JP2870390B2 - 投影露光装置 - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パター
ンを投影レンズを用いてウェハー上に形成するときの原
版となるマスクを照明する照明光学系を有する投影露光
装置に関する。
ンを投影レンズを用いてウェハー上に形成するときの原
版となるマスクを照明する照明光学系を有する投影露光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＬＳＩなどと呼ばれる超高集積
回路においては、その集積度が３年間で４倍というペー
スで進んでおり、この高集積化は回路パターンの微細化
によって達成されている。超ＬＳＩのパターンを半導体
基板上に形成するためには、微細パターンを正確に形成
する縮小投影露光装置、いわゆるステッパーが用いられ
る。図６は、従来のステッパーの基本構成図である。光
源１から出た後、反射鏡２によって集光された露光光１
０はレンズ３及びフライアイレンズ４によって均一化さ
れる。さらに、アパーチャ５Ａにより適正な大きさに絞
られた後、レンズ６を介してレチクル７に均一に照射さ
れる。レチクル７上には、クロムによるパターン８が形
成されている。
回路においては、その集積度が３年間で４倍というペー
スで進んでおり、この高集積化は回路パターンの微細化
によって達成されている。超ＬＳＩのパターンを半導体
基板上に形成するためには、微細パターンを正確に形成
する縮小投影露光装置、いわゆるステッパーが用いられ
る。図６は、従来のステッパーの基本構成図である。光
源１から出た後、反射鏡２によって集光された露光光１
０はレンズ３及びフライアイレンズ４によって均一化さ
れる。さらに、アパーチャ５Ａにより適正な大きさに絞
られた後、レンズ６を介してレチクル７に均一に照射さ
れる。レチクル７上には、クロムによるパターン８が形
成されている。
【０００３】ここで、レチクル７に入射した露光光１０
は、クロムパターン８により回折光を生じ、縮小投影レ
ンズ９には、０次光１１，＋１次光１２，−１次光１３
が入射する。２次以上の回折光は、０次光１１に対し、
より角度の開いた方向に進行するため、通常レンズ９に
は入射しない。こうして、縮小投影レンズ９に入射した
回折光１１〜１３は、ウェハー１０上に結像し、レチク
ル７上に形成されたクロムパターン８と同じパターンが
縮小投影される。
は、クロムパターン８により回折光を生じ、縮小投影レ
ンズ９には、０次光１１，＋１次光１２，−１次光１３
が入射する。２次以上の回折光は、０次光１１に対し、
より角度の開いた方向に進行するため、通常レンズ９に
は入射しない。こうして、縮小投影レンズ９に入射した
回折光１１〜１３は、ウェハー１０上に結像し、レチク
ル７上に形成されたクロムパターン８と同じパターンが
縮小投影される。
【０００４】ところで、半導体パターンの微細化ととも
にステッパーがより微細なパターンを露光する能力、即
ち、解像力についても向上させることが要求される。ス
テッパーの解像力Ｒは、露光光の波長λ，レンズの開口
数ＮＡ及びレジスト性能により決まる定数ｋ1を用い
て、レイリーの式により、Ｒ＝ｋ1（λ／ＮＡ）と表わ
される。この式より、解像力向上のため、即ちＲを小さ
くするためには、露光光の波長λを小さくする、あるい
はレンズの開口数ＮＡを大きくする必要があることが判
る。
にステッパーがより微細なパターンを露光する能力、即
ち、解像力についても向上させることが要求される。ス
テッパーの解像力Ｒは、露光光の波長λ，レンズの開口
数ＮＡ及びレジスト性能により決まる定数ｋ1を用い
て、レイリーの式により、Ｒ＝ｋ1（λ／ＮＡ）と表わ
される。この式より、解像力向上のため、即ちＲを小さ
くするためには、露光光の波長λを小さくする、あるい
はレンズの開口数ＮＡを大きくする必要があることが判
る。
【０００５】波長λを小さくすると、光源として従来用
いられている水銀ランプのｉ線（３６５ｎｍ）よりも短
波長のもので露光に必要な強度を有するものとしては、
ＫｒＦエキシマレーザ光（２４９ｎｍ）やＡｒＦエキシ
マレーザ光（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザしかな
い。
いられている水銀ランプのｉ線（３６５ｎｍ）よりも短
波長のもので露光に必要な強度を有するものとしては、
ＫｒＦエキシマレーザ光（２４９ｎｍ）やＡｒＦエキシ
マレーザ光（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザしかな
い。
【０００６】ところが、エキシマレーザは、ガス交換や
部品交換の頻度が高く、また価格も高く、半導体デバイ
スの高価格化を招くことになる。また、波長が短くなる
と、透過率の高い光学部品，光学材料及びレジスト材料
がほとんどなく、特に縮小投影レンズの設計・製造が困
難である。
部品交換の頻度が高く、また価格も高く、半導体デバイ
スの高価格化を招くことになる。また、波長が短くなる
と、透過率の高い光学部品，光学材料及びレジスト材料
がほとんどなく、特に縮小投影レンズの設計・製造が困
難である。
【０００７】一方、レンズの開口数ＮＡを大きくする
と、焦点深度Ｄが狭くなる。焦点深度Ｄもレイリーの式
によって、Ｄ＝ｋ2（λ／（ＮＡ）2）（ｋ2はレジスト
性能により決まる定数）と表わされるが、ＮＡの２乗に
反比例して焦点深度が狭くなる。このため、ＮＡの拡大
には限界がある。
と、焦点深度Ｄが狭くなる。焦点深度Ｄもレイリーの式
によって、Ｄ＝ｋ2（λ／（ＮＡ）2）（ｋ2はレジスト
性能により決まる定数）と表わされるが、ＮＡの２乗に
反比例して焦点深度が狭くなる。このため、ＮＡの拡大
には限界がある。
【０００８】これらの問題を解決するため、位相シフト
マスクが提案された（Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ，ｅｔ
ａｌ，．“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏ
