JP2009302401A - チャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】チャックテーブルの吸着面に付着したシリコンダストを容易に除去することができ、これによりチャックテーブルの吸着面を汚れていない状態に再生することができるチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハを吸着するチャックテーブル8の吸着面13に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄方法において、チャックテーブル8の吸着面13を、六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、アルゴンガスを含む混合ガスを用いて、プラズマ洗浄する。
【選択図】図2
【解決手段】半導体ウェーハを吸着するチャックテーブル8の吸着面13に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄方法において、チャックテーブル8の吸着面13を、六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、アルゴンガスを含む混合ガスを用いて、プラズマ洗浄する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体ウェーハを吸着するチャックテーブルの吸着面に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置に関する。
半導体ウェーハの自動製造ラインにおいて、半導体ウェーハの厚みを薄くする場合には、バックグラインドステージやポリシングステージにおいてウェーハの裏面研削や研磨などが行われる。裏面研削では、表面側にガラスや樹脂などの支持基材が貼り合わされた半導体ウェーハが真空チャックテーブルに吸着固定された状態で、砥石とウェーハの研削領域に加工液を供給しながら裏面研削が行われるようになっている。所定の厚みに裏面研削された半導体ウェーハは、チャックテーブルから外されることなく次工程のポリシングステージに移動され、研磨加工が行われるようになっている。研磨が終了して所定の厚みに仕上げられたウェーハは、チャックテーブルから外され、次工程に搬送され、別の半導体ウェーハがチャックテーブルに吸着固定され、同様の加工が繰り返し実施されるようになっている。
通常、半導体ウェーハは多孔質でセラミックス製のチャックテーブルに動かないように真空吸着されるが、チャックテーブルの吸着面が汚泥状(スラリー状)のシリコンダストで目詰まりすると、ウェーハに対する吸着力が低下するという問題がある。吸着力が低下すると、加工中にウェーハが動いて割れやチッピングなどの損傷を生じたり、ウェーハが吸着面に均一に吸着されなくなりウェーハの加工後の厚み寸法にばらつきを生じたりする場合がある。ウェーハが吸着面に吸着されない部分は、吸着されている部分に比べて浮き上がった状態となるため、加工後のウェーハの厚み寸法が他の部分より薄く仕上がる結果となる。ウェーハの吸着されない部分が、ウェーハの外周部分に存在する場合には、ウェーハの外周部分でばたつきを生じて割れやチッピングを生ずることがある。厚み寸法の薄いウェーハほど、割れやチッピングが誘発されやすい。従来は、ウェーハをチャッキングする毎に、チャックテーブルの吸着面を異物除去クリーナで異物を除去したり、リンス洗浄して吸着面をクリーニングしていた。また、定期的に吸着面を研削して吸着力が低下しないようにしていた。
裏面研削時に生じた汚泥状のシリコンダストは、チャックテーブル吸着面に強固に付着するため、異物除去クリーナを使用しても、リンス洗浄しても容易には除去することができず、研削する方法しかないのが現状である。しかしながら、この方法では、高価なチャックテーブルが消耗品となりコストが嵩むという問題がある。また、吸着面の目詰まりの状態によっては、研削代を1mm以上とらなければならないこともあり、非常に時間がかかると共に、研削後にはテーブル上面の位置出しを正確に行わなければならず、ラインの生産性を低下させるという問題もある。
本発明は、チャックテーブルの吸着面に付着したシリコンダストを容易に除去することができ、これによりチャックテーブルの吸着面を汚れていない状態に再生することができるチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置を提供する。
