JPH07326071A - 反射率増加型光記録媒体 - Google Patents
反射率増加型光記録媒体Info
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- JPH07326071A JPH07326071A JP6117035A JP11703594A JPH07326071A JP H07326071 A JPH07326071 A JP H07326071A JP 6117035 A JP6117035 A JP 6117035A JP 11703594 A JP11703594 A JP 11703594A JP H07326071 A JPH07326071 A JP H07326071A
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Abstract
も、光記録により反射率が増加する記録層4、干渉層5
及び反射層6をこの順に積層してなる反射率増加型光記
録媒体として、3ビーム方式のトラッキング制御法を適
用でき、さらにプッシュプル方式のトラッキング制御法
にも同時に適用できるものを提供する。 【構成】 上記記録層4の厚さを、そのグルーブ部1と
ランド部3とに対応する領域間で明暗の差が現出するよ
うに異ならしめた。これに加え、その厚さを、さらに、
グルーブ部1又はランド部3に対応して設定されるトラ
ック部における反射光の位相がそのトラック間における
それよりも進むような厚さに設定した。
Description
の光記録により記録層の反射率が増加するタイプの光記
録媒体に関する。
録(書き込み)や再生(読み出し)に際し、一定サイズ
のレーザービームを所定のトラックに正確に追随させて
走査するためのトラッキング制御や、そのレーザービー
ムの焦点を正確に合わせるためのフォーカシング制御が
必要となる。その他にも、ジッター成分を除去するため
にトラック方向の走査制御を行うこともある。特に、上
記トラッキング制御に関しては、その主な制御方式とし
て3ビーム方式とプッシュプル方式があり、両者は互い
にそれぞれのメリットやデメリットを有しているが、現
在のところ、3ビーム方式が民生用のCD(コンパクト
ディスク)、LD(レーザディスク)等の光ディスク用
ドライブに多く使用されており、一方のプッシュプル方
式がデータ処理用の光ディスク用ドライブに使用される
ことが多い。この3ビーム方式が、部品コストが高くな
るにもかかわらず、CD、LD等の光ディスク用ドライ
ブに多く使用されているのは、第一にトラッキング制御
が容易であること、第二に今までの使用実績が多いこと
によるものとされている。
用)タイプのCD関連の光記録媒体は、その仕様につい
て規格で厳密に規定されている。具体的には、記録モー
ドが光記録により記録層の反射率が低下する「High
to low」のタイプであり、その記録層の初期反
射率を70%以上に設定しておき、記録によって形成さ
れるマーク部の反射率を位相構造により下げることによ
り初期反射率に対して所定以上のコントラストが得られ
るように構成されている。また、書き込みが可能な追記
型のCD関連の光記録媒体は、その仕様がオレンジブッ
クパートIIという規格によって規定されている。その
規格によれば、記録モードが「High to lo
w」のタイプを前提としており、その記録層の初期反射
率を65%以上に設定しておき、書き込みによってその
マーク部の反射率を低下させて初期反射率に対して一定
以上のコントラストを発生させるようになっている。こ
のマーク部の反射率低下は、Au層/有機色素層/基板
という基本的な媒体構造における色素層をレーザービー
ム照射により熱変形させることによって行われる。
のトラッキング制御は、次のようにして行われる。すな
わち、前者の媒体の場合には、そのマーク部における反
射率低下をそのまま濃淡ピットとして検出することによ
り行われ、後者の媒体の場合には、書き込み部位がディ
スク基板に形成されたナローグルーブ部(幅狭の溝部)
に設定されており、書き込み前後共にそのグルーブ部に
沿ってマーク部における反射率低下を濃淡ピットとして
検出することにより行われるようになっている。このよ
うに通常の3ビーム方式のトラッキング制御は、その制
御用メインビームが光記録媒体上における暗部を追従す
るようにトラッキング極性が設定されている。要する
に、リードオンリータイプの記録媒体では、その記録形
成されたマーク部(列)が反射率低下により暗部のトラ
ックとして機能し、追記型の記録媒体では、グルーブ部
がその間のランド部に比較して暗部のトラックとして機
能するため、これらの暗部となるトラックをメインビー
ムが追従して3ビーム方式のトラッキング制御が行われ
るようになっている。
書き込みが可能なCDライトワンスタイプの光記録媒体