ｎｉｎ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ
ａ ｐｈａｓｅ ｓｉｆｔｎｇ ｍａｓｋ”，ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，
Ｖｏｌ．２，ｐｐ．１８２８〜１８３６（１９８
２））。これは、レチクル上のクロムパターン開口部の
１つおきに露光光の位相を反転する位相シフターを設置
するもので、隣り合ったクロムパターン開口部を通る光
の位相が反転するため、０次回折光が消滅するものであ
る。これにより、露光には±１次光のみが用いられ、解
像度，焦点深度ともに向上する。
マスクが提案された（Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ，ｅｔ
ａｌ，．“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏ
ｎｉｎ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ
ａ ｐｈａｓｅ ｓｉｆｔｎｇ ｍａｓｋ”，ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，
Ｖｏｌ．２，ｐｐ．１８２８〜１８３６（１９８
２））。これは、レチクル上のクロムパターン開口部の
１つおきに露光光の位相を反転する位相シフターを設置
するもので、隣り合ったクロムパターン開口部を通る光
の位相が反転するため、０次回折光が消滅するものであ
る。これにより、露光には±１次光のみが用いられ、解
像度，焦点深度ともに向上する。
【０００９】しかしながら、位相シフトマスクでは、従
来よりもマスク製造プロセスが長く、複雑でかなり高価
となり、また、位相シフター材料として露光光の透過率
が高く、使用しても劣化しない、洗浄できる等の性能を
有するものが、ほとんどないといった多くの問題があ
る。
来よりもマスク製造プロセスが長く、複雑でかなり高価
となり、また、位相シフター材料として露光光の透過率
が高く、使用しても劣化しない、洗浄できる等の性能を
有するものが、ほとんどないといった多くの問題があ
る。
【００１０】そこで、これにかわる手法として、斜入射
露光法と呼ばれる手法が提案された。これを図を用いて
説明する。図７は、従来の斜入射露光法を説明するため
のステッパーの基本構成を示す図である。このもので
は、アパーチャ５Ｂの開口部５Ｃが中心部ではなく周辺
部にある。このため、開口部５Ｃを通った露光光１０
Ａ，１０Ｂは、レチクル７に斜入射する。このとき、露
光光１０Ａによって生じた回折光のうち、０次光１４と
＋１次光１５は、縮小投影レンズ９に入射し、−１次光
１６はレンズ９に入射しない。また、露光光１０Ｂによ
って生じた−１次光は、露光光１０Ａによって生じた０
次光と重なり光１４としてレンズ９に入射し、さらに露
光光１０Ｂによって生じた０次光は、露光光１０Ａによ
って生じた＋１次光と重なり、光１５としてレンズ９に
入射する。＋１次光１７はレンズに入射しない。こうし
て、レンズ９を通った光１１Ｂと１２Ｂは、ウェハー１
０上で結像する。
露光法と呼ばれる手法が提案された。これを図を用いて
説明する。図７は、従来の斜入射露光法を説明するため
のステッパーの基本構成を示す図である。このもので
は、アパーチャ５Ｂの開口部５Ｃが中心部ではなく周辺
部にある。このため、開口部５Ｃを通った露光光１０
Ａ，１０Ｂは、レチクル７に斜入射する。このとき、露
光光１０Ａによって生じた回折光のうち、０次光１４と
＋１次光１５は、縮小投影レンズ９に入射し、−１次光
１６はレンズ９に入射しない。また、露光光１０Ｂによ
って生じた−１次光は、露光光１０Ａによって生じた０
次光と重なり光１４としてレンズ９に入射し、さらに露
光光１０Ｂによって生じた０次光は、露光光１０Ａによ
って生じた＋１次光と重なり、光１５としてレンズ９に
入射する。＋１次光１７はレンズに入射しない。こうし
て、レンズ９を通った光１１Ｂと１２Ｂは、ウェハー１
０上で結像する。
【００１１】この斜入射露光法では、露光光１０Ａによ
って生じた０次光と、露光光１０Ｂによって生じた−１
次光が、また露光光１０Ａによって生じた＋１次光と、
露光光１０Ｂによって生じた０次光とが重なる必要があ
る。０次光と±１次光とのなす角θ1はレチクル７上の
クロムパターン８のピッチＰによって、ｓｉｎθ＝（λ
／Ｐ）と変化する。従って、レチクルを交換し、種々の
寸法のパターンを露光する場合は、回折角が最適になる
アパーチャに種々交換する必要があり、管理が困難とな
っている。また、斜入射照明をアパーチャを用いて行う
と、光量が大幅に低下するという問題もある。
って生じた０次光と、露光光１０Ｂによって生じた−１
次光が、また露光光１０Ａによって生じた＋１次光と、
露光光１０Ｂによって生じた０次光とが重なる必要があ
る。０次光と±１次光とのなす角θ1はレチクル７上の
クロムパターン８のピッチＰによって、ｓｉｎθ＝（λ
／Ｐ）と変化する。従って、レチクルを交換し、種々の
寸法のパターンを露光する場合は、回折角が最適になる
アパーチャに種々交換する必要があり、管理が困難とな
っている。また、斜入射照明をアパーチャを用いて行う
と、光量が大幅に低下するという問題もある。
【００１２】図８は、従来のアパーチャの平面図であ
る。図８（ａ）は通常露光のアパーチャ、図８（ｂ），
（ｃ）は斜入射露光のアパーチャである。図８（ｂ）を
用いた斜入射露光は、輪帯照明と呼ばれ、あらゆる方向
のパターンに対して解像力向上，焦点深度向上の効果が
ある。図８（ｃ）は４点照明と呼ばれ、Ｘ及びＹ方向の
パターンに対して、解像力向上，焦点深度向上の効果が
あり、輪帯照明よりも効果が大きい。ただし、Ｘ，Ｙ方
向以外のパターンに対しては、むしろ通常露光よりも、
解像力，焦点深度ともに低下する。これら斜入射露光用
アパーチャ１９，２０の開口部２２，２３は、通常アパ
ーチャの開口部２１に比べて大幅に小さくなっている。
このため、斜入射露光では、露光光の光量が通常露光の
