JPH07301908A - 投影露光用原図基板および投影露光方法 - Google Patents
投影露光用原図基板および投影露光方法Info
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- JPH07301908A JPH07301908A JP11608194A JP11608194A JPH07301908A JP H07301908 A JPH07301908 A JP H07301908A JP 11608194 A JP11608194 A JP 11608194A JP 11608194 A JP11608194 A JP 11608194A JP H07301908 A JPH07301908 A JP H07301908A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 投影露光用原図基板を斜入射照明し、瞳フィ
ルタを入れた投影光学系を介して投影露光用原図基板上
のパタンを被露光基板上に露光転写する際、中間寸法の
透過パタン部または中間寸法の遮光パタン部あるいはそ
れらの両方の光強度を低減し、中間寸法のパタンを所要
の寸法に転写する。 【構成】 遮光部70a,70b中の従来の透過パタン
の中に、解像限界以下の微小幅の遮光パタンとして遮光
パタン1a,1bを設けている。遮光パタン1a,1b
の幅はそれぞれ0.2uとした。これにより、従来の透
過パタンは透過パタン2a,2b,2cに分割される。
このようにすると、遮光パタン1a,1bや透過パタン
2a,2b,2cのパタン幅やパタンピッチに相当する
空間周波数成分の回折光が生じ、その分、従来の透過パ
タンに含まれていた中間空間周波数の光成分が減ずる。
ルタを入れた投影光学系を介して投影露光用原図基板上
のパタンを被露光基板上に露光転写する際、中間寸法の
透過パタン部または中間寸法の遮光パタン部あるいはそ
れらの両方の光強度を低減し、中間寸法のパタンを所要
の寸法に転写する。 【構成】 遮光部70a,70b中の従来の透過パタン
の中に、解像限界以下の微小幅の遮光パタンとして遮光
パタン1a,1bを設けている。遮光パタン1a,1b
の幅はそれぞれ0.2uとした。これにより、従来の透
過パタンは透過パタン2a,2b,2cに分割される。
このようにすると、遮光パタン1a,1bや透過パタン
2a,2b,2cのパタン幅やパタンピッチに相当する
空間周波数成分の回折光が生じ、その分、従来の透過パ
タンに含まれていた中間空間周波数の光成分が減ずる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等のパ
タンを投影露光装置を用いて半導体ウエハ等の被露光基
板上に転写する際に用いる、レチクル、マスク等の原図
基板および投影露光方法に関し、特に瞳フィルタを入れ
た投影光学系を介して斜入射照明を行い、投影露光用原
図基板上のパタンを被露光基板上に露光転写する際に用
いて好適な投影露光用原図基板および投影露光方法に関
するものである。
タンを投影露光装置を用いて半導体ウエハ等の被露光基
板上に転写する際に用いる、レチクル、マスク等の原図
基板および投影露光方法に関し、特に瞳フィルタを入れ
た投影光学系を介して斜入射照明を行い、投影露光用原
図基板上のパタンを被露光基板上に露光転写する際に用
いて好適な投影露光用原図基板および投影露光方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路等のパタンを半導体ウエ
ハ等の被露光基板上に転写するため、投影露光装置を用
いたリソグラフィ技術が使われている。
ハ等の被露光基板上に転写するため、投影露光装置を用
いたリソグラフィ技術が使われている。
【0003】図25は、従来の投影露光装置によるパタ
ン転写方法の説明図である。被露光基板51上に転写す
べきパタンがレチクルやマスク等の原図基板52上に形
成されている。投影光学系53は、投影レンズを用いる
屈折式の投影光学系またはミラーを用いる反射形の投影
光学系またはレンズとミラーを組み合わせた投影光学系
であり、照射光系55により原図基板52を照明する
時、原図基板52上のパタンの光像が被露光基板51上
にできるように構成されている。被露光基板51上にレ
ジスト等の感光性材料54を付しておき、原図基板52
を照明光学系55により照明すれば、原図基板52のパ
タン形状に対応して前記被露光基板51上に光像がで
き、感光性材料54が感光する。したがって、現像する
ことにより、感光性材料54が前記原図基板52上のパ
タン形状に応じて残るか、または、感光性材料54が前
記の原図基板52上のパタン形状に応じて除去され、パ
タンが転写される。56a,56b,56cは光束を示
す。
ン転写方法の説明図である。被露光基板51上に転写す
べきパタンがレチクルやマスク等の原図基板52上に形
成されている。投影光学系53は、投影レンズを用いる
屈折式の投影光学系またはミラーを用いる反射形の投影
光学系またはレンズとミラーを組み合わせた投影光学系
であり、照射光系55により原図基板52を照明する
時、原図基板52上のパタンの光像が被露光基板51上
にできるように構成されている。被露光基板51上にレ
ジスト等の感光性材料54を付しておき、原図基板52
を照明光学系55により照明すれば、原図基板52のパ
タン形状に対応して前記被露光基板51上に光像がで
き、感光性材料54が感光する。したがって、現像する
ことにより、感光性材料54が前記原図基板52上のパ
タン形状に応じて残るか、または、感光性材料54が前
記の原図基板52上のパタン形状に応じて除去され、パ
タンが転写される。56a,56b,56cは光束を示
す。
【0004】通常、原図基板52としては、石英やガラ
ス等の表面にクロム、酸化クロム、モリブデンシリサイ
ド等の遮光性物質でパタンを形成したレチクルやマスク
が使用されるが、金属やセラミックの板や膜等をパタン
の形状に繰り抜いたステンシル形のレチクルやマスクが
使用されることもある。このような投影露光装置におけ
る投影露光の解像限界δは下記の式で表されることが知
られている。 δ=k1 ・λ/NA ・・・・(1) ここで、λは露光波長、NAは投影光学系53の開口
数、k1 は定数である。定数k1 は、被露光基板51に
付する感光性材料54の特性、厚さ、現像条件等に依存
するが、照明光のコヒーレンス度や形状によっても変わ
る。
ス等の表面にクロム、酸化クロム、モリブデンシリサイ
ド等の遮光性物質でパタンを形成したレチクルやマスク
が使用されるが、金属やセラミックの板や膜等をパタン
の形状に繰り抜いたステンシル形のレチクルやマスクが
使用されることもある。このような投影露光装置におけ
る投影露光の解像限界δは下記の式で表されることが知
られている。 δ=k1 ・λ/NA ・・・・(1) ここで、λは露光波長、NAは投影光学系53の開口
数、k1 は定数である。定数k1 は、被露光基板51に
付する感光性材料54の特性、厚さ、現像条件等に依存
するが、照明光のコヒーレンス度や形状によっても変わ
る。
【0005】図26(a)〜(g)は、それぞれ斜入射
照明に用いる照明2次光源の例であり、斜線部が発光部
を示す。照明2次光源の形状や光強度分布を、図26の
ように、中心部の光強度に比して周辺部の光強度が強く
なるように成し、原図基板52上を斜入射光または斜入
射光の多い照明光で照明すると、同じ外形寸法あるいは
発光部の輪郭を包絡する外形寸法を有する一様な照明2
次光源を用いて投影露光する場合に比して解像度が上が
ること、すなわち上記(1)式の定数k1 が小さくなる
ことが知られている。このような原図基板52上を斜入
射光または斜入射光の多い照明光で照明する方法を斜入
射照明と言う。そして、このような方法によれば、従来
の位相シフト法と同等の解像性を実現することが可能で
ある。
照明に用いる照明2次光源の例であり、斜線部が発光部
を示す。照明2次光源の形状や光強度分布を、図26の
ように、中心部の光強度に比して周辺部の光強度が強く
なるように成し、原図基板52上を斜入射光または斜入
射光の多い照明光で照明すると、同じ外形寸法あるいは
発光部の輪郭を包絡する外形寸法を有する一様な照明2
次光源を用いて投影露光する場合に比して解像度が上が
ること、すなわち上記(1)式の定数k1 が小さくなる
ことが知られている。このような原図基板52上を斜入
射光または斜入射光の多い照明光で照明する方法を斜入
射照明と言う。そして、このような方法によれば、従来
の位相シフト法と同等の解像性を実現することが可能で
ある。
【0006】かかる斜入射照明を行うのに加えて、特願
平3−135317号、特願平3−157401号、特
願平3−218100号、特願平3−290442号や
International Electron Devices Meeting 1993, Techn
ical Digest の657〜660ページに開示されている
ように、投影光学系53の開口数NAを決める開口の位
置またはその近辺に、照明2次光源の形状に対応させて
投影光学系53の開口の周辺部の透過率を調整した瞳フ
ィルタ57を置くと、単に斜入射照明だけを行う場合よ
りさらに格段に解像度が向上する。このような斜入射照
明と透過率を調整した瞳フィルタ57の使用とを組み合
わせた解像度向上手段を以下SSBL(Single SideBan
d optical Lithography )と呼ぶ。
平3−135317号、特願平3−157401号、特
願平3−218100号、特願平3−290442号や
International Electron Devices Meeting 1993, Techn
ical Digest の657〜660ページに開示されている
ように、投影光学系53の開口数NAを決める開口の位
置またはその近辺に、照明2次光源の形状に対応させて
投影光学系53の開口の周辺部の透過率を調整した瞳フ
ィルタ57を置くと、単に斜入射照明だけを行う場合よ
りさらに格段に解像度が向上する。このような斜入射照
明と透過率を調整した瞳フィルタ57の使用とを組み合
わせた解像度向上手段を以下SSBL(Single SideBan
d optical Lithography )と呼ぶ。
【0007】図27は、斜入射照明による高解像化の原
理を説明するための図である。投影光学系53の光軸上
の断面を取り、図27(a)の場合は垂直入射光59、
図27(b)の場合は斜入射光60により、原図基板5
2上の周期パタン61から生ずる回折光を模式的に描い
てある。62が0次回折光、63が−1次回折光、64
が+1次回折光である。−1次回折光63と+1次回折
光64が出る方向は、周期パタン61のピッチに依存
し、周期パタン61のピッチが小さい程、0次回折光6
2に対して外側に広がる方向に進む。半導体集積回路等
の任意のパタンの場合には、回折光が色々な空間周波数
成分を有し、高空間周波数成分の1次回折光程0次回折
光62に対して外側に広がる方向に進む。
理を説明するための図である。投影光学系53の光軸上
の断面を取り、図27(a)の場合は垂直入射光59、
図27(b)の場合は斜入射光60により、原図基板5
2上の周期パタン61から生ずる回折光を模式的に描い
てある。62が0次回折光、63が−1次回折光、64
が+1次回折光である。−1次回折光63と+1次回折
光64が出る方向は、周期パタン61のピッチに依存
し、周期パタン61のピッチが小さい程、0次回折光6
2に対して外側に広がる方向に進む。半導体集積回路等
の任意のパタンの場合には、回折光が色々な空間周波数
成分を有し、高空間周波数成分の1次回折光程0次回折
光62に対して外側に広がる方向に進む。
【0008】−1次回折光63と+1次回折光64が出
る方向は、0次回折光62の方向、すなわち垂直入射光
59または斜入射光60の方向に対して対称である。し
たがって、図27(b)の場合は斜入射光60に傾きが
ある分だけ、−1次回折光63は投影光学系53に取り
込まれにくく、逆に+1次回折光64は取り込まれ易
い。このため、ピッチが細かい解像限界に近い周期パタ
ン61や任意のパタンから出る高空間周波数の−1次回
折光63は投影光学系53に取り込めない一方、反対側
の+1次回折光64は図27(a)に示す垂直入射の場
合より大きい角度で出るもの迄投影光学系53に取り込
めるようになる。このように斜入射照明では、片側だけ
ではあるが、垂直照明の場合より大きい角度で出る高空
間周波数の1次回折光を投影光学系53に取り込めるた
め、原図基板52上のより微細なパタンの光像を被露光
基板51上に形成することができ、高解像となる。
る方向は、0次回折光62の方向、すなわち垂直入射光
59または斜入射光60の方向に対して対称である。し
たがって、図27(b)の場合は斜入射光60に傾きが
ある分だけ、−1次回折光63は投影光学系53に取り
込まれにくく、逆に+1次回折光64は取り込まれ易
い。このため、ピッチが細かい解像限界に近い周期パタ
ン61や任意のパタンから出る高空間周波数の−1次回
折光63は投影光学系53に取り込めない一方、反対側
の+1次回折光64は図27(a)に示す垂直入射の場
合より大きい角度で出るもの迄投影光学系53に取り込
めるようになる。このように斜入射照明では、片側だけ
ではあるが、垂直照明の場合より大きい角度で出る高空
間周波数の1次回折光を投影光学系53に取り込めるた
め、原図基板52上のより微細なパタンの光像を被露光
基板51上に形成することができ、高解像となる。
【0009】しかし、+1次回折光64だけが投影光学
系53に取り込まれると、光像が形成される際の0次回
折光62と±1次回折光との比率が崩れ、0次回折光6
2が過多の状態となってしまう。このため、図27に示
したような単なる斜入射照明のみであると、0次回折光
62の過剰部分が一定強度の光として被露光基板51上
に形成される光像に重畳し、結像コントラストが低下す
る。したがって、従来と同じ感光性材料54を用いて同
じようにパタンを転写する場合、さほど顕著には解像度
が向上しない。
系53に取り込まれると、光像が形成される際の0次回
折光62と±1次回折光との比率が崩れ、0次回折光6
2が過多の状態となってしまう。このため、図27に示
したような単なる斜入射照明のみであると、0次回折光
62の過剰部分が一定強度の光として被露光基板51上
に形成される光像に重畳し、結像コントラストが低下す
る。したがって、従来と同じ感光性材料54を用いて同
じようにパタンを転写する場合、さほど顕著には解像度
が向上しない。
【0010】SSBLは、上記の0次回折光62と1次
回折光との比率を改善して結像コントラストの低下を抑
えることにより、斜入射照明の解像度をさらに向上させ
る手法である。斜入射光60の方向、すなわち0次回折
光62の方向は照明2次光源の形状によって決まる。一
方、一般に投影露光装置では、照明2次光源の光像が投
影光学系53の開口数NAを決める開口の面またはその
近辺にできるようになっている。したがって、投影光学
系53の開口面またはその近辺において、照明2次光源
の0次回折光像の位置の透過率を開口内の他の場所より
小さくしてやれば、投影光学系53を通過する0次回折
