JPH07312404A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH07312404A JPH07312404A JP10373794A JP10373794A JPH07312404A JP H07312404 A JPH07312404 A JP H07312404A JP 10373794 A JP10373794 A JP 10373794A JP 10373794 A JP10373794 A JP 10373794A JP H07312404 A JPH07312404 A JP H07312404A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の外形サイズを縮小す
る。また、誤動作を防止する。また、放熱性を高める。 【構成】 インナーリード６と樹脂封止体１の実装面１
Ａに配置された突起電極８とを前記樹脂封止体１に形成
された接続孔９を通して電気的に接続する。また、樹脂
封止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８のうち、
電源が印加される突起電極８Ｂとタブ４とを前記樹脂封
止体１に形成された接続孔９を通して電気的に接続し、
かつ半導体ペレット２の素子形成面上に配置された外部
端子３のうち、電源が印加される外部端子３Ｂと前記タ
ブ４とをボンディングワイヤ７Ｂで電気的に接続する。
る。また、誤動作を防止する。また、放熱性を高める。 【構成】 インナーリード６と樹脂封止体１の実装面１
Ａに配置された突起電極８とを前記樹脂封止体１に形成
された接続孔９を通して電気的に接続する。また、樹脂
封止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８のうち、
電源が印加される突起電極８Ｂとタブ４とを前記樹脂封
止体１に形成された接続孔９を通して電気的に接続し、
かつ半導体ペレット２の素子形成面上に配置された外部
端子３のうち、電源が印加される外部端子３Ｂと前記タ
ブ４とをボンディングワイヤ７Ｂで電気的に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特に、タブのペレット塔載面上に塔載された半
導体ペレットの外部端子にボンディングワイヤを介して
インナーリードが電気的に接続され、前記タブ、半導体
ペレット、ボンディングワイヤ、インナーリードの夫々
が樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置に適用
して有効な技術に関するものである。
に関し、特に、タブのペレット塔載面上に塔載された半
導体ペレットの外部端子にボンディングワイヤを介して
インナーリードが電気的に接続され、前記タブ、半導体
ペレット、ボンディングワイヤ、インナーリードの夫々
が樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置に適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】製品コストの削減を主目的とする樹脂封
止型半導体装置として、ＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackag
e）構造を採用する樹脂封止型半導体装置がある。この
ＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装置は、タブのペレット
塔載面上に半導体ペレットを塔載する。
止型半導体装置として、ＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackag
e）構造を採用する樹脂封止型半導体装置がある。この
ＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装置は、タブのペレット
塔載面上に半導体ペレットを塔載する。
【０００３】前記半導体ペレットは、平面形状が方形状
に形成された半導体基板を主体に構成される。半導体基
板の素子形成面(主面)には例えば論理回路システムが塔
載される。また、半導体基板の素子形成面上には、外周
囲の各辺に沿って複数個の外部端子(ボンディングパッ
ド)が配置される。
に形成された半導体基板を主体に構成される。半導体基
板の素子形成面(主面)には例えば論理回路システムが塔
載される。また、半導体基板の素子形成面上には、外周
囲の各辺に沿って複数個の外部端子(ボンディングパッ
ド)が配置される。
【０００４】前記半導体ペレットの外周囲の外側には、
複数本のインナーリードが配置される。この複数本のイ
ンナーリードの夫々の一端(先端)は、半導体ペレットの
外周囲の各辺に沿って配列され、半導体ペレットの素子
形成面上に配置された複数個の外部端子の夫々にボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続される。
複数本のインナーリードが配置される。この複数本のイ
ンナーリードの夫々の一端(先端)は、半導体ペレットの
外周囲の各辺に沿って配列され、半導体ペレットの素子
形成面上に配置された複数個の外部端子の夫々にボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続される。
【０００５】前記タブ、半導体ペレット、インナーリー
ド、ボンディングワイヤ等は、平面形状が方形状に形成
された樹脂封止体で封止される。樹脂封止体の外周囲の
外側には複数本のアウターリードが配置される。複数本
のアウターリードの夫々は、樹脂封止体の外周囲の各辺
に沿って配列され、ガルウィング形状で形成される。
ド、ボンディングワイヤ等は、平面形状が方形状に形成
された樹脂封止体で封止される。樹脂封止体の外周囲の
外側には複数本のアウターリードが配置される。複数本
のアウターリードの夫々は、樹脂封止体の外周囲の各辺
に沿って配列され、ガルウィング形状で形成される。
【０００６】前記複数本のインナーリードの夫々の他端
は、樹脂封止体の外周囲の各辺に沿って配列され、樹脂
封止体の外側に配置された複数本のウターリードの夫々
に一体化される。つまり、複数本のインナーリードの夫