１／２〜１／５に低下し、ステッパーの処理能力が大幅
に下がってしまい、半導体デバイスの高価格化を招く。
る。図８（ａ）は通常露光のアパーチャ、図８（ｂ），
（ｃ）は斜入射露光のアパーチャである。図８（ｂ）を
用いた斜入射露光は、輪帯照明と呼ばれ、あらゆる方向
のパターンに対して解像力向上，焦点深度向上の効果が
ある。図８（ｃ）は４点照明と呼ばれ、Ｘ及びＹ方向の
パターンに対して、解像力向上，焦点深度向上の効果が
あり、輪帯照明よりも効果が大きい。ただし、Ｘ，Ｙ方
向以外のパターンに対しては、むしろ通常露光よりも、
解像力，焦点深度ともに低下する。これら斜入射露光用
アパーチャ１９，２０の開口部２２，２３は、通常アパ
ーチャの開口部２１に比べて大幅に小さくなっている。
このため、斜入射露光では、露光光の光量が通常露光の
１／２〜１／５に低下し、ステッパーの処理能力が大幅
に下がってしまい、半導体デバイスの高価格化を招く。
【００１３】そこで、光量低下を避けて斜入射露光を実
現する方法として、特開平４−３４３２１５号公報に提
案されているグレーティング等の周期構造を持つ光学素
子をレチクル上に配置し、レチクル上に露光光を斜入射
する方法が提案されている。
現する方法として、特開平４−３４３２１５号公報に提
案されているグレーティング等の周期構造を持つ光学素
子をレチクル上に配置し、レチクル上に露光光を斜入射
する方法が提案されている。
【００１４】この従来の方法を図を用いて説明する。図
９（ａ）は、従来の光学素子を用いた斜入射露光を説明
するためのステッパーの基本構成図である。このもので
は、先に図６で説明したステッパーに対し、光学素子２
４が付加されている。光学素子２４に入射した露光光１
０は、光学素子上の周期パターン２５により回折光を生
じる。このとき、０次光が消滅するように周期パターン
２５を設定している。このため、レチクル７上には、＋
１次光２６と−１次光２７が入射する。さらに、レチク
ル７上に入射した＋１次光２６と−１次光２７は、クロ
ムパターン８により回折光を生じる。このとき、＋１次
光２６によって生じる０次光と、−１次光２７によって
生じる＋１次光は重なって光２８として、また、＋１次
光２６によって生じる−１次光と−１次光２７によって
生じる０次光は重なって光２９として、それぞれレンズ
９に入射し、ウェハー１０上に結像する。
９（ａ）は、従来の光学素子を用いた斜入射露光を説明
するためのステッパーの基本構成図である。このもので
は、先に図６で説明したステッパーに対し、光学素子２
４が付加されている。光学素子２４に入射した露光光１
０は、光学素子上の周期パターン２５により回折光を生
じる。このとき、０次光が消滅するように周期パターン
２５を設定している。このため、レチクル７上には、＋
１次光２６と−１次光２７が入射する。さらに、レチク
ル７上に入射した＋１次光２６と−１次光２７は、クロ
ムパターン８により回折光を生じる。このとき、＋１次
光２６によって生じる０次光と、−１次光２７によって
生じる＋１次光は重なって光２８として、また、＋１次
光２６によって生じる−１次光と−１次光２７によって
生じる０次光は重なって光２９として、それぞれレンズ
９に入射し、ウェハー１０上に結像する。
【００１５】こうして、光学素子２４を用いないときに
３光束をウェハー上で結像していたのに対し、本従来例
では、２光束をウェハー上で結像するため、レンズ９の
開口数ＮＡが小さくても、あたかも大きな開口数ＮＡの
レンズで露光したように高解像が焦点深度を低下せずに
得られるものである。図９（ｂ）は、従来の繰り返しパ
ターンの形成された光学素子の平面図、図９（ｃ）は、
図９（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。この光学素子２
４を用いることにより、回折光が生じるＸ方向及びＹ方
向のパターンの解像力，焦点深度向上が可能となる。こ
れは、図８（ｃ）で説明した４点照明と同じ性能を有し
ている。ただし、光学素子を用いる場合、光量低下は小
さく、ステッパーの処理能力低下は、問題ない。
３光束をウェハー上で結像していたのに対し、本従来例
では、２光束をウェハー上で結像するため、レンズ９の
開口数ＮＡが小さくても、あたかも大きな開口数ＮＡの
レンズで露光したように高解像が焦点深度を低下せずに
得られるものである。図９（ｂ）は、従来の繰り返しパ
ターンの形成された光学素子の平面図、図９（ｃ）は、
図９（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。この光学素子２
４を用いることにより、回折光が生じるＸ方向及びＹ方
向のパターンの解像力，焦点深度向上が可能となる。こ
れは、図８（ｃ）で説明した４点照明と同じ性能を有し
ている。ただし、光学素子を用いる場合、光量低下は小
さく、ステッパーの処理能力低下は、問題ない。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】図９に示された従来の
光学素子を用いた斜入射露光法には、大きな問題があっ
た。第１に、光学素子からの回折光はＸ方向とＹ方向の
みしか生じないので、Ｘ及びＹ方向のパターンにしか解
像力及び焦点深度向上の効果がなく、半導体でよく用い
られる、４５°，１３５°方向のパターンに対しては、
通常露光よりも解像力，焦点深度ともに低下してしまう
という問題があった。
光学素子を用いた斜入射露光法には、大きな問題があっ
た。第１に、光学素子からの回折光はＸ方向とＹ方向の
みしか生じないので、Ｘ及びＹ方向のパターンにしか解
像力及び焦点深度向上の効果がなく、半導体でよく用い
られる、４５°，１３５°方向のパターンに対しては、
通常露光よりも解像力，焦点深度ともに低下してしまう
という問題があった。
【００１７】第２に、レチクル上のクロムパターンのピ
ッチＰ1に対して効果の高い光学素子を用いると、ピッ
チ２Ｐ2のパターンでは、逆に焦点深度を大幅に低下し
てしまうという問題がある。図１０は、従来の光学素子
を用いた場合の問題点を説明するためのパターンピッチ