として、相分離型の記録材料を用いて構成したものを提
案している。この相分離型の記録方式を適用したCDラ
イトワンスタイプの光記録媒体は、その記録モードとし
て「High to low」、「Low to hi
gh」(光記録により記録層の反射率が増加する)、
「Middle tolow and high」(初
期反射率を中間レベルにした記録層の反射率が光記録に
より低下及び増加する)という3タイプのモードを採用
することができる。
プの光記録媒体は、記録モードが「High to l
ow」或いは「Middle to low and
high」タイプの場合には3ビーム方式のトラッキン
グ制御が適用可能であるが、記録モードが「Low t
o high」タイプの場合にはその適用が困難であ
る。つまり、「Low to high」タイプの記録
モードの場合には、マーク部の反射率が光記録により高
くなり、そのマーク部列の平均反射率がマーク部列間よ
りも高くなるため、トラッキングエラー検出器には、そ
のマーク部列が明部のトラックとして、マーク部列の間
が暗部のトラックとして検出されることになり、その結
果、制御用メインビームはマーク部列に引き込まれず、
マーク部列間に引き込まれて追従してしまうからであ
る。
タイプの記録モード、即ち反射率増加型の光記録媒体の
場合に限り、今までの構成内容のままでは3ビーム方式
によるトラッキング制御を適用することが難しいのであ
る。そのため、このタイプの光記録媒体は、一般の普及
型CDプレーヤー(再生装置)では正常に再生すること
ができない場合があった。
は、3ビーム方式のトラッキング制御法を適用できる
「Low to high」の記録モードタイプ、即ち
反射率増加型の光記録媒体を提供することにある。
の光記録媒体として3ビーム方式のトラッキング制御法
を適用できると同時に、プッシュプル方式のトラッキン
グ制御法にも適用できる光記録媒体を提供することにあ
る。
率増加型光記録媒体は、グルーブが形成された基板上
に、少なくとも、光記録により反射率が増加する記録
層、干渉層及び反射層をこの順に積層してなる反射率増
加型光記録媒体において、上記記録層の厚さを、グルー
ブ部とその間のランド部とに対応する領域間で明暗の差
が現出するように異ならしめたことを特徴とするもので
ある。
ランド部における記録層の厚さは、3ビーム方式のトラ
ッキング制御法が暗部として機能するトラックを追従す
るようにトラッキング極性が設定されていることと、反
射率増加型の記録媒体が光記録により記録層の反射率が
高くなるようになっていることを考慮し、光記録による
マークが形成されるグルーブ部(或いはランド部)、即
ちトラック部がそのマーク列の間に相当するランド部
(或いはグルーブ部)、即ちトラック間よりも低反射率
となって暗部として検知されるように設定すればよい。
の厚さを、さらに、グルーブ部又はランド部に対応する
記録層領域に基づいて設定されるトラック部における反
射光の位相がそのトラック間における反射光の位相より
も進むような厚さに設定することが好ましい。このよう
な厚さに記録層を形成することにより、3ビーム方式と
同時に、プッシュプル方式のトラッキング制御法にも適
用可能な光記録媒体とすることができる。
に対応する領域における各厚さは、一般的に、トラック
部として使用される記録層領域が暗部として機能するよ
うに設定すればよい。また、プシュプル方式にも対応可
能なものとする場合には、トラック部として使用される
記録層領域の方がその間(トラック間)よりも位相が進
むように、好ましくはその位相差が(π/2+2nπ)
程度となるように設定すればよい。
領域の厚さを40nm程度、そのトラック間に相当する
記録層領域の厚さを0〜10nmとすることを前提と
し、グルーブ部に対応する記録層領域をトラック部とし
て使用する場合と、ランド部に対応する記録層領域をト
ラック部として使用する場合とを想定して説明する。
して使用するタイプの場合、相対的にグルーブ部がワイ
ドでランド部がナローな形態からなる基板を使用して、
そのワイドグルーブ部にマークを書き込む構成において
は、ナローランド部に対応する記録層の厚さをワイドグ
ルーブ部に対応する記録層の厚さよりも薄くし、好まし
くはワイドグルーブ部に対応する記録層の1/2以下の
厚さに、更に好ましくはゼロにする。これにより、ナロ
ーランド部に対応する記録層の反射率がワイドグルーブ
部に対応するそれよりも大きくなる。反射率で言えば、
ナローランド部に対応する記録層の反射率を45%以
上、好ましくは65%以上となるように設定することが
望ましい。また、プッシュプル方式にも適用可能とする
場合には、上記各記録層の厚さを、ワイドグルーブ部に
対応する記録層の位相の方がナローランド部のそれより
も進むように、好ましくはその位相差が少なくとも0.