光62のみを選択的に減衰させることができる。斜入射
照明する場合、照明2次光源は、図26に示したよう
に、発光部が投影露光光軸の中心から離れた周辺部に偏
在するので、投影光学系53の開口面位置またはその近
辺にできる照明2次光源の0次回折光像も投影光学系5
3の開口の周辺部にできる。したがって、投影光学系5
3の開口の周辺部の透過率を調整した瞳フィルタ57を
設ければ0次回折光62を選択的に減衰させることがで
きる。このような瞳フィルタ57と斜入射照明との組合
せがSSBLである。なお、瞳フィルタ57としては、
合成石英、溶融石英、合成蛍石、溶融蛍石等の透光性を
有するガラス材料で形成されており、その表面の一部以
外の表面がクロムの薄膜、酸化クロムの薄膜、フッ化マ
グネシウムと硫化亜鉛の多層薄膜等からなる遮光膜によ
って覆われている(特願平4−343541号)。
回折光との比率を改善して結像コントラストの低下を抑
えることにより、斜入射照明の解像度をさらに向上させ
る手法である。斜入射光60の方向、すなわち0次回折
光62の方向は照明2次光源の形状によって決まる。一
方、一般に投影露光装置では、照明2次光源の光像が投
影光学系53の開口数NAを決める開口の面またはその
近辺にできるようになっている。したがって、投影光学
系53の開口面またはその近辺において、照明2次光源
の0次回折光像の位置の透過率を開口内の他の場所より
小さくしてやれば、投影光学系53を通過する0次回折
光62のみを選択的に減衰させることができる。斜入射
照明する場合、照明2次光源は、図26に示したよう
に、発光部が投影露光光軸の中心から離れた周辺部に偏
在するので、投影光学系53の開口面位置またはその近
辺にできる照明2次光源の0次回折光像も投影光学系5
3の開口の周辺部にできる。したがって、投影光学系5
3の開口の周辺部の透過率を調整した瞳フィルタ57を
設ければ0次回折光62を選択的に減衰させることがで
きる。このような瞳フィルタ57と斜入射照明との組合
せがSSBLである。なお、瞳フィルタ57としては、
合成石英、溶融石英、合成蛍石、溶融蛍石等の透光性を
有するガラス材料で形成されており、その表面の一部以
外の表面がクロムの薄膜、酸化クロムの薄膜、フッ化マ
グネシウムと硫化亜鉛の多層薄膜等からなる遮光膜によ
って覆われている(特願平4−343541号)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】SSBLにより高解像
を得ようとする場合、解像限界付近の微細パタンについ
て、上記のように瞳フィルタ57で0次回折光62と1
次回折光との比率を改善する必要がある。ところが、先
に述べたように、パタン周期に応じて1次回折光の出る
方向は異なり、周期の大きいパタンでは0次回折光62
に近い方向に出る。したがって、周期の大きいパタンで
は−1次回折光63と+1次回折光64が両方とも投影
光学系53に取り込まれる。このため、照明2次光源の
0次回折光像の位置の透過率を開口内の他の場所より小
さくした瞳フィルタ57を設けて、投影光学系53を通
過する0次回折光62を減衰させると、周期の大きいパ
タンでは逆に1次回折光が過多の状態となってしまう。
を得ようとする場合、解像限界付近の微細パタンについ
て、上記のように瞳フィルタ57で0次回折光62と1
次回折光との比率を改善する必要がある。ところが、先
に述べたように、パタン周期に応じて1次回折光の出る
方向は異なり、周期の大きいパタンでは0次回折光62
に近い方向に出る。したがって、周期の大きいパタンで
は−1次回折光63と+1次回折光64が両方とも投影
光学系53に取り込まれる。このため、照明2次光源の
0次回折光像の位置の透過率を開口内の他の場所より小
さくした瞳フィルタ57を設けて、投影光学系53を通
過する0次回折光62を減衰させると、周期の大きいパ
タンでは逆に1次回折光が過多の状態となってしまう。
【0012】なお、非常に周期の大きいパタンでは、大
半の−1次回折光63、+1次回折光64とも、0次回
折光62と同様に瞳フィルタ57の透過率を小さくした
部分を通るので、0次回折光62と1次回折光との比率
は斜入射照明ではない従来の照明方式による場合とほぼ
同じになる。
半の−1次回折光63、+1次回折光64とも、0次回
折光62と同様に瞳フィルタ57の透過率を小さくした
部分を通るので、0次回折光62と1次回折光との比率
は斜入射照明ではない従来の照明方式による場合とほぼ
同じになる。
【0013】このため、SSBLでは、−1次回折光6
3と+1次回折光64が両方とも投影光学系53に取り
込まれ、かつ、−1次回折光63と+1次回折光64が
瞳フィルタ57の高透過率の部分を通過するような中間
周期のパタンで、被露光基板51上の光像の強度が他の
寸法のパタンに比して大きくなり、かつ、コントラスト
も低下するという不都合が生じる。周期パタンでない一
般のパタンについても、パタンの有する各空間周波数成
分について同様の0次回折光62と1次回折光との比率
の不釣合いが起こるため、中間周期の空間周波数成分を
多く含むパタンで同様の不都合が生じる。
3と+1次回折光64が両方とも投影光学系53に取り
込まれ、かつ、−1次回折光63と+1次回折光64が
瞳フィルタ57の高透過率の部分を通過するような中間
周期のパタンで、被露光基板51上の光像の強度が他の
寸法のパタンに比して大きくなり、かつ、コントラスト
も低下するという不都合が生じる。周期パタンでない一
般のパタンについても、パタンの有する各空間周波数成
分について同様の0次回折光62と1次回折光との比率
の不釣合いが起こるため、中間周期の空間周波数成分を
多く含むパタンで同様の不都合が生じる。
【0014】上記の問題点を代表的な斜入射照明の形態
である円環状の2次光源の場合について、より具体的に
説明する。
である円環状の2次光源の場合について、より具体的に
説明する。
【0015】図28(a)〜(c)は、投影光学系53
の開口数NAを決める開口面上における2次光源像の位
置を説明する図である。縦方向のパタンのみが原図基板
52上に存在すると仮定する。斜線で示した円環状2次
光源の0次回折像65、一点鎖線で示した−1次回折像
66、点線で示した+1次回折像67は、原図基板52
上のパタンの周期に応じて、以下に説明するような位置
に形成される。68は投影光学系53の開口である。
の開口数NAを決める開口面上における2次光源像の位
置を説明する図である。縦方向のパタンのみが原図基板
52上に存在すると仮定する。斜線で示した円環状2次
光源の0次回折像65、一点鎖線で示した−1次回折像
66、点線で示した+1次回折像67は、原図基板52
上のパタンの周期に応じて、以下に説明するような位置
に形成される。68は投影光学系53の開口である。
【0016】図28(a)は、非常に周期の大きいパタ
ンの場合である。−1次回折像66、+1次回折像67
は0次回折像65の付近に重なって形成される。したが
って、0次回折像65に相当する部分の透過率を低くし
た瞳フィルタ57を配置すれば、−1次回折像66、+
1次回折像67も瞳フィルタ57の透過率が低い部分に
でき、−1次回折光、+1次回折光も大半が0次回折光
と同様に減衰する。このため、0次回折光と1次回折光
との比率は、斜入射照明ではない従来の場合とさほど変
わらない比率となる。また、被露光基板51上にでき
る、原図基板52上の周期パタンの透過部、遮光部に対
応する部分の光像の強度は、それぞれ広い透過部、広い
遮光部に対応する部分の光像強度と大差ない強度とな
る。
ンの場合である。−1次回折像66、+1次回折像67
は0次回折像65の付近に重なって形成される。したが
って、0次回折像65に相当する部分の透過率を低くし
た瞳フィルタ57を配置すれば、−1次回折像66、+
1次回折像67も瞳フィルタ57の透過率が低い部分に
でき、−1次回折光、+1次回折光も大半が0次回折光
と同様に減衰する。このため、0次回折光と1次回折光
との比率は、斜入射照明ではない従来の場合とさほど変
わらない比率となる。また、被露光基板51上にでき
る、原図基板52上の周期パタンの透過部、遮光部に対
応する部分の光像の強度は、それぞれ広い透過部、広い
遮光部に対応する部分の光像強度と大差ない強度とな
る。
【0017】図28(b)は、解像限界付近の微細周期
パタンの場合である。−1次回折像66、+1次回折像
67は開口68にかかり、−1次回折光、+1次回折光
の一部のみが開口68を通過する。すなわち、0次回折
像65上のある場所に注目すれば、その点に0次回折光
が到達する斜入射光による−1次回折光、+1次回折光
はいずれかが開口68の外に出てしまい、片側の1次回
折光のみが開口68を通過する。たとえば、図のA点に
0次回折光が到達する斜入射光による−1次回折光はB
点に行き、+1次回折光はC点に行く。したがって、−
1次回折光は開口68を通過できず、+1次回折光のみ
が開口68を通過する。この時、0次回折像65に相当
する部分の透過率を低くした瞳フィルタ57を配置すれ
ば、0次回折光が減衰するので、+1次回折光のみしか
通過しない1次回折光との比率を改善できる。
パタンの場合である。−1次回折像66、+1次回折像
67は開口68にかかり、−1次回折光、+1次回折光
の一部のみが開口68を通過する。すなわち、0次回折
像65上のある場所に注目すれば、その点に0次回折光
が到達する斜入射光による−1次回折光、+1次回折光
はいずれかが開口68の外に出てしまい、片側の1次回
折光のみが開口68を通過する。たとえば、図のA点に
0次回折光が到達する斜入射光による−1次回折光はB
点に行き、+1次回折光はC点に行く。したがって、−
1次回折光は開口68を通過できず、+1次回折光のみ
が開口68を通過する。この時、0次回折像65に相当
する部分の透過率を低くした瞳フィルタ57を配置すれ
ば、0次回折光が減衰するので、+1次回折光のみしか
通過しない1次回折光との比率を改善できる。
【0018】図28(c)は、(a)と(b)の中間の
周期を有するパタンの場合である。この時には、−1次
回折光、+1次回折光の全部または大半が開口68を通
過する一方で、0次回折光が減衰する。このため、1次
回折光の方が逆に多くなり、コントラストが低下する。
そして、光像の形成に関与する光の総量が前記の(a)
や(b)の場合より多くなるため、光像の光強度が強く
なる。以上の図28(a),(b),(c)は典型的な
場合であり、実際はさらにそれぞれの中間となる場合が
存在することは言う迄もない。
周期を有するパタンの場合である。この時には、−1次
回折光、+1次回折光の全部または大半が開口68を通
過する一方で、0次回折光が減衰する。このため、1次
回折光の方が逆に多くなり、コントラストが低下する。
そして、光像の形成に関与する光の総量が前記の(a)
や(b)の場合より多くなるため、光像の光強度が強く
なる。以上の図28(a),(b),(c)は典型的な
場合であり、実際はさらにそれぞれの中間となる場合が
存在することは言う迄もない。
【0019】任意の形状のパタンが任意に形成された実
際の原図基板52に対応するためには、図28(a),
(b),(c)のどの場合にも0次回折光と1次回折光
との比率や光像の光強度があまり変化しないようにする
必要がある。ところが、瞳フィルタ57を使用するSS
BL法の本来の目的である(b)の場合に適切な瞳フィ
ルタ57の透過率分布は、(c)の場合に上記の不都合
を引き起こしてしまう。
際の原図基板52に対応するためには、図28(a),
(b),(c)のどの場合にも0次回折光と1次回折光
との比率や光像の光強度があまり変化しないようにする
必要がある。ところが、瞳フィルタ57を使用するSS
BL法の本来の目的である(b)の場合に適切な瞳フィ
ルタ57の透過率分布は、(c)の場合に上記の不都合
を引き起こしてしまう。
【0020】すなわちSSBLでは、中間寸法のパタン
において、光像の光強度が微細寸法パタンや大寸法パタ
ンよりかなり強くなり、かつ、コントラストが低下する
という問題があった。このため従来は、任意のパタンに
対して任意に使えるSSBL法を取ろうとすると、
(b)の場合に生ずる不都合が顕著にならないように、
解像度の向上性能をかなり犠牲にして瞳フィルタ57の
透過率分布を決めざるを得ず、しかる処置をしても中間
寸法のパタンにおいて光像の光強度がやや大きくなるこ
とを避け得ず、また、コントラストが幾分低下すること
も余儀ない状況であった。
において、光像の光強度が微細寸法パタンや大寸法パタ
ンよりかなり強くなり、かつ、コントラストが低下する
という問題があった。このため従来は、任意のパタンに
対して任意に使えるSSBL法を取ろうとすると、
(b)の場合に生ずる不都合が顕著にならないように、
解像度の向上性能をかなり犠牲にして瞳フィルタ57の
透過率分布を決めざるを得ず、しかる処置をしても中間
寸法のパタンにおいて光像の光強度がやや大きくなるこ
とを避け得ず、また、コントラストが幾分低下すること
も余儀ない状況であった。
【0021】図29は、ライン対スペース比1:1で無
限に続くラインアンドスペースパタンについて、SSB
L法で転写を行う時の、パタン幅と透過スペース中心の
光強度との関係を示した図である。光強度はジャストフ
ォーカスの状態での光強度を示している。横軸のパタン
幅Wは被露光基板51上での寸法に換算した値であり、
規格化した単位uはu=λ/2Nである。縦軸のピーク
光強度は、無限に大きい透過パタン部の光強度を1とす
る時の値である。コヒーレンス係数σ=0.6〜0.5
に相当する円環状の2次光源を用いるSSBLの場合を
採り上げており、図30は用いた瞳フィルタ57の振幅
透過率分布を示している。投影光学系53の開口68上
で、円環状2次光源の0次回折像65は、円環の外半
径、内半径が(外半径/開口68の半径)=0.6、
(内半径/開口68の半径)=0.5となるように形成
され、開口68内の振幅透過率の分布は、0次回折像6
5が形成される場所に対応する円環部分でt1 =0.
4、円環の外側でt2 =0.7、円環の内側の開口68
の中心部でt3 =1である。図29より、透過スペース
中心の光強度はW≒2u付近を中心に非常に大きくなる
ことが分かる。
限に続くラインアンドスペースパタンについて、SSB
L法で転写を行う時の、パタン幅と透過スペース中心の
光強度との関係を示した図である。光強度はジャストフ
ォーカスの状態での光強度を示している。横軸のパタン
幅Wは被露光基板51上での寸法に換算した値であり、
規格化した単位uはu=λ/2Nである。縦軸のピーク
光強度は、無限に大きい透過パタン部の光強度を1とす
る時の値である。コヒーレンス係数σ=0.6〜0.5
に相当する円環状の2次光源を用いるSSBLの場合を
採り上げており、図30は用いた瞳フィルタ57の振幅
透過率分布を示している。投影光学系53の開口68上
で、円環状2次光源の0次回折像65は、円環の外半
径、内半径が(外半径/開口68の半径)=0.6、
(内半径/開口68の半径)=0.5となるように形成
され、開口68内の振幅透過率の分布は、0次回折像6
5が形成される場所に対応する円環部分でt1 =0.