と焦点深度の関係を示す図である。パターンピッチが２
Ｐ1の場合に、通常露光よりも大幅に焦点深度が低下し
ている。これをもう少し詳しく説明する。
ッチＰ1に対して効果の高い光学素子を用いると、ピッ
チ２Ｐ2のパターンでは、逆に焦点深度を大幅に低下し
てしまうという問題がある。図１０は、従来の光学素子
を用いた場合の問題点を説明するためのパターンピッチ
と焦点深度の関係を示す図である。パターンピッチが２
Ｐ1の場合に、通常露光よりも大幅に焦点深度が低下し
ている。これをもう少し詳しく説明する。
【００１８】図１１は、従来の光学素子を用いた場合の
問題点を説明するための縦断面図である。レチクル７に
入射する光２６は、クロムパターン８’により、０次光
２６Ａ，＋１次光２６Ｂ，−１次光２６Ｃを生じる。ま
た、レチクル７に入射する光２７は、クロムパターン
８’により、０次光２７Ａ，＋１次光２７Ｂ，−１次光
２７Ｃを生じる。このうち、＋１次光２６Ｂと−１次光
２７Ｃは、レンズ９に入射せず、結像に寄与しない。ク
ロムパターン８’のピッチが２倍の２Ｐ1のとき、−１
次光２６Ｃと＋１次光２７Ｂは重なり、レンズ９に真上
から入射する。レンズ９に入射するのは、０次光２６
Ａ，２７Ａと−１次光２６Ｃ，＋１次光２７Ｂとであ
る。ところで、ウェハー上にパターンを結像する場合に
レンズ９の真上から入射する光は、露光光の光量を増加
し、ステッパーの処理能力を向上するが、結像に対して
はノイズ成分であり、焦点深度はむしろ低下してしま
う。クロムパターンのピッチが２Ｐ1の場合、−１次光
２６Ｃと＋１次光２７Ｂは、レンズ９に真上から重なっ
て入射するため、より強度が増し、焦点深度が大幅に低
下するのである。
問題点を説明するための縦断面図である。レチクル７に
入射する光２６は、クロムパターン８’により、０次光
２６Ａ，＋１次光２６Ｂ，−１次光２６Ｃを生じる。ま
た、レチクル７に入射する光２７は、クロムパターン
８’により、０次光２７Ａ，＋１次光２７Ｂ，−１次光
２７Ｃを生じる。このうち、＋１次光２６Ｂと−１次光
２７Ｃは、レンズ９に入射せず、結像に寄与しない。ク
ロムパターン８’のピッチが２倍の２Ｐ1のとき、−１
次光２６Ｃと＋１次光２７Ｂは重なり、レンズ９に真上
から入射する。レンズ９に入射するのは、０次光２６
Ａ，２７Ａと−１次光２６Ｃ，＋１次光２７Ｂとであ
る。ところで、ウェハー上にパターンを結像する場合に
レンズ９の真上から入射する光は、露光光の光量を増加
し、ステッパーの処理能力を向上するが、結像に対して
はノイズ成分であり、焦点深度はむしろ低下してしま
う。クロムパターンのピッチが２Ｐ1の場合、−１次光
２６Ｃと＋１次光２７Ｂは、レンズ９に真上から重なっ
て入射するため、より強度が増し、焦点深度が大幅に低
下するのである。
【００１９】本発明の目的は、解像度と焦点深度を向上
させた投影露光装置を提供することにある。
させた投影露光装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る投影露光装置は、ガラス基板を有し、
光源より出射光をフライアレイレンズ及びアパーチャを
含む照明光学系を介して遮光体からなるパターンの形成
されているマスク上に照射し、前記パターンを投影レン
ズを介してウェハー上に転写する投影露光装置であっ
て、ガラス基板は、前記照明光学系に設けられたもので
あり、同一の光透過性をもつ複数のパターンを有し、前
記複数のパターンは、第１のパターンの中に含まれるよ
うに第２のパターンが配置されて組み合わされており、
この組み合わせが繰り返して配置されるように構成され
たものである。
め、本発明に係る投影露光装置は、ガラス基板を有し、
光源より出射光をフライアレイレンズ及びアパーチャを
含む照明光学系を介して遮光体からなるパターンの形成
されているマスク上に照射し、前記パターンを投影レン
ズを介してウェハー上に転写する投影露光装置であっ
て、ガラス基板は、前記照明光学系に設けられたもので
あり、同一の光透過性をもつ複数のパターンを有し、前
記複数のパターンは、第１のパターンの中に含まれるよ
うに第２のパターンが配置されて組み合わされており、
この組み合わせが繰り返して配置されるように構成され
たものである。
【００２１】また、前記ガラス基板上の複数のパターン
は、寸法の大なる四角形の中に、寸法の小なる四角形が
配置されているものである。
は、寸法の大なる四角形の中に、寸法の小なる四角形が
配置されているものである。
【００２２】また、前記ガラス基板上の複数のパターン
は、寸法の大なる四角形の中に、寸法の小なる三角形が
配置されているものである。
は、寸法の大なる四角形の中に、寸法の小なる三角形が
配置されているものである。
【００２３】
【作用】光源から出た光をフライアイレンズ及びアパー
チャを含む照明光学系を介し、遮光体からなるパターン
の形成されているマスク上に照射し、前記パターンを投
影レンズを介し、ウェハー上に転写するに際し、ガラス
基板上に、光透過材料からなる大きさの異なるパターン
を形成し、ガラス基板を前記照明光学系中に備えてい
る。このガラス基板の存在により、最も斜入射露光の効
果が得られる露光光を生じさせ、露光を行う。
チャを含む照明光学系を介し、遮光体からなるパターン
の形成されているマスク上に照射し、前記パターンを投
影レンズを介し、ウェハー上に転写するに際し、ガラス
基板上に、光透過材料からなる大きさの異なるパターン
を形成し、ガラス基板を前記照明光学系中に備えてい
る。このガラス基板の存在により、最も斜入射露光の効
果が得られる露光光を生じさせ、露光を行う。
【００２４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００２５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る投影露光装置の基本構成図である。図１において、
光源１から出て反射鏡２によって集光された露光光１０
は、レンズ３及びフライアイレンズ４を介してガラス基
板３０に入射する。ガラス基板３０は、光透過材料によ
