
した構成と同等構成については同符号を付し詳細な説明
を省略することとする。図１は、ベアチップ実装基板１
２の側面図で、１３は一方の面に赤外線センサー素子６
がダイボンドされた小基板、１４は小基板１３の他方の
面にダイボンドされたベアチップ状の信号処理用IC、１
５は、赤外線センサー素子６と小基板１３、または、信
号処理用IC１４と小基板１３とを接続するボンディング
ワイヤ、１６は信号処理用IC１４及びそれに接続された
ボンディングワイヤ１５を保護する封止樹脂である。赤
外線センサー素子６及び信号処理用IC１４は、ダイボン
ドペースト（図示省略）によって小基板１３上にダイボ
ンドされている。また、１３ａは通気手段として小基板
１３上に２個形成された溝で、それぞれの溝１３ａは、
２つの貫通穴７ａの下方を通過するように、言い換える
と、外気が貫通穴７ａに侵入するための通路となるよう
に、その形成位置及び長さが設定されている。このよう
に構成することにより、貫通穴７ａの内部の気圧は外気
圧と同気圧となるので熱絶縁膜８が歪むのを防止するこ
とができる。
ベアチップ実装基板の一実施例を示す。但し、図４に示
した構成と同等構成については同符号を付し詳細な説明
を省略することとする。図１は、ベアチップ実装基板１
２の側面図で、１３は一方の面に赤外線センサー素子６
がダイボンドされた小基板、１４は小基板１３の他方の
面にダイボンドされたベアチップ状の信号処理用IC、１
５は、赤外線センサー素子６と小基板１３、または、信
号処理用IC１４と小基板１３とを接続するボンディング
ワイヤ、１６は信号処理用IC１４及びそれに接続された
ボンディングワイヤ１５を保護する封止樹脂である。赤
外線センサー素子６及び信号処理用IC１４は、ダイボン
ドペースト（図示省略）によって小基板１３上にダイボ
ンドされている。また、１３ａは通気手段として小基板
１３上に２個形成された溝で、それぞれの溝１３ａは、
２つの貫通穴７ａの下方を通過するように、言い換える
と、外気が貫通穴７ａに侵入するための通路となるよう
に、その形成位置及び長さが設定されている。このよう
に構成することにより、貫通穴７ａの内部の気圧は外気
圧と同気圧となるので熱絶縁膜８が歪むのを防止するこ
とができる。
【００１５】なお、実施例では、通気手段は溝１３ａで
あるとして説明したが、実施例に限定されず、外気が貫
通穴７ａに侵入するための通路となる形状であればよ
い。また、センサー素子は赤外線センサー素子に限定さ
れるものではない。
あるとして説明したが、実施例に限定されず、外気が貫
通穴７ａに侵入するための通路となる形状であればよ
い。また、センサー素子は赤外線センサー素子に限定さ
れるものではない。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明のセンサーモジュ
ールでは、ベアチップ実装基板の本体である小基板に、
外気が赤外線センサーチップの貫通穴に侵入するための
通気手段を設けたので、熱絶縁膜の歪みの発生を防止す
ることができ、小型化を図ることができる。また、封止
構造を簡略化することができるので低コスト化を図るこ
ともできる。
ールでは、ベアチップ実装基板の本体である小基板に、
外気が赤外線センサーチップの貫通穴に侵入するための
通気手段を設けたので、熱絶縁膜の歪みの発生を防止す
ることができ、小型化を図ることができる。また、封止
構造を簡略化することができるので低コスト化を図るこ
ともできる。
【図１】本発明のセンサーモジュールに用いられるベア
チップ実装基板の一実施例を示す側面図である。
チップ実装基板の一実施例を示す側面図である。
【図２】従来のセンサーモジュールの一例を示す斜視図
である。
である。
【図３】赤外線センサーチップの構造を示す図で、
（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
【図４】従来のセンサーモジュールに用いられるベアチ
ップ実装基板の一例を示す側面図である。
ップ実装基板の一例を示す側面図である。
【図５】センサーモジュールの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】従来のセンサーモジュールのベアチップ実装基
板のダイボンド工程を説明する断面図である。
板のダイボンド工程を説明する断面図である。
６ 赤外線センサー素子（センサー素
子） ７ 半導体基板 ７ａ 貫通穴 ８ 熱絶縁膜 ９ 熱検知部（検知部） １２ ベアチップ実装基板 １３ 小基板 １３ａ 溝（通気手段） １４ 信号処理用IC １７ 本体基板 １７ａ センサー受光窓
子） ７ 半導体基板 ７ａ 貫通穴 ８ 熱絶縁膜 ９ 熱検知部（検知部） １２ ベアチップ実装基板 １３ 小基板 １３ａ 溝（通気手段） １４ 信号処理用IC １７ 本体基板 １７ａ センサー受光窓
Claims (1)
- 【請求項１】 表面から裏面まで達する貫通穴を備えた
平板状の半導体基板と、前記貫通穴の表面側開口を覆っ
てその周辺部が前記半導体基板に支持された熱絶縁膜
と、前記貫通穴上方の前記熱絶縁膜上に形成された検知
部とを備えたセンサー素子と、信号処理用ICとを実装し
たセンサーモジュールにおいて、センサー受光窓が形成
された本体基板に、一方の面に前記センサー素子を実装
し他方の面に前記信号処理用ICをベアチップ実装したベ
アチップ実装基板を、前記センサー受光窓に前記センサ
ー素子が臨むように実装すると共に、前記貫通穴へ外気
を侵入させるための通気手段を前記ベアチップ実装基板
の本体である小基板上に設けたことを特徴とするセンサ
ーモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6117011A JPH07326778A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | センサーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6117011A JPH07326778A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | センサーモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326778A true JPH07326778A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14701250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6117011A Withdrawn JPH07326778A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | センサーモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326778A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551853B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-04-22 | Denso Corporation | Sensor having membrane structure and method for manufacturing the same |
| DE102004008148B4 (de) * | 2003-02-20 | 2014-03-13 | Denso Corporation | Sensor mit Membran und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
| CN107621272A (zh) * | 2016-07-15 | 2018-01-23 | Tdk株式会社 | 传感器单元 |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP6117011A patent/JPH07326778A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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