4、円環の外側でt2 =0.7、円環の内側の開口68
の中心部でt3 =1である。図29より、透過スペース
中心の光強度はW≒2u付近を中心に非常に大きくなる
ことが分かる。
【0022】また、図31は、同じラインアンドスペー
スパタンについて、同じ照明条件、同じ瞳フィルタ57
を使用するSSBLの場合の、パタン幅とコントラスト
(MTF)との関係を示す図である。この場合もパタン
幅Wは被露光基板51上での寸法に換算した値であり、
ジャストフォーカス状態でのコントラスト(MTF)を
示している。図から明らかなように、W≒2u付近を中
心にコントラストがかなり低下する。
スパタンについて、同じ照明条件、同じ瞳フィルタ57
を使用するSSBLの場合の、パタン幅とコントラスト
(MTF)との関係を示す図である。この場合もパタン
幅Wは被露光基板51上での寸法に換算した値であり、
ジャストフォーカス状態でのコントラスト(MTF)を
示している。図から明らかなように、W≒2u付近を中
心にコントラストがかなり低下する。
【0023】上記の例はラインアンドスペースパタンに
ついてのものであるが、同様の傾向は孤立線パタンにつ
いても生ずる。
ついてのものであるが、同様の傾向は孤立線パタンにつ
いても生ずる。
【0024】図32は、上記の図29および図31と同
じ照明条件、瞳フィルタ57を使用するSSBLの場合
につき、無限に長い孤立透過パタンについて、パタン幅
と透過パタン中心の光強度との関係を示したものであ
る。パタン幅Wは被露光基板51上での寸法に換算した
値であり、光強度はジャストフォーカスの状態での光強
度を示している。この場合も図29と同様に透過パタン
中心の光強度はW≒2u付近を中心に非常に大きくなる
ことが分かる。
じ照明条件、瞳フィルタ57を使用するSSBLの場合
につき、無限に長い孤立透過パタンについて、パタン幅
と透過パタン中心の光強度との関係を示したものであ
る。パタン幅Wは被露光基板51上での寸法に換算した
値であり、光強度はジャストフォーカスの状態での光強
度を示している。この場合も図29と同様に透過パタン
中心の光強度はW≒2u付近を中心に非常に大きくなる
ことが分かる。
【0025】図33は、上記の図29、図31および図
32と同じ照明条件、瞳フィルタ57を使用するSSB
Lの場合につき、無限に長い孤立遮光パタンについて、
パタン幅と遮光パタン中心の光強度との関係を示したも
のである。この場合もパタン幅Wは被露光基板51上で
の寸法に換算した値であり、光強度はジャストフォーカ
スの状態での光強度を示している。図29や図32と同
様に遮光パタン中心の光強度はW≒2u付近を中心に大
きくなる。
32と同じ照明条件、瞳フィルタ57を使用するSSB
Lの場合につき、無限に長い孤立遮光パタンについて、
パタン幅と遮光パタン中心の光強度との関係を示したも
のである。この場合もパタン幅Wは被露光基板51上で
の寸法に換算した値であり、光強度はジャストフォーカ
スの状態での光強度を示している。図29や図32と同
様に遮光パタン中心の光強度はW≒2u付近を中心に大
きくなる。
【0026】一般のパタンは各種の空間周波数成分を含
み、それぞれの空間周波数成分の一次回折光を生ずる
が、SSBLでは中間的な空間周波数成分の光が強調さ
れた光像が被露光基板51上に形成される。このため、
任意の形状のパタンについて全般的に原図基板52上の
中間寸法の透過パタンは太く転写され、中間寸法の遮光
パタンは細く転写されて、原図基板52上のパタンと転
写パタンとの寸法変換差が大きくなる傾向を生じる。
み、それぞれの空間周波数成分の一次回折光を生ずる
が、SSBLでは中間的な空間周波数成分の光が強調さ
れた光像が被露光基板51上に形成される。このため、
任意の形状のパタンについて全般的に原図基板52上の
中間寸法の透過パタンは太く転写され、中間寸法の遮光
パタンは細く転写されて、原図基板52上のパタンと転
写パタンとの寸法変換差が大きくなる傾向を生じる。
【0027】図33に示したように遮光パタン部の光強
度も大きくなることから、微細パタンに対して丁度良い
露光量で転写を行うと、ポジ形レジストを用いる場合に
は、中間寸法の遮光パタン部でレジストの膜減りを生じ
易い。そして、極端な場合には、特定の中間線幅を有す
るパタンが無くなってしまったり、断面形状が長方形に
近い形とならずに、台形や逆台形あるいは三角形に近い
形に劣化したりすることが有った。また、ネガ形レジス
トを用いる場合には、現像時に除去されるべきレジスト
が被露光基板51上に残る現象を生じ易かった。
度も大きくなることから、微細パタンに対して丁度良い
露光量で転写を行うと、ポジ形レジストを用いる場合に
は、中間寸法の遮光パタン部でレジストの膜減りを生じ
易い。そして、極端な場合には、特定の中間線幅を有す
るパタンが無くなってしまったり、断面形状が長方形に
近い形とならずに、台形や逆台形あるいは三角形に近い
形に劣化したりすることが有った。また、ネガ形レジス
トを用いる場合には、現像時に除去されるべきレジスト
が被露光基板51上に残る現象を生じ易かった。
【0028】このように、SSBLは中間寸法のパタン
形成に難点が有り、如何にして中間寸法のパタンを大寸
法のパタンや微細パタンと同時に所要の寸法に転写でき
るようにするかという課題があった。
形成に難点が有り、如何にして中間寸法のパタンを大寸
法のパタンや微細パタンと同時に所要の寸法に転写でき
るようにするかという課題があった。
【0029】本発明は上記したような従来の問題点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、投影露
光用原図基板を斜入射照明し、瞳フィルタを入れた投影
光学系を介して投影露光用原図基板上のパタンを被露光
基板上に露光転写する際、中間寸法の透過パタン部また
は中間寸法の遮光パタン部あるいはそれらの両方の光強
度を低減し、中間寸法のパタンを所要の寸法に転写し易
くした投影露光用原図基板および投影露光方法を提供す
ることにある。
みてなされたもので、その目的とするところは、投影露
光用原図基板を斜入射照明し、瞳フィルタを入れた投影
光学系を介して投影露光用原図基板上のパタンを被露光
基板上に露光転写する際、中間寸法の透過パタン部また
は中間寸法の遮光パタン部あるいはそれらの両方の光強
度を低減し、中間寸法のパタンを所要の寸法に転写し易
くした投影露光用原図基板および投影露光方法を提供す
ることにある。
【0030】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、瞳フィルタを入れた投影光
学系を介して斜入射照明を行い、投影露光用原図基板上
のパタンを被露光基板上に露光転写するのに用いられる
投影露光用原図基板であって、投影光学系の開口内に照
明2次光源の±1次回折像がそれぞれ2分の1を越えて
取り込まれる(遮光部線幅)対(透過部線幅)が1対1
の周期パタン、の線幅より大きい所定の線幅範囲の透過
パタンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置
したことを特徴とする。請求項2記載の発明は、瞳フィ
ルタを入れた投影光学系を介して斜入射照明を行い、投
影露光用原図基板上のパタンを被露光基板上に露光転写
するのに用いられる投影露光用原図基板であって、投影
光学系の開口内に照明2次光源の±1次回折像がそれぞ
れ2分の1を越えて取り込まれる(遮光部線幅)対(透
過部線幅)が1対1の周期パタン、の線幅より大きい所
定の線幅範囲の遮光パタンの中に、解像しない線幅を持
つ透過パタンを配置したことを特徴とする。請求項3記
載の発明は、瞳フィルタを入れた投影光学系を介して斜
入射照明を行い、投影露光用原図基板上のパタンを被露
光基板上に露光転写するのに用いられる投影露光用原図
基板であって、投影光学系の開口内に照明2次光源の±
1次回折像がそれぞれ2分の1を越えて取り込まれる
(遮光部線幅)対(透過部線幅)が1対1の周期パタン
の線幅より大きい所定の線幅範囲の透過パタンの中に、
解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置し、かつ、上記
の周期パタンの線幅より大きい所定の線幅範囲の遮光パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタンを配置し
たことを特徴とする。請求項4記載の発明は、波長λの
投影露光光線を用い、部分コヒーレンス係数σがσ1 〜
σ2 の範囲の円環照明(σ1 >σ2 )を行って、開口数
NAの投影光学系を用いて投影露光倍率1/mの投影露
光を行うのに用いる投影露光用原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する透過パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置し
たことを特徴とする。請求項5記載の発明は、波長λの
投影露光光線を用い、部分コヒーレンス係数σがσ1 〜
σ2 の範囲の円環照明(σ1 >σ2 )を行って、開口数
NAの投影光学系を用いて投影露光倍率1/mの投影露
光を行うのに用いる投影露光用原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する遮光パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタンを配置し
たことを特徴とする。請求項6記載の発明は、波長λの
投影露光光線を用い、部分コヒーレンス係数σがσ1 〜
σ2 の範囲の円環照明(σ1 >σ2 )を行って、開口数
NAの投影光学系を用いて投影露光倍率1/mの投影露
光を行うのに用いる投影露光用原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する透過パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置
し、かつ、上記範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有す
る遮光パタンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタン
を配置したことを特徴とする。請求項7記載の発明は上
記請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の投影露光
用原図基板を使用し、この投影露光用原図基板を斜入射
照明し、瞳フィルタを入れた投影光学系を介して前記投
影露光用原図基板上のパタンを被露光基板上に露光転写
することを特徴とする。
め、請求項1記載の発明は、瞳フィルタを入れた投影光
学系を介して斜入射照明を行い、投影露光用原図基板上
のパタンを被露光基板上に露光転写するのに用いられる
投影露光用原図基板であって、投影光学系の開口内に照
明2次光源の±1次回折像がそれぞれ2分の1を越えて
取り込まれる(遮光部線幅)対(透過部線幅)が1対1
の周期パタン、の線幅より大きい所定の線幅範囲の透過
パタンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置
したことを特徴とする。請求項2記載の発明は、瞳フィ
ルタを入れた投影光学系を介して斜入射照明を行い、投
影露光用原図基板上のパタンを被露光基板上に露光転写
するのに用いられる投影露光用原図基板であって、投影
光学系の開口内に照明2次光源の±1次回折像がそれぞ
れ2分の1を越えて取り込まれる(遮光部線幅)対(透
過部線幅)が1対1の周期パタン、の線幅より大きい所
定の線幅範囲の遮光パタンの中に、解像しない線幅を持
つ透過パタンを配置したことを特徴とする。請求項3記
載の発明は、瞳フィルタを入れた投影光学系を介して斜
入射照明を行い、投影露光用原図基板上のパタンを被露
光基板上に露光転写するのに用いられる投影露光用原図
基板であって、投影光学系の開口内に照明2次光源の±
1次回折像がそれぞれ2分の1を越えて取り込まれる
(遮光部線幅)対(透過部線幅)が1対1の周期パタン
の線幅より大きい所定の線幅範囲の透過パタンの中に、
解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置し、かつ、上記
の周期パタンの線幅より大きい所定の線幅範囲の遮光パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタンを配置し
たことを特徴とする。請求項4記載の発明は、波長λの
投影露光光線を用い、部分コヒーレンス係数σがσ1 〜
σ2 の範囲の円環照明(σ1 >σ2 )を行って、開口数
NAの投影光学系を用いて投影露光倍率1/mの投影露
光を行うのに用いる投影露光用原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する透過パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置し
たことを特徴とする。請求項5記載の発明は、波長λの
投影露光光線を用い、部分コヒーレンス係数σがσ1 〜
σ2 の範囲の円環照明(σ1 >σ2 )を行って、開口数
NAの投影光学系を用いて投影露光倍率1/mの投影露
光を行うのに用いる投影露光用原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する遮光パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタンを配置し
たことを特徴とする。請求項6記載の発明は、波長λの
投影露光光線を用い、部分コヒーレンス係数σがσ1 〜
σ2 の範囲の円環照明(σ1 >σ2 )を行って、開口数
NAの投影光学系を用いて投影露光倍率1/mの投影露
光を行うのに用いる投影露光用原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する透過パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置
し、かつ、上記範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有す
る遮光パタンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタン
を配置したことを特徴とする。請求項7記載の発明は上
記請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の投影露光
用原図基板を使用し、この投影露光用原図基板を斜入射
照明し、瞳フィルタを入れた投影光学系を介して前記投
影露光用原図基板上のパタンを被露光基板上に露光転写
することを特徴とする。
【0031】
【作用】本発明において、中間寸法の透過パタン内に解
像線幅以下の遮光パタンを設けたり、中間寸法の遮光パ
タン内に解像線幅以下の透過パタンを設けたりすると、
このパタン部には、解像線幅以下の遮光パタンや透過パ
タンの存在間隔や元々のパタンの縁と該解像線幅以下の
遮光パタンや透過パタンとの距離、あるいは解像線幅以
下の遮光パタンや透過パタンの線幅に相当する、前記の
中間寸法のパタン幅に相当する空間周波数成分より高い
空間周波数成分の回折光が生ずる。そして、この新たに
生ずる空間周波数成分の1次回折光は、高い空間周波数
成分であるから、投影光学系の開口に入らなかったり、