々は、半導体ペレットの外周囲の一辺から樹脂封止体の
外周囲の一辺に向かって放射状に配置される。
は、樹脂封止体の外周囲の各辺に沿って配列され、樹脂
封止体の外側に配置された複数本のウターリードの夫々
に一体化される。つまり、複数本のインナーリードの夫
々は、半導体ペレットの外周囲の一辺から樹脂封止体の
外周囲の一辺に向かって放射状に配置される。
【０００７】このように構成されるＱＦＰ構造の樹脂封
止型半導体装置は、実装基板の実装面上に実装され、そ
のアウターリードと実装基板の実装面上に配置された外
部端子(電極パッド)とがろう材で固着される。
止型半導体装置は、実装基板の実装面上に実装され、そ
のアウターリードと実装基板の実装面上に配置された外
部端子(電極パッド)とがろう材で固着される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記樹脂封止型半導体
装置は以下の問題を生じる。
装置は以下の問題を生じる。
【０００９】（１）前記インナーリードの他端側（樹脂
封止体の一辺側）のリード配列ピッチは、アウターリー
ドの機械的強度の確保や実装時の短絡を防止するため、
その一端側（半導体ペレットの一辺側）のリード配列ピ
ッチに比べ広く構成される。このため、樹脂封止体の外
周囲の一辺の長さが半導体ペレットの外周囲の一辺の長
さに比べて拡大し、樹脂封止型半導体装置の外形サイズ
が拡大するという問題があった。この外形サイズの拡大
は、リード本数の増加に伴って顕著になる。
封止体の一辺側）のリード配列ピッチは、アウターリー
ドの機械的強度の確保や実装時の短絡を防止するため、
その一端側（半導体ペレットの一辺側）のリード配列ピ
ッチに比べ広く構成される。このため、樹脂封止体の外
周囲の一辺の長さが半導体ペレットの外周囲の一辺の長
さに比べて拡大し、樹脂封止型半導体装置の外形サイズ
が拡大するという問題があった。この外形サイズの拡大
は、リード本数の増加に伴って顕著になる。
【００１０】（２）前記インナーリードは半導体ペレッ
トの一辺側から樹脂封止体の一辺側に向かって延在す
る。インナーリードの一端から他端までの長さは、リー
ド本数の増加による樹脂封止体の一辺の長さの拡大に伴
って長くなる。このため、半導体ペレットの外部端子と
アウターリードとを結ぶ電源経路のインダクタンスが増
加し、信号の同時切り替え時に電源ノイズが発生し易く
なるので、樹脂封止型半導体装置が誤動作するという問
題があった。この信号の同時切り替え時に発生する電源
ノイズは、リード本数の増加に伴うインナーリードの微
細化によって更に発生し易くなる。
トの一辺側から樹脂封止体の一辺側に向かって延在す
る。インナーリードの一端から他端までの長さは、リー
ド本数の増加による樹脂封止体の一辺の長さの拡大に伴
って長くなる。このため、半導体ペレットの外部端子と
アウターリードとを結ぶ電源経路のインダクタンスが増
加し、信号の同時切り替え時に電源ノイズが発生し易く
なるので、樹脂封止型半導体装置が誤動作するという問
題があった。この信号の同時切り替え時に発生する電源
ノイズは、リード本数の増加に伴うインナーリードの微
細化によって更に発生し易くなる。
【００１１】（３）前記半導体ペレットに塔載された論
理回路システムの動作で発生する熱は、樹脂封止体やイ
ンナーリードを放熱経路として樹脂封止体の外部に放出
される。しかしながら、インナーリードの放熱経路は、
リード本数の増加による樹脂封止体の一辺の長さの増大
に伴って長くなるので、樹脂封止型半導体装置の放熱性
が低下するという問題があった。この樹脂封止型半導体
装置の放熱性はインナーリードの微細化に伴って更に低
下する。
理回路システムの動作で発生する熱は、樹脂封止体やイ
ンナーリードを放熱経路として樹脂封止体の外部に放出
される。しかしながら、インナーリードの放熱経路は、
リード本数の増加による樹脂封止体の一辺の長さの増大
に伴って長くなるので、樹脂封止型半導体装置の放熱性
が低下するという問題があった。この樹脂封止型半導体
装置の放熱性はインナーリードの微細化に伴って更に低
下する。
【００１２】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
外形サイズを縮小することが可能な技術を提供すること
にある。
外形サイズを縮小することが可能な技術を提供すること
にある。
【００１３】本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装
置の誤動作を防止することが可能な技術を適用すること
にある。
置の誤動作を防止することが可能な技術を適用すること
にある。
【００１４】本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装
置の放熱性を高めることが可能な技術を提供することに
ある。
置の放熱性を高めることが可能な技術を提供することに
ある。
【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１７】（１）タブのペレット塔載面上に塔載され
た半導体ペレットの外部端子にボンディングワイヤを介
してインナーリードが電気的に接続され、前記タブ、半
導体ペレット、インナーリード、ボンディングワイヤの
夫々が樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記インナーリードと前記樹脂封止体の実装面
に配置された突起電極とを前記樹脂封止体に形成された
接続孔を通して電気的に接続する。
た半導体ペレットの外部端子にボンディングワイヤを介
してインナーリードが電気的に接続され、前記タブ、半
導体ペレット、インナーリード、ボンディングワイヤの
夫々が樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記インナーリードと前記樹脂封止体の実装面
に配置された突起電極とを前記樹脂封止体に形成された
接続孔を通して電気的に接続する。
【００１８】（２）前記樹脂封止体の実装面に配置され
た突起電極のうち、電源が印加される突起電極と前記タ
ブとを前記樹脂封止体に形成された接続孔を通して電気
的に接続し、かつ前記半導体ペレットの外部端子のう
