JPH07302953A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH07302953A JPH07302953A JP11768194A JP11768194A JPH07302953A JP H07302953 A JPH07302953 A JP H07302953A JP 11768194 A JP11768194 A JP 11768194A JP 11768194 A JP11768194 A JP 11768194A JP H07302953 A JPH07302953 A JP H07302953A
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- Japan
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- reflective film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層に発生した熱の放散がよく、動作特性
が向上した半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 レーザ光を反射する多層反射膜１２、１３を
有し、該多層反射膜１２、１３は屈折率の異なる２種類
の層を交互に重ねて構成されており、前記２種類の層の
光学的厚さはλ／４（λ：レーザ発振波長）である半導
体レーザ素子において、多層反射膜１２、１３を構成す
る２種類の層のうちの１種類は、ＡｌＮ、ＧａＰまたは
ＡｌＰからなる。
が向上した半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 レーザ光を反射する多層反射膜１２、１３を
有し、該多層反射膜１２、１３は屈折率の異なる２種類
の層を交互に重ねて構成されており、前記２種類の層の
光学的厚さはλ／４（λ：レーザ発振波長）である半導
体レーザ素子において、多層反射膜１２、１３を構成す
る２種類の層のうちの１種類は、ＡｌＮ、ＧａＰまたは
ＡｌＰからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を反射する多
層反射膜を有する半導体レーザ素子に関し、特に熱放散
のよい多層反射膜に関する。
層反射膜を有する半導体レーザ素子に関し、特に熱放散
のよい多層反射膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子においては、光の共振
器を構成するために、一対の平行な反射膜を形成する。
例えば、従来の垂直共振器型面発光半導体レーザ素子
は、図１に示すような断面構造を形成している。図中、
１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＧａＡｓＰエッチン
グ停止層、３はｎ型ＩｎＰクラッド層、４はＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｐ型Ｉｎ
Ｐブロッキング層、７はｎ型ＩｎＰブロッキング層、８
はｐ型ＩｎＰクラッド層、９はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極、１２、１３
は高反射膜である。上記半導体レーザ素子において、高
反射膜１２はα−Ｓｉ／ＳｉＯ2 ５ペアからなる誘電体
多層反射膜からなり、高反射膜１３は同じ４ペアの誘電
体多層反射膜からなる。ペアをなすα−Ｓｉ（アモルフ
ァス−Ｓｉ）とＳｉＯ2 の各膜厚は、それぞれ発振波長
の１／４の光学的厚さ、λ／４ｎ（λ：発振波長、ｎ：
屈折率）に設定される。反射率はペア数により決まり、
１ペアで８０％、２ペアで９６％、３ペアで９８％、４
ペアで９９％、５ペアで９９％以上の反射率となる。
器を構成するために、一対の平行な反射膜を形成する。
例えば、従来の垂直共振器型面発光半導体レーザ素子
は、図１に示すような断面構造を形成している。図中、
１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＧａＡｓＰエッチン
グ停止層、３はｎ型ＩｎＰクラッド層、４はＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｐ型Ｉｎ
Ｐブロッキング層、７はｎ型ＩｎＰブロッキング層、８
はｐ型ＩｎＰクラッド層、９はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極、１２、１３
は高反射膜である。上記半導体レーザ素子において、高
反射膜１２はα−Ｓｉ／ＳｉＯ2 ５ペアからなる誘電体
多層反射膜からなり、高反射膜１３は同じ４ペアの誘電
体多層反射膜からなる。ペアをなすα−Ｓｉ（アモルフ
ァス−Ｓｉ）とＳｉＯ2 の各膜厚は、それぞれ発振波長
の１／４の光学的厚さ、λ／４ｎ（λ：発振波長、ｎ：
屈折率）に設定される。反射率はペア数により決まり、
１ペアで８０％、２ペアで９６％、３ペアで９８％、４
ペアで９９％、５ペアで９９％以上の反射率となる。
【０００３】上記半導体レーザ素子は、活性層４の上下
に配置された高反射膜１２と高反射膜１３で共振器を形
成して、レーザ発振をおこなう。また、この半導体レー
ザ素子１４は、図２に示すように、Ａｕパッド１５を介
して、ジャンクションダウンにＳｉなどのヒートシンク
１６上にボンディングされ、活性層４で発生する熱を効