り寸法の異なる四角形に形成された複数の合同でないパ
ターンを有している。また、４はフライアイレンズ，５
Ａはアパーチャである。
係る投影露光装置の基本構成図である。図１において、
光源１から出て反射鏡２によって集光された露光光１０
は、レンズ３及びフライアイレンズ４を介してガラス基
板３０に入射する。ガラス基板３０は、光透過材料によ
り寸法の異なる四角形に形成された複数の合同でないパ
ターンを有している。また、４はフライアイレンズ，５
Ａはアパーチャである。
【００２６】ここに、ガラス基板３０に入射した後、±
１次光が主光線３１〜３４となり、レチクル７に入射す
る。レチクル上のクロムパターン８によって、さらに回
折光が生じ、これらのうち主光線３１からの０次光と主
光線３２からの＋１次光が重なって光線３５となり、主
光線３１からの−１次光と主光線３２からの０次光が重
なって光線３６となり、レンズ９を通る。また、主光線
３３からの０次光と主光線３４からの＋１次光が重なっ
て光線３７となり、さらに主光線３３からの−１次光と
主光線３４からの０次光が重なって光線３８となり、レ
ンズ９を通る。これにより、ウェハー１０上にパターン
が形成される。
１次光が主光線３１〜３４となり、レチクル７に入射す
る。レチクル上のクロムパターン８によって、さらに回
折光が生じ、これらのうち主光線３１からの０次光と主
光線３２からの＋１次光が重なって光線３５となり、主
光線３１からの−１次光と主光線３２からの０次光が重
なって光線３６となり、レンズ９を通る。また、主光線
３３からの０次光と主光線３４からの＋１次光が重なっ
て光線３７となり、さらに主光線３３からの−１次光と
主光線３４からの０次光が重なって光線３８となり、レ
ンズ９を通る。これにより、ウェハー１０上にパターン
が形成される。
【００２７】図２（ａ）は、ガラス基板３０をより詳し
く説明するためのガラス基板３０を示す平面図、（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。図２におい
て、ガラス基板３０上には、寸法の異なる２種類の四角
形パターン３９及び４０がＳＯＧ（スピン オン グラ
ス）により形成されている。寸法の小さい四角形パター
ン３９はピッチＰ2で、寸法の大きい四角形パターン４
０はピッチＰ3で配置されている。ここで、Ｐ3＝２Ｐ2
の関係がある。
く説明するためのガラス基板３０を示す平面図、（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。図２におい
て、ガラス基板３０上には、寸法の異なる２種類の四角
形パターン３９及び４０がＳＯＧ（スピン オン グラ
ス）により形成されている。寸法の小さい四角形パター
ン３９はピッチＰ2で、寸法の大きい四角形パターン４
０はピッチＰ3で配置されている。ここで、Ｐ3＝２Ｐ2
の関係がある。
【００２８】このガラス基板３０上に入射した露光光１
０は、四角形パターン３９及び４０により、回折光を生
じる。このとき、０次光とｎ次光とのなす角度をθ
（ｎ）とすると、Ｐｓｉｎ｛θ（ｎ）｝＝ｎλの関係が
あり、高次光ほど０次光となす角度が大きくなり、投影
レンズに入らなくなる。また高次光ほど強度が小さくな
り、露光には寄与しない。従って、露光には、０次光及
び±１次光が主に寄与する。
０は、四角形パターン３９及び４０により、回折光を生
じる。このとき、０次光とｎ次光とのなす角度をθ
（ｎ）とすると、Ｐｓｉｎ｛θ（ｎ）｝＝ｎλの関係が
あり、高次光ほど０次光となす角度が大きくなり、投影
レンズに入らなくなる。また高次光ほど強度が小さくな
り、露光には寄与しない。従って、露光には、０次光及
び±１次光が主に寄与する。
【００２９】ガラス基板３０上には、ピッチＰ2で形成
された四角形パターン３９があり、これにより、＋１次
光３１，−１次光３２が生じる。またピッチＰ3の四角
形パターン４０により、＋１次光３３，−１次光３４が
生じる。このとき、０次光と±１次光３１，３２とのな
す角をθ2，０次光と±１次光３３，３４とのなす角を
θ3とすると、θ2≒２θ3となる。これら±１次光は、
斜入射光としてレチクルに入射する。ここで露光光と同
方向に進行する０次光４１，４２が消滅したときに、最
も斜入射露光の効果が得られる。そのためにはＳＯＧパ
ターンを通った光４１とＳＯＧを通らない光４２との位
相が逆転し、かつ光４１と４２の強度が等しいことが必
要である。
された四角形パターン３９があり、これにより、＋１次
光３１，−１次光３２が生じる。またピッチＰ3の四角
形パターン４０により、＋１次光３３，−１次光３４が
生じる。このとき、０次光と±１次光３１，３２とのな
す角をθ2，０次光と±１次光３３，３４とのなす角を
θ3とすると、θ2≒２θ3となる。これら±１次光は、
斜入射光としてレチクルに入射する。ここで露光光と同
方向に進行する０次光４１，４２が消滅したときに、最
も斜入射露光の効果が得られる。そのためにはＳＯＧパ
ターンを通った光４１とＳＯＧを通らない光４２との位
相が逆転し、かつ光４１と４２の強度が等しいことが必
要である。
【００３０】即ち、ＳＯＧパターンの高さｈをｈ＝（λ
／２（ｎ−１））（λ：露光光波長，ｎ：ＳＯＧの屈折
率）とすれば、光４１と光４２は位相が逆転し、また四
角形パターン３９の一辺の長さをＰ2／２，四角形パタ
ーン４０の一辺の長さをＰ3／２とすれば、光４１と光
４２の強度が等しくなる。ただし、ＳＯＧが露光光を吸
収する場合には、光４１の強度が下がるので、ＳＯＧパ
ターンの面積を大きくする。ただ、常に０次光を完全に
消滅する必要はなく、ＳＯＧパターンの高さｈあるいは
大きさを適宜変化し、０次光の強度を調整し、通常露光
と斜入射露光の中間的な性能での露光をしても良い。
／２（ｎ−１））（λ：露光光波長，ｎ：ＳＯＧの屈折
率）とすれば、光４１と光４２は位相が逆転し、また四
角形パターン３９の一辺の長さをＰ2／２，四角形パタ
ーン４０の一辺の長さをＰ3／２とすれば、光４１と光
４２の強度が等しくなる。ただし、ＳＯＧが露光光を吸
収する場合には、光４１の強度が下がるので、ＳＯＧパ