ち、電源が印加される外部端子と前記タブとをボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続する。
た突起電極のうち、電源が印加される突起電極と前記タ
ブとを前記樹脂封止体に形成された接続孔を通して電気
的に接続し、かつ前記半導体ペレットの外部端子のう
ち、電源が印加される外部端子と前記タブとをボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続する。
【００１９】
【作用】上述した手段（１）によれば、アウターリード
を廃止し、インナーリードの他端側(樹脂封止体の一辺
側)のリード配列ピッチをインナーリードの一端側（半
導体ペレットの一辺側）と同等又はそれに近づけること
ができるので、樹脂封止体の外周囲の一辺の長さを縮小
できる。この結果、樹脂封止型半導体装置の外形サイズ
を縮小することができる。
を廃止し、インナーリードの他端側(樹脂封止体の一辺
側)のリード配列ピッチをインナーリードの一端側（半
導体ペレットの一辺側）と同等又はそれに近づけること
ができるので、樹脂封止体の外周囲の一辺の長さを縮小
できる。この結果、樹脂封止型半導体装置の外形サイズ
を縮小することができる。
【００２０】上述した手段（２）によれば、半導体ペレ
ットの電源用外部端子と、樹脂封止体の実装面に配置さ
れた電源用突起電極との間の電源経路を縮小することが
できるので、信号の同時切り替え時に発生する電源ノイ
ズを低減できる。この結果、樹脂封止型半導体装置の誤
動作を防止できる。
ットの電源用外部端子と、樹脂封止体の実装面に配置さ
れた電源用突起電極との間の電源経路を縮小することが
できるので、信号の同時切り替え時に発生する電源ノイ
ズを低減できる。この結果、樹脂封止型半導体装置の誤
動作を防止できる。
【００２１】また、半導体ペレットに塔載された回路シ
ステムの動作で発生しる熱をタブ、突起電極の夫々を通
して樹脂封止体の外部に放出することができるので、樹
脂封止型半導体装置の放熱性を高めることができる。
ステムの動作で発生しる熱をタブ、突起電極の夫々を通
して樹脂封止体の外部に放出することができるので、樹
脂封止型半導体装置の放熱性を高めることができる。
【００２２】また、電源が印加されるインナーリードを
廃止することができるので、樹脂封止型半導体装置の外
形サイズを縮小することができる。
廃止することができるので、樹脂封止型半導体装置の外
形サイズを縮小することができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の構成について、製品コストの
削減を主目的とする樹脂封止型半導体装置に本発明を適
用した実施例とともに説明する。
削減を主目的とする樹脂封止型半導体装置に本発明を適
用した実施例とともに説明する。
【００２４】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２５】（実 施 例 １）本発明の実施例１である
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図１（樹脂封止体の
上部を除去した状態を示す平面図）、図２（樹脂封止体
の実装面側を示す要部平面図）、図３（図１に示すＡ−
Ａ切断線で切った断面図）及び図４（図２に示すＢ−Ｂ
切断線で切った断面図）に示す。
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図１（樹脂封止体の
上部を除去した状態を示す平面図）、図２（樹脂封止体
の実装面側を示す要部平面図）、図３（図１に示すＡ−
Ａ切断線で切った断面図）及び図４（図２に示すＢ−Ｂ
切断線で切った断面図）に示す。
【００２６】図１、図２及び図３に示すように、樹脂封
止型半導体装置は、タブ吊りリード５で支持されたタブ
４のペレット塔載面上に半導体ペレット２を塔載する。
この半導体ペレット２は、絶縁性の接着層を介在してタ
ブ４のペレット塔載面上に固着される。
止型半導体装置は、タブ吊りリード５で支持されたタブ
４のペレット塔載面上に半導体ペレット２を塔載する。
この半導体ペレット２は、絶縁性の接着層を介在してタ
ブ４のペレット塔載面上に固着される。
【００２７】前記半導体ペレット２は、平面形状が方形
状に形成された半導体基板を主体に構成される。半導体
基板の素子形成面（主面）には例えば論理回路システム
が塔載される。また、半導体基板の素子形成面上には、
外周囲の各辺に沿って複数個の外部端子（ボンディング
パッド）３が配置される。この複数個の外部端子３のう
ち、外部端子３Ａには信号又は電源が印加され、外部端
子３Ｂには電源が印加される。
状に形成された半導体基板を主体に構成される。半導体
基板の素子形成面（主面）には例えば論理回路システム
が塔載される。また、半導体基板の素子形成面上には、
外周囲の各辺に沿って複数個の外部端子（ボンディング
パッド）３が配置される。この複数個の外部端子３のう
ち、外部端子３Ａには信号又は電源が印加され、外部端
子３Ｂには電源が印加される。
【００２８】前記半導体ペレット２の外周囲の外側に
は、複数本のインナーリード６が配置される。この複数
本のインナーリード６の夫々の一端(先端)は、半導体ペ
レット２の外周囲の各辺に沿って配列され、半導体ペレ
ット２の素子形成面上に配置された複数個の外部端子３
Ａの夫々にボンディングワイヤ７Ａを介して電気的に接
続される。
は、複数本のインナーリード６が配置される。この複数
本のインナーリード６の夫々の一端(先端)は、半導体ペ
レット２の外周囲の各辺に沿って配列され、半導体ペレ
ット２の素子形成面上に配置された複数個の外部端子３
Ａの夫々にボンディングワイヤ７Ａを介して電気的に接
続される。
【００２９】前記タブ４、タブ吊りリード５、半導体ペ
レット２、ボンディングワイヤ７Ａ等は、平面形状が方
形状に形成された樹脂封止体１で封止される。樹脂封止
体１は、低応力化を図るために例えばフェノール系硬化
剤、シリコーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ
系樹脂で形成され、トランスファモールド法に基づいて
成形される。この樹脂封止体１の実装面１Ａには複数個
の突起電極８が配置される。突起電極８は例えばＰｂ−