率よく放散している。この熱放散は、面発光半導体レー
ザ素子において、特に重要な課題になっている。その理
由は、熱放散が悪いと、しきい値電流密度が高くなり、
素子抵抗も大きくなるため、発熱により室温での動作が
困難になるからである。多層反射膜は、上記例のように
誘電体多層膜で構成されるとは限らず、半導体多層膜で
構成される場合もある。例えば、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐ（λg ＝１．１μｍ）で構成される半導体多層膜が用
いられる。半導体多層膜を反射膜に用いると、素子作製
プロセスが容易になるという利点がある。一方、誘電体
多層膜を反射膜に用いると、少ないペア数で高反射率が
得られるが、素子作製プロセスが複雑になる。このよう
な多層反射膜のペアを構成する材質は、屈折率、格子歪
み、熱膨張係数、成膜条件などを考慮して選択する。屈
折率差の大きい材質でペアを構成すると、大きな反射率
が得られ、かつ、その帯域も広くなる。
に配置された高反射膜１２と高反射膜１３で共振器を形
成して、レーザ発振をおこなう。また、この半導体レー
ザ素子１４は、図２に示すように、Ａｕパッド１５を介
して、ジャンクションダウンにＳｉなどのヒートシンク
１６上にボンディングされ、活性層４で発生する熱を効
率よく放散している。この熱放散は、面発光半導体レー
ザ素子において、特に重要な課題になっている。その理
由は、熱放散が悪いと、しきい値電流密度が高くなり、
素子抵抗も大きくなるため、発熱により室温での動作が
困難になるからである。多層反射膜は、上記例のように
誘電体多層膜で構成されるとは限らず、半導体多層膜で
構成される場合もある。例えば、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐ（λg ＝１．１μｍ）で構成される半導体多層膜が用
いられる。半導体多層膜を反射膜に用いると、素子作製
プロセスが容易になるという利点がある。一方、誘電体
多層膜を反射膜に用いると、少ないペア数で高反射率が
得られるが、素子作製プロセスが複雑になる。このよう
な多層反射膜のペアを構成する材質は、屈折率、格子歪
み、熱膨張係数、成膜条件などを考慮して選択する。屈
折率差の大きい材質でペアを構成すると、大きな反射率
が得られ、かつ、その帯域も広くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
面発光半導体レーザ素子では、活性層に発生した熱の放
散効率に限界があった。その原因は、高反射膜に熱伝導
率が低いＳｉＯ2 膜あるいはＩｎＧａＡｓＰを用いてい
るからである。因みに、熱伝導率は、α−Ｓｉでは１．
４５Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）、ＩｎＰでは０．６８Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ）であるのに対して、ＳｉＯ2 では、そ
れらの５０〜１００分の１である０．０１４Ｗ／（ｃｍ
・ｄｅｇ）であり、ＩｎＧａＡｓＰでは０．０３６Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ）という低い値である。 本発明の目的
は、半導体レーザ素子、特に面発光半導体レーザ素子に
おいて、活性層で発生した熱を効率良く放散させること
ができる反射膜を提供することである。
面発光半導体レーザ素子では、活性層に発生した熱の放
散効率に限界があった。その原因は、高反射膜に熱伝導
率が低いＳｉＯ2 膜あるいはＩｎＧａＡｓＰを用いてい
るからである。因みに、熱伝導率は、α−Ｓｉでは１．
４５Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）、ＩｎＰでは０．６８Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ）であるのに対して、ＳｉＯ2 では、そ
れらの５０〜１００分の１である０．０１４Ｗ／（ｃｍ
・ｄｅｇ）であり、ＩｎＧａＡｓＰでは０．０３６Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ）という低い値である。 本発明の目的
は、半導体レーザ素子、特に面発光半導体レーザ素子に
おいて、活性層で発生した熱を効率良く放散させること
ができる反射膜を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体レーザ素子を提供するもので、レーザ光を
反射する多層反射膜を有し、該多層反射膜は屈折率の異
なる２種類の層を交互に重ねて構成されており、前記２
種類の層の光学的厚さはλ／４（λ：レーザ発振波長）
である半導体レーザ素子において、多層反射膜を構成す
る２種類の層のうちの１種類は、ＡｌＮ、ＧａＰまたは
ＡｌＰからなることを特徴とするものである。
決した半導体レーザ素子を提供するもので、レーザ光を
反射する多層反射膜を有し、該多層反射膜は屈折率の異
なる２種類の層を交互に重ねて構成されており、前記２
種類の層の光学的厚さはλ／４（λ：レーザ発振波長）
である半導体レーザ素子において、多層反射膜を構成す
る２種類の層のうちの１種類は、ＡｌＮ、ＧａＰまたは
ＡｌＰからなることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】ＡｌＮの熱伝導率は１．０Ｗ／（ｃｍ・ｄｅ