入っても片側の1次回折光が入るに過ぎない。この結
果、被露光基板上に形成される中間寸法のパタン部の光
強度を下げることができる。したがって、微細パタンに
対して適切な露光量で転写を行っても中間寸法のパタン
の線幅が設計値から大きくずれることがなくなる。ま
た、微細パタンの解像性を向上させることに主眼を置
き、解像限界ぎりぎりのパタンに対して0次回折光と1
次回折光との比率がより適切となる透過率分布を持つ瞳
フィルタを使用しても、中間寸法のパタンが設計通りに
できなくなるような不都合は無くなる。
像線幅以下の遮光パタンを設けたり、中間寸法の遮光パ
タン内に解像線幅以下の透過パタンを設けたりすると、
このパタン部には、解像線幅以下の遮光パタンや透過パ
タンの存在間隔や元々のパタンの縁と該解像線幅以下の
遮光パタンや透過パタンとの距離、あるいは解像線幅以
下の遮光パタンや透過パタンの線幅に相当する、前記の
中間寸法のパタン幅に相当する空間周波数成分より高い
空間周波数成分の回折光が生ずる。そして、この新たに
生ずる空間周波数成分の1次回折光は、高い空間周波数
成分であるから、投影光学系の開口に入らなかったり、
入っても片側の1次回折光が入るに過ぎない。この結
果、被露光基板上に形成される中間寸法のパタン部の光
強度を下げることができる。したがって、微細パタンに
対して適切な露光量で転写を行っても中間寸法のパタン
の線幅が設計値から大きくずれることがなくなる。ま
た、微細パタンの解像性を向上させることに主眼を置
き、解像限界ぎりぎりのパタンに対して0次回折光と1
次回折光との比率がより適切となる透過率分布を持つ瞳
フィルタを使用しても、中間寸法のパタンが設計通りに
できなくなるような不都合は無くなる。
【0032】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図1(a)は、本発明の一実施例を示
す原図基板におけるパタンであり、図34(a)に示す
従来の孤立透過パタン69を改良するものである。本実
施例は被露光基板51上の寸法に換算した孤立透過パタ
ン寸法がW=2uの場合の例を示しており、パタンは長
手方向に長く続いている。図中の斜線部1a,1b,7
0a,70bが遮光部、白地部2a,2b,2cが透過
部である。
詳細に説明する。図1(a)は、本発明の一実施例を示
す原図基板におけるパタンであり、図34(a)に示す
従来の孤立透過パタン69を改良するものである。本実
施例は被露光基板51上の寸法に換算した孤立透過パタ
ン寸法がW=2uの場合の例を示しており、パタンは長
手方向に長く続いている。図中の斜線部1a,1b,7
0a,70bが遮光部、白地部2a,2b,2cが透過
部である。
【0033】図1(a)に示すパタンでは、図34
(a)の遮光部70(70a,70b)中の従来の透過
パタン69の中に、解像限界以下の微小幅の遮光パタン
1として遮光パタン1a,1bを設けている。遮光パタ
ン1a,1bの幅はそれぞれ0.2uとした。これによ
り、従来の透過パタン69は透過パタン2a,2b,2
cに分割される。このようにすると、遮光パタン1a,
1bや透過パタン2a,2b,2cのパタン幅やパタン
ピッチに相当する空間周波数成分の回折光が生じ、その
分、従来の透過パタン69に含まれていた中間空間周波
数の光成分が減ずる。新たに生ずるようになる高空間周
波数の光成分は、投影光学系53の外側に向って進み、
開口68の周辺部を通過するか、開口68に蹴られる。
したがって、開口68の位置またはその近辺に配置され
た周辺部透過率を調整した瞳フィルタ57により減衰さ
せられたり、開口68を通過できなかったりして、全光
強度も減少する。すなわち、上記のごとく遮光パタン1
を配置することにより、中間空間周波数の光成分の減少
と全光強度の減少を同時に図ることができる。
(a)の遮光部70(70a,70b)中の従来の透過
パタン69の中に、解像限界以下の微小幅の遮光パタン
1として遮光パタン1a,1bを設けている。遮光パタ
ン1a,1bの幅はそれぞれ0.2uとした。これによ
り、従来の透過パタン69は透過パタン2a,2b,2
cに分割される。このようにすると、遮光パタン1a,
1bや透過パタン2a,2b,2cのパタン幅やパタン
ピッチに相当する空間周波数成分の回折光が生じ、その
分、従来の透過パタン69に含まれていた中間空間周波
数の光成分が減ずる。新たに生ずるようになる高空間周
波数の光成分は、投影光学系53の外側に向って進み、
開口68の周辺部を通過するか、開口68に蹴られる。
したがって、開口68の位置またはその近辺に配置され
た周辺部透過率を調整した瞳フィルタ57により減衰さ
せられたり、開口68を通過できなかったりして、全光
強度も減少する。すなわち、上記のごとく遮光パタン1
を配置することにより、中間空間周波数の光成分の減少
と全光強度の減少を同時に図ることができる。
【0034】図1(b)は、図1(a)に示したパタン
を持つ原図基板52を用いて、SSBL法により投影露
光した場合の被露光基板51上の光強度分布を示した図
である。円環状照明2次光源のコヒーレンス係数σ=
0.6〜0.5、瞳フィルタ57の振幅透過率t1 =
0.4、t2 =0.7、t3 =1.0、の条件は先に示
した図29、図31、図32、図33の場合と同じであ
る。光強度分布曲線は焦点位置のずれ量Dを4種類に変
えて示した。単位zは、露光波長λと投影光学系53の
開口数NAによって規格化した値であり、z=λ/〔2
(NA)2 〕である。図1(b)を図34(b)に示し
た従来の幅W=2uの孤立透過パタンの光強度分布曲線
と比較すれば、光強度の低減効果が顕著であることが明
らかである。また、たとえば、光強度=0.5をスライ
スレベルにとって光強度分布曲線の幅を比較すると、図
1(b)の方が図34(b)より狭いことが分かる。と
くに、焦点位置のずれ量Dが大きい条件で幅の差は顕著
である。このことは、従来の透過パタン69の転写寸法
を本発明の適用により小さくでき、パタン変換差が生じ
にくくできることを示す。
を持つ原図基板52を用いて、SSBL法により投影露
光した場合の被露光基板51上の光強度分布を示した図
である。円環状照明2次光源のコヒーレンス係数σ=
0.6〜0.5、瞳フィルタ57の振幅透過率t1 =
0.4、t2 =0.7、t3 =1.0、の条件は先に示
した図29、図31、図32、図33の場合と同じであ
る。光強度分布曲線は焦点位置のずれ量Dを4種類に変
えて示した。単位zは、露光波長λと投影光学系53の
開口数NAによって規格化した値であり、z=λ/〔2
(NA)2 〕である。図1(b)を図34(b)に示し
た従来の幅W=2uの孤立透過パタンの光強度分布曲線
と比較すれば、光強度の低減効果が顕著であることが明
らかである。また、たとえば、光強度=0.5をスライ
スレベルにとって光強度分布曲線の幅を比較すると、図
1(b)の方が図34(b)より狭いことが分かる。と
くに、焦点位置のずれ量Dが大きい条件で幅の差は顕著
である。このことは、従来の透過パタン69の転写寸法
を本発明の適用により小さくでき、パタン変換差が生じ
にくくできることを示す。
【0035】本発明に用いる微小幅の遮光パタン1a,
1bの幅、本数、位置は任意であり、これらのパラメー
タを変えることにより、光強度は広範囲に変えられる。
したがって、元々の透過パタン69の幅や投影光学系5
3の開口数NA、波長λ、円環状照明2次光源の形状や
コヒーレンス係数σ、瞳フィルタ57の振幅透過率等に
応じて適切な光強度となるように決定する。
1bの幅、本数、位置は任意であり、これらのパラメー
タを変えることにより、光強度は広範囲に変えられる。
したがって、元々の透過パタン69の幅や投影光学系5
3の開口数NA、波長λ、円環状照明2次光源の形状や
コヒーレンス係数σ、瞳フィルタ57の振幅透過率等に
応じて適切な光強度となるように決定する。
【0036】図2(a)〜図4(a)は解像しない線幅
の遮光パタン2の本数を変えた本発明の他の実施例の原
図基板におけるパタンであり、図1(a)と同様図34
(a)に示す従来の孤立透過パタン69を改良するもの
である。それぞれの場合の光強度分布曲線を図2(b)
〜図4(b)に示す。
の遮光パタン2の本数を変えた本発明の他の実施例の原
図基板におけるパタンであり、図1(a)と同様図34
(a)に示す従来の孤立透過パタン69を改良するもの
である。それぞれの場合の光強度分布曲線を図2(b)
〜図4(b)に示す。
【0037】図1(a)では、遮光パタン1を1a,1
bの2本としたが、図2(a)では1aのみの1本、図
3(a)では1a,1b,1cの3本、図4(a)では
1a〜1dの4本とした。図2(b)〜図4(b)によ
れば、遮光パタン1の本数に応じて光強度の低下量が変
化するものの、1本でも効果が有る。
bの2本としたが、図2(a)では1aのみの1本、図
3(a)では1a,1b,1cの3本、図4(a)では
1a〜1dの4本とした。図2(b)〜図4(b)によ
れば、遮光パタン1の本数に応じて光強度の低下量が変
化するものの、1本でも効果が有る。
【0038】図4(a)の場合は左右の対称性を確保す
るため中央のみ0.4uの幅としたが、元々の透過パタ
ン69の幅の奇数分の1の間隔で遮光パタン1を周期的
に設けても良い。
るため中央のみ0.4uの幅としたが、元々の透過パタ
ン69の幅の奇数分の1の間隔で遮光パタン1を周期的
に設けても良い。
【0039】図5(a)〜図7(a)は解像しない線幅
の遮光パタン2の幅を変えた本発明の他の実施例の原図
基板におけるパタンであり、図1(a)と同様図34
(a)に示す従来の孤立透過パタン69を改良するもの
である。それぞれの場合の光強度分布曲線を図5(b)
〜図7(b)に示す。
の遮光パタン2の幅を変えた本発明の他の実施例の原図
基板におけるパタンであり、図1(a)と同様図34
(a)に示す従来の孤立透過パタン69を改良するもの
である。それぞれの場合の光強度分布曲線を図5(b)
〜図7(b)に示す。
【0040】図1(a)では、遮光パタン1a,1bの
幅をそれぞれ0.2uとしたが、図5(a)では幅を
0.1u、図6(a)では幅を0.3u、図7(a)で
は幅を0.4uとした。
幅をそれぞれ0.2uとしたが、図5(a)では幅を
0.1u、図6(a)では幅を0.3u、図7(a)で
は幅を0.4uとした。
【0041】いずれの場合とも光強度分布曲線の光強度
は減じるが、図7(a)の遮光パタン1の幅を0.4u
とした場合には光強度はやや低くなり過ぎている。図7
(a)の場合の遮光パタン1の幅の合計は0.8uであ
り、先に述べた図3(a)の場合の遮光パタン1の幅の
合計も0.8uであった。したがって、遮光パタン1の
幅の合計の限界は元々の透過パタン1の幅の(0.8u
/2u)×100=40%程度である。なお、最も好ま
しいのは、図3(a)もしくは図6(a)程度である。
は減じるが、図7(a)の遮光パタン1の幅を0.4u
とした場合には光強度はやや低くなり過ぎている。図7
(a)の場合の遮光パタン1の幅の合計は0.8uであ
り、先に述べた図3(a)の場合の遮光パタン1の幅の
合計も0.8uであった。したがって、遮光パタン1の
幅の合計の限界は元々の透過パタン1の幅の(0.8u
/2u)×100=40%程度である。なお、最も好ま
しいのは、図3(a)もしくは図6(a)程度である。
【0042】以上は中間寸法を持つ孤立透過パタンを改
良する場合について述べた。中間寸法を持つ孤立遮光パ
タンについては、逆に遮光パタン中に解像限界以下の微
小幅の透過パタンを配置すれば良い。
良する場合について述べた。中間寸法を持つ孤立遮光パ
タンについては、逆に遮光パタン中に解像限界以下の微
小幅の透過パタンを配置すれば良い。
【0043】図8(a)は、本発明の他の実施例の原図
基板におけるパタンであり、図35(a)に示す従来の
孤立遮光パタンを改良するものである。被露光基板51
上の寸法に換算した孤立遮光パタン寸法がW=2uの場
合の例を示しており、パタンは長手方向に長く続いてい
るとする。図中の斜線部が遮光部、白地部が透過部であ
る。
基板におけるパタンであり、図35(a)に示す従来の
孤立遮光パタンを改良するものである。被露光基板51
上の寸法に換算した孤立遮光パタン寸法がW=2uの場
合の例を示しており、パタンは長手方向に長く続いてい
るとする。図中の斜線部が遮光部、白地部が透過部であ
る。
【0044】図8(a)に示すパタンでは、図35
(a)に示す従来の透過部71(71a,71b)中の
孤立遮光パタン72の中に、解像限界以下の微小幅の透
過パタン3として透過パタン3a,3bを設ける。透過
パタン3a,3bの幅はそれぞれ0.2uとした。これ
により遮光部は遮光パタン4a,4b,4cに分割され
る。このようにすると、透過パタン3a,3bや遮光パ
タン4a,4b,4cのパタン幅やパタンピッチに相当
する空間周波数成分の回折光が生じ、その分、元々の遮
光パタン72に含まれていた中間空間周波数の光成分が
減ずる。新たに生ずるようになる高空間周波数の光成分
は、投影光学系53の外側に向い、開口68の周辺部を
通過するか、開口68に蹴られる。したがって、開口6
8に配置した瞳フィルタで減衰させられたり、開口68
を通過できなかったりして、光強度は減少する。すなわ
ち、上記のごとく透過パタン3を配置することにより、
中間空間周波数の光成分の減少と全光強度の減少を同時
に図ることができる。
(a)に示す従来の透過部71(71a,71b)中の
孤立遮光パタン72の中に、解像限界以下の微小幅の透
過パタン3として透過パタン3a,3bを設ける。透過
パタン3a,3bの幅はそれぞれ0.2uとした。これ
により遮光部は遮光パタン4a,4b,4cに分割され
る。このようにすると、透過パタン3a,3bや遮光パ
タン4a,4b,4cのパタン幅やパタンピッチに相当
する空間周波数成分の回折光が生じ、その分、元々の遮
光パタン72に含まれていた中間空間周波数の光成分が
減ずる。新たに生ずるようになる高空間周波数の光成分
は、投影光学系53の外側に向い、開口68の周辺部を
通過するか、開口68に蹴られる。したがって、開口6
8に配置した瞳フィルタで減衰させられたり、開口68
を通過できなかったりして、光強度は減少する。すなわ
ち、上記のごとく透過パタン3を配置することにより、
中間空間周波数の光成分の減少と全光強度の減少を同時
に図ることができる。
【0045】図8(b)は、図8(a)に示したパタン
を持つ原図基板52を用いてSSBL法により投影露光
した場合の被露光基板51上の光強度分布を示した図で
ある。円環状照明2次光源のコヒーレンス係数σ=0.
6〜0.5、瞳フィルタの振幅透過率t1 =0.4、t
2 =0.7、t3 =1.0、の条件は先に示した図2
9、図31、図22、図33の場合と同じである。図8
(b)と図35(b)とを比較すれば、元々の遮光パタ
ン72の部分での光強度の低減効果が顕著であることが
明らかである。パタン形成のできる光強度のスライスレ
ベルということで考えると元々の遮光パタン72の部分
での光強度が従来の何%にできるかの比率が問題であ
る。図8(b)では、元々の遮光パタン72の幅の中心
の部分での光強度が図35(b)の大略1/2程度とな
っている。これは露光量を約2倍に増やしてもパタン形
成ができることに匹敵し、効果は非常に大きい。
を持つ原図基板52を用いてSSBL法により投影露光
した場合の被露光基板51上の光強度分布を示した図で
ある。円環状照明2次光源のコヒーレンス係数σ=0.