本発明の一態様は、半導体ウェーハを吸着するチャックテーブルの吸着面に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄方法において、前記チャックテーブルの吸着面を混合ガスを用いてプラズマ洗浄するチャックテーブル洗浄方法を提供する。
また、本発明の他の態様は、半導体ウェーハを吸着するチャックテーブルの吸着面に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄装置において、プラズマを発生するプラズマ発生源と、前記プラズマ発生源で発生した前記プラズマで前記チャックテーブルの吸着面を洗浄する空間を画成する洗浄プロセスチャンバと、該洗浄プロセスチャンバから前記チャックテーブルの吸着面に付着していた前記シリコンダストの揮発性化合物を吸入して排出する排出ユニットと、を備えたチャックテーブル洗浄装置を提供する。
また、本発明の他の態様は、回路パターンが形成された表面側に支持基材が貼り合わされた半導体ウェーハの裏面を研削加工及び研磨加工する半導体ウェーハ平面加工装置において、前記チャックテーブル洗浄装置を備えた半導体ウェーハ平面加工装置を提供する。
以上の如く、本発明によれば、チャックテーブルの吸着面に付着しているシリコンダストが混合ガスを用いたプラズマ洗浄で除去されるから、チャックテーブルの吸着面に付着したシリコンダストを容易に除去することができる。したがって、従来のようにチャックテーブルを研削せずに、吸着面を汚れていない状態に再生することができる。
以下添付図面に従って本発明の好ましい実施形態について説明する。図1には、本発明に係る半導体ウェーハ平面加工装置(以下「平面加工装置」という)の一実施形態が示されているが、本発明はこれには限られない。本実施形態の平面加工装置1は、カセット収納ステージ2、粗研削ステージ3、仕上研削ステージ4、研磨ステージ5、チャックテーブル洗浄ステージ6を備えている。
また、粗研削ステージ3、仕上げ研削ステージ4、研磨ステージ5、チャックテーブル洗浄ステージ6は、図示しない仕切板によって仕切られ、各々のステージ3〜6で使用する加工液が隣接するステージに飛散するのが防止されている。仕切板は、インデックステーブル7に固定されるとともに、インデックステーブル7に設置された4台のチャック8〜11を仕切るように十字形状に形成されている。また、仕切られた個々のステージ3〜6では、他のステージから隔離するために、天板などのケーシングで覆うことも可能である。
カセット収納ステージ2には、2台のカセット15が着脱自在にセットされ、これらのカセット15には裏面研削前のウェーハWが多数枚収納されている。このウェーハWは、図示しない搬送用ロボットのハンドによって1枚ずつ保持されて、チャック8〜11に順次搬送される。ロボットは、汎用の6軸関節ロボットであり、その構成は周知であるので、ここではその説明を省略する。
チャック8〜11は、インデックステーブル7の回転軸を中心とする円周上に90度の間隔をもって設置されている。回転軸は、図示しないモータのスピンドルに連結され、回転するようになっている。
チャック8は、粗研削ステージ3に位置し、吸着したウェーハWがここで粗研削される。チャック9は、仕上げ研削ステージ4に位置し、吸着したウェーハWがここで仕上げ研削される。チャック10は、研磨ステージ5に位置し、吸着したウェーハWがここで研磨され、研削で生じた加工変質層が除去されると共に、鏡面に仕上げられる。チャック11は、チャックテーブル洗浄ステージ6に位置し、チャックテーブル洗浄装置20によりチャック11に付着したシリコンダスト18がプラズマ洗浄される。個々のチャック8〜11は、チャック下面が個々のモータのスピンドルに連結され、モータの駆動力によって回転(自転)する。粗研削ステージ3、仕上げ研削ステージ4及び研磨ステージ5の構成は、従来と同様であるためここでは詳細な説明を省略する。なお、チャックテーブル洗浄ステージ6の構成については後述する。
また、個々のチャック8〜11は、多孔質のセラミックスで焼結成形されている。これによって、ウェーハWはチャック8〜11の吸着面13に真空吸着されるようになっている。なお、チャック8〜11にウェーハWが吸着固定される前に、チャック8〜11の吸着面13は図示しない簡易クリーナ装置によって洗浄される。簡易クリーナ装置は、スライド移動自在に設けられ、吸着面13を洗浄する際に、所定位置に位置決めされるようになっている。
簡易クリーナ装置では、チャック8〜11の吸着面13に付着したスラッジ等の異物を除去部材で除去する。除去部材には、チャック8〜11と同程度ないしそれより軟質のセラミックス等の焼結体を用いることができる。
次に、チャックテーブル洗浄ステージ6の構成について詳細に説明する。