ｇ）であり、Ｓｉと比較しても遜色のない値であり、Ｓ
ｉＯ2 の熱伝導率の数十倍の大きさである。また、Ａｌ
Ｎの屈折率は２．０であり、誘電体高反射膜として使用
できる。従って、ＡｌＮを含む多層反射膜を用いると、
従来のα−ＳｉとＳｉＯ2 からなる多層反射膜よりも、
活性層に発生した熱の放散が向上する。また、ＧａＰは
屈折率が２．５、熱伝導率が１．１Ｗ／（ｃｍ・ｄｅ
ｇ）であり、ＡｌＰは屈折率が３．４、熱伝導率が０．
９Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）である。このように、ＧａＰお
よびＡｌＰは、屈折率と熱伝導率がともに比較的大きな
値を有しているので、多層反射膜を構成する材質として
好適である。
ｇ）であり、Ｓｉと比較しても遜色のない値であり、Ｓ
ｉＯ2 の熱伝導率の数十倍の大きさである。また、Ａｌ
Ｎの屈折率は２．０であり、誘電体高反射膜として使用
できる。従って、ＡｌＮを含む多層反射膜を用いると、
従来のα−ＳｉとＳｉＯ2 からなる多層反射膜よりも、
活性層に発生した熱の放散が向上する。また、ＧａＰは
屈折率が２．５、熱伝導率が１．１Ｗ／（ｃｍ・ｄｅ
ｇ）であり、ＡｌＰは屈折率が３．４、熱伝導率が０．
９Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）である。このように、ＧａＰお
よびＡｌＰは、屈折率と熱伝導率がともに比較的大きな
値を有しているので、多層反射膜を構成する材質として
好適である。
【０００７】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。 （実施例１）従来技術の説明に用いた図１に示す垂直共
振器型面発光半導体レーザ素子において、高反射膜１
２、１３を、α−Ｓｉ／ＡｌＮのペアからなる誘電体多
層反射膜で構成する。これらの高反射膜１２、１３は、
以下のように設定する。即ち、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４
の発振波長λを１．３μｍとし、α−ＳｉおよびＡｌＮ
の膜厚さを、それぞれ発振波長の１／４の光学的厚さ、
λ／４ｎに設定する。そうすると、α−Ｓｉの厚さは１
００ｎｍ（１．３×１０3 ／（４×３．４４））、Ａｌ
Ｎの厚さは１６０ｎｍ（１．３×１０3 ／（４×２．
０））になる。
する。 （実施例１）従来技術の説明に用いた図１に示す垂直共
振器型面発光半導体レーザ素子において、高反射膜１
２、１３を、α−Ｓｉ／ＡｌＮのペアからなる誘電体多
層反射膜で構成する。これらの高反射膜１２、１３は、
以下のように設定する。即ち、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４
の発振波長λを１．３μｍとし、α−ＳｉおよびＡｌＮ
の膜厚さを、それぞれ発振波長の１／４の光学的厚さ、
λ／４ｎに設定する。そうすると、α−Ｓｉの厚さは１
００ｎｍ（１．３×１０3 ／（４×３．４４））、Ａｌ
Ｎの厚さは１６０ｎｍ（１．３×１０3 ／（４×２．
０））になる。
【０００８】ところで、誘電体多層反射膜の反射率Ｒは
次式で表される。即ち、 Ｒ＝｛〔ｎS （ｎH ／ｎL ）2n−１〕／〔ｎS （ｎH ／
ｎL ）2n＋１〕｝2 ここで、 ｎS ：多層反射膜に隣接する層の屈折率 ｎH ：高い方の屈折率 ｎL ：低い方の屈折率 ｎ ：ペア数 従って、上記式から本実施例の誘電体多層反射膜の反射
率は、積層ペア数が３では９５％、４ペアでは９９％、
５ペアでは９９．５％になる。上述のα−Ｓｉ／ＡｌＮ
高反射膜を用いることにより、従来のα−Ｓｉ／ＳｉＯ
2 高反射膜を用いた場合に比較して、ＣＷ発振の温度が
数１０℃も上昇する。
次式で表される。即ち、 Ｒ＝｛〔ｎS （ｎH ／ｎL ）2n−１〕／〔ｎS （ｎH ／
ｎL ）2n＋１〕｝2 ここで、 ｎS ：多層反射膜に隣接する層の屈折率 ｎH ：高い方の屈折率 ｎL ：低い方の屈折率 ｎ ：ペア数 従って、上記式から本実施例の誘電体多層反射膜の反射
率は、積層ペア数が３では９５％、４ペアでは９９％、
５ペアでは９９．５％になる。上述のα−Ｓｉ／ＡｌＮ
高反射膜を用いることにより、従来のα−Ｓｉ／ＳｉＯ
2 高反射膜を用いた場合に比較して、ＣＷ発振の温度が
数１０℃も上昇する。
【０００９】（実施例２）発振波長λを１．３μｍとし
て、多層反射膜をＧａＰ／ＩｎＰで構成し、ＧａＰ層
（ｎ＝２．５）の厚さを１３０ｎｍ、ＩｎＰ層（ｎ＝
３．２）の厚さを１００ｎｍとする。従来のＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ多層反射膜と比較すると、ＩｎＧａＡｓＰ
の熱伝導率が０．０３６Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）であり、
ＧａＰの約１／２０程度であることから、本実施例の熱
伝導率は従来例に比較して格段に向上する。その上、従
来例の屈折率差がＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰではΔｎ＝
０．１と小さく、高反射の帯域が狭く、また、高反射率
を得るためのペア数も多くなる。一方、本実施例では、
１０ペア程度で約９９％以上の反射率が得られる。
て、多層反射膜をＧａＰ／ＩｎＰで構成し、ＧａＰ層
（ｎ＝２．５）の厚さを１３０ｎｍ、ＩｎＰ層（ｎ＝