Ｓｎ系の合金材で形成される。
レット２、ボンディングワイヤ７Ａ等は、平面形状が方
形状に形成された樹脂封止体１で封止される。樹脂封止
体１は、低応力化を図るために例えばフェノール系硬化
剤、シリコーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ
系樹脂で形成され、トランスファモールド法に基づいて
成形される。この樹脂封止体１の実装面１Ａには複数個
の突起電極８が配置される。突起電極８は例えばＰｂ−
Ｓｎ系の合金材で形成される。
【００３０】前記複数本のインナーリード６の夫々の他
端は樹脂封止体１の外周囲の各辺に沿って配列される。
つまり、複数本のインナーリード６の夫々は、半導体ペ
レット２の外周囲の一辺側から樹脂封止体１の外周囲の
一辺側に向かって延在し、放射状に配置される。
端は樹脂封止体１の外周囲の各辺に沿って配列される。
つまり、複数本のインナーリード６の夫々は、半導体ペ
レット２の外周囲の一辺側から樹脂封止体１の外周囲の
一辺側に向かって延在し、放射状に配置される。
【００３１】前記タブ４、タブ吊りリード５、インナー
リード６の夫々は、トランスファモールド法に基づいて
樹脂封止体１を成形した後、リードフレームの枠体から
切断される。リードフレームは、例えばＦｅ−Ｎｉ（例
えばＮｉ含有率４２［％］又は５０［％］）合金、Ｃｕ
系合金等で形成される。
リード６の夫々は、トランスファモールド法に基づいて
樹脂封止体１を成形した後、リードフレームの枠体から
切断される。リードフレームは、例えばＦｅ−Ｎｉ（例
えばＮｉ含有率４２［％］又は５０［％］）合金、Ｃｕ
系合金等で形成される。
【００３２】前記複数本のインナーリード６の夫々に
は、樹脂封止体１の実装面１Ａに配置された複数個の突
起電極８のうち、信号が印加される突起電極８Ａが樹脂
封止体１に形成された接続孔９を通して夫々毎に電気的
に接続される。つまり、インナーリード６と樹脂封止体
１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ａとは樹脂封止
体１に形成された接続孔９を通して電気的に接続され
る。
は、樹脂封止体１の実装面１Ａに配置された複数個の突
起電極８のうち、信号が印加される突起電極８Ａが樹脂
封止体１に形成された接続孔９を通して夫々毎に電気的
に接続される。つまり、インナーリード６と樹脂封止体
１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ａとは樹脂封止
体１に形成された接続孔９を通して電気的に接続され
る。
【００３３】前記タブ４には、図１、図２及び図４に示
すように、樹脂封止体１の実装面１Ａに配置された複数
個の突起電極８のうち、電源が印加される突起電極８Ｂ
が樹脂封止体１に形成された接続孔９を通して電気的に
接続される。また、タブ４には、半導体ペレット２の素
子形成面上に配置された複数個の外部端子３のうち、電
源が印加される外部端子３Ｂにボンディングワイヤ７Ｂ
を介して電気的に接続される。つまり、タブ４と樹脂封
止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ｂとは樹脂
封止体１に形成された接続孔９を通して電気的に接続さ
れ、タブ４と半導体ペレット２の外部端子３Ｂとはボン
ディングワイヤ７Ｂで電気的に接続される。
すように、樹脂封止体１の実装面１Ａに配置された複数
個の突起電極８のうち、電源が印加される突起電極８Ｂ
が樹脂封止体１に形成された接続孔９を通して電気的に
接続される。また、タブ４には、半導体ペレット２の素
子形成面上に配置された複数個の外部端子３のうち、電
源が印加される外部端子３Ｂにボンディングワイヤ７Ｂ
を介して電気的に接続される。つまり、タブ４と樹脂封
止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ｂとは樹脂
封止体１に形成された接続孔９を通して電気的に接続さ
れ、タブ４と半導体ペレット２の外部端子３Ｂとはボン
ディングワイヤ７Ｂで電気的に接続される。
【００３４】前記タブ４は、図５（タブの平面図）に示
すように、８個に分割され、タブ４Ａ、タブ４Ｂ、タブ
４Ｃ、タブ４Ｄ、タブ４Ｅ、タブ４Ｆ、タブ４Ｇ、タブ
４Ｈの夫々で構成される。このタブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、
４Ｄ、４Ｅ、４Ｆ、４Ｇ、４Ｈの夫々にはタブ吊りリー
ド５が一体化される。
すように、８個に分割され、タブ４Ａ、タブ４Ｂ、タブ
４Ｃ、タブ４Ｄ、タブ４Ｅ、タブ４Ｆ、タブ４Ｇ、タブ
４Ｈの夫々で構成される。このタブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、
４Ｄ、４Ｅ、４Ｆ、４Ｇ、４Ｈの夫々にはタブ吊りリー
ド５が一体化される。
【００３５】前記半導体ペレット２は、図６（図１の要
部平面図）に示すように、入出力バッファ回路が配置さ
れる周辺領域４Ａで周囲を囲まれた中央領域４Ｂに論理
回路を配置する。半導体ペレット２の周辺領域４Ａに
は、半導体ペレット２の外周囲に沿って主電源配線１１
Ａ、主電源配線１１Ｂ、主電源配線１１Ｃの夫々が延在
する。主電源配線１１Ａは入出力バッファ回路に電気的
に接続される。主電源配線１１Ｂは論理回路に電気的に
接続される。主電源配線１１Ｃは入出力バッファ回路、
論理回路の夫々に電気的に接続される。
部平面図）に示すように、入出力バッファ回路が配置さ
れる周辺領域４Ａで周囲を囲まれた中央領域４Ｂに論理
回路を配置する。半導体ペレット２の周辺領域４Ａに
は、半導体ペレット２の外周囲に沿って主電源配線１１
Ａ、主電源配線１１Ｂ、主電源配線１１Ｃの夫々が延在
する。主電源配線１１Ａは入出力バッファ回路に電気的
に接続される。主電源配線１１Ｂは論理回路に電気的に
接続される。主電源配線１１Ｃは入出力バッファ回路、
論理回路の夫々に電気的に接続される。
【００３６】前記タブ４Ａ、タブ４Ｆの夫々は、ボンデ
ィングワイヤ７Ｂ、外部端子３Ｂ、内部配線１２の夫々
を介して主電源配線１１Ｃに電気的に接続される。この
タブ４Ａ、タブ４Ｆの夫々には、外部から突起電極８Ｂ
を介して基準電圧（例えば０［Ｖ］）が印加される。