チャックテーブル洗浄ステージ6は、チャックテーブル洗浄装置20を備えている。図2には、チャックテーブル洗浄装置20の基本的構成が示されているが、本発明はこれに限られず、様々な要素を組み合わすことができる。図示される本実施形態のチャックテーブル洗浄装置20は、プラズマを発生するプラズマ発生源21と、プラズマ発生源21で発生したプラズマでチャックテーブル8〜11の吸着面13を洗浄する空間を画成する洗浄プロセスチャンバ22と、洗浄プロセスチャンバ22からチャックテーブル8〜11の吸着面13に付着していたシリコンダスト(付着物)18の揮発性化合物を吸入して外部へ排出する排出ユニット23と、を備えている。
チャックテーブル洗浄ステージ6は、チャックテーブル洗浄装置20を備えている。図2には、チャックテーブル洗浄装置20の基本的構成が示されているが、本発明はこれに限られず、様々な要素を組み合わすことができる。図示される本実施形態のチャックテーブル洗浄装置20は、プラズマを発生するプラズマ発生源21と、プラズマ発生源21で発生したプラズマでチャックテーブル8〜11の吸着面13を洗浄する空間を画成する洗浄プロセスチャンバ22と、洗浄プロセスチャンバ22からチャックテーブル8〜11の吸着面13に付着していたシリコンダスト(付着物)18の揮発性化合物を吸入して外部へ排出する排出ユニット23と、を備えている。
プラズマ発生源21は、上端が閉じ下端に開口端を有する筒体25と、筒体25の開口端と洗浄プロセスチャンバ22を密閉状態に連結するシール部(図示しない)とを備えている。筒体25は、アルミナ、石英などのセラミック材料で焼結成形されたものが用いられる。筒体25内には、電極などの金属部材が存在しないため、不純物の発生がなく、チャックテーブル8〜11の吸着面13の洗浄効果を高めることができる。シール部は、ステンレスなどの金属で作られている。これにより、シール部を介して筒体25と洗浄プロセスチャンバ22とが気密構造に構成されることができる。筒体25の外周には、マイクロ波供給用の導波管26とリング状のマグネット27が組み合わされている。また、図示しないが、筒体25の外周側には、放電スタータ、光検出器、コントローラが設けられている。
プラズマ発生源21において、筒体25内にはプラズマ生成に必要な混合ガスがガス供給源24から供給され、所定周波数、例えば2.45GHz/6kwのマイクロ波を導入することで、筒体25内でプラズマが生成される。混合ガスには、特定3種の混合ガス、すなわち六フッ化硫黄ガス(SF6)、酸素ガス(O2)、アルゴンガス(Ar)を用いることができる。希ガスには、アルゴンの他にヘリウム(He)やネオン(Ne)の単体又は混合物を用いることもできる。希ガスと混合する反応ガスについては、シリコンダスト18を除去するために、シリコン(Si)と反応性が高い六フッ化硫黄ガス(SF6)が用いられる。酸素ガスは反応促進用のガスとして用いられているが、窒素ガスを用いることもできる。アルゴンガスと六フッ化硫黄ガスとの混合比についての制限はないが、アルゴンガス濃度を65%以上とすることが好ましい。
洗浄プロセスチャンバ22は、石英で焼結成形されたものであるがこれには限られない。洗浄プロセスチャンバ22内は、図示しないロータリポンプなどにより真空状態に保たれるようになっているが、チャンバ22の外側を真空チャンバで覆い二重構造とすることも可能である。チャンバ22の上部には上端開口を有し、密閉された状態で筒体25に連通するようになっている。
排出ユニット23は、エア吸入源及びフィルタ付き集塵機を有する図示しない本体と、ダクトパイプ28とを備えている。シリコンダスト18は、ダクトパイプ28を介して吸入され、集塵機へ排出されるようになっている。
次に、チャックテーブル洗浄装置20を用いたチャックテーブル8〜11の洗浄原理について説明する。チャックテーブル8〜11の吸着面13に付着したシリコンダスト18は、以下の反応式に従って除去される。
SF6+O2+Ar→F*+O*+S+Ar+Si→SiF4+SOX+SOFX+Ar
SF6+O2+Ar→F*+O*+S+Ar+Si→SiF4+SOX+SOFX+Ar
上式について説明すると、特定3種の混合ガスは、マイクロ波によりプラズマ化され、反応性イオン及び反応性ラジカルを生成する。そして、反応性ラジカルがシリコンダスト18に対するアタック剤となり、シリコンと結合して、揮発性化合物である四フッ化ケイ素(SiF4)を生じる。生成した四フッ化ケイ素は、排出ユニット23により吸引されて洗浄プロセスチャンバ22内から集塵機に排出される。