6〜0.5、瞳フィルタの振幅透過率t1 =0.4、t
2 =0.7、t3 =1.0、の条件は先に示した図2
9、図31、図22、図33の場合と同じである。図8
(b)と図35(b)とを比較すれば、元々の遮光パタ
ン72の部分での光強度の低減効果が顕著であることが
明らかである。パタン形成のできる光強度のスライスレ
ベルということで考えると元々の遮光パタン72の部分
での光強度が従来の何%にできるかの比率が問題であ
る。図8(b)では、元々の遮光パタン72の幅の中心
の部分での光強度が図35(b)の大略1/2程度とな
っている。これは露光量を約2倍に増やしてもパタン形
成ができることに匹敵し、効果は非常に大きい。
【0046】また、たとえば、光強度=0.5をスライ
スレベルにとって光強度分布曲線の幅を比較すると、焦
点位置のずれ量Dが大きい条件でとくに、図8(b)の
方が図35(b)より広いことが分かる。このことは、
従来の遮光パタン72の転写寸法を本発明の適用により
太くできパタン変換差を生じにくくできることを示して
いる。
スレベルにとって光強度分布曲線の幅を比較すると、焦
点位置のずれ量Dが大きい条件でとくに、図8(b)の
方が図35(b)より広いことが分かる。このことは、
従来の遮光パタン72の転写寸法を本発明の適用により
太くできパタン変換差を生じにくくできることを示して
いる。
【0047】本発明に用いる微小幅の透過パタン3a,
3bの幅、本数、位置は任意であり、これらのパラメー
タを変えることにより、光強度は広範囲に変えられる。
したがって、元々の遮光パタン72の幅や投影光学系5
3の開口数NA、波長λ、円環状照明2次光源の形状や
コヒーレンス係数σ、瞳フィルタの振幅透過率等に応じ
て適切な光強度となるように決定する。
3bの幅、本数、位置は任意であり、これらのパラメー
タを変えることにより、光強度は広範囲に変えられる。
したがって、元々の遮光パタン72の幅や投影光学系5
3の開口数NA、波長λ、円環状照明2次光源の形状や
コヒーレンス係数σ、瞳フィルタの振幅透過率等に応じ
て適切な光強度となるように決定する。
【0048】図9(a)〜図11(a)は解像しない線
幅の透過パタン3の本数を変えた本発明の他の実施例の
原図基板におけるパタンであり、図8(a)と同様図3
5(a)に示す従来の孤立透過パタン72を改良するも
のである。それぞれの場合の光強度分布曲線を図9
(b)〜図11(b)に示す。
幅の透過パタン3の本数を変えた本発明の他の実施例の
原図基板におけるパタンであり、図8(a)と同様図3
5(a)に示す従来の孤立透過パタン72を改良するも
のである。それぞれの場合の光強度分布曲線を図9
(b)〜図11(b)に示す。
【0049】図8(a)では、透過パタン3を3a,3
bの2本としたが、図9(a)では3aのみの1本、図
10(a)では3a,3b,3cの3本、図11(a)
では3a〜3dの4本とした。図9〜図11によれば、
透過パタン3の本数に応じて光強度の低下量が変化する
ものの、1本でも効果が有る。
bの2本としたが、図9(a)では3aのみの1本、図
10(a)では3a,3b,3cの3本、図11(a)
では3a〜3dの4本とした。図9〜図11によれば、
透過パタン3の本数に応じて光強度の低下量が変化する
ものの、1本でも効果が有る。
【0050】また、図11(a)の場合は左右の対称性
を確保するため中央のみ0.4uの幅としたが、元々の
遮光パタン72の幅の奇数分の1の間隔で透過パタン3
を周期的に設けても良い。
を確保するため中央のみ0.4uの幅としたが、元々の
遮光パタン72の幅の奇数分の1の間隔で透過パタン3
を周期的に設けても良い。
【0051】図12(a)〜図15(a)は解像しない
線幅の透過パタン3の幅を変えた本発明の他の実施例の
原図基板におけるパタンであり、図8(a)と同様、図
35(a)に示す従来の孤立透過パタン72を改良する
ものである。それぞれの場合の光強度分布曲線を図12
(b)〜図15(b)に示す。
線幅の透過パタン3の幅を変えた本発明の他の実施例の
原図基板におけるパタンであり、図8(a)と同様、図
35(a)に示す従来の孤立透過パタン72を改良する
ものである。それぞれの場合の光強度分布曲線を図12
(b)〜図15(b)に示す。
【0052】図8(a)では、透過パタン3a,3bの
幅をそれぞれ0.2uとしたが、図12(a)では幅を
0.1u、図13(a)では幅を0.3u、図14
(a)では幅を0.4u、図15(a)では幅を0.5
uとした。図12〜図15によれば、いずれの場合とも
元々の遮光パタン72の位置に相当する部分の光強度分
布曲線の光強度は減じており効果がある。しかし、図1
5(a)よりさらに透過パタン2の幅を広げると光強度
が再び大きくなってしまう。図15(a)の透過パタン
3a,3bの幅の合計は1.0uであり、先に述べた図
11(a)の場合の遮光パタン2の幅の合計が0.8u
である。図11(a)の場合にはまだ光強度に若干ゆと
りがあり、この場合、遮光パタン3の幅の合計の限界は
元々の遮光パタン72の幅、W=2uの約50%程度で
ある。また、最も好ましいのは図10または図13の程
度である。
幅をそれぞれ0.2uとしたが、図12(a)では幅を
0.1u、図13(a)では幅を0.3u、図14
(a)では幅を0.4u、図15(a)では幅を0.5
uとした。図12〜図15によれば、いずれの場合とも
元々の遮光パタン72の位置に相当する部分の光強度分
布曲線の光強度は減じており効果がある。しかし、図1
5(a)よりさらに透過パタン2の幅を広げると光強度
が再び大きくなってしまう。図15(a)の透過パタン
3a,3bの幅の合計は1.0uであり、先に述べた図
11(a)の場合の遮光パタン2の幅の合計が0.8u
である。図11(a)の場合にはまだ光強度に若干ゆと
りがあり、この場合、遮光パタン3の幅の合計の限界は
元々の遮光パタン72の幅、W=2uの約50%程度で
ある。また、最も好ましいのは図10または図13の程
度である。
【0053】周期パタンや一般の任意パタンの場合も、
中間寸法のパタン部について上記と同様に解像しない微
小幅の透過パタンや遮光パタンを元々のパタンの内部に
設置すれば良いことは明らかである。
中間寸法のパタン部について上記と同様に解像しない微
小幅の透過パタンや遮光パタンを元々のパタンの内部に
設置すれば良いことは明らかである。
【0054】図16〜図18はラインアンドスペースパ
タンを改良する本発明の他の実施例とその効果を表す光
強度分布の図である。
タンを改良する本発明の他の実施例とその効果を表す光
強度分布の図である。
【0055】図16(a),17(a),18(a)
は、図36(a)に示す従来のラインアンドスペースパ
タンを改良する本発明の原図基板のパタンの例である。
図36(a)において、73a,73b,73cが透過
スペースパタン、74a,74bが遮光ラインパタンで
あり、両脇の遮光部75a,75bは十分広く、全体が
長い場合を示している。透過スペースパタン73、遮光
ラインパタン74の線幅は被露光基板51上の寸法に換
算してW=2uである。
は、図36(a)に示す従来のラインアンドスペースパ
タンを改良する本発明の原図基板のパタンの例である。
図36(a)において、73a,73b,73cが透過
スペースパタン、74a,74bが遮光ラインパタンで
あり、両脇の遮光部75a,75bは十分広く、全体が
長い場合を示している。透過スペースパタン73、遮光
ラインパタン74の線幅は被露光基板51上の寸法に換
算してW=2uである。
【0056】図16(a)はラインアンドスペースパタ
ンの透過スペースパタン73の部分のみに本発明を施し
た場合である。元々の透過スペースパタン73内に幅
0.2uの遮光パタン5a〜5eを2本づつ配置した。
その結果、元々の透過スペースパタン73は透過パタン
6a〜6iに分けられる。
ンの透過スペースパタン73の部分のみに本発明を施し
た場合である。元々の透過スペースパタン73内に幅
0.2uの遮光パタン5a〜5eを2本づつ配置した。
その結果、元々の透過スペースパタン73は透過パタン
6a〜6iに分けられる。
【0057】図17(a)はラインアンドスペースパタ
ンの遮光ラインパタン74の部分のみに本発明を施した
場合である。元々の遮光ラインパタン74内に幅0.2
uの透過パタン7a〜5dを2本づつ配置した。その結
果、元々の遮光ラインパタン74は遮光パタン8a〜8
fに分けられる。
ンの遮光ラインパタン74の部分のみに本発明を施した
場合である。元々の遮光ラインパタン74内に幅0.2
uの透過パタン7a〜5dを2本づつ配置した。その結
果、元々の遮光ラインパタン74は遮光パタン8a〜8
fに分けられる。
【0058】図18(a)はラインアンドスペースパタ
ンの透過スペースパタン73の部分と遮光ラインパタン
74の部分の両方に本発明を施した場合である。元々の
透過スペースパタン73内に幅0.2uの遮光パタン5
a〜5eを2本づつ配置し、かつ、元々の遮光ラインパ
タン74内に幅0.2uの透過パタン7a〜7dを2本
づつ配置した。元々の透過スペースパタン73は透過パ
タン6a〜6iに、また、元々の遮光ラインパタン74
は遮光パタン8a〜8fに分けられる。図16(b),
17(b),18(b)は、それぞれ図16(a),1
7(a),18(a)に示す本発明の原図基板を使用し
てSSBL法で露光を行った場合の、被露光基板51上
の光強度分布を示す。従来の原図基板を使用してSSB
L法で露光を行った場合の被露光基板51上の光強度分
布は図36(b)であり、比較すると効果が分かる。
ンの透過スペースパタン73の部分と遮光ラインパタン
74の部分の両方に本発明を施した場合である。元々の
透過スペースパタン73内に幅0.2uの遮光パタン5
a〜5eを2本づつ配置し、かつ、元々の遮光ラインパ
タン74内に幅0.2uの透過パタン7a〜7dを2本
づつ配置した。元々の透過スペースパタン73は透過パ
タン6a〜6iに、また、元々の遮光ラインパタン74
は遮光パタン8a〜8fに分けられる。図16(b),
17(b),18(b)は、それぞれ図16(a),1
7(a),18(a)に示す本発明の原図基板を使用し
てSSBL法で露光を行った場合の、被露光基板51上
の光強度分布を示す。従来の原図基板を使用してSSB
L法で露光を行った場合の被露光基板51上の光強度分
布は図36(b)であり、比較すると効果が分かる。
【0059】図16(b),17(b),18(b)い
ずれの場合も元々の透過スペースパタン73および元々
の遮光ラインパタン74の両方の部分で光強度が低減さ
れている。
ずれの場合も元々の透過スペースパタン73および元々
の遮光ラインパタン74の両方の部分で光強度が低減さ
れている。
【0060】光強度の低減のされ方は18(b)の場合
が最も望ましいが、図16(b)や図17(b)も図3
6(b)に示す従来の原図基板を使用した場合の光強度
に比較すれば少なからぬ改善が図られている。
が最も望ましいが、図16(b)や図17(b)も図3
6(b)に示す従来の原図基板を使用した場合の光強度
に比較すれば少なからぬ改善が図られている。
【0061】なお、以上の実施例では、図1〜図7の孤
立透過パタン寸法、図8〜図15の孤立遮光パタン寸
法、図16〜図18のラインアンドスペースパタンにお
ける透過スペースパタン73、遮光ラインパタン74の
寸法を、いずれも被露光基板51上の寸法に換算して幅
W=2uとした。しかし、これは、光強度が最も大きく
なる寸法を例に取って示したものであり、他の中間寸法
のパタンについても本発明が有効であることは言う迄も
ない。また、勿論、ラインアンドスペースパタンにおけ
る透過スペースパタン73と遮光ラインパタン74とで
線幅が異なっても良い。
立透過パタン寸法、図8〜図15の孤立遮光パタン寸
法、図16〜図18のラインアンドスペースパタンにお
ける透過スペースパタン73、遮光ラインパタン74の
寸法を、いずれも被露光基板51上の寸法に換算して幅
W=2uとした。しかし、これは、光強度が最も大きく
なる寸法を例に取って示したものであり、他の中間寸法
のパタンについても本発明が有効であることは言う迄も
ない。また、勿論、ラインアンドスペースパタンにおけ
る透過スペースパタン73と遮光ラインパタン74とで
線幅が異なっても良い。
【0062】投影光学系53の開口数NA、波長λ、円
環状照明2次光源の形状やコヒーレンス係数σ、瞳フィ
ルタ57の振幅透過率等に応じて決まる、先に示した図
29、図31、図32、図33等に相当する図におい
て、光強度が大きくなり過ぎて問題となる線幅を有する
パタンについて本発明を適用すれば良い。瞳フィルタや
斜入射照明を使わない従来の通常の投影露光において
も、大寸法のパタンと解像限界ぎりぎりの微細パタンと
では1.5倍程度の光強度の差がある。その差の範囲で
は、原図基板寸法と転写パタン寸法との直線性にさほど
の問題がないことから、とくに、光強度が、大寸法のパ
タン部の1.5倍以上となるような中間線幅のパタンに
ついて本発明の適用が顕著な効果を発揮する。
環状照明2次光源の形状やコヒーレンス係数σ、瞳フィ
ルタ57の振幅透過率等に応じて決まる、先に示した図
29、図31、図32、図33等に相当する図におい
て、光強度が大きくなり過ぎて問題となる線幅を有する
パタンについて本発明を適用すれば良い。瞳フィルタや
斜入射照明を使わない従来の通常の投影露光において
も、大寸法のパタンと解像限界ぎりぎりの微細パタンと
では1.5倍程度の光強度の差がある。その差の範囲で
は、原図基板寸法と転写パタン寸法との直線性にさほど
の問題がないことから、とくに、光強度が、大寸法のパ
タン部の1.5倍以上となるような中間線幅のパタンに
ついて本発明の適用が顕著な効果を発揮する。
【0063】ところで、以上は説明を簡単にするため長
いパタンについて1次元的な説明を行った。一般にはパ
タンには長さがあり、形状も単純な長方形とは限らず任
意である。しかし、そのような場合も本発明が有効なこ
とは言う迄もない。
いパタンについて1次元的な説明を行った。一般にはパ
タンには長さがあり、形状も単純な長方形とは限らず任
意である。しかし、そのような場合も本発明が有効なこ
とは言う迄もない。
【0064】図19は、パタンの端部における本発明の
実施例を説明するための図であり、図37に示す従来の
遮光パタン76を改良するものである。
実施例を説明するための図であり、図37に示す従来の
遮光パタン76を改良するものである。
【0065】図37に示す遮光パタン76の中に解像し
ない線幅の透過パタン9を配置する。透過パタン9の本
数、線幅は任意であるが、ここでは9a,9b,9cの
3本を配置する場合を示した。この際、透過パタン9
a,9b,9cは、図19(a)のように、パタン端部
迄貫通しても良く、図19(b)のごとく途中で止めて
も良い。また、図19(c)のように、一部を貫通せ、
一部を途中で止めても良い。元々の遮光パタン76は、
図19(a)では遮光パタン10a〜10dに分割さ
れ、図19(b)では遮光パタン11で示す形となる。
また、図19(c)では12aと12bになる。
ない線幅の透過パタン9を配置する。透過パタン9の本
数、線幅は任意であるが、ここでは9a,9b,9cの
3本を配置する場合を示した。この際、透過パタン9
a,9b,9cは、図19(a)のように、パタン端部
迄貫通しても良く、図19(b)のごとく途中で止めて
も良い。また、図19(c)のように、一部を貫通せ、
一部を途中で止めても良い。元々の遮光パタン76は、
図19(a)では遮光パタン10a〜10dに分割さ
れ、図19(b)では遮光パタン11で示す形となる。
また、図19(c)では12aと12bになる。
【0066】図20は、パタンの端部における本発明の
別の実施例を説明する図であり、図38に示す従来の遮
光パタン77を改良するものである。
別の実施例を説明する図であり、図38に示す従来の遮
光パタン77を改良するものである。
【0067】遮光パタン77の線幅が太い場合等に、図
20(a),(b)に示すように、解像しない線幅の透
過パタン13a,13b,…の全部または一部を連結
し、パタン端で周回するようにしても良い。元々の遮光
パタン77は、図20(a)では14a〜14dに、図
20(b)では15a〜15cに分割される。勿論、透
過パタン13が2〜3本の場合にもこのようにしても良
いことは言う迄もない。たとえば先の図19に示した実
施例において、透過パタン9aと9cあるいは、9aと
9bと9cを連結しても良い。
20(a),(b)に示すように、解像しない線幅の透