1〜0.9π程度、より好ましくは0.2〜0.6π程
度となるように設定する。
て使用するタイプの場合、相対的にナローグルーブ部と
ワイドランド部という形態からなる基板を使用して、そ
のワイドランド部にマークを書き込む構成においては、
ナローグルーブ部に対応する記録層の厚さをワイドラン
ド部に対応する記録層の厚さよりも薄くし、好ましくは
ワイドランド部に対応する記録層の1/2以下の厚さ
に、更に好ましくはゼロにする。これにより、ナローグ
ルーブ部に対応する記録層の反射率がワイドランド部に
対応するそれよりも大きくなる。反射率で言えば、ナロ
ーグルーブ部に対応する記録層の反射率を45%以上、
好ましくは65%以上となるように設定することが望ま
しい。また、プッシュプル方式にも適用可能とする場合
には、上記各記録層の厚さを、ワイドランド部に対応す
る記録層の位相の方がナローグルーブ部のそれよりも進
むように、好ましくはその位相差が少なくとも0.1〜
0.9π程度、より好ましくは0.2〜0.6π程度と
なるように設定する。
グルーブ部とランド部に対応する領域間において所定の
厚さに形成できる手段であれば如何なる方法であっても
よい。例えば、前記したグルーブ部対応領域をトラック
部として使用する場合のように、(ナロー)ランド部に
対応する記録層の厚さを(ワイド)グルーブ部に対応す
るそれよりも薄く形成するに当たっては、イオンビーム
によるエッチング技術等を利用することができる。この
方法の場合、さらに以下のごとき2つの方法がある。そ
の1つは、イオンプレーティング法により基板に予め記
録層を均一な厚さで着膜した後、イオンビームを基板面
とほぼ平行な方向に且つ基板表面すれすれに照射するこ
とにより、ランド部上に着膜している記録層のみを選択
的にエッチングする方法である。もう1つは、イオンプ
レーティング法により基板に着膜しながら、同時にイオ
ンビームを基板面とほぼ平行な方向に且つ基板表面すれ
すれに照射することにより、ランド部上への着膜を選択
的に抑制する方法である。
トラック部として使用する場合のように、(ワイド)ラ
ンド部に対応する記録層の厚さを(ナロー)グルーブ部
に対応するそれよりも薄く厚く形成するに当たっては、
基板面に対して所定の角度でもって斜め方向から蒸着法
等により着膜する方法等を利用することができる。この
方法における傾斜(着膜)角度は、蒸着の効率や、グル
ーブ部への着膜に対するランド部の遮へい効果の割合等
に基づいて適宜設定される。
層は、反射率が光記録により増加するタイプの公知の記
録材料を用いて構成される。特に、この記録層を、相分
離型のスピノーダル分解を利用する記録材料にて形成す
ることにより、反射率増加型CDライトワンスタイプの
光記録媒体を容易に構成することができる。
厚さは、原則的には均一であるが、必要に応じてグルー
ブ部とランド部間において若干異ならせてもよい。
記録層の厚さをグルーブ部とランド部に対応する領域間
において適宜設定することにより、暗部として機能する
グルーブ部或いはランド部に対応した記録層領域(トラ
ック)に光記録が行われる。
よりランド部が暗部として機能するようにした場合、記
録によりマークが形成されたランド部に対応する記録層
領域分は、そのマーク部分の反射率増加にもかかわら
ず、マークを形成しないグルーブ部に対応する記録層領
域よりも低反射率となり暗部として検知されるため、3
ビーム方式のトラッキング制御法に対しても、そのラン
ド部に対応する記録層部分にメインビームが引き込めら
れて正常なトラッキング制御が行われる。
けではプッシュプル方式のトラッキング制御法に適用で
きない場合があるが、かかる条件設定に加えて、トラッ
ク部における反射光の位相がそのトラック間における反
射光の位相より進むような厚さに設定した場合には、3
ビーム方式と同時にプッシュプル方式のトラッキング制
御法にも適用することができる。
明する。
幅1.1μm、ピッチ1.6μm)が形成されたポリカ
ーボネート製の基板2上に(ランド部3の幅は0.5μ
m)、変形防止のために、RFスパッタリング法により
SiO2からなる厚さ80nmの下地層(不図示)を形
成した。
ティング法によりSbOxを40nmの均一な厚さに着
膜した後、基板をイオンビームの照射方向と基板面との
なす角度が約8度となるように設置した状態で、イオン
ビームを照射することによりランド部上の着膜層を選択
的にエッチングした。これにより、グルーブ部1に対応
する部分の層厚が40nm、ランド部3に対応する部分
の層厚が10nmからなる記録層4を形成した。
法によりSiO2からなる干渉層5を60nmの均一な
厚さに形成した後、同じくRFスパッタリング法により
アルミニウムからなる厚さ50nmの反射層6を均一な
厚さで形成した。最後に、スピンコーティング法により
紫外線硬化性樹脂からなる厚さ数μmの保護層7を形成
し、反射率増加型の光記録媒体とした。この光記録媒体