ィングワイヤ７Ｂ、外部端子３Ｂ、内部配線１２の夫々
を介して主電源配線１１Ｃに電気的に接続される。この
タブ４Ａ、タブ４Ｆの夫々には、外部から突起電極８Ｂ
を介して基準電圧（例えば０［Ｖ］）が印加される。
【００３７】前記タブ４Ｂ、タブ４Ｄ、タブ４Ｆの夫々
は、ボンディングワイヤ７Ｂ、外部端子３Ｂ、内部配線
１２の夫々を介して主電源配線１１Ｂに電気的に接続さ
れる。このタブ４Ｂ、タブ４Ｄ、ダブ４Ｆの夫々には、
外部から突起電極８Ｂを介して動作電圧(例えば３．３
［Ｖ］)が印加される。
は、ボンディングワイヤ７Ｂ、外部端子３Ｂ、内部配線
１２の夫々を介して主電源配線１１Ｂに電気的に接続さ
れる。このタブ４Ｂ、タブ４Ｄ、ダブ４Ｆの夫々には、
外部から突起電極８Ｂを介して動作電圧(例えば３．３
［Ｖ］)が印加される。
【００３８】前記タブ４Ｃ、タブ４Ｇの夫々は、ボンデ
ィングワイヤ７Ｂ、外部端子３Ｂ、内部配線１２の夫々
を介して主電源配線１１Ａに電気的に接続される。この
タブ４Ｃ、タブ４Ｇの夫々には、外部から突起電極８Ｂ
を介して動作電圧（例えば５．５［Ｖ］）が印加され
る。
ィングワイヤ７Ｂ、外部端子３Ｂ、内部配線１２の夫々
を介して主電源配線１１Ａに電気的に接続される。この
タブ４Ｃ、タブ４Ｇの夫々には、外部から突起電極８Ｂ
を介して動作電圧（例えば５．５［Ｖ］）が印加され
る。
【００３９】前記樹脂封止体１の厚さ方向の側面には、
図１、図２及び図３に示すように、複数個の端子１０Ａ
が配置される。この複数個の端子１０Ａは、複数本のイ
ンナーリード６の夫々に一体化される。つまり、樹脂封
止体１の側面にはインナーリードに電気的に接続された
端子１０Ａが配置される。また、樹脂封止体１の厚さ方
向の側面には、図１、図２、図４及び図６に示すよう
に、複数個の端子１０Ｂが配置される。この複数個の端
子１０Ａの夫々は、タブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４
Ｅ、４Ｆ、４Ｇ、４Ｈの夫々に一体化されたタブ吊りリ
ード５の夫々に一体化される。つまり、樹脂封止体１の
側面には、タブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ、４Ｆ、
４Ｇ、４Ｈの夫々に電気的に接続された端子１０Ｂが配
置される。
図１、図２及び図３に示すように、複数個の端子１０Ａ
が配置される。この複数個の端子１０Ａは、複数本のイ
ンナーリード６の夫々に一体化される。つまり、樹脂封
止体１の側面にはインナーリードに電気的に接続された
端子１０Ａが配置される。また、樹脂封止体１の厚さ方
向の側面には、図１、図２、図４及び図６に示すよう
に、複数個の端子１０Ｂが配置される。この複数個の端
子１０Ａの夫々は、タブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４
Ｅ、４Ｆ、４Ｇ、４Ｈの夫々に一体化されたタブ吊りリ
ード５の夫々に一体化される。つまり、樹脂封止体１の
側面には、タブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ、４Ｆ、
４Ｇ、４Ｈの夫々に電気的に接続された端子１０Ｂが配
置される。
【００４０】前記複数本のインナーリード６の夫々に
は、図２に示すように、１個の突起電極８Ａが夫々毎に
電気的に接続される。この各突起電極８Ａの夫々は、樹
脂封止体１の各辺に平行な３本の仮想線上に配列され、
隣接する一方の突起電極８Ａと樹脂封止体１の一辺との
間の距離が他方の突起電極８Ａと樹脂封止体の一辺との
間の距離に比べて異なる。前記タブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、
４Ｄ、４Ｅ、４Ｆ、４Ｇ、４Ｈの夫々には、複数個の突
起電極８Ｂが電気的に接続される。
は、図２に示すように、１個の突起電極８Ａが夫々毎に
電気的に接続される。この各突起電極８Ａの夫々は、樹
脂封止体１の各辺に平行な３本の仮想線上に配列され、
隣接する一方の突起電極８Ａと樹脂封止体１の一辺との
間の距離が他方の突起電極８Ａと樹脂封止体の一辺との
間の距離に比べて異なる。前記タブ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、
４Ｄ、４Ｅ、４Ｆ、４Ｇ、４Ｈの夫々には、複数個の突
起電極８Ｂが電気的に接続される。
【００４１】このように構成される樹脂封止型半導体装
置は、ＣＰＵボード、メモリボード等の実装基板の実装
面上に実装され、複数個の突起電極３の夫々と実装基板
の実装面に配置された複数個の外部端子(外部電極)の夫
々とが電気的かつ機械的に接続される。
置は、ＣＰＵボード、メモリボード等の実装基板の実装
面上に実装され、複数個の突起電極３の夫々と実装基板
の実装面に配置された複数個の外部端子(外部電極)の夫
々とが電気的かつ機械的に接続される。
【００４２】なお、前記タブ４は、図７に示すように、
４つに分割し、タブ４Ａ、タブ４Ｂ、タブ４Ｃ、タブ４
Ｄの夫々で構成してもよい。また、前記タブ４は、図８
に示すように、２つ分割し、タブ４Ａ、タブ４Ｂの夫々
で構成してもよい。
４つに分割し、タブ４Ａ、タブ４Ｂ、タブ４Ｃ、タブ４
Ｄの夫々で構成してもよい。また、前記タブ４は、図８
に示すように、２つ分割し、タブ４Ａ、タブ４Ｂの夫々
で構成してもよい。
【００４３】このように、本実施例によれば以下の作用
効果が得られる。
効果が得られる。
【００４４】（１）前記インナーリード６と前記樹脂封
止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ａとを前記
樹脂封止体１に形成された接続孔９を通して電気的に接
続する。この構成により、アウターリードを廃止し、イ
ンナーリード６の他端側（樹脂封止体１の一辺側）のリ
ード配列ピッチをインナーリード６の一端側（半導体ペ
レット２の一辺側）のリード配列ピッチと同等又はそれ
に近づけることができるので、樹脂封止体１の外周囲の
一辺の長さを縮小できる。この結果、樹脂封止型半導体
装置の外形サイズを縮小することができる。
止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ａとを前記