過パタン13a,13b,…の全部または一部を連結
し、パタン端で周回するようにしても良い。元々の遮光
パタン77は、図20(a)では14a〜14dに、図
20(b)では15a〜15cに分割される。勿論、透
過パタン13が2〜3本の場合にもこのようにしても良
いことは言う迄もない。たとえば先の図19に示した実
施例において、透過パタン9aと9cあるいは、9aと
9bと9cを連結しても良い。
【0068】図21は、パタンの幅と長手方向の長さと
があまり変わらない場合の本発明の実施例を説明する図
であり、図39に示す従来の遮光パタン78を改良する
ものである。
があまり変わらない場合の本発明の実施例を説明する図
であり、図39に示す従来の遮光パタン78を改良する
ものである。
【0069】縦横とも中間寸法となっている場合、図2
1(a),(b),(c)に例を示すように縦および横
両方の方向に解像しない線幅の透過パタンを入れればよ
り効果的である。
1(a),(b),(c)に例を示すように縦および横
両方の方向に解像しない線幅の透過パタンを入れればよ
り効果的である。
【0070】図21(a)では、解像しない線幅の透過
パタン16を交差させて設けた。これにより元々の遮光
パタン78は17a〜17lに分割される。図21
(b)では、解像しない線幅の透過パタン18を交差さ
せて設けたが、元々の遮光パタン78の端部に貫通しな
いようにした。元々の遮光パタン78は19a〜19c
に分割される。
パタン16を交差させて設けた。これにより元々の遮光
パタン78は17a〜17lに分割される。図21
(b)では、解像しない線幅の透過パタン18を交差さ
せて設けたが、元々の遮光パタン78の端部に貫通しな
いようにした。元々の遮光パタン78は19a〜19c
に分割される。
【0071】図21(c)では、解像しない線幅の透過
パタン20a,20bを元々の遮光パタン78の周囲に
沿って周回させて設けた。元々の遮光パタン78は21
a〜21cに分割される。
パタン20a,20bを元々の遮光パタン78の周囲に
沿って周回させて設けた。元々の遮光パタン78は21
a〜21cに分割される。
【0072】図22は、パタンが屈曲している場合の本
発明の実施例を説明する図であり、図40に示す従来の
遮光パタン79を改良するものである。まず、図22
(a)に示すように、元々の遮光パタン79の中に解像
しない線幅の透過パタン22a,22bを遮光パタン7
9の屈曲に沿って入れるのが1つの方法である。元々の
遮光パタン79は遮光パタン23a,23b,23cに
分割される。また、元々の遮光パタン79が図22
(b)の点線24でつながっていると考えて、透過パタ
ン25a〜25dを配置しても良い。元々の遮光パタン
79は遮光パタン26a〜26eに分割される。この
際、図22(b)では透過パタン25aと25bを右端
迄、透過パタン25cと25dを点線24迄伸ばしてい
るが、先の図19(b)のように右端や点線24の手前
で止めても良い。
発明の実施例を説明する図であり、図40に示す従来の
遮光パタン79を改良するものである。まず、図22
(a)に示すように、元々の遮光パタン79の中に解像
しない線幅の透過パタン22a,22bを遮光パタン7
9の屈曲に沿って入れるのが1つの方法である。元々の
遮光パタン79は遮光パタン23a,23b,23cに
分割される。また、元々の遮光パタン79が図22
(b)の点線24でつながっていると考えて、透過パタ
ン25a〜25dを配置しても良い。元々の遮光パタン
79は遮光パタン26a〜26eに分割される。この
際、図22(b)では透過パタン25aと25bを右端
迄、透過パタン25cと25dを点線24迄伸ばしてい
るが、先の図19(b)のように右端や点線24の手前
で止めても良い。
【0073】さらに、図22(c)に示すように、元々
の遮光パタン79が図22(c)の点線24と点線27
でつながっていると考え、透過パタン28a〜28eを
配置しても良い。元々の遮光パタン79は遮光パタン2
9a,29bに分割される。この際、屈曲部の四角い遮
光パタン部分の中に図21(c)と類似の透過パタン2
8eを配したが、必ずしもこのような形の透過パタンと
する必要はなく、図21(a)、図21(b)に示した
透過パタン17や18に類似した形や、縦、横または斜
め方向の単純な透過パタンとしても良い。
の遮光パタン79が図22(c)の点線24と点線27
でつながっていると考え、透過パタン28a〜28eを
配置しても良い。元々の遮光パタン79は遮光パタン2
9a,29bに分割される。この際、屈曲部の四角い遮
光パタン部分の中に図21(c)と類似の透過パタン2
8eを配したが、必ずしもこのような形の透過パタンと
する必要はなく、図21(a)、図21(b)に示した
透過パタン17や18に類似した形や、縦、横または斜
め方向の単純な透過パタンとしても良い。
【0074】図23は、斜め線パタンを使用する場合の
本発明の実施例を説明する図であり、図41に示す従来
の遮光パタン80を改良するものである。この場合も、
図23(a)に示すように、従来の遮光パタン80の斜
め線部に沿って解像しない線幅の透過パタン30a,3
0bを入れるのが1つの方法である。元々の遮光パタン
80は遮光パタン31a,31b,31cに分割され
る。また、図23(b)に示すように、パタンの長手方
向のみに透過パタン32a〜32dを入れるようにして
も良い。この場合は元々の遮光パタン80は遮光パタン
33a〜33eに分割される。
本発明の実施例を説明する図であり、図41に示す従来
の遮光パタン80を改良するものである。この場合も、
図23(a)に示すように、従来の遮光パタン80の斜
め線部に沿って解像しない線幅の透過パタン30a,3
0bを入れるのが1つの方法である。元々の遮光パタン
80は遮光パタン31a,31b,31cに分割され
る。また、図23(b)に示すように、パタンの長手方
向のみに透過パタン32a〜32dを入れるようにして
も良い。この場合は元々の遮光パタン80は遮光パタン
33a〜33eに分割される。
【0075】さらに、図23(c)に示すように、従来
の遮光パタン80が点線34,35、36でつながって
いると考え、点線34,35,36を端境界とするパタ
ン毎に透過パタン37a〜37fを配置しても良い。こ
の場合、元々の遮光パタン80は遮光パタン38の形状
となる。透過パタン37e,37fを三角形の形状とし
たが、解像しない大きさであればこのような形の透過パ
タンを設けても良い。勿論、このような三角形の形状の
透過パタン37e,37fの代わりに矩形の透過パタン
を設けても良い。
の遮光パタン80が点線34,35、36でつながって
いると考え、点線34,35,36を端境界とするパタ
ン毎に透過パタン37a〜37fを配置しても良い。こ
の場合、元々の遮光パタン80は遮光パタン38の形状
となる。透過パタン37e,37fを三角形の形状とし
たが、解像しない大きさであればこのような形の透過パ
タンを設けても良い。勿論、このような三角形の形状の
透過パタン37e,37fの代わりに矩形の透過パタン
を設けても良い。
【0076】図24は、パタンの太さが途中で変わる場
合の本発明の実施例を説明する図であり、図42に示す
従来の遮光パタン81を改良するものである。図24
(a)は太さが途中で変わるのに構わず、長手方向に解
像しない線幅の透過パタン39a,39bを直線的に延
長して設けた例である。途中で太くなっている部分に、
太くなっている寸法に応じて透過パタン39c,39d
を追加しても良い。元々の遮光パタン81は遮光パタン
40a〜40eに分割される。図24(b)では、点線
41,42で従来の遮光パタン81がつながっていると
考え、各部分毎に透過パタン43a〜43gを配置し
た。元々の遮光パタン81は遮光パタン44a〜44c
に分割される。図24(c)では、同様に点線41,4
2で従来の遮光パタン81がつながっていると考えた
が、太い部分は縦横とも中間寸法であることを考慮し、
図24(b)の透過パタン43e,43f,43gの代
わりに、縦横両方向に効く透過パタン45を配置した。
元々の遮光パタン81は遮光パタン46a,46bに分
割される。
合の本発明の実施例を説明する図であり、図42に示す
従来の遮光パタン81を改良するものである。図24
(a)は太さが途中で変わるのに構わず、長手方向に解
像しない線幅の透過パタン39a,39bを直線的に延
長して設けた例である。途中で太くなっている部分に、
太くなっている寸法に応じて透過パタン39c,39d
を追加しても良い。元々の遮光パタン81は遮光パタン
40a〜40eに分割される。図24(b)では、点線
41,42で従来の遮光パタン81がつながっていると
考え、各部分毎に透過パタン43a〜43gを配置し
た。元々の遮光パタン81は遮光パタン44a〜44c
に分割される。図24(c)では、同様に点線41,4
2で従来の遮光パタン81がつながっていると考えた
が、太い部分は縦横とも中間寸法であることを考慮し、
図24(b)の透過パタン43e,43f,43gの代
わりに、縦横両方向に効く透過パタン45を配置した。
元々の遮光パタン81は遮光パタン46a,46bに分
割される。
【0077】以上の図19〜24に示した実際のパタン
に即した実施例はいずれも図37〜42に示した従来の
遮光パタン76〜81を改良する本発明の実施例であ
る。従来の透過パタンを改良する場合にも同様に行えば
良いことは明らかである。すなわち図37〜42におけ
る遮光パタンと透過部とを逆にした遮光部中の透過パタ
ンについて、対応する図19〜24に示した本発明の実
施例の遮光パタンと透過パタンとを逆にしたパタンを用
いれば良い。
に即した実施例はいずれも図37〜42に示した従来の
遮光パタン76〜81を改良する本発明の実施例であ
る。従来の透過パタンを改良する場合にも同様に行えば
良いことは明らかである。すなわち図37〜42におけ
る遮光パタンと透過部とを逆にした遮光部中の透過パタ
ンについて、対応する図19〜24に示した本発明の実
施例の遮光パタンと透過パタンとを逆にしたパタンを用
いれば良い。
【0078】なお、以上の各実施例においては、従来の
パタンの中に解像しない線幅の透過パタンや遮光パタン
を複数設ける場合、この解像しない線幅の透過パタンや
遮光パタンの太さをほとんどの場合に一様としたが、必
ずしも同じ太さのものを用いる必要は無い。
パタンの中に解像しない線幅の透過パタンや遮光パタン
を複数設ける場合、この解像しない線幅の透過パタンや
遮光パタンの太さをほとんどの場合に一様としたが、必
ずしも同じ太さのものを用いる必要は無い。
【0079】また、以上の各実施例においては、注目す
るパタンの周りが非常に広い遮光部または透過部の場合
を示したが、注目するパタンの周りにさらに中間寸法の
間隔を隔てて別のパタンが存在する場合には、当該周り
の中間寸法の遮光部または透過部の中にも解像しない線
幅の透過パタンや遮光パタンを設けた方が良いことは言
う迄もない。このような実際の場合は、図16〜図18
に示したラインアンドスペースパタンの遮光ラインパタ
ンの幅と透過スペースパタンの幅が異なる場合の応用と
考えて対処すれば良い。
るパタンの周りが非常に広い遮光部または透過部の場合
を示したが、注目するパタンの周りにさらに中間寸法の
間隔を隔てて別のパタンが存在する場合には、当該周り
の中間寸法の遮光部または透過部の中にも解像しない線
幅の透過パタンや遮光パタンを設けた方が良いことは言
う迄もない。このような実際の場合は、図16〜図18
に示したラインアンドスペースパタンの遮光ラインパタ
ンの幅と透過スペースパタンの幅が異なる場合の応用と
考えて対処すれば良い。
【0080】さらに、解像しない線幅の透過パタンや遮
光パタンを必ずしも均等な密度で配置する必要もない。
とくに、被露光基板51上の寸法に換算して線幅Wが概
ね7uより大きい中間寸法のパタンについては、パタン
の幅方向の端に近い部分で幅の中心部より光強度が大き
くなるため、解像しない線幅の透過パタンや遮光パタン
を、パタンの幅方向の端に近い部分で中心に近い部分よ
り高い密度で配置するとよい。そうすることにより、光
強度分布曲線が転写パタン線幅を設計寸法に近づけるの
に都合が良い形状に改善し易い。
光パタンを必ずしも均等な密度で配置する必要もない。
とくに、被露光基板51上の寸法に換算して線幅Wが概
ね7uより大きい中間寸法のパタンについては、パタン
の幅方向の端に近い部分で幅の中心部より光強度が大き
くなるため、解像しない線幅の透過パタンや遮光パタン
を、パタンの幅方向の端に近い部分で中心に近い部分よ
り高い密度で配置するとよい。そうすることにより、光
強度分布曲線が転写パタン線幅を設計寸法に近づけるの
に都合が良い形状に改善し易い。
【0081】また、先に示した図29、図32、図33
では、それぞれ対象とする元々の透過パタンや遮光パタ
ンの線幅の中央の光強度を示したため、大きいパタンで
は線幅が大きくなるにつれて光強度は1に近付くが、線
幅の端に近い部分では、線幅の中央の光強度が1に近い
大きいパタンでも光強度がかなり大きくなる。したがっ
て、中間寸法の線幅のパタンのみならず、大きいパタン
の幅方向の端に近い部分の中にも解像しない線幅の透過
パタンや遮光パタンを設ければ効果がある。本発明の中
間寸法の線幅のパタンの場合と同様に、線幅の端に近い
部分の光強度が下がり、大きいパタン内の光強度分布を
均一化できる。そしてそれにより大きいパタンの断面形
状を改善することができる。
では、それぞれ対象とする元々の透過パタンや遮光パタ
ンの線幅の中央の光強度を示したため、大きいパタンで
は線幅が大きくなるにつれて光強度は1に近付くが、線
幅の端に近い部分では、線幅の中央の光強度が1に近い
大きいパタンでも光強度がかなり大きくなる。したがっ
て、中間寸法の線幅のパタンのみならず、大きいパタン
の幅方向の端に近い部分の中にも解像しない線幅の透過
パタンや遮光パタンを設ければ効果がある。本発明の中
間寸法の線幅のパタンの場合と同様に、線幅の端に近い
部分の光強度が下がり、大きいパタン内の光強度分布を
均一化できる。そしてそれにより大きいパタンの断面形
状を改善することができる。
【0082】なお、以上の説明における「中間寸法の線
幅」は、露光波長、投影光学系の開口数、照明2次光源
の形状や寸法、投影露光倍率によって異なる。図43
は、中間線幅の下限を説明するための図である。照明2
次光源として円環状の光源を使用する場合を例にとって
ある。図42において、82は照明2次光源の0次回折
像ができる位置に設けた振幅透過率t1の部分、83は
その外側の振幅透過率t2 の部分、84は内側の振幅透
過率t3の部分である。±1次回折光が両方とも入り出
すのは、円環状の照明2次光源の1次回折像の内側の縁
が半円より大きい円弧部分で投影光学系の開口68に入
る時である。円環状の照明2次光源の場合には、コヒー
レンス係数σがσ1 〜σ2の範囲(σ1 >σ2 )である
とすれば、投影光学系開口の大きさ範囲に照明2次光源
の一次回折光が両方とも入るのは、1次回折像の内側の
縁が半円より大きい円弧部分で投影光学系の開口68に
入る条件である。したがって、図43より、−1次回折
像85の中心位置O-1および+1次回折像86の中心位
置O1 が投影光学系の開口68の中心O0 から(1−σ
2 2)1/2 以内に来る条件となる。これは、ライン対スペ
ース比1対1のラインアンドスペースパタンにおいて、
被露光基板上での寸法に換算してライン幅およびスペー
ス幅がλ/2NAのとき開口68との交点Oに+1次回
折像86の中心が来ることからλ/{2(1−σ2 2)1/
2 NA}の時に相当する。照明2次光源が円環状以外の
形状の場合にも、±1次回折光は内側を最初に両方とも
入り出す。そのときのラインアンドスペースパタン寸
法、すなわち、照明2次光源の±1次回折光像が全体の
2分の1を越えて投影光学系の開口に入るパタン寸法を
算出すれば、それが中間線幅の下限となる。
幅」は、露光波長、投影光学系の開口数、照明2次光源
の形状や寸法、投影露光倍率によって異なる。図43
は、中間線幅の下限を説明するための図である。照明2
次光源として円環状の光源を使用する場合を例にとって
ある。図42において、82は照明2次光源の0次回折
像ができる位置に設けた振幅透過率t1の部分、83は
その外側の振幅透過率t2 の部分、84は内側の振幅透
過率t3の部分である。±1次回折光が両方とも入り出
すのは、円環状の照明2次光源の1次回折像の内側の縁
が半円より大きい円弧部分で投影光学系の開口68に入