ターンの面積を大きくする。ただ、常に０次光を完全に
消滅する必要はなく、ＳＯＧパターンの高さｈあるいは
大きさを適宜変化し、０次光の強度を調整し、通常露光
と斜入射露光の中間的な性能での露光をしても良い。
【００３１】次に、本実施例では、レチクル上のクロム
パターンの寸法が２倍の場合も大きな焦点深度が得られ
ることを図を用いて説明する。図３はそれを説明するた
めのガラス基板３０とレチクルの縦断面図である。図３
（ａ）に示したように、ガラス基板３０に入射する露光
光１０は、ピッチＰ2を持つ四角形パターン３９によ
り、＋１次光３１，−１次光３２を生じる。この場合、
０次光は消滅する。回折光３１は、レチクル上のクロム
パターン８により再び回折光として０次光３５Ａ，＋１
次光３５Ｂ，−１次光３５Ｃを生じる。また、回折光３
２も同様にクロムパターン８により、０次光３６Ａ，＋
１次光３６Ｂ，−１次光３６Ｃを生じる。斜入射露光の
効果が最も高いのは、０次光３５Ａと＋１次光３６Ｂ
が、また−１次光３５Ｃと０次光３６Ａがそれぞれ方向
が同じ場合である。
パターンの寸法が２倍の場合も大きな焦点深度が得られ
ることを図を用いて説明する。図３はそれを説明するた
めのガラス基板３０とレチクルの縦断面図である。図３
（ａ）に示したように、ガラス基板３０に入射する露光
光１０は、ピッチＰ2を持つ四角形パターン３９によ
り、＋１次光３１，−１次光３２を生じる。この場合、
０次光は消滅する。回折光３１は、レチクル上のクロム
パターン８により再び回折光として０次光３５Ａ，＋１
次光３５Ｂ，−１次光３５Ｃを生じる。また、回折光３
２も同様にクロムパターン８により、０次光３６Ａ，＋
１次光３６Ｂ，−１次光３６Ｃを生じる。斜入射露光の
効果が最も高いのは、０次光３５Ａと＋１次光３６Ｂ
が、また−１次光３５Ｃと０次光３６Ａがそれぞれ方向
が同じ場合である。
【００３２】このためには、クロムパターンのピッチを
Ｐ 1 ，クロムパターン部で０次光と±１次光とのなす角
をθ1，ガラス基板３０上のパターン３９部で０次光と
±１次光とのなす角をθ2とすると、Ｐ2＝Ｐ1（ｓｉｎ
θ1／ｓｉｎθ2）＝Ｐ1（ｓｉｎθ1／ｓｉｎ（θ1／
２））≒２Ｐ1の関係が成り立てば良い。即ち、パター
ン３９のピッチＰ2がクロムパターン８のピッチＰ1の２
倍であれば良い。
Ｐ 1 ，クロムパターン部で０次光と±１次光とのなす角
をθ1，ガラス基板３０上のパターン３９部で０次光と
±１次光とのなす角をθ2とすると、Ｐ2＝Ｐ1（ｓｉｎ
θ1／ｓｉｎθ2）＝Ｐ1（ｓｉｎθ1／ｓｉｎ（θ1／
２））≒２Ｐ1の関係が成り立てば良い。即ち、パター
ン３９のピッチＰ2がクロムパターン８のピッチＰ1の２
倍であれば良い。
【００３３】次に図３（ｂ）を用いて、レチクル７上に
ピッチ２Ｐ1のパターンがある場合でも焦点深度が広く
なる理由を説明する。ガラス基板３０上には、パターン
４０がピッチＰ3、即ちピッチ２Ｐ2で形成されている。
このパターンに入射した露光光１０は、パターン４０に
よって、＋１次光３７，−１次光３８を生じる。この場
合、０次光と±１光とのなす角θ3は、θ3＝（ｓｉｎθ
2／２）となる。これら±１次光３７，３８は、レチク
ル７上のピッチ２Ｐ1のパターンにより、再び回折光を
生じる。回折光３７から０次光３７Ａ，＋１次光３７
Ｂ，−１次光３７Ｃが、また回折光３８から０次光３８
Ａ，＋１次光３８Ｂ，−１次光３８Ｃがそれぞれ生じ
る。回折光３７Ａ，３８Ａがそれぞれ±１次光となす角
をθ4とすると、Ｐ3＝（２Ｐ1）（ｓｉｎθ3／ｓｉｎθ
4）≒（２Ｐ1）（ｓｉｎθ3／ｓｉｎ（θ3／２））＝２
×（２Ｐ1）の場合、最も変形照明の効果が高いが、Ｐ3
＝２×Ｐ 2＝２×（２Ｐ1）であり、これは成立してい
る。
ピッチ２Ｐ1のパターンがある場合でも焦点深度が広く
なる理由を説明する。ガラス基板３０上には、パターン
４０がピッチＰ3、即ちピッチ２Ｐ2で形成されている。
このパターンに入射した露光光１０は、パターン４０に
よって、＋１次光３７，−１次光３８を生じる。この場
合、０次光と±１光とのなす角θ3は、θ3＝（ｓｉｎθ
2／２）となる。これら±１次光３７，３８は、レチク
ル７上のピッチ２Ｐ1のパターンにより、再び回折光を
生じる。回折光３７から０次光３７Ａ，＋１次光３７
Ｂ，−１次光３７Ｃが、また回折光３８から０次光３８
Ａ，＋１次光３８Ｂ，−１次光３８Ｃがそれぞれ生じ
る。回折光３７Ａ，３８Ａがそれぞれ±１次光となす角
をθ4とすると、Ｐ3＝（２Ｐ1）（ｓｉｎθ3／ｓｉｎθ
4）≒（２Ｐ1）（ｓｉｎθ3／ｓｉｎ（θ3／２））＝２
×（２Ｐ1）の場合、最も変形照明の効果が高いが、Ｐ3
＝２×Ｐ 2＝２×（２Ｐ1）であり、これは成立してい
る。
【００３４】従って、クロムパターンの寸法がＰ1の２
倍の２Ｐ1の場合でも、本実施例１のガラス基板３０を
用いることにより焦点深度の拡大が可能である。
倍の２Ｐ1の場合でも、本実施例１のガラス基板３０を
用いることにより焦点深度の拡大が可能である。
【００３５】図４は本実施例１で得られる焦点深度をパ
ターンピッチに対してプロットした図である。ピッチが
２Ｐ1の場合、大きな焦点深度が確保されている。尚、
ここでは、四角形パターンをＳＯＧで形成したが、これ
はガラス基板をエッチングして形成しても、スパッタＳ
ｉＯ2や他の材料を用いても構わない。また四角形の大
きさは、すべて寸法を一定にして、配置する必要はな
く、四角形Ｐ2は×０．１〜×１．９，四角形Ｐ1は×
０．５〜×１．５倍の大きさのものをランダムに配置し
ても良い。ピッチＰ2は１．２×Ｐ1〜３×Ｐ1の範囲
で、従ってＰ2も１．２×（２×Ｐ1）〜３×（２×
Ｐ1）の範囲で変化しても効果は得られる。また、小さ
い四角形パターン３９と大きい四角形パターン４０の中
心が一致する必要もない。
ターンピッチに対してプロットした図である。ピッチが
２Ｐ1の場合、大きな焦点深度が確保されている。尚、
ここでは、四角形パターンをＳＯＧで形成したが、これ
はガラス基板をエッチングして形成しても、スパッタＳ
ｉＯ2や他の材料を用いても構わない。また四角形の大