樹脂封止体１に形成された接続孔９を通して電気的に接
続する。この構成により、アウターリードを廃止し、イ
ンナーリード６の他端側（樹脂封止体１の一辺側）のリ
ード配列ピッチをインナーリード６の一端側（半導体ペ
レット２の一辺側）のリード配列ピッチと同等又はそれ
に近づけることができるので、樹脂封止体１の外周囲の
一辺の長さを縮小できる。この結果、樹脂封止型半導体
装置の外形サイズを縮小することができる。
【００４５】（２）前記タブ４と前記樹脂封止体１の実
装面に配置された突起電極８Ｂとを前記樹脂封止体１に
形成された接続孔９を通して電気的に接続する。この構
成により、半導体ペレット２の外部端子３Ｂと、樹脂封
止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ｂとの間の
電源経路を縮小することができるので、信号の同時切り
替え時に発生する電源ノイズを低減できる。この結果、
樹脂封止型半導体装置の誤動作を防止できる。
装面に配置された突起電極８Ｂとを前記樹脂封止体１に
形成された接続孔９を通して電気的に接続する。この構
成により、半導体ペレット２の外部端子３Ｂと、樹脂封
止体１の実装面１Ａに配置された突起電極８Ｂとの間の
電源経路を縮小することができるので、信号の同時切り
替え時に発生する電源ノイズを低減できる。この結果、
樹脂封止型半導体装置の誤動作を防止できる。
【００４６】また、半導体ペレット２に塔載された論理
回路システムの動作で発生しる熱をタブ４、突起電極３
Ｂの夫々を介して樹脂封止体１の外部に放出することが
できるので、樹脂封止型半導体装置の放熱性を高めるこ
とができる。
回路システムの動作で発生しる熱をタブ４、突起電極３
Ｂの夫々を介して樹脂封止体１の外部に放出することが
できるので、樹脂封止型半導体装置の放熱性を高めるこ
とができる。
【００４７】また、電源が印加されるインナーリード６
を廃止することができるので、これに相当する分、信号
が印加されるインナーリード６のリード本数を増加又は
樹脂封止型半導体装置の外形サイズを縮小することがで
きる。
を廃止することができるので、これに相当する分、信号
が印加されるインナーリード６のリード本数を増加又は
樹脂封止型半導体装置の外形サイズを縮小することがで
きる。
【００４８】（３）前記タブ４を複数個に分割し、この
複数個のタブ４の夫々に異なる電源が印加される突起電
極８Ｂの夫々を電気的に接続し、かつ複数個のタブ４の
夫々に異なる電源が印加される外部端子３Ｂの夫々をボ
ンディングワイヤ７Ｂを介して電気的に接続する。この
構成により、電源の種類毎に電源経路を独立して形成す
ることができるので、信号の同時切り替え時に発生する
電源ノイズを低減できる。この結果、樹脂封止型半導体
装置の誤動作を防止できる。
複数個のタブ４の夫々に異なる電源が印加される突起電
極８Ｂの夫々を電気的に接続し、かつ複数個のタブ４の
夫々に異なる電源が印加される外部端子３Ｂの夫々をボ
ンディングワイヤ７Ｂを介して電気的に接続する。この
構成により、電源の種類毎に電源経路を独立して形成す
ることができるので、信号の同時切り替え時に発生する
電源ノイズを低減できる。この結果、樹脂封止型半導体
装置の誤動作を防止できる。
【００４９】（４）前記樹脂封止体１の厚さ方向の側面
に前記インナーリード６に電気的に接続された端子１０
Ａを配置する。この構成により、実装基板の実装面上に
樹脂封止型半導体装置を実装した後、端子１０Ａに検査
装置を電気的に接続し、突起電極８Ａ間の短絡等を検査
することができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼性
を高めることができる。
に前記インナーリード６に電気的に接続された端子１０
Ａを配置する。この構成により、実装基板の実装面上に
樹脂封止型半導体装置を実装した後、端子１０Ａに検査
装置を電気的に接続し、突起電極８Ａ間の短絡等を検査
することができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼性
を高めることができる。
【００５０】また、実装基板の実装面上に樹脂封止型半
導体装置を実装した後、信号経路に変更が生じても、端
子１０Ａにジャンパー配線を接続することができるの
で、ディバック効率を高めることができる。
導体装置を実装した後、信号経路に変更が生じても、端
子１０Ａにジャンパー配線を接続することができるの
で、ディバック効率を高めることができる。
【００５１】（５）前記樹脂封止体１の厚さ方向の側面
に前記吊りリード５に電気的に接続された端子１０Ｂを
配置する。この構成により、実装基板の実装面上に樹脂
封止型半導体装置を実装した後、端子１０Ｂに検査装置
を電気的に接続し、突起電極８Ｂ間の短絡等を検査する
ことができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼性を高
めることができる。
に前記吊りリード５に電気的に接続された端子１０Ｂを
配置する。この構成により、実装基板の実装面上に樹脂
封止型半導体装置を実装した後、端子１０Ｂに検査装置
を電気的に接続し、突起電極８Ｂ間の短絡等を検査する
ことができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼性を高
めることができる。
【００５２】また、実装基板の実装面上に樹脂封止型半
導体装置を実装した後、電源経路に変更が生じても、端
子１０Ｂにジャンパー配線を接続することができるの
で、ディバック効率を高めることができる。
導体装置を実装した後、電源経路に変更が生じても、端
子１０Ｂにジャンパー配線を接続することができるの
で、ディバック効率を高めることができる。
【００５３】（６）前記半導体ペレット２の外部端子３
と突起電極８との間の結線経路に配線基板を使用してい
ないので、配線基板を使用したＢＧＡ(Ｂall Ｇrid Ａr
ray)型の半導体装置に比べて製造コストを低減できる。
と突起電極８との間の結線経路に配線基板を使用してい
ないので、配線基板を使用したＢＧＡ(Ｂall Ｇrid Ａr
ray)型の半導体装置に比べて製造コストを低減できる。
【００５４】（実 施 例 ２）本発明の実施例２である