る時である。円環状の照明2次光源の場合には、コヒー
レンス係数σがσ1 〜σ2の範囲(σ1 >σ2 )である
とすれば、投影光学系開口の大きさ範囲に照明2次光源
の一次回折光が両方とも入るのは、1次回折像の内側の
縁が半円より大きい円弧部分で投影光学系の開口68に
入る条件である。したがって、図43より、−1次回折
像85の中心位置O-1および+1次回折像86の中心位
置O1 が投影光学系の開口68の中心O0 から(1−σ
2 2)1/2 以内に来る条件となる。これは、ライン対スペ
ース比1対1のラインアンドスペースパタンにおいて、
被露光基板上での寸法に換算してライン幅およびスペー
ス幅がλ/2NAのとき開口68との交点Oに+1次回
折像86の中心が来ることからλ/{2(1−σ2 2)1/
2 NA}の時に相当する。照明2次光源が円環状以外の
形状の場合にも、±1次回折光は内側を最初に両方とも
入り出す。そのときのラインアンドスペースパタン寸
法、すなわち、照明2次光源の±1次回折光像が全体の
2分の1を越えて投影光学系の開口に入るパタン寸法を
算出すれば、それが中間線幅の下限となる。
【0083】また、パタン寸法が大きくなるにつれて、
1次回折像の位置は0次回折像の位置に漸近し、光強度
は徐々に減じて1に収斂する。したがって、中間線幅の
物理的な上限は存在しない。強いておおよその上限を言
うならば、照明2次光源の0次回折像ができる位置に設
けた振幅透過率t1 の部分82に対し、1次回折光像の
位置が円環幅(σ1 −σ2 )の1/3〜1/2程度以上
ずれた場合である。(σ1 −σ2 )/3ずれるのは、ラ
イン対スペース比1対1のラインアンドスペースパタン
において、被露光基板上での寸法に換算してライン幅お
よびスペース幅が3λ/{2(σ1 −σ2 )NA}の時
に相当する。
1次回折像の位置は0次回折像の位置に漸近し、光強度
は徐々に減じて1に収斂する。したがって、中間線幅の
物理的な上限は存在しない。強いておおよその上限を言
うならば、照明2次光源の0次回折像ができる位置に設
けた振幅透過率t1 の部分82に対し、1次回折光像の
位置が円環幅(σ1 −σ2 )の1/3〜1/2程度以上
ずれた場合である。(σ1 −σ2 )/3ずれるのは、ラ
イン対スペース比1対1のラインアンドスペースパタン
において、被露光基板上での寸法に換算してライン幅お
よびスペース幅が3λ/{2(σ1 −σ2 )NA}の時
に相当する。
【0084】上記の中間線幅の下限、上限は本発明が効
果を生ずる線幅の範囲であり、効果が大きい中間線幅の
範囲だけに本発明を施すつもりならば、上記の範囲の中
のさらに一部の線幅範囲に限って本発明を適用すれば良
い。中間線幅の透過パタンと遮光パタンの両方に本発明
を適用する場合には、適用する線幅範囲を同じにしても
良く、異なる線幅範囲としても良い。また、その中間線
幅の範囲に加え、それより大きいパタンに対しても、前
記のように線幅の端に近い部分で光強度が大きくなるの
で、線幅の両端部の部分に本発明を適用しても良い。
果を生ずる線幅の範囲であり、効果が大きい中間線幅の
範囲だけに本発明を施すつもりならば、上記の範囲の中
のさらに一部の線幅範囲に限って本発明を適用すれば良
い。中間線幅の透過パタンと遮光パタンの両方に本発明
を適用する場合には、適用する線幅範囲を同じにしても
良く、異なる線幅範囲としても良い。また、その中間線
幅の範囲に加え、それより大きいパタンに対しても、前
記のように線幅の端に近い部分で光強度が大きくなるの
で、線幅の両端部の部分に本発明を適用しても良い。
【0085】一方、「解像しない線幅」は、用いる感光
性材料や瞳フィルタ57等によって異なるが、被露光基
板上での寸法に換算して概ねλ/4NA以下の線幅であ
る。なお、本発明を適用して投影露光用原図基板を作成
する際、集積回路等のパタンを設計する人に上記のパタ
ン転写の特性を理解して解像しない線幅の微細パタンを
配置してもらうことはあまり実際的でない。実用上は、
通常に設計したパタンに対し、指定した範囲の少なくと
も中間線幅のパタン内に、自動的に解像しない線幅の微
細パタンが配置されるようにすると効果的である。各パ
タン線幅に対して、透過パタン、遮光パタン毎に、解像
しない線幅の配置法を決めて表化または数式化してお
き、自動的に配置されるようにすれば良い。
性材料や瞳フィルタ57等によって異なるが、被露光基
板上での寸法に換算して概ねλ/4NA以下の線幅であ
る。なお、本発明を適用して投影露光用原図基板を作成
する際、集積回路等のパタンを設計する人に上記のパタ
ン転写の特性を理解して解像しない線幅の微細パタンを
配置してもらうことはあまり実際的でない。実用上は、
通常に設計したパタンに対し、指定した範囲の少なくと
も中間線幅のパタン内に、自動的に解像しない線幅の微
細パタンが配置されるようにすると効果的である。各パ
タン線幅に対して、透過パタン、遮光パタン毎に、解像
しない線幅の配置法を決めて表化または数式化してお
き、自動的に配置されるようにすれば良い。
【0086】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る投影
露光用原図基板は、瞳フィルタを入れた投影光学系を介
して斜入射照明を行い、投影露光用原図基板上のパタン
を被露光基板上に露光転写するのに用いられる投影露光
用原図基板において、請求項1および請求項4に示すよ
うに、中間的な寸法範囲の線幅をもつ透過パタンの中に
解像しない線幅をもつ遮光パタンを配置するか、請求項
2および請求項5に示すように、中間的な寸法範囲の線
幅をもつ遮光パタンの中に解像しない線幅をもつ透過パ
タンを配置するか、あるいは請求項3および請求項6に
示すようにそれらを同時に配置したので、特定の中間線
幅を有するパタンの被露光基板上の光強度を低減するこ
とができる。すなわち、中間寸法の透過パタン内に解像
線幅以下の遮光パタンを設けたり、中間寸法の遮光パタ
ン内に解像線幅以下の透過パタンを設けたりすると、こ
のパタン部には、解像線幅以下の遮光パタンや透過パタ
ンの存在間隔や元々のパタンの縁と該解像線幅以下の遮
光パタンや透過パタンとの距離、あるいは解像線幅以下
の遮光パタンや透過パタンの線幅に相当する、前記の中
間寸法のパタン幅に相当する空間周波数成分より高い空
間周波数成分の回折光が生ずる。そして、この新たに生
ずる空間周波数成分の1次回折光は、高い空間周波数成
分であるから、投影光学系の開口に入らなかったり、入
っても片側の1次回折光が入るに過ぎない。この結果、
被露光基板上に形成される中間寸法のパタン部の光強度
を下げることができる。したがって、従来の投影露光用
原図基板を用いてポジ形レジストにパタンを転写する場
合に、被露光基板上の転写パタンの内特定の中間線幅を
有するパタンが無くなってしまったり、断面形状が劣化
したりすることが有ったのを防止できる。すなわち、転
写レジストパタンが膜減りを起こしたり、断面形状が長
方形に近い形とならずに、台形、逆台形、三角形に近い
形となることが有ったのを防止できる。また、従来の中
間線幅透過パタンの被露光基板上の転写寸法が、原図基
板上のパタンの輪郭寸法に投影露光倍率を乗じて得られ
る設計寸法より大きくなり易かったのを防ぎ、従来の中
間線幅遮光パタンの被露光基板上の転写寸法が、原図基
板上のパタンの輪郭寸法に投影露光倍率を乗じて得られ
る設計寸法より小さくなり易かったのを防ぐことができ
る。すなわち、パタン変換差を生じにくくすることがで
きる。そして、特定の中間線幅を有するパタンの被露光
基板上の転写寸法を、原図基板上のパタンの輪郭寸法に
投影露光倍率を乗じて得られる設計寸法に仕上げること
が、従来の投影露光用原図基板を使用する場合より格段
に容易になる。この結果、被露光基板上の転写パタン寸
法と原図基板上のパタン輪郭寸法に投影露光倍率を乗じ
て得られる設計寸法との比率をパタンの寸法に依らずに
一定にでき、露光量を適切にすれば、上記比率を1対1
に近くすることもできる。換言すれば、被露光基板上の
転写パタン寸法の、原図基板上のパタン輪郭寸法に対す
る直線性を改善できる。さらに、微細パタンの形成に最
適な透過率分布を持つ瞳フィルタを使用しても、同時に
中間線幅のパタンも所定の寸法に形成できるので、中間
線幅のパタンを救済するために微細パタンに対する解像
度を多少犠牲にするような不合理を無くすことができ
る。そして、微細パタンを最高の解像度で形成できる条
件でSSBL法を活用することができる。
露光用原図基板は、瞳フィルタを入れた投影光学系を介
して斜入射照明を行い、投影露光用原図基板上のパタン
を被露光基板上に露光転写するのに用いられる投影露光
用原図基板において、請求項1および請求項4に示すよ
うに、中間的な寸法範囲の線幅をもつ透過パタンの中に
解像しない線幅をもつ遮光パタンを配置するか、請求項
2および請求項5に示すように、中間的な寸法範囲の線
幅をもつ遮光パタンの中に解像しない線幅をもつ透過パ
タンを配置するか、あるいは請求項3および請求項6に
示すようにそれらを同時に配置したので、特定の中間線
幅を有するパタンの被露光基板上の光強度を低減するこ
とができる。すなわち、中間寸法の透過パタン内に解像
線幅以下の遮光パタンを設けたり、中間寸法の遮光パタ
ン内に解像線幅以下の透過パタンを設けたりすると、こ
のパタン部には、解像線幅以下の遮光パタンや透過パタ
ンの存在間隔や元々のパタンの縁と該解像線幅以下の遮
光パタンや透過パタンとの距離、あるいは解像線幅以下
の遮光パタンや透過パタンの線幅に相当する、前記の中
間寸法のパタン幅に相当する空間周波数成分より高い空
間周波数成分の回折光が生ずる。そして、この新たに生
ずる空間周波数成分の1次回折光は、高い空間周波数成
分であるから、投影光学系の開口に入らなかったり、入
っても片側の1次回折光が入るに過ぎない。この結果、
被露光基板上に形成される中間寸法のパタン部の光強度
を下げることができる。したがって、従来の投影露光用
原図基板を用いてポジ形レジストにパタンを転写する場
合に、被露光基板上の転写パタンの内特定の中間線幅を
有するパタンが無くなってしまったり、断面形状が劣化
したりすることが有ったのを防止できる。すなわち、転
写レジストパタンが膜減りを起こしたり、断面形状が長
方形に近い形とならずに、台形、逆台形、三角形に近い
形となることが有ったのを防止できる。また、従来の中
間線幅透過パタンの被露光基板上の転写寸法が、原図基
板上のパタンの輪郭寸法に投影露光倍率を乗じて得られ
る設計寸法より大きくなり易かったのを防ぎ、従来の中
間線幅遮光パタンの被露光基板上の転写寸法が、原図基
板上のパタンの輪郭寸法に投影露光倍率を乗じて得られ
る設計寸法より小さくなり易かったのを防ぐことができ
る。すなわち、パタン変換差を生じにくくすることがで
きる。そして、特定の中間線幅を有するパタンの被露光
基板上の転写寸法を、原図基板上のパタンの輪郭寸法に
投影露光倍率を乗じて得られる設計寸法に仕上げること
が、従来の投影露光用原図基板を使用する場合より格段
に容易になる。この結果、被露光基板上の転写パタン寸
法と原図基板上のパタン輪郭寸法に投影露光倍率を乗じ
て得られる設計寸法との比率をパタンの寸法に依らずに
一定にでき、露光量を適切にすれば、上記比率を1対1
に近くすることもできる。換言すれば、被露光基板上の
転写パタン寸法の、原図基板上のパタン輪郭寸法に対す
る直線性を改善できる。さらに、微細パタンの形成に最
適な透過率分布を持つ瞳フィルタを使用しても、同時に
中間線幅のパタンも所定の寸法に形成できるので、中間
線幅のパタンを救済するために微細パタンに対する解像
度を多少犠牲にするような不合理を無くすことができ
る。そして、微細パタンを最高の解像度で形成できる条
件でSSBL法を活用することができる。
【0087】また、本発明に係る投影露光方法は、上記
請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の投影露光用
原図基板を用いて斜入射照明方式により原図基板上のパ
タンを被露光基板上に露光転写するようにしているの
で、微細パタンに対して適切な露光量で転写を行っても
中間寸法のパタンの線幅が設計値から大きくずれること
がなく、中間寸法のパタンを設計通りに転写することが
できる。
請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の投影露光用
原図基板を用いて斜入射照明方式により原図基板上のパ
タンを被露光基板上に露光転写するようにしているの
で、微細パタンに対して適切な露光量で転写を行っても
中間寸法のパタンの線幅が設計値から大きくずれること
がなく、中間寸法のパタンを設計通りに転写することが
できる。
【図1】 (a)は孤立透過パタンを改良する本発明の
一実施例を示す原図基板におけるパタン、(b)はSS
BL法により投影露光した場合の被露光基板上の光強度
分布を示す図である。
一実施例を示す原図基板におけるパタン、(b)はSS
BL法により投影露光した場合の被露光基板上の光強度
分布を示す図である。
【図2】 (a)は解像しない線幅の遮光パタンの本数
を変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施
例を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布
を示す図である。
を変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施
例を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布
を示す図である。
【図3】 (a)は解像しない線幅の遮光パタンの本数
を変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施
例を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布
を示す図である。
を変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施
例を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布
を示す図である。
【図4】 (a)は解像しない線幅の遮光パタンの本数
を変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施
例を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布
を示す図である。
を変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施
例を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布
を示す図である。
【図5】 (a)は解像しない線幅の遮光パタンの幅を
変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施例
を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布を
示す図である。
変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施例
を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布を
示す図である。
【図6】 (a)は解像しない線幅の遮光パタンの幅を
変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施例
を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布を
示す図である。
変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施例
を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布を
示す図である。
【図7】 (a)は解像しない線幅の遮光パタンの幅を
変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施例
を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布を
示す図である。
変えた、孤立透過パタンを改良する本発明の他の実施例