きさは、すべて寸法を一定にして、配置する必要はな
く、四角形Ｐ2は×０．１〜×１．９，四角形Ｐ1は×
０．５〜×１．５倍の大きさのものをランダムに配置し
ても良い。ピッチＰ2は１．２×Ｐ1〜３×Ｐ1の範囲
で、従ってＰ2も１．２×（２×Ｐ1）〜３×（２×
Ｐ1）の範囲で変化しても効果は得られる。また、小さ
い四角形パターン３９と大きい四角形パターン４０の中
心が一致する必要もない。
【００３６】（実施例２）図５は本発明の実施例２に用
いるガラス基板３０を示す平面図である。ガラス基板３
０上には、四角形パターン４３及び三角形パターン４４
が種々の方向に形成されれている。上方から照射された
露光光１０は、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ＋１次光４
５，４６，−１次光４７，４８を生じ、また、それぞれ
４５°回転方向に＋１次光４９，５０，−１次光５１，
５２を生じる。これにより、従来ではＸ，Ｙ方向にしか
効果がなかったのに対し、本実施例２では、４５°方向
のパターンに対しても解像度及び焦点深度を大幅に向上
することが可能である。ここで、パターン４３，４４は
実施例１と同じく、ＳＯＧでなく、露光光を透過する他
の材料で形成しても何ら問題はない。また、パターン４
３，４４の大きさも、すべて固定せず、実施例の×０．
１〜×１．９の範囲でランダムに変更可能である。ピッ
チＰ2も必ずしもＰ1×２でなくても、１．５×Ｐ1〜３
×Ｐ1の範囲で効果は得られる。
いるガラス基板３０を示す平面図である。ガラス基板３
０上には、四角形パターン４３及び三角形パターン４４
が種々の方向に形成されれている。上方から照射された
露光光１０は、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ＋１次光４
５，４６，−１次光４７，４８を生じ、また、それぞれ
４５°回転方向に＋１次光４９，５０，−１次光５１，
５２を生じる。これにより、従来ではＸ，Ｙ方向にしか
効果がなかったのに対し、本実施例２では、４５°方向
のパターンに対しても解像度及び焦点深度を大幅に向上
することが可能である。ここで、パターン４３，４４は
実施例１と同じく、ＳＯＧでなく、露光光を透過する他
の材料で形成しても何ら問題はない。また、パターン４
３，４４の大きさも、すべて固定せず、実施例の×０．
１〜×１．９の範囲でランダムに変更可能である。ピッ
チＰ2も必ずしもＰ1×２でなくても、１．５×Ｐ1〜３
×Ｐ1の範囲で効果は得られる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光透過材
料により複数の合同でないパターンの形成されたガラス
基板を照明光学系中に有するため、光量の低下がなく、
所望のパターンの２倍のピッチのパターンでも、あるい
はまた４５°方向のパターンでもＸ方向，Ｙ方向のパタ
ーンと同様に解像度，焦点深度を向上することができ、
従って、高性能で低価格の半導体デバイスを提供できる
という効果を有する。
料により複数の合同でないパターンの形成されたガラス
基板を照明光学系中に有するため、光量の低下がなく、
所望のパターンの２倍のピッチのパターンでも、あるい
はまた４５°方向のパターンでもＸ方向，Ｙ方向のパタ
ーンと同様に解像度，焦点深度を向上することができ、
従って、高性能で低価格の半導体デバイスを提供できる
という効果を有する。
【図１】本発明の実施例１を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施例に用いるガラス基板
を説明する平面図、（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断
面図である。
を説明する平面図、（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断
面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例１における
ガラス基板とレチクルの組合せによる焦点深度を説明す
る断面図である。
ガラス基板とレチクルの組合せによる焦点深度を説明す
る断面図である。
【図４】本発明の実施例１におけるパターンピッチと焦
点深度の関係を示した図である。
点深度の関係を示した図である。
【図５】本発明の実施例２に用いるガラス基板を示す平
面図である。
面図である。
【図６】従来における通常露光法を示す断面図である。
【図７】従来のアパーチャを用いた斜入射露光法を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】（ａ）は従来例における通常アパーチャを示す
図、（ｂ）は輪帯照明アパーチャを示す図、（ｃ）は４
点照明アパーチャを示す図である。
図、（ｂ）は輪帯照明アパーチャを示す図、（ｃ）は４
点照明アパーチャを示す図である。
【図９】（ａ）は従来例の光学素子を用いた斜入射露光
法を示す断面図、（ｂ）は光学素子を示す平面図、
（ｃ）は同断面図である。
法を示す断面図、（ｂ）は光学素子を示す平面図、
（ｃ）は同断面図である。
【図１０】従来例を説明するためのパターンピッチと焦
点深度の関係を示す図である。
点深度の関係を示す図である。
【図１１】従来例を説明するための断面図である。
１ 光源 ５Ａ アパーチャ ５Ｂ アパーチャ ７ レチクル ８ クロムパターン １０ 露光光 ２４ 光学素子 ３０ 光学素子 ３９，４０ 四角形パターン ４３ 四角形パターン ４４ 三角形パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板を有し、光源より出射光をフ
ライアイレンズ及びアパーチャを含む照明光学系を介し
て遮光体からなるパターンの形成されているマスク上に
照射し、前記パターンを投影レンズを介してウェハー上
に転写する投影露光装置であって、 ガラス基板は、前記照明光学系に設けられたものであ
り、同一の光透過性をもつ複数のパターンを有し、 前記複数のパターンは、第１のパターンの中に含まれる