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図９(断面図)及び図
１０(断面図)に示す。
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図９(断面図)及び図
１０(断面図)に示す。
【００５５】図９及び図１０に示すように、樹脂封止型
半導体装置は、タブ吊りリード５で支持されたタブ４の
ペレット塔載面上に半導体ペレット２を塔載する。半導
体ペレット２の外部端子３Ａにはボンディングワイヤ７
Ａを介してインナーリード６が電気的に接続される。タ
ブ４は前述の実施例１と同様に８つに分割され、タブ４
Ａ、タブ４Ｅの夫々はボンディングワイヤ７Ｂを介して
半導体ペレット２の外部端子３Ｂに電気的に接続され
る。タブ吊りリード５、タブ４、半導体ペレット２、ボ
ンディングワイヤ７Ａ、７Ｂ等は樹脂封止体１で封止さ
れる。
半導体装置は、タブ吊りリード５で支持されたタブ４の
ペレット塔載面上に半導体ペレット２を塔載する。半導
体ペレット２の外部端子３Ａにはボンディングワイヤ７
Ａを介してインナーリード６が電気的に接続される。タ
ブ４は前述の実施例１と同様に８つに分割され、タブ４
Ａ、タブ４Ｅの夫々はボンディングワイヤ７Ｂを介して
半導体ペレット２の外部端子３Ｂに電気的に接続され
る。タブ吊りリード５、タブ４、半導体ペレット２、ボ
ンディングワイヤ７Ａ、７Ｂ等は樹脂封止体１で封止さ
れる。
【００５６】前記樹脂封止体１の実装面１Ａにはインナ
ーリード２の一部を突出させた突起電極１３Ａが配置さ
れると共に、タブ４の一部を突出させた突起電極１３Ｂ
が配置される。この突起電極１３Ａには信号が印加さ
れ、突起電極１３Ｂには電源が印加される。
ーリード２の一部を突出させた突起電極１３Ａが配置さ
れると共に、タブ４の一部を突出させた突起電極１３Ｂ
が配置される。この突起電極１３Ａには信号が印加さ
れ、突起電極１３Ｂには電源が印加される。
【００５７】前記樹脂封止体１の厚さ方向の側面にはイ
ンナーリード６に電気的に接続された端子１０Ａが配置
される。また、樹脂封止体１の側面にはタブ４Ａ、タブ
４Ｅの夫々に電気的に接続された端子１０Ｂが配置され
る。
ンナーリード６に電気的に接続された端子１０Ａが配置
される。また、樹脂封止体１の側面にはタブ４Ａ、タブ
４Ｅの夫々に電気的に接続された端子１０Ｂが配置され
る。
【００５８】このように構成される本実施例の樹脂封止
型半導体装置は、前述の実施例１と同様の作用効果が得
られると共に、樹脂封止体１の実装面１Ａにインナーリ
ード６の一部を突出させた突起電極１３Ａ、タブ４の一
部を突出させた突起電極１３Ｂの夫々を配置したので、
樹脂封止体１の実装面１Ａに突起電極８を配置した樹脂
封止型半導体装置に比べて製造コストを低減できる。
型半導体装置は、前述の実施例１と同様の作用効果が得
られると共に、樹脂封止体１の実装面１Ａにインナーリ
ード６の一部を突出させた突起電極１３Ａ、タブ４の一
部を突出させた突起電極１３Ｂの夫々を配置したので、
樹脂封止体１の実装面１Ａに突起電極８を配置した樹脂
封止型半導体装置に比べて製造コストを低減できる。
【００５９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００６０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００６１】樹脂封止型半導体装置の外形サイズを縮小
することができる。
することができる。
【００６２】また、樹脂封止型半導体装置の誤動作を防
止できる。
止できる。
【００６３】また、樹脂封止型半導体装置の放熱性を高
めることができる。
めることができる。
【図１】 本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装
置の樹脂封止体の上部を除去した状態を示す平面図。
置の樹脂封止体の上部を除去した状態を示す平面図。
【図２】 前記樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体の実
装面側を示す要部平面図。
装面側を示す要部平面図。
【図３】 図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図。
【図４】 図１に示すＢ−Ｂ切断線で切った断面図。
【図５】 タブの平面図。
【図６】 図１の要部平面図。
【図７】 タブの変形例を示す平面図。
【図８】 タブの変形例を示す平面図。
【図９】 本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装
置の断面図。
置の断面図。
【図１０】前記樹脂封止型半導体装置の断面図。
１…樹脂封止体、１Ａ…実装面、２…半導体ペレット、
３…外部端子、４…タブ、５…タブ吊りリード、６…イ
ンナーリード、７Ａ，７Ｂ…ボンディングワイヤ、８…
突起電極、９…接続孔、１０Ａ，１０Ｂ…端子、１１
Ａ、１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…主電源配線、１２…内部
配線、１３Ａ，１３Ｂ…突起電極。
３…外部端子、４…タブ、５…タブ吊りリード、６…イ
ンナーリード、７Ａ，７Ｂ…ボンディングワイヤ、８…
突起電極、９…接続孔、１０Ａ，１０Ｂ…端子、１１
Ａ、１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…主電源配線、１２…内部
配線、１３Ａ，１３Ｂ…突起電極。
Claims (10)
- 【請求項１】 タブのペレット塔載面上に塔載された半
導体ペレットの外部端子にボンディングワイヤを介して
インナーリードが電気的に接続され、前記タブ、半導体
ペレット、ボンディングワイヤ、インナーリードの夫々
が樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置におい
て、前記インナーリードと前記樹脂封止体の実装面に配
置された突起電極とが前記樹脂封止体に形成された接続
孔を通して電気的に接続されていることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置
において、前記樹脂封止体の実装面に配置された突起電