３．２）の厚さを１００ｎｍとする。従来のＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ多層反射膜と比較すると、ＩｎＧａＡｓＰ
の熱伝導率が０．０３６Ｗ／（ｃｍ・ｄｅｇ）であり、
ＧａＰの約１／２０程度であることから、本実施例の熱
伝導率は従来例に比較して格段に向上する。その上、従
来例の屈折率差がＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰではΔｎ＝
０．１と小さく、高反射の帯域が狭く、また、高反射率
を得るためのペア数も多くなる。一方、本実施例では、
１０ペア程度で約９９％以上の反射率が得られる。
【００１０】（実施例３）発振波長λを１．３μｍとし
て、多層反射膜をＡｌＰ／ＧａＰで構成し、ＡｌＰ層
（ｎ＝３．４）の厚さを９６ｎｍ、ＧａＰ層（ｎ＝２．
５）の厚さを１３０ｎｍとする。このように、実施例２
における高屈折率側をＩｎＰ（熱伝導率：０．６８Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ））からＡｌＰ（熱伝導率：０．９Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ））に代えると、熱放散および屈折率差
がともに大きくなり、８ペア程度で約９９％の反射率が
得られる。なお、本実施例の多層反射膜は、面発光半導
体レーザ素子のみならず、ファブリ・ペロー型半導体レ
ーザ素子にも適用できる。
て、多層反射膜をＡｌＰ／ＧａＰで構成し、ＡｌＰ層
（ｎ＝３．４）の厚さを９６ｎｍ、ＧａＰ層（ｎ＝２．
５）の厚さを１３０ｎｍとする。このように、実施例２
における高屈折率側をＩｎＰ（熱伝導率：０．６８Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ））からＡｌＰ（熱伝導率：０．９Ｗ／
（ｃｍ・ｄｅｇ））に代えると、熱放散および屈折率差
がともに大きくなり、８ペア程度で約９９％の反射率が
得られる。なお、本実施例の多層反射膜は、面発光半導
体レーザ素子のみならず、ファブリ・ペロー型半導体レ
ーザ素子にも適用できる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザ光を反射する多層反射膜を有し、該多層反射膜は屈
折率の異なる２種類の層を交互に重ねて構成されてお
り、前記２種類の層の光学的厚さはλ／４（λ：レーザ
発振波長）である半導体レーザ素子において、多層反射
膜を構成する２種類の層のうちの１種類は、ＡｌＮ、Ｇ
ａＰまたはＡｌＰからなるため、活性層に発生した熱の
放散がよくなるので、特に面発光半導体レーザ素子の動
作特性が向上するという優れた効果がある。
ーザ光を反射する多層反射膜を有し、該多層反射膜は屈
折率の異なる２種類の層を交互に重ねて構成されてお
り、前記２種類の層の光学的厚さはλ／４（λ：レーザ
発振波長）である半導体レーザ素子において、多層反射
膜を構成する２種類の層のうちの１種類は、ＡｌＮ、Ｇ
ａＰまたはＡｌＰからなるため、活性層に発生した熱の
放散がよくなるので、特に面発光半導体レーザ素子の動
作特性が向上するという優れた効果がある。
【図１】垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の断面説
明図である。
明図である。
【図２】ヒートシンク上に上記半導体レーザ素子を搭載
した状態の説明図である。
した状態の説明図である。
１ 基板 ２ エッチング停止層 ３、５、８ クラッド層 ４ 活性層 ６、７ ブロッキング層 ９ コンタクト層 １０、１１ 電極 １２、１３ 高反射膜 １４ 半導体レーザ素子 １５ Ａｕパッド １６ ヒートシンク
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ光を反射する多層反射膜を有し、
該多層反射膜は屈折率の異なる２種類の層を交互に重ね
て構成されており、前記２種類の層の光学的厚さはλ／
４（λ：レーザ発振波長）である半導体レーザ素子にお
いて、多層反射膜を構成する２種類の層のうちの１種類
は、ＡｌＮ、ＧａＰまたはＡｌＰからなることを特徴と
する半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 多層反射膜はＧａＰとＡｌＮから構成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11768194A JPH07302953A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11768194A JPH07302953A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302953A true JPH07302953A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14717660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11768194A Pending JPH07302953A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302953A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1146038A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| EP1298461A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Distributed Bragg reflector comprising GaP and a semiconductor resonant cavity device comprising such DBR |