ように第２のパターンが配置されて組み合わされてお
り、この組み合わせが繰り返して配置されるように構成
されたものであることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記ガラス基板上の複数のパターンは、
寸法の大なる四角形の中に、寸法の小なる四角形が配置
されていることを特徴とする請求項１に記載の投影露光
装置。 - 【請求項３】 前記ガラス基板上の複数のパターンは、
寸法の大なる四角形の中に、寸法の小なる三角形が配置
されていることを特徴とする請求項１に記載の投影露光
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296935A JP2870390B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 投影露光装置 |
| US08/344,652 US5677756A (en) | 1993-11-26 | 1994-11-18 | Apparatus for exposing a semiconductor wafer to light including an illumination optical system comprising a glass substrate having light-permeable patterns |
| KR1019940031358A KR0135355B1 (ko) | 1993-11-26 | 1994-11-26 | 투영 노광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296935A JP2870390B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153654A JPH07153654A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2870390B2 true JP2870390B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17840084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5296935A Expired - Fee Related JP2870390B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 投影露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5677756A (ja) |
| JP (1) | JP2870390B2 (ja) |
| KR (1) | KR0135355B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100400283B1 (ko) * | 1996-10-28 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법 |
| KR19980065942A (ko) * | 1997-01-16 | 1998-10-15 | 김광호 | 서로 독립적인 버스방식의 중앙처리장치와 주변장치간 인터페이스회로 및 방법 |
| KR100239924B1 (ko) * | 1998-12-15 | 2000-01-15 | 박병선 | 회절격자의 제조방법 |
| US6379868B1 (en) * | 1999-04-01 | 2002-04-30 | Agere Systems Guardian Corp. | Lithographic process for device fabrication using dark-field illumination |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347924A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-02-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2657936B2 (ja) * | 1991-05-20 | 1997-09-30 | 日本電信電話株式会社 | マスク照明光学系及びそれを用いる投影露光装置並びに方法 |
| JP2630694B2 (ja) * | 1991-07-12 | 1997-07-16 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置用マスク |
| US5264898A (en) * | 1991-08-29 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| JP2590700B2 (ja) * | 1993-09-16 | 1997-03-12 | 日本電気株式会社 | 投影露光装置 |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP5296935A patent/JP2870390B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-18 US US08/344,652 patent/US5677756A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-26 KR KR1019940031358A patent/KR0135355B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR950014995A (ko) | 1995-06-16 |
| JPH07153654A (ja) | 1995-06-16 |
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