極のうち、電源が印加される突起電極と前記タブとが前
記樹脂封止体に形成された接続孔を通して電気的に接続
され、かつ前記半導体ペレットの外部端子のうち、電源
が印加される外部端子と前記タブとがボンディングワイ
ヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置
において、前記ダブは複数個に分割され、この複数個の
ダブの夫々は、前記樹脂封止体の実装面に配置された突
起電極のうち、異なる電源が印加される突起電極の夫々
に電気的に接続され、かつ前記複数個のダブの夫々は、
前記半導体ペレットの外部端子のうち、異なる電源が印
加される外部端子の夫々にボンディングワイヤを介して
電気的に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のうちいずれか１
項に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封
止体の厚さ方向の側面に前記インナーリードに電気的に
接続された端子が配置されていることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項５】 請求項２乃至請求項４のうちいずれか１
項に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封
止体の厚さ方向の側面に前記タブに電気的に接続された
端子が配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項６】 タブのペレット塔載面上塔載された半導
体ペレットの外部端子にボンディングワイヤを介してイ
ンナーリードが電気的に接続され、前記タブ、半導体ペ
レット、ボンディングワイヤ、インナーリードの夫々が
樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置におい
て、前記樹脂封止体の実装面に前記インナーリードの一
部を突出させた突起電極が配置されていることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置
において、前記樹脂封止体の実装面に前記タブの一部を
突出させた突起電極が配置され、前記タブは、前記半導
体ペレットの外部端子のうち、電源が印加される外部端
子にボンディングワイヤを介して電気的に接続されてい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の樹脂封止型半導体装置
において、前記ダブは複数個に分割され、この複数個の
ダブの夫々は、前記半導体ペレットの外部端子のうち、
異なる電源が印加される外部端子の夫々にボンディング
ワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項９】 請求項６乃至請求項８のうちいずれか１
項に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封
止体の厚さ方向の側面に前記インナーリードに電気的に
接続された端子が配置されていることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項７乃至請求項９のうちずれか１
項に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封
止体の厚さ方向の側面に前記タブに電気的に接続された
端子が配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10373794A JPH07312404A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10373794A JPH07312404A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312404A true JPH07312404A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14361944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10373794A Pending JPH07312404A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312404A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100260994B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-07-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 원 사이드 몰딩 초박형 반도체 패키지 |
| WO2004010497A1 (ja) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 半導体装置 |
| JP2007258751A (ja) * | 2007-06-25 | 2007-10-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP2008270301A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009164594A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置、半導体装置用基板の製造方法および樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2009253153A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1994
- 1994-05-18 JP JP10373794A patent/JPH07312404A/ja active Pending
Cited By (8)
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