図3(a),(b)には、チャックテーブル吸着面13のプラズマ洗浄前の状態と、プラズマ洗浄後の状態がそれぞれ示されている。図3(a)に示すように、プラズマ洗浄前ではチャックテーブル8〜11のポア17にシリコンダスト18が表面から所定の深さまで詰まっているが、プラズマ洗浄することにより、チャックテーブル8〜11に対してダメージを与えることなく、シリコンダスト18が除去されることとなる。このように、プラズマ洗浄では、チャックテーブル8〜11の表面だけでなく表面から所定深さまで洗浄することができるため、従来の洗浄方法で除去することができなかったシリコンダスト18を除去することができる。チャックテーブル8〜11の表層部だけをプラズマ洗浄する場合は、数10分程度で洗浄が終了することができる。
以上のように本実施形態のチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置20によれば、チャックテーブルチャックテーブル8〜11の吸着面13に付着しているシリコンダスト18が特定3種の混合ガスを用いたプラズマ洗浄で除去されるから、チャックテーブルチャックテーブル8〜11の吸着面13に付着したシリコンダスト18を容易に除去することができ、チャックテーブルチャックテーブル8〜11を研削することなく、吸着面13を汚れていない状態に再生することができる。したがって、半導体ウェーハの生産性を高めることができる。
以上、本発明をその好適な実施形態に関連して説明したが、後述する請求の範囲の開示から逸脱することなく様々な修正及び変更を為し得ることは、当業者に理解されるであろう。本実施形態では、真空下でプラズマ洗浄が行われているが、大気圧下でプラズマを発生できるプラズマ発生源(例えば、一対の互いに平行な電極間でプラズマを生成)を用いることにより、大気圧下でもプラズマ洗浄を行うことができる。この場合、チャックテーブル洗浄装置20に真空源及びそれに付随する装置構成を不要とすることができるため、洗浄装置の小型化を図ることができる。
1 平面加工装置
6 洗浄ステージ
8〜11 チャック
13 吸着面
18 シリコンダスト(付着物)
20 テーブル洗浄装置
21 プラズマ発生源
22 洗浄プロセスチャンバ
23 排出ユニット
6 洗浄ステージ
8〜11 チャック
13 吸着面
18 シリコンダスト(付着物)
20 テーブル洗浄装置
21 プラズマ発生源
22 洗浄プロセスチャンバ
23 排出ユニット
Claims (5)
- 半導体ウェーハを吸着するチャックテーブルの吸着面に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄方法において、
前記チャックテーブルの吸着面を混合ガスを用いてプラズマ洗浄するチャックテーブル洗浄方法。 - 前記混合ガスが、六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、アルゴンガスを含む請求項1に記載のチャックテーブル洗浄方法。
- 前記プラズマ洗浄を大気圧下で行う請求項1又は2に記載のチャックテーブル洗浄方法。
- 半導体ウェーハを吸着するチャックテーブルの吸着面に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄装置において、
プラズマを発生するプラズマ発生源と、
前記プラズマ発生源で発生した前記プラズマで前記チャックテーブルの吸着面を洗浄する空間を画成する洗浄プロセスチャンバと、
該洗浄プロセスチャンバから前記チャックテーブルの吸着面に付着していた前記シリコンダストの揮発性化合物を吸入して外部へ排出する排出ユニットと、
を備えたチャックテーブル洗浄装置。 - 回路パターンが形成された表面側に支持基材が貼り合わされた半導体ウェーハの裏面を研削加工及び研磨加工する半導体ウェーハ平面加工装置において、
請求項4に記載のチャックテーブル洗浄装置を備えた半導体ウェーハ平面加工装置。
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JP2008157026A JP2009302401A (ja) | 2008-06-16 | 2008-06-16 | チャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置 |
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2008
- 2008-06-16 JP JP2008157026A patent/JP2009302401A/ja active Pending
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