| EP1302791A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-16 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Distributed Bragg Reflector comprising a GaP layer, and a semiconductor resonant cavity device comprising such a DBR |
| JP2004039717A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム |
| US7684456B2 (en) | 1999-08-04 | 2010-03-23 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
| US7986721B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-07-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor optical device including a PN junction formed by a second region of a first conductive type semiconductor layer and a second conductive type single semiconductor layer |
-
1994
- 1994-05-06 JP JP11768194A patent/JPH07302953A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1146038A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US7684456B2 (en) | 1999-08-04 | 2010-03-23 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
| US8009714B2 (en) | 1999-08-04 | 2011-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
| US8537870B2 (en) | 1999-08-04 | 2013-09-17 | Ricoh Company, Limited | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
| EP1298461A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Distributed Bragg reflector comprising GaP and a semiconductor resonant cavity device comprising such DBR |
| EP1302791A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-16 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Distributed Bragg Reflector comprising a GaP layer, and a semiconductor resonant cavity device comprising such a DBR |
| JP2004039717A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム |
| JP4497796B2 (ja) * | 2002-07-01 | 2010-07-07 | 株式会社リコー | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム |
| US7986721B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-07-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor optical device including a PN junction formed by a second region of a first conductive type semiconductor layer and a second conductive type single semiconductor layer |
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