のトラックはグルーブ部に対応する記録層領域である。
ュプル方式のトラッキング適性について確認するため、
情報の書き込み前と書き込み後におけるトラッククロス
(Tc)信号及びトラッキングエラー(Te)信号を測
定したところ、図1の下部に示すような信号波形が得ら
れた。また、図1には従来の光記録媒体におけるTc信
号波形とTe信号信号波形についても従来例として図示
した。この図1の信号波形から明らかなように、例え
ば、トラック部におけるTe信号のゼロクロスの傾き極
性が、本実施例のものは従来例に対して反転して設定さ
れた極性に合致したものとなっている。これにより、本
実施例の光記録媒体は3ビーム方式とプッシュプル方式
のいずれのトラッキング制御法にも適用できることが確
認された。
プル方式のトラッキング制御法を採用したライター(光
記録装置)によるEFM信号の書き込みと、3ビーム方
式のトラッキング制御法を採用したプレーヤーによる再
生を試みたところ、正常な書き込みができるとともに、
その書き込まれた信号を正常に再生することができた。
なお、このとき使用されたレーザビームの波長は780
nmであった。
にして図2に示すような反射率増加型の光記録媒体を作
製した。この光記録媒体のトラックはグルーブ部に対応
する記録層領域である。
く、下地層を形成した後の基板2をイオンビームの照射
方向に対して同一条件で設置し、その状態でイオンプレ
ーティング法によりSbOxを着膜しながら、同時にイ
オンビームを照射しつつ形成した。これにより、グルー
ブ部1に対応する部分の層厚が50nm、ランド部3に
対応する部分の層厚が0である記録層4を形成した。
ッシュプル方式のトラッキング適性について確認するた
め、実施例1と同様にTc信号及びTe信号の測定をし
たところ、図2の下部に示すような信号波形が得られ
た。また、図2には実施例1と同様に従来例の信号波形
についても図示した。
同様にしてライターによる書き込みとプレーヤーによる
再生を試みたところ、正常な書き込みと再生がいずれも
可能であることが確認できた。
5μm、ピッチ1.6μm)とランド部(幅1.1μ
m)が形成されたポリカーボネート製のものを使用し、
また記録層4を下記のように形成し、更に保護層7の厚
さを3μmとした以外は実施例1と同様にして、図3に
示すような反射率増加型の光記録媒体を作製した。この
光記録媒体のトラックはランド部に対応する記録層領域
である。
を着膜方向と基板面のなす角度が約45°となるように
設置した状態でイオンプレーティング法によりSbOx
を斜め蒸着した。これにより、グルーブ部1に対応する
部分の層厚が10nm、ランド部3に対応する部分の層
厚が40nmからなる記録層4を形成した。
ッシュプル方式のトラッキング適性について確認するた
め、実施例1と同様にTc信号及びTe信号の測定をし
たところ、図3の下部に示すような信号波形が得られ
た。また、図3には実施例1と同様に従来例の信号波形
についても図示した。
同様にしてライターによる書き込みとプレーヤーによる
再生を試みたところ、正常な書き込みと再生がいずれも
可能であることが確認できた。
体は、反射率増加型であるにもかかわらず、何ら支障な
く3ビーム方式によるトラッキング制御法をそのまま適
用することができる。しかも、記録層の厚さを前記のご
とき反射光の位相差があるように設定することにより、
3ビーム方式と同時にプッシュプル方式によるトラッキ
ング制御法にも適用することができる。このため、例え
ば相分離型の記録材料にて記録層を形成したCDライト
ワンスタイプの光記録媒体であっても、一般の普及型C
Dプレーヤーにて再生可能となる。
号波形を示す断面図及び波形図である。
号波形を示す断面図及び波形図である。
号波形を示す断面図及び波形図である。
層、5…干渉層、6…反射層。
Claims (3)
- 【請求項1】 グルーブが形成された基板上に、少なく
とも、光記録により反射率が増加する記録層、干渉層及
び反射層をこの順に積層してなる反射率増加型光記録媒
体において、 上記記録層の厚さを、グルーブ部とその間のランド部と
に対応する領域間で明暗の差が現出するように異ならし
めたことを特徴とする反射率増加型光記録媒体。 - 【請求項2】 請求項1記載の光記録媒体において、記
録層の厚さを、さらに、グルーブ部又はランド部に対応
する記録層領域に基づいて設定されるトラック部におけ
る反射光の位相がそのトラック間における反射光の位相
よりも進むような厚さに設定したことを特徴とする反射
率増加型光記録媒体。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の光記録媒体におい
て、記録層が相分離型の記録材料からなる層であること