を示す原図基板におけるパタン、(b)は光強度分布を
示す図である。
【図8】 (a)は孤立遮光パタンを改良する本発明の
他の実施例の原図基板におけるパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
他の実施例の原図基板におけるパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
【図9】 (a)は解像しない透過パタンの本数を変え
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の他の実施例を示
すパタン、(b)は光強度分布を示す図である。
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の他の実施例を示
すパタン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図10】 (a)は解像しない透過パタンの本数を変
えた、孤立遮光パタンを改良する本発明の他の実施例を
示すパタン、(b)は光強度分布を示す図である。
えた、孤立遮光パタンを改良する本発明の他の実施例を
示すパタン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図11】 (a)は解像しない透過パタンの本数を変
えた、孤立遮光パタンを改良する本発明の他の実施例を
示すパタン、(b)は光強度分布を示す図である。
えた、孤立遮光パタンを改良する本発明の他の実施例を
示すパタン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図12】 (a)は解像しない透過パタンの幅を変え
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図13】 (a)は解像しない透過パタンの幅を変え
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図14】 (a)は解像しない透過パタンの幅を変え
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図15】 (a)は解像しない透過パタンの幅を変え
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
た、孤立遮光パタンを改良する本発明の実施例を示すパ
タン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図16】 (a)はラインアンドスペースパタンを改
良する発明の他の実施例を示すパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
良する発明の他の実施例を示すパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
【図17】 (a)はラインアンドスペースパタンを改
良する発明の他の実施例を示すパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
良する発明の他の実施例を示すパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
【図18】 (a)はラインアンドスペースパタンを改
良する発明の他の実施例を示すパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
良する発明の他の実施例を示すパタン、(b)は光強度
分布を示す図である。
【図19】 (a),(b),(c)はそれぞれパタン
の端部における本発明の他の実施例を示す図である。
の端部における本発明の他の実施例を示す図である。
【図20】 (a),(b)はそれぞれパタンの端部に
おける本発明の別の実施例を示す図である。
おける本発明の別の実施例を示す図である。
【図21】 (a),(b),(c)はそれぞれパタン
の幅と長手方向の長さとがあまり変わらない場合の本発
明の他の実施例を示す図である。
の幅と長手方向の長さとがあまり変わらない場合の本発
明の他の実施例を示す図である。
【図22】 (a),(b),(c)はそれぞれパタン
が屈曲している場合の本発明の他の実施例を示す図であ
る。
が屈曲している場合の本発明の他の実施例を示す図であ
る。
【図23】 (a),(b),(c)はそれぞれ斜め線
パタンを使用する場合の本発明の他の実施例を示す図で
ある。
パタンを使用する場合の本発明の他の実施例を示す図で
ある。
【図24】 (a),(b),(c)はそれぞれパタン
の太さが途中で変わる場合の本発明の他の実施例を示す
図である。
の太さが途中で変わる場合の本発明の他の実施例を示す
図である。
【図25】 従来の投影露光装置によるパタン転写方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図26】 (a)〜(g)はそれぞれ斜入射照明に用
いる照明2次光源の例を示す図である。
いる照明2次光源の例を示す図である。
【図27】 (a),(b)は斜入射照明による高解像
化の原理を説明するための図である。
化の原理を説明するための図である。
【図28】 (a),(b),(c)は投影光学系の開
口数NAを決める開口面上における2次光源像の位置を
説明するための図である。
口数NAを決める開口面上における2次光源像の位置を
説明するための図である。
【図29】 ライン対スペース比1:1で無限に続くラ
インアンドスペースパタンについて、SSBL法で転写
を行う時のパタン幅と透過スペース中心の光強度との関
係を示す図である。
インアンドスペースパタンについて、SSBL法で転写
を行う時のパタン幅と透過スペース中心の光強度との関
係を示す図である。
【図30】 瞳フィルタの振幅透過率分布を示す図であ
る。
る。
【図31】 ラインアンドスペースパタンについて、S
SBL法で転写を行う時のパタン幅とコントラスト(M
TF)との関係を示す図である。
SBL法で転写を行う時のパタン幅とコントラスト(M
TF)との関係を示す図である。
【図32】 孤立透過パタンについて、SSBL法で転
写を行う時のパタン幅と透過パタン中心の光強度との関
係を示す図である。
写を行う時のパタン幅と透過パタン中心の光強度との関
係を示す図である。
【図33】 孤立遮光パタンについて、SSBL法で転
写を行う時のパタン幅と遮光パタン中心の光強度との関
係を示す図である。
写を行う時のパタン幅と遮光パタン中心の光強度との関
係を示す図である。
【図34】 (a)は従来の孤立透過パタン、(b)は
SSBL法により投影露光した場合の被露光基板上の光
強度分布を示す図である。
SSBL法により投影露光した場合の被露光基板上の光
強度分布を示す図である。
【図35】 (a)は従来の孤立遮光パタン、(b)は
光強度分布を示す図である。
光強度分布を示す図である。
【図36】 (a)は従来のラインアンドスペースパタ
ン、(b)は光強度分布を示す図である。
ン、(b)は光強度分布を示す図である。
【図37】 改良対象の従来の遮光パタンを示す図であ
る。
る。
【図38】 改良対象の従来の遮光パタンを示す図であ
る。
る。
【図39】 改良対象の従来の遮光パタンを示す図であ
る。
る。
【図40】 改良対象の従来の遮光パタンを示す図であ
る。
る。
【図41】 改良対象の従来の遮光パタンを示す図であ
る。
る。
【図42】 改良対象の従来の遮光パタンを示す図であ
る。
る。
【図43】 中間線幅の下限を説明するための図であ
る。
る。
1…遮光パタン、2…透過パタン、3…透過パタン、4
…遮光パタン、5…遮光パタン、6…透過パタン、7…
透過パタン、8…遮光パタン、9…透過パタン、10…
遮光パタン、11…遮光パタン、12…遮光パタン、1
3…透過パタン、14…遮光パタン、15…遮光パタ
ン、16…透過パタン、17…遮光パタン、18…透過
パタン、19…遮光パタン、20…透過パタン、21…
遮光パタン、22…透過パタン、23…遮光パタン、2
4…点線、25…透過パタン、26…遮光パタン、28
…透過パタン、29…遮光パタン、30…透過パタン、
31…遮光パタン、32…透過パタン、33…遮光パタ
ン、37…透過パタン、38…遮光パタン、39…透過
パタン、40…遮光パタン、43…透過パタン、44…
遮光パタン、45…透過パタン、46…遮光パタン、5
1…被露光基板、52…原図基板、53…投影光学系、
54…感光性材料、55…照明光学系、56a…光束、
56b…光束、56c…光束、57…瞳フィルタ、59
…垂直入射光、60…斜入射光、61…周期パタン、6
2…0次回折光、63…−1次回折光、64…+1次回
折光、65…0次回折像、66…−1次回折像、67…
+1次回折像、68…投影光学系の開口、69…孤立透
過パタン、70…遮光部、71…透過部、72…孤立遮
光パタン、73…透過スペースパタン、74…遮光ライ
ンパタン、75…遮光部、76…遮光パタン、77…遮
光パタン、78…遮光パタン、79…遮光パタン、80
…遮光パタン、81…遮光パタン、82…振幅透過率t
1 の部分、83…振幅透過率t2 の部分、84…振幅透
過率t3 の部分、85…−1次回折像、86…+1次回
折像。
…遮光パタン、5…遮光パタン、6…透過パタン、7…
透過パタン、8…遮光パタン、9…透過パタン、10…
遮光パタン、11…遮光パタン、12…遮光パタン、1
3…透過パタン、14…遮光パタン、15…遮光パタ
ン、16…透過パタン、17…遮光パタン、18…透過
パタン、19…遮光パタン、20…透過パタン、21…
遮光パタン、22…透過パタン、23…遮光パタン、2
4…点線、25…透過パタン、26…遮光パタン、28
…透過パタン、29…遮光パタン、30…透過パタン、
31…遮光パタン、32…透過パタン、33…遮光パタ
ン、37…透過パタン、38…遮光パタン、39…透過
パタン、40…遮光パタン、43…透過パタン、44…
遮光パタン、45…透過パタン、46…遮光パタン、5
1…被露光基板、52…原図基板、53…投影光学系、
54…感光性材料、55…照明光学系、56a…光束、
56b…光束、56c…光束、57…瞳フィルタ、59
…垂直入射光、60…斜入射光、61…周期パタン、6
2…0次回折光、63…−1次回折光、64…+1次回
折光、65…0次回折像、66…−1次回折像、67…
+1次回折像、68…投影光学系の開口、69…孤立透
過パタン、70…遮光部、71…透過部、72…孤立遮
光パタン、73…透過スペースパタン、74…遮光ライ
ンパタン、75…遮光部、76…遮光パタン、77…遮
光パタン、78…遮光パタン、79…遮光パタン、80
…遮光パタン、81…遮光パタン、82…振幅透過率t
1 の部分、83…振幅透過率t2 の部分、84…振幅透
過率t3 の部分、85…−1次回折像、86…+1次回
折像。
Claims (7)
- 【請求項1】 瞳フィルタを入れた投影光学系を介して
斜入射照明を行い、投影露光用原図基板上のパタンを被
露光基板上に露光転写するのに用いられる投影露光用原
図基板であって、 投影光学系の開口内に照明2次光源の±1次回折像がそ
れぞれ2分の1を越えて取り込まれる(遮光部線幅)対
(透過部線幅)が1対1の周期パタン、の線幅より大き
い所定の線幅範囲の透過パタンの中に、解像しない線幅
を持つ遮光パタンを配置したことを特徴とする投影露光
用原図基板。 - 【請求項2】 瞳フィルタを入れた投影光学系を介して
斜入射照明を行い、投影露光用原図基板上のパタンを被
露光基板上に露光転写するのに用いられる投影露光用原
図基板であって、 投影光学系の開口内に照明2次光源の±1次回折像がそ
れぞれ2分の1を越えて取り込まれる(遮光部線幅)対
(透過部線幅)が1対1の周期パタン、の線幅より大き
い所定の線幅範囲の遮光パタンの中に、解像しない線幅
を持つ透過パタンを配置したことを特徴とする投影露光
用原図基板。 - 【請求項3】 瞳フィルタを入れた投影光学系を介して
斜入射照明を行い、投影露光用原図基板上のパタンを被
露光基板上に露光転写するのに用いられる投影露光用原
図基板であって、 投影光学系の開口内に照明2次光源の±1次回折像がそ
れぞれ2分の1を越えて取り込まれる(遮光部線幅)対
(透過部線幅)が1対1の周期パタンの線幅より大きい
所定の線幅範囲の透過パタンの中に、解像しない線幅を
持つ遮光パタンを配置し、かつ、上記の周期パタンの線
幅より大きい所定の線幅範囲の遮光パタンの中に、解像
しない線幅を持つ透過パタンを配置したことを特徴とす
る投影露光用原図基板。 - 【請求項4】 波長λの投影露光光線を用い、部分コヒ
ーレンス係数σがσ1 〜σ2 の範囲の円環照明(σ1 >
σ2 )を行って、開口数NAの投影光学系を用いて投影
露光倍率1/mの投影露光を行うのに用いる投影露光用
原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する透過パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置し
たことを特徴とする投影露光用原図基板。 - 【請求項5】 波長λの投影露光光線を用い、部分コヒ
ーレンス係数σがσ1 〜σ2 の範囲の円環照明(σ1 >
σ2 )を行って、開口数NAの投影光学系を用いて投影
露光倍率1/mの投影露光を行うのに用いる投影露光用
原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する遮光パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタンを配置し
たことを特徴とする投影露光用原図基板。 - 【請求項6】 波長λの投影露光光線を用い、部分コヒ
ーレンス係数σがσ1 〜σ2 の範囲の円環照明(σ1 >
σ2 )を行って、開口数NAの投影光学系を用いて投影
露光倍率1/mの投影露光を行うのに用いる投影露光用
原図基板において、 mλ/{2(1−σ2 2)1/2 NA} 以上の範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有する透過パ
タンの中に、解像しない線幅を持つ遮光パタンを配置
し、かつ、上記範囲に含まれる所定の範囲の線幅を有す
る遮光パタンの中に、解像しない線幅を持つ透過パタン
を配置したことを特徴とする投影露光用原図基板。 - 【請求項7】 請求項1〜6のうちのいずれか1つに記
載の投影露光用原図基板を使用し、この投影露光用原図
基板を斜入射照明し、瞳フィルタを入れた投影光学系を
介して前記投影露光用原図基板上のパタンを被露光基板
上に露光転写することを特徴とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11608194A JPH07301908A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 投影露光用原図基板および投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11608194A JPH07301908A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 投影露光用原図基板および投影露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07301908A true JPH07301908A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14678248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11608194A Pending JPH07301908A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 投影露光用原図基板および投影露光方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JPH07301908A (ja) |
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- 1994-05-06 JP JP11608194A patent/JPH07301908A/ja active Pending
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