を特徴とする反射率増加型光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11703594A JP3261863B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 反射率増加型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11703594A JP3261863B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 反射率増加型光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07326071A true JPH07326071A (ja) | 1995-12-12 |
JP3261863B2 JP3261863B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=14701834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11703594A Expired - Fee Related JP3261863B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 反射率増加型光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3261863B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012113816A (ja) * | 2012-02-03 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体、情報再生方法、および情報記録方法 |
JP2012113817A (ja) * | 2012-02-03 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体、情報再生方法、および情報記録方法 |
US8717858B2 (en) | 2005-07-29 | 2014-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Write-once type information storage medium (disk structure of recording type information storage medium having structure in which recording layer formed on transparent susbstrate is defined as inside), and information reproducing method or information recording method as well as storage medium manufacturing |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11703594A patent/JP3261863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8717858B2 (en) | 2005-07-29 | 2014-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Write-once type information storage medium (disk structure of recording type information storage medium having structure in which recording layer formed on transparent susbstrate is defined as inside), and information reproducing method or information recording method as well as storage medium manufacturing |
JP2012113816A (ja) * | 2012-02-03 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体、情報再生方法、および情報記録方法 |
JP2012113817A (ja) * | 2012-02-03 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体、情報再生方法、および情報記録方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3261863B2 (ja) | 2002-03